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TWI889721B - 半導體加工用積層體、半導體加工用黏著帶、及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

半導體加工用積層體、半導體加工用黏著帶、及半導體裝置之製造方法

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Publication number
TWI889721B
TWI889721B TW109138678A TW109138678A TWI889721B TW I889721 B TWI889721 B TW I889721B TW 109138678 A TW109138678 A TW 109138678A TW 109138678 A TW109138678 A TW 109138678A TW I889721 B TWI889721 B TW I889721B
Authority
TW
Taiwan
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semiconductor processing
adhesive tape
tape
adhesive
temporary fixing
Prior art date
Application number
TW109138678A
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English (en)
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TW202134374A (zh
Inventor
林聡史
菱田誠
Original Assignee
日商積水化學工業股份有限公司
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Publication date
Application filed by 日商積水化學工業股份有限公司 filed Critical 日商積水化學工業股份有限公司
Publication of TW202134374A publication Critical patent/TW202134374A/zh
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    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

本發明之目的在於提供一種於拾取半導體封裝時可容易地剝離而不損及切割時之接著性之半導體加工用積層體及半導體加工用黏著帶。又，本發明之目的在於提供一種使用該半導體加工用黏著帶之半導體裝置之製造方法。本發明係一種半導體加工用積層體，其具有暫時固定帶及積層於上述暫時固定帶上之半導體加工用黏著帶，上述暫時固定帶至少具有黏著劑層，上述半導體加工用黏著帶具有基材及積層於上述基材之一面之黏著劑層，且以上述半導體加工用黏著帶之上述基材與上述暫時固定帶之上述黏著劑層相接之方式積層於上述暫時固定帶上，且上述半導體加工用黏著帶與上述暫時固定帶滿足下述式（1）： 2.0×10-3 ≦（Fa/Fb）≦6.0×10-2 （1） 式（1）中，Fa表示將半導體加工用黏著帶貼附於銅板並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力，Fb表示將暫時固定帶貼附於半導體加工用黏著帶之基材面並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力。

Description

半導體加工用積層體、半導體加工用黏著帶、及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種於拾取半導體封裝時可容易地剝離而不損及切割時之接著性之半導體加工用積層體及半導體加工用黏著帶。又，本發明係關於一種使用該半導體加工用黏著帶之半導體裝置之製造方法。
加工半導體等電子零件時，為了使電子零件易於操作，並防止其破損，採取如下措施：經由黏著劑組成物將電子零件固定於支持板，或將黏著帶貼附於電子零件，從而對電子零件進行保護。例如，於將自高純度之矽單晶等切割出之厚膜晶圓研磨至規定厚度而製成薄膜晶圓之情形時，經由黏著劑組成物將厚膜晶圓接著於支持板。
又，於對面積較大之半導體封裝進行切割而獲得多個經單片化之半導體封裝之情形時，亦將黏著帶貼附於半導體封裝。於此種步驟中，將貼附有黏著帶之半導體封裝進而暫時固定於被稱為切割保護膠帶（dicing tape）之膠帶上，於切割保護膠帶上將半導體封裝連同黏著帶一起切割。切割後，藉由針式拾取（needle pick up）等，將經單片化之半導體封裝自切割保護膠帶及/或黏著帶剝離。
如此，對於電子零件所使用之黏著劑組成物或黏著帶，不僅需要能夠於加工步驟中將電子零件牢固地固定之較高之接著性，而且要求於步驟結束後能夠將電子零件剝離而不使其受損（以下，亦稱為「高接著易剝離」）。 作為實現高接著易剝離之手段，例如於專利文獻1中揭示有一種黏著片，其使用在聚合物之側鏈或主鏈鍵結有「具有輻射聚合性官能基之多官能性單體或低聚物」之黏著劑。因具有輻射聚合性官能基故照射紫外線會使聚合物硬化，利用上述情況，於剝離時照射紫外線，藉此黏著力會降低，從而可不殘留糊劑地剝離。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開平5-32946號公報
[發明所欲解決之課題]
另一方面，行動電話等通訊裝置隨著高頻化之發展，產生了如下問題：因高頻而產生之雜訊引起半導體封裝之誤動作。特別是，近年來通訊裝置逐漸小型化，由此設備密度逐漸增加或者設備逐漸低電壓化，故而半導體封裝容易受到因高頻而產生之雜訊之影響。 針對該問題，例如藉由濺鍍等對切割後之經單片化之半導體封裝之背面及側面實施以金屬膜覆蓋之屏蔽處理，將高頻阻斷。於此種屏蔽處理中，亦為了保護電路面（前表面）及防止污染電路面（前表面），而將黏著帶貼附於半導體封裝之電路面（前表面）。即，將於電路面（前表面）貼附有黏著帶之半導體封裝進而暫時固定於暫時固定帶上，並於暫時固定帶上於半導體封裝之背面及側面形成金屬膜。
目前，對於如下情況尚未進行充分研究：於半導體封裝之電路面（前表面）貼附有黏著帶之狀態下，進行切割半導體封裝直至對所獲得之經單片化之半導體封裝實施屏蔽處理之一連串步驟。 本發明之目的在於提供一種於拾取半導體封裝時可容易地剝離而不損及切割時之接著性之半導體加工用積層體及半導體加工用黏著帶。又，本發明之目的在於提供一種使用該半導體加工用黏著帶之半導體裝置之製造方法。 [解決課題之技術手段]
本發明係一種半導體加工用積層體，其具有暫時固定帶及積層於上述暫時固定帶上之半導體加工用黏著帶，上述暫時固定帶至少具有黏著劑層，上述半導體加工用黏著帶具有基材及積層於上述基材之一面之黏著劑層，且以上述半導體加工用黏著帶之上述基材與上述暫時固定帶之上述黏著劑層相接之方式積層於上述暫時固定帶上，且上述半導體加工用黏著帶與上述暫時固定帶滿足下述式（1）： 2.0×10-3 ≦（Fa/Fb）≦6.0×10-2 （1） 式（1）中，Fa表示將半導體加工用黏著帶貼附於銅板並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力，Fb表示將暫時固定帶貼附於半導體加工用黏著帶之基材面並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力。
