CN104011838A - 具有柔性对称的rf返回带的等离子体处理室 - Google Patents
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Abstract
提供了用于处理半导体晶片的室。一种这样的室包括具有用于支撑衬底的表面的静电卡盘。提供了接地组件，所述接地组件围绕所述静电卡盘的周边。所述接地组件包括第一环形部件和第二环形部件以及所述第一环形部件与所述第二环形部件之间的空间。提供了具有柔性的导电带。所述导电带是环形的并且有具有第一端部和第二端部的弯曲形状的横截面。所述导电带被配置在所述空间中，使得所述第一端部电连接到所述第一环部以及所述第二端部电连接到所述第二环形部件。所述弯曲形状的横截面具有开口，当所述环形导电带位于所述空间时，所述开口背离所述静电卡盘。
Description
技术领域
本发明的实施方式涉及晶片处理装置，并且更具体地，涉及在晶片处理装置中用于处理晶片的装置和方法。
背景技术
集成电路的制造包括将含有掺杂硅区的硅衬底(晶片)浸没在化学反应性等离子体中，其中亚微米器件的特征(例如，晶体管，电容器等)被蚀刻在其表面。一旦第一层被制造，一些绝缘(介电)层形成在该第一层的顶部，其中在该材料中蚀刻孔(也被称为通孔)和沟槽，以便放置导电互连器。
非均匀的蚀刻能够对晶片产率产生不利影响。此外，随着关键尺寸的大小随每一代新设备的出现而收缩，并且随着晶片尺寸增加以便于从相同的晶片生产出数量更多的设备，非均匀性的要求变得越来越严格。因此，控制非均匀性是关键的以便能够以具有成本效益的方式来生产更先进的技术节点。
正是在这样的背景下产生了本发明的实施方式。
发明内容
本公开的实施方式提供处理室的实施方式，用于处理半导体晶片。在一种实施中，处理室包括带，该带耦合接地组件的第一部与接地组件的第二部，以完成接地组件的第一部与接地组件的第二部之间的柔性的接地路径。
在一种实施方式中，公开了用于处理半导体晶片的室。该室包括具有用于支撑衬底的表面的静电卡盘。提供了接地组件，该接地组件围绕该静电卡盘的周边。该接地组件包括第一环形部件和第二环形部件以及该第一环形部件和该第二环形部件之间的空间。提供了具有柔性的导电带。该导电带是环形的并且有具有第一端部和第二端部的弯曲形状的横截面。该导电带被配置在所述空间中，使得所述第一端部电连接到所述第一环形部件以及所述第二端部电连接到所述第二环形部件。所述弯曲形状的横截面具有开口，当所述环形导电带位于所述空间时，所述开口背离所述静电卡盘。
在另一种实施方式中，室是关闭的。该室包括具有用于支撑衬底的表面的静电卡盘。还包括围绕该静电卡盘的周边的聚焦环组件以及围绕该聚焦环组件的周边的接地组件。该接地组件包括第一环形部件和第二环形部件以及该第一环形部件和该第二环形部件之间的空间。提供了具有柔性的导电带。该导电带是环形的并且有具有第一端部和第二端部的弯曲形状的横截面。该导电带被配置在所述空间中，使得所述第一端部电连接到所述第一环形部件以及所述第二端部电连接到所述第二环形部件。所述弯曲形状的横截面具有开口，当所述环形导电带位于所述空间时，所述开口背离所述静电卡盘。
在一种实施方式中，提供了室，其中导电带包括多个指状件，并且其中每个指状件在弯曲形状的横截面的第一端部和弯曲形状的横截面的第二端部之间延伸。
在一种实施方式中，提供了室，其中所述弯曲形状的横截面的所述第一端部和所述弯曲形状的横截面的所述第二端部分别被夹持到所述接地组件的所述第一环形部件和所述接地组件的所述第二环形部件。
