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TWI892084B - 封裝基板之製法 - Google Patents

封裝基板之製法

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Publication number
TWI892084B
TWI892084B TW112105849A TW112105849A TWI892084B TW I892084 B TWI892084 B TW I892084B TW 112105849 A TW112105849 A TW 112105849A TW 112105849 A TW112105849 A TW 112105849A TW I892084 B TWI892084 B TW I892084B
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package substrate
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陳敏堯
張垂弘
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大陸商芯愛科技(南京)有限公司
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Abstract

一種封裝基板之製法,係先於該承載件之相對兩表面上同時製作不對稱式基板結構,待移除該承載件後,於該不對稱式基板結構之相對兩側同時製作線路層,故本發明之封裝基板之製法能避免單一側佈線之情況發生,以避免發生翹曲之問題。

Description

封裝基板之製法
本發明係有關一種基板製法,尤指一種不對稱封裝基板之製法。
隨著產業應用的發展,近年來逐漸朝向5G高頻通訊、擴增實境(Augmented Reality,簡稱AR)、虛擬實境(virtual reality,縮寫VR)等發展,因此更需要研發高階半導體的封裝技術,以應用於如人工智慧(AI)晶片、高階晶片、多晶片等之半導體覆晶封裝或多晶片封裝,而在此封裝需求之下,封裝尺寸勢必越來越大,疊層數也越來越高,導致線路設計更是朝高密度、細線路間距、高電性連接點數等方向設計,藉以滿足上揭晶片之封裝需求。
圖1係為習知封裝基板1之剖視圖。如圖1所示,該封裝基板1係包括一核心板體10,其具有相對之第一側10a及第二側10b,且於該核心板體10之第一側10a形成有第一線路結構11,而於該核心板體10之第二側10b形成有第二線路結構12,其中,該核心板體10係具有複數連通該第一側10a與第二側10b之導電通孔100,以電性連接該第一線路結構11及該第二線路結構12,且該第一線路結構11之佈線層數及該第二線路結構12之佈線層數係不相同。
惟,習知封裝基板1於製作過程中,係先於該核心板體10之第一側10a製作該第一線路結構11,再於該第二側10b製作該第二線路結構12,故 於製作該第二線路結構12時,容易因該第一線路結構11之佈線層數及該第二線路結構12之佈線層數不相同而發生應力分佈不均之問題,導致該封裝基板1發生翹曲的問題,進而使該封裝基板1之生產良率不佳。
因此,如何克服上述習知製法的問題,實已成目前亟欲解決的課題。
鑑於上述習知技術之種種缺失,本發明係提供一種封裝基板之製法,係包括:提供具有相對之第一表面及第二表面的承載件;於該承載件之第一表面及第二表面上均依序形成絕緣層與核心板體,以令各該絕緣層結合於該承載件上,其中,該核心板體係具有相對之第一側及第二側,以令各該核心板體以其第一側結合該絕緣層,且各該核心板體係具有複數連通該第一側與第二側之導電通孔;形成一第二線路結構於各該核心板體之第二側上;移除該承載件,以獲取不對稱式基板結構;以及於該絕緣層上形成第一線路結構,其中,該第一線路結構之佈線層數係不同於該第二線路結構之佈線層數。
前述之製法中,復包括於該絕緣層上形成該第一線路結構時,同時製作該第二線路結構之另一線路層。
前述之製法中,該承載件係包含銅箔或預浸材。
前述之製法中,該核心板體復具有複數電性連接該導電通孔之內線路層。
前述之製法中,該第一線路結構係包含有該絕緣層、及結合該絕緣層之第一線路層。
前述之製法中,該第一線路結構係包含有該絕緣層、至少一設於該絕緣層上之第一介電層、及結合該絕緣層與該第一介電層之第一線路層。例如,該第一介電層係以壓合方式形成於該核心板體之第一側。
前述之製法中,該第二線路結構係包含有至少一第二介電層、及結合該第二介電層之第二線路層。例如,該第二介電層係以壓合方式形成於該核心板體之第二側。