又，本發明係一種半導體加工用黏著帶，其具有基材及積層於上述基材之一面之黏著劑層，且滿足下述式（2）： 2.0×10-3 ≦（Fa/Fb'）≦6.0×10-2 （2） 式（2）中，Fa表示將半導體加工用黏著帶貼附於銅板並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力，Fb'表示將對SUS板之接著力為7.5 N/25 mm之暫時固定帶貼附於半導體加工用黏著帶之基材面並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力。 以下，對本發明進行詳細敍述。
本發明人等對於如下情況進行了研究：於半導體封裝之電路面（前表面）貼附有黏著帶之狀態下，進行切割半導體封裝直至對所獲得之經單片化之半導體封裝實施屏蔽處理之一連串步驟。對於此種黏著帶，要求在切割及屏蔽處理時對半導體封裝發揮較高之接著性，另一方面，於拾取半導體封裝時可容易地自半導體封裝剝離。特別是，若切割時之接著性不充分，則切割洗淨水會滲入至半導體封裝與黏著帶之界面導致黏著帶剝離。另一方面，若拾取時之剝離性不充分，則於暫時固定帶與黏著帶之界面產生剝離而並非於半導體封裝與黏著帶之界面產生剝離，導致拾取不良。 本發明人等對如下積層體進行了研究，該積層體具有暫時固定帶及積層於上述暫時固定帶上之黏著帶，上述暫時固定帶至少具有黏著劑層，上述黏著帶具有基材及黏著劑層，且以上述黏著帶之上述基材與上述暫時固定帶之上述黏著劑層相接之方式積層於上述暫時固定帶上。本發明人等發現，於此種積層體中，著眼於「黏著帶對被黏著體（製成標準銅板）之接著力」及「暫時固定帶對黏著帶基材面之接著力」，將該等之比調整為特定範圍，藉此可獲得切割時之接著性與拾取時之剝離性均得到提高之黏著帶。藉此，完成本發明。
首先，對本發明之半導體加工用積層體進行說明。 本發明之半導體加工用積層體具有暫時固定帶及積層於上述暫時固定帶上之半導體加工用黏著帶。
上述暫時固定帶並無特別限定，可使用半導體裝置之製造方法、尤其是切割或屏蔽處理時通常使用之用於暫時固定之黏著帶。 上述暫時固定帶對SUS板之接著力之較佳之下限為6.0 N/25 mm，較佳之上限為9.0 N/25 mm。藉由上述暫時固定帶對SUS板之接著力處於上述範圍內，容易將如下所述之Fa/Fb調整為特定範圍，從而切割時之接著性與拾取時之剝離性均得到提高。上述暫時固定帶對SUS板之接著力之更佳之下限為7.0 N/25 mm，更佳之上限為8.0 N/25 mm。 作為上述暫時固定帶對SUS板之接著力之測定方法，例如可列舉如下方法。首先，將上述暫時固定帶載置於SUS板上。使2 kg之橡膠輥以300 mm/分鐘之速度於上述暫時固定帶上往返一次，藉此將上述暫時固定帶與SUS板貼合。其後，於23℃靜置1小時，從而製作試驗樣品。對於靜置後之試驗樣品，依據JIS Z0237：2009，使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造），於溫度23℃、相對濕度50%之環境下以300 mm/min之拉伸速度在180°方向將上述暫時固定帶剝離，測定剝離力。
上述暫時固定帶至少具有黏著劑層。其中，上述暫時固定帶較佳為具有基材及積層於上述基材之一面之聚矽氧黏著劑層。藉由具有上述聚矽氧黏著劑層，上述暫時固定帶之耐熱性提高。 構成上述聚矽氧黏著劑層之聚矽氧化合物並無特別限定，例如可列舉加成硬化型聚矽氧、過氧化物硬化型聚矽氧等。
上述暫時固定帶之上述黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳之下限為5 μm，較佳之上限為500 μm。藉由上述黏著劑層之厚度處於上述範圍內，能夠以充分之黏著力貼附於被黏著體，從而可充分固定被黏著體。就改善黏著力之觀點而言，上述黏著劑層之厚度之更佳之下限為10 μm，更佳之上限為300 μm，進而較佳之下限為15 μm，進而較佳之上限為250 μm，進而更佳之上限為200 μm。
上述暫時固定帶之上述基材之材料並無特別限制，較佳為耐熱性材料。 作為上述暫時固定帶之上述基材之材料，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚縮醛、聚醯胺、聚碳酸酯、聚苯醚（polyphenylene ether）、聚對苯二甲酸丁二酯、超高分子量聚乙烯、對排聚苯乙烯（syndiotactic polystyrene）、聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、氟樹脂、液晶聚合物等。其中，就使耐熱性優異而言，較佳為聚醯亞胺、聚醯胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯。
上述暫時固定帶之上述基材之厚度並無特別限定，較佳之下限為5 μm，較佳之上限為200 μm。藉由上述暫時固定帶之上述基材之厚度處於上述範圍內，可製成具有適度之彈性且操作性優異之暫時固定帶。上述暫時固定帶之上述基材之厚度之更佳之下限為10 μm，更佳之上限為150 μm。
上述暫時固定帶之市售品並無特別限定，例如可列舉Kapton（註冊商標）黏著帶650R#50、650S#50（均為寺岡公司製造）等。
上述半導體加工用黏著帶具有基材及積層於上述基材之一面之黏著劑層，且以上述半導體加工用黏著帶之上述基材與上述暫時固定帶之上述黏著劑層相接之方式積層於上述暫時固定帶上。再者，上述半導體加工用黏著帶之上述基材與上述暫時固定帶之上述黏著劑層相接意指：上述半導體加工用黏著帶之上述基材中之與上述黏著劑層為相反側之表面（未積層上述黏著劑層之側之表面）與上述暫時固定帶之上述黏著劑層相接。
上述半導體加工用黏著帶之上述基材之材料並無特別限制，較佳為耐熱性材料。 作為上述半導體加工用黏著帶之上述基材之材料，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚縮醛、聚醯胺、聚碳酸酯、聚苯醚、聚對苯二甲酸丁二酯、超高分子量聚乙烯、對排聚苯乙烯、聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、氟樹脂、液晶聚合物等。其中，就使耐熱性優異而言，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯。
上述半導體加工用黏著帶之上述基材較佳為於與上述黏著劑層為相反側之表面具有易接著層。 上述易接著層形成於上述半導體加工用黏著帶之上述基材中之與上述黏著劑層為相反側之表面，即背面。藉由上述半導體加工用黏著帶之上述基材具有上述易接著層，容易將如下所述之Fa/Fb調整為特定範圍，從而切割時之接著性與拾取時之剝離性均得到提高。
作為上述易接著層，例如可列舉SiOx層、金屬氧化物層、有機金屬化合物層、聚矽氧化合物層、聚合性聚合物層、電暈處理層、電漿處理層等。其中，就「使上述暫時固定帶對上述黏著劑層尤其是對上述聚矽氧黏著劑層之密接性優異」而言，較佳為SiOx層、金屬氧化物層、有機金屬化合物層、聚矽氧化合物層或聚合性聚合物層。
形成上述SiOx層之方法並無特別限定，例如可列舉：於基材背面蒸鍍二氧化矽之方法、於基材背面濺鍍二氧化矽之方法、於基材背面塗佈二氧化矽之方法等。
上述金屬氧化物層中所含之金屬氧化物並無特別限定，例如可列舉：氧化鋁、摻銻氧化錫（ATO）、氧化銅、摻錫氧化銦（ITO）等。其中，較佳為氧化鋁、摻銻氧化錫（ATO）。 形成上述金屬氧化物層之方法並無特別限定，例如可列舉：於基材背面蒸鍍上述金屬氧化物之方法、於基材背面濺鍍上述金屬氧化物之方法、於基材背面塗佈含有上述金屬氧化物之塗佈劑之方法等。