在一种实施方式中，提供了室，其中所述接地组件的所述第一环形部件被配置以垂直移动，并且具有柔性的所述导电带当所述第一环形部件向下移动时将会压缩以及具有柔性的所述导电带当所述第一环形部件向上移动时将会伸展，其中所述弯曲形状的横截面的第一端部通过螺钉夹紧到所述第一环形部件以及所述弯曲形状的横截面的所述第二端部通过螺钉夹紧到所述第二环形部件。
在一种实施方式中，提供了室，其中导电带是由铜金属板限定(define)。
在一种实施方式中，提供了室，其中导电带提供靠近等离子体区的第一环形部件与被耦合到室的室壁的接地点(ground)的第二环形部件之间的导电路径。
在一种实施方式中，提供了室，其中第一环形部件具有L形横截面以及第二环形部件具有L形的横截面，其中这些L形的长边限定管状部分以及这些L形的短边限定背离静电卡盘的延伸部，其中位于这些L形的短边之间的空间限定延伸部。
在一种实施方式中，提供了室，其中第一环形部件和第二环形部件的管状部分平行于聚焦环组件的介电环，聚焦环组件直接(immediately)围绕静电卡盘以及接地组件围绕聚焦环组件。
在一种实施方式中，提供了室，其中接地组件的第一环形部件和第二环形部件设置在有穿孔的等离子体约束环的下面。
在一种实施方式中，提供了室，其中向静电卡盘供应RF功率并且通过接地组件和导电带返回至少部分RF电流。
附图说明
图1示出了根据本发明的实施方式的等离子体反应器的横截面。
图2示出了RF返回带及其轮廓形状的更详细的示意图，RF返回带是柔性的并且被设计以安装于室的两个导电部件之间。
图3示出了根据一种实施方式的RF返回带的另一种详细的图。
图4示出了根据一种实施方式的RF返回带的另一种横断面图。
图5示出了根据一种实施方式的上部电极的另一种详细的图以及有穿孔的等离子体约束环区的局部示意图。
具体实施方式
所公开的实施方式提供了处理室的实施方式，用于处理半导体晶片。在一种实施方式中，处理室被称为反应器。一种配置包括与底部电极相对的附加电极，并且它是由基本对称的RF接地电极围绕。在一种实施方式中，顶部电极上的低射频(RF)功率控制顶室以及反应器壁上的离子能量。这有助于控制等离子体化学作用以及能够逐步控制以调整配方中的功率设置。
为了进一步控制顶部电极表面上的温度，在反应器的顶部区域设计了双区温度控制，使得在处理过程中可以独立地控制顶部电极的内侧温度和外侧温度。更进一步地，实施多区气体供给系统以注入各种比率的处理气体和调整气体通过各个区从而达到预期的径向均匀性。
然而，在另一种实施方式中，在底端设计外围RF供给装置以改善在高RF频率的RF输送条件下方位蚀刻速率的均匀性。将连接到ESC(静电卡盘)加热器和ESC电极的AC和DC缆线引导通过RF供给装置并在RF匹配器处的集成RF滤波器中终止。
在一个实施方式中，通过C形柔性金属单元(例如，RF返回带101)来实现对称的RF接地回路。这种金属带允许在处理过程中调整间隙，同时保持顶部电极与底部电极之间的RF返回路径的均匀(evenly)分布。在调整间隙过程中，该RF返回带101将伸缩以弯曲成更封闭的C形或伸直成更开放的C形。一般来说，C形有具有开口的弯曲形状，其中所述开口在弯曲形状的附着点或端部移动时，可以更封闭或更开放。如图1-4所示，RF返回带101围绕被连接到接地构件的静电卡盘的周边，提供更均匀的接地路径，接地路径对称地分布在该静电卡盘周围。
