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TWI889961B - 雷射加工方法 - Google Patents

雷射加工方法

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Publication number
TWI889961B
TWI889961B TW111108242A TW111108242A TWI889961B TW I889961 B TWI889961 B TW I889961B TW 111108242 A TW111108242 A TW 111108242A TW 111108242 A TW111108242 A TW 111108242A TW I889961 B TWI889961 B TW I889961B
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TW
Taiwan
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laser beam
pulsed laser
processing
axis
wafer
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TW111108242A
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TW202236401A (zh
Inventor
俊
金子卓正
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
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Publication date
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Abstract

[課題]提供一種可以抑制有機膜的剝離之雷射加工方法。 [解決手段]一種雷射加工方法，對在基材上具有功能層之晶圓施行雷射加工，前述雷射加工方法包含以下步驟：黑化步驟，使對功能層具有穿透性之波長的脈衝雷射光束從雷射振盪器射出，並將可加工功能層之加工閾值以上的能量的脈衝雷射光束，以連續被照射於功能層之脈衝雷射光束的重疊率成為90%以上且小於100%之方式，來對功能層照射而使功能層黑化；及溝加工步驟，在實施黑化步驟後，對經黑化之功能層照射脈衝雷射光束來使經黑化之功能層吸收脈衝雷射光束而形成雷射加工溝。

Description

雷射加工方法
本發明是有關於對基材上具有有機膜之晶圓施行雷射加工之雷射加工方法。
近年來，為了將半導體器件的處理速度高速化，已將以下之半導體晶圓實用化：在矽晶圓之上使聚醯亞胺系、聚對二甲苯系等之聚合物膜即由有機物的低介電常數材料(所謂的Low-k材料)所構成之層間絕緣膜積層為電路層來形成半導體器件，而在由矽所構成之基板的正面積層有有機膜之半導體晶圓(參照例如專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2015-126054號公報
Low-k材料脆弱如雲母，若以切削刀片切削即會剝離。於是，如上述專利文獻1所揭示，進行有利用雷射燒蝕技術在包含Low-k材料之器件層形成雷射加工溝之作法。
雖然在半導體晶圓的燒蝕加工中所使用的是例如355nm或532nm之波長的雷射光束，但因為Low-k材料即層間絕緣膜並不會吸收這些對紫外線~可見光區域之雷射光束為透明且已被照射之雷射光束，所以會藉由將雷射光束聚光於矽晶圓來將器件層和矽晶圓一起加工。
但是，伴隨於將雷射光束聚光在矽晶圓且矽晶圓會昇華之情形已有導致有機膜局部地剝離等問題，因而殷切期望改善。
因此，本發明的目的在於提供一種可以抑制有機膜的剝離之雷射加工方法。
根據本發明，可提供一種雷射加工方法，對在基材上具有有機膜之晶圓施行雷射加工，前述雷射加工方法具備有以下步驟：黑化步驟，使對該有機膜具有穿透性之波長的脈衝雷射光束從雷射振盪器射出，並將可加工該有機膜之加工閾值以上的能量的該脈衝雷射光束，以連續被照射於該有機膜之該脈衝雷射光束的重疊率成為90%以上且小於100%之方式，來對該有機膜照射而使該有機膜黑化；及溝加工步驟，在實施該黑化步驟後，對經黑化之該有機膜照射該脈衝雷射光束來使經黑化之該有機膜吸收脈衝雷射光束而形成雷射加工溝。
較佳的是，在該黑化步驟中，照射在該有機膜之脈衝雷射光束是藉由將高斯分布的山坡部分修正成垂直的分布，來防止比該加工閾值更低的能量之該脈衝雷射光束穿透該有機膜而照射於該基材。
本發明會發揮可以抑制有機膜的剝離之效果。
1:雷射加工裝置
2:裝置本體
3:豎立設置壁
4:升降構件
10:工作夾台
11,62:保持面
12,63:夾具部
15:移動板
16:第2移動板
20:雷射光束照射單元
21:脈衝雷射光束，雷射光束
21-1:聚光點
22:雷射振盪器
23:聚光透鏡
24:光學零件
25:遮罩單元
31:X軸移動單元
32:Y軸移動單元
33:Z軸移動單元
34:旋轉移動單元
40:拍攝單元