上述有機金屬化合物層中所含之有機金屬化合物並無特別限定，例如可列舉：有機鈦化合物、有機鋯化合物、有機鋁化合物等。其中，較佳為有機鈦化合物。 形成上述有機金屬化合物層之方法並無特別限定，例如可列舉於基材背面塗佈鈦低聚物系塗佈劑等塗佈劑之方法等。
上述聚矽氧化合物層中所含之聚矽氧化合物並無特別限定，例如可列舉聚矽氧烷等。 形成上述聚矽氧化合物層之方法並無特別限定，例如可列舉於基材背面塗佈聚矽氧烷系塗佈劑等塗佈劑之方法等。
上述聚合性聚合物層中所含之聚合性聚合物並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸聚合物、聚酯聚合物、胺酯（urethane）聚合物等。其中，較佳為丙烯酸聚合物。 形成上述聚合性聚合物層之方法並無特別限定，可列舉於基材背面塗佈丙烯酸聚合物系塗佈劑等塗佈劑之方法等。
作為形成上述電暈處理層之方法，例如可列舉如下等方法：使用高頻電源裝置（春日電機公司製造之AGI-020），於輸出0.24 Kw、速度40 mm/min、電極距離1 mm之條件下使膜往返一次，從而對基材背面實施電暈處理。
上述易接著層之厚度並無特別限定，較佳之下限為1 nm，較佳之上限為10 μm。藉由上述易接著層之厚度處於上述範圍內，更容易將如下所述之Fa/Fb調整為特定範圍。上述易接著層之厚度之更佳之下限為5 nm，更佳之上限為5 μm。
上述半導體加工用黏著帶之上述基材之厚度並無特別限定，較佳之下限為5 μm，較佳之上限為200 μm。藉由上述半導體加工用黏著帶之上述基材之厚度處於上述範圍內，可製成具有適度之彈性且操作性優異之半導體加工用黏著帶。上述半導體加工用黏著帶之上述基材之厚度之更佳之下限為10 μm，更佳之上限為150 μm。
構成上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層之黏著劑並無特別限定，非硬化型黏著劑或硬化型黏著劑均可。具體而言，例如可列舉：橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺酯系黏著劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系黏著劑等。其中，就使耐熱性優異，且容易調節黏著力而言，丙烯酸系黏著劑較為適宜，丙烯酸系硬化型黏著劑更佳。
作為上述硬化型黏著劑，可列舉藉由光照射而交聯及硬化之光硬化型黏著劑、藉由加熱而交聯及硬化之熱硬化型黏著劑等。其中，就使被黏著體不易受損，且可容易地進行硬化而言，較佳為光硬化型黏著劑。即，上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層較佳為光硬化型黏著劑層。 作為上述光硬化型黏著劑，例如可列舉以聚合性聚合物為主成分且含有光聚合起始劑之黏著劑。作為上述熱硬化型黏著劑，例如可列舉以聚合性聚合物為主成分且含有熱聚合起始劑之黏著劑。
上述聚合性聚合物例如可藉由如下方式獲得：預先合成於分子內具有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物（以下，稱為含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物），使之與於分子內具有與上述官能基反應之官能基及自由基聚合性之不飽和鍵之化合物（以下，稱為含官能基不飽和化合物）進行反應。
上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物例如可藉由如下方式獲得：使烷基之碳數處於2～18之範圍內之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯、含官能基單體及進而視需要添加之可與該等共聚合之其他改質用單體共聚合。
上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量並無特別限定，通常為20萬～200萬左右。 再者，重量平均分子量可使用凝膠滲透層析法確定。更具體而言，例如利用過濾器（材質：聚四氟乙烯；孔徑：0.2 μm）對「藉由四氫呋喃（THF）將所獲得之聚合物調整為0.2重量%而獲得之稀釋液」進行過濾。將所獲得之濾液供給至凝膠滲透層析儀（Waters公司製造之2690 Separations Model或其同等品），於樣品流量1 mL/min、管柱溫度40℃之條件下進行GPC測定，測定聚苯乙烯換算分子量，從而求出重量平均分子量（Mw）。使用GPC KF-806L（昭和電工公司製造，亦可為其同等品）作為管柱，使用示差折射計作為檢測器。
作為上述含官能基單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基單體；或丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸羥基乙酯等含羥基單體；或丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯等含環氧基單體。又，作為上述含官能基單體，例如亦可列舉：丙烯酸異氰酸基乙酯、甲基丙烯酸異氰酸基乙酯等含異氰酸基單體；或丙烯酸胺基乙酯、甲基丙烯酸胺基乙酯等含胺基單體等。
作為上述可共聚合之其他改質用單體，例如可列舉乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等一般之(甲基)丙烯酸系聚合物所使用之各種單體。
要想獲得上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物，只要使原料單體於聚合起始劑之存在下進行自由基反應即可。作為使上述原料單體進行自由基反應之方法即聚合方法，使用以往公知之方法，例如可列舉：溶液聚合（沸點聚合或恆溫聚合）、乳化聚合、懸浮聚合、塊狀聚合等。 用於獲得上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之自由基反應所使用之聚合起始劑並無特別限定，例如可列舉有機過氧化物、偶氮化合物等。作為上述有機過氧化物，例如可列舉：1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷、過氧化三甲基乙酸三級己酯、過氧化三甲基乙酸三級丁酯、2,5-二甲基-2,5-雙(2-乙基己醯基過氧基)己烷、過氧化-2-乙基己酸三級己酯、過氧化-2-乙基己酸三級丁酯、過氧化異丁酸三級丁酯、過氧化-3,5,5-三甲基己酸三級丁酯、過氧化月桂酸三級丁酯等。作為上述偶氮化合物，例如可列舉偶氮二異丁腈、偶氮雙環己甲腈（azobis（cyclohexanecarbonitrile））等。該等聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為與上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物反應之含官能基不飽和化合物，可根據上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基，使用與上述含官能基單體相同者。例如，於上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為羧基之情形時，使用含環氧基單體或含異氰酸基單體。於上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為羥基之情形時，使用含異氰酸基單體。於上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為環氧基之情形時，使用含羧基單體或丙烯醯胺等含醯胺基單體。於上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為胺基之情形時，使用含環氧基單體。
