TWI893065B - 製造電子裝置的混合面板方法及藉此製造的電子裝置 - Google Patents

Abstract

一種製造電子裝置的混合面板方法（和設備），以及藉此製造的電子裝置。作為非限制性示例，本揭示內容的各個態樣提供了一種製造電子裝置的方法，其中，所述方法包括：將多個子面板安裝到面板上，將所述子面板處理為面板，以及從所述面板移除所述多個子面板。

Description

製造電子裝置的混合面板方法及藉此製造的電子裝置

本發明相關於製造電子裝置的混合面板方法及藉此製造的電子裝置。

相關申請的交叉引用

本申請案參考於2020年11月24日提交的、發明名稱為“製造電子裝置的混合面板方法及藉此製造的電子裝置(Hybrid Panel Method of Manufacturing Electronic Devices and Electronic Devices Manufactured Thereby)”的第63/117,688號美國臨時申請案，以及於2020年2月21日提交的、發明名稱為“製造電子裝置的混合面板方法及藉此製造的電子裝置(Hybrid Panel Method of Manufacturing Electronic Devices and Electronic Devices Manufactured Thereby)”的第62/980,118號美國臨時申請案，並且要求其優先權和權益，其全部內容通過引用併入本文中。

本申請案的各個態樣涉及於2019年8月7日提交的、發明名稱為“半導體裝置和製造半導體裝置的方法(Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device)”的第16/534,814號美國專利申請案；於2019年1月29日提交的、發明名稱為“半導體封裝及其製造方法(Semiconductor Package and Fabricating Method Thereof)”的第16/260,674號美國專利申請案；以及於2020年9月22日提交的、發明名稱為“半導體封裝和製造方法(Semiconductor Package and Fabricating Method)”的第17/028,621號美國專利申請案。

目前的半導體封裝和形成半導體封裝的方法是不充分的，例如導致成本過高、可靠性降低或封裝大小過大。對於本領域技術人員來說，通過參考附圖將常規和傳統方法與本申請剩餘部分中闡述的本揭示內容內容進行比較，這些方法的進一步限制和缺點將變得顯而易見。

本揭示內容的各個態樣提供了製造電子裝置的混合面板方法(和設備)，以及由此製造的電子裝置。作為非限制性示例，本揭示內容的各個態樣提供了一種製造電子裝置的方法，其中，該方法包括：將多個子面板安裝到面板上，將子面板處理為混合面板，以及從面板移除多個子面板。

10:方塊

20:方塊

21:方塊

23:方塊

25:方塊

27:方塊

29:方塊

100:示例方法/方法

105:方塊/步驟

110:方塊

120:方塊

130:方塊

140:方塊

150:方塊

152:方塊

154:方塊

156:方塊

160:方塊

210:載體

212:黏著材料

214a-214d:半導體晶粒/示例晶粒/晶粒

215:互連結構

216:囊封材料

221:示例

223:示例

225:示例

227:示例

229:示例

310:示例載體/載體

312:黏著材料

316:囊封材料

321:示例

323:示例

325:示例

327:示例

328:示例

329:示例

410:示例/示例構造

412:正方形載體面板

415:圓形子面板

420:示例/示例構造

422:正方形載體面板

425:圓形子面板

430:示例/示例構造

432:矩形和非正方形面板

435:圓形子面板

440:示例/示例構造

442:正方形載體面板

445:正方形子面板

450:示例/示例構造

452:正方形載體面板

455:子面板

460:示例/示例構造

462:載體面板

465:子面板

500:垂直截面圖

501:透視圖

502:透視圖

510:示例載體面板/載體面板

510a:空隙/部分

511:周邊邊界區域

512:黏著材料/黏著層/預成型黏著片/黏著劑

512a:部分

514a-514d:子面板

600:垂直截面圖/視圖

607:間隙

609:透視圖/視圖

610:示例載體面板/載體面板

611:側壁

612:黏著材料/黏著層/預成型黏著片/黏著劑

614a-614d:子面板

616a-616d:孔

620:透視圖/視圖

630:透視圖/視圖

640:視圖

700:第三示例方法/垂直截面圖/視圖

707:間隙

710:示例載體面板/載體面板

711:側壁

712:黏著材料/黏著層/黏著劑

714a-714d:子面板

716a-716d:孔

720:透視圖/視圖

721a-721d:黏著材料

722a-722d:插入件

730:透視圖/視圖

740:透視圖/視圖

750:透視圖/視圖

760:透視圖/視圖

770:透視圖/視圖

800:示例圖示

810:載體面板

812:黏著材料

814a-814d:子面板

860:上真空卡盤

870:下真空卡盤

900:示例

903:示例/示例視圖

904:示例

906:示例面板/子面板

907:示例/子面板

910:載體面板

912:黏著材料

914a-914f:子面板

914a-1:第一半導體晶粒/半導體晶粒

914a-2:第二半導體晶粒/半導體晶粒/晶粒

914b-1:第一半導體晶粒

914b-2:半導體晶粒

916:囊封材料

916a:第一囊封材料/囊封材料

916b:第二囊封材料/囊封材料

916c-916d:囊封材料

917:上斜面/上部/倒角

917a:垂直區域

917b:垂直區域

918:倒角

920a-920f:重新分佈結構/RDS

921:層

922:層

949:柱/桿

951:端子

952:介電層

953:第一介電層/介電層

954:第二介電層/介電層

955:導電層

956:導電層

957:導電層

961:結構

1010:視圖

1010a-1010d:光能

1020:視圖

1030:視圖

1030a-1030f:熱能

1040:視圖

1050:視圖

1105a-1105d:切割刀片

1120:視圖

[圖1]示出了製造電子裝置的示例方法的流程圖。

[圖2A-2E]示出了說明製造電子裝置子面板的示例方法的示例的截面圖，以及由此產生的電子裝置子面板。

[圖3A-3F]示出了說明製造電子裝置子面板的示例方法的示例的截面圖，以及由此產生的電子裝置子面板。

[圖4]示出了示例子面板和麵板構造。

[圖5]示出了將子面板安裝到面板的第一示例方法，以及由此生產的示例電子裝置。

[圖6]示出了將子面板安裝到面板的第二示例方法，以及由此生 產的示例電子裝置。

[圖7A和7B]示出了將子面板安裝到面板的第三示例方法，以及由此生產的示例電子裝置。

[圖8]示出了將子面板真空層壓到面板上的示例方法(和設備)，以及由此生產的示例電子裝置。

[圖9A-9E]示出了處理混合面板的示例方法，例如包括形成信號重新分佈結構，以及由此生產的示例電子裝置。

[圖10A-10C]示出了從面板移除子面板的示例方法，以及由此生產的示例電子裝置。

[圖11A-11B]示出了在子面板周圍切割介電或導電材料的示例方法(和設備)，以及由此生產的示例電子裝置。

以下討論通過提供本揭示內容的示例呈現了本揭示內容的各個態樣。這樣的示例是非限制性的，因此本揭示內容的各個態樣的範圍不一定受所提供的示例的任何特定特徵的限制。在下面的討論中，短語“例如”、“如”和“示例”是非限制性的，並且通常與“作為示例而非限制”、“例如而非限制”等同義。

如本文所使用的，“和/或”是指列表中由“和/或”連接項目中的任何一個或多個。作為一個示例，“x和/或y”是指三元素集合{(x)、(y)、(x，y)}的任何元素。換句話說，“x和/或y”是指“x和y中的一個或兩個”。作為另一示例，“x、y和/或z”是指七元素集合{(x)、(y)、(z)、(x、y)、(x、z)、(y、z)、(x、y、z)}的任何元素。換句話說，“x、y和/或z”是指“x、y和z中的一個或多個”。類似地，如本文所使用的，“或”是指列表中由“或”連接的項目中的任何一個或多個。

本文所使用的術語僅僅是為了描述特定的示例，而不是為了限制本揭示內容。如本文所使用的，單數形式也旨在包含複數形式，除非上下文清楚地另外指出。將進一步理解，當在本說明書中使用時，術語“包括(comprises或comprising)”、“包含(includes或including)”、“具有(has或have)”等指定所陳述的特徵、整數、步驟、操作、元件或部件的存在，但是不排除一個或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、部件或其組合的存在或添加。

應理解，儘管術語第一、第二等在本文中可以用於描述各種元件，但是這些元件不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個原件與另一元件區分開。因此，例如，下面討論的第一元件、第一部件或第一部分可以被稱為第二元件、第二部件或第二部分，而不脫離本揭示內容的教導。類似地，各種空間術語，例如“上”、“下”、“側(lateral或side)”、“頂”、“底”等，可以用於以相對的方式將一個元件與另一元件區分開。然而，應理解，部件可以以不同的方式定向，例如半導體裝置或封裝可以側向轉動，使得其“頂”表面水平面對，而其“側(lateral或side)”表面垂直面對，而不脫離本揭示內容的教導。

本揭示內容的各個態樣提供了一種半導體裝置或封裝及其製造(fabricating或manufacturing)方法，其可以例如降低成本、增加可靠性或增加半導體裝置或封裝的可製造性。

目前製造例如電子部件封裝等電子裝置的製程存在各種挑戰。例如，製造效率通常可以提高。例如，依序地而不是並行地處理單個子面板(例如，晶圓、重構晶圓等)，可能與順序的低效率相關，例如就生產線上增加產品處理而言。又例如，依序地處理單獨的子面板(例如，晶圓、重構晶圓等)可以與相對低成本和高質量相關，例如使用已經購買並為此目的進行微調的設備。附加地，例如，處理大的面板可能與並行處理的效率以及新的和專用設備的成本增加相關。因此，本揭示內容的各個態樣提供了一種使用混合面板結構製造電子部件 的有效方法。例如，這樣的結構提供了增加的製造效率，而不會招致與新的和定製的製造設備(例如，整個生產線)相關的大量成本。

本揭示內容的上述和其它態樣將在以下對各種示例實施方式的描述中進行描述，或者從以下對各種示例實施方式的描述中變得顯而易見。現在將參考附圖呈現本揭示內容的各個態樣，使得本領域技術人員可以容易地實踐各個態樣。

圖1示出了製造電子裝置(例如，半導體封裝等)的示例方法100的流程圖。示例方法100可以例如與本文討論的任何其它示例方法具有共同的任何或所有特徵。應注意，方法100的示例方塊的順序可以變化，而不脫離本揭示內容的範圍。還應注意，可以消除示例方塊中的一個或多個，並且可以添加示例方塊中的一個或多個，而不脫離本揭示內容的範圍。附加地，應注意，可以改變示例方塊的順序，而不脫離本揭示內容的範圍。

