TWI894705B - 電漿處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種電漿處理裝置，包括反應腔，該反應腔內設置有上電極以及與該上電極相對的下電極組件，所述下電極組件下表面連接有射頻導桿，從而與射頻電源連接，一射頻屏蔽部件環繞該射頻導桿設置在反應腔內，一電容調節裝置設置在所述射頻屏蔽部件、所述下電極組件和反應腔底壁構成的空間內，通過所述電容調節裝置調節所述下電極組件或射頻導桿和地之間的電容；通過上述裝置，單一腔體可滿足多種射頻頻率的需要，為單一腔體的多頻應用提供了可行性。

Description

電漿處理裝置

本發明涉及半導體加工技術領域，具體涉及一種反應腔諧振頻率可調的電漿處理裝置。

電漿處理裝置廣泛應用於半導體晶圓的加工製造過程中，比如電漿沉積、蝕刻等。如圖1所示為典型的電漿處理裝置結構示意圖。該電漿處理裝置包括反應腔100，其由金屬製成且接地，以實現對腔內射頻場的屏蔽；該反應腔100包括位於頂部的氣體噴淋頭和一與所述氣體噴淋頭相對設置的基座，所述氣體噴淋頭用於向反應腔100輸送反應氣體，同時作為反應腔100的上電極141，所述基座作為下電極111；所述基座上方還設有靜電卡盤112，通過該靜電卡盤112固定待處理的晶圓。一射頻導桿150連接基座和反應腔外部的射頻電源，該射頻電源發出的射頻功率經過匹配網路和射頻導桿150後施加至下電極，在上下電極之間形成射頻電場，從而電離上下電極間的反應氣體生成電漿，該電漿對基座上方的待處理晶圓進行蝕刻工藝。

環繞所述基座設置有聚焦環121用於調節晶圓邊緣的電場分佈，實現蝕刻過程中電漿的均勻控制，在聚焦環121的外緣還環繞設置有覆蓋環122，用於防止電漿對覆蓋環122下方的各部件的侵蝕。環繞所述覆蓋環122設置有電漿約束環123，在排出反應氣體的同時將電漿約束在下電極111上方的反應區域 內。電漿約束環123下方設置一接地環132，為電漿約束環123提供電磁屏蔽，並在反應腔內形成一射頻接地回路。接地環132和基座之間還設置一絕緣環131，將施加到下電極111上的射頻訊號屏蔽在基座內。

目前，使用上述電漿處理裝置應用不同的射頻頻率進行蝕刻時，為了保證蝕刻速率的穩定，在設計反應腔時，需嚴格測算反應腔腔體的諧振頻率，使腔體的諧振頻率避開射頻頻率以及射頻頻率的倍頻。

而隨著技術節點的不斷推進，越來越多的射頻頻率被應用在電漿蝕刻中，目前已擴展至400kHz、2MHz、13.56MHz、40MHz、60MHz等，腔體的諧振頻率需要避開的頻率隨之增多；為了進一步擴大工藝窗口，電漿處理裝置還開始採用雙頻甚至多頻配置，因此腔體的諧振頻率不僅需要避開各個主頻，還需要兼顧各主頻的倍頻及各主頻間的差頻。由於腔體的諧振頻率由腔體的結構決定，多頻配置極大地增加了腔體的設計難度。

本發明的目的是提出一種不改變腔體結構而調節腔體內諧振頻率的電漿處理裝置，以解決目前電漿處理裝置多頻配置對腔體結構設計要求高的問題。

為實現上述目的，本發明公開了一種電漿處理裝置，包括：由反應腔頂壁、反應腔底壁和反應腔側壁包圍形成的反應腔，所述反應腔內設置有上電極以及與所述上電極相對的下電極組件，所述下電極組件通過一射頻導桿與射頻電源連接，所述下電極組件的下方設置有射頻屏蔽部件，所述射頻屏蔽部件環繞設置在所述射頻導桿外圍，一電容調節裝置設置在所述射頻屏蔽部件、 所述下電極組件和所述反應腔底壁構成的空間內，通過所述電容調節裝置調節所述下電極組件和地之間的電容。

可選地，所述電容調節裝置為環繞所述射頻導桿設置的移動接地環，所述移動接地環的上表面與所述下電極組件的下表面大致平行，通過調整所述移動接地環與所述下電極組件之間的相對距離調節所述下電極組件和地之間的電容。