上述光硬化型黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。上述光聚合起始劑例如可列舉藉由照射250～800 nm之波長之光而活化者。作為此種光聚合起始劑，例如可列舉：甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物；或安息香丙醚、安息香異丁醚等安息香醚系化合物；或二苯乙二酮二甲基縮酮（benzil dimethyl ketal）、苯乙酮二乙基縮酮等縮酮衍生物化合物；或膦氧化物衍生物化合物。又，亦可列舉：雙(η5-環戊二烯基)二茂鈦衍生物化合物、二苯甲酮、米其勒酮、氯9-氧硫𠮿（chlorothioxanthone）、十二烷基9-氧硫𠮿、二甲基9-氧硫𠮿、二乙基9-氧硫𠮿、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。該等光聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述熱硬化型黏著劑較佳為含有熱聚合起始劑。作為上述熱聚合起始劑，可列舉受熱分解而產生使聚合硬化開始之活性自由基者。具體而言，例如可列舉：雙異苯丙基過氧化物、二（三級丁基）過氧化物、過氧化苯甲酸三級丁酯、三級丁基氫過氧化物、過氧化苯甲醯、異丙苯氫過氧化物、二異丙基苯氫過氧化物、對薄荷烷氫過氧化物、二（三級丁基）過氧化物等。 上述熱聚合起始劑之市售品並無特別限定，例如可列舉：Perbutyl D、Perbutyl H、Perbutyl P、Perpenta H（以上均為日油公司製造）等。該等熱聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層亦可進而含有自由基聚合性之多官能低聚物或單體。藉由含有自由基聚合性之多官能低聚物或單體，上述黏著劑層之光硬化性及熱硬化性得到提高。 上述多官能低聚物或單體並無特別限定，較佳為重量平均分子量為1萬以下。就「藉由光照射或加熱使上述黏著劑層高效率地三維網狀化」而言，上述多官能低聚物或單體較佳為重量平均分子量為5000以下且分子內之自由基聚合性之不飽和鍵之數量為2～20個。
作為上述多官能低聚物或單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯及該等之甲基丙烯酸酯等。又，作為上述多官能低聚物或單體，例如亦可列舉：1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售之寡酯丙烯酸酯及該等之甲基丙烯酸酯等。該等多官能低聚物或單體可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層亦可進而含有發煙二氧化矽（fumed silica）等無機填料。藉由含有無機填料，上述黏著劑層之凝聚力提昇，且切割時之接著性與拾取時之剝離性均得到提高。
上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層較佳為含有交聯劑。藉由含有交聯劑，上述黏著劑層之凝聚力提昇，且切割時之接著性與拾取時之剝離性均得到提高。 上述交聯劑並無特別限定，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑等。其中，就使黏著力進一步提高而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑。
上述交聯劑之含量相對於構成上述黏著劑層之黏著劑100重量份，較佳為0.01重量份以上20重量份以下。藉由上述交聯劑之含量處於上述範圍內，可使上述黏著劑適度地交聯而提高黏著力。就進一步提高黏著力之觀點而言，上述交聯劑之含量之更佳之下限為0.05重量份，更佳之上限為15重量份，進而較佳之下限為0.1重量份，進而較佳之上限為10重量份。
上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層亦可含有塑化劑、樹脂、界面活性劑、蠟、微粒子填充劑等公知之添加劑。該等添加劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層之凝膠分率較佳為20重量%以上80重量%以下。藉由上述凝膠分率處於上述範圍內，能夠以充分之黏著力貼附於被黏著體，從而可充分固定被黏著體。就改善黏著力之觀點而言，上述黏著劑層之凝膠分率更佳為30重量%以上，進而較佳為70重量%以下。 再者，於上述黏著劑為硬化型黏著劑之情形時，上述凝膠分率係指硬化前之凝膠分率。
上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳之下限為5 μm，較佳之上限為500 μm。藉由上述黏著劑層之厚度處於上述範圍內，能夠以充分之黏著力貼附於被黏著體，從而可充分固定被黏著體。就改善黏著力之觀點而言，上述黏著劑層之厚度之更佳之下限為10 μm，更佳之上限為300 μm，進而較佳之下限為15 μm，進而較佳之上限為250 μm，進而更佳之上限為200 μm。
關於本發明之半導體加工用積層體，上述半導體加工用黏著帶及上述暫時固定帶滿足下述式（1）： 2.0×10-3 ≦（Fa/Fb）≦6.0×10-2 （1） 式（1）中，Fa表示將半導體加工用黏著帶貼附於銅板並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力，Fb表示將暫時固定帶貼附於半導體加工用黏著帶之基材面並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力。
上述Fa係表示「半導體加工用黏著帶對被黏著體（製成標準銅板）之接著力」之指標，上述Fb係表示「暫時固定帶對半導體加工用黏著帶基材面之接著力」之指標。藉由上述Fa/Fb處於上述範圍內，本發明之半導體加工用積層體於拾取半導體封裝時可容易地剝離而不損及切割時之接著性。此處，半導體加工用黏著帶基材面意指半導體加工用黏著帶之基材之面中未積層黏著劑層之側。 再者，作為半導體加工用黏著帶之被黏著體之銅板意指滿足JIS H3100：2018之銅板（例如Engineering Test Service公司製造之C1100P），且係假定半導體封裝之電路面而選擇者。又，「於150℃加熱1小時」係假定進行半導體封裝之屏蔽處理時施加於本發明之半導體加工用積層體之溫度及時間而設定者。
若上述Fa/Fb未達2.0×10-3 ，則意指上述Fa過小，或上述Fb過大。由此，例如進行切割時之上述半導體加工用黏著帶之接著性不充分，切割洗淨水滲入至半導體封裝與上述半導體加工用黏著帶之界面，導致上述半導體加工用黏著帶剝離。 若上述Fa/Fb超過6.0×10-2 ，則意指上述Fa過大，或上述Fb過小。由此，例如拾取半導體封裝時上述半導體加工用黏著帶之剝離性不充分，於上述暫時固定帶與上述半導體加工用黏著帶之界面產生剝離而並非於半導體封裝與上述半導體加工用黏著帶之界面產生剝離，導致拾取不良。上述Fa/Fb之較佳之上限為2.0×10-2 。
上述Fa之具體值並無特別限定，較佳之下限為0.03 N/25 mm，較佳之上限為0.3 N/25 mm，更佳之下限為0.05 N/25 mm，更佳之上限為0.2 N/25 mm，進而較佳之下限為0.15 N/25 mm。 上述Fb之具體值並無特別限定，較佳之下限為5 N/25 mm，較佳之上限為20 N/25 mm。