示例方法100可以在方塊105開始執行。方法100可以響應於各種原因或條件中的任何一種開始執行，本文提供了這些原因或條件的非限制性示例。例如，方法100可以響應於從一個或多個上游或下游製造站接收到的一個或多個信號、響應於來自中央生產線控制器的信號、在方法100的執行過程中使用的部件或製造材料到達時等而開始自動執行。此外，例如，方法100可以響應於操作者的開始命令而開始執行。附加地，例如，方法100可以響應於從本文討論的任何其它方法方塊(或步驟)接收執行流程而開始執行。

在方塊110處，示例方法100包括接收載體面板，其在本文中也可被稱為面板或框架。載體面板可以例如包括這樣的載體面板：多個子面板將被安裝到該載體面板上(例如，在方塊140處)，以形成混合面板。

載體面板可以包括多個特徵。例如，載體面板可以具有各種形狀中的任何一種。載體面板可以例如是矩形的。載體面板也可以是例如正方形、n 邊形(其中，n是大於2的整數)、橢圓形、圓形等。如本文將更詳細討論的，載體頂表面或底表面可以是完全平坦的，或者載體頂表面或底表面可以具有凹槽或孔(例如，用於容納子面板)。

載體面板可以例如由(或包括)各種材料中的任何一種製成。例如，載體面板可以由(或包括)金屬(例如，不銹鋼等)製成。又例如，載體面板可以由(或包括)玻璃(例如，透明玻璃等)製成。附加地，例如，載體面板可以由(或包括)陶瓷製成。進一步例如，載體面板可以由(或包括)半導體材料(例如，矽、砷化鎵等)製成。在示例實施方式中，載體面板可以由熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion，CTE)與要安裝到載體面板的子面板的CTE相同或基本相同(例如，在5%以內、在10%以內、在25%以內等)的材料形成(例如，在方塊140處)。在另一示例實施方式中，載體面板可以由這樣的材料形成，該材料的CTE在將要安裝到載體面板的子面板的CTE的50%以內。

例如，載體面板可以在安裝(或耦合)到其上的子面板上或在載體面板上執行的整個處理過程(例如，如在方塊150處執行的等)中提供結構支撐。例如，載體面板可以被形成為承受在這樣的處理過程中經歷的溫度，例如在各種信號重新分佈結構的形成過程中(例如，兩個或三個或更多個小時達到或超過230攝氏度的溫度)，而不損害其在製造過程中提供支撐和穩定性的基本功能。又例如，載體面板可以被形成為承受在這樣的處理過程中經歷的化學暴露，例如在形成各種信號重新分佈結構或其它過程(例如，PGMEA、TMAH、環戊酮、硫酸、氫氟酸(0.5%)等)期間，而不損害其在製造過程中提供支撐和穩定性的基本功能。

通常，方塊110可以包括接收載體面板。因此，本揭示內容的範圍不應受載體面板的特定特徵或形成或接收載體面板的任何特定方式限制。

在方塊120處，示例100可以包括準備接收到的載體面板，例如用 於將子面板安裝到其上，用於載體面板可能暴露的製造過程等。

例如，方塊120可以包括清潔接收到的載體面板。又例如，方塊120可以包括檢查接收到的載體面板，以驗證載體面板滿足製造公差(例如，大小、平整度或平面度、厚度、CTE要求、孔徑要求、透明度要求等)。附加地，例如，方塊120可以包括驗證載體面板在運輸過程中或者在先前的製造操作過程中沒有被損壞(例如，在載體面板被重複使用的情況下)。

通常，方塊120可以包括準備接收到的載體面板。因此，本揭示內容的範圍不應受到準備接收到的載體面板的任何特定方式的特徵的限制。

在方塊130處，示例方法100可以包括接收用於安裝到載體面板的子面板(例如，一個或多個子面板)。這樣的接收和這樣的子面板可以包括各種特徵中的任何一種，本文提供了其中的許多示例。

注意，如本文所使用術語“子面板”可以指各種類型的子面板中的任何一種。例如，子面板可以具有各種形狀中的任何一種(例如，圓形、矩形(例如，矩形條)、正方形、n為大於2的整數的n邊形、橢圓形等)。

子面板可以包括任何形式。例如，子面板可以包括半導體晶圓(例如，從晶圓製造過程輸出的積體電路晶圓)、插入晶圓(例如，其中，整合有或沒有主動或被動部件等)等。又例如，子面板可以包括重構的晶圓，該晶圓可以包括多個晶粒，這些晶粒先前已經被單粒化並且現在用連接材料(例如，模製材料等)彼此耦合。附加地，例如，子面板可以包括基板(例如，有芯或無芯基板)或插入件。這樣的基板或插入件可以例如是裸露的，或者可以包括附接到其上的電子部件(例如，半導體部件、主動部件、被動部件等)。

如方塊10處示出的，方塊130處的接收可以包括接收半導體晶圓(例如，積體電路晶圓)、插入晶圓(例如，其中整合有或沒有主動或被動元件等)等形式的子面板。這樣的接收可以例如包括從晶圓製造設施、從上游製程等 接收半導體晶圓。晶圓可以例如是圓形的(例如，具有2"、4"、8"、12"、300mm等的直徑)。例如，晶圓可以包括各種半導體材料中的任何一種(例如，矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、InP等)。例如，晶圓可以包括微機電系統(microelectromechanical machine system，MEMS)部件。

又例如，如方塊20處示出的，方塊130處的接收可以包括以重構子面板形式的接收子面板(例如，圓形晶圓、矩形或正方形子面板等)。例如，方塊130可以包括接收模製晶圓(例如，在方塊20處形成或接收到的)。這樣的重構的子面板可以包括各種尺寸中的任何一種，例如具有2"、4"、8"、12"、300mm等的圓形直徑或邊長。在方塊130處接收到的子面板可以例如包括各種厚度中的任何一種(例如，相對薄且柔韌，例如小於100μm厚，相對厚且不柔韌，例如大於300μm等)。

在示例實施方式中，方塊20可以包括形成重構的晶圓。現在將參考圖2A-2E(例如，示出了所謂的朝下或前側朝下或作用側朝下的成形)和參考圖3A-3F(例如，示出了所謂的朝上或前側朝上或作用側朝上的成形)來討論方塊20。

現在參考方塊20和圖2A-2E，方塊21可以包括接收載體。圖2A示出了方塊21的示例221。這樣的接收可以以各種方式中的任何一種來執行，本文提供了各種示例。示例載體210可以包括各種特徵中的任何一種。例如，示例載體210可以是圓形、矩形、形狀像要在其上形成的重構子面板等)。示例載體210可以例如包括玻璃、半導體材料(例如矽等)、金屬(例如不銹鋼等)、陶瓷等。

例如，方塊23可以包括準備載體(例如，在方塊25處執行的安裝步驟等)。這樣的準備可以以各種方式中的任何一種來執行，本文提供了其各種示例。例如，方塊23可以包括清潔接收到的載體，準備載體以在其上施加各種材料等。方塊23的示例223在圖2B示出。在示例223中，黏著材料212(例如，黏著 材料層)形成在載體210上(例如，在其頂側)。黏著材料212可以包括各種特徵中的任何一種，其非限制性示例在本文進行了討論。黏著材料212可以例如包括熱可釋放黏著劑、光可釋放黏著劑(例如，UV可釋放黏著劑等)、晶粒附著膜等。黏著材料212可以以各種方式中的任何一種形成，例如印刷、噴塗、施加或層壓預成型的膠帶或膜、旋塗、氣相沉積等。

黏著材料212(或其形成)可以例如與本文所討論的任何黏著材料(或其形成)具有共同的特徵(例如，本文所討論的關於將子面板安裝到載體面板，本文所討論的關於形成介電材料等)。

方塊25可以例如包括將半導體晶粒(或任何電路、MEMS電路等)安裝到載體上。這樣的安裝可以以各種方式中的任何一種來執行，本文提供了各種示例。圖2C示出了方塊25的示例225。在示例225中，多個半導體晶粒214a、214b、214c和214d被應用並黏附到黏著材料212。示例晶粒214a-214d示出為以朝下的構造安裝，例如，晶粒214a-214d的前側(或晶粒214a-214d的前側處的互連結構)面向黏著材料212和載體210。在一些示例中，晶粒214a-214d的前側可以包括或者被稱為晶粒214a`-214d的作用側或者互連側。示例晶粒214a-214d可以例如用拾取和放置機器放置或壓製到黏著材料212上。在一些示例中，互連結構215(例如，端子、接合襯墊、柱或桿、凸塊、球等)可以突出，以在晶粒214a-214d的前側和黏著材料212之間限定間隙。在一些示例中，互連結構215可以與晶粒214a-214d的前側基本共面，或者晶粒214a-214d的前側可以接觸黏著材料212。在一些示例中，互連結構215可以凹入晶粒214a-214d的前側，並且可以但不必須接觸黏著材料212。

方塊27可以例如包括囊封安裝的晶粒。這樣的囊封可以以各種方式中的任何一種來執行，本文提供了其各種示例。圖2D示出了方塊27的示例227。在示例227中，囊封材料216形成在晶粒214a-214d周圍。在示例227中，囊封材料 216示出為圍繞並接觸晶粒214a-214d的所有側(例如，頂側、底側和側面)，但是本揭示內容的範圍不限於這樣的覆蓋。例如，晶粒214a-214d的前側可以部分或全部從囊封材料216暴露。在示例實施方式中，囊封材料216的前側和晶粒214a-214d的相應的前側可以共面或基本共面(例如，與重構子面板底部的參考平面的高度偏差在5%以內，與重構子面板底部的參考平面的高度偏差在10%以內等)。又例如，儘管囊封材料216的一部分示出為在晶粒214a-214d下方(例如，橫向地接觸或圍繞晶粒214a-214d的互連結構215)，但是這樣的構造不是必需的。例如，晶粒214a-214d的底側可以沒有囊封材料216。

囊封材料216可以包括各種特徵中的任何一種。例如，囊封材料216可以包括各種囊封或模製材料中的任何一種(例如，樹脂、聚合物、聚合物複合材料、具有填料的聚合物、環氧樹脂、具有填料的環氧樹脂、具有填料的環氧丙烯酸酯、矽樹脂、它們的組合、它們的等同物等)。囊封材料216可以以各種方式中的任何一種來形成(例如，壓縮成型、傳遞成型、液體囊封成型、真空層壓、膏印刷、薄膜輔助成型、薄膜壓製、旋塗、噴塗等)。

