TWI891065B

TWI891065B - 基板清洗裝置及基板清洗方法

Info

Publication number: TWI891065B
Application number: TW112135484A
Authority: TW
Inventors: 中村一樹; 岡田吉文; 沖田展彬
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2022-09-21
Filing date: 2023-09-18
Publication date: 2025-07-21
Also published as: KR20240040646A; KR102784195B1; US20240091815A1; CN117747489A; JP2024044905A; US12246358B2; TW202412952A

Abstract

本發明的基板清洗裝置包括：上側保持裝置，對基板的外周端部進行保持；以及下表面刷，與基板的下表面接觸來對所述基板的下表面進行清洗。下表面刷在與由上側保持裝置保持的基板的下表面接觸的接觸位置和與由上側保持裝置保持的基板分離一定距離的分離位置之間移動。在分離位置，下表面刷以第一旋轉速度旋轉。在接觸位置，在下表面刷與基板的下表面接觸的時間點及下表面刷與基板的下表面分離的時間點，下表面刷以比第一旋轉速度高的第二旋轉速度旋轉。

Description

基板清洗裝置及基板清洗方法

本發明涉及一種對基板的下表面進行清洗的基板清洗裝置及基板清洗方法。

為了對液晶顯示裝置或有機電致發光（Electro Luminescence，EL）顯示裝置等中使用的平板顯示器（Flat Panel Display，FPD）用基板、半導體基板、光碟用基板、磁片用基板、光磁片用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等各種基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。為了對基板進行清洗，而使用基板清洗裝置。

日本專利特開2022-51029號公報所記載的基板清洗裝置包括上側保持裝置、下側保持裝置及下表面清洗裝置。

上側保持裝置包含一對下卡盤及一對上卡盤。配置於一對下卡盤之間且一對上卡盤之間的基板被一對下卡盤及一對上卡盤夾入。由此，在一對下卡盤及一對上卡盤與基板的外周端部相接的狀態下，對作為清洗對象的基板進行保持。下表面清洗裝置對由上側保持裝置保持的基板的下表面中央區域進行清洗。

下側保持裝置是所謂的旋轉卡盤，在對基板的下表面中央區域進行吸附保持的同時使基板以水準姿勢旋轉。下表面清洗裝置進一步對由下側保持裝置保持的基板的下表面中包圍下表面中央區域的區域（以下，稱為下表面外側區域）進行清洗。

所述下表面清洗裝置通過使下表面刷（清洗用具）與基板的下表面接觸而對基板的下表面中央區域及下表面外側區域進行清洗。如此，在物理地對基板進行清洗的情況下，有因清洗用具與基板接觸而清洗後的基板的清潔度降低的可能性。

本發明的目的在於提供一種能夠提高清洗後的基板的下表面的清潔度的基板清洗裝置及基板清洗方法。

按照本發明的一方面的基板清洗裝置包括：第一基板保持部，對基板的外周端部進行保持；清洗用具，與所述基板的下表面接觸來對所述基板的下表面進行清洗；清洗用具旋轉驅動部，使所述清洗用具繞上下方向上的軸旋轉；以及清洗用具移動部，使通過所述清洗用具旋轉驅動部旋轉的所述清洗用具在接觸位置與分離位置之間移動，所述接觸位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面接觸的位置，所述分離位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面分離一定距離的位置；所述清洗用具旋轉驅動部在所述清洗用具處於所述分離位置時，使所述清洗用具以第一旋轉速度旋轉，當將在所述清洗用具從所述分離位置向所述接觸位置移動的情況下處於和所述基板的下表面分離的狀態的所述清洗用具與所述基板的下表面接觸的時間點設為第一時間點、將在所述清洗用具從所述接觸位置向所述分離位置移動的情況下處於與所述基板的下表面接觸的狀態的所述清洗用具和所述基板的下表面分離的時間點設為第二時間點時，在所述第一時間點及所述第二時間點中的至少一個時間點，使所述清洗用具以比所述第一旋轉速度高的第二旋轉速度旋轉。

按照本發明的另一方面的基板清洗方法包含：通過第一基板保持部對基板的外周端部進行保持的步驟；使清洗用具與所述基板的下表面接觸來對所述基板的下表面進行清洗的步驟；使所述清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟；使通過所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟旋轉的所述清洗用具在接觸位置與分離位置之間移動的步驟，所述接觸位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面接觸的位置，所述分離位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面分離一定距離的位置，所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟包含：在所述清洗用具處於所述分離位置時，使所述清洗用具以第一旋轉速度旋轉；以及當將在所述清洗用具從所述分離位置向所述接觸位置移動的情況下處於和所述基板的下表面分離的狀態的所述清洗用具與所述基板的下表面接觸的時間點設為第一時間點、將在所述清洗用具從所述接觸位置向所述分離位置移動的情況下處於與所述基板的下表面接觸的狀態的所述清洗用具和所述基板的下表面分離的時間點設為第二時間點時，在所述第一時間點及所述第二時間點中的至少一個時間點，使所述清洗用具以比所述第一旋轉速度高的第二旋轉速度旋轉。

以下，使用附圖對本發明的實施形態的基板清洗裝置及基板清洗方法進行說明。在以下的說明中，所謂基板，是指半導體基板（晶片）、液晶顯示裝置或有機EL（Electro Luminescence）顯示裝置等FPD（Flat Panel Display）用基板、光碟用基板、磁片用基板、光磁片用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等。另外，在以下的說明中，基板的上表面是電路形成面（表面），基板的下表面是與電路形成面為相反側的面（背面）。另外，基板除了切口以外具有圓形形狀。

1.基板清洗裝置的結構圖1是第一實施形態的基板清洗裝置的示意性平面圖。圖2是表示圖1的基板清洗裝置1的內部結構的立體圖。在本實施形態的基板清洗裝置1中，為了明確位置關係，定義相互正交的X方向、Y方向及Z方向。在圖1及圖2以後的規定圖中，X方向、Y方向及Z方向適宜由箭頭表示。X方向及Y方向在水平面內相互正交，Z方向相當於上下方向（鉛垂方向）。

如圖1及圖2所示，基板清洗裝置1具有在單元框體2內收容有上側保持裝置10A、上側保持裝置10B、下側保持裝置20、台座裝置30、交接裝置40、下表面清洗裝置50、杯裝置60、上表面清洗裝置70、端部清洗裝置80及開閉裝置90的結構。在圖2中，單元框體2由虛線表示。

單元框體2具有長方體形形狀，包含矩形的底面部及從底面部的四邊向上方延伸的四個側壁部。四個側壁部中的兩個側壁部在Y方向上相互相向。四個側壁部中的其他兩個側壁部在X方向上相互相向。在四個側壁部中的一個側壁部中央形成有基板W的搬入搬出口2x。在搬入搬出口2x的附近設置有開閉裝置90。開閉裝置90包含擋板91，且構成為能夠通過擋板91將搬入搬出口2x打開/關閉。

在單元框體2的底面部設置有台座裝置30。台座裝置30包含線性引導件31及可動台座32。線性引導件31包含沿X方向排列的兩條軌道，且以橫穿X方向上的底面部的中央部分的方式沿Y方向延伸。台座裝置30構成為：能夠使可動台座32在線性引導件31的兩條軌道上移動至Y方向上的多個位置。

在可動台座32上，下側保持裝置20及下表面清洗裝置50以沿Y方向排列的方式設置。下側保持裝置20固定於可動台座32的上表面，且包含吸附保持部21。吸附保持部21是所謂的旋轉卡盤，且具有能夠對基板W的下表面進行吸附保持的圓形形狀的吸附面。另外，吸附保持部21構成為能夠繞沿上下方向延伸的軸（Z方向上的軸）旋轉。下側保持裝置20通過吸附保持部21對基板W下表面進行吸附保持，並且使經吸附保持的基板W繞沿上下方向延伸的軸旋轉。

在以下的說明中，在由吸附保持部21吸附保持基板W時，將基板W的下表面中的吸附保持部21的吸附面所吸附保持的區域稱為下表面中央區域。另外，將基板W的下表面中包圍下表面中央區域的區域稱為下表面外側區域。

在可動台座32上，在下側保持裝置20的附近設置有交接裝置40。交接裝置40具有多個（在本例中為三條）支撐銷41，所述支撐銷41以在俯視時包圍吸附保持部21且沿上下方向延伸的方式設置。多個支撐銷41設置成能夠在預先決定的多個高度位置之間升降。

如後所述，上側保持裝置10A、上側保持裝置10B構成為能夠在比下側保持裝置20更靠上方的位置對基板W進行保持。交接裝置40通過使多個支撐銷41升降，能夠接收由下側保持裝置20保持的基板W並傳遞至上側保持裝置10A、上側保持裝置10B。另外，交接裝置40能夠接收由上側保持裝置10A、上側保持裝置10B保持的基板W並傳遞至下側保持裝置20。

下表面清洗裝置50包含下表面刷51、兩個液噴嘴52、氣體噴出部53、升降旋轉支撐部54及未圖示的各種驅動部。升降旋轉支撐部54以在Y方向上與下側保持裝置20相鄰的方式固定於可動台座32的上表面。如圖1所示，下表面刷51具有能夠與基板W的下表面接觸的圓形形狀的清洗面。另外，下表面刷51安裝於升降旋轉支撐部54，以使清洗面朝向上方，且清洗面能夠繞穿過所述清洗面的中心且沿上下方向延伸的軸旋轉。下表面刷51的清洗面的面積比吸附保持部21的吸附面的面積大。此外，下表面刷51例如由聚乙烯醇（Polyvinyl Alcohol，PVA）海綿或分散有磨粒的PVA海綿形成。