作為上述Fa之測定方法，例如可列舉如下方法。首先，將上述半導體加工用黏著帶以其黏著劑層與銅板（滿足JIS H3100：2018之銅板，例如Engineering Test Service公司製造之C1100P）對向之方式載置於銅板上。使2 kg之橡膠輥以300 mm/分鐘之速度往返一次，藉此將上述半導體加工用黏著帶與上述銅板貼合。其後，於23℃靜置1小時，從而製作試驗樣品。對於靜置後之試驗樣品，使用預先加熱至150℃之烘箱加熱1小時。加熱後，取出試驗樣品，放置於溫度23℃、相對濕度50%之環境下充分進行冷卻。依據JIS Z0237：2009，使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造），於溫度23℃、相對濕度50%之環境下以300 mm/min之拉伸速度在180°方向將上述半導體加工用黏著帶剝離，測定剝離力。
作為上述Fb之測定方法，例如可列舉如下方法。首先，使用雙面膠帶（積水化學工業公司製造之雙面接著帶#3815或其同等品），將上述半導體加工用黏著帶之具有上述黏著劑層之面及測定基座（SUS板）固定。繼而，以上述半導體加工用黏著帶之基材面與上述暫時固定帶之黏著劑層對向之方式，將上述暫時固定帶載置於上述半導體加工用黏著帶上。使2 kg之橡膠輥以300 mm/分鐘之速度往返一次，藉此將上述半導體加工用黏著帶與上述暫時固定帶貼合。其後，於23℃靜置1小時，從而製作試驗樣品。對於靜置後之試驗樣品，使用預先加熱至150℃之烘箱加熱1小時。加熱後，取出試驗樣品，放置於溫度23℃、相對濕度50%之環境下充分進行冷卻。依據JIS Z0237：2009，使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造），於溫度23℃、相對濕度50%之環境下以300 mm/min之拉伸速度在180°方向將上述暫時固定帶剝離，測定剝離力。
於上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層為光硬化型黏著劑層之情形時，上述Fa係經由如下步驟後進行測定：於將上述半導體加工用黏著帶貼附於銅板後且於150℃加熱1小時前，向上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層照射光，使該黏著劑層硬化。 作為向上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層照射光之方法，例如可列舉如下方法：使用超高壓水銀紫外線照射器，以累計照射量成為3000 mJ/cm2 之方式自上述基材側向上述黏著劑層照射365 nm之紫外線。此時之照射強度並無特別限定，較佳為50～100 mW/cm2 。
要想將上述Fa/Fb調整為上述範圍，只要調整上述Fa及上述Fb各自之具體值即可。要想提高上述Fa/Fb，只要增大上述Fa之值，或減小上述Fb之值即可，要想降低上述Fa/Fb，只要減小上述Fa之值，或增大上述Fb之值即可。 作為將上述Fa調整為上述範圍之方法，例如可列舉：如上所述調整上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層之種類、組成、物性等之方法。作為將上述Fb調整為上述範圍之方法，例如可列舉：於上述半導體加工用黏著帶之上述基材之與上述黏著劑層為相反側之表面即背面形成上述易接著層之方法；及如上所述調整上述暫時固定帶之上述黏著劑層之種類、組成、物性等之方法。
其次，對本發明之半導體加工用黏著帶進行說明。 本發明之半導體加工用黏著帶具有基材及積層於上述基材之一面之黏著劑層。上述基材及上述黏著劑層與本發明之半導體加工用積層體中之半導體加工用黏著帶之基材及黏著劑層相同。
本發明之半導體加工用黏著帶滿足下述式（2）： 2.0×10-3 ≦（Fa/Fb'）≦6.0×10-2 （2） 式（2）中，Fa表示將半導體加工用黏著帶貼附於銅板並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力，Fb'表示將對SUS板之接著力為7.5 N/25 mm之暫時固定帶貼附於半導體加工用黏著帶之基材面並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力。
上述Fa/Fb'係與上述Fa/Fb相同之值。 但是，上述Fb係與構成本發明之半導體加工用積層體之暫時固定帶相關之值，相對於此，由於本發明之半導體加工用黏著帶不具有暫時固定帶，故而上述Fb'係與「對SUS板之接著力為7.5 N/25 mm之更具體之暫時固定帶」及「本發明之半導體加工用黏著帶」相關之值。 藉由上述Fa/Fb'處於上述範圍內，本發明之半導體加工用黏著帶於拾取半導體封裝時可容易地剝離而不損及切割時之接著性。
若上述Fa/Fb'未達2.0×10-3 ，則意指上述Fa過小，或上述Fb'過大。由此，例如進行切割時之上述半導體加工用黏著帶之接著性不充分，切割洗淨水滲入至半導體封裝與上述半導體加工用黏著帶之界面，導致上述半導體加工用黏著帶剝離。 若上述Fa/Fb'超過6.0×10-2 ，則意指上述Fa過大，或上述Fb'過小。由此，例如拾取半導體封裝時上述半導體加工用黏著帶之剝離性不充分，於上述暫時固定帶與上述半導體加工用黏著帶之界面產生剝離而並非於半導體封裝與上述半導體加工用黏著帶之界面產生剝離，導致拾取不良。
上述Fb'之具體值並無特別限定，較佳之下限為5 N/25 mm，較佳之上限為20 N/25 mm。
上述對SUS板之接著力為7.5 N/25 mm之暫時固定帶並無特別限定，只要對SUS板之接著力為7.5 N/25 mm即可。作為此種暫時固定帶，適宜使用具有聚矽氧黏著劑層之暫時固定帶，作為適宜之市售品，例如可列舉Kapton（註冊商標）黏著帶650R#50（寺岡公司製造）等。 作為暫時固定帶對SUS板之接著力之測定方法，例如可列舉如下方法。首先，將暫時固定帶載置於SUS板上。使2 kg之橡膠輥以300 mm/分鐘之速度於暫時固定帶上往返一次，藉此將暫時固定帶與SUS板貼合。其後，於23℃靜置1小時，從而製作試驗樣品。對於靜置後之試驗樣品，依據JIS Z0237：2009，使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造），於溫度23℃、相對濕度50%之環境下以300 mm/min之拉伸速度在180°方向將暫時固定帶剝離，測定剝離力。
製造本發明之半導體加工用黏著帶之方法並無特別限定，例如可列舉如下方法：製備構成黏著劑層之黏著劑之溶液後，將該溶液塗佈於預先藉由背面處理形成了易接著層之基材之與易接著層為相反側之表面，形成黏著劑層。 又，將以此方式獲得之本發明之半導體加工用黏著帶視需要貼附於半導體封裝之電路面，或將半導體封裝連同本發明之半導體加工用黏著帶一起切割後，積層於暫時固定帶上，藉此可獲得本發明之半導體加工用積層體。
圖1中示出示意性地表示本發明之半導體加工用積層體及本發明之半導體加工用黏著帶之一例的剖面圖。 圖1所示之半導體加工用積層體1具有暫時固定帶3及積層於暫時固定帶3上之半導體加工用黏著帶2。半導體加工用黏著帶2具有基材2b及積層於基材2b之一面之黏著劑層2a，且以半導體加工用黏著帶2之基材2b與暫時固定帶3之黏著劑層（未圖示）相接之方式積層於暫時固定帶3上。
於本發明之半導體加工用積層體及本發明之半導體加工用黏著帶中，亦可進而於上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層上積層有半導體封裝。 圖2中示出示意性地表示本發明之半導體加工用積層體及本發明之半導體加工用黏著帶之另一例的剖面圖。 圖2所示之半導體加工用積層體1具有暫時固定帶3及積層於暫時固定帶3上之半導體加工用黏著帶2，進而具有積層於半導體加工用黏著帶2之黏著劑層2a上之半導體封裝4。半導體加工用黏著帶2以黏著劑層2a與半導體封裝4之電路面相接之方式積層。