方塊29可以例如包括移除載體和黏著材料。這樣的移除可以以各種方式中的任何一種來執行，本文提供了其各種示例。圖2E示出了方塊29的示例229。載體210(例如，臨時載體)或黏著材料212(例如，臨時黏著材料)可以通過執行研磨和蝕刻製程、通過加熱並從囊封材料216和晶粒214a-214d拉起載體210和黏著材料212、通過載體210照射黏著材料212並從囊封材料216和晶粒214a-214d拉起載體210和黏著材料212、通過施加剪切力等來移除。

如圖2E的示例229示出的，在移除載體210和黏著材料212之後，晶粒214a-214d的底側處的互連結構215(例如，端子、接合襯墊、柱或桿、凸塊、球等)暴露在囊封材料216的底表面處。

現在參考方塊20和圖3A-3F，提供了形成重構子面板的另一種示 例方法。

例如，方塊21可以包括接收載體。圖3A示出了方塊21的示例321。這樣的接收可以以各種方式中的任何一種來執行，本文提供了各種示例。示例載體310可以包括各種特徵中的任何一種。例如，示例載體310可以是圓形、矩形、形狀像要在其上形成的重構子面板等)。示例載體310可以例如包括玻璃、半導體材料(例如矽等)、金屬(例如不銹鋼等)、陶瓷等。

例如，方塊23可以包括準備載體(例如，在方塊25處執行的安裝步驟等)。這樣的準備可以以各種方式中的任何一種來執行，本文提供了其各種示例。例如，方塊23可以包括清潔接收到的載體，準備載體以在其上施加各種材料等。方塊23的示例323在圖3B示出。在示例323中，黏著材料312(例如，黏著材料層)形成在載體310上(例如，在其頂側)。黏著材料312可以包括各種特徵中的任何一種，其非限制性示例在本文進行了討論。黏著材料312可以例如包括熱可釋放黏著劑、光可釋放黏著劑(例如，UV可釋放黏著劑等)、晶粒附著膜等。黏著材料312可以以各種方式中的任何一種形成，例如印刷、噴塗、施加或層壓預成型的膠帶或膜、旋塗、氣相沉積等。

黏著材料312(或其形成)可以例如與本文所討論的任何黏著材料(或其形成)具有共同的特徵(例如，本文所討論的關於將子面板安裝到載體面板，本文所討論的關於形成介電材料等)。

方塊25可以例如包括將半導體晶粒(或任何電路、MEMS電路等)安裝到載體上。這樣的安裝可以以各種方式中的任何一種來執行，本文提供了各種示例。圖3C示出了方塊25的示例325。在示例325中，多個半導體晶粒214a、214b、214c和214d被應用並黏附到黏著材料312。示例晶粒214a-214d示出為以朝上的構造安裝，例如，晶粒214a-214d的前側(或形成在晶粒214a-214d上的互連結構)面向上或遠離黏著材料312。示例晶粒214a-214d可以例如用拾取和放置機 器放置或壓製。在一些示例中，互連結構215(例如，端子、接合襯墊、柱或桿、凸塊、球等)可以從晶粒214a-214d的前側突出。在一些示例中，互連結構215可以與晶粒214a-214d的前側基本共面。在一些示例中，互連結構215可以凹進晶粒214a-214d的前側。

方塊27可以例如包括囊封安裝的晶粒。這樣的囊封可以以各種方式中的任何一種來執行，本文提供了其各種示例。圖3D和3E示出了方塊27的示例327。在示例327中，囊封材料316形成在晶粒214a-214d周圍。在示例327中，囊封材料316示出為圍繞並接觸晶粒214a-214d的側面和前側，但是本揭示內容的範圍不限於這樣的覆蓋。例如，晶粒214a-214d的前側可以從囊封材料316完全暴露。例如，儘管囊封材料316的一部分示出為在晶粒214a-214d上方(例如，橫向地接觸並包圍晶粒214a-214d的互連結構215)，但是這樣的構造不是必需的。

在示例實施方式中，囊封材料316和晶粒214a-214d(或其上的互連結構215)的相應的前側可以是共面的或基本共面的(例如，與重構子面板底部的參考平面的高度偏差在5%以內，與重構子面板底部的參考平面的高度偏差在10%以內等)。

囊封材料316可以包括各種特徵中的任何一種。例如，囊封材料316可以包括各種囊封或模製材料中的任何一種(例如，樹脂、聚合物、聚合物複合材料、具有填料的聚合物、環氧樹脂、具有填料的環氧樹脂、具有填料的環氧丙烯酸酯、矽樹脂、它們的組合、它們的等同物等)。囊封材料316可以以各種方式中的任何一種來形成(例如，壓縮成型、傳遞成型、液體囊封成型、真空層壓、膏印刷、薄膜輔助成型、薄膜壓製、旋塗、噴塗等)。

如圖3E示出的示例328示出的，在晶粒214a-214d(或其上的互連結構215)的前側被囊封材料316覆蓋的情況下，可以執行減薄或平坦化製程(例如，研磨、蝕刻等)以減薄囊封材料316(或互連結構215)並暴露晶粒214a-214d 的前側或互連結構215的頂側(例如，端子、接合襯墊、柱或桿、凸塊、球)。在示例實施方式中，囊封材料316的頂側和晶粒214a-214d或互連結構215的相應的前側可以共面或基本共面(例如，與重構面板底部的參考平面的高度偏差在5%以內，與重構面板底部的參考平面的高度偏差在10%以內等)。注意，這樣的減薄或平坦化製程也可以在圖2D的示例227中執行，以減薄或平坦化囊封材料216或晶粒214a-214b的前側。

方塊29可以例如包括移除載體和黏著材料。這樣的移除可以以各種方式中的任何一種來執行，本文提供了其各種示例。圖3F示出了方塊29的示例329。載體310(例如，臨時載體)或黏著材料312(例如，臨時黏著材料)可以通過執行研磨和蝕刻製程、通過加熱並從囊封材料316和晶粒214a-214d拉起載體310和黏著材料312、通過載體310照射黏著材料312並從囊封材料316和晶粒214a-214d拉起載體310和黏著材料312、通過施加剪切力等來移除。

如圖3F的示例329示出的，在移除載體310和黏著材料312之後，晶粒214a-214d的後側暴露在囊封材料316的底表面。在示例實施方式中，囊封材料316的底側和晶粒214a-214d的相應的後側可以共面或基本共面(例如，在囊封材料頂表面處距參考平面5%的高度偏差內，在囊封材料頂表面處距參考平面10%的高度偏差內等)。

通常，方塊130(圖1)可以包括接收子面板。因此，本揭示內容的範圍不應受到特定子面板的特徵、接收子面板的方式或形成子面板的方式的限制。

在方塊140處，示例方法100可以包括將子面板(例如，如在方塊130處接收到的)安裝到載體面板(例如，如在方塊110處和120處接收和準備的)。方塊140可以包括以各種方式中的任何一種將子面板安裝到載體面板上，本文提供了各種方式的示例。

圖4提供了子面板/面板(或混合面板)構造的各種示例。在一些實施方式中，這樣的子面板可以包括或對應於本文揭示內容的其它子面板，例如圖2-3的包括晶粒214a-214d的子面板。例如，示例410示出了包括安裝到正方形載體面板412的四個圓形子面板415(例如，晶圓、重構晶圓等)的構造的透視圖。又例如，示例420示出了包括安裝到正方形載體面板422的十六個圓形子面板425(例如，晶圓、重構晶圓等)的構造的透視圖。附加地，例如，示例430示出了包括安裝到矩形和非正方形面板432的八個圓形子面板435(例如，晶圓、重構晶圓等)的構造的透視圖。

如本文所討論的，子面板可以是正方形、矩形、n邊形(n是大於二的整數)等。例如，示例440示出了包括安裝到正方形載體面板442的四個正方形子面板445的構造的透視圖。又例如，示例450示出了包括兩個安裝在正方形載體面板452上的矩形(例如，非正方形或條形)子面板455的構造的透視圖。附加地，例如，示例460示出了包括安裝到矩形(和非正方形)載體面板462的八個矩形(或正方形)子面板465的構造的透視圖。

如各種示例410、420、430、440、450和460示出的，子面板可以以矩陣(或行/列)構造佈置在載體面板上，例如在行和列中具有相同數量的子面板，或者在行和列中具有不同數量的子面板。注意，這樣的矩陣構造不是必需的，並且本揭示內容的範圍涵蓋任何構造。例如，子面板可以以圓形構造、n邊形構造(n是大於二的任何整數)、交錯構造等方式排列。

此外，如各種示例410、420、430、440、450和460示出的，安裝到特定載體面板的子面板可以全部相同，或者可以是相同的形狀或大小。本揭示內容的範圍不限於此。例如，不同形狀或大小的子面板可以安裝到同一載體面板上。又例如，不同類型晶粒的子面板(例如，具有相同或不同大小的子面板尺寸)可以安裝到相同的載體面板。此外，具有不同大小或數量的相應的晶粒的子面板 可以安裝到相同的載體面板上。

附加地，如各種示例410、420、430、440、450和460示出的，子面板可以佈置在載體面板上，使得載體面板從子面板橫向地向外延伸。例如，載體面板頂側上的外周邊區域可以橫向地圍繞子面板。載體面板頂側上的這樣的外周邊區域可以例如沒有黏著材料。例如，這樣的構造出於各種原因(例如，對於載體面板處理、載體面板固定、載體面板對準、檢查、處理均勻性等)可能是有益的。

如本文所述，本文提供了方塊140的子面板安裝的各種示例。圖5、6和7A-7B示出了三個這樣的示例。現在將討論每一個這樣的示例。

首先轉向圖5，該圖示出了將子面板安裝到面板的第一示例方法，以及由此生產的示例電子裝置。在一些實施方式中，這樣的子面板可以包括或對應於本文揭示內容的其它子面板，例如圖2-3的子面板，包括晶粒214a-214d，例如圖4的子面板415、425、435、445、455和465等。圖5示出了第一示例方法的垂直截面圖500和透視圖501和502。

提供了示例載體面板510。如本文所討論的，載體面板510可以包括各種材料中的任何一種。例如，載體面板510可以包括金屬(例如，不銹鋼等)、玻璃、陶瓷等。在一個示例實施方式中，載體面板510可以包括玻璃，光(例如，UV輻射)可以通過該玻璃有效地傳遞到其上的可光釋放黏著劑(例如，玻璃或在相關波長下具有高透射率、高於80%、高於90%等的其它材料)。在另一示例實施方式中，載體面板510(或本文討論的任何載體面板)可以包括金屬或其它導電材料，熱能可以通過該材料有效地傳遞到其上的熱可釋放黏著劑。

