TWI889081B - 配線基板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本揭示的配線基板具備有：第一絕緣層，係具有第一面；第二絕緣層，係位於第一面且具有第二面；第一溝槽，係具有從第二面往第一絕緣層側凹陷的第一內面；第二溝槽，係具有從第二面往第一絕緣層側凹陷的第二內面；第一配線導體，係配置成從第一溝槽延伸到第一面，且包含寬度為150μm以上的寬幅圖案；以及第二配線導體，係位於第二溝槽，且包含寬度為15μm以下的窄幅圖案。第一配線導體係包含：第一基底金屬層，係位於第一面；第一電解鍍覆層，係位於第一基底金屬層上，且側面成為第一內面的一部分；第二基底金屬層，係位於第一內面上，並且與第一電解鍍覆層的側面相連接；以及第二電解鍍覆層，係位於第二基底金屬層上，且填充於第一溝槽內。第二配線導體包含：第三基底金屬層，係位於第二內面上；以及第三電解鍍覆層，係位於第三基底金屬層上，且填充於第二溝槽內。

Description

配線基板及其製造方法

本揭示係關於一種配線基板及其製造方法。

一直以來，在配線基板形成配線導體的方法採用的是半加成法(semi-additive process)。半加成法係以下述的步驟來形成配線導體的方法。首先，藉由無電解鍍覆法或濺鍍法等，在絕緣層的露出表面形成薄的基底金屬層。接著，在該基底金屬層上，形成具有與配線導體的圖案(pattern)對應的開口部的抗鍍層。接著，在該抗鍍層的開口部內所露出的基底金屬層上形成電解鍍覆層。接著，將抗鍍層剝離去除後，將未被電解鍍覆層覆蓋住的部分的基底金屬層蝕刻去除掉。

然而，配線基板的配線導體越來越朝微細化發展。近年來，甚至有例如配線導體的寬度要在15μm以下，且相鄰的配線導體彼此的間隔要在15μm以下的配線基板的需求。如此一來，在配線導體的寬度較狹窄(例如15μm以下)的配線基板上，絕緣層與配線導體的隔著基底金屬層而接合的接合面積會變小。因此，使得配線導體易與絕緣層剝離。結果，在相互鄰接的配線導體彼此之間的電性絕緣的可靠性會降低。

因此，如專利文獻1的記載，提出一種配線導體形成的方法，該配線導體係由殘留於溝槽內的基底金屬層及電解鍍覆層所構成者。首先，藉由雷射加工，在絕緣層的表面形成與配線導體的圖案對應的預定深度的溝槽。接著，藉由無電解鍍覆法或濺鍍法等，在包含溝槽的內面的絕緣層的表面形成薄的基底金屬層。接著，在該基底金屬層上形成會填埋溝槽的厚度的電解鍍覆層。最後，藉由化學機械研磨，將絕緣層上的基底金屬層及電解鍍覆層研磨去除掉。

根據專利文獻1揭示的方法，可藉由電解鍍覆層而良好地填充寬度較窄(例如15μm以下)的配線導體用的溝槽。但是，卻難以藉由電解鍍覆層來良好地填充寬度較寬(例如150μm以上)的配線導體用的溝槽。結果，在寬度較寬的配線導體，配線導體的上表面會大幅凹陷而缺乏平坦性。若為了消除該凹陷而將電解鍍覆層的厚度形成得更厚時，會使得形成該電解鍍覆層之際所產生的應力變大。因此，會有較大的應力經由基底金屬層而作用於寬度較寬的配線導體與溝槽的內壁之間，使得寬度較寬的配線導體容易剝離。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利公開公報特開2004-149926號

本揭示的課題在於提供一種寬度窄的配線導體及寬度寬的配線導體兩者都不易剝離，且相互的位置精度高的配線基板。

本揭示的配線基板係具備有：第一絕緣層，係具有第一上表面；第二絕緣層，係位於第一上表面且具有第二上表面；第一基底金屬層，係位於前述第一上表面；第一電解鍍覆層，係位於前述第一基底金屬層上；第一溝槽，係從第二上表面沿著前述第一電解鍍覆層的側面往第一絕緣層側凹陷，且具有第一內面，前述第一內面包括前述第一電解鍍覆層的側面作為內面之一部分；第二溝槽，係具有從第二上表面往第一絕緣層側凹陷的第二內面；第一配線導體，係配置成從第一溝槽延伸到第一上表面，且包含寬度為150μm以上的寬幅圖案；以及第二配線導體，係位於第二溝槽，且包含寬度為15μm以下的窄幅圖案。第一配線導體係包含：第二基底金屬層，係位於第一內面上，並且與第一電解鍍覆層的側面相連接；以及第二電解鍍覆層，係位於第二基底金屬層上，且填充於第一溝槽內。第二配線導體係包含：第三基底金屬層，係位於第二內面上；以及第三電解鍍覆層，係位於第三基底金屬層上，且填充於第二溝槽內。

本揭示的配線基板的製造方法係包含：形成具有第一上表面的第一絕緣層的步驟；在第一上表面，形成包含第一基底金屬層及位於第一基底金屬層上的第一電解鍍覆層且寬度且具有150μm以上的寬幅圖案的步驟；形成被覆第一上表面及寬幅圖案且具有第二上表面的第二絕緣層的步驟；形成從第二上表面沿著前述第一電解鍍覆層的側面往第一絕緣層側凹陷且具有包括前述第一電解鍍覆層的側面作為內面之一部分的第一內面的第一溝槽、及具有與前述第一電解鍍覆層的側面相分離而配置的第二內面的第二溝槽的步驟；形成被覆第一內面的第二基底金屬層、被覆第二內面的第三基 底金屬層、與第二基底金屬層和第三基底金屬層相連續且被覆第二上表面的第四基底金屬層、位於第二基底金屬層上且填滿第一溝槽的厚度的第二電解鍍覆層、位於第三基底金屬層上且填滿第二溝槽的厚度的第三電解鍍覆層、以及與第二電解鍍覆層和第三電解鍍覆層相連續且位於第四基底金屬層上的第四電解鍍覆層的步驟；以及至少將位於第二上表面的第四基底金屬層及第四電解鍍覆層去除，從而形成配置成從第一溝槽延伸到第一上表面且包含寬幅圖案的第一配線導體，並且形成位於第二溝槽內且包含寬度為15μm以下的窄幅圖案的第二配線導體的步驟。