升降旋轉支撐部54包含使下表面刷51升降的升降機構及使下表面刷51旋轉的刷驅動機構。升降旋轉支撐部54通過其升降機構，在基板W由下側保持裝置20或上側保持裝置10A、上側保持裝置10B保持的狀態下進行升降動作。由此，升降旋轉支撐部54使下表面刷51在與基板W的下表面接觸的高度位置（後述的第二高度位置及第三高度位置）和從基板W向下方分離一定距離的高度位置（後述的第一高度位置）之間移動。

另外，升降旋轉支撐部54通過其刷驅動機構而使下表面刷51旋轉。由此，通過在下表面刷51處於與基板W的下表面接觸的高度位置的狀態下旋轉，對基板W的下表面上的與下表面刷51接觸的部分進行清洗。

兩個液噴嘴52分別以位於下表面刷51的附近且液體噴射口朝向下表面刷51的清洗面的方式安裝於升降旋轉支撐部54。在液噴嘴52連接有未圖示的清洗液供給系統。在下表面刷51處於待機位置的狀態下，從各液噴嘴52朝向下表面刷51供給清洗液，下表面刷51旋轉。在此情況下，供給至下表面刷51的清洗液通過由下表面刷51旋轉而產生的離心力，在下表面刷51的表面或其內部順暢地流動。由此，在待機位置，附著於下表面刷51的污染物質被清洗液順暢地沖掉。另外，通過將清洗液浸入至下表面刷51，可抑制下表面刷51乾燥。

氣體噴出部53為具有沿一個方向延伸的氣體噴出口的狹縫狀的氣體噴射噴嘴。氣體噴出部53以在俯視時位於下表面刷51與吸附保持部21之間且氣體噴射口朝向上方的方式安裝於升降旋轉支撐部54。在氣體噴出部53連接有未圖示的噴出氣體供給系統。在本實施形態中，作為向氣體噴出部53供給的氣體而使用氮氣。氣體噴出部53在利用下表面刷51對基板W進行清洗時及後述的基板W的下表面乾燥時，將從噴出氣體供給系統供給的氣體噴射至基板W的下表面。由此，在下表面刷51與吸附保持部21之間形成沿X方向延伸的帶狀的氣體簾幕。

杯裝置60設置於單元框體2內的大致中央部，且包含杯61。杯61設置成在俯視時包圍下側保持裝置20及台座裝置30且能夠升降。在圖2中，杯61由虛線表示。杯61根據下表面刷51對基板W的下表面中的哪個部分進行清洗，在預先決定的下杯位置與上杯位置之間移動。下杯位置是杯61的上端部處於比由吸附保持部21吸附保持的基板W更靠下方的高度位置。另外，上杯位置是杯61的上端部處於比吸附保持部21更靠上方的高度位置。

上側保持裝置10A、上側保持裝置10B設置於比杯61更靠上方的高度位置。上側保持裝置10A、上側保持裝置10B在俯視時隔著台座裝置30而相向。上側保持裝置10A包含下卡盤11A及上卡盤12A。上側保持裝置10B包含下卡盤11B及上卡盤12B。

下卡盤11A、下卡盤11B關於在俯視時穿過吸附保持部21的中心且沿Y方向延伸的鉛垂面對稱地配置，且設置成能夠在共同的水平面內沿X方向移動。下卡盤11A、下卡盤11B分別具有能夠從基板W的下方對基板W的下表面外側區域進行支撐的兩條支撐片。上卡盤12A、上卡盤12B與下卡盤11A、下卡盤11B同樣地，關於在俯視時穿過吸附保持部21的中心且沿Y方向延伸的鉛垂面對稱地配置，且設置成能夠在共同的水平面內沿X方向移動。上卡盤12A、上卡盤12B分別具有構成為與基板W的外周端部的兩個部分抵接而能夠對基板W的外周端部進行保持的兩條保持片。

在上側保持裝置10A、上側保持裝置10B中，對下卡盤11A及上卡盤12A與下卡盤11B及上卡盤12B之間的距離進行調整。由此，上側保持裝置10A、上側保持裝置10B通過在下卡盤11A及上卡盤12A與下卡盤11B及上卡盤12B之間夾入基板W，能夠在下側保持裝置20的上方的位置對基板W進行保持。另外，在上側保持裝置10A、上側保持裝置10B中，通過使下卡盤11A及上卡盤12A與下卡盤11B及上卡盤12B相互遠離，能夠將所保持的基板W釋放。

如圖1所示，在X方向上的杯61的一側設置有上表面清洗裝置70。如圖2所示，上表面清洗裝置70包含旋轉支撐軸71、臂72及噴霧噴嘴73。旋轉支撐軸71設置成沿上下方向延伸且能夠升降且能夠旋轉。臂72以在比上側保持裝置10A、上側保持裝置10B更靠上方的位置，從旋轉支撐軸71的上端部沿水準方向延伸的方式設置。在臂72的前端部，安裝有噴霧噴嘴73。在噴霧噴嘴73連接有未圖示的流體供給系統。從未圖示的流體供給系統向噴霧噴嘴73供給清洗液及氣體。由此，在噴霧噴嘴73中清洗液與氣體混合，生成混合流體。所生成的混合流體從噴霧噴嘴73朝向下方噴射。

在上表面清洗裝置70中，例如在基板W由下側保持裝置20保持並旋轉狀態下，對旋轉支撐軸71的高度位置進行調整，且旋轉支撐軸71旋轉，以使噴霧噴嘴73在基板W的上方移動。在此狀態下，從噴霧噴嘴73向基板W噴射混合流體。由此，對基板W的上表面整體進行清洗。

如圖1所示，在X方向上的杯61的另一側設置有端部清洗裝置80。如圖2所示，端部清洗裝置80包含旋轉支撐軸81、臂82及斜面刷83。旋轉支撐軸81設置成沿上下方向延伸且能夠升降且能夠旋轉。臂82以在比上側保持裝置10A、上側保持裝置10B更靠上方的位置，從旋轉支撐軸81的上端部沿水準方向延伸的方式設置。在臂82的前端部，以朝向下方突出且能夠繞上下方向上的軸旋轉的方式設置有斜面刷83。

在端部清洗裝置80中，例如在基板W由下側保持裝置20保持並旋轉的狀態下，對旋轉支撐軸81的高度位置進行調整，且旋轉支撐軸81旋轉，以使斜面刷83與基板W的外周端部接觸。進而，設置於臂82的前端部的斜面刷83繞上下方向上的軸旋轉。由此，對基板W的外周端部整體進行清洗。

如圖1所示，基板清洗裝置1還包含控制部9。控制部9例如包含中央處理器（Central Processing Unit，CPU）及記憶體或微電腦。在記憶體中存儲有基板清洗程式。控制部9的CPU通過執行存儲於記憶體的基板清洗程式，對所述各構成元件（10A、10B、20、30、40、50、60、70、80、90）的動作進行控制。

2.基板清洗處理的基本的流程以下，對在所述基板清洗裝置1中由圖1的控制部9執行的基板清洗處理進行說明。圖3是表示利用圖1的控制部9進行的基板清洗處理的流程圖。

本實施形態的基板清洗乾燥處理是通過控制部9的CPU執行存儲裝置中所存儲的基板清洗程式來進行。在初始狀態下，設為台座裝置30以下側保持裝置20的吸附保持部21在俯視時位於杯61的中央的方式對可動台座32進行定位。

首先，控制部9通過對開閉裝置90進行控制而將搬入搬出口2x開放，並將從基板清洗裝置1的外部搬入的基板W接收至單元框體2內（步驟S1）。

接著，控制部9通過對交接裝置40進行控制，利用多個支撐銷41接收基板W，並將所接收的基板W傳遞至上側保持裝置10A、上側保持裝置10B（步驟S2）。此時，控制部9通過對上側保持裝置10A、上側保持裝置10B進行控制，在下側保持裝置20的上方的位置對基板W的外周端部進行保持（步驟S3）。此外，在從基板清洗裝置1的外部搬入的基板W能夠載置於下卡盤11A、下卡盤11B的情況下，也可省略步驟S2的處理。在步驟S1中開放的搬入搬出口2x在由交接裝置40接收到基板W後，由擋板91堵塞。

其後，控制部9通過對台座裝置30及下表面清洗裝置50進行控制，對基板W的下表面中央區域進行清洗（步驟S4）。在對基板W的下表面中央區域進行清洗時的基板清洗裝置1的各部的動作的詳情將在後面敘述。

在步驟S4的清洗時，利用浸入有清洗液的下表面刷51對基板W的下表面中央區域進行清洗。由此，清洗液附著於基板W的下表面中央區域。因此，控制部9進而對台座裝置30及下表面清洗裝置50進行控制，由此使基板W的下表面中央區域乾燥（步驟S5）。具體而言，控制部9在從氣體噴出部53朝向基板W的下表面噴射氣體的狀態（產生了氣體簾幕的狀態）下，通過對台座裝置30進行控制，使氣體噴出部53相對於基板W的下表面移動，以在俯視時通過下表面中央區域。由此，附著於基板W的下表面中央區域中的清洗液被氣體簾幕推出至從基板W的下表面中央區域脫離的位置，下表面中央區域乾燥。