注意，示例載體面板510(或本文討論的任何示例載體面板)可以由熱膨脹係數(CTE)與要安裝到載體面板510的子面板相同或基本相同(例如，在5%以內、10%以內等)的材料形成。又例如，示例載體面板510(或本文 討論的任何示例載體面板)可以由CTE在要安裝到載體面板510的子面板的CTE的25%或50%內的材料形成。

黏著材料512(例如，黏著層)形成在載體面板510上。如本文所討論的，黏著材料512可以包括各種特徵中的任何一種。例如，黏著材料512可以包括光可釋放黏著劑、熱可釋放黏著劑、晶粒附著黏著劑、可固化黏著劑等。如本文所討論的，儘管黏著材料512示出為覆蓋載體面板510的整個頂側，但是這樣的覆蓋不是必需的。例如，載體面板510的頂側上的周邊區域，或者載體面板510的頂側的一個或多個側端(或水平端)，可以保持沒有黏著材料512(例如，用於處理、用於固定、用於對齊等)。

黏著材料512可以以各種方式中的任何一種形成(例如，滾塗、印刷、噴塗一層或多層塗層、施加或層壓預成型的膠帶或薄膜、旋塗、浸漬等)。在示例實施方式中，黏著材料512可以包括卷在載體面板510的頂側上的預成型黏著片(或膠帶或薄膜)。

注意，儘管圖5示出的示例安裝在將子面板514a、514b、514c和514d放置在載體面板510上之前在載體面板510上形成黏著材料512，但是在替代示例中，替代(或除此之外)在載體面板510上形成黏著材料，黏著材料可以單獨形成在子面板514a-514d的後側上。

在圖5示出的示例中，在載體面板510上形成黏著材料512之後，子面板514a、514b、514c和514d被放置或壓在黏著材料512上，從而將子面板514a、514b、514c和514d黏著到載體面板510上。注意，可以使用真空層壓或夾緊製程(或其它提供力的製程)將子面板514a、514b、514c和514d安裝到黏著材料512和載體面板510上。

子面板514a、514b、514c和514d可以例如朝上放置(例如，使得子面板晶粒214a-214d的前側(或作用側)面向上，使得子面板晶粒的互連結構 面向上等)。通常，例如，子面板的要在其上執行進一步處理的一側(例如，是前側或作用側，或者後側還是非作用側，或者任何一側)被定位成從載體面板510面向上。

在該示例中，載體面板510的頂側完全是平面的。然而，注意，這不是必需的。例如，如本文呈現的其它示例中示出的，載體面板510可以包括孔，子面板514a、514b、514c和514d放置在其中或上方。這樣的孔可以例如完全延伸穿過載體面板510。又例如，載體面板510可以包括空腔(例如，對準缺口等)，子面板514a、514b、514c和514d放置在空腔中或空腔上方。這樣的空腔可以例如完全延伸穿過載體面板510或者僅部分穿過載體面板510。

接下來轉向圖6，該圖示出了將子面板安裝到面板的第二示例方法，以及由此生產的示例電子裝置。在一些實施方式中，這樣的子面板可以包括或對應於本文揭示內容的其它子面板，例如圖2-3的子面板，包括晶粒214a-214d，例如圖4的子面板415、425、435、445、455和465等。圖6示出了第二示例方法的垂直截面圖600和透視圖609、620、630和640。

提供了示例載體面板610。如本文所討論的，載體面板610可以包括各種材料中的任何一種。例如，載體面板610可以包括金屬(例如，不銹鋼等)、玻璃、陶瓷等。在示例實施方式中，載體面板610可以包括金屬或其它導電材料，熱能可以通過該金屬或其它導電材料容易地傳遞到熱可釋放黏著劑(例如，金屬或其它具有高熱導率的材料)。在另一示例實施方式中，載體面板610(或本文討論的任何載體面板)可以包括面板(例如，玻璃面板等)，該面板具有與要安裝到載體面板610的子面板相同或基本相同(例如，在5%以內、10%以內等)的熱膨脹係數(CTE)。又例如，示例載體面板610(或本文討論的任何示例載體面板)可以由CTE在要安裝到載體面板610的子面板的CTE的25%或50%內的材料形成。

示例載體面板610包括孔616a、616b、616c和616d，其中安裝有子面板614a、614b、614c和614d。孔616a、616b、616c和616d可以例如由載體面板610中的側壁611界定。這樣的側壁611(或例如其底部)可以例如被斜切，以幫助將子面板614a、614b、614c和614d放置在孔616a、616b、616c和616d中。側壁611也可以例如是垂直的(例如，如圖7A的側壁711示出的)。

如示例視圖609和620示出的，子面板614a、614b、614c和614d分別朝下定位在孔616a、616b、616c和616d中。例如，要在方塊150處處理的子面板614a、614b、614c和614d的前側可以朝下放置(例如，使得晶粒214a-214d的前側也朝下)。換句話說，在視圖609和620中，子面板614a、614b、614c和614d以及載體面板610面朝下。注意，子面板614a、614b、614c和614d的後側可以可選地朝下定位，例如在要執行後側處理的情況下。

如視圖600示出的，在孔616b的側壁611與子面板614b之間的孔616b(或任何或所有孔)中存在間隙607。該間隙607可以是例如可靠處理所需的任何大小。例如，考慮到放置機器的能力等，間隙607的大小可以被設置成在指定公差內的最大子面板大小和在指定公差內的最小子面板孔徑。

此外，如視圖600示出的，子面板614a、614b、614c和614d以及載體面板610的厚度使得子面板614a、614b、614c和614d的前側垂直低於載體面板610的頂部。然而，本揭示內容的範圍不限於這些尺寸。例如，子面板614a、614b、614c和614d或載體面板610的大小可以被設置成使得子面板614a、614b、614c和614d的前側和載體面板610的頂側共面或基本共面(例如，與載體面板610底部的參考平面的高度偏差在5%以內，與載體面板610底部的參考平面的高度偏差在10%以內等)。在另一示例構造中，子面板614a、614b、614c和614d或載體面板610的大小可以設置成使得子面板614a、614b、614c和614d的前側垂直高於載體面板610的頂側。這樣的構造可以例如消除作為進一步處理中的障礙的載體面板 610。

如視圖620示出的，黏著材料612(例如黏著層)形成在載體面板610上以及子面板614a、614b、614c和614d上，例如在其後側上。如本文所討論的，黏著材料612可以包括各種特徵中的任何一種。例如，黏著材料612可以包括光可釋放黏著劑、熱可釋放黏著劑、晶粒附著黏著劑、可固化黏著劑等。如本文所討論的，儘管黏著材料612示出為覆蓋載體面板610的整個後側，但是這樣的覆蓋不是必需的。例如，載體面板610的後側上的周邊區域，或者載體面板610的後側的一個或多個水平端，可以保持沒有黏著材料612(例如，用於處理、用於固定、用於對齊等)。

黏著材料612可以以各種方式中的任何一種形成(例如，滾塗、印刷、噴塗、施加或層壓預成型的膠帶或薄膜、旋塗、浸漬、氣相沉積等)。在示例實施方式中，黏著材料612可包括卷在載體面板610的後側以及子面板614a、614b、614c和614d的後側的預成型黏著片(或膠帶或薄膜)。黏著材料612(例如，黏著片、膠帶或薄膜等)可以真空層壓(或真空夾緊)在載體面板610和子面板614a、614b、614c和614d的後側上。

如視圖630和640示出的，在形成黏著材料612之後，該結構可以被倒置(或翻轉)，使得載體面板610和子面板614a、614b、614c和614d的前側面朝上(或朝上)，用於進一步處理(例如，在方塊150處等)。

儘管在將子面板614a、614b、614c和614d放置在孔616a、616b、616c和616d中之後，圖6示出的示例安裝在載體面板610和子面板614a、614b、614c和614d(例如，在其後側)上形成黏著材料612，但是在將子面板614a、614b、614c和614d放置在孔616a、616b、616c和616d中之前，黏著材料612(例如，黏著片、膠帶或薄膜等)可以耦合到載體面板610的後側，例如，使得子面板614a、614b、614c和614d的後側在這樣的放置過程中或之後黏著到黏著材料612上(例 如，通過機械擠壓、通過真空層壓或夾緊等)。

接下來轉到圖7A和7B，這些圖示出了將子面板安裝到面板的第三示例方法，以及由此生產的示例電子裝置。在一些實施方式中，這樣的子面板可以包括或對應於本文揭示內容的其它子面板，例如圖2-3的子面板(包括晶粒214a-214d)，例如圖4的子面板415、425、435、445、455和465等。圖7A和7B示出了第三示例方法的垂直截面圖700和透視圖720、730、740、750、760和770。

提供了示例載體面板710。如本文所討論的，載體面板710可以包括各種材料中的任何一種。例如，載體面板710可以包括金屬(例如，不銹鋼等)、玻璃、陶瓷等。在示例實施方式中，載體面板710可以包括金屬或其它導電材料，熱能可以通過該金屬或其它導電材料容易地傳遞到熱可釋放黏著劑(例如，金屬或其它具有高熱導率的材料)。在另一示例實施方式中，載體面板710(或本文討論的任何載體面板)可以包括面板(例如，玻璃面板等)，該面板具有與要安裝到載體面板710的子面板相同或基本相同(例如，在5%以內、10%以內等)的熱膨脹係數(CTE)。又例如，示例載體面板710(或本文討論的任何示例載體面板)可以由CTE在要安裝到載體面板710的子面板的CTE的25%或50%內的材料形成。

示例載體面板710包括孔716a、716b、716c和716d，插入件722a、722b、722c和722d插入其中，(例如，子面板714a、714b、714c和714d安裝到插入件722a、722b、722c和722d)。孔716a、716b、716c和716d可以例如由載體面板710中的側壁711限定。這樣的側壁711(或例如其頂部)可以例如是傾斜的(例如，如圖6的側壁611示出的，例如倒置的)，以幫助將插入件722a、722b、722c和722d放置在孔716a、716b、716c和716d中。側壁711也可以例如是垂直的，如視圖700示出的。