可選地，所述移動接地環與伸出所述反應腔底壁的金屬傳動桿連接，所述金屬傳動桿帶動所述移動接地環在所述反應腔內上下移動。

可選地，所述金屬傳動桿與所述反應腔底壁之間通過波紋管連接。

可選地，所述移動接地環與三根金屬傳動桿連接。

可選地，所述移動接地環與所述下電極組件相對的面積為1000-70000mm²。

可選地，所述移動接地環與所述下電極組件之間可調節的相對距離為0.1-20mm。

可選地，所述移動接地環包括多個扇環。

可選地，所述電容調節裝置為馬達電容，所述馬達電容一端與所述下電極組件電連接，另一端接地。

可選地，所述馬達電容通過複數根射頻傳輸線與一饋電環連接，所述饋電環與所述下電極組件電連接。

本發明還公開了另一種電漿處理裝置，包括：由反應腔頂壁、反應腔底壁和反應腔側壁包圍形成的反應腔，所述反應腔內設置有上電極以及與所述上電極相對的下電極組件，所述下電極組件通過一射頻導桿與射頻電源連 接，所述下電極組件的下方設置有射頻屏蔽部件，所述射頻屏蔽部件環繞設置在所述射頻導桿外圍，一電容調節裝置設置在所述射頻屏蔽部件、所述下電極組件和所述反應腔底壁構成的空間內，通過所述電容調節裝置調節所述射頻導桿和地之間的電容。

可選地，所述電容調節裝置為環繞所述射頻導桿設置的移動接地套筒，所述移動接地套筒與所述射頻導桿同軸設置，通過調整所述移動接地套筒與所述射頻導桿之間的相對面積調節所述射頻導桿和地之間的電容。

可選地，所述移動接地套筒穿過所述反應腔底壁設置，所述移動接地套筒的第一端設置在所述下電極組件的下方且位於所述反應腔底壁的上方，所述移動接地套筒的第二端設置在所述反應腔底壁的下方。

可選地，所述移動接地套筒與所述反應腔底壁之間通過波紋管連接。

可選地，所述移動接地套筒與金屬傳動桿連接，所述金屬傳動桿帶動所述移動接地套筒在所述反應腔內上下移動。

可選地，所述移動接地套筒與所述射頻導桿之間的相對距離為0.1-20mm。

可選地，所述移動接地套筒與所述下電極組件之間可調的相對面積為1000-12000mm²。

可選地，所述移動接地套筒與三根金屬傳動桿連接。

可選地，所述電容調節裝置為馬達電容，所述馬達電容一端與所述射頻導桿電連接，另一端接地。

可選地，所述馬達電容通過複數根射頻傳輸線與一饋電環連接，所 述饋電環與所述射頻導桿電連接。

與習知技術相比，本發明具有以下有益效果：本裝置在不改變反應腔原有結構的基礎上，在反應腔內增加了電容調節裝置，與反應腔的原本結構相配合，與反應腔的原固有電容並聯，從而改變腔體總電容，進而改變腔體諧振頻率；上述電容調節裝置可移動或其電容可調，根據使用的射頻頻率，通過移動該電容調節裝置或改變其電容，調節反應腔的下電極組件或射頻導桿和地之間的電容，從而調節腔體的諧振頻率，使其避開多主頻及其倍頻、差頻等；通過上述裝置，單一腔體可滿足多種射頻頻率的需要，為單一腔體的多頻應用提供了可行性。

100:反應腔

111:下電極

112:靜電卡盤

121:聚焦環

122:覆蓋環

123:電漿約束環

131:絕緣環

132:接地環

141:上電極

150:射頻導桿

100’:反應腔

101:反應腔底壁

111:下電極組件

140:移動接地環

141:金屬傳動桿

142:第一波紋管

143:移動接地套筒

144:第二波紋管

圖1為習知技術中的電漿處理裝置示意圖；圖2為本發明一實施例的電漿處理裝置示意圖；圖3為本發明又一實施例的電漿處理裝置示意圖；圖4為本發明的電漿處理裝置與習知技術的裝置的諧振曲線。