50:功率計
60:保護膜被覆裝置
61:旋轉工作台
64:水溶性樹脂供給噴嘴
65:水溶性樹脂
100:控制單元
200:晶圓
201:基材
202:正面
203:分割預定線
204:器件
205:功能層(有機膜)
206:背面
207:雷射加工溝
209:黏著膠帶
210:環狀框架
211:中心(光路的中心、雷射光束的中心、能量分布的中心)
212,214:能量分布
213:值(邊界值)
215:位置
216,216-1,216-2:光斑
216-3:區域
216-4:寬度
251:Y軸方向遮罩構件(遮罩構件)
252,30:移動單元
253:X軸方向遮罩構件(遮罩構件)
254:距離
1001:能量分布設定步驟
1002:保護膜形成步驟
1003:黑化步驟
1004:溝加工步驟
WX:X軸方向的寬度(寬度)
X,Y,Z:方向
圖1是實施形態之雷射加工方法的加工對象之晶圓的立體圖。
圖2是圖1所示之晶圓的主要部分的放大剖面圖。
圖3是顯示實施實施形態之雷射加工方法的一部分之雷射加工裝置的構成例的立體圖。
圖4是示意地顯示圖3所示之雷射加工裝置的雷射光束照射單元的構成的 圖。
圖5是示意地顯示可被圖4所示之雷射光束照射單元的遮罩整形前之脈衝雷射光束的能量分布的圖。
圖6是示意地顯示已被圖4所示之雷射光束照射單元的遮罩整形後之脈衝雷射光束的能量分布的圖。
圖7是顯示實施形態之雷射加工方法的流程的流程圖。
圖8是以局部剖面方式來示意地顯示圖7所示之雷射加工方法的保護膜形成步驟的側面圖。
圖9是示意地說明圖7所示之雷射加工方法的脈衝雷射光束的重疊率的圖。
圖10是以局部剖面方式來示意地顯示圖7所示之雷射加工方法的黑化步驟的側面圖。
圖11是以局部剖面方式來示意地顯示圖7所示之雷射加工方法的溝加工步驟的側面圖。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明的實施形態，一面參照圖式一面詳細地說明。本發明並非因以下的實施形態所記載之內容而受到限定之發明。又，在以下所記載之構成要素中，包含所屬技術領域中具有通常知識者可以容易地設想得到的構成要素、實質上相同的構成要素。此外，以下所記載之構成是可適當組合的。又，只要在不脫離本發明之要旨的範圍內，可進行構成的各種省略、置換或變更。
依據圖式來說明本發明的實施形態之雷射加工方法。圖1是實施形態之雷射加工方法的加工對象之晶圓的立體圖。圖2是圖1所示之晶圓的主要部分的剖面圖。圖3是顯示實施實施形態之雷射加工方法的一部分之雷射加工裝置的構成例的立體圖。圖4是示意地顯示圖3所示之雷射加工裝置的雷射光束 照射單元的構成的圖。圖5是示意地顯示可被圖4所示之雷射光束照射單元的遮罩整形前之脈衝雷射光束的能量分布的圖。圖6是示意地顯示已被圖4所示之雷射光束照射單元的遮罩整形後之脈衝雷射光束的能量分布的圖。圖7是顯示實施形態之雷射加工方法的流程的流程圖。
(晶圓)
實施形態之雷射加工方法是對圖1以及圖2所示之晶圓200施行雷射加工之方法。實施形態之雷射加工方法的加工對象之晶圓200是以矽作為基材201之圓板狀的半導體晶圓。晶圓200在正面202設定有複數條互相交叉之分割預定線203，且在被分割預定線203所區劃出的區域形成有器件204。
器件204是例如IC(積體電路，Integrated Circuit)、或LSI(大型積體電路，Large Scale Integration)等之積體電路、CCD(電荷耦合器件，Charge Coupled Device)、或CMOS(互補式金屬氧化物半導體，Complementary Metal Oxide Semiconductor)等之影像感測器。
在實施形態中，如圖1及圖2所示，晶圓200在基材201上具有有機膜即功能層205。功能層205具備：低介電常數絕緣體被膜(以下稱為Low-k膜)，由SiOF、BSG(SiOB)等之無機物系的膜、或聚醯亞胺系、聚對二甲苯系等之聚合物膜即有機物系的膜或含碳氧化矽(SiOCH)所構成；及電路層，藉由導電性的金屬所構成。
Low-k膜會和電路層積層而形成器件204。電路層會構成器件204的電路。因此，器件204是藉由積層於基材201上之功能層205的互相積層而成之Low-k膜、與積層於Low-k膜之間的電路層來形成。再者，分割預定線203的功能層205是藉由形成有複數層之Low-k膜所形成，且除了TEG(測試元件群，Test Element Group)外並不具備有導電體膜。TEG是用於找出在器件204產生之設計上或製造上的問題之評價用的元件。
在實施形態中，晶圓200是如圖3所示，在正面202的背側之背面206貼附直徑比晶圓200的外徑更大之圓板狀且在外緣部貼附有環狀框架210之黏著膠帶209，而被支撐在環狀框架210的開口內。晶圓200可沿著分割預定線203被切斷，而分割成一個個的器件204。
(雷射加工裝置)
實施形態之雷射加工方法是將一部分藉由圖3所示之雷射加工裝置1來實施。圖3所示之雷射加工裝置1是對晶圓200照射脈衝狀的脈衝雷射光束21，來對晶圓200施行雷射加工(相當於加工)之裝置。如圖3所示，雷射加工裝置1具備工作夾台10、雷射光束照射單元20、移動單元30、拍攝單元40與控制單元100，前述工作夾台10具有保持晶圓200之保持面11。