在一种实施方式中，RF返回带由铜材料制成，其是柔性的，柔性达到使得耦合到该带的端部之间的部件能运动的程度。在一种实施方式中，铜是板状金属铜，其是柔性的和可冲压以形成指状件或条状件的形状。在其它实施方式中，铜可以构造成形或被机械加工成形。在一种实施方式中，这些部件是导电的金属部件，并且该带在该带的一端连接到一部件，在该带的另一端连接到另一部件。围绕下电极的周边的接触点提供了从室到接地并返回到RF源的返回路径的均匀分布。
应当理解的是，本发明的实施方式可以以多种方式实现，诸如以过程、装置、系统、设备或方法来实现。几个实施方式描述如下。
在两个电极之间激发电场是在蚀刻室中实现RF气体放电的方法之一。当在电极之间施加振荡电压时，所实现的放电被称为电容耦合等离子体(CCP)放电。
可以生成等离子体利用稳定的原料气体以获得通过各种分子的由电子-中性粒子碰撞引起的离解产生各种各样的化学反应性的副产物。蚀刻的化学方面涉及中性气体分子和它们的解离的副产物与待刻蚀的表面分子的反应，并且产生挥发性分子，该挥发性分子可以被抽走。当生成等离子体时，正离子从等离子体被加速跨越将等离子体与壁分离的空间电荷鞘，以足够的能量撞击晶片表面以从晶片的表面去除材料。
在一种实施方式中，诸如CF4和C-C4F8之类的碳氟化合物气体因为它们的各向异性和选择性蚀刻的能力而被用在电介质蚀刻处理中，但此处所描述的原理可以应用于其它等离子体生成气体。碳氟化合物气体容易解离成更小的分子和原子自由基。这些化学反应性副产物蚀刻掉介电材料，在一种实施方式中，该介电材料可以是用于低k设备的SiO2或SiOCH。所得到的蚀刻处理可以被看作是用来制造集成电路器件的许多蚀刻步骤之一。然后将集成电路器件封装成各种电子设备。这些设备也可以被定义为集成电路器件成品。
图1示出了根据本发明的实施方式的等离子体反应器的横截面。该反应器包括由周边室壁12限定的周边室10，以及由顶部电极组件16和下卡盘组件18限定的等离子体约束区14。卡盘组件18包括静电卡盘20，该静电卡盘20在其顶侧提供了衬底支撑表面，并且设置用于将衬底静电夹持到其衬底支撑表面。设施板22被耦合到静电卡盘20与衬底支撑表面(例如，用于支撑晶片)相反的一侧上。将各种设施构件耦合到设施板22，所述设施构件如与加热、冷却、升降销控制、和静电夹持有关的构件。
如图所示，顶部电极组件16包括喷头11，用于供应处理气体进入等离子体约束区14。顶部电极组件还包括罩13，该罩被连接到顶部电极组件16并且与卡盘组件18接合以限定等离子体约束区14。限定穿孔15以便气体流出等离子体约束区14。穿孔被限定为环形，其作用是将等离子体限制在该等离子体约束区14，同时还允许气体流动。
中空RF供给装置24被耦合到设施板22的周缘部，以输送RF功率至设施板22的边缘。这种配置使RF流绕过设施板22的内侧部分，以便耦合到设施板的构件不在RF流的路径上。以这种方式，传送RF至位于卡盘组件的衬底实现了高的方位角均匀性。
中空RF供给装置24包括连接到设施板22的第一部分26A，和横向延伸远离卡盘组件18的第二部分26B。如图示的实施方式所示，中空RF供给装置24的一端连接到设施板22的外周，而它的另一端远离设施板延伸至RF源。连接到设施板的第一部分26A是碗状部，该碗状部的直径显著大于所述第二部分26B的直径，所述第二部分26B是延伸远离卡盘组件的管状部。第二部分26B连接到由第一部分26A于接口25处限定的碗状部中的孔。这样，耦合至设施板的各种子设施构件包含在中空RF供给装置的第一部分26A的内部里。