在圖7A和7B示出的示例中，提供了插入件722a、722b、722c和 722d。插入件722a、722b、722c和722d可以包括各種特徵中的任何一種。例如，插入件722a、722b、722c和722d可以與本文討論的任何面板或子面板具有共同的任何特徵。例如，插入件722a、722b、722c和722d可以包括各種材料中的任何一種。例如，插入件722a、722b、722c和722d可以是或包括金屬(例如，不銹鋼等)、玻璃、陶瓷等。在示例實施方式中，插入件722a、722b、722c和722d可以包括金屬或其它傳導材料，熱能可以通過該金屬或其它傳導材料有效地傳遞到熱可釋放黏著劑(例如，具有高熱導率的金屬或其它材料)。在另一示例實施方式中，插入件722a、722b、722c和722d可以包括玻璃，光(例如，UV輻射)可以通過該玻璃有效地傳遞到其上的光可釋放黏著劑(例如，玻璃或在相關波長下具有高透射率、高於80%、高於90%等的其它材料)。注意，插入件722a、722b、722c和722d可以由不同於(或相同於)製造載體面板710的材料製成。

如圖7A示出的，插入件722a、722b、722c和722d的大小可以被設置成在橫向上比子面板714a、714b、714c和714d窄。例如，如視圖700和730示出的，插入件722a在橫向上比孔716a窄(例如，由孔716a的側壁711界定)。然而，子面板714a在橫向上比插入件722a和孔716a寬，因此子面板714a的後側的周邊從插入件722a暴露出來。因此，當插件722a位於孔716a內時，子面板714a位於載體面板710的頂部，擱置在載體面板710的頂表面上。然而，注意，在其它示例實施方式中，插入件722a、722b、722c和722d的大小可以被設置成在橫向上與子面板714a、714b、714c和714d相同或基本相同的大小(例如，在5%以內、10%以內等)。在這樣的構造中，插入件722a、722b、722c和722d、黏著材料721a、721b、721c和721d以及子面板714a、714b、714c和714d可以全部或部分地位於孔716a、716b、716c和716d內。在示例構造中，子面板714a、714b、714c和714d的前側和載體面板710的頂側可以共面或基本共面(例如，在載體面板710的底側與參考平面的5%高度偏差內，在載體面板710的底側與參考平面的10%高度偏差內等)。換句 話說，子面板714a、714b、714c和714d的厚度、插入件722a、722b、722c和722d的厚度、黏著材料721a、721b、721c和721d的厚度以及載體面板710的厚度可以被指定為使得載體面板710的頂側可以與子面板714a、714b、714c和714d的前側共面或基本共面。這樣的構造例如可以提高進一步處理的質量，例如在施加或保持一致的介電或導電層等態樣。在另一示例構造中，這樣的部件的大小可以被設置成使得子面板714a、714b、714c和714d的前側垂直高於載體面板710的頂側。這樣的構造可以例如消除作為進一步處理中的障礙的載體面板710。在另一示例構造中，這樣的部件的大小可以被設置成使得子面板714a、714b、714c和714d的前側垂直低於載體面板710的頂側。這樣的構造例如可以在處理過程中為子面板714a、714b、714c和714d提供環境保護。

如圖7A示出的，特別是在視圖720處，子面板714a用黏著材料721a(例如，黏著層)安裝到相應的插件722a上。子面板714a以朝上(或前側朝上)的構造安裝，其中，要處理的子面板714a的正面(例如，包括主動電路的一側、包括互連結構的一側等)背離相應的插件722a朝上。注意，如本文別處所解釋的，當要執行後側處理時，可以使用後側朝上的構造。因此，子面板714a、714b、714c和714d中的每一個都用相應的黏著材料721a、721b、721c和721d安裝到相應的插件722a、722b、722c和722d上。在一些實施方式中，這樣的子面板714a-714d可以包括或對應於本文揭示內容的其它子面板，例如圖2-3的子面板(包括晶粒214a-214d)，例如圖4的子面板415、425、435、445、455和465等。

如視圖730示出的，插入件722a、722b、722c和722d以及黏著材料721a、721b、721c和721d中的每一個被插入到載體面板710中的相應的孔716a、716b、716c和716d中。從這樣的插入得到的結構例如在視圖740和視圖700中示出。

在插入件722a、722b、722c和722d插入之後，如視圖750示出的， 該結構被倒置，使得載體面板710的底側和插入件722a、722b、722c和722d的後側朝上。然後(例如，如先前關於圖6的視圖620所討論的)，如圖7B視圖760示出的，黏著材料712(例如，黏著層712)形成在載體面板710上以及插入件722a、722b、722c和722d上，例如在其底側上。如本文所討論的，黏著材料712可以包括各種特徵中的任何一種。例如，黏著材料712可以包括光可釋放黏著劑、熱可釋放黏著劑、晶粒附著黏著劑、可固化黏著劑等。如本文所討論的，儘管黏著材料712示出為覆蓋載體面板710的整個底側，但是這樣的覆蓋不是必需的。例如，載體面板710的底側上的周邊區域，或者載體面板710的底側的一個或多個水平端，可以保持沒有黏著材料712(例如，用於處理、用於固定、用於對齊等)。

如視圖770示出的，在形成黏著材料712之後，該結構可以被倒置(或翻轉)，使得載體面板710的頂側和子面板714a、714b、714c和714d的前側(或者如果需要的話，後側)面向上(朝上)，用於進一步處理(例如，在方塊150處等)。此時，垂直截面圖700和透視圖770示出了同一結構的不同視圖。

儘管在將插入件722a、722b、722c和722d放置在孔716a、716b、716c和716d中之後，圖7示出的示例安裝在載體面板710和插入件722a、722b、722c和722d(例如，在其底側)上形成黏著材料712，但是在將插入件722a、722b、722c和722d放置在孔716a、716b、716c和716d中之前，可以將黏著材料712(例如，黏著片、膠帶或薄膜等)耦合到載體面板710的底側，例如，使得插入件722a、722b、722c和722d的底側在這樣的放置過程中或之後黏著到黏著劑712上(例如，通過機械擠壓、通過真空層壓或夾緊等)。

如視圖700和730示出的，在孔716a的側壁711與插入件722a之間的孔716a(或任何或所有孔)中存在間隙707。該間隙707可以是例如可靠處理所需的任何大小。例如，考慮到放置機器的能力等，間隙607的大小可以被設置成在指定公差內的最大插入件大小和在指定公差內的最小子面板孔徑。

儘管在將插入件722a、722b、722c和722d放置在孔716a、716b、716c和716d中之後，圖7A和7B示出的示例安裝在載體面板710和插入件722a、722b、722c和722d(例如，在其底側)上形成黏著材料712，但是在將插入件722a、722b、722c和722d放置在孔716a、716b、716c和716d中之前，可以將黏著材料712(例如，黏著片、膠帶或薄膜等)耦合到載體面板710的底側，例如，使得插入件722a、722b、722c和722d的底側在這樣的放置過程中或之後黏著到黏著劑712上(例如，通過機械擠壓、通過真空層壓等)。

如本揭示內容通篇所述，真空層壓(或夾緊或擠壓)製程可以用於執行本文所討論的各種安裝或耦合。圖8示出了真空層壓過程和夾具的示例圖示800。例如，包括帶有子面板814a、814b、814c和814d的載體面板810的示例結構被放置在下真空卡盤870上，這些子面板通過黏著材料812耦合到載體面板810。在一些實施方式中，這樣的子面板814a-814d可以包括或對應於本文揭示內容的其它子面板，例如圖2-3的子面板(包括晶粒214a-214d)，例如圖4的子面板415、425、435、445、455和465等。然後降低上真空卡盤860以氣密密封該設備。然後可以在腔室中產生真空，以夾緊或按壓(例如，同時夾緊或按壓)黏著材料812上的子面板814a、814b、814c和814d，並進一步按壓載體面板810上的黏著材料812。在一個示例構造中，空氣被注入(或允許流入)隔膜，並且隔膜的膨脹將子面板814a-814d壓靠在黏著材料812或載體面板810上。這樣的真空層壓(或本文討論的其它黏著過程)也可以例如在高溫下進行，以增強層壓過程(例如，提高黏著質量，減少製造時間等)。例如，這樣的真空層壓(或本文討論的其它結合製程)可以在180攝氏度、100攝氏度至200攝氏度範圍內的溫度等下進行。

在附加的示例實施方式中，方塊140可以包括將子面板機械地夾緊到載體面板上。例如，這樣的機械夾緊可以包括使用夾子、磁體(例如永磁體等)。例如，也可以使用真空夾緊。

返回到圖1，示例方法100可以包括在方塊150處在包括載體面板和安裝在其上的子面板的結構上執行一個或多個處理步驟。注意，這樣的構造在本文也可以稱為“混合面板”或“子面板面板”。

方塊150可以包括各種不同類型的處理中的任何一種。例如，方塊150可以包括執行任何數量的：清潔、塗覆、囊封、掩蔽、執行微影、蝕刻、剝離、顯影、固化、介電層形成、導電層形成、互連結構形成、3D連接結構形成、裝置堆疊、焊接或其它附著、重新分佈結構(或層)形成、裝置單粒化切割、切割、加熱、施加光、烘烤、測試、屏蔽形成、蓋安裝、通常執行囊封步驟等。可以在子面板上同時執行任何或所有這些不同類型的處理(或其部分)。注意，這樣的同時性不是必需的。例如，根據製造能力和過程的性質，可以在每個子面板上順序執行子面板的各種類型的處理。例如，可以在子面板上同時執行第一處理操作，並且可以在子面板上順序執行第二處理操作。

圖9A-9E示出了可以在方塊150執行的示例方法。更具體地，圖9A-9E示出了處理混合面板(或混合面板)的示例方法，例如包括形成信號重新分佈結構(RDS)，以及由此生產的示例電子裝置。在一些實施方式中，這樣的子面板可以包括或對應於圖2-3的子面板，圖4的子面板415、425、435、445、455和465，或本文揭示內容的其它子面板，並且這樣的子面板的晶粒可以包括或對應於圖2-3的晶粒214a-214d。

圖9A示出了垂直截面圖(沿著圖9B的線A-A')，圖9B示出了說明在混合面板上形成信號重新分佈結構(RDS)(或信號分佈結構(SDS))的俯視圖。圖9C示出了可選的垂直截面圖(沿著圖9B的線A-A')。信號重新分佈結構的形成可以與以下專利申請具有共同的特徵：於2019年8月7日提交的、發明名稱為“半導體裝置和製造半導體裝置的方法(Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device)”的第16/534,814號美國專利申請；於2019 年1月29日提交的、發明名稱為“半導體封裝及其製造方法(Semiconductor Package and Fabricating Method Thereof)”的第16/260,674號美國專利申請；以及於2020年9月22日提交的、發明名稱為“半導體封裝及其製造方法(Semiconductor Package and Fabricating Method Thereof)”的第17/028,621號美國專利申請。出於所有目的，每個專利的全部內容通過引入併入本文中。例如，這樣的參考提供了可以在方塊150處執行的處理步驟類型的許多示例。