工作夾台10是以和水平方向平行的保持面11來保持晶圓200。保持面11是由多孔陶瓷等所形成之圓盤形狀，且透過未圖示之真空吸引路徑來和未圖示之真空吸引源連接。工作夾台10會吸引保持已載置在保持面11上之晶圓200。在工作夾台10的周圍配置有複數個夾具部12，前述夾具部12會夾持將晶圓200支撐於開口內之環狀框架210。
又，工作夾台10是藉由移動單元30的旋轉移動單元34而繞著相對於保持面11正交且和與鉛直方向平行之Z軸方向平行的軸心旋轉。工作夾台10是和旋轉移動單元34一起藉由移動單元30的X軸移動單元31而在和水平方向平行的X軸方向上移動，且藉由Y軸移動單元32而在和水平方向平行且和X軸方向正交之Y軸方向上移動。工作夾台10藉由移動單元30而涵蓋加工區域與搬入搬出區域來移動，前述加工區域是雷射光束照射單元20的下方之區域，前述搬入搬出區域是自雷射光束照射單元20的下方遠離而可將晶圓200搬入、搬出之區域。
雷射光束照射單元20是對已保持於工作夾台10之晶圓200照射脈 衝狀的脈衝雷射光束21之單元。在實施形態中，雷射光束照射單元20是照射對晶圓200的基材201具有吸收性，且對功能層205具有穿透性之波長(在實施形態中為514nm，且在本發明中宜為355nm或266nm)的脈衝狀的脈衝雷射光束21，來對晶圓200施行雷射加工之雷射光束照射機構。
在實施形態中，如圖1所示，雷射光束照射單元20的一部分會受到藉由移動單元30的Z軸移動單元33而在Z軸方向上移動之升降構件4所支撐，前述Z軸移動單元33是設置在從裝置本體2豎立設置之豎立設置壁3。
接著，說明雷射光束照射單元20的構成。如圖4所示，雷射光束照射單元20會振盪產生用於加工晶圓200之脈衝狀的雷射，並具備：雷射振盪器22，射出脈衝雷射光束21；聚光透鏡23，將從雷射振盪器22所射出之脈衝雷射光束21聚光於已保持在工作夾台10的保持面11之晶圓200；至少一個光學零件24，設置於雷射振盪器22與聚光透鏡23之間的脈衝雷射光束21的光路上，且將從雷射振盪器22所射出之脈衝雷射光束21從雷射振盪器22導向聚光透鏡23；及遮罩單元25。
如圖5所示，在實施形態中，從雷射振盪器22所射出之脈衝雷射光束21的能量分布212是形成為如下之高斯分布：脈衝雷射光束21的光路的中心211上的能量為最強，且能量會隨著遠離中心211而逐漸地降低。再者，圖5的橫軸是表示從雷射光束的中心起算的位置，橫軸的中央是表示脈衝雷射光束21的光路的中心211。又，圖5的縱軸所表示的是能量。又，雖然圖5所顯示的是在雷射光束21的橫剖面的脈衝雷射光束21的能量分布212，但脈衝雷射光束21的能量分布212在和X軸方向平行的位置上也會成為高斯分布。
聚光透鏡23是配置在和工作夾台10的保持面11在Z軸方向上相向之位置。聚光透鏡23是讓從雷射振盪器22所射出之脈衝雷射光束21穿透，而將脈衝雷射光束21聚光成聚光點21-1。在實施形態中，雷射光束照射單元20雖然 具備有將脈衝雷射光束21反射之鏡子來作為光學零件24，但是在本發明中，光學零件24並不限定於鏡子。
遮罩單元25是修正(變更)從雷射振盪器22所射出之脈衝雷射光束21的能量分布之單元。遮罩單元25是設置在雷射振盪器22與光學零件24之間的脈衝雷射光束21的光路上。如圖4所示，在實施形態中，遮罩單元25具備一對Z軸方向遮罩構件251、一對移動單元252、一對X軸方向遮罩構件253、與未圖示之一對X軸方向移動單元。
一對Z軸方向遮罩構件251是以會遮蔽(亦即不穿透)脈衝雷射光束21之材料所構成。一對Z軸方向遮罩構件251是互相在Z軸方向上隔著間隔而配置，且在相互之間定位有雷射振盪器22與光學零件24之間的脈衝雷射光束21的光路的中心211。一對Z軸方向遮罩構件251是在Z軸方向上朝互相接近或遠離的方向移動自如地設置。
移動單元252是讓一對Z軸方向遮罩構件251在Z軸方向上朝互相接近或遠離的方向移動之單元。在實施形態中，移動單元252是和Z軸方向遮罩構件251以1對1方式對應來設置，且讓對應之Z軸方向遮罩構件251在Z軸方向上移動。
一對X軸方向遮罩構件253是以會遮蔽(亦即不穿透)脈衝雷射光束21之材料所構成。一對X軸方向遮罩構件253是互相在X軸方向上隔著間隔而配置，且在相互之間定位有雷射振盪器22與光學零件24之間的脈衝雷射光束21的光路的中心211。一對X軸方向遮罩構件253是在X軸方向上朝互相接近或遠離的方向移動自如地設置。
X軸方向移動單元是讓一對X軸方向遮罩構件253在X軸方向上朝互相接近或遠離的方向移動之單元。在實施形態中，X軸方向移動單元是和X軸方向遮罩構件253以1對1方式對應來設置，且讓對應之X軸方向遮罩構件253 在X軸方向上移動。再者，在遮罩單元25的說明中所記載之X軸方向、Z軸方向是表示脈衝雷射光束21對已保持在工作夾台10之晶圓200照射時之X軸方向、Z軸方向。
遮罩單元25是一對Z軸方向遮罩構件251以及一對X軸方向遮罩構件253會將從雷射振盪器22所射出之脈衝雷射光束21之遠離中心211的部分(高斯分布的山坡部分)遮光，而將從雷射振盪器22所射出之脈衝雷射光束21之圖5所示之能量分布212，修正成如下之圖6所示之能量分布214：在遮罩構件251、253之自脈衝雷射光束21的中心211起算的距離254量而遠離脈衝雷射光束21的中心211之位置上，能量從圖5所示之能量分布212上之值213急遽地減少至零。