再者，於圖1及圖2中，半導體加工用積層體1係本發明之半導體加工用積層體之一例，半導體加工用黏著帶2為構成本發明之半導體加工用積層體之一例之黏著帶，同時亦為本發明之半導體加工用黏著帶之一例。
本發明之半導體加工用積層體及本發明之半導體加工用黏著帶之用途並無特別限定，因於拾取半導體封裝時可容易地剝離而不損及切割時之接著性，故而較佳為於半導體裝置之製造方法中使用。 其中，本發明之半導體加工用積層體及本發明之半導體加工用黏著帶更佳為於半導體封裝之屏蔽處理中使用，進而較佳為於切割半導體封裝直至對所獲得之經單片化之半導體封裝實施屏蔽處理之一連串步驟中使用。作為上述屏蔽處理步驟，例如可列舉IR屏蔽處理、電磁波屏蔽處理等，其中，較佳為電磁波屏蔽處理。
又，半導體裝置之製造方法亦為本發明之一，上述半導體裝置之製造方法對使用有本發明之半導體加工用黏著帶之半導體封裝進行切割，並且於藉由切割而獲得之經單片化之半導體封裝之背面及側面形成金屬膜，且具有如下步驟：步驟（1），將上述半導體加工用黏著帶貼附於半導體封裝之電路面；步驟（2），對貼附有上述半導體加工用黏著帶之半導體封裝進行切割，獲得具有經單片化之半導體封裝及經單片化之半導體加工用黏著帶之積層體；步驟（3），將上述具有經單片化之半導體封裝及經單片化之半導體加工用黏著帶之積層體以上述經單片化之半導體加工用黏著帶側與暫時固定帶相接之方式，暫時固定於上述暫時固定帶上；步驟（4），於上述暫時固定帶上，於上述經單片化之半導體封裝之背面及側面形成金屬膜；及步驟（5），將於背面及側面形成有金屬膜之經單片化之半導體封裝自上述經單片化之半導體加工用黏著帶剝離並拾取。
本發明之半導體裝置之製造方法對使用有本發明之半導體加工用黏著帶之半導體封裝進行切割，並且於藉由切割而獲得之經單片化之半導體封裝之背面及側面形成金屬膜。 圖3中示出示意性地表示本發明之半導體裝置之製造方法之一例之圖。以下，一面參照圖3，一面對本發明之半導體裝置之製造方法進行說明。
於本發明之半導體裝置之製造方法中，首先，如圖3（a）所示，進行將半導體加工用黏著帶2貼附於半導體封裝4之電路面之步驟（1）。 上述貼附半導體加工用黏著帶之方法並無特別限定，例如可列舉使用貼合機之方法等。
於上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層為光硬化型黏著劑層之情形時，較佳為於上述步驟（1）後，進行向上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層照射光之步驟（6）（未圖示）。 作為上述向半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層照射光之方法，例如可列舉如下方法：使用超高壓水銀紫外線照射器，將350～410 nm之紫外線自上述基材側向上述黏著劑層照射。此時之照射強度並無特別限定，較佳為20～100 mW/cm2 ，累計照射量亦無特別限定，較佳為300～3000 mJ/cm2 。
於本發明之半導體裝置之製造方法中，繼而，如圖3（b）所示，進行步驟（2），該步驟（2）係對貼附有半導體加工用黏著帶2之半導體封裝4進行切割，獲得具有經單片化之半導體封裝及經單片化之半導體加工用黏著帶2之積層體。 上述切割方法並無特別限定，例如可列舉如下方法：將貼附有上述半導體加工用黏著帶之半導體封裝暫時固定於切割保護膠帶上，將該切割保護膠帶安裝於切割框架，使用切割裝置進行單片化，其後，將切割保護膠帶剝離。切割裝置並無特別限定，例如可使用DISCO公司製造之DFD6361等。
於本發明之半導體裝置之製造方法中，繼而，如圖3（c）所示，進行步驟（3），該步驟（3）係將具有經單片化之半導體封裝4及經單片化之半導體加工用黏著帶2之積層體以半導體加工用黏著帶2側與暫時固定帶3相接之方式，暫時固定於上述暫時固定帶3上。
於本發明之半導體裝置之製造方法中，繼而，如圖3（d）所示，進行步驟（4），該步驟（4）係於暫時固定帶3上，於經單片化之半導體封裝4之背面及側面形成金屬膜5。 形成上述金屬膜之方法並無特別限定，例如可列舉如下方法：藉由濺鍍等，形成由不鏽鋼、銅、鋁、金、銀、鋅、鎳、鉑、鉻、鈦或者該等金屬之合金或氧化物等所構成之膜。
於本發明之半導體裝置之製造方法中，繼而，如圖3（e）所示，進行步驟（5），該步驟（5）係將於背面及側面形成有金屬膜5之經單片化之半導體封裝4自經單片化之半導體加工用黏著帶2剝離並拾取。藉此，可獲得於背面及側面形成有金屬膜之經單片化之半導體封裝。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種於拾取半導體封裝時可容易地剝離而不損及切割時之接著性之半導體加工用積層體及半導體加工用黏著帶。又，根據本發明，可提供一種使用該半導體加工用黏著帶之半導體裝置之製造方法。
以下，列舉實施例進一步對本發明之態樣進行詳細說明，但本發明並不僅限定於該等實施例。
（黏著性聚合物之合成） （1）黏著性聚合物A之合成 準備具備溫度計、攪拌機、冷卻管之反應器。向該反應器內加入作為(甲基)丙烯酸烷基酯之丙烯酸2-乙基己酯93重量份、作為含官能基單體之丙烯酸1重量份、甲基丙烯酸羥基乙酯6重量份、月桂硫醇0.01重量份、及乙酸乙酯80重量份後，對反應器加熱從而開始回流。繼而，向上述反應器內添加作為聚合起始劑之1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，於回流下開始聚合。繼而，聚合開始起1小時後及2小時後，亦各添加1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，進而，聚合開始起4小時後，添加過氧化三甲基乙酸三級己酯0.05重量份，使聚合反應繼續。然後，聚合開始起8小時後，獲得固形物成分為55重量%且重量平均分子量為60萬之含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液。 添加相對於所獲得之含有含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份為3.5重量份之甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯，進行反應而獲得黏著性聚合物A。
（2）黏著性聚合物B之合成 準備具備溫度計、攪拌機、冷卻管之反應器。向該反應器內加入作為(甲基)丙烯酸烷基酯之丙烯酸2-乙基己酯98重量份、作為含官能基單體之甲基丙烯酸羥基乙酯2重量份、月桂硫醇0.01重量份、及乙酸乙酯80重量份後，對反應器加熱從而開始回流。繼而，向上述反應器內添加作為聚合起始劑之1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，於回流下開始聚合。繼而，聚合開始起1小時後及2小時後，亦各添加1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，進而，聚合開始起4小時後，添加過氧化三甲基乙酸三級己酯0.05重量份，使聚合反應繼續。然後，聚合開始起8小時後，獲得固形物成分為55重量%且重量平均分子量為60萬之含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液。 添加相對於所獲得之含有含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份為1重量份之甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯，進行反應而獲得黏著性聚合物B。