如圖9A的示例900示出的，第一子面板914a的一部分和第二子面板914b的一部分示出為用黏著材料912安裝到載體面板910。圖9A示出的第一子面板914a的一部分包括由第一囊封材料916a(例如，在重構的晶圓或子面板構造中)包圍的第一半導體晶粒914a-1和第二半導體晶粒914a-2。圖9A示出的第二子面板914b的一部分包括由第二囊封材料916b(例如，在重構的晶圓或子面板構造中)包圍的第一半導體晶粒914b-1。在一些實施方式中，圖9A-9D的子面板914a-914d可以包括或對應於本文揭示內容的其它子面板，例如圖2-3的子面板(包括晶粒214a-214d)，例如圖4的子面板415、425、435、445、455和465等。

在方塊150處，在半導體晶粒914a-2上形成信號重新分佈結構(RDS)920b。圖9A提供了RDS 920b的放大圖。如圖示出的，半導體晶粒914a-2具有暴露在晶粒914a-2的前側的多個端子951(例如，晶粒接合襯墊、導電凸塊、導電柱或桿等)。在一些示例中，端子951可以從晶粒914a-2的前側突出得比介電層952(例如，晶粒鈍化層)更遠。在這樣的示例中，囊封材料916a也可以在晶粒914a-2的前側上延伸，或者可以接觸這樣的突出端子951的側面(例如，如圖9C示出的)。

第一介電層953形成在晶粒914a-2的前側上方和囊封材料916a上。這樣的形成可以例如在方塊152處示出。第一導電層955形成在第一介電層953上，並延伸穿過第一介電層953中的孔(例如，通過蝕刻或微影、雷射或機械 燒蝕等形成)，以接觸端子951。這樣的形成可以例如在方塊154和156處示出(例如，形成用於電鍍的晶種層，然後在晶種層上電鍍導電層)。第二介電層954形成在第一介電層953和第一導電層955上。第二導電層956形成在第二介電層954上，並延伸穿過第二介電層954中的孔(例如，通過蝕刻或微影、雷射或機械燒蝕等形成)，以接觸第一導電層955。第三導電層957形成在第二導電層956上。第二導電層956和第三導電層957例如可以是多層凸點下金屬化(under bump metallization，UBM)結構。在示例實施方式中，方塊152、154和156中的任何一個或全部可以被執行任何次數。

介電層952、953和954可以包括各種介電材料中的任何一種的一層或多層，例如無機介電材料(例如，Si₃N₄、SiO₂、SiON、SiN、氧化物、氮化物、它們的組合、它們的等同物等)或有機介電材料(例如，聚合物、聚醯亞胺(PI)、苯並環丁烯(BCB)、聚苯並噁唑(PBO)、雙馬來醯亞胺三嗪(BT)、模製材料、酚醛樹脂、環氧樹脂、矽樹脂、丙烯酸酯聚合物、它們的組合、它們的等同物等)，但是本揭示內容的範圍不限於此。

介電層952、953和954可以使用各種製程中的任何一種或各種來形成(例如，旋塗、噴塗、印刷、燒結、熱氧化、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)、低壓化學氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、等離子體增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、等離子體氣相沉積(plasma vapor deposition，PVD)、薄片層壓、蒸發等)，但是本揭示內容的範圍不限於此。

端子951和導電層955、956和957(例如，跡線、端子、凸點下金屬化、導電通孔等)可以包括各種材料中的任何一種(例如，銅、鋁、鎳、鐵、銀、金、鈦、鉻、鎢、鈀、它們的組合、它們的合金、它們的等價物等)，但是 本揭示內容的範圍不限於此。

端子951和導電層955、956和957可以使用各種製程中的任何一種或多種來形成或沉積(例如，電解電鍍、化學鍍、化學氣相沉積(CVD)、金屬有機化學氣相沉積(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)、濺射或物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)、等離子氣相沉積、印刷、絲網印刷、微影等)，但是本揭示內容的範圍不限於此。

在示例實施方式中，在導電層的形成中，一個或多個電鍍晶種層可以形成在整個載體面板910和子面板914a、914b上(例如，在子面板的頂側上、在子面板的側面上、在相鄰子面板之間的載體面板的頂側上等)。晶種層可以包括各種材料中的任何一種。例如，晶種層可以包括銅。又例如，晶種層可以包括各種金屬(例如，銀、金、鋁、鎢、鈦、鎳、鉬等)中的任何一種的一層或多層。可以使用各種技術(例如，濺射或其它物理氣相沉積(PVD)技術、化學氣相沉積(CVD)、化學鍍、電鍍等)中的任何一種來形成晶種層。晶種層可以例如在隨後的電鍍過程中使用。在形成晶種層之後，可以在晶種層上形成導電圖案(例如，通過由光致抗蝕劑材料形成的掩模)，然後可以在通過掩模暴露的晶種層部分上電鍍導電圖案。

導電層955、956和957中的一個或多個可以例如在扇出(Fan-Out)構造中橫向地延伸到半導體晶粒914a-2的覆蓋區之外。

如圖9A和9B示出的，重新分佈結構920a和920f可以與重新分佈結構920b相同，並且可以分別形成在半導體晶粒914a-1和914b-2上。然而，注意，這樣的重新分佈結構不需要相同。

此外，如圖9A和9B示出的，重新分佈結構920d可以形成在載體面板910上，例如在黏著材料912上(如果存在)，並且橫向地位於第一子面板914a與第二子面板914b之間。這樣的重新分佈結構920d可以例如是犧牲性的，稍後被 移除並丟棄或回收。這樣的重新分佈結構920d，儘管最終沒有用於電子封裝中，但是可以有利地增強本文討論的各種導電層(例如，導電層955、956、957等)和各種介電層(例如，介電層953、954等)的均勻性，例如增強整個載體面板910或子面板上的電鍍或其它沉積製程的均勻性。儘管在圖9A和9B示出的示例中，重新分佈結構920d的構造可以與重新分佈結構920a、923b和920f相同，但是重新分佈結構920d可以基本相同(例如，具有95%的相同構造、90%的相同構造、80%的相同構造等)。在另一示例構造中，重新分佈結構920d可以與重新分佈結構920a、920b和920f基本上不同，但是包括具有與重新分佈結構920a、920b和920f相同或基本上相同(例如，在5%內、在10%內、在20%內等)頂表面面積的層。

同樣如圖9A和9B示出的，重新分佈結構920c和920e可以部分地形成在相應的子面板914a和914b上，並且部分地形成在子面板914a與914b之間的載體面板910上，例如在黏著材料912上(如果存在)。這樣的重新分佈結構920c和920e可以例如是犧牲性的，例如稍後被移除並丟棄或回收。這樣的重新分佈結構920c和920e，儘管最終沒有用於電子封裝中，但是可以有利地增強本文討論的各種導電層(例如，導電層955、956、957等)和各種介電層(例如，介電層953、954等)的均勻性，例如增強整個載體面板910或子面板上的電鍍或其它沉積製程的均勻性。儘管在圖9A示出的示例中，重新分佈結構920c和920e的構造可以與重新分佈結構920a、923b和920f相同，但是重新分佈結構920c和920e可以基本相同(例如，具有95%的相同構造、90%的相同構造、80%的相同構造等)。在另一示例構造中，重新分佈結構920c和920e可以與重新分佈結構920a、920b和920f基本上不同，但是包括具有與重新分佈結構920a、920b和920f相同或基本上相同(例如，在5%以內、10%以內、20%以內等)的頂表面面積的層。

如圖9A示出的，重新分佈結構920c和920e可以(但不是必須)沿著子面板914a和914b的側面具有垂直區域917a和917b。在一些示例中，重新分佈 結構920c和920e的一個或多個介電層(例如，介電層953、954等中的一個或多個)可以沿著子面板914a和914b的側面垂直延伸，並且各種導電層(例如，導電層955、956、957等中的一個或多個)可以不沿著子面板914a和914b的側面垂直延伸。在一些示例中，任何或所有這樣的介電和導電層(例如，晶種層、鍍層等)可以沿著子面板914a和914b的側面垂直延伸。

圖9C提供了垂直截面圖(沿圖9B的A-A')的附加示例903和904。示例903和904可以例如具有共同的本文關於圖9A和9B討論的任何或所有特徵。

轉到示例視圖903，柱(或桿)949可以形成在端子951上。這樣的柱或桿可以使用各種技術中的任何一種來形成，以下專利申請中提供了這些技術的非限制性示例：於2019年8月7日提交的、發明名稱為“半導體裝置和製造半導體裝置的方法(Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device)”的第16/534,814號美國專利申請；於2019年1月29日提交的、發明名稱為“半導體封裝及其製造方法(Semiconductor Package and Fabricating Method Thereof)”的第16/260,674號美國專利申請；以及於2020年9月22日提交的、發明名稱為“半導體封裝及其製造方法(Semiconductor Package and Fabricating Method Thereof)”的第17/028,621號美國專利申請。出於所有目的，每個專利的全部內容通過引入併入本文中。這樣的桿949可以例如在方塊150處形成，但是也可以已經形成為重構的子面板的一部分(例如，在圖1的方塊20處)或者作為接收到的子面板的一部分被接收(在圖1的方塊10處)。

如示例903中示出的，囊封材料916a(例如，如在方塊10處接收到的，如在方塊27處形成的等)可以橫向地圍繞並接觸柱949。例如，柱949的頂側可以是共面的或基本共面的(例如，與重構子面板底部的參考平面的高度偏差在5%以內，與重構子面板底部的參考平面的高度偏差在10%以內等)。

如示例904示出的，晶粒914a-2的後側可以從囊封材料916a暴露。 此外，儘管不是必需的，但是結構961(例如，絕緣結構、導電結構等)可以覆蓋晶粒914a-2和囊封材料916a的後側。這樣的結構961可以例如在方塊150處形成，但是也可以已經形成為重構的子面板的一部分(例如，在圖1的方塊20處)或者作為接收到的子面板的一部分被接收(在圖1的方塊10處)。

如圖9A的截面圖示出的，子面板914a和914b的側面可以是垂直的(例如，相對於前側和後側)。然而，注意，其它構造可能是有利的。例如，子面板914a和914b的側面與前後側之間相對尖銳的90度角可以減小(或平滑)。圖9D和9E提供了這樣的角度減小的兩個示例。