又，遮罩單元25是藉由移動單元252來變更一對Z軸方向遮罩構件251之自脈衝雷射光束21的中心211起算的距離254，並藉由X軸方向移動單元來變更一對X軸方向遮罩構件253之自脈衝雷射光束21的中心211起算的距離，藉此對圖5所示之能量分布212上的自值213急遽地減少至零之圖6所示之能量分布214的位置215進行變更。再者，以下，將急遽地減少至零的位置215之能量分布214上的值213記載為邊界值。像這樣，遮罩單元25將脈衝雷射光束21的高斯分布的圖5所示之能量分布212修正成山坡部分為垂直的分布之圖6所示之能量分布214。
如此進行，在實施形態中，遮罩單元25是藉由將一對X軸方向遮罩構件253的X軸方向的間隔設定得比一對Z軸方向遮罩構件251的Z軸方向的間隔更狹窄，而將已藉由聚光透鏡23聚光之脈衝雷射光束21的光斑216形成為長邊方向和Y軸方向平行且短邊方向和X軸方向平行之矩形狀。再者，圖6的橫軸是表示從雷射光束的中心起算的位置，橫軸的中央是表示脈衝雷射光束21的中心211。又，圖6的縱軸所表示的是能量。又，圖6雖然顯示有在雷射光束21的橫剖面之脈衝雷射光束21的能量分布214，但雷射光束的能量分布214在和X軸 方向平行的位置上也是形成為和圖6同樣的分布。
再者，在實施形態中，雖然雷射光束照射單元20具備有遮罩單元25來作為修正脈衝雷射光束21的能量分布之機構，但在本發明中，作為修正脈衝雷射光束21的能量分布之機構，亦可具備DMD(數位微鏡器件，Digital Micro-mirror Device)來取代遮罩單元25。
移動單元30是使雷射光束照射單元20與工作夾台10以在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向以及繞著和Z軸方向平行的軸心的方式相對地移動之單元。再者，X軸方向以及Y軸方向是和保持面11平行之方向。X軸方向是和已保持在工作夾台10之晶圓200的其中一邊的分割預定線203平行的方向，且是雷射加工裝置1對晶圓200施行雷射加工時將工作夾台10加工進給之所謂的加工進給方向。Y軸方向是和X軸方向正交，且在雷射加工裝置1對晶圓200施行雷射加工時，將工作夾台10分度進給之所謂的分度進給方向。
如圖3所示，移動單元30具備：X軸移動單元31，為使工作夾台10在X軸方向上移動之加工進給單元；Y軸移動單元32，為使工作夾台10在Y軸方向上移動之分度進給單元；Z軸移動單元33，使包含於雷射光束照射單元20之聚光透鏡23在Z軸方向上移動；及旋轉移動單元34，使工作夾台10繞著和Z軸方向平行的軸心來旋轉。
Y軸移動單元32是將工作夾台10與雷射光束照射單元20相對地分度進給之單元。在實施形態中，Y軸移動單元32是設置在雷射加工裝置1的裝置本體2上。Y軸移動單元32是將支撐有X軸移動單元31之移動板15支撐成在Y軸方向上移動自如。
X軸移動單元31是將工作夾台10與雷射光束照射單元20相對地加工進給之單元。X軸移動單元31是設置於移動板15上。X軸移動單元31是將第2移動板16支撐成在X軸方向上移動自如，前述第2移動板16支撐有使工作夾台10 以繞著和Z軸方向平行的軸心的方式旋轉之旋轉移動單元34。Z軸移動單元33是設置在豎立設置壁3，並且以在Z軸方向上移動自如的方式支撐有升降構件4。
X軸移動單元31、Y軸移動單元32以及Z軸移動單元33具備：以繞著軸心的方式旋轉自如地設置之習知的滾珠螺桿、使滾珠螺桿繞著軸心地旋轉之習知的脈衝馬達、將移動板15、16支撐成在X軸方向或Y軸方向上移動自如並且將升降構件4支撐成在Z軸方向上移動自如之習知的導軌。
又，雷射加工裝置1具備未圖示之X軸方向位置檢測單元、未圖示之Y軸方向位置檢測單元、與Z軸方向位置檢測單元，前述X軸方向位置檢測單元是用於檢測工作夾台10的X軸方向的位置，前述Y軸方向位置檢測單元是用於檢測工作夾台10的Y軸方向的位置，前述Z軸方向位置檢測單元是用於檢測包含在雷射光束照射單元20之聚光透鏡23的Z軸方向的位置。各位置檢測單元會將檢測結果輸出至控制單元100。
拍攝單元40是對已保持在工作夾台10之晶圓200進行拍攝之單元。拍攝單元40具備對已保持在工作夾台10之晶圓200進行拍攝之CCD(電荷耦合器件，Charge Coupled Device)拍攝元件或CMOS(互補式金屬氧化物半導體，Complementary MOS)拍攝元件等之拍攝元件。在實施形態中，拍攝單元40是安裝於升降構件的前端，並且配置在雷射光束照射單元20的和聚光透鏡23在X軸方向上排列之位置。拍攝單元40會拍攝晶圓200來得到用於完成校準之圖像，並將所得到的圖像輸出至控制單元100，其中前述校準是進行晶圓200與雷射光束照射單元20之對位。
又，在實施形態中，雷射加工裝置1具備功率計50。功率計50是從雷射光束照射單元20照射脈衝雷射光束21，來測定雷射光束照射單元20所照射之脈衝雷射光束21的能量分布之構成。功率計50會將所測定出之能量分布朝向控制單元100輸出。在實施形態中，功率計50是設置在第2移動板16上，且可 以藉由移動單元30而和雷射光束照射單元20的聚光透鏡23在Z軸方向上相向。