此外，接地屏蔽件28被设置成卡盘组件18的一部分。接地屏蔽件28有助于形成基本上对称的RF返回形状，以使电流在其上流动。限定接地屏蔽件28以包围中空RF供给装置24中第一部分26A和第二部分26B相连接的区域。因此，接地屏蔽件28在中空RF供给装置24的第一部分26A与第二部分26B之间限定了屏障。接地屏蔽件28连接到卡盘组件壁30，RF接地适配器管32从该接地屏蔽件28延伸至地。卡盘组件壁30、接地屏蔽件28和RF接地适配器管32一起构成经由中空RF供给装置管24输送的RF电流的返回路径。应当注意的是，中空RF供给装置24的第二部分26B的部分被限定在RF接地适配器管32的内部。中空RF供给装置24的第二部分26B的这一部分和RF接地适配器管32一起限定同轴区段。
图1还示出了根据本发明的一种实施方式的RF返回带101，该RF返回带101被配置成C形结构。如图所示，C形的RF返回带101被设计为适合位于上电极组件的导电部件102与下电极的导电部件103之间内并提供上电极组件的导电部分102与下电极的导电部分103之间的电接触。导电部件102和导电部件103构成围绕静电卡盘的接地组件的部分。导电部件102是第一环形部件以及导电部件103是第二导电部件。接地组件通过一个或多个电介质部件与静电卡盘绝缘。
在图1的结构中，接地组件包括部件102和部件103，并且被配置来在聚焦环组件160的外侧的周边侧壁围绕静电卡盘20。聚焦环组件160包围静电卡盘20。聚焦环组件160可以包括朝向区14中的等离子体的石英环160a。聚焦环组件160还将包括若干电介质环160c(参见图3)，电介质环160c位于石英环160b的下面并使静电卡盘20与部件103绝缘，部件103是耦合到接地的导体，且形成接地组件的部分。导电部件102和导电部件103具有环形形状，其比静电卡盘(包括靠近该静电卡盘的绝缘部件)具有较大的直径。该环形形状使得导电部件102和导电部件103能提供RF返回带101至地的均匀且对称的连接。
该RF返回带101由夹紧结构106连接到导电部件103并且由夹紧结构104连接到导电部件102。在一种实施方式中，夹持结构可以是环形结构，其压缩的RF返回带至导电部件102和导电部件103以确保良好的电连接。该环形结构可通过螺钉109(见图3)被连接或夹紧，该螺钉有利于夹紧压力。如图3所示，螺钉可以直接应用到该带或者该带可被夹紧或由被旋入的中间块连接。
如上所述，RF返回带是由例如铜之类的导电材料限定，它提供了一路围绕RF返回带的顶部接触面和底部接触面之间的圆周上的多个接触点121。在一种实施方式中，沿让C-形带与导电部件接触的周围边的接触点的数量可以在介于约10和500个接触点之间、或介于约50和300个接触点之间、或介于约100和200个接触点之间、或约150个接触点的范围内。在又一种实施方式中，接触点可以沿圆周连接在一起，构成用于该带的单一接触点。在这样的设计中，该带在条状部120之间仍然可以有间隙(参见图2中带的细节)，但是每个条状部的顶部和底部可以在部位122处接合在一起。
RF返回带101被设计来提供从在如图1所示的等离子体处理区14内被激发的等离子体到接地的返回路径。该返回路径被设计为在等离子体区14中间，向上通过顶部电极，沿C形护罩(例如，由硅或其它导电材料构成的)，至导电部件102，向下通过RF返回带101，至导电部件103并且到达底部电极的导电外壳。在本发明的一种实施方式中，室12是接地的。如图所示，该室被提供有至底部电极的RF功率，并且该RF功率可通过一个或多个RF功率发生器的方式来提供。在一种实施方式中，可提供三个RF功率发生器来以三种不同的频率输送功率。RF功率能够以例如2MHz、27MHz、60MHz或它们的组合频率输送。