本揭示的配線基板具有如上述的[用以解決課題之手段]所述的構成，因此寬度窄的配線導體及寬度寬的配線導體兩者都不易剝離，且相互的位置精度也高。

10:核心基板

11:核心絕緣層

11a:填充樹脂

12:核心導體

12a:核心導體層

12b:貫穿孔導體

20:增建層

21:增建絕緣層

21a:第一絕緣層

21b:第二絕緣層

21c:第三絕緣層

21d:第四絕緣層

21e:第五絕緣層

22:增建導體層

22a:第一基底金屬層

22b:第一電解鍍覆層

22c:第二基底金屬層

22d:第二電解鍍覆層

22e:第三基底金屬層

22f:第三電解鍍覆層

22g:第四基底金屬層

22h:第四電解鍍覆層

23:第一配線導體

24:第二配線導體

25:第三配線導體

26:電極

30:阻焊劑層

100,200,300,400:配線基板

121b:第一貫穿孔導體

122b:第二貫穿孔導體

f1:第一上表面

f2:第二上表面

f3:第三上表面

f4:第四上表面

G1:第一溝槽

G2:第二溝槽

G3:第三溝槽

n1:第一內面

n2:第二內面

NP:窄幅圖案

R:阻劑

TH:貫穿孔

TH2:第二貫穿孔

V1,V2:通孔

W1:寬度

W2:寬度

WP:寬幅圖案

WP2:第二寬幅圖案

圖1係顯示本揭示的第一實施型態的配線基板的剖面的說明圖。

圖2係用來說明本揭示的第一實施型態的配線基板的製造步驟的說明圖。

圖3係用來說明本揭示的第一實施型態的配線基板的製造步驟的說明圖。

圖4係用來說明本揭示的第一實施型態的配線基板的製造步驟的說明圖。

圖5係用來說明本揭示的第一實施型態的配線基板的製造步驟的說明圖。

圖6係用來說明本揭示的第一實施型態的配線基板的製造步驟的說明圖。

圖7係顯示本揭示的第二實施型態的配線基板的剖面的說明圖。

圖8係顯示本揭示的第三實施型態的配線基板的剖面的說明圖。

圖9係顯示本揭示的第四實施型態的配線基板的剖面的說明圖。

圖10係示意地顯示圖9所示的配線基板中僅導體部分的立體圖。

圖11係用來說明本揭示的第四實施型態的配線基板的製造步驟的說明圖。

圖12係用來說明本揭示的第四實施型態的配線基板的製造步驟的說明圖。

圖13係用來說明本揭示的第四實施型態的配線基板的製造步驟的說明圖。

圖14係用來說明本揭示的第四實施型態的配線基板的製造步驟的說明圖。

圖15係用來說明本揭示的第四實施型態的配線基板的製造步驟的說明圖。

根據圖式來說明本揭示的配線基板。圖1係顯示本揭示的第一實施型態的配線基板100的剖面的一部分的示意圖。第一實施型態的配 線基板100係包含核心基板10、位於核心基板10的表面的增建(build-up)層20以及位於增建層20的表面的阻焊劑層30。圖1中，只顯示出配線基板100的上表面側的一部分。

核心基板10係包含核心絕緣層11及核心導體12。核心絕緣層11係例如由環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三

樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯醚樹脂及液晶聚合物等樹脂所形成。此等樹脂可單獨使用，亦可併用兩種以上。核心絕緣層11中，可加入玻纖纖維布(glass cloth)等補強材，亦可使絕緣粒子分散於核心絕緣層11中。絕緣粒子並沒有限制，舉例來說有例如二氧化矽(silica)、氧化鋁(alumina)、硫酸鋇、滑石、黏土、玻璃、碳酸鈣及氧化鈦等無機絕緣性填料。核心絕緣層11具有例如0.1mm以上2.0mm以下的厚度。

核心導體12係包含核心導體層12a及貫穿孔(through hole)導體12b。核心導體層12a係位於核心絕緣層11的上下表面。核心導體層12a由銅等導體，例如銅箔或銅鍍覆所形成。核心導體層12a的厚度並沒有特別的限制，例如可為5μm以上50μm以下。

貫穿孔導體12b係位於貫穿孔TH內，該貫穿孔TH係沿上下貫通核心絕緣層11。貫穿孔導體12b係使位於核心絕緣層11的上下表面的核心導體層12a彼此電性連接。貫穿孔導體12b係例如以由銅鍍覆等金屬鍍覆的導體所形成。貫穿孔導體12b係與核心絕緣層11的兩面的核心導體層12a一體地連接。貫穿孔導體12b可僅形成於貫穿孔TH的內壁面，亦可填滿於貫穿孔TH內。

增建層20係包含增建絕緣層21及增建導體層22。增建絕緣層21係包含：第一絕緣層21a、及第二絕緣層21b；該第一絕緣層21a係具有第一上表面f1；該第二絕緣層21b係位於第一絕緣層21a的第一上表面f1，且具有第二上表面f2。第一絕緣層21a係例如由環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三

樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯醚樹脂及液晶聚合物等樹脂所形成。此等樹脂可單獨使用，亦可併用兩種以上。第一絕緣層21a中亦可絕緣粒子分散於第一絕緣層21a中。絕緣粒子並沒有限制，舉例來說有例如二氧化矽、氧化鋁、硫酸鋇、滑石、黏土、玻璃、碳酸鈣及氧化鈦等無機絕緣性填料。第一絕緣層21a具有例如10μm以上50μm以下的厚度。

第二絕緣層21b係位於第一絕緣層21a的第一上表面f1。第二絕緣層21b係列舉與形成上述的第一絕緣層21a的樹脂相同的樹脂，且可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。另外，第二絕緣層21b中，亦可使與上述的第一絕緣層21a相同的絕緣粒子分散於第二絕緣層21b中。第二絕緣層21b的厚度並沒有限制，例如可形成得比第一絕緣層21a的厚度薄。第二絕緣層21b係具有例如5μm以上25μm以下的厚度。

核心絕緣層11、第一絕緣層21a及第二絕緣層21b係可由相同的樹脂來形成，亦可由不同的樹脂來形成。另外，當使絕緣粒子分散於核心絕緣層11、第一絕緣層21a及第二絕緣層21b時，絕緣粒子可相同亦可不同。

增建導體層22係包含第一基底金屬層22a、第一電解鍍覆層22b、第二基底金屬層22c、第二電解鍍覆層22d、第三基底金屬層22e及第三電解鍍覆層22f。第一基底金屬層22a係位於第一絕緣層21a的第一 上表面f1。第一基底金屬層22a係例如由銅等金屬所形成。第一基底金屬層22a係具有例如0.1μm以上0.5μm以下的厚度。如圖1所示，第一基底金屬層22a係可設置於貫通第一絕緣層21a的通孔(via hole)V1的內面。第一基底金屬層22a係具有使第一電解鍍覆層22b的被覆固著性提升的作用。