以下將結合本發明實施例中的圖1~圖4，對本發明實施例中的技術方案、構造特徵、所達成目的及功效予以詳細說明。

需要說明的是，圖式採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例， 僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施方式的目的，並非用以限定本發明實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容能涵蓋的範圍內。

需要說明的是，在本發明中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且，術語「包括」、「包含」或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括明確列出的要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。

本發明公開了一種腔體諧振頻率可調的電漿處理裝置，如圖2所示，包括：由反應腔頂壁、反應腔底壁101和反應腔側壁包圍形成的反應腔100’，所述反應腔100’內包括位於頂部的氣體噴淋頭和一與所述氣體噴淋頭相對設置的基座，所述氣體噴淋頭作為反應腔100’的上電極141，所述基座作為下電極組件111，該上電極141和下電極組件111之間(虛線區域)為電漿處理區域；射頻導桿150將外部的射頻電源通過該射頻導桿150傳輸至下電極組件111，從而施加射頻頻率至下電極組件111；工藝過程中，反應氣體通過氣體噴淋頭輸送至反應腔100’內，射頻頻率施加到下電極組件111上，在上下電極之間產生射頻電場，對上下電極之間的反應氣體電離，從而產生電漿對基座上的待處理晶圓進行蝕刻。

所述基座上方還設有靜電卡盤112，該靜電卡盤112可產生靜電吸 力，以在工藝過程中支撐固定待處理晶圓。環繞所述基座設置有聚焦環121和覆蓋環122，所述聚焦環121用於調節晶圓邊緣的電場分佈，實現蝕刻過程中電漿的均勻控制，所述覆蓋環122用於防止反應腔內的電漿對覆蓋環122下方的各部件的侵蝕。環繞該覆蓋環122還設有電漿約束環123，在排出反應氣體的同時將電漿約束在上下電極之間的反應區域內。所述電漿約束環123下方設置有一接地環132，該接地環132作為射頻屏蔽部件為電漿約束環123提供電磁屏蔽，並在反應腔內形成一射頻接地回路。所述接地環132和基座之間還設有一絕緣環131，配合反應腔腔壁將施加到下電極組件111上的射頻訊號屏蔽在反應腔內。

為了調節腔體的諧振頻率，在本實施例中，所述下電極組件111、所述反應腔底壁101、接地環132構成的空間內設置有移動接地環140作為電容調節裝置，所述移動接地環140環繞設置在射頻導桿150外圍，且所述移動接地環140的上表面與下電極組件111的下表面大致平行，所述移動接地環140由導電材料製成，所述移動接地環140與下電極組件111構成第一平行板電容C₁。

所述移動接地環140的下表面與金屬傳動桿141連接，所述金屬傳動桿141的一端與移動接地環140連接，另一端穿過反應腔底壁101與反應腔外的傳動機構連接，使移動接地環140在反應腔100’內上下移動，在傳動機構的帶動下，使金屬傳動桿141上升或下降，從而上下移動所述移動接地環140。可選地，所述金屬傳動桿141的數量為三根，三根金屬傳動桿在圓周方向上對稱分佈；在傳動機構的帶動下，使金屬傳動桿141上升或下降，從而上下移動所述移動接地環140。

每根金屬傳動桿141外分別套設一個第一波紋管142，該第一波紋管142的第一端固定在金屬傳動桿141上，第二端固定在反應腔底壁101上，當上下 移動該金屬傳動桿141時，其對應的第一波紋管142在移動方向上被拉伸或壓縮。如圖2所示，所述第一波紋管142設置在反應腔底壁101上方，即反應腔100’內，當所述移動接地環140向上移動時，該第一波紋管142被拉伸；當所述移動接地環140向下移動時，該第一波紋管142被壓縮。

在其他實施例中，所述第一波紋管142還可設置在反應腔底壁101的下方，即反應腔100’外，此時，當所述移動接地環140向上移動時，該第一波紋管142被壓縮；當所述移動接地環140向下移動時，該第一波紋管142被拉伸。

為起到防止射頻訊號洩露且電連接移動接地環140與反應腔100’的目的，所述第一波紋管142應為金屬材質，可選地，所述第一波紋管142為不鏽鋼材質。通過所述金屬傳動桿141、所述第一波紋管142與反應腔底壁101的良好接觸，實現有效接地並防止射頻洩露。