（3）黏著性聚合物C 使用黏著性聚合物C（SK Dyne 1495，綜研化學公司製造）。
（基材之背面處理） （1）處理A（二氧化矽蒸鍍） 將表面以厚度50 nm進行二氧化矽蒸鍍而成之厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜作為處理膜A。
（2）處理B（電暈處理） 對於厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（東麗公司製造之Lumirror S10），使用高頻電源裝置（春日電機公司製造之AGI-020），使膜於輸出0.24 Kw、速度40 mm/min、電極距離1 mm之條件下往返一次進行電暈處理，獲得處理膜B。
（3）處理C（Orgatix PC620） 將鈦低聚物系塗佈劑（Matsumoto Fine Chemical公司製造之Orgatix PC620）以厚度成為300 nm之方式塗佈於厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（東麗公司製造之Lumirror S10），製成處理膜C。
（4）處理D（ATO） 將表面以厚度300 nm進行摻銻氧化錫塗佈而成之厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜作為處理膜D。
（5）處理E（Colcoat N103X） 將聚矽氧烷系塗佈劑（Colcoat公司製造之Colcoat N103X）以厚度成為300 nm之方式塗佈於厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（東麗公司製造之Lumirror S10），製成處理膜E。
（6）處理F（Polyment NK380） 將丙烯酸聚合物系塗佈劑（日本觸媒公司製造之Polyment NK380）以厚度成為300 nm之方式塗佈於厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（東麗公司製造之Lumirror S10），製成處理膜F。
（7）處理G（氧化鋁蒸鍍） 將表面以厚度10 nm進行氧化鋁蒸鍍而成之厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜作為處理膜G。
（實施例1～10及比較例1～3） （1）黏著劑之製備 對於上述所獲得之黏著性聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，依照表1混合接著力調整劑、交聯劑及光聚合起始劑，獲得構成黏著劑層之黏著劑之乙酸乙酯溶液。再者，摻合所使用之化合物使用如下化合物。 接著力調整劑：EBECRYL350，Daicel-Allnex公司製造 交聯劑A：Coronate L，日本聚氨酯工業公司製造 交聯劑B：Tetrad X，三菱瓦斯化學公司製造 光聚合起始劑：Esacure One，Nihon Siber Hegner公司製造
（2）半導體加工用黏著帶之製造 利用刮刀將所獲得之黏著劑之乙酸乙酯溶液以乾燥皮膜之厚度成為100 μm之方式塗敷於上述實施了背面處理之基材上，於常溫靜置10分鐘。其後，使用預先加溫至110℃之烘箱，於110℃加熱5分鐘而使塗敷溶液乾燥，獲得半導體加工用黏著帶。將厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜作為隔片貼合於所獲得之半導體加工用黏著帶之黏著劑層側，對黏著劑層進行保護直至使用時。
（3）Fa之測定 利用乙醇將厚度1 mm之銅板（C1100P，JIS H3100）之表面洗淨，並使其充分乾燥。使2 kg輥往返一次而將預先切割為寬度25 mm、長度10 cm之半導體加工用黏著帶貼附於銅板，獲得積層體。 於半導體加工用黏著帶為光硬化型之實施例1～10、比較例1及3中，使用超高壓水銀紫外線照射器，將365 nm之紫外線自基材側向黏著劑層照射30秒，使黏著劑層硬化。以照射強度成為100 mW/cm2 之方式調節照度。其後，使用預先加熱至150℃之烘箱，對積層體進行1小時加熱處理。於半導體加工用黏著帶非光硬化型之比較例2中，使用加熱至150℃之烘箱對積層體進行1小時加熱處理而不照射紫外線。經過規定時間後，取出積層體，放置於溫度23℃、相對濕度50%之環境下充分進行冷卻。 使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造），於溫度23℃、相對濕度50%之環境下以300 mm/min之拉伸速度在180°方向將半導體加工用黏著帶剝離，測定剝離力Fa。
（4）Fb之測定 使用寺岡公司製造之Kapton（註冊商標）黏著帶650R#50作為暫時固定帶。經測定，該暫時固定帶對SUS板（表面拋光BA處理）之接著力為7.5 N/25 mm。暫時固定帶對SUS板（表面拋光BA處理）之接著力以下述方式進行測定。 於溫度23℃、相對濕度50%之環境下使2 kg輥往返一次而將暫時固定帶貼附於SUS板，獲得積層體。於相同溫度濕度環境下固化60分鐘後，使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造），於相同溫度濕度環境下以300 mm/min之拉伸速度在180°方向將暫時固定帶剝離，測定剝離力。
使用雙面膠帶（積水化學公司製造之雙面膠帶560）將形成黏著劑層前之基材之與實施了背面處理之面為相反側之面貼附於銅板（C1100P）。使2 kg輥往返一次而將預先切割為寬度25 mm、長度10 cm之暫時固定帶貼附於基材之實施了背面處理之面，獲得積層體。使用預先加熱至150℃之烘箱，對積層體進行1小時加熱處理。經過規定時間後，取出積層體，放置於溫度23℃、相對濕度50%之環境下充分進行冷卻。 使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造），於溫度23℃、相對濕度50%之環境下以300 mm/min之拉伸速度在180°方向將暫時固定帶剝離，測定剝離力Fb。
＜評價＞ 藉由以下方法對實施例及比較例中所獲得之半導體加工用黏著帶進行評價。將結果示於表1。
（1）切割製程評價 如下所述，進行圖4之（a1）～（a3）所示之各步驟。 將半導體加工用黏著帶2貼附於覆銅積層基板7（三菱瓦斯化學公司製造之CCL-EL190T/GEPL-190T）之具有銅箔7a之面（圖4（a1））。於半導體加工用黏著帶2為光硬化型之實施例1～10、比較例1及3中，使用超高壓水銀紫外線照射器，將365 nm之紫外線自基材2b側向黏著劑層2a照射30秒，使黏著劑層2a硬化。以照射強度成為100 mW/cm2 之方式調節照度。 將貼附有半導體加工用黏著帶2之覆銅積層基板7以覆銅積層基板7側與切割保護膠帶8（Denka公司製造之Elegrip UPH-1510M4）相接之方式，暫時固定於上述切割保護膠帶8上，從而安裝於切割框架9（圖4（a2））。 使用切割裝置（DISCO公司製造之DFD6361），將貼附有半導體加工用黏著帶2之覆銅積層基板7單片化（晶片化）為10 mm見方（圖4（a3））。
利用顯微鏡觀察經單片化之覆銅積層基板7之與半導體加工用黏著帶2之界面。將切割洗淨水未自界面滲入或切割洗淨水之滲入距離未達0.5 mm之情形設為◎，將切割洗淨水之滲入距離為0.5 mm以上且未達1 mm之情形設為○，將切割洗淨水之滲入距離為1 mm以上之情形設為×。