接著，控制部9通過對交接裝置40進行控制，利用多個支撐銷41接收由上側保持裝置10A、上側保持裝置10B保持的基板W，並將所接收的基板W傳遞至下側保持裝置20（步驟S6）。

接著，控制部9通過對下側保持裝置20進行控制，由吸附保持部21對基板W的下表面中央區域進行吸附保持（步驟S7）。在步驟S6、步驟S7的處理中，以在俯視時基板W的中心位於吸附保持部21的中心的方式對台座裝置30進行定位。由此，基板W在所述基板W的中心位於吸附保持部21的旋轉中心（旋轉軸）上的狀態下，由吸附保持部21進行吸附保持。

進而，控制部9通過對下側保持裝置20、台座裝置30、下表面清洗裝置50、上表面清洗裝置70、端部清洗裝置80及乾燥裝置100進行控制，對基板W的上表面整體、外周端部及下表面外側區域進行清洗（步驟S8）。在對基板W的下表面外側區域進行清洗時的基板清洗裝置1的各部的動作的詳情將在後面敘述。

在對基板W的上表面整體、外周端部及下表面外側區域的清洗結束後，控制部9通過對下側保持裝置20進行控制，使基板W以高速旋轉，使基板W的整體乾燥（步驟S9）。使基板W以高速旋轉並使基板W的整體乾燥的乾燥方法稱為旋轉乾燥。

最後，控制部9通過對開閉裝置90進行控制，將搬入搬出口2x開放。由此，將基板W搬送至基板清洗裝置1的外部（步驟S10），基板清洗處理結束。在步驟S10中開放的搬入搬出口2x在將基板W搬出後由擋板91堵塞。

此外，控制部9通過在所述一系列處理中的步驟S8、步驟S9的處理中，對杯裝置60進控制，將杯61保持於上杯位置。由此，在對基板W的上表面整體、外周端部及下表面外側區域進行清洗時、及基板W的旋轉乾燥時從基板W飛散的液滴由杯61接住，並排出至基板清洗裝置1的外部。另外，控制部9通過在所述一系列處理中的除步驟S8、步驟S9以外的處理（步驟S1～步驟S7、步驟S10）的期間，對杯裝置60進行控制，將杯61保持於下杯位置。

3.對基板W的下表面上定義的多個區域為了說明對基板W的下表面中央區域及下表面外側區域進行清洗時的基板清洗裝置1的各部的動作的詳情，首先，說明對基板W的下表面上定義的多個區域。這些多個區域除了所述下表面中央區域及下表面外側區域以外，還包含接觸區域、分離區域及間隙區域。

圖4是用於說明對本實施形態的基板W定義的下表面中央區域的基板W的仰視圖。如上所述，下表面中央區域R1是基板W的下表面中的吸附保持部21的吸附面所吸附的區域。因此，下表面中央區域R1如圖4中由陰影線所示，具有與吸附保持部21的吸附面相同的圓形形狀。下表面中央區域R1的中心與基板W的中心WC一致或大致一致。另外，下表面中央區域R1的面積比下表面刷51的清洗面的面積小。在圖4中，下表面刷51的中心與基板W的中心WC對位時的下表面刷51的外周圓和下表面中央區域R1一起由單點劃線表示。此外，本實施形態的基板W例如具有300 mm的直徑。另外，下表面刷51具有108 mm左右的直徑。吸附保持部21的直徑比108 mm小。

圖5是用於說明對本實施形態的基板W定義的下表面外側區域的基板W的仰視圖。如圖5中由陰影線所示，下表面外側區域R2具有包含基板W的外周端部且包圍下表面中央區域R1的圓環形狀。在圖5中，圖4的下表面中央區域R1的外形與下表面外側區域R2一起由虛線表示。進而，下表面刷51的中心與基板W的中心WC對位時的下表面刷51的清洗面的外周圓由單點劃線表示。在本例中，下表面外側區域R2的內徑比下表面刷51的清洗面的外徑小。並不限於此，下表面外側區域R2的內徑與下表面刷51的清洗面的外徑也可一致。

圖6是用於說明對本實施形態的基板W定義的接觸區域及分離區域的基板W的仰視圖。本實施形態的接觸區域是指在對基板W的下表面中央區域R1進行清洗的情況下，使處於和基板W分離的狀態的下表面刷51與基板W的下表面接觸時的基板W的下表面上的位置。另外，本實施形態的分離區域是指在對基板W的下表面中央區域R1進行清洗的情況下，使相對於基板W處於接觸狀態的下表面刷51與基板W的下表面分離時的基板W的下表面上的位置。

如圖6中由陰影線所示，本實施形態的接觸區域R3及分離區域R4定義於基板W的下表面中的共同的位置，並且具有與下表面刷51的清洗面相同的圓形形狀。另外，接觸區域R3及分離區域R4位於基板W的外周端部與所述下表面中央區域R1之間。換言之，本實施形態的接觸區域R3及分離區域R4不與基板W的下表面中的下表面中央區域R1重疊。在圖6中，圖4的下表面中央區域R1的外周圓與接觸區域R3及分離區域R4一起由虛線表示。另外，在圖6中，圖5的下表面外側區域R2的內周圓由雙點劃線表示。

圖7是用於說明對本實施形態的基板W定義的間隙區域的基板W的仰視圖。如圖7中由點圖案所示，本實施形態的間隙區域R5是位於基板W的外周端部的一部分與圖6的接觸區域R3及分離區域R4之間的區域。在圖7中，圖6的接觸區域R3及分離區域R4的外周圓與間隙區域R5一起由虛線表示。

4.基板W的下表面清洗時的基板清洗裝置1的各部的動作的詳情圖8～圖10是用於對基板W的下表面清洗時的基板清洗裝置1的各部的動作的詳情進行說明的圖。所謂此處所述的基板W的下表面清洗時，是指從圖3的步驟S4的開始時間點至步驟S9的結束為止的期間。圖8～圖10各者中以從左至右按時序順序排列的方式表示基板W的下表面清洗時的多個時間點的基板清洗裝置1的一部分（主要是下側保持裝置20、台座裝置30及下表面清洗裝置50）的動作狀態。另外，在圖8～圖10中，各時間點的基板清洗裝置1的動作狀態由示意性平面圖及示意性側面圖表示。圖8～圖10所示的示意性側面圖相當於圖1的A-A線的示意性側面圖。進而，在圖8～圖10中，各時間點的基板W的下表面的清洗狀態由基板W的仰視圖表示。

圖11是表示圖8～圖10所示的基板W的下表面清洗時的圖1的下表面刷51的旋轉速度的變化的時序圖。圖11的時序圖由圖表表示。在圖11的圖表中，縱軸表示下表面刷51的旋轉速度，橫軸表示時間。圖12是表示圖8～圖10所示的基板W的下表面清洗時的基板W的旋轉速度的變化的時序圖。圖12的時序圖由圖表表示。在圖12的圖表中，縱軸表示基板W的旋轉速度，橫軸表示時間。

此處，在基板清洗裝置1中的基板W的下表面清洗時，台座裝置30的可動台座32在Y方向上在線性引導件31上預先決定的第一水準位置P1、第二水準位置P2與第三水準位置P3之間移動。在圖8～圖12的示意性側面圖中，標注了符號P1的點表示可動台座32處於第一水準位置P1時的可動台座32的中心部的位置。另外，標注了符號P2的點表示可動台座32處於第二水準位置P2時的可動台座32的中心部的位置。進而，標注了符號P3的點表示可動台座32處於第三水準位置P3時的可動台座32的中心部的位置。

另外，在基板清洗裝置1中的基板W的下表面清洗時，下表面刷51在Z方向（上下方向）上，在可動台座32上預先決定的第一高度位置、第二高度位置與第三高度位置之間移動。第一高度位置是能夠通過升降旋轉支撐部54升降的範圍中下表面刷51處於最低位置時的下表面刷51的高度位置。第二高度位置是比第一高度位置高、下表面刷51的清洗面與由上側保持裝置10A、上側保持裝置10B保持的基板W的下表面接觸時的下表面刷51的高度位置。第三高度位置是比第一高度位置高、比第二高度位置低、下表面刷51的清洗面與由下側保持裝置20吸附保持的基板W的下表面接觸時的下表面刷51的高度位置。

以下，使用圖8～圖12對基板W的下表面清洗時的台座裝置30及下表面清洗裝置50的動作的詳情進行說明。如圖8的左部分所示，在開始基板W的下表面清洗的時間點t1，基板W由上側保持裝置10A、上側保持裝置10B以水準姿勢保持，並固定於基板清洗裝置1內。在此狀態下，台座裝置30的可動台座32處於第一水準位置P1。此時，吸附保持部21的旋轉中心（旋轉軸）位於穿過基板W的中心WC的鉛垂軸上。另外，在俯視時，下表面刷51的清洗面的大部分（一部分）與基板W重疊，下表面刷51的清洗面的微小部分（剩下的其他部分）位於基板W的外周端部的外側。在基板W的半徑方向上，下表面刷51的清洗面相對於基板W的下表面的露出量的最大值例如為7 mm（參照圖8的左部分上段的符號d1）。