習知技術中，由於反應腔100內的結構固定，下電極組件111與接地環132之間的固有電容恆定為C₀，腔體的總電容和腔體諧振頻率也相應是固定的。本實施例中，通過在下電極組件111和接地環132之間設置上述移動接地環140，在反應腔100’內增加了一個與腔體固有電容C₀並聯的第一平行板電容C₁，隨著移動接地環140的上下移動，兩個極板之間的相對距離發生變化，從而該第一平行板電容C₁的大小也在一定範圍內變化，下電極組件對地電容也發生變化，腔體諧振頻率也隨之在一定範圍內變化，從而得到一諧振頻率可調的電漿處理裝置。

可選地，所述移動接地環140與所述下電極組件111相對的面積為1000-70000mm²，所述移動接地環140與所述下電極組件111之間可調節的相對距離為0.1-20mm。

在另一實施例中，由於下電極組件111中通常會設置用於頂升晶圓用的頂針，而頂針的數量通常為三個，為了使所述頂針有足夠的空間，所述移動接地環140還可包括多個金屬製的扇環，所述扇環的數量可以是三個，每個扇環之間的間隙可容納所述頂針，使所述頂針可以順利升降。該些扇環環繞射頻導桿150設置，其大小與圓心角可以相同也可以不同，每個扇環的下表面與至少一根穿過反應腔底壁101的金屬傳動桿141連接，每根金屬傳動桿141均與反應腔底壁101或接地環132通過第一波紋管142連接從而將對應的扇環接地；在反應腔外，每根金屬傳動桿141還與對應的傳動機構連接。每個扇環均與下電極組件111的下表面大致平行，構成一個第二平行板電容C₂，多個扇環與下電極組件111下表面構成多個第二平行板電容C₂；由於該些扇環的大小可以相同也可以不同，因此該些第二平行板電容C₂的大小可以相同也可以不同；多個所述第二平行板電容C₂與腔體固有電容C₀並聯，改變了下電極組件111的對地總電容，從而改變腔體的總電容和諧振頻率。

在多個傳動機構的作用下，控制對應的扇環上下移動，不僅使多個第二平行板電容的大小分別對應變化，從而調節腔體的諧振頻率，還可以調節上下電極之間的電漿分佈：通過上下移動對應的扇環，調節該扇環與下電極組件111之間的電容大小，起到調節對應電漿處理區域的電漿濃度的效果。

在一些其他的實施例中，為了擴大電容調節窗口，所述電容調節裝置為馬達電容，所述馬達電容一端與所述下電極組件111電連接，另一端通過導線與反應腔底壁101或接地環132電連接，使所述馬達電容與反應腔底壁101或接地環132良好接觸並接地。通過所述馬達電容，可以使下電極組件111對地的電容調節範圍增加。可選地，為了提高射頻傳輸均勻性，所述馬達電容通過複數 根射頻傳輸線與一饋電環連接，所述饋電環與所述下電極組件111通過複數根射頻傳輸線電連接。可選地，所述馬達電容與所述饋電環之間的射頻傳輸線的數量為三根，三根射頻傳輸線在圓周方向上對稱分佈；所述饋電環與所述下電極組件111之間的射頻傳輸線的數量為三根，三根射頻傳輸線在圓周方向上對稱分佈。

在又一實施例中，如圖3所示，在所述射頻導桿150和接地環132之間設置一金屬的移動接地套筒143作為電容調節裝置，該移動接地套筒143環繞射頻導桿150設置且與該射頻導桿150同軸，所述移動接地套筒143的內壁面與射頻導桿150大致平行，該移動接地套筒143的內壁面與射頻導桿150構成一個第三平行板電容C₃，該第三平行板電容C₃與反應腔中下電極組件111與接地環132之間的腔體固有電容C₀並聯，所述移動接地套筒143的第一端設置在反應腔底壁101的上方且位於所述下電極組件111下方，第二端穿過反應腔底壁101設置在反應腔的外部，由於只有處於反應腔內的部分移動接地套筒143與射頻導桿150之間的電容影響移動接地套筒143與射頻導桿150之間的第三平行板電容C₃，因此通過上下移動該移動接地套筒143，改變處於反應腔內的移動接地套筒143的長度，從而調整所述移動接地套筒143與所述射頻導桿150之間的相對面積，起到改變射頻導桿150的對地電容的作用，從而改變腔體的諧振頻率。