第一電解鍍覆層22b係位於第一基底金屬層22a上。若第一電解鍍覆層22b係以電解鍍覆方式所形成的層就沒有別的限制，例如由銅等金屬形成。第一電解鍍覆層22b係具有例如5μm以上25μm以下的厚度。

第二基底金屬層22c係位於從第二絕緣層21b的第二上表面f2往第一絕緣層21a側凹陷的第一溝槽G1的第一內面n1。第一溝槽G1係與第一電解鍍覆層22b的側面相接。亦即，第一電解鍍覆層22b的側面係成為第一溝槽G1的第一內面n1的一部分。第二基底金屬層22c係例如由銅等金屬所形成。第二基底金屬層22c係具有例如0.1μm以上0.5μm以下的厚度。第二基底金屬層22c係具有使第二電解鍍覆層22d的被覆固著性提升的作用。

第二電解鍍覆層22d係填充於形成有第二基底金屬層22c的第一溝槽G1。若第二電解鍍覆層22d係以電解鍍覆方式所形成的層就沒有別的限制，可例如由銅等金屬所形成。第二電解鍍覆層22d的側面及底面都隔著第二基底金屬層22c而位於第一溝槽G1內。因此，可發揮良好的密著性，減低第二電解鍍覆層22d的剝離。

第三基底金屬層22e係位於從第二絕緣層21b的第二上表面f2往第一絕緣層21a側凹陷的第二溝槽G2的第二內面n2。第三基底金屬層22e係例如由銅等金屬所形成。第三基底金屬層22e係具有例如0.1μm以上0.5μm以下的厚度。如圖1所示，第三基底金屬層22e係可位於貫通第一絕緣層21a的通孔V2的內面。第三基底金屬層22e係具有使第三電解鍍覆層22f的被覆固著性提升的作用。

第三電解鍍覆層22f係填充於形成有第三基底金屬層22e的第二溝槽G2內。若第三電解鍍覆層22f係以電解鍍覆方式所形成的層就沒有別的限制，可例如由銅等金屬所形成。第三電解鍍覆層22f的側面及底面都隔著第三基底金屬層22e而位於第二溝槽G2內。因此，可發揮良好的密著性，減低第三電解鍍覆層22f的剝離。

增建導體層22係包含寬度互不相同的第一配線導體23及第二配線導體24。第一配線導體23係包含寬幅圖案WP，該寬幅圖案WP係具有150μm以上的寬度W1。另一方面，第一配線導體23係不包含15μm以下的寬度的圖案。第一配線導體23係由第一絕緣層21a上的第一基底金屬層22a及第一電解鍍覆層22b、以及第一溝槽G1的第二基底金屬層22c及第二電解鍍覆層22d所構成。第一配線導體23係主要具有接地用及電源用的機能。寬度W1例如可定義為在第一配線導體23中兩個對立的邊之間的長度。

第一配線導體23其第一溝槽G1的第二基底金屬層22c及第二電解鍍覆層22d係位於第一電解鍍覆層22b的側面與第二絕緣層21b之間。亦即，構成第一配線導體23的第一電解鍍覆層22b的側面不會與第二 絕緣層21b相接。因此，第一電解鍍覆層22b的側面不會與第二絕緣層21b相接，藉此可在第一電解鍍覆層22b的側面與第二絕緣層21b之間消除直接作用到第二絕緣層21b的應力。結果，可減低第一電解鍍覆層22b的剝離。

第一電解鍍覆層22b的側面的算術平均粗糙度Ra並沒有限制，例如可為150nm以上300nm以下。若第一電解鍍覆層22b的側面的算術平均粗糙度Ra為在150nm以上300nm以下，就可使得第一電解鍍覆層22b的側面牢固地被覆於第一溝槽G1的第一內面n1的第二基底金屬層22c，可更減低第一電解鍍覆層22b的剝離。

第一溝槽G1的第二基底金屬層22c及第二電解鍍覆層22d係具有防止第一電解鍍覆層22b剝離，並且提高第一配線導體23與第二配線導體24之間的位置精度的機能。第一溝槽G1的寬度並沒有限制，例如可為5μm以上100μm以下的程度。第一溝槽G1的深度並沒有限制，例如可為5μm以上75μm以下的程度。第一溝槽G1的寬度例如可定義為第二絕緣層21b的位於第一溝槽G1開口處的兩個對立的口緣之間的長度。第一溝槽G1的深度例如可定義為從與第一溝槽G1的開口所在的第二上表面f2相同高度的位置到第一溝槽G1的最靠近核心基板10的位置的長度。

在第一溝槽G1的第一內面n1，除了第一電解鍍覆層22b的側面之外的面的算術平均粗糙度Ra並沒有限制，例如可為50nm以上100nm以下。在第一溝槽G1的第一內面n1中，若除了第一電解鍍覆層22b的側面之外的面的算術平均粗糙度Ra為在50nm以上100nm以下， 就可使得第二基底金屬層22c牢固地被覆於第一溝槽G1的第一內面n1，可更減低第二基底金屬層22c的剝離。

第二配線導體24係由第二溝槽G2的第三基底金屬層22e及第三電解鍍覆層22f所構成。第二配線導體24係包含窄幅圖案NP，該窄幅圖案NP係具有15μm以下的寬度W2。另一方面，第二配線導體24係不包含150μm以上的寬度的圖案。第二溝槽G2的深度並沒有限制，例如可為5μm以上25μm以下。第二配線導體24主要具有傳送訊號的機能。在圖1中，顯示有看起來寬度頗寬的第二配線導體24。不過，看起來寬度頗寬的第二配線導體24係顯示在長邊方向切開來的剖面。寬度W2例如可定義為在第二配線導體24中兩個對立的邊之間的最短長度。第二溝槽G2的深度例如可定義為從與第二溝槽G2的開口所在的第二上表面f2相同高度的位置到第二溝槽G2的最靠近核心基板10的位置的長度。

第二溝槽G2的第二內面n2的算術平均粗糙度Ra並沒有限制，例如可為50nm以上100nm以下。若第二溝槽G2的第二內面n2的算術平均粗糙度Ra為50nm以上100nm以下，就可使得第三基底金屬層22e牢固地被覆於第二溝槽G2的第二內面n2，可更減低第三基底金屬層22e的剝離。第二配線導體24係對應於第二溝槽G2的第二內面n2的粗糙度而具有算術平均粗糙度Ra為50nm以上100nm以下的表面粗糙度。該粗糙度做得小些，於第二配線導體24傳送高頻訊號時，可減低傳送損耗，而為有利者。