進而，在時間點t1，在基板W的下方，下表面刷51保持於第一高度位置。由此，下表面刷51與基板W分離規定距離。另外，下表面刷51以預先決定的第一旋轉速度bv1旋轉（參照圖11），從液噴嘴52向下表面刷51供給清洗液。第一旋轉速度bv1設定為供給至下表面刷51的清洗液不會飛散至下表面刷51的周圍的程度（例如60 rpm以上且130 rpm以下），在本實施形態中為60 rpm。此外，從時間點t1至後述的時間點t8，吸附保持部21的旋轉停止（參照圖12）。

當基板W的下表面清洗開始時，為了對基板W的下表面中央區域進行清洗，從時間點t1至時間點t2，可動台座32從第一水準位置P1朝向第二水準位置P2移動。如圖8的中央部分所示，在時間點t2可動台座32處於第二水準位置P2的狀態下，吸附保持部21的旋轉中心（旋轉軸）偏離穿過基板W的中心WC的鉛垂軸。另外，在俯視時，下表面刷51的清洗面的整體與基板W重疊。此時，在基板W的半徑方向上，在下表面刷51的外周端部與基板W的外周端部之間形成有間隙。下表面刷51的外周端部與基板W的外周端部之間的間隙的大小的最小值例如為3 mm（參照圖8的中央部分上段的符號d2）。在可動台座32處於第二水準位置P2的狀態下，在上下方向上與下表面刷51的清洗面相向的基板W的下表面上的區域成為圖6的接觸區域R3。

接著，在時間點t2，停止從液噴嘴52向下表面刷51供給清洗液。另外，從時間點t2起，通過升降旋轉支撐部54使下表面刷51朝向基板W的下表面上升。由此，如圖8的右部分所示，通過在時間點t3下表面刷51到達第二高度位置，下表面刷51與基板W的下表面的接觸區域R3接觸。此處，如圖11所示，下表面刷51的旋轉速度從時間點t2至時間點t3，隨著下表面刷51的上升而從第一旋轉速度bv1上升至預先決定的第二旋轉速度bv2。第二旋轉速度bv2設定於比第一旋轉速度bv1高的規定的速度範圍（例如100 rpm以上且200 rpm以下）內，在本實施形態中為150 rpm。

如上所述，浸入有清洗液的下表面刷51與基板W的下表面接觸，通過所述下表面刷51旋轉，對基板W的下表面上的下表面刷51的接觸部分（接觸區域R3）進行清洗。在圖8的右部分下段的基板W的仰視圖中，利用下表面刷51進行的清洗部位由陰影線表示。此時，在俯視時，下表面刷51不與基板W的外周端部和接觸區域R3之間的間隙區域R5接觸。由此，可抑制在接觸區域R3被下表面刷51去除的污染物質越過間隙區域R5而從基板W的外周端部蔓延至基板W的上表面側。因此，可抑制基板W的外周端部及基板W的上表面的清潔度的降低。

接著，在下表面刷51與基板W的下表面接觸的狀態下，從時間點t3至時間點t4，可動台座32從第二水準位置P2朝向第三水準位置P3沿Y方向移動。此時，下表面刷51的旋轉速度維持於第二旋轉速度bv2。由此，如圖9的左部分下段的基板W的仰視圖中由陰影線表示，通過下表面刷51對基板W的下表面中的包含下表面中央區域R1的一部分區域進行清洗。

進而，其後，在下表面刷51與基板W的下表面接觸的狀態下，從時間點t4至時間點t5，可動台座32從第三水準位置P3朝向第二水準位置P2沿Y方向移動。由此，如圖9的中央部分所示，下表面刷51到達基板W的下表面上的分離區域R4。此處，在從時間點t3至時間點t5的期間，從氣體噴出部53朝向基板W的下表面噴射氣體，形成氣體簾幕。由此，即使在下表面刷51所含的清洗液附著於基板W的下表面的情況下，也可抑制這些清洗液殘留於下表面中央區域R1。

在時間點t5，在俯視時下表面刷51不與基板W的外周端部與分離區域R4之間的間隙區域R5接觸。由此，可抑制在間隙區域R5被下表面刷51去除的污染物質越過間隙區域R5而從基板W的外周端部蔓延至基板W的上表面側。因此，可抑制基板W的外周端部及基板W的上表面的清潔度的降低。

接著，從時間點t5至時間點t6，下表面刷51以遠離基板W的方式下降。由此，下表面刷51與基板W的分離區域R4分離，如圖9的右部分所示，在時間點t6下表面刷51到達第一高度位置。此處，如圖11所示，下表面刷51的旋轉速度從時間點t5至時間點t6，隨著下表面刷51的下降而從第二旋轉速度bv2下降至第一旋轉速度bv1。另外，在時間點t6，再次開始從液噴嘴52向下表面刷51供給清洗液。由此，附著於下表面刷51的污染物質被所供給的清洗液沖掉。

接著，從時間點t6至時間點t7，可動台座32從第二水準位置P2朝向第一水準位置P1移動。由此，如圖10的左部分所示，下表面刷51返回至基板W的下表面清洗開始時即時間點t1的狀態（參照圖8的左部分）。

繼而，從時間點t6至時間點t7，基板W通過圖1的交接裝置40從上側保持裝置10A、上側保持裝置10B傳遞至下側保持裝置20。由此，如圖10的中央部分所示，在時間點t8，在台座裝置30的可動台座32處於第一水準位置P1的狀態下，基板W的下表面中央區域R1由下側保持裝置20的吸附保持部21吸附保持。

其後，停止從液噴嘴52向下表面刷51供給清洗液，如圖12所示，開始利用下側保持裝置20進行基板W的旋轉。通過下側保持裝置20旋轉的基板W的旋轉速度wv1例如設定為200 rpm以上且500 rpm以下，在本實施形態中為500 rpm。另外，從未圖示的背面沖洗噴嘴朝向通過下側保持裝置20旋轉的基板W的下表面供給清洗液。

接著，下表面刷51朝向基板W的下表面上升。由此，如圖10的右部分所示，通過在時間點t9下表面刷51到達第三高度位置，下表面刷51與旋轉的基板W的下表面外側區域R2接觸。

從時間點t9至經過一定期間後的時間點t10，在維持基板W的旋轉的同時維持下表面刷51與基板W的下表面外側區域R2接觸的狀態。由此，對基板W的下表面外側區域R2進行清洗。在圖10的右部分下段的基板W的仰視圖中，利用下表面刷51進行的清洗部位由陰影線表示。

在從時間點t9至時間點t10的期間，對旋轉的基板W進一步利用圖1的上表面清洗裝置70進行所述基板W的上表面的清洗。另外，對旋轉的基板W進一步利用圖1的端部清洗裝置80對所述基板W的外周端部的清洗。由此，在對基板W的下表面外側區域R2進行清洗時，不會產生污染物質從基板W的外周端部向基板W的上表面蔓延。省略關於基板W的上表面及外周端部的清洗的詳細的說明。

其後，從時間點t10至時間點t11，通過升降旋轉支撐部54使下表面刷51以遠離基板W的方式下降。另外，在規定期間內，維持基板W的旋轉速度wv1。由此，將基板W旋轉乾燥。最後，如圖12所示，在時間點t12，基板W的旋轉停止，基板W的下表面清洗完成。

5.實施形態的效果（a）在處於和基板W的下表面分離的狀態的下表面刷51與基板W的下表面的一部分區域接觸的情況下，在基板W的下表面的所述一部分區域容易殘留因下表面刷51的接觸而引起的污染物質。此時的污染物質的殘留程度在下表面刷51與基板W的下表面的一部分區域接觸時的下表面刷51與基板W之間的相對速度差大的情況下變低。

另外，在處於與基板W的下表面的一部分區域接觸的狀態的下表面刷51和基板W的下表面分離的情況下，在基板W的下表面的所述一部分區域容易殘留因下表面刷51的分離而引起的污染物質。此時的污染物質的殘留程度在下表面刷51和基板W的下表面的一部分區域分離時的下表面刷51與基板W之間的相對速度差大的情況下變低。

在所述基板清洗裝置1中，在對基板W的下表面中央區域R1進行清洗時，下表面刷51配置於第二高度位置。通過與基板W的下表面接觸的下表面刷51旋轉，將附著於基板W上的污染物質去除。另一方面，在不對基板W的下表面進行清洗的情況下，下表面刷51配置於第一高度位置。在第一高度位置，下表面刷51以第一旋轉速度bv1旋轉。此時，若下表面刷51的旋轉速度過高，則附著於下表面刷51的污染物質或液滴等飛散至下表面刷51的周邊，使基板清洗裝置1內部的清潔度降低。因此，第一旋轉速度bv1設定為至少比對基板W的下表面中央區域R1進行清洗時的第二旋轉速度bv2低。

根據所述結構，在為了對下表面中央區域R1進行清洗而下表面刷51與基板W接觸的時間點（圖11的時間點t3），下表面刷51以比第一旋轉速度bv1高的第二旋轉速度bv2旋轉。另外，在對下表面中央區域R1進行清洗後下表面刷51與基板W分離的時間點（圖11的時間點t5），下表面刷51以比第一旋轉速度bv1高的第二旋轉速度bv2旋轉。由此，和在下表面刷51與基板W接觸的時間點及和基板W分離的時間點下表面刷51以第一旋轉速度bv1旋轉或者不旋轉的情況相比，清洗後的基板W的下表面的清潔度提高。