控制單元100是分別控制雷射加工裝置1的上述之構成要件，而使雷射加工裝置1實施對晶圓200之雷射加工動作之單元。再者，控制單元100是具有運算處理裝置、記憶裝置與輸入輸出介面裝置之電腦，前述運算處理裝置具有CPU(中央處理單元，central processing unit)之類的微處理器，前述記憶裝置具有ROM(唯讀記憶體，read only memory)或RAM(隨機存取記憶體，random access memory)之類的記憶體。控制單元100的運算處理裝置是依照已記憶於記憶裝置之電腦程式來實施運算處理，並將用於控制雷射加工裝置1之控制訊號透過輸入輸出介面裝置輸出至雷射加工裝置1的上述之構成要素，而實現控制單元100的功能。
又，控制單元100是和顯示單元、與未圖示之輸入單元相連接，前述顯示單元是藉由顯示加工動作之狀態或圖像等的液晶顯示裝置等所構成，前述輸入單元是在操作人員登錄加工內容資訊等之時使用。輸入單元可藉由設置於顯示單元的觸控面板、與鍵盤等之外部輸入裝置當中的至少一種來構成。
又，控制單元100也會為了設定雷射加工裝置1的加工條件而使用。加工條件包含例如脈衝雷射光束21的能量、脈衝狀的脈衝雷射光束21的重複頻率、後述之重疊率、功能層205的加工閾值、雷射加工時的工作夾台10的X軸方向的移動速度(以下，記為加工進給速度)等。再者，脈衝雷射光束21的能量是表示能量分布212、214的中心211上的能量。又，控制單元100具有以下功能：因應於脈衝雷射光束21的能量，來計算遮罩構件251、253的自脈衝雷射光束21的中心211起算的距離254與能量分布214的邊界值213之關係；依據加工閾值等來計算光斑216的X軸方向的寬度WX(顯示於圖9)；依據重疊率、寬度WX以及重複頻率等來計算加工進給速度，並作為加工條件來輸入。這些功能可藉由運算處理裝置執行已記憶於記憶裝置之程式來實現。又，在本發明中，前述 之功能除了藉由執行程式來實現以外，亦可由作業人員計算。
實施形態之雷射加工方法是對基材201上之具有有機膜即功能層205之晶圓200施行雷射加工之方法，且包含雷射加工裝置1的加工動作。如圖7所示，實施形態之雷射加工方法具備能量分布設定步驟1001、保護膜形成步驟1002、黑化步驟1003與溝加工步驟1004。
(能量分布設定步驟)
能量分布設定步驟1001是調整遮罩構件251、253的自中心211起算的距離，來設定能量分布214的邊界值213之步驟。前述之構成的雷射加工裝置1是控制單元100會受理操作人員操作輸入單元等而輸入之加工條件。再者，加工條件包含晶圓200的功能層205的加工閾值、黑化步驟1003的脈衝雷射光束21的能量、重複頻率、重疊率、溝加工步驟1004的脈衝雷射光束21的能量、重複頻率、重疊率等。
在實施形態中，雷射加工裝置1是控制單元100依據晶圓200的功能層205的加工閾值、黑化步驟1003的脈衝雷射光束21的能量等，來計算讓邊界值213成為加工閾值之遮罩構件251、253的自中心211起算的距離254，並控制移動單元252，而將各遮罩構件251、253的自中心211起算的距離254設定成邊界值213會成為加工閾值之距離。
再者，在實施形態中，雖然加工條件包含有晶圓200的功能層205的加工閾值，但在功能層205的加工閾值為不清楚的情況下，亦可將晶圓200吸引保持在工作夾台10，並將晶圓200的各種能量的脈衝雷射光束21在功能層205設定聚光點21-1，而將功能層205會碳化並黑化之脈衝雷射光束21的能量設定作為加工閾值。再者，是否已黑化之確認，亦可由雷射加工裝置1之操作人員藉由目視來確認，亦可藉由以拍攝單元40來拍攝並實施習知的圖像處理來確認。再者，若進行黑化後，功能層205是脈衝雷射光束21的吸收性會比黑化前更提升。如此，在本發明中所提到之加工閾值是指：藉由將加工閾值以上的能量的 脈衝雷射光束21在功能層205設定聚光點21-1來照射，可以使功能層205碳化並黑化到可以吸收脈衝雷射光束21的程度之脈衝雷射光束21的能量之值。
(保護膜形成步驟)
圖8是以局部剖面方式來示意地顯示圖7所示之雷射加工方法的保護膜形成步驟的側面圖。保護膜形成步驟1002是在晶圓200的正面202側被覆水溶性保護膜之步驟。
在保護膜形成步驟1002中，保護膜被覆裝置60會隔著黏著膠帶209將晶圓200的背面206側吸引保持於旋轉工作台61的保持面62，並以設置於旋轉工作台61的周圍之夾具部63來夾持環狀框架210。在保護膜形成步驟1002中，是如圖8所示，保護膜被覆裝置60使旋轉工作台61繞著軸心旋轉，並且從水溶性樹脂供給噴嘴64將水溶性樹脂65滴下到晶圓200的正面202。
所滴下之水溶性樹脂65會藉由因旋轉工作台61的旋轉所產生之離心力，而在晶圓200的正面202上從中心側朝向外周側流去，而塗布於晶圓200的正面202的整個面。
再者，水溶性樹脂65可為例如聚乙烯醇(polyvinyl alcohol：PVA)或聚乙烯吡咯啶酮(Polyvinylpyrrolidone：PVP)等之水溶性樹脂。在保護膜形成步驟1002中，是藉由讓已塗布於晶圓200的正面202的整個面之水溶性樹脂65硬化，而形成被覆晶圓200的正面202的整個面之水溶性保護膜。