此外，可以给该室提供耦合到顶部电极的另一RF功率，或者顶部电极可以接地。在一种实施方式中，当RF功率耦合到顶部电极时，由低频功率发生器提供功率。在一种实施方式中，RF功率在20kHz与2MHz之间的范围中选择。在一种实施方式中，RF功率被设定为大约400kHz。在又一种实施方式中，顶部RF功率可以耦合到开关，如果该顶部RF功率将被完全关闭并且接地，该开关可以设置成硬接地开关，并且所述室被设计为仅利用激活的底部RF频率运行。当然，配置将取决于工艺参数和目标处理应用。
图2示出了RF返回带101及其轮廓形状的更详细的示意图，RF返回带是柔性的并且被设计成安置在室的两个导电部件102和103之间，该两个导电部件限定接地组件。还示出了接地组件连接到接地支撑件112，接地支撑件连接到室壁12，室壁也被接地。接地组件的导电部件103是L形(在其横截面)，其中带被连接到L的底部并且L的背部向上延伸到聚焦环组件160并且在聚焦环组件160的旁边。部件102也有小的L形(在其横截面)，该小的L形向上延伸到环15，并为带101提供在点104处的连接点。在部件102和部件103的两个L形横截面之间，该带将以C形结构设置。
部件103的L形的背部，由于它的环状结构可以被视为管状部分，而向外延伸的L的底部可以被视为延伸远离静电卡盘的延伸部。部件102的L形的背部，由于它的环状结构也可以被视为管状部分，而向外延伸的L的底部可以被视为延伸远离静电卡盘的延伸部。在部件102的延伸部和部件103的延伸部之间将限定可以连接带的空间。在一种实施方式中，部件102可以上下移动，带101的这种柔性允许这种运动，同时仍保持电导通接地。
限定接地组件的部件102和部件103将具有环形形状以允许部件102和部件103基本上包围在静电卡盘20的外周上的在对焦环组件160外侧并部分在对焦环组件160下面的位置。聚焦环组件160尤其包括包围热边缘环160b的石英环160a。该热边缘环160b被设计成放置于邻近将接受晶片的静电卡盘20上的支撑表面。图2示出了静电卡盘20的该表面，但没有显示在其上放置的晶片。当晶片被放置在静电卡盘20的支撑表面时，晶片的顶表面将大约与该热边缘环160b的顶表面以及聚焦环组件160的石英环160a共平面。
如图所示，通过将RF返回带101配置成C形结构或C形形状，能够为室部件提供柔性以上下移动，同时保持用于接地返回路径的电接触。通过穿孔等离子体约束环15从处理区出来的气体的导通性(conductance)仍然可以存在，而没有带阻碍流动的路径。带不会阻碍流动的路径(即，气体的导通)，因为带基本上安装在室的导电部件102和导电部件103内，并且被夹持于室的导电部件102和导电部件103之间。在该图中，也可以看出接地的导电部件102也是向上并且朝向102a导电的。这种配置允许部件102的位置靠近穿孔等离子体约束环15，并且还提供了表面，在该表面上的等离子体可以穿过环15耦合至接地。
图3示出了当RF返回带101被耦合到室的导电部件102和导电部件103上时，RF返回带101的另一种详细的图。室的导电部件102和导电部件103允许带被夹紧导电块104和夹紧导电块106夹紧，同时仍保持在顶部和部件102以及部件103之间的电传导。在一种实施方式中，RF返回带101由铜制成。所使用的铜可以来自薄铜片，制成该薄铜片以保持形状或恢复形状，前提是该薄铜片被制造或制成足够厚以保持弯曲的形状，但当压缩或伸展时仍然能足够灵活地移动/伸缩。在另一种实施方式中，RF返回带101可以由其它导电材料制成，只要RF功率可以在室的两个导体片之间传输以允许RF功率返回至接地即可。