增建層20上設有阻焊劑(solder resist)層30。阻焊劑層30係例如以丙烯酸改性環氧樹脂所形成。阻焊劑層30係具有例如在安裝電子零件 時、或與主機板(motherboard)等連接時保護導體層等不要沾到焊料的機能。阻焊劑層30形成有用以使位於增建層20的表面的第一配線導體23或第二配線導體24的一部分露出的開口部。從該開口部露出的第一配線導體23或第二配線導體24的一部分係例如於安裝半導體元件等之際作為焊墊(pad)而發揮機能。

接著，說明製造本揭示的配線基板的方法。本揭示的配線基板的製造方法係包含下述的步驟(a)~(f)。

(a)形成具有第一上表面的第一絕緣層的步驟。

(b)在第一上表面，形成：具有150μm以上的寬度W1且包含第一基底金屬層及位於第一基底金屬層上的第一電解鍍覆層的寬幅圖案的步驟。

(c)形成被覆第一上表面及寬幅圖案且具有第二上表面的第二絕緣層的步驟。

(d)形成從第二上表面往第一絕緣層側凹陷，且具有與寬幅圖案的側面相接的第一內面的第一溝槽及具有與寬幅圖案相分離的第二內面的第二溝槽的步驟。

(e)形成被覆第一內面的第二基底金屬層、及被覆第二內面的第三基底金屬層、以及與第二基底金屬層和第三基底金屬層相連續且被覆第二上表面的第四基底金屬層；並且形成位於第二基底金屬層上且填滿第一溝槽的厚度的第二電解鍍覆層、及填滿第二溝槽的厚度的第三電解鍍覆層、以及與第二電解鍍覆層和第三電解鍍覆層相連續且位於第四基底金屬層上的第四電解鍍覆層的步驟。

(f)至少將位於第二上表面的第四基底金屬層及第四電解鍍覆層去除，從而形成配置成從第一溝槽延伸到第一上表面且包含寬幅圖案的第一配線導體，並且形成位於第二溝槽內且包含寬度為15μm以下的寬度W2的窄幅圖案的第二配線導體的步驟。

根據圖2至圖6來說明本揭示的配線基板的製造方法。圖2至圖6係用來說明第一實施型態的配線基板100的製造步驟的說明圖。

首先，如圖2(A)所示，準備核心基板10。核心基板10係包含核心絕緣層11及核心導體12。核心絕緣層11及核心導體12係如上述，此處省略其詳細的說明。

接著，說明形成第一絕緣層的步驟(步驟(a))。如圖2(B)所示，第一絕緣層21a係形成為被覆核心基板10的核心絕緣層11及核心導體12的型態。第一絕緣層21a係如上述，此處省略其詳細的說明。第一絕緣層21a的形成，係以例如將第一絕緣層21a用的熱硬化性樹脂片堆疊於核心基板10上並且從上下加壓及加熱使之熱硬化的方式進行。如圖2(C)所示，在第一絕緣層21a，視需要而形成通孔V1。通孔V1係例如藉由CO₂雷射、UV-YAG雷射及準分子雷射等雷射加工而形成。

接著，說明在第一絕緣層21a的上表面形成：包含第一基底金屬層及位於第一基底金屬層上的第一電解鍍覆層且寬度為150μm以上的寬幅圖案的步驟(步驟(b))。如圖2(D)所示，藉由無電解鍍覆使銅等第一基底金屬層22a在第一絕緣層21a的上表面及通孔V1的內面析出。進行無電解鍍覆之際，可使用鈀作為觸媒。析出的第一基底金屬層22a係具有例如0.1μm以上0.5μm以下的厚度。

藉由無電解鍍覆使銅等第一基底金屬層22a析出之後，如圖3(A)所示，以阻劑R被覆不要形成第一電解鍍覆層22b的部分。以阻劑R被覆之後，如圖3(B)所示，藉由電解鍍覆使銅等第一電解鍍覆層22b析出。第一電解鍍覆層22b係具有例如5μm以上25μm以下的厚度。可藉由使析出第一電解鍍覆層22b的部分的寬度在150μm以上，來形成寬幅圖案。接著，如圖3(C)所示將阻劑R去除，然後如圖3(D)所示，將之前由阻劑R被覆住的部分的第一基底金屬層22a去除。

如此，就在第一絕緣層21a上形成寬幅圖案WP，該寬幅圖案WP係由第一基底金屬層22a及位於第一基底金屬層22a上的第一電解鍍覆層22b所構成且具有150μm以上的寬度W1。

可對第一電解鍍覆層22b的側面實施粗化處理，使算術平均粗糙度Ra為150nm以上300nm以下。藉由實施如此的粗化處理，可使後述的第二基底金屬層22c牢固地被覆於第一電解鍍覆層22b的側面，可更減低第一電解鍍覆層22b的剝離。

接著，說明形成被覆第一絕緣層的上表面及寬幅圖案的第二絕緣層的步驟(步驟(c))。如圖4(A)所示，第二絕緣層21b係形成為被覆第一絕緣層21a的第一上表面f1及寬幅圖案WP的型態。第二絕緣層21b的形成，係以例如將第二絕緣層21b用的熱硬化性樹脂片堆疊於第一絕緣層21a的第一上表面f1及寬幅圖案WP上並且從上下加壓及加熱使之熱硬化的方式進行。

接著，說明形成從第二絕緣層的上表面往第一絕緣層側凹陷，且具有與寬幅圖案的側面相接的第一內面的第一溝槽及具有與寬幅圖案相 分離的第二內面的第二溝槽的步驟(步驟(d))。如圖4(B)所示，在第二絕緣層21b之與寬幅圖案WP的側面相接的位置，形成具有第一內面n1的第一溝槽G1；且在要形成第二配線導體24的位置，形成與寬幅圖案WP的側面相分離而配置且具有第二內面n2的第二溝槽G2。形成第一溝槽G1及第二溝槽G2的方法並沒有限制，可藉由準分子雷射、CO₂雷射及UV-YAG雷射等雷射加工而形成。從較容易形成均一的深度的第一溝槽G1及第二溝槽G2之點來說，以採用準分子雷射較佳。第一溝槽G1及第二溝槽G2的深度並沒有限制，例如可為5μm以上25μm以下。如圖4(C)所示，可視需要而在第一絕緣層21a形成通孔V2。通孔V2係例如可藉由準分子雷射、CO₂雷射及UV-YAG雷射等雷射加工而形成。