(黑化步驟)
圖9是示意地說明圖7所示之雷射加工方法的脈衝雷射光束的重疊率的圖。圖10是以局部剖面方式來示意地顯示圖7所示之雷射加工方法的黑化步驟的側面圖。再者，圖10是將水溶性保護膜省略。
黑化步驟1003是以下之步驟：以雷射振盪器22產生對功能層205具有穿透性之波長的脈衝雷射光束21，並將可加工功能層205之加工閾值以上 的能量之脈衝雷射光束21，以連續被照射於功能層205之脈衝雷射光束21的重疊率成為90%以上且小於100%之方式，來對功能層205照射而使功能層205黑化。
再者，重疊率是指：圖9所示之連續且前後照射之脈衝雷射光束21的晶圓200的功能層205上的光斑216當中，先前的脈衝雷射光束21的光斑216(以下記載為216-1)與之後的脈衝雷射光束21的光斑216(以下記載為216-2)重疊的區域216-3(在圖9中以平行斜線來表示)相對於各光斑216-1、216-2的面積之比率(%)。
在此，若將加工進給速度(mm/秒)設為S，將光斑216-1、216-2的X軸方向的寬度(mm)設為WX(顯示於圖9)，並將脈衝雷射光束21的重複頻率(Hz)設為F時，可將重疊率O(%)藉由以下之式1來定義。
O=[1-{S/(WX×F)}]×100…式1
再者，這是因為若重疊率O小於90%，即無法將功能層205黑化，且在實施溝加工步驟1004時，無法抑制功能層205自基材201剝落之膜剝落。又，若重疊率O為100%時，會成為經常對相同位置持續照射脈衝雷射光束21之情形。又，為了可以將功能層205黑化，且在實施溝加工步驟1004時，良好地抑制功能層205自基材201剝落之膜剝落，重疊率O期望的是95%以上。
在黑化步驟1003中，雷射加工裝置1將已被水溶性保護膜被覆正面202之晶圓200隔著黏著膠帶209載置在已被定位在搬入搬出區域之工作夾台10的保持面11。在實施形態中為：在黑化步驟1003中，當控制單元100從輸入單元受理操作人員的加工動作開始指示後，雷射加工裝置1即開始加工動作，並隔著黏著膠帶209將晶圓200吸引保持於工作夾台10的保持面11，且以夾具部12夾持環狀框架210。
又，在黑化步驟1003中，雷射加工裝置1是控制單元100會依據加 工閾值以及所計算出之距離254等來計算光斑216-1、216-2的寬度WX，並依據以加工條件所決定之重疊率O、重複頻率F來計算滿足式1之加工進給速度S。在黑化步驟1003中，雷射加工裝置1是移動單元30會將工作夾台10朝向加工區域移動，且拍攝單元40會對晶圓200進行攝影。雷射加工裝置1會依據拍攝單元40拍攝而得到之圖像，來完成校準。
在實施形態中，雷射加工裝置1是如圖10所示，以依據加工條件以及所計算出之加工進給速度S等來將脈衝雷射光束21的聚光點21-1設定於功能層205，並成為以加工條件所設定之重疊率O的方式，一邊由移動單元30讓已保持在工作夾台10之晶圓200與雷射光束照射單元20所照射之脈衝雷射光束21的聚光點21-1沿著分割預定線203以所計算出之加工進給速度S來相對地移動，一邊讓雷射光束照射單元20將脈衝狀的脈衝雷射光束21照射於分割預定線203，藉此對晶圓200施行雷射加工，來將全部的分割預定線203上的功能層205黑化。
再者，在實施形態中為：在黑化步驟1003中，將脈衝雷射光束21的波長設為514nm，且將脈衝雷射光束21的能量設為0.2μJ以上且2μJ以下(所期望的是0.2μJ以上且0.5μJ以下)。
又，在實施形態中為：在黑化步驟1003中，當例如各光斑216-1、216-2的X軸方向的寬度WX(顯示於圖9)為5μm，且將脈衝雷射光束21的重複頻率F設為1MHz，將加工進給速度S設為50mm/秒時，重疊率O即成為99%。重疊率O為99%時，區域216-3的X軸方向的寬度216-4(顯示於圖9)會成為4.95μm。在實施形態中為：在黑化步驟1003中，是例如以重疊率O為99%來施行雷射加工。
又，在黑化步驟1003中，可將照射於功能層205之脈衝雷射光束21從圖5所示之能量分布212修正成圖6所示之能量分布214。如此，在黑化步驟 1003中，照射於功能層205之脈衝雷射光束21是藉由從圖5所示之能量分布212修正成山坡部分為垂直之圖6所示之能量分布214，來防止比加工閾值更低的能量的脈衝雷射光束21穿透功能層205而照射於基材201之情形。
(溝加工步驟)
圖11是以局部剖面方式來示意地顯示圖7所示之雷射加工方法的溝加工步驟的側面圖。再者，圖11是將水溶性保護膜省略。溝加工步驟1004是以下之步驟：在實施黑化步驟1003之後，對經黑化之功能層205照射脈衝雷射光束21，而使經黑化之功能層205吸收脈衝雷射光束21而形成雷射加工溝207。
在實施形態中為：在溝加工步驟1004中，雷射加工裝置1將脈衝雷射光束21朝經黑化之功能層205照射成使重疊率O成為超過0%且小於80%，並將功能層205以及基材201的表層去除而形成雷射加工溝207。在溝加工步驟1004中，雷射加工裝置1是控制單元100會依據以加工條件所決定之重疊率O、重複頻率F，來計算滿足式1之加工進給速度S。