（2）拾取製程評價 如下所述，進行圖4之（a4）所示之步驟。 如圖4（a3）所示進行單片化後，使用超高壓水銀紫外線照射器，將365 nm之紫外線自未積層覆銅積層基板7之側向切割保護膠帶8照射10秒，使切割保護膠帶8硬化。以照射強度成為50 mW/cm2 之方式調節照度。其後，將切割保護膠帶8剝離。將所獲得之經單片化之覆銅積層基板7以半導體加工用黏著帶2側與暫時固定帶3（寺岡公司製造之Kapton（註冊商標）黏著帶650R#50）相接之方式，暫時固定於上述暫時固定帶3上，從而再次安裝於切割框架9（圖4（a4））。 使用預先加熱至150℃之烘箱，將經單片化之覆銅積層基板7連同切割框架9一起加熱處理1小時。經過規定時間後，將經單片化之覆銅積層基板7連同切割框架9一起取出，放置於溫度23℃、相對濕度50%之環境下充分進行冷卻。
使用黏晶機裝置（佳能機械公司製造之BestemD02），進行經單片化之覆銅積層基板7之拾取。將於經單片化之覆銅積層基板7與半導體加工用黏著帶2之界面剝離而能夠以99%以上之良率進行拾取之情形設為◎，將良率為90%以上且未達99%之情形設為○，將良率未達90%之情形設為×。
（3）綜合評價 將於切割製程評價及拾取製程評價中均判定為○以上之情形設為○，將於切割製程評價及拾取製程評價之任一者中判定為×之情形設為×。
[表1]
實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 比較例 1 比較例 2 比較例 3
半導體加工用黏著帶 黏著劑層 黏著性聚合物A 100 - 100 100 - - 100 100 - - 100 - -
黏著性聚合物B - 100 - - 100 100 - - 100 100 - - 100
黏著性聚合物C - - - - - - - - - - - 100 -
接著力調整劑 30 - 10 10 10 10 10 30 - - 50 - -
交聯劑A 0.7 0.3 0.7 0.7 0.3 0.3 0.7 0.7 0.3 0.3 0.7 - 0.3
交聯劑B - - - - - - - - - - - 3 -
光聚合起始劑 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 - 1
基材 背面處理 處理A 處理B 處理C 處理D 處理E 處理F 處理G 處理C 處理B 處理C 處理A 處理B 未處理
Fa(N/25 mm) 0.03 0.3 0.1 0.1 0.15 0.15 0.1 0.03 0.3 0.3 0.02 0.5 0.3
Fb(N/25 mm) 15 5 11 8 8 7 8 11 5 11 15 5 4
Fa/Fb 2.0×10-3 6.0×10-2 9.1×10-3 1.3×10-2 1.9×10-2 2.1×10-2 1.3×10-2 2.7×10-3 6.0×10-2 2.7×10-2 1.3×10-3 1.0×10-1 7.5×10-2
評價 拾取製程評價 ◎ ○ ◎ ○ ○ ○ ○ ◎ ○ ○ ◎ × ×
Fb界面剝離 Fb界面剝離
切割製程評價 ○ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ × ◎ ◎
綜合判定 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × ×
[產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種於拾取半導體封裝時可容易地剝離而不損及切割時之接著性之半導體加工用積層體及半導體加工用黏著帶。又，根據本發明，可提供一種使用該半導體加工用黏著帶之半導體裝置之製造方法。
1:半導體加工用積層體 2:半導體加工用黏著帶 2a:黏著劑層 2b:基材 3:暫時固定帶 4:半導體封裝 5:金屬膜 6:拾取針 7:覆銅積層基板 7a:銅箔 8:切割保護膠帶 9:切割框架
[圖1]係示意性地表示本發明之半導體加工用積層體及本發明之半導體加工用黏著帶之一例的剖面圖。 [圖2]係示意性地表示本發明之半導體加工用積層體及本發明之半導體加工用黏著帶之另一例的剖面圖。 [圖3]（a）～（e）係示意性地表示本發明之半導體裝置之製造方法之一例之圖。 [圖4]（a1）～（a4）係示意性地表示實施例及比較例中所獲得之半導體加工用黏著帶之切割製程評價及拾取製程評價中之各步驟的圖。

Claims (9)

  1. 一種半導體加工用積層體，其具有暫時固定帶及積層於上述暫時固定帶上之半導體加工用黏著帶，其特徵在於，上述暫時固定帶至少具有黏著劑層，上述半導體加工用黏著帶具有基材及積層於上述基材之一面之黏著劑層，且以上述半導體加工用黏著帶之上述基材與上述暫時固定帶之上述黏著劑層相接之方式積層於上述暫時固定帶上，且上述半導體加工用黏著帶與上述暫時固定帶滿足下述式(1)：2.0×10-3≦(Fa/Fb)≦6.0×10-2 (1)式(1)中，Fa表示將半導體加工用黏著帶貼附於銅板並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力，Fb表示將暫時固定帶貼附於半導體加工用黏著帶之基材面並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力。
  2. 如請求項1之半導體加工用積層體，其中，上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層為光硬化型黏著劑層。
  3. 如請求項1或2之半導體加工用積層體，其中，上述暫時固定帶具有基材及積層於上述基材之一面之聚矽氧黏著劑層，上述半導體加工用黏著帶之上述基材於與上述黏著劑層為相反側之表面具有易接著層，且上述易接著層為SiOx層、金屬氧化物層、有機金屬化合物層、聚矽氧化合物層、聚合性聚合物層、電暈處理層或電漿處理層。
  4. 一種半導體加工用黏著帶，其具有基材及積層於上述基材之一面之黏著劑層，其特徵在於，滿足下述式(2)：2.0×10-3≦(Fa/Fb')≦6.0×10-2 (2)式(2)中，Fa表示將半導體加工用黏著帶貼附於銅板並於150℃加熱1小時 後之180°方向之剝離力，Fb'表示將對SUS板之接著力為7.5N/25mm之暫時固定帶貼附於半導體加工用黏著帶之基材面並於150℃加熱1小時後之180°方向之剝離力。
  5. 如請求項4之半導體加工用黏著帶，其中，上述基材於與上述黏著劑層為相反側之表面具有易接著層。
  6. 如請求項5之半導體加工用黏著帶，其中，上述易接著層為SiOx層、金屬氧化物層、有機金屬化合物層、聚矽氧化合物層、聚合性聚合物層、電暈處理層或電漿處理層。
  7. 如請求項4、5或6之半導體加工用黏著帶，其用於半導體封裝之屏蔽處理。
  8. 一種半導體裝置之製造方法，其對使用有請求項4、5、6或7之半導體加工用黏著帶之半導體封裝進行切割，並且於藉由切割而獲得之經單片化之半導體封裝之背面及側面形成金屬膜，其具有如下步驟：步驟(1)，將上述半導體加工用黏著帶貼附於半導體封裝之電路面；步驟(2)，對貼附有上述半導體加工用黏著帶之半導體封裝進行切割，獲得具有經單片化之半導體封裝及經單片化之半導體加工用黏著帶之積層體；步驟(3)，將上述具有經單片化之半導體封裝及經單片化之半導體加工用黏著帶之積層體以上述經單片化之半導體加工用黏著帶側與暫時固定帶相接之方式，暫時固定於上述暫時固定帶上；步驟(4)，於上述暫時固定帶上，於上述經單片化之半導體封裝之背面及側面形成金屬膜；及步驟(5)，將於背面及側面形成有金屬膜之經單片化之半導體封裝自上述經單片化之半導體加工用黏著帶剝離並拾取。
  9. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其於上述步驟(1)後， 進行向上述半導體加工用黏著帶之上述黏著劑層照射光之步驟(6)。
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