在形成第一溝槽G1及第二溝槽G2之際，可進行使除了寬幅圖案WP的側面之外的第一溝槽G1的第一內面n1及第二溝槽G2的第二內面n2的粗糙度成為50nm以上100nm以下的算術平均粗糙度Ra的溝槽形成處理。此情況也一樣，採用準分子雷射會較容易將內面形成為預定的粗糙度。如此形成第一溝槽G1及第二溝槽G2，就可使第二基底金屬層22c及第三基底金屬層22e牢固地被覆於第一絕緣層21a及第二絕緣層21b，可更減低第二基底金屬層22c及第三基底金屬層22e的剝離。

接著，說明形成：被覆第一內面的第二基底金屬層、及被覆第二內面的第三基底金屬層、以及與第二基底金屬層和第三基底金屬層相連續且被覆第二上表面的第四基底金屬層；並且形成：位於第二基底金屬層上且填滿第一溝槽的厚度的第二電解鍍覆層、及設置於第三基底金屬層上且填滿第二溝槽的厚度的第三電解鍍覆層、以及與第二電解鍍覆層和第 三電解鍍覆層相連續且位於第四基底金屬層上的第四電解鍍覆層的步驟(步驟(e))。

如圖5(A)所示，形成：被覆第一內面n1的第二基底金屬層22c、及被覆第二內面n2的第三基底金屬層22e、以及與第二基底金屬層22c和第三基底金屬層22e相連續且被覆第二上表面f2的第四基底金屬層22g。第二基底金屬層22c、第三基底金屬層22e及第四基底金屬層22g係例如藉由以無電解鍍覆方式使銅等金屬析出而同時形成。換言之，第二基底金屬層22c、第三基底金屬層22e及第四基底金屬層22g為藉由相同的無電解鍍覆處理所形成的金屬層。進行無電解鍍覆之際，可使用鈀作為觸媒。第二基底金屬層22c、第三基底金屬層22e及第四基底金屬層22g係具有例如0.1μm以上0.5μm以下的厚度，而且也形成於通孔V2的內面。

形成第二基底金屬層22c、第三基底金屬層22e及第四基底金屬層22g之後，如圖5(B)所示，形成：位於第二基底金屬層22c上且填滿第一溝槽G1的厚度的第二電解鍍覆層22d、及設置於第三基底金屬層22e上且填滿第二溝槽G2的厚度的第三電解鍍覆層22f、以及與第二電解鍍覆層22d和第三電解鍍覆層22f相連續且位於第四基底金屬層22g上的第四電解鍍覆層22h。第二電解鍍覆層22d、第三電解鍍覆層22f及第四電解鍍覆層22h係例如由銅等金屬同時形成。換言之，第二電解鍍覆層22d、第三電解鍍覆層22f及第四電解鍍覆層22h為藉由相同的電解鍍覆處理所形成的鍍覆層。

接著，說明至少將位於第二絕緣層上的第四基底金屬層及第四電解鍍覆層去除，從而形成配置成從第一溝槽延伸到第一上表面f1且包 含寬幅圖案的第一配線導體，並且形成位於第二溝槽內且包含寬度為15μm以下的窄幅圖案的第二配線導體的步驟(步驟(f))。

如圖5(C)所示，至少將位於第二絕緣層21b上的第四基底金屬層22g及第四電解鍍覆層22h去除。在此去除的步驟中，可視需要而將第二絕緣層21b的一部分也去除掉。例如，在第二溝槽G2的開口部附近的寬度超過15μm這樣的情況，可不僅將位於第二絕緣層21b上的第四基底金屬層22g及第四電解鍍覆層22h去除，也將第二絕緣層21b的一部分去除直到第二溝槽G2的寬度在15μm以下。如此，就形成：包含寬幅圖案WP、及殘留於第一溝槽G1內的第二基底金屬層22c和第二電解鍍覆層22d的第一配線導體23，並且形成：包含寬度為15μm以下的窄幅圖案NP的第二配線導體24，該窄幅圖案NP係包含殘留於第二溝槽G2內的第三基底金屬層22e及第三電解鍍覆層22f。

如上述，與構成第一配線導體23的寬幅圖案WP的側面相接的第一溝槽G1及與寬幅圖案WP相分離的第二溝槽G2係在同一個步驟(步驟(d))形成。在步驟(e)形成填滿此等第一溝槽G1的厚度的第二電解鍍覆層22d及填滿第二溝槽G2的厚度的第三電解鍍覆層22f之後，在步驟(f)至少將位於第二絕緣層21b上的第四基底金屬層22g及第四電解鍍覆層22h去除。如此而形成：配置成從第一溝槽G1延伸至第一上表面f1且包含寬幅圖案WP的第一配線導體23，並且形成：位於第二溝槽G2內且包含寬度為15μm以下的寬度W2的窄幅圖案NP的第二配線導體24。結果，可提高第一配線導體23與第二配線導體24之間的位置精度。

重複進行步驟(a)~(f)，而如圖6所示，在核心基板10的上形成具有所想要的層數的增建層20。增建層20如上述包含：第一絕緣層21a；第二絕緣層21b，係位於第一絕緣層21a的第一上表面f1；第一溝槽G1及第二溝槽G2，係從第二絕緣層21b的第二上表面f2往第一絕緣層21a側凹陷；第一配線導體23，係配置成從第一溝槽G1延伸至第一絕緣層21a的第一上表面f1且包含寬度為150μm以上的寬度W1的寬幅圖案WP；以及第二配線導體24，係位於第二溝槽G2且包含寬度為15μm以下的寬度W2的窄幅圖案NP。

最後，將阻焊劑層30形成為位於增建層20的表面，而得到圖1所示的配線基板100。阻焊劑層30係藉由例如由丙烯酸改性環氧樹脂等的薄膜被覆增建層的表面並使之硬化而形成。阻焊劑層30係如上述，此處省略其詳細的說明。

接著，根據圖7來說明本揭示的其他的配線基板。圖7係顯示本揭示的第二實施型態的配線基板200的剖面的說明圖。在圖7所示的配線基板200中，與第一實施型態的配線基板100一樣的構件都標以相同的符號，其詳細的說明都予以省略。

第一實施型態的配線基板100中，第二配線導體24的底面(第三基底金屬層22e的底面)係與第一絕緣層21a接觸。第二實施型態的配線基板200中，第二配線導體24的底面(第三基底金屬層22e的底面)則是未與第一絕緣層21a接觸。亦即，第二配線導體24(第三基底金屬層22e及第三電解鍍覆層22f)係落在第二絕緣層21b內。換言之，第二溝槽G2 的深度係比第二絕緣層21b的厚度小。第二實施型態的配線基板200在如此的第二配線導體24的配置之點與第一實施型態的配線基板100不同。