例如，圖9D和9E示出了示例面板的垂直截面圖。如圖9D的示例面板906示出的，子面板906(例如，本文討論的任何子面板)的橫向邊緣可以包括上斜面917(例如，圍繞子面板906的前側的周邊延伸)。注意，在示例面板906中，可以形成類似於上斜面917的下部倒角(例如，圍繞子面板906的底側的周邊延伸並底切子面板906的底側)。注意，這樣的倒角也可以從子面板上去除不需要的材料，例如模具溢料、毛刺等。

又例如，如圖9E的示例907示出的，子面板907(例如，本文討論的任何子面板)的側邊緣可以包括下斜面918(例如，圍繞子面板907的底側的周邊延伸)。

這樣的倒角917或918例如可以有利地提高介電層或導電層(例如晶種層、電鍍金屬層等)的可靠性，例如圖示的層921和922(或本文揭示內容的任何層)(在子面板906和907的前側上延伸，沿著子面板906和907的側面，並且在子面板906和907之間的黏著材料912上)可以更可靠。例如，即使在熱應力和子面板906和907由於處理過程中的CTE失配而移動的情況下，層921和922的連續性可以保持。例如，在層921是介電層(例如，聚醯亞胺或本文討論的任何介電材料的噴塗層)並且層922是電鍍製程的晶種層的示例實施方式中，倒角917或 918可以在處理過程中經歷的熱膨脹和收縮過程中(例如，在電鍍、掩蔽、蝕刻、剝離等過程中)增強這樣的晶種層的可靠性和完整性。注意，倒角917或918可以例如在重構子面板的形成過程中形成(例如，在方塊20處，作為方塊27的一部分或在該方塊之後等)。附加地，例如，在方塊10處接收半導體晶圓的情況下，可以在這一點形成倒角以平滑半導體晶圓的邊緣。

注意，圖9A-9E示出的示例同樣適用於半導體晶圓子面板和重構子面板(例如，晶圓形狀或圓形重構子面板、矩形重構子面板等)。例如，圖9A-9E的囊封材料916或916a-916d(以及本揭示內容的所有囊封材料)可以用半導體晶圓的大塊半導體材料代替。

附加地，可以消除本文示出的任何示例重新分佈結構(RDS)，而不脫離本揭示內容的精神。例如，完全橫向地位於子面板914a、914b、914c和914c之間的犧牲性的重新分佈結構(例如，像重新分佈結構920d)中的任何一個或多個可以被全部或部分消除。又例如，部分在子面板914a、914b、914c和914d上(或上方)以及部分在子面板914a、914b、914c和914d之間的載體面板910上(或上方)的犧牲性的重新分佈結構(例如，像重新分佈結構920c和920e)任何一個或多個可以被全部或部分消除。

圖9A-9E中示出的示例過程的任何或所有態樣可以應用於本文討論的任何或所有混合面板(或混合面板)構造(例如，應用於圖4中示出的示例構造410、420、430、440、450和460；應用於圖5中形成的示例混合面板構造；應用於圖6中形成的示例混合面板構造；應用於圖7A和7B中形成的示例混合面板構造等。

注意，儘管圖9A-9E中示出的示例處理是在子面板或晶粒的前側上執行的，但是本揭示內容的範圍不限於僅前側處理，例如，任何處理可以在子面板或晶粒的後側上執行，而不是或除了在前側上執行之外。例如，在一些示例 實施方式中，信號重新分佈結構(例如，像RDS 920)可以形成在子面板或晶粒的正面和後側上，並且導電通孔結構(例如，通過囊封材料916)可以形成為將這樣的正面RDS和後側RDS彼此電連接。

在方塊150處對混合面板執行處理之後，在方塊160處可以從載體面板移除子面板。在一些實施方式中，這樣的子面板可以包括或對應於圖2-3的子面板、圖4的子面板415、425、435、445、455和465，或本文揭示內容的其它子面板，或者這樣的載體面板可以包括或對應於本文揭示內容的其它載體面板。這樣的子面板移除可以以各種方式中的任何一種來執行。圖10A-10C提供了從載體面板移除子面板的不同方法的示例。

例如，如本文所討論的，例如在方塊140的討論過程中，可以使用光可釋放的黏著劑將子面板安裝到載體面板上，將子面板安裝到相應的插入件上等。圖10A示出了使用光能(例如，UV能量等)釋放黏著材料的移除子面板(例如，從載體面板、從插入件等)的方法。

例如，在視圖1010中，由箭頭表示的光能1010a、1010b、1010c和1010d被施加以通過透明(例如，玻璃等)載體面板510照射黏著材料512。在一些示例中，光能1010a、1010b、1010c和1010d可以通過載體面板510同時施加到相應的子面板514a、514b、514c和514d。在一些示例中，光能1010a、1010b、1010c和1010d可以通過載體面板510依次施加到相應的子面板514a、514b、514c和514d。在一些示例中，光能可以通過對應於(例如，包含，作為子集包含等)子面板514a、514b、514c和514d的組合的相應的覆蓋區的載體面板510的區域(例如，以單個光束、聚集多個光束等)來施加。例如，光能也可以施加到載體面板510上但在子面板514a-514d的覆蓋區之外的黏著材料512上。通過載體面板510到達黏著材料512的光能(例如，其量取決於施加到載體面板510的光能、載體面板510的透射率等)用於降低或消除黏著材料512的黏著性。

如視圖1020示出的，一旦黏著材料512的黏性已經消除或降低到特定水平以下，子面板514a、514b、514c和514d可以從載體面板510移除(例如，拉起、提升或剪切)。在示例視圖1020中，耦合到子面板514a、514b、514c和514d中的每一個的黏著材料512的相應的部分從載體面板510拉開，並保持耦合到子面板514a、514b、514c和514d的底側。例如，當子面板514a被從載體面板510拉出時，黏著材料512的一部分512a被從載體面板510拉出，並保持與子面板514a的底側耦合。黏著材料512的部分512a的拉開留下空隙510a(或孔)，其通過黏著材料512暴露載體面板510的相應的部分。類似地，相應的黏著劑部分和空隙對應於被拉開的子面板514b、514c和514d。注意，在另一示例中，在子面板514a、514b、514c和514d被從載體面板510拉出之後，黏著材料512的相應的第一部分可以被耦合到子面板514a、514b、514c和514d中的每一個的相應的底側，並且黏著材料512的相應的第二部分可以保持耦合到載體面板510。例如，黏著材料512的一部分可以保留在空隙510a中，而不是與子面板514a一起被拉起。在又一示例中，沒有黏著材料512與子面板514a、514b、514c和514d一起被拉起，並且所有黏著材料512都保留在載體面板510上。耦合到子面板514a、514b、514c和514d的黏著材料512的任何殘餘物可以從子面板514a、514b、514c和514d移除，並且黏著材料512的任何殘餘物也可以從載體面板510移除，使得載體面板510可以被重複使用。

也如本文所述，例如在方塊140的討論過程中，可以使用可熱釋放黏著劑將子面板安裝到載體面板上，將子面板安裝到相應的插入件等。圖10B示出了使用熱能(thermal energy)(例如，熱能(heat energy))釋放黏著劑材料的移除子面板(例如，從載體面板、從插入件等)的方法。

例如，在視圖1030，由箭頭表示的熱能1030a、1030b、1030c、1030d、1030e和1030f被施加以加熱黏著材料512。這樣的熱能可以例如從任何或 所有方向施加。到達黏著材料512的熱能(例如，直接從上方、從上方並穿過子面板514a、514b、514c和514d、從下方並穿過載體面板510等)用於降低或消除黏著材料512的黏著性。

如視圖1040示出的，一旦黏著材料512的黏性已經消除或降低到特定水平以下，子面板514a、514b、514c和514d可以從黏著材料512移除(例如，拉起、提升或剪切)。黏著材料512的任何殘餘物可以從子面板514a、514b、514c和514d移除，並且黏著材料512也可以從載體面板510移除，使得載體面板510可以被重複使用。如本文關於圖10A所討論的，黏著材料512的各個部分可以保持與子面板514a、514b、514c和514d接觸，或者保持與載體面板510接觸。

如圖10C的視圖1050示出的，可以應用的附加技術(例如，獨立地，結合向黏著劑施加光能，結合向黏著劑施加熱能等)包含旋轉(或扭轉)子面板514a、514b、514c和514d，同時從黏著材料512拉起子面板514a、514b、514c和514d(例如，用頂部卡盤)。這樣的技術(例如，使用子面板514a、514b、514c和514d的旋轉而不是平移(例如，滑動、剪切等)可能是有利的，例如，當處理導致材料直接橫向地形成在子面板514a、514b、514c和514d之間時(例如，如本文關於方塊150所討論的)，當其它子面板阻礙被移除的子面板的橫向平移運動時，當任何其它障礙物阻礙被移除的子面板的橫向平移運動時等。如本文關於圖10A所討論的，黏著材料512的各個部分可以保持與子面板514a、514b、514c和514d接觸，或者保持與載體面板510接觸。

在各種示例實施方式中，方塊160還可以包括沿著子面板的周邊切割。圖11A和11B提供了這樣的切割的示例，其示出了切割子面板周圍的介電或導電材料的示例方法(和設備)，以及由此生產的示例電子裝置。這樣的切割可以例如增強子面板從載體面板上的可移除性。

更具體地，圖11A示出了垂直截面圖，並且圖11B示出了切割方 法及其設備的俯視圖。例如，一個或多個切割刀片1105a、1105b、1105c或1105d可以通過圍繞子面板514b的周邊橫向移動或旋轉來切割。儘管圖11A(以及本文的其它附圖)中示出的示例面板514a和514b是圓形的，但是可以存在一個或多個切割刀片1105a、1105b、1105c、1105d圍繞非圓形(例如，矩形等)子面板的周邊進行切割的示例。儘管呈現了多個切割刀片1105a、1105b、1105c、1105d，但是可以存在使用單個切割刀片或者與示出的數量不同數量的切割刀片的實施方式。

切割刀片1105a、1105b、1105c或1105d可以例如切割在將子面板514b安裝在載體面板510上之後或過程中形成的加工材料(例如，在方塊140處、在方塊150處等)。這樣的材料的示例在圖9A-9E中示出，並且可以例如對應於各種材料中的任何一種，這些材料可以對應於可以在方塊150執行的任何或所有處理。例如，在圖9A-9E示出的示例中，其一部分在圖11B中示出，這樣的材料可以包括或對應於多個介電或導電層，其覆蓋子面板514a、514b、514c和514d的頂表面或側表面，並且覆蓋橫向地位於(例如，直接橫向地位於等)之間子面板514a、514b、514c和514d之間的載體面板510和黏著材料512。如圖11B的視圖1120示出的，切割刀片1105a切割在形成信號重新分佈結構的過程中形成的這樣的介電和導電材料(或層)(例如，如圖9A詳細示出的)。切割這樣的材料降低或消除了這樣的材料將子面板514a、514b、514c和514d保持在載體面板510和黏著材料512上的能力。