前述之製法中,該絕緣層與該核心板體係以壓合方式形成於該承載件上。
由上可知,本發明之封裝基板之製法中,主要藉由同時於該承載件之第一與第二表面上製作第二線路結構,故相較於習知技術,本發明可避免於製作該第二線路結構時發生翹曲。
再者,本發明之封裝基板之製法中,於移除該承載件後,即使該不對稱式基板結構之上、下側之佈線層數不相等(或上、下側之結構厚度不一致),仍因同時於該核心板體之第一側與第二側製作第一線路結構(如第一線路層)與第二線路結構之另一線路層(如第二線路層),而可避免發生翹曲之現象。
1,2:封裝基板
10,20:核心板體
10a,20a:第一側
10b,20b:第二側
100,200:導電通孔
11,21:第一線路結構
12,22:第二線路結構
2a:不對稱式基板結構
201:塞孔材料
21b:第一導電盲孔
210:第一內線路層
211:絕緣層
212,214,216:第一線路層
213,215:第一介電層
22a:金屬層
22b:第二導電盲孔
220:第二內線路層
221,223,225,227,229:第二介電層
222,224,226,228,320:第二線路層
410,420:內線路層
9:承載件
9a:第一表面
9b:第二表面
90,90a,90b:銅箔
91:板體
圖1係為習知封裝基板之剖視圖。
圖2A至圖2F係為本發明之封裝基板之製法之剖面示意圖。
圖2A-1係為圖2A之承載件之另一態樣之剖面示意圖。
圖3及圖4係為本發明之封裝基板之製法之其它不同實施例之剖面示意圖。
以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式,熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。
須知,本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示之內容,以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀,並非用以限定本發明可實施之限定條件,故不具技術上之實質意義,任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整,在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下,均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時,本說明書中所引用之如「上」、「下」、「第一」、「第二」、「一」等之用語,亦僅為便於敘述之明瞭,而非用以限定本發明可實施之範圍,其相對關係之改變或調整,在無實質變更技術內容下,當亦視為本發明可實施之範疇。
圖2A至圖2F係為本發明之封裝基板2之製法的剖面示意圖。
如圖2A所示,提供一承載件9、複數核心板體20、複數絕緣層211及複數具有金屬層22a之第二介電層221,其中,該承載件9係具有相對之第一表面9a及第二表面9b。
於本實施例中,該承載件9係為暫時性載板,其板體91可為如雙順丁烯二酸醯亞胺/三氮阱(Bismaleimide triazine,簡稱BT)等的有機聚合板 材或銅箔基板。例如,該承載件9係為一銅箔基板,其包含銅箔90,且於該銅箔90上可依需求設有一剝離層(圖未示)。應可理解地,有關暫時性載板之種類繁多,如鋁、銅或不鏽鋼等之金屬板、具有金屬表面之預浸材(prepreg)所構成之板材、如圖2A-1所示之內埋貼合雙銅箔90a,90b之基材或其它等,可依成本需求選用,並無特別限制。
再者,該核心板體20係為單一核心層規格,其具有相對之第一側20a及第二側20b,並於該核心板體20之第一側20a及第二側20b上佈設有第一內線路層210與第二內線路層220,且該核心板體20係具有複數連通該第一側20a與第二側20b之導電通孔200,以電性連接該第一內線路層210與第二內線路層220。
又,該導電通孔200中係為中空柱狀,其可於中空處填滿塞孔材料201,其中,該塞孔材料201之種類繁多,如導電膠、油墨等,並無特別限制。應可理解地,於其他實施例中,該導電通孔200亦可為實心金屬柱體,而無需填入塞孔材料201。
另外,該絕緣層211係為介電層,如聚對二唑苯(Polybenzoxazole,簡稱PBO)、聚醯亞胺(Polyimide,簡稱PI)、預浸材(Prepreg,簡稱PP)或其它等介電材。
如圖2B所示,將該核心板體20、該絕緣層211及該第二介電層221以壓合方式對稱形成於該承載件9之第一表面9a及第二表面9b上,使該核心板體20以其第一側20a結合該絕緣層211,而以第二側20b結合該第二介電層221,且該金屬層22a位於最外側。