以無電解鍍覆方式形成第一基底金屬層22a、第二基底金屬層22c、第三基底金屬層22e及第四基底金屬層22g之際，若使用鈀作為觸媒會有殘留鈀的情形。有鈀殘留，就容易在相互鄰接的第二配線導體24(第三基底金屬層22e)彼此之間、或是第二配線導體24與第一配線導體23之間，在第一絕緣層21a與第二絕緣層21b的交界附近產生遷移(migration)。如第二實施型態的配線基板200使第二配線導體24落在第二絕緣層21b內，第三基底金屬層22e就會遠離第一絕緣層21a與第二絕緣層21b的交界。結果，可減低交界附近的遷移，絕緣可靠性會更加提高。

製造第二實施型態的配線基板200的方法，係只要在例如形成上述的第一溝槽G1及第二溝槽G2的步驟(步驟(d))中調整第二溝槽G2的深度使得第二溝槽G2的底面落在第二絕緣層21b內即可。亦即，將第二溝槽G2的深度形成得比第二絕緣層21b的厚度小。第二溝槽G2的深度係依據第二絕緣層21b的厚度而適當地設定。

接著，根據圖8來說明本揭示的另一配線基板。圖8係顯示本揭示的第三實施型態的配線基板300的剖面的說明圖。圖8所示的配線基板300中，與第一實施型態的配線基板100一樣的構件都標以相同的符號，其詳細的說明都予以省略。

第一實施型態的配線基板100中，第一配線導體23的上表面(第一電解鍍覆層22b的上表面)並未受到第二絕緣層21b的被覆。第三實施型態的配線基板300中，則是使第一配線導體23的上表面(第一電解 鍍覆層22b的上表面)的至少一部分由第二絕緣層21b加以被覆而不從第二絕緣層21b露出。第三實施型態的配線基板300在如此的第一配線導體23的配置之點與第一實施型態的配線基板100不同。

例如，第二絕緣層21b與位於其上的絕緣層的交界附近會有存在有些微的間隙的情形，相互鄰接的配線導體彼此在交界露出就會有發生遷移的情形。亦即，在第一配線導體23(第一電解鍍覆層22b)與第二絕緣層21b的交界附近會容易發生遷移。如第三實施型態的配線基板300使第一配線導體23的上表面的至少一部分由第二絕緣層21b加以被覆，第一電解鍍覆層22b的上表面就會遠離第二絕緣層21b的上表面與位於其上的絕緣層的交界。結果，可減低第一電解鍍覆層22b的上表面與第二絕緣層21b的上表面之間發生遷移的情形，絕緣可靠性會更加提高。

製造第三實施型態的配線基板300的方法，係只要在例如形成上述的第二配線導體的步驟(步驟(f))中，以第一配線導體23的上表面的至少一部分並不會露出的方式，至少將位於第二絕緣層21b上的第四基底金屬層22g及第四電解鍍覆層22h去除掉即可。視需要，可只將第二絕緣層21b的上表面附近去除掉。

接著，根據圖9及10來說明本揭示的另一配線基板。圖9係顯示本揭示的第四實施型態的配線基板400的剖面的說明圖。圖10係示意地只顯示圖9所示的配線基板中的導體部分的立體圖。在圖9所示的配線基板400中，與第一實施型態的配線基板100一樣的構件都標以相同的符號，其詳細的說明都予以省略。

第一實施型態的配線基板100中，位於第一溝槽G1的第一配線導體23的底面(第二基底金屬層22c的底面)係位於第一絕緣層21a的第一上表面f1附近。第四實施型態的配線基板400中，位於第一溝槽G1的第一配線導體23的底面(第二基底金屬層22c的底面)則是與下層導體(相當於圖9所示的配線基板400中的核心導體層12a)相接。第四實施型態的配線基板400在如此的第一配線導體23的配置之點與第一實施型態的配線基板100不同。

第四實施型態的配線基板400因為位於第一溝槽G1的第一配線導體23的底面與下層導體相接，所以使發揮作為訊號用的配線導體的機能的第二配線導體24的屏蔽性提高。亦即，第二配線導體24係藉由位於第二配線導體24的兩側的第一配線導體23而受到屏蔽。

要使位於第一溝槽G1的第一配線導體23的底面與下層導體相接，只要在上述的製造方法(步驟(a)~(f))中更包含在第一絕緣層21a的與第一面為相反側的面形成下層導體層的步驟(步驟(g))即可。下層導體層係相當於圖9所示的配線基板400中的核心導體層12a。可在步驟(g)中形成下層導體層之後，以到達下層導體層的深度來形成第一溝槽G1，然後在該第一溝槽G1內形成將成為第一配線導體23的導體即可。

第四實施型態的配線基板400可如圖9所示，更具備有第三絕緣層21c、第四絕緣層21d、第三溝槽G3及第三配線導體25。第三絕緣層21c係位於第二絕緣層21b的第二上表面f2，且具有第三上表面f3。第四絕緣層21d係位於第三絕緣層21c的第三上表面f3，且具有第四上表面f4。第三溝槽G3係具有從第四絕緣層21d的第四上表面f4往第三絕緣 層21c側凹陷的第三內面。第三配線導體25係配置成從第三溝槽G3延伸至第三上表面，且包含寬度為150μm以上的第二寬幅圖案WP2。

第三絕緣層21c及第四絕緣層21d係列舉與形成上述的第一絕緣層21a的樹脂相同的樹脂。樹脂可單獨使用，亦可併用兩種以上。另外，亦可使與上述的第一絕緣層21a相同的絕緣粒子分散於第三絕緣層21c及第四絕緣層21d中。第三絕緣層21c的厚度及第四絕緣層21d的厚度並沒有限制。例如，第四絕緣層21d的厚度可比第三絕緣層21c的厚度薄。第三絕緣層21c係具有例如10μm以上50μm以下的厚度。第四絕緣層21d係具有例如5μm以上25μm以下的厚度。

第三配線導體25與上述的第一配線導體23相同，具有基底金屬層及電解鍍覆層。在上述的各個層的說明中，第一絕緣層21a相當於第三絕緣層21c，第一上表面f1相當於第三上表面，第一溝槽G1相當於第三溝槽G3，第一內面n1相當於第三內面。

位於第三溝槽G3的第三配線導體25係與第一配線導體23相接。在配線基板的厚度方向的剖面視圖中，第二配線導體24的一部分係由下層導體(相當於圖9所示的配線基板400中的核心導體層12a)、第一配線導體23及第三配線導體25所圍住。亦即，在增建層20中形成同軸配線構造。第四實施型態的配線基板400由於形成有如此的同軸配線構造，因此使發揮作為訊號用的配線導體的機能的第二配線導體24的屏蔽性更加提高。