此外，在對基板W的下表面外側區域R2進行清洗時，基板W在由吸附保持部21吸附保持的狀態下以比較高的旋轉速度（例如500 rpm）旋轉。因此，即使在下表面刷51的旋轉速度維持於第一旋轉速度bv1的情況下，在下表面刷51與基板W之間也會產生比較高的旋轉速度差。因此，可抑制在下表面刷51與基板W接觸時及和基板W分離時，在基板W的下表面殘留因所述接觸及分離而引起的污染物質。

（b）因下表面刷51的接觸而引起的污染物質的殘留程度在下表面刷51與基板W接觸時的下表面刷51和基板W之間的相對速度差比特定的相對速度差大的情況下顯著降低。另外，因下表面刷51的分離而引起的污染物質的殘留程度也與因下表面刷51的接觸而引起的污染物質的殘留程度同樣地，在下表面刷51和基板W分離時的下表面刷51與基板W之間的相對速度差比特定的相對速度差大的情況下顯著降低。進而，所述特定的相對速度差比對基板W的下表面中央區域R1進行清洗時的第二旋轉速度bv2低。

根據所述基板清洗裝置1，在下表面刷51與基板W接觸的時間點及與基板W分離的時間點，下表面刷51以第二旋轉速度bv2旋轉。由此，與下表面刷51以第一旋轉速度bv1旋轉或者不旋轉情況相比，清洗後的基板W的下表面的清潔度進一步提高。

此外，所述特定的相對速度差也可根據基板W與下表面刷51的組合等，通過實驗或模擬求出。在此情況下，通過將下表面刷51相對於基板W的接觸時間點及分離時間點的下表面刷51的旋轉速度設定得比所求出的特定的相對速度差大，可提高清洗後的基板W的下表面的清潔度。

（c）在所述實施形態中，為了對基板W的下表面中央區域R1進行清洗，處於第一高度位置的下表面刷51上升至第二高度位置。此時，下表面刷51的旋轉速度隨著下表面刷51的上升而從第一旋轉速度bv1上升至第二旋轉速度bv2（圖11的時間點t2～時間點t3）。

在此情況下，下表面刷51的上升與下表面刷51的旋轉速度的調整並行地進行，因此可抑制由對下表面刷51的旋轉速度進行調整而引起的基板W的清洗效率的降低。

此外，下表面刷51的旋轉速度只要在下表面刷51到達第二高度位置時為第二旋轉速度bv2即可。因此，下表面刷51的旋轉速度不限於圖11的例子，可從時間點t2至時間點t3階段性上升，也可在使加速度變化的同時連續地上升。

（d）在所述實施形態中，在對基板W的下表面中央區域R1進行清洗後，處於第二高度位置的下表面刷51下降至第一高度位置。此時，下表面刷51的旋轉速度隨著下表面刷51的下降而從第二旋轉速度bv2下降至第一旋轉速度bv1（圖11的時間點t5～時間點t6）。

在此情況下，下表面刷51的下降與下表面刷51的旋轉速度的調整並行地進行，因此可抑制由對下表面刷51的旋轉速度進行調整而引起的基板W的清洗效率的降低。

此外，下表面刷51的旋轉速度只要在下表面刷51從第二高度位置開始下降時為第二旋轉速度bv2即可。因此，下表面刷51的旋轉速度不限於圖11的例子，可從時間點t5至時間點t6階段性地下降，也可在使加速度變化的同時連續地下降。

（e）在處於和基板W的下表面分離的狀態的下表面刷51與基板W的下表面的一部分區域接觸的情況下，在所述一部分區域容易殘留因下表面刷51的接觸而引起的污染物質。另外，在處於與基板接觸的狀態的清洗用具和基板的下表面的一部分區域分離的情況下，在所述一部分區域容易殘留因下表面刷51的分離而引起的污染物質。

在以下的說明中，如圖11及圖12所示，將下表面刷51與基板W的下表面接觸的期間稱為接觸期間。

在所述基板清洗裝置1中，在下表面刷51與基板W的下表面接觸的接觸期間中的至少一部分期間，下表面刷51與基板W的下表面中央區域R1接觸。由此，對基板W的下表面中央區域R1進行清洗。另外，接觸區域R3及分離區域R4不與基板W的下表面中央區域R1重疊。由此，與接觸區域R3及分離區域R4和下表面中央區域R1重疊的情況相比，在清洗後的基板W的下表面中央區域R1不易殘留污染物質。因此，清洗後的基板W的下表面中央區域R1的清潔度提高。

（f）在所述基板清洗裝置1中，在對基板W的下表面中央區域R1進行清洗後，在由下側保持裝置20吸附保持下表面中央區域R1的同時對基板W的下表面外側區域R2進行清洗。此處，接觸區域R3及分離區域R4的大部分與下表面外側區域R2重疊。由此，在對基板W的下表面中央區域R1進行清洗後，即使在接觸區域R3及分離區域R4殘留有污染物質的情況下，所述污染物質也在對基板W的下表面外側區域R2進行清洗時被去除。因此，對基板W的下表面中央區域R1及下表面外側區域R2進行清洗後的基板W的下表面整體的清潔度提高。

另外，根據所述結構，在對基板W的下表面外側區域R2進行清洗時下表面中央區域R1具有高清潔度，因此即使在依次對多個基板W進行清洗的情況下，也可抑制經由吸附保持部21的多個基板W間產生交叉污染。

6.關於因下表面刷51的接觸及分離而引起的污染的試驗本發明者等人為了確認在所述基板清洗裝置1中，通過接觸區域R3及分離區域R4不與基板W的下表面中央區域R1重疊，清洗後的基板W的清潔度提高多少，進行了以下試驗。

首先，本發明者等人準備了按照所述圖8～圖12的例子的下表面清洗後的基板W作為實施例的清洗後基板。另外，本發明者等人準備了除了以與下表面中央區域R1重疊的方式設定接觸區域R3及間隙區域R5這一點以外以與圖8～圖12的例子相同的順序進行了下表面清洗的清洗後的基板W，作為比較例的清洗後基板。

具體而言，在對比較例的基板W的下表面中央區域R1進行清洗時，在可動台座32保持於第三水準位置P3的狀態下，通過使下表面刷51從第一高度位置上升至第二高度位置，使下表面刷51的清洗面與基板W的接觸區域R3（下表面中央區域R1）接觸。另外，在可動台座32保持於第三水準位置P3的狀態下，通過使下表面刷51從第二高度位置下降至第一高度位置，使下表面刷51的清洗面與基板W的分離區域R4（下表面中央區域R1）分離。

進而，本發明者等人通過粒子計數器對如上所述準備的實施例及比較例的清洗後基板的各個下表面確認了污染狀態。圖13是實施例的清洗後基板的下表面的污染分佈圖，圖14是比較例的清洗後基板的下表面的污染分佈圖。在圖13及圖14中，附著於實施例及比較例的清洗後基板的下表面的污染物質的分佈由多個黑點表示。

如圖13及圖14所示，附著於實施例的清洗後基板的下表面的污染物質的量比附著於比較例的清洗後基板的下表面的污染物質的量少。另外，在實施例的清洗後基板的下表面，在下表面中央區域R1的外周部及其附近周邊發現由吸附保持部21產生的卡盤痕，但附著於其他區域的污染物質的量比較少。

另一方面，在比較例的清洗後基板的下表面，在下表面中央區域R1的外周部及其附近周邊，與由吸附保持部21產生的卡盤痕一起附著有很多污染物質。另外，附著於其他區域的污染物質的量也比較多。

這些結果明確，通過設定為接觸區域R3及分離區域R4不與基板W的下表面中央區域R1重疊，因下表面刷51的接觸或分離而引起的污染物質不易殘留於下表面中央區域R1。

7.另一實施形態（a）在所述實施形態的基板清洗裝置1中，決定為接觸區域R3及分離區域R4均不與下表面中央區域R1重疊，但本發明並不限定於此。接觸區域R3及分離區域R4中的任一者也可與下表面中央區域R1重疊。或者，接觸區域R3及分離區域R4此兩者也可與下表面中央區域R1重疊。

（b）在所述實施形態的基板清洗裝置1中，在為了對下表面中央區域R1進行清洗而下表面刷51與基板W接觸的時間點（圖11的時間點t3），下表面刷51以第二旋轉速度bv2旋轉。所述實施形態的第二旋轉速度bv2是對基板W的下表面中央區域R1進行清洗時的下表面刷51的旋轉速度。然而，本發明並不限定於此。

與為了對下表面中央區域R1進行清洗而下表面刷51與基板W接觸的時間點（圖11的時間點t3）對應的第二旋轉速度bv2設定為比下表面刷51與下表面中央區域R1接觸來對下表面中央區域R1進行清洗時的旋轉速度（以下，稱為第三旋轉速度）高。此處，第三旋轉速度例如是在下表面刷51與下表面中央區域R1接觸的狀態下能夠適當地對所述下表面中央區域R1進行清洗的速度。