移動接地套筒143通過第二波紋管144與反應腔底壁101連接，所述第二波紋管144為圓環狀，其一端與反應腔底壁101固定連接，另一端與移動接地套筒143的第二端固定連接，將移動接地套筒143的第二端包圍，該第二波紋管144在移動接地套筒143的移動方向上被拉伸或壓縮；當移動接地套筒143在傳動機構的作用下向上移動時，該第二波紋管144被壓縮，當移動接地套筒143在 傳動機構的作用下向下移動時，該第二波紋管144被拉伸。通過第二波紋管144提供移動接地套筒143與反應腔底壁101的良好電接觸，同時將反應腔內的射頻訊號屏蔽在腔內，防止射頻訊號外泄。

所述移動接地套筒143在反應腔外部還與金屬傳動桿連接，該金屬傳動桿與傳動機構連接，為移動接地套筒143的上下移動提供動力。可選地，所述金屬傳動桿的數量為三根，三根金屬傳動桿在圓周方向上對稱分佈。

本實施例中，通過在射頻導桿的外圍設置上述移動接地套筒143，在反應腔內增加了一個與腔體固有電容C₀並聯的第三平行板電容C₃，隨著移動接地套筒143的上下移動，移動接地套筒143與所述射頻導桿150之間的相對面積也隨之發生變化，從而該第三平行板電容C₃的大小也在一定範圍內變化，射頻導桿150的對地電容也發生變化，腔體諧振頻率也隨之在一定範圍內變化，從而得到一諧振頻率可調的電漿處理裝置。

可選地，所述移動接地套筒143與所述射頻導桿150之間的相對距離為0.1-20mm，所述移動接地套筒143與所述射頻導桿之間可調節的相對面積為1000-12000mm²。

在一些其他的實施例中，為了擴大電容調節窗口，所述電容調節裝置為馬達電容，所述馬達電容一端與所述射頻導桿150電連接，另一端通過導線與反應腔底壁101或接地環132電連接，使所述馬達電容與反應腔底壁101或接地環132良好接觸並接地。通過所述馬達電容，可以使射頻導桿150的對地電容調節範圍增加。可選地，為了提高射頻傳輸均勻性，所述馬達電容通過複數根射頻傳輸線與一饋電環連接，所述饋電環與所述射頻導桿150通過複數根射頻傳輸線電連接。可選地，所述馬達電容與所述饋電環之間的射頻傳輸線的數量為三 根，三根射頻傳輸線在圓周方向上對稱分佈；所述饋電環與所述射頻導桿150之間的射頻傳輸線的數量為三根，三根射頻傳輸線在圓周方向上對稱分佈。

在其他實施例中，還可以採用其他形式的導體部件或者可變電容設置在反應腔中的下電極組件111或射頻導桿150與腔體接地部件之間，只需要起到改變下電極組件111或射頻導桿150的對地電容的作用即可。

採用上述的諧振頻率可調的電漿處理裝置，當腔體原有的諧振頻率接近使用的射頻頻率或其倍頻或多主頻的差頻時，採用上述裝置主動調節下電極組件或射頻導桿的對地電容，從而改變腔體的諧振頻率。由於諧振曲線在諧振頻率點具有突變特性，因此只需要在小範圍內，比如零點幾兆至幾兆赫茲內調節諧振頻率即可滿足需求；另一方面，為起到調整腔體電容從而改變腔體諧振頻率的作用，腔體內增加的電容(第一平行板電容C₁、多個第二平行板電容C₂的總電容、第三平行板電容C₃或馬達電容)應為腔體固有電容C₀的幾倍至幾百倍。

如圖4所示，使用本發明裝置改變下電極組件或射頻導桿的對地電容，將腔體原本的諧振頻率26.8MHz轉移至30.5MHz，可以避開射頻頻率13.56MHz的倍頻。

儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的請求項來限定。

100’:反應腔

101:反應腔底壁

111:下電極組件

112:靜電卡盤

121:聚焦環

122:覆蓋環

123:電漿約束環

131:絕緣環

132:接地環

140:移動接地環

141:金屬傳動桿

142:第一波紋管

150:射頻導桿

Claims (20)