要更具備有第三絕緣層21c、第四絕緣層21d、第三溝槽G3及第三配線導體25，只要在上述的製造方法(步驟(a)~(f))之外更包含下述的步驟(h)~(l)即可。

(h)在第二上表面f2形成具有第三上表面的第三絕緣層21c的步驟。

(i)在第三上表面，形成：具有150μm以上的寬度的第二寬幅圖案WP2的步驟。

(j)形成被覆第三上表面及第二寬幅圖案WP2且具有第四上表面的第四絕緣層21d的步驟。

(k)在以俯視透視觀看時隔著第二配線導體24的兩側形成：從第四上表面往第三絕緣層21c側凹陷，且與第二寬幅圖案WP2的側面相接並且到達第一配線導體23的第三溝槽G3的步驟。

(l)在以俯視透視觀看時隔著第二配線導體24的兩側形成：配置成從第三溝槽G3延伸至第三上表面，且包含第二寬幅圖案WP2並且一部分與第一配線導體23相接的第三配線導體25的步驟。

形成第三絕緣層21c、第四絕緣層21d、第二寬幅圖案WP2、第三溝槽G3及第三配線導體25的方法(步驟(h)~(l))，係按照形成上述的第一絕緣層21a、第二絕緣層21b、寬幅圖案WP、第一溝槽G1及第一配線導體23的方法(步驟)而進行即可。

如圖9所示，第四實施型態的配線基板400可更具備有在第一上表面f1側具有複數個電極26的第五絕緣層21e。第五絕緣層21e係列舉與形成上述的第一絕緣層21a的樹脂相同的樹脂。樹脂可單獨使用，亦可併用兩種以上。另外，亦可使與上述的第一絕緣層21a相同的絕緣粒 子分散於第五絕緣層21e中。第五絕緣層21e的厚度並沒有限制。例如，第五絕緣層21e係具有例如5μm以上25μm以下的厚度。

如圖9所示，第四實施型態的配線基板400中，下層導體(相當於核心導體層12a)可更包含：圓筒形狀的第一貫穿孔導體121b、以及俯視觀看時與該第一貫穿孔導體121b相分離而配置於該第一貫穿孔導體121b的內側的第二貫穿孔導體122b。第一貫穿孔導體121b及第二貫穿孔導體122b係與上述的貫穿孔導體12b相同，位於上下貫通核心絕緣層11的貫穿孔TH內。第一貫穿孔導體121b及第二貫穿孔導體122b係將位於核心絕緣層11的上下表面的核心導體層12a及增建導體層22電性連接。第一貫穿孔導體121b及第二貫穿孔導體122b也與上述的貫穿孔導體12b相同，以由銅鍍層等金屬鍍層所構成的導體來形成。

第一貫穿孔導體121b係具有圓筒形狀，且形成於貫穿孔TH的內壁面。第二貫穿孔導體122b係以被第一貫穿孔導體121b圍住的型態位於第一貫穿孔導體121b的內側。第二貫穿孔導體122b係例如具有圓柱狀等柱形形狀。第一貫穿孔導體121b及第二貫穿孔導體122b具有如此的構造，因此在例如第一貫穿孔導體121b為接地用導體，第二貫穿孔導體122b為訊號用導體的情況，可利用第一貫穿孔導體121b來屏蔽第二貫穿孔導體122b，訊號的傳送特性會提高。

在第一貫穿孔導體121b與第二貫穿孔導體122b之間係填充有填充樹脂11a。採用作為填充樹脂11a的樹脂並沒有限制，舉例來說有例如環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三

樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯醚樹脂、液晶聚合物等。

第一貫穿孔導體121b係與第一配線導體23及第三配線導體25電性連接。複數個電極26之中的至少一個電極26與第二貫穿孔導體122b，係經由第二配線導體24而電性地相連接。電極26為從阻焊劑層30的開口部露出的增建導體層22的一部分。亦可為複數個電極26之中的至少兩個電極26係經由第二配線導體24而電性地相連接。

以下，根據圖11至圖15來說明第四實施型態的配線基板400的製造方法的一實施型態。圖11至圖15係用來說明本揭示的第四實施型態的配線基板的製造步驟的說明圖。

首先，準備核心基板10。如圖11(A)所示，準備核心絕緣層11與核心導體12的積層體。接著，如圖11(B)所示形成貫穿孔TH。貫穿孔TH係採用鑽孔加工及雷射加工等一般的方法所形成。接著，如圖11(C)所示，使無電解銅鍍覆在核心導體12的表面及貫穿孔TH的內壁面析出，然後，如圖11(D)所示，使電解銅鍍覆析出。電解銅鍍覆的析出並未填滿貫穿孔TH。

接著，如圖11(E)所示，將填充樹脂11a填充入貫穿孔TH，並如圖11(F)所示，將超出於貫穿孔TH外的填充樹脂11a去除掉。以例如研磨等方式去除掉超出的填充樹脂11a。去除填充樹脂11a之際，可將形成於貫穿孔TH的內壁面之外的無電解銅鍍覆及電解銅鍍覆也去除掉，亦可不加以去除。以此方式，在貫穿孔TH的內壁面形成第一貫穿孔導體121b。

接著，如圖12(A)所示，在填充樹脂11a的中央部形成貫通厚度方向的上下表面的型態的第二貫穿孔TH2。接著，如圖12(B)所示， 使無電解銅鍍覆在核心導體12的表面及第二貫穿孔TH2的內壁面析出，然後，如圖12(C)所示，使電解銅鍍覆析出。電解銅鍍覆的析出係進行到填滿第二貫穿孔TH2。接著，如圖12(D)所示，以例如研磨等方式將位於核心導體12的表面的無電解銅鍍覆及電解銅鍍覆去除掉。以此方式，在第二貫穿孔TH2形成第二貫穿孔導體122b，就完成核心基板10。

接著，如圖12(E)所示，在核心基板10的表面形成第一絕緣層21a，並如圖12(F)所示，在所希望的位置形成貫通第一絕緣層21a的通孔V1。通孔V1如上述，以雷射加工方式形成。

接著，如圖13(A)所示，使無電解銅鍍覆在第一絕緣層21a的表面及通孔V1的內壁面析出。此無電解銅鍍覆係相當於第一基底金屬層22a。接著，如圖13(B)所示，以阻劑R被覆不要形成電解銅鍍覆(相當於第一電解鍍覆層22b)的部分，再如圖13(C)所示，使電解銅鍍覆析出而形成第一電解鍍覆層22b。接著，如圖13(D)所示，將阻劑R去除。