另外，在所述實施形態的基板清洗裝置1中，在對下表面中央區域R1進行清洗後下表面刷51與基板W分離的時間點（圖11的時間點t5），下表面刷51以第二旋轉速度bv2旋轉。所述實施形態的第二旋轉速度bv2是對基板W的下表面中央區域R1進行清洗時的下表面刷51的旋轉速度。然而，本發明並不限定於此。

與對下表面中央區域R1進行清洗後下表面刷51與基板W分離的時間點（圖11的時間點t5）對應的第二旋轉速度bv2可設定為比下表面刷51與下表面中央區域R1接觸來對下表面中央區域R1進行清洗時的旋轉速度（稱為第三旋轉速度）高。

另外，在對下表面中央區域R1進行清洗後下表面刷51與基板W分離的時間點（圖11的時間點t5）的旋轉速度也可與為了對下表面中央區域R1進行清洗而下表面刷51與基板W接觸的時間點（圖11的時間點t3）的旋轉速度不同。

如上所述，對與下表面刷51相對於基板W的接觸時間點及分離時間點對應的下表面刷51的第二旋轉速度bv2設定為比第三旋轉速度高的例子進行說明。圖15是用於對另一實施形態的下表面刷51的旋轉控制進行說明的時序圖。圖15的時序圖對應於圖11的時序圖，表示對基板W的下表面進行清洗時的圖1的下表面刷51的旋轉速度的變化。在圖15的時序圖中，對與圖11的時序圖的不同點進行說明。

如圖15所示，在本例中，為了對下表面中央區域R1進行清洗而下表面刷51與基板W接觸的時間點（圖11的時間點t3）及清洗下表面中央區域R1後下表面刷51與基板W分離的時間點（圖11的時間點t5）的下表面刷51的第二旋轉速度bv2設定為比第一旋轉速度bv1及第三旋轉速度bv3高。例如，在第三旋轉速度bv3為150 rpm的情況下，第二旋轉速度bv2例如設定為200 rpm以上且250 rpm以下。

如上所述，因下表面刷51的接觸及分離而引起的污染物質的殘留程度在下表面刷51與基板W之間的相對速度差大的情況下變低。因此，根據圖15的例子，因下表面刷51的接觸及分離而引起的污染物質的殘留程度變得更低。

（c）在所述實施形態的基板清洗裝置1中，在為了對下表面中央區域R1進行清洗而下表面刷51與基板W接觸的時間點（圖11的時間點t3）與對下表面中央區域R1進行清洗後下表面刷51與基板W分離的時間點（圖11的時間點t5）此兩個時間點，下表面刷51以第二旋轉速度bv2旋轉。本發明並不限定於此。在下表面刷51與基板W接觸的時間點（圖11的時間點t3）及下表面刷51與基板W分離的時間點（圖11的時間點t5）中的一個時間點，下表面刷51也可以比第二旋轉速度bv2低的旋轉速度旋轉。

（d）在所述實施形態的基板清洗裝置1中，在基板W上決定有間隙區域R5。由此，在對由上側保持裝置10A、上側保持裝置10B保持的基板W的下表面中央區域R1進行清洗時，下表面刷51不與基板W的外周端部接觸。然而，本發明並不限定於此。在基板W上也可不設定間隙區域R5。

（e）在所述實施形態的基板清洗裝置1中，基板W的下表面中央區域R1及下表面外側區域R2均通過下表面清洗裝置50進行清洗，但本發明並不限定於此。也可各別地設置用於對基板W的下表面中央區域R1進行清洗的結構及用於對基板W的下表面外側區域R2進行清洗的結構。

8.技術方案的各構成元件與實施形態的各部的對應關係以下，對技術方案的各構成元件與實施形態的各元件的對應的例子進行說明，但本發明並不限定於下述例子。作為技術方案的各構成元件，也可使用具有技術方案中所記載的結構或功能的其他各種元件。

在所述實施形態中，上側保持裝置10A、上側保持裝置10B為第一基板保持部的例子，下表面刷51為清洗用具的例子，升降旋轉支撐部54為清洗用具旋轉驅動部的例子，第二高度位置為接觸位置的例子，第一高度位置為分離位置的例子，台座裝置30及升降旋轉支撐部54為清洗用具移動部的例子，第一旋轉速度bv1為第一旋轉速度的例子，第二旋轉速度bv2為第二旋轉速度的例子，第三旋轉速度bv3為第三旋轉速度的例子。

另外，圖8～圖12所示的基板W的下表面清洗時的時間點t3為第一時間點的例子，圖8～圖12所示的基板W的下表面清洗時的時間點t5為第二時間點的例子，基板清洗裝置1為基板清洗裝置的例子，下表面中央區域R1為下表面中央區域的例子，下側保持裝置20為第二基板保持部的例子，下表面外側區域R2為下表面外側區域的例子。

9.實施形態的總結（第一項）第一項的基板清洗裝置包括：第一基板保持部，對基板的外周端部進行保持；清洗用具，與所述基板的下表面接觸來對所述基板的下表面進行清洗；清洗用具旋轉驅動部，使所述清洗用具繞上下方向上的軸旋轉；以及清洗用具移動部，使通過所述清洗用具旋轉驅動部旋轉的所述清洗用具在接觸位置與分離位置之間移動，所述接觸位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面接觸的位置，所述分離位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面分離一定距離的位置；所述清洗用具旋轉驅動部在所述清洗用具處於所述分離位置時，使所述清洗用具以第一旋轉速度旋轉，當將在所述清洗用具從所述分離位置向所述接觸位置移動的情況下處於和所述基板的下表面分離的狀態的所述清洗用具與所述基板的下表面接觸的時間點設為第一時間點、將在所述清洗用具從所述接觸位置向所述分離位置移動的情況下處於與所述基板的下表面接觸的狀態的所述清洗用具和所述基板的下表面分離的時間點設為第二時間點時，在所述第一時間點及所述第二時間點中的至少一個時間點，使所述清洗用具以比所述第一旋轉速度高的第二旋轉速度旋轉。

在處於與基板的下表面分離的狀態的清洗用具與基板的下表面的一部分區域接觸的情況下，在基板的下表面的所述一部分區域容易殘留因清洗用具的接觸而引起的污染物質。此時的污染物質的殘留程度在清洗用具與基板下表面的一部分區域接觸時的清洗用具和基板之間的相對速度差大的情況下變低。

另外，在處於與基板的下表面的一部分區域接觸的狀態的清洗用具和基板的下表面分離的情況下，在基板的下表面的所述一部分區域容易殘留因清洗用具的分離而引起的污染物質。此時的污染物質的殘留程度在清洗用具和基板的下表面的一部分區域分離時的清洗用具與基板之間的相對速度差大的情況下變低。

在所述基板清洗裝置中，在對基板的下表面進行清洗時，清洗用具配置於接觸位置。通過與基板的下表面接觸的清洗用具旋轉，將附著於基板上的污染物質去除。另一方面，在不對基板的下表面進行清洗的情況下，清洗用具配置於分離位置。在分離位置，清洗用具以第一旋轉速度旋轉。此時，若清洗用具的旋轉速度過高，則附著於清洗用具的污染物質或液滴等飛散至清洗用具的周邊，使基板清洗裝置內部的清潔度降低。因此，第一旋轉速度設定為至少比對基板進行清洗時的旋轉速度低。

根據所述結構，在第一時間點及第二時間點中的至少一個時間點，清洗用具以比第一旋轉速度高的旋轉速度旋轉。由此，與在第一時間點及第二時間點此兩個時間點清洗用具以第一旋轉速度旋轉或者不旋轉的情況相比，清洗後的基板的下表面的清潔度提高。

（第二項）根據第一項所述的基板清洗裝置，其中，也可為：在所述清洗用具處於所述分離位置時，向所述清洗用具供給清洗液，所述第一旋轉速度是供給至所述清洗用具的清洗液不會飛散的程度的旋轉速度。

在此情況下，在分離位置供給至清洗用具的清洗液通過由清洗用具以第一旋轉速度旋轉而產生的離心力，在清洗用具的表面或其內部順暢地流動。因此，在分離位置附著於清洗用具的污染物質被清洗液順暢地沖掉。另外，第一旋轉速度設定為供給至清洗用具的清洗液不會飛散的程度，因此可抑制因分離位置處的清洗用具的旋轉而基板清洗裝置內部的清潔度降低。

（第三項）根據第一項或第二項所述的基板清洗裝置，其中，也可為：所述清洗用具旋轉驅動部在所述清洗用具處於所述接觸位置且所述清洗用具與所述基板的下表面接觸的狀態下，使所述清洗用具以比所述第一旋轉速度高的第三旋轉速度旋轉，所述第二旋轉速度是所述第三旋轉速度以上的旋轉速度。

因清洗用具的接觸而引起的污染物質的殘留程度在清洗用具與基板接觸時的清洗用具與基板之間的相對速度差比特定的相對速度差大的情況下顯著降低。另外，因清洗用具的分離而引起的污染物質的殘留程度也與因清洗用具的接觸而引起的污染物質殘留程度同樣地，在清洗用具與基板分離時的清洗用具與基板之間的相對速度差比特定的相對速度差大的情況下顯著降低。進而，所述特定的相對速度差比對基板的下表面進行清洗時的第三旋轉速度低。

根據所述基板清洗裝置，在第一時間點及第二時間點中的至少一個時間點，清洗用具以第三旋轉速度以上的旋轉速度旋轉。由此，與在第一時間點及第二時間點此兩個時間點清洗用具以第一旋轉速度旋轉或者不旋轉的情況相比，清洗後的基板的下表面的清潔度進一步提高。