1. 一種電漿處理裝置，包括：由反應腔頂壁、反應腔底壁和反應腔側壁包圍形成的反應腔，所述反應腔內設置有上電極以及與所述上電極相對的下電極組件，所述下電極組件通過一射頻導桿與射頻電源連接，所述下電極組件的下方設置有射頻屏蔽部件，所述射頻屏蔽部件環繞設置在所述射頻導桿外圍，其中， 一電容調節裝置設置在所述射頻屏蔽部件、所述下電極組件和所述反應腔底壁構成的空間內，通過所述電容調節裝置調節所述下電極組件和地之間的電容。
2. 如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述電容調節裝置為環繞所述射頻導桿設置的移動接地環，所述移動接地環的上表面與所述下電極組件的下表面大致平行，通過調整所述移動接地環與所述下電極組件之間的相對距離調節所述下電極組件和所述地之間的電容。
3. 如請求項2所述的電漿處理裝置，其中，所述移動接地環與伸出所述反應腔底壁的金屬傳動桿連接，所述金屬傳動桿帶動所述移動接地環在所述反應腔內上下移動。
4. 如請求項3所述的電漿處理裝置，其中，所述金屬傳動桿與所述反應腔底壁之間通過波紋管連接。
5. 如請求項3所述的電漿處理裝置，其中，所述移動接地環與三根金屬傳動桿連接。
6. 如請求項2所述的電漿處理裝置，其中，所述移動接地環與所述下電極組件相對的面積為1000-70000mm ²。
7. 如請求項6所述的電漿處理裝置，其中，所述移動接地環與所述下電極組件之間可調節的相對距離為0.1-20mm。
8. 如請求項2所述的電漿處理裝置，其中，所述移動接地環包括多個扇環。
9. 如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述電容調節裝置為馬達電容，所述馬達電容一端與所述下電極組件電連接，另一端接地。
10. 如請求項9所述的電漿處理裝置，其中，所述馬達電容通過複數根射頻傳輸線與一饋電環連接，所述饋電環與所述下電極組件電連接。
11. 一種電漿處理裝置，包括：由反應腔頂壁、反應腔底壁和反應腔側壁包圍形成的反應腔，所述反應腔內設置有上電極以及與所述上電極相對的下電極組件，所述下電極組件通過一射頻導桿與射頻電源連接，所述下電極組件的下方設置有射頻屏蔽部件，所述射頻屏蔽部件環繞設置在所述射頻導桿外圍，其中， 一電容調節裝置設置在所述射頻屏蔽部件、所述下電極組件和所述反應腔底壁構成的空間內，通過所述電容調節裝置調節所述射頻導桿和地之間的電容。
12. 如請求項11所述的電漿處理裝置，其中，所述電容調節裝置為環繞所述射頻導桿設置的移動接地套筒，所述移動接地套筒與所述射頻導桿同軸設置，通過調整所述移動接地套筒與所述射頻導桿之間的相對面積調節所述射頻導桿和所述地之間的電容。
13. 如請求項12所述的電漿處理裝置，其中，所述移動接地套筒穿過所述反應腔底壁設置，所述移動接地套筒的第一端設置在所述下電極組件的下方且位於所述反應腔底壁的上方，所述移動接地套筒的第二端設置在所述反應腔底壁的下方。
14. 如請求項13所述的電漿處理裝置，其中，所述移動接地套筒與所述反應腔底壁之間通過波紋管連接。
15. 如請求項14所述的電漿處理裝置，其中，所述移動接地套筒與金屬傳動桿連接，所述金屬傳動桿帶動所述移動接地套筒在所述反應腔內上下移動。
16. 如請求項12所述的電漿處理裝置，其中，所述移動接地套筒與所述射頻導桿之間的相對距離為0.1-20mm。
17. 如請求項16所述的電漿處理裝置，其中，所述移動接地套筒與所述下電極組件之間可調的相對面積為1000-12000mm ²。
18. 如請求項15所述的電漿處理裝置，其中，所述移動接地套筒與三根金屬傳動桿連接。
19. 如請求項11所述的電漿處理裝置，其中，所述電容調節裝置為馬達電容，所述馬達電容一端與所述射頻導桿電連接，另一端接地。
20. 如請求項19所述的電漿處理裝置，其中，所述馬達電容通過複數根射頻傳輸線與一饋電環連接，所述饋電環與所述射頻導桿電連接。