在溝加工步驟1004中，雷射加工裝置1是如圖11所示，依據加工條件以及所計算出之加工進給速度S來將脈衝雷射光束21的聚光點21-1設定於經黑化之功能層205，並以成為在加工條件中所設定之重疊率O的方式，一邊由移動單元30讓已保持在工作夾台10之晶圓200與雷射光束照射單元20所照射之脈衝雷射光束21的聚光點21-1沿著分割預定線203以所計算出之加工進給速度S來相對地移動，一邊讓雷射光束照射單元20將脈衝狀的脈衝雷射光束21照射於分割預定線203。在溝加工步驟1004中，雷射加工裝置1是藉由照射對經黑化之功能層205以及基材201具有吸收性之波長的脈衝雷射光束21，來沿著分割預定線203對晶圓200施行雷射加工亦即燒蝕加工，而在全部的分割預定線203形成雷射加工溝207。
再者，在實施形態中為：在溝加工步驟1004中，將脈衝雷射光束 21的波長設為514nm，且將脈衝雷射光束21的能量設為5μJ以上且10μJ以下(所期望的是8μJ以上且10μJ以下)。又，在實施形態中為：在溝加工步驟1004中，是例如以重疊率O為75%來施行雷射加工。
又，在實施形態中為：在溝加工步驟1004中，雖然雷射加工裝置1是和黑化步驟1003同樣地以圖6所示之能量分布214照射光斑216-1、216-2的形狀為矩形狀之脈衝雷射光束21，但在本發明中，亦可照射光斑的形狀為球形(圓形)之脈衝雷射光束21。
如此進行，實施形態之雷射加工方法為：在黑化步驟1003中，照射比溝加工步驟1004更高的重疊率O且較低的能量之脈衝雷射光束21來將功能層205黑化，並在溝加工步驟1004中照射比黑化步驟1003更低的重疊率O且較高的能量之脈衝雷射光束21來形成雷射加工溝207。
在實施形態中為：若雷射加工裝置1在晶圓200的全部的分割預定線203形成雷射加工溝207後，即停止脈衝雷射光束21的照射。在實施形態中為：雷射加工裝置1是移動單元30使工作夾台10朝向搬入搬出區域移動，且讓工作夾台10停止於搬入搬出區域，工作夾台10會停止晶圓200的吸引保持，並且夾具部12會解除環狀框架210的夾持，而可將晶圓200從工作夾台10的保持面11搬出，並結束加工動作以及雷射加工方法。
已施行實施形態之雷射加工方法的晶圓200是去除水溶性保護膜，沿著分割預定線203施行切削加工而分割成一個個的器件204。
如以上所說明，實施形態之雷射加工方法具備黑化步驟1003與溝加工步驟1004。雷射加工方法是在黑化步驟1003中，將能量比溝加工步驟1004更低之脈衝雷射光束21重複照射，並以比溝加工步驟1004更大的重疊率O來重複照射脈衝雷射光束21。又，雷射加工方法是在溝加工步驟1004中，對經黑化之功能層205設定聚光點21-1來照射脈衝雷射光束21。
因此，雷射加工方法因為是在溝加工步驟1004中對經黑化而將脈衝雷射光束21的吸收性提升之狀態的功能層205照射脈衝雷射光束21，所以可以在不在基材201設定聚光點21-1的情形下，亦即以抑制了功能層205的剝離之狀態來照射脈衝雷射光束21，藉此形成雷射加工溝207。其結果，雷射加工方法會發揮以下效果：可以既抑制功能層205的剝離並且在晶圓200形成雷射加工溝207。
再者，本發明並非限定於上述實施形態之發明。亦即，在不脫離本發明之要點的範圍內，可以進行各種變形來實施。
1001:能量分布設定步驟
1002:保護膜形成步驟
1003:黑化步驟
1004:溝加工步驟

Claims (2)

  1. 一種雷射加工方法，對在基材上具有有機膜之晶圓施行雷射加工，前述雷射加工方法具備有以下步驟： 黑化步驟，使對該有機膜具有穿透性之波長的脈衝雷射光束從雷射振盪器射出，並將可加工該有機膜之加工閾值以上的能量的該脈衝雷射光束，以連續被照射於該有機膜之該脈衝雷射光束的重疊率成為90%以上且小於100%之方式，來對該有機膜照射而使該有機膜黑化；及 溝加工步驟，在實施該黑化步驟後，對經黑化之該有機膜照射該脈衝雷射光束來使經黑化之該有機膜吸收脈衝雷射光束而形成雷射加工溝。
  2. 如請求項1之雷射加工方法，其中在該黑化步驟中，照射在該有機膜之脈衝雷射光束是藉由將高斯分布的山坡部分修正成垂直的分布，來防止比該加工閾值更低的能量之該脈衝雷射光束穿透該有機膜而照射於該基材。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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CN117943266B (zh) * 2022-10-21 2025-11-14 华为技术有限公司 菲涅尔膜的加工方法、菲涅尔膜、ppg模组及电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130164506A1 (en) * 2009-10-23 2013-06-27 William George Clark Apparatus for the selective separation of two layers of material using an ultrashort pulse source of electromagnetic radiation
US20150303064A1 (en) * 2013-04-23 2015-10-22 Massachusetts Institute Of Technology Developer Free Positive Tone Lithography by Thermal Direct Write