（第四項）根據第一項至第三項中任一項所述的基板清洗裝置，其中，也可為：所述清洗用具旋轉驅動部在所述第一時間點之前且所述清洗用具從所述分離位置移動直至到達所述接觸位置為止的期間，使所述清洗用具的旋轉速度從所述第一旋轉速度上升至所述第二旋轉速度。

在此情況下，可在第一時間點將清洗用具的旋轉速度設為第二旋轉速度。另外，清洗用具的移動與清洗用具的旋轉速度的調整並行地進行，因此可抑制由對清洗用具的旋轉速度進行調整而引起的基板的清洗效率的降低。

（第五項）根據第一項至第四項中任一項所述的基板清洗裝置，其中，也可為：所述清洗用具旋轉驅動部在所述第二時間點之後且所述清洗用具從所述接觸位置移動直至到達所述分離位置為止的期間，使所述清洗用具的旋轉速度從所述第二旋轉速度下降至所述第一旋轉速度。

在此情況下，可在第二時間點將清洗用具的旋轉速度設為第二旋轉速度。另外，清洗用具的移動與清洗用具的旋轉速度的調整並行地進行，因此可抑制由對清洗用具的旋轉速度進行調整而引起的基板的清洗效率的降低。

（第六項）根據第一項至第五項中任一項所述的基板清洗裝置，其中，也可為：所述清洗用具移動部在所述基板由所述第一基板保持部保持的狀態下，使所述清洗用具移動以與所述基板的下表面中央區域接觸，由此對所述基板的下表面中央區域進行清洗，所述基板清洗裝置還包括第二基板保持部，所述第二基板保持部在對所述基板的所述下表面中央區域進行清洗後，在對所述下表面中央區域進行吸附保持的同時使所述基板繞上下方向上的軸旋轉，所述清洗用具移動部使所述清洗用具相對於由所述第二基板保持部保持並旋轉的所述基板相對地移動，以使所述清洗用具與所述基板的包圍所述下表面中央區域的下表面外側區域接觸。

在此情況下，在對基板的下表面中央區域進行清洗後，在通過第二基板保持部對下表面中央區域進行吸附保持的同時對基板的下表面外側區域進行清洗。因此，對基板的下表面中央區域及下表面外側區域進行清洗後的基板的下表面整體的清潔度提高。

另外，根據所述結構，在對基板的下表面外側區域進行清洗時下表面中央區域具有高清潔度，因此即使在依次對多個基板進行清洗的情況下，也可抑制經由第二基板保持部的多個基板間產生交叉污染。

（第七項）根據第一項至第六項中任一項所述的基板清洗裝置，其中，也可為：所述第一基板保持部構成為在不使所述基板旋轉的情況下對所述基板的外周端部進行保持。

在此情況下，可效率良好地對以一定姿勢固定的基板的下表面進行清洗。

（第八項）第八項的基板清洗方法包含：通過第一基板保持部對基板的外周端部進行保持的步驟；使清洗用具與所述基板的下表面接觸來對所述基板的下表面進行清洗的步驟；使所述清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟；使通過所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟旋轉的所述清洗用具在接觸位置與分離位置之間移動的步驟，所述接觸位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面接觸的位置，所述分離位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面分離一定距離的位置，所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟包含：在所述清洗用具處於所述分離位置時，使所述清洗用具以第一旋轉速度旋轉；以及當將在所述清洗用具從所述分離位置向所述接觸位置移動的情況下處於和所述基板的下表面分離的狀態的所述清洗用具與所述基板的下表面接觸的時間點設為第一時間點、將在所述清洗用具從所述接觸位置向所述分離位置移動的情況下處於與所述基板的下表面接觸的狀態的所述清洗用具和所述基板的下表面分離的時間點設為第二時間點時，在所述第一時間點及所述第二時間點中的至少一個時間點，使所述清洗用具以比所述第一旋轉速度高的第二旋轉速度旋轉。

在所述基板清洗方法中，在對基板的下表面進行清洗時，清洗用具配置於接觸位置。通過與基板的下表面接觸的清洗用具旋轉，將附著於基板上的污染物質去除。另一方面，在不對基板的下表面進行清洗的情況下，清洗用具配置於分離位置。在分離位置，清洗用具以至少比對基板進行清洗時的旋轉速度低的第一旋轉速度旋轉。

根據所述基板清洗方法，在第一時間點及第二時間點中的至少一個時間點，清洗用具以比第一旋轉速度高的旋轉速度旋轉。由此，與在第一時間點及第二時間點此兩個時間點清洗用具以第一旋轉速度旋轉或者不旋轉的情況相比，清洗後的基板的下表面的清潔度提高。

（第九項）根據第八項所述的基板清洗方法，其中，也可為：在所述清洗用具處於所述分離位置時，向所述清洗用具供給清洗液，所述第一旋轉速度是供給至所述清洗用具的清洗液不會飛散的程度的旋轉速度。

在此情況下，在分離位置供給至清洗用具的清洗液通過由清洗用具以第一旋轉速度旋轉而產生的離心力，在清洗用具的表面或其內部順暢地流動。因此，在分離位置附著於清洗用具的污染物質被清洗液順暢地沖掉。另外，第一旋轉速度設定為供給至清洗用具的清洗液不會飛散的程度，因此可抑制因分離位置處的清洗用具的旋轉而包含分離位置的清洗環境的清潔度降低。

（第十項）根據第八項或第九項所述的基板清洗方法，其中，也可為：所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟包含：在所述清洗用具處於所述接觸位置且所述清洗用具與所述基板的下表面接觸的狀態下，使所述清洗用具以比所述第一旋轉速度高的第三旋轉速度旋轉，所述第二旋轉速度是所述第三旋轉速度以上的旋轉速度。

在此情況下，在第一時間點及第二時間點中的至少一個時間點，清洗用具以第三旋轉速度以上的旋轉速度旋轉。由此，與在第一時間點及第二時間點此兩個時間點清洗用具以第一旋轉速度旋轉或者不旋轉的情況相比，清洗後的基板的下表面的清潔度進一步提高。

（第十一項）根據第八項至第十項中任一項所述的基板清洗方法，其中，也可為：所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟包含：在所述第一時間點之前且所述清洗用具從所述分離位置移動直至到達所述接觸位置為止的期間，使所述清洗用具的旋轉速度從所述第一旋轉速度上升至所述第二旋轉速度。

（第十二項）根據第八項至第十一項中任一項所述的基板清洗方法，其中，也可為：所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟包含：在所述第二時間點之後且所述清洗用具從所述接觸位置移動直至到達所述分離位置為止的期間，使所述清洗用具的旋轉速度從所述第二旋轉速度下降至所述第一旋轉速度。

（第十三項）根據第八項至第十二項中任一項所述的基板清洗方法，其中，也可為：所述使清洗用具移動的步驟包含：在所述基板由所述第一基板保持部保持的狀態下，使所述清洗用具移動以與所述基板的下表面中央區域接觸，由此對所述基板的下表面中央區域進行清洗，所述基板清洗方法還包含：在對所述基板的所述下表面中央區域進行清洗後，在通過第二基板保持部對所述下表面中央區域進行吸附保持的同時使所述基板繞上下方向上的軸旋轉的步驟，所述使清洗用具移動的步驟還包含：使所述清洗用具相對於由所述第二基板保持部保持並旋轉的所述基板相對地移動，以使所述清洗用具與所述基板的包圍所述下表面中央區域的下表面外側區域接觸。

（第十四項）根據第八項至第十三項中任一項所述的基板清洗方法，其中，也可構成為：所述第一基板保持部構成為在不使所述基板旋轉的情況下對所述基板的外周端部進行保持。

根據所述實施形態的基板清洗裝置，清洗後的基板的下表面中央區域的清潔度提高，因此通過基板處理而獲得的製品的成品率提高。因此，可減少無用的基板處理，因此可實現基板處理的節能化。另外，為了提高基板的下表面的清潔度，不需要將基板的下表面的清洗期間設定得長。由此，可減少無用的藥液等的利用，因此可有助於減少地球環境的污染。

1:基板清洗裝置 2:單元框體 2x:搬入搬出口 9:控制部 10A、10B:上側保持裝置（構成元件） 11A、11B:下卡盤 12A、12B:上卡盤 20:下側保持裝置（構成元件） 21:吸附保持部 30:台座裝置 31:線性引導件 32:可動台座 40:交接裝置（構成元件） 41:支撐銷 50:下表面清洗裝置（構成元件） 51:下表面刷 52:液噴嘴 53:氣體噴出部 54:升降旋轉支撐部 60:杯裝置（構成元件） 61:杯 70:上表面清洗裝置（構成元件） 71:旋轉支撐軸 72:臂 73:噴霧噴嘴 80:端部清洗裝置（構成元件） 81:旋轉支撐軸 82:臂 83:斜面刷 90:開閉裝置（構成元件） 91:擋板 A-A:線 bv1:第一旋轉速度 bv2:第二旋轉速度 bv3:第三旋轉速度 d1、d2:符號 P1:第一水準位置（符號） P2:第二水準位置（符號） P3:第三水準位置（符號） R1:下表面中央區域 R2:下表面外側區域 R3:接觸區域 R4:分離區域 R5:間隙區域 S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10:步驟 t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8、t9、t10、t11、t12:時間點 W:基板 WC:中心 wv1:旋轉速度 X、Y、Z:方向