在图3中，提供了环形板130，其被配置靠近穿孔环15放置或者远离穿孔环15放置。环形板130可以耦合到部件102，从而可以降低以提供通过环15的穿孔的更强的气体导通性或者可以被设置在更靠近环15的上部位置以节制气体流。当部件102上下移动时，RF返回带101是能够伸缩的，同时仍然提供良好的电传导性。
被耦合到带的一侧的部件102可以被设计以在操作期间或者在操作之后移动，或者被设计以在处理过程中调整离开室的气体的流动。如图所示，该带具有一路围绕带的多个指状件(条状部120)，带包围或基本上包围下电极。多个指状件不仅协助在部件102和部件103两者之间提供最高值的电导率，而且也在带材料的相应侧之间提供用于空气流动。带是柔性的，因此可以随着室的部件移动，并且将使得在应用安装片104和安装片106时易于移除。如果RF返回带磨损了需要更换或者需要清洁，则由螺钉连接到部件102和部件103上的安装片104和安装片106可以去除以便于更换RF返回带。
图4示出了RF返回带101的另一种横截面图。在该图中，在室中发生的等离子体处理将基于该室的配置允许气体从室中流出。通过将RF返回带101折叠成柔性的C形，位于室的导电部件102和导电部件103两者之间，气体通过穿孔等离子体约束环的流动将不会受到显著的阻碍。气流阻塞可能导致消极的处理效果，其可能会影响蚀刻的均匀性。
图5示出了上部电极的另一种详细的图以及穿孔等离子体约束环区15的局部示意图。所述上部电极的部分包括允许气体流经上部电极的喷头区域的多个导管。在一种实施方式中，从该喷头到等离子体区域的开口被设计成最小化，从而防止上部电极的喷头内的等离子体点火。在本图中，让气体流入到喷头的上部电极部分由铝材料构成。铝材料上面是铝的氮化物材料，并且氮化铝材料上面是接地区。
在一种实施方式中，顶部电极将还包括内加热器和外加热器。内加热器被确定为加热器1以及外加热器被确定为加热器2。通过为室的内部区域和室的外部区域提供单独的加热器，能够更精密地控制等离子体处理室内部的工艺参数。图1提供了内加热器和外加热器的位置的更详细的示图。
虽然为便于清楚理解，前述的实施方式已经详细描述，但显而易见的是，可以在所附权利要求的范围内做出某些变化和修改。因此，这些实施方式应当被认为是说明性的而非限制性的，并且这些实施方式并不受限于本文所给出的细节，而可以在权利要求的范围和等同方案内进行修改。
Claims (19)
1.一种用于处理半导体晶片的室，其包括：
具有用于支撑衬底的表面的静电卡盘；
围绕所述静电卡盘的周边的接地组件，所述接地组件包括第一环形部件和第二环形部件以及所述第一环形部件与所述第二环形部件之间的空间；以及
具有柔性的导电带，所述导电带是环形的并且有具有第一端部和第二端部的弯曲形状的横截面，所述导电带被设置在所述空间中，使得所述第一端部电连接到所述第一环形部件以及所述第二端部电连接到所述第二环形部件，其中所述弯曲形状的横截面具有开口，当所述环形导电带位于所述空间时，所述开口背离所述静电卡盘。
2.根据权利要求1所述的室，其中所述导电带包括多个指状件，其中每个指状件在所述弯曲形状的横截面的所述第一端部与所述弯曲形状的横截面的第二端部之间延伸。
3.根据权利要求1所述的室，其中所述弯曲形状的横截面的所述第一端部和所述弯曲形状的横截面的所述第二端部分别被夹持到所述接地组件的所述第一环形部件和所述接地组件的所述第二环形部件。
4.根据权利要求1所述的室，其中所述接地组件的所述第一环形部件被配置以垂直移动，并且具有柔性的所述导电带当所述第一环形部件向下移动时将会压缩以及具有柔性的所述导电带当所述第一环形部件向上移动时将会伸展，其中所述弯曲形状的横截面的第一端部通过螺钉夹紧到所述第一环形部件以及所述弯曲形状的横截面的所述第二端部通过螺钉夹紧到所述第二环形部件。