如圖11A示出的，在將黏著材料512施加到載體面板510的過程中，載體面板510的頂側的周邊邊界區域511可以沒有黏著材料512。這樣的邊界區域可以例如用於在處理過程中對準或固定混合面板(例如，在方塊150處的處理過程中，在方塊160處從面板移除子面板的過程中，在切割操作過程中等)。例如，在處理過程中，與夾緊子面板相反，混合面板可以被夾緊。附加地，為了對 準的目的，基準點或其它標記可以形成或位於周邊邊界區域511中(例如，不被黏著材料512或子面板514a、514b、514c和514d遮擋)。

儘管在圖11A和11B的示例中示出了機械切割，但是根據被切割材料的性質，切割刀片1105a、1105b、1105c和1105d可以包括能量切割刀片(例如雷射切割、軟光束切割、等離子切割等)或其它形式的切割刀片(例如液體噴射切割等)。

注意，儘管圖11A和11B中示出的示例示出了正在處理的單個子面板，但是面板上的任何部分或所有子面板可以同時處理(例如，使用多個卡盤、具有多個切割設備的單個卡盤等)。

通常，方塊160可以包括沿著子面板的周邊切割(例如，以增強子面板從載體面板上的可移除性等)。因此，本揭示內容的範圍不受執行這樣的切割的任何特定方式的特徵的限制。

通常，方塊160可以包括從載體面板移除子面板。因此，本揭示內容的範圍不應受到從載體面板移除子面板的任何特定方式的特徵的限制。

在方塊160之後，示例方法可以包括執行附加處理。方塊160可以包括執行各種附加處理步驟中的任何一個(例如，形成重新分佈結構、形成互連結構(例如，凸點、柱或桿、導電球等)、部件的3D堆疊、單粒化切割、囊封、引線接合、晶粒安裝、清潔、測試等)。這樣的連續處理可以例如包括在移除的子面板上執行附加處理步驟(例如，依序地、並行地等)。這樣的連續的處理還可以例如包括將示例方法100的執行流程引導回任何先前的步驟(例如，到步驟105等)。

本揭示內容提供了製造電子裝置的方法、用於執行這樣的方法的設備、由執行這樣的方法產生的電子裝置等的許多示例。

例如，已經示出了製造電子裝置的示例方法，其中，該方法包括： 接收面板；接收多個子面板，其中，子面板中的每一個包括多個半導體晶粒；通過至少部分地將子面板安裝到面板的頂側來形成混合面板；處理混合面板，其中，處理包括在混合面板的子面板上同時執行處理步驟；以及在處理之後，從面板的頂側移除子面板。

例如，子面板可以是圓形的，並且面板可以是矩形的。又例如，子面板下方和之間的面板的頂側可以包括切口。附加地，例如，對子面板同時執行處理步驟可以包括同時將材料施加到子面板的頂側，以及施加到橫向地位於子面板中的相鄰子面板橫向之間的面板的頂側。處理步驟可以例如包括形成導電晶種層。處理步驟還可以例如包括在子面板中的每一個的相應的側面上形成導電晶種層。該處理可以例如包括為半導體晶粒中的每一個形成相應的信號分佈結構。在形成信號分佈結構的過程中，用於形成信號分佈結構的金屬材料的一部分可以橫向地施加在子面板之間。進一步例如，從面板上移除子面板可以包括旋轉和拉起子面板中的每一個。

附加地，例如，已經示出了製造電子裝置的另一示例方法。該示例方法可以包括：接收面板；接收多個子面板，其中，子面板中的每一個包括多個半導體晶粒；通過至少部分地將子面板安裝到面板的頂側來形成混合面板；處理混合面板，其中，該處理包括為半導體晶粒中的每一個形成相應的信號分佈結構；以及在處理之後，從面板的頂側移除子面板。

例如，半導體晶粒中的每一個的相應的信號分佈結構可以包括相應的晶粒導體圖案，並且混合面板的處理可以包括在相應的晶粒導體圖案之間橫向地形成犧牲性的導體圖案。犧牲性的導體圖案可以例如與相應的晶粒導體圖案中的一個或多個至少25%相同。犧牲性的導體圖案可以例如具有在晶粒導體圖案中的至少一個的頂表面面積的25%以內的頂表面面積。例如，犧牲性的導體圖案的至少一部分可以在子面板中的一個上。犧牲性的導體圖案的至少一部分 可以例如在面板上並且橫向地位於子面板中的相鄰子面板之間。例如，犧牲性的導體圖案的至少一部分可以在多個子面板中的第一子面板上，並且犧牲性的導體圖案的至少一部分在面板上並且橫向地位於多個子面板中的第一子面板與第二子面板之間。又例如，半導體晶粒中的每一個的相應的信號分佈結構的形成可以包括形成導電材料，並且混合面板的處理可以包括在子面板中的每一個的相應的側表面上形成導電材料的一部分。

進一步例如，已經示出了製造電子裝置的另一示例方法。該示例方法可以包括：接收面板；接收多個子面板，其中，子面板中的每一個包括多個半導體晶粒；通過至少部分地將子面板安裝到面板的頂側來形成混合面板；處理混合面板；以及在所述處理混合面板之後，通過至少部分地旋轉子面板中的每一個來從面板移除子面板。

例如，移除子面板可以包括同時旋轉和拉起子面板中的第一子面板(或多個或所有這樣的子面板)。又例如，移除子面板可以包括同時旋轉並向子面板中的第一子面板(或多個或所有這樣的子面板)施加熱能或光能。附加地，例如，移除子面板可以包括同時旋轉子面板中的第一子面板和子面板中的第二子面板(或所有這樣的子面板)。

本文的討論包含許多說明性的附圖，這些附圖示出了製造電子裝置的各種方法、用於執行這樣的方法的各種設備以及從執行這樣的方法產生的各種電子裝置(或其部分)。為了說明清楚，這些圖沒有示出示例方法、設備或電子裝置中的每一個的所有態樣。本文呈現的任何示例方法、設備或電子裝置可以與本文呈現的任何或所有其它示例方法、設備或電子裝置具有共同的任何或所有特徵。

雖然已經參考某些態樣和示例描述了前述內容，但是本領域技術人員將理解，可以進行各種改變並且可以替換等同物，而不脫離本揭示內容的範 圍。此外，可以進行許多修改以使特定情況或材料適應本揭示內容的教導，而不脫離本揭示內容的範圍。因此，意圖是本揭示內容不限於所揭示的特定示例，而是本揭示內容將包含落入所附申請專利範圍內的所有示例。

10:方塊

20:方塊

21:方塊

23:方塊

25:方塊

27:方塊

29:方塊

100:示例方法/方法

105:方塊/步驟

110:方塊

120:方塊

130:方塊

140:方塊

150:方塊

152:方塊

154:方塊

156:方塊

160:方塊

Claims (17)

1. 一種製造電子裝置的方法，所述方法包括：接收面板；接收多個子面板，所述子面板中的每一個包括多個半導體晶粒；通過至少部分地將所述子面板安裝到所述面板的頂側來形成混合面板；將材料施加到所述子面板的頂側以及所述面板的所述頂側的一部分，其中所述部分橫向地位於所述子面板中的相鄰子面板之間；以及在施加所述材料之後，從所述面板的所述頂側移除所述子面板。
2. 根據請求項1所述的方法，其中，所述子面板是圓形的，並且所述面板是矩形的。
3. 根據請求項1所述的方法，其中，所述頂側包括在所述子面板下方的孔。
4. 根據請求項1所述的方法，其中，施加所述材料包括形成導電晶種材料。
5. 根據請求項1所述的方法，其中，施加所述材料包括在所述子面板中的每一個的相應的側面上形成導電晶種材料。
6. 根據請求項1所述的方法，其包括：為所述半導體晶粒中的每一個形成相應的信號分佈結構，以及其中形成所述相應的信號分佈結構包括施加所述材料。
7. 根據請求項6所述的方法，其中，形成所述信號分佈結構包括施加金屬材料到子面板之上以及橫向地在所述子面板中的相鄰子面板之間的所述面板的所述頂側的所述部分上。
8. 根據請求項1所述的方法，其中，從所述面板移除所述子面板包括相對於所述面板旋轉和拉起所述子面板中的每一個。
9. 一種製造電子裝置的方法，所述方法包括：接收面板；接收多個子面板，所述子面板中的每一個包括多個半導體晶粒；通過至少部分地將所述子面板安裝到所述面板的頂側來形成混合面板；形成信號分佈結構在所述子面板上以及位於所述子面板之間的所述面板的所述頂側的部分上，其中所述信號分佈結構包括：為所述半導體晶粒中的每一個之相應的晶粒導體圖案；以及位於所述子面板之間的所述面板的所述頂側的所述部分上的犧牲性的導體圖案；以及在形成所述信號分佈結構之後，從所述面板的所述頂側移除所述子面板。
10. 根據請求項9所述的方法，其中，所述犧牲性的導體圖案與所述相應的晶粒導體圖案中的一個或多個至少25%相同。
11. 根據請求項9所述的方法，其中，所述犧牲性的導體圖案的頂表面面積在所述晶粒導體圖案中的至少一個的頂表面面積的25%以內。
12. 根據請求項9所述的方法，其中，所述犧牲性的導體圖案的至少一部分在所述子面板中的一個上。
13. 根據請求項9所述的方法，其中：形成所述信號分佈結構包括形成所述導電材料在所述子面板中的每一個的相應的側表面上。
14. 一種製造電子裝置的方法，所述方法包括：接收面板；接收多個子面板，所述子面板中的每一個包括多個半導體晶粒；通過至少部分地將所述子面板安裝到所述面板的頂側來形成混合面板；處理所述混合面板；以及 在所述處理所述混合面板之後，通過至少部分地旋轉所述子面板中的每一個來從所述面板移除所述子面板。
15. 根據請求項14所述的方法，其中，所述移除所述子面板包括同時旋轉和拉起所述子面板中的第一子面板。
16. 根據請求項14所述的方法，其中，所述移除所述子面板包括同時旋轉所述子面板中的第一子面板並且向所述子面板中的第一子面板施加熱能或光能。
17. 根據請求項14所述的方法，其中，所述移除所述子面板包括同時旋轉所述子面板中的第一子面板和所述子面板中的第二子面板。