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0674808B2 (ja) * 1990-11-30 1994-09-21 株式会社荏原製作所 セラミックス製動圧軸受の溝加工方法
JPH11320141A (ja) * 1998-03-20 1999-11-24 Ricoh Microelectronics Co Ltd 導電性膜の加工装置
DE10108924A1 (de) * 2001-02-23 2002-09-05 Infineon Technologies Ag Wafer-Test- und Markierverfahren für Halbleiterbausteine mit Schmelzstrukturen
JP2008147406A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Cyber Laser Kk レーザによる集積回路の修正方法および装置
US7681301B2 (en) 2007-03-07 2010-03-23 James Neil Rodgers RFID silicon antenna
JP4959422B2 (ja) 2007-05-30 2012-06-20 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
US20100119808A1 (en) 2008-11-10 2010-05-13 Xinghua Li Method of making subsurface marks in glass
JP2010153607A (ja) 2008-12-25 2010-07-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US8912077B2 (en) 2011-06-15 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier
US8703581B2 (en) * 2011-06-15 2014-04-22 Applied Materials, Inc. Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch
JP6078376B2 (ja) 2013-02-22 2017-02-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2015050434A (ja) 2013-09-04 2015-03-16 古河電気工業株式会社 窒化物半導体装置
JP6189208B2 (ja) 2013-12-26 2017-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2016129202A (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017051985A (ja) 2015-09-10 2017-03-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN108349296B (zh) 2016-09-06 2019-11-05 苹果公司 阳极化表面的激光漂白标记
JP2019111542A (ja) * 2017-12-21 2019-07-11 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP7233019B2 (ja) 2018-06-05 2023-03-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
JP6997475B2 (ja) 2020-08-21 2022-01-17 三信化工株式会社 レーザーマーキングされた樹脂製成形体およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130164506A1 (en) * 2009-10-23 2013-06-27 William George Clark Apparatus for the selective separation of two layers of material using an ultrashort pulse source of electromagnetic radiation
US20150303064A1 (en) * 2013-04-23 2015-10-22 Massachusetts Institute Of Technology Developer Free Positive Tone Lithography by Thermal Direct Write

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