5.根据权利要求1所述的室，其中所述导电带是由铜金属板限定。
6.根据权利要求1所述的室，其中所述导电带提供靠近等离子体区的所述第一环形部件与被耦合到所述室的室壁的接地点的所述第二环形部件之间的导电路径。
7.根据权利要求1所述的室，其中所述第一环形部件具有L形横截面以及所述第二环形部件具有L形横截面，其中所述L形的长边限定管状部分以及所述L形的短边限定背离所述静电卡盘的延伸部，其中所述空间位于所述L形的限定所述延伸部的短边之间。
8.根据权利要求7所述的室，其中所述第一环形部件和所述第二环形部件的所述管状部分平行于聚焦环组件的电介质环，所述聚焦环组件直接地围绕所述静电卡盘以及所述接地组件围绕所述聚焦环组件。
9.根据权利要求1所述的室，其中所述接地组件的所述第一环形部件和所述接地组件的所述第二环形部件设置在有穿孔的等离子体约束环的下面。
10.根据权利要求1所述的室，其中向所述静电卡盘供应RF功率以及通过所述接地组件和所述导电带至少返回部分RF电流。
11.一种室，其包括：
具有用于支撑衬底的表面的静电卡盘；
围绕所述静电卡盘的周边的聚焦环组件；
围绕所述聚焦环组件的周边的接地组件，所述接地组件包括第一环形部件和第二环形部件以及所述第一环形部件与所述第二环形部件之间的空间；以及
具有柔性的导电带，所述导电带是环形的并且有具有第一端部和第二端部的弯曲形状的横截面，所述导电带被设置在所述空间中，使得所述第一端部电连接到所述第一环部以及所述第二端部电连接到所述第二环形部件，其中所述弯曲形状的横截面具有开口，当所述环形导电带位于所述空间时，所述开口背离所述静电卡盘。
12.根据权利要求11所述的室，其中所述导电带包括多个指状件，其中每个指状件在所述弯曲形状的横截面的所述第一端部与所述弯曲形状的横截面的第二端部之间延伸。
13.根据权利要求11所述的室，其中所述弯曲形状的横截面的所述第一端部和所述弯曲形状的横截面的所述第二端部分别被夹持到所述接地组件的所述第一环形部件和所述接地组件的所述第二环形部件。
14.根据权利要求11所述的室，其中所述接地组件的所述第一环形部件被配置以垂直移动，并且具有柔性的所述导电带当所述第一环形部件向下移动时将会压缩以及具有柔性的所述导电带当所述第一环形部件向上移动时将会伸展，其中所述弯曲形状的横截面的第一端部通过螺钉夹紧到所述第一环形部件以及所述弯曲形状的横截面的所述第二端部通过螺钉夹紧到所述第二环形部件。
15.根据权利要求11所述的室，其中所述导电带是由铜金属板限定。
16.根据权利要求11所述的室，其中所述导电带提供介于在处理过程中靠近等离子体区的所述第一环形部件与被耦合到所述室的室壁的接地点的第二环形部件之间的导电路径。
17.根据权利要求11所述的室，其中所述第一环形部件具有L形横截面以及所述第二环形部件具有L形横截面，其中所述L形的长边限定管状部分以及所述L形的短边限定背离所述静电卡盘的延伸部，其中所述空间位于所述L形的限定所述延伸部的短边之间。
18.根据权利要求17所述的室，其中所述第一环形部件和所述第二环形部件的所述管状部分平行于聚焦环组件的电介质环，所述聚焦环组件直接地围绕所述静电卡盘以及所述接地组件围绕所述聚焦环组件。
19.根据权利要求11所述的室，其中通过所述室进行蚀刻操作来制造集成电路器件成品的至少一个方面。
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