圖1是第一實施形態的基板清洗裝置的示意性平面圖，圖2是表示圖1的基板清洗裝置的內部結構的立體圖，圖3是表示利用圖1的控制部進行的基板清洗處理的流程圖，圖4是用於說明對本實施形態的基板定義的下表面中央區域的基板的仰視圖，圖5是用於說明對本實施形態的基板定義的下表面外側區域的基板的仰視圖，圖6是用於說明對本實施形態的基板定義的接觸區域及分離區域的基板的仰視圖，圖7是用於說明對本實施形態的基板定義的間隙區域的基板的仰視圖，圖8是用於對基板的下表面清洗時的基板清洗裝置的各部的動作的詳情進行說明的圖，圖9是用於對基板的下表面清洗時的基板清洗裝置的各部的動作的詳情進行說明的圖，圖10是用於對基板的下表面清洗時的基板清洗裝置的各部的動作的詳情進行說明的圖，圖11是表示圖8～圖10所示的基板的下表面清洗時的圖1的下表面刷的旋轉速度的變化的時序圖，圖12是表示圖8～圖10所示的基板的下表面清洗時的基板的旋轉速度的變化的時序圖，圖13是實施例的清洗後基板的下表面的污染分佈圖，圖14是比較例的清洗後基板的下表面的污染分佈圖，圖15是用於對另一實施形態的下表面刷的旋轉控制進行說明的時序圖。

1:基板清洗裝置

2:單元框體

2x:搬入搬出口

9:控制部

10A、10B:上側保持裝置(構成元件)

11A、11B:下卡盤

12A、12B:上卡盤

20:下側保持裝置(構成元件)

21:吸附保持部

30:台座裝置(構成元件)

31:線性引導件

32:可動台座

40:交接裝置(構成元件)

41:支撐銷

50:下表面清洗裝置(構成元件)

51:下表面刷

52:液噴嘴

53:氣體噴出部

54:升降旋轉支撐部

60:杯裝置(構成元件)

61:杯

70:上表面清洗裝置(構成元件)

80:端部清洗裝置(構成元件)

90:開閉裝置(構成元件)

91:擋板

A-A:線

W:基板

X、Y、Z:方向

Claims

一種基板清洗裝置，包括：第一基板保持部，對基板的外周端部進行保持；清洗用具，與所述基板的下表面接觸來對所述基板的下表面進行清洗；清洗用具旋轉驅動部，使所述清洗用具繞上下方向上的軸旋轉；清洗用具移動部，使通過所述清洗用具旋轉驅動部旋轉的所述清洗用具在接觸位置與分離位置之間移動，所述接觸位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面接觸的位置，所述分離位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面分離一定距離的位置；以及控制部，包含電腦，並且控制所述清洗用具旋轉驅動部及所述清洗用具移動部；所述清洗用具移動部，基於所述控制部的控制，使所述清洗用具在所述接觸位置與所述分離位置之間移動，當將在所述清洗用具從所述分離位置向所述接觸位置移動的情況下處於和所述基板的下表面分離的狀態的所述清洗用具與所述基板的下表面接觸的時間點設為第一時間點、將在所述清洗用具從所述接觸位置向所述分離位置移動的情況下處於與所述基板的下表面接觸的狀態的所述清洗用具和所述基板的下表面分離的時間點設為第二時間點時，所述清洗用具旋轉驅動部，基於所述控制部的控制，在所述清洗用具處於所述分離位置時，使所述清洗用具以第一旋轉速度旋轉，在所述第一時間點及所述第二時間點中的至少一個時間點，使所述清洗用具以比所述第一旋轉速度高的第二旋轉速度旋轉。
如請求項1所述的基板清洗裝置，其更包括清洗液供給部，向所述清洗用具供給清洗液，在所述清洗用具處於所述分離位置時，通過所述清洗液供給部向所述清洗用具供給所述清洗液，所述第一旋轉速度是供給至所述清洗用具的清洗液不會飛散的程度的旋轉速度。
如請求項1或2所述的基板清洗裝置，其中，所述清洗用具旋轉驅動部，基於所述控制部的控制，在所述清洗用具處於所述接觸位置且所述清洗用具與所述基板的下表面接觸的狀態下，使所述清洗用具以比所述第一旋轉速度高的第三旋轉速度旋轉，所述第二旋轉速度是所述第三旋轉速度以上的旋轉速度。
如請求項1或2所述的基板清洗裝置，其中，所述清洗用具旋轉驅動部，基於所述控制部的控制，在所述第一時間點之前且所述清洗用具從所述分離位置移動直至到達所述接觸位置為止的期間，使所述清洗用具的旋轉速度從所述第一旋轉速度上升至所述第二旋轉速度。
如請求項1或2所述的基板清洗裝置，其中，所述清洗用具旋轉驅動部，基於所述控制部的控制，在所述第二時間點之後且所述清洗用具從所述接觸位置移動直至到達所述分離位置為止的期間，使所述清洗用具的旋轉速度從所述第二旋轉速度下降至所述第一旋轉速度。
如請求項1或2所述的基板清洗裝置，其中，所述清洗用具移動部，基於所述控制部的控制，在所述基板由所述第一基板保持部保持的狀態下，使所述清洗用具移動以與所述基板的下表面中央區域接觸，由此對所述基板的下表面中央區域進行清洗，所述基板清洗裝置還包括第二基板保持部，所述第二基板保持部在對所述基板的所述下表面中央區域進行清洗後，在對所述下表面中央區域進行吸附保持的同時使所述基板繞上下方向上的軸旋轉，所述清洗用具移動部，基於所述控制部的控制，使所述清洗用具相對於由所述第二基板保持部保持並旋轉的所述基板相對地移動，以使所述清洗用具與所述基板的包圍所述下表面中央區域的下表面外側區域接觸。
如請求項1或2所述的基板清洗裝置，其中，所述第一基板保持部構成為在不使所述基板旋轉的情況下對所述基板的外周端部進行保技。
一種基板清洗方法，包含：通過第一基板保持部對基板的外周端部進行保持的步驟；使清洗用具與所述基板的下表面接觸來對所述基板的下表面進行清洗的步驟；使所述清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟；使通過所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟旋轉的所述清洗用具在接觸位置與分離位置之間移動的步驟，所述接觸位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面接觸的位置，所述分離位置是所述清洗用具與由所述第一基板保持部保持的所述基板的下表面分離一定距離的位置，所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟包含：在所述清洗用具處於所述分離位置時，使所述清洗用具以第一旋轉速度旋轉；以及當將在所述清洗用具從所述分離位置向所述接觸位置移動的情況下處於和所述基板的下表面分離的狀態的所述清洗用具與所述基板的下表面接觸的時間點設為第一時間點、將在所述清洗用具從所述接觸位置向所述分離位置移動的情況下處於與所述基板的下表面接觸的狀態的所述清洗用具和所述基板的下表面分離的時間點設為第二時間點時，在所述第一時間點及所述第二時間點中的至少一個時間點，使所述清洗用具以比所述第一旋轉速度高的第二旋轉速度旋轉。
如請求項8所述的基板清洗方法，其中，在所述清洗用具處於所述分離位置時，向所述清洗用具供給清洗液，所述第一旋轉速度是供給至所述清洗用具的清洗液不會飛散的程度的旋轉速度。
如請求項8或9所述的基板清洗方法，其中，所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟包含：在所述清洗用具處於所述接觸位置且所述清洗用具與所述基板的下表面接觸的狀態下，使所述清洗用具以比所述第一旋轉速度高的第三旋轉速度旋轉，所述第二旋轉速度是所述第三旋轉速度以上的旋轉速度。
如請求項8或9所述的基板清洗方法，其中，所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟包含：在所述第一時間點之前且所述清洗用具從所述分離位置移動直至到達所述接觸位置為止的期間，使所述清洗用具的旋轉速度從所述第一旋轉速度上升至所述第二旋轉速度。
如請求項8或9所述的基板清洗方法，其中，所述使清洗用具繞上下方向上的軸旋轉的步驟包含：在所述第二時間點之後且所述清洗用具從所述接觸位置移動直至到達所述分離位置為止的期間，使所述清洗用具的旋轉速度從所述第二旋轉速度下降至所述第一旋轉速度。
如請求項8或9所述的基板清洗方法，其中，所述使清洗用具移動的步驟包含：在所述基板由所述第一基板保持部保持的狀態下，使所述清洗用具移動以與所述基板的下表面中央區域接觸，由此對所述基板的下表面中央區域進行清洗，所述基板清洗方法還包含：在對所述基板的所述下表面中央區域進行清洗後，在通過第二基板保持部對所述下表面中央區域進行吸附保持的同時使所述基板繞上下方向上的軸旋轉的步驟，所述使清洗用具移動的步驟還包含：使所述清洗用具相對於由所述第二基板保持部保持並旋轉的所述基板相對地移動，以使所述清洗用具與所述基板的包圍所述下表面中央區域的下表面外側區域接觸。
如請求項8或9所述的基板清洗方法，其中，所述第一基板保持部構成為在不使所述基板旋轉的情況下對所述基板的外周端部進行保持。