如圖2C所示,將該金屬層22a進行圖案化製程,以形成第二線路層222,並於該第二介電層221中形成電性連接該第二內線路層220與該第二線路層222之複數第二導電盲孔22b。
於本實施例中,該第二線路層222與第二介電層221係可作為第二線路結構22,使各該核心板體20之第二側20b上分別形成一第二線路結構22。
如圖2D所示,該第二線路結構22之佈線層數可依需求設計,故可於該第二線路層222與第二介電層221上壓合具有金屬層之第二介電層223,以製作第二線路層224,且形成不對稱式基板結構2a。
於本實施例中,基於保護該第二線路層224,故於該第二線路層224上壓合一具有金屬層22a之第二介電層225,以於該第二線路結構22之外側呈現該金屬層22a。
如圖2E所示,藉由剝離層移除該承載件9,以獲取不對稱式基板結構2a。
於本實施例中,該不對稱式基板結構2a具有該銅箔90,供後續製作線路層。應可理解地,由於製作線路層之方式繁多,故於其它實施例中,於移除該承載件9時,亦可移除該銅箔90,並不影響後續製作線路層之作業。
如圖2F所示,於該絕緣層211上將該銅箔90進行圖案化製程,以令該銅箔90形成第一線路層212,並於該絕緣層211中形成電性連接該第一內線路層210與該第一線路層212之複數第一導電盲孔21b,以形成第一線路結構21,且可依需求將該金屬層22a進行圖案化製程,以形成該第二線路結構22之 第二線路層226,俾得到一非對稱式佈線配置之封裝基板2,其中,該第一線路結構21之佈線層數係不同於該第二線路結構22之佈線層數。
於本實施例中,該第一線路結構21係包含有該絕緣層211、及結合該絕緣層211之第一線路層212,且該第二線路結構22係包含有複數第二介電層221,223,225、及結合該些第二介電層221,223,225之第二線路層222,224,226,故該第二線路結構22之佈線層數為三層,其多於該第一線路結構21之一層佈線層數。
再者,該第一線路結構21藉由壓合方式,可於該核心板體20之第一側20a形成所需之佈線層數,如圖3所示之複數第一介電層213,215及三層第一線路層212,214,216;同理地,該第二線路結構22可藉由壓合方式,於該核心板體20之第二側20b形成所需之佈線層數,如圖3所示之五層第二線路層222,224,226,228,320,以及增加第二介電層227,229。
又,該核心板體20內亦可依需求配置複數電性連接該導電通孔200之內線路層410,420,如圖4所示。
另外,該第一線路結構21及第二線路結構22之介電層之材料係包括無機材料(如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其它合適的材料)、有機材料(如聚醯亞胺(PI)、聚苯唑(PBO)、預浸材(PP)、環氧樹脂(Epoxy)、苯並環丁烯(Benzocyclobutene,簡稱BCB)或其它合適的材料),且該第一線路結構21及第二線路結構22之線路層之材料係為銅或其它金屬。
因此,本發明之製法,主要藉由同時於該承載件9之第一表面9a與第二表面9b製作線路結構,以於移除該承載件9後,可獲取該不對稱式基板結構2a,再進一步製得該封裝基板2,故相較於習知技術,本發明藉由該承載 件9可避免該封裝基板2於製作該第二線路結構22時發生翹曲,且於移除該承載件9後,即使該不對稱式基板結構2a之上、下兩側之佈線層數不相等(或結構厚度不一致),仍因同時於該核心板體20之第一側20a與第二側20b製作第一線路層212,214,216與第二線路層226,228,320而可避免發生翹曲。
綜上所述,本發明之封裝基板之製法,係藉由該承載件於其相對兩側同時製作不對稱式基板結構,且於移除該承載件後,於該不對稱式基板結構之相對兩側同時製作線路層,故本發明之封裝基板之製法能避免單一側佈線之情況發生,以避免發生翹曲之問題,因而能維持結構可靠度,進而有效提升產品良率。
上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效,而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下,對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍,應如後述之申請專利範圍所列。
2a:不對稱式基板結構
20:核心板體
200:導電通孔
201:塞孔材料
210:第一內線路層
211:絕緣層
22:第二線路結構
22a:金屬層
220:第二內線路層
221,223,225:第二介電層
222,224:第二線路層
9:承載件
9a:第一表面
9b:第二表面

Claims (10)

  1. 一種封裝基板之製法,係包括:
    提供具有相對之第一表面及第二表面的承載件;
    於該承載件之第一表面及第二表面上均依序形成絕緣層與核心板體,以令各該絕緣層結合於該承載件上,其中,各該核心板體係具有相對之第一側及第二側,以令各該核心板體以其第一側結合該絕緣層,且該核心板體係具有複數連通該第一側與第二側之導電通孔;
    形成一第二線路結構於各該核心板體之第二側上;
    移除該承載件,以獲取不對稱式基板結構;以及
    於該絕緣層上形成第一線路結構,其中,該第一線路結構之佈線層數係不同於該第二線路結構之佈線層數。
  2. 如請求項1所述之封裝基板之製法,復包括於該絕緣層上形成該第一線路結構時,同時製作該第二線路結構之另一線路層。
  3. 如請求項1所述之封裝基板之製法,其中,該承載件係包含銅箔或預浸材。
  4. 如請求項1所述之封裝基板之製法,其中,該核心板體復具有複數電性連接該導電通孔之內線路層。
  5. 如請求項1所述之封裝基板之製法,其中,該第一線路結構係包含有該絕緣層、及結合該絕緣層之第一線路層。
  6. 如請求項1所述之封裝基板之製法,其中,該第一線路結構係包含有該絕緣層、至少一設於該絕緣層上之第一介電層、及結合該絕緣層與該第一介電層之第一線路層。
  7. 如請求項6所述之封裝基板之製法,其中,該第一介電層係以壓合方式形成於該核心板體之第一側。
  8. 如請求項1所述之封裝基板之製法,其中,該第二線路結構係包含有至少一第二介電層、及結合該第二介電層之第二線路層。
  9. 如請求項8所述之封裝基板之製法,其中,該第二介電層係以壓合方式形成於該核心板體之第二側。
  10. 如請求項1所述之封裝基板之製法,其中,該絕緣層與該核心板體係以壓合方式形成於該承載件上。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN119764286B (zh) * 2025-03-07 2025-12-16 芯爱科技(南京)有限公司 封装基板及其制法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060284640A1 (en) * 2005-06-20 2006-12-21 Shing-Ru Wang Structure of circuit board and method for fabricating the same
TWI638411B (zh) * 2017-01-11 2018-10-11 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件之製法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI296492B (en) * 2004-06-29 2008-05-01 Phoenix Prec Technology Corp Un-symmetric circuit board and method for fabricating the same
CN102376675B (zh) * 2010-08-04 2015-11-25 欣兴电子股份有限公司 嵌埋有半导体元件的封装结构及其制法
JP6394136B2 (ja) * 2014-07-14 2018-09-26 凸版印刷株式会社 パッケージ基板およびその製造方法
JP2017228692A (ja) * 2016-06-23 2017-12-28 凸版印刷株式会社 半導体パッケージ基板およびその製造方法
TWI708541B (zh) * 2019-06-06 2020-10-21 欣興電子股份有限公司 線路載板及其製作方法
US11277917B2 (en) * 2019-03-12 2022-03-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component package structure, embedded type panel substrate and manufacturing method thereof
TWI759120B (zh) * 2021-03-04 2022-03-21 恆勁科技股份有限公司 中介基板及其製法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060284640A1 (en) * 2005-06-20 2006-12-21 Shing-Ru Wang Structure of circuit board and method for fabricating the same
TWI638411B (zh) * 2017-01-11 2018-10-11 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件之製法

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CN118553621B (zh) 2025-02-11
TW202435377A (zh) 2024-09-01
CN118553621A (zh) 2024-08-27

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