接著，如圖14(A)所示，將去除了阻劑R之後原先由阻劑R被覆的部分的無電解銅鍍覆(第一基底金屬層22a)去除。第一基底金屬層22a係例如以蝕刻等方式加以去除。接著，如圖14(B)所示，形成被覆第一絕緣層21a的表面及第一電解鍍覆層22b的第二絕緣層21b。

接著，如圖14(C)所示，形成第一溝槽G1及第二溝槽G2。第一溝槽G1係形成為貫通到位於與第一絕緣層21a的第一上表面f1為相反側的下層導體(核心導體層12a)。第二溝槽G2則是形成為其底面位於第一絕緣層21a的第一上表面f1附近。從絕緣可靠性的點來說，第二溝槽G2的底面以例如與下層導體相隔10μm以上為佳。第一溝槽G1及第二溝 槽G2如上述，係以雷射加工方式形成。第一溝槽G1及第二溝槽G2以例如改變雷射的照射(shot)次數的方式形成。

接著，如圖14(D)所示，使無電解銅鍍覆在第二絕緣層21b的表面、第一溝槽G1的內壁面及第二溝槽G2的內壁面析出。此無電解銅鍍覆係相當於第二基底金屬層22c及第三基底金屬層22e。亦即，位於第一溝槽G1的內壁面的無電解銅鍍覆係相當於第二基底金屬層22c，而位於第二溝槽G2的內壁面的無電解銅鍍覆係相當於第三基底金屬層22e。

接著，如圖15(A)所示，以填滿第一溝槽G1及第二溝槽G2的方式使電解銅鍍覆析出。位於第一溝槽G1的電解銅鍍覆係相當於第二電解鍍覆層22d，而位於第二溝槽G2的電解銅鍍覆係相當於第三電解鍍覆層22f。接著，如圖15(B)所示，將超出於第一溝槽G1及第二溝槽G2的多餘的電解銅鍍覆及無電解鍍覆去除。電解銅鍍覆及無電解鍍覆可用例如研磨等方式加以去除。以此方式，在第一溝槽G1形成第一配線導體23，在第二溝槽G2形成第二配線導體24。

重複進行圖12(E)至圖15(B)所需要的次數，然後在表面形成在要使電極26露出的部分具有開口的阻焊劑層，就得到如圖15(C)所示的第四實施型態的配線基板400。

第一實施型態的配線基板100、第二實施型態的配線基板200、第三實施型態的配線基板300及第四實施型態的配線基板400，其增建層20均為設置於核心基板10的上表面側。在本揭示的配線基板中，增建層20亦可位於核心基板10的下表面側。在位於核心基板10的下表面側的增建層20中，「第一上表面f1」及「第二上表面f2」等的上表面係 相當於下表面。不過，將配線基板上下翻轉180度，核心基板10的上表面側及下表面側就會反過來，所以將之記載為「第一上表面f1」及「第二上表面f2」等上表面。亦即，在本說明書中，將增建層20的各層的面當中距核心基板10較遠側的面稱為「上表面」。

再者，本揭示的發明並不限定於上述實施型態，而是可在下述的(1)及(10)所述的本揭示的範圍內做各種變更及改良。

(1)本揭示的配線基板係具備有：第一絕緣層，係具有第一上表面；第二絕緣層，係位於第一上表面且具有第二上表面；第一溝槽，係具有從第二上表面往第一絕緣層側凹陷的第一內面；第二溝槽，係具有從第二上表面往第一絕緣層側凹陷的第二內面；第一配線導體，係配置成從第一溝槽延伸到第一上表面，且包含寬度為150μm以上的寬幅圖案；以及第二配線導體，係位於第二溝槽，且包含寬度為15μm以下的窄幅圖案。第一配線導體係包含：第一基底金屬層，係位於第一上表面；第一電解鍍覆層，係位於第一基底金屬層上，且側面成為第一內面的一部分；第二基底金屬層，係位於第一內面上，並且與第一電解鍍覆層的側面相連接；以及第二電解鍍覆層，係位於第二基底金屬層上，且填充於第一溝槽內。第二配線導體係包含：第三基底金屬層，係位於第二內面上；以及第三電解鍍覆層，係位於第三基底金屬層上，且填充於第二溝槽內。

關於本揭示的實施型態，更揭示以下的(2)至(9)及(11)至(16)所述的實施型態。

(2)在上述(1)所述的配線基板中，第一電解鍍覆層的側面係具有150nm以上300nm以下的算術平均粗糙度Ra。

(3)在上述(1)或(2)所述的配線基板中，第一內面及第二內面的至少一者係具有50nm以上100nm以下的算術平均粗糙度Ra。

(4)在上述(1)至(3)中任一項所述的配線基板中，第二溝槽的深度係比第二絕緣層的厚度小。

(5)在上述(1)至(4)中任一項所述的配線基板中，第一電解鍍覆層的表面的至少一部分係由第二絕緣層被覆著。

(6)在上述(1)至(5)中任一項所述的配線基板中，更具備有下層導體，該下層導體係位於第一絕緣層的與第一上表面為相反側的面。位於第一溝槽的第一配線導體係與下層導體相接。

(7)在上述(6)所述的配線基板中，更具備有：第三絕緣層，係位於第二上表面且具有第三上表面；第四絕緣層，係位於第三上表面且具有第四上表面；第三溝槽，係具有從第四上表面往第三絕緣層側凹陷的第三內面；以及第三配線導體，係配置成從第三溝槽延伸到第三上表面，且包含寬度為150μm以上的第二寬幅圖案。位於第三溝槽的第三配線導體係與第一配線導體相接。在配線基板的厚度方向的剖面視圖中，第二配線導體的一部分係被下層導體、第一配線導體及第三配線導體圍住。

(8)在上述(7)記載的配線基板中，更具備有在第一上表面側具有複數個電極的第五絕緣層。下層導體更包含：圓筒形狀的第一貫穿孔導體、以及第二貫穿孔導體，該第二貫穿孔導體係俯視觀看時與該第一貫穿孔導體相分離而位於該第一貫穿孔導體的內側。第一貫穿孔導體係與第一配線導體及第三配線導體電性連接。複數個電極之中的至少一個電極與第二貫穿孔導體，係經由第二配線導體而電性地相連接。

(9)在上述(8)所述的配線基板中，複數個電極之中的至少兩個電極係經由前述第二配線導體而電性地相連接。

(10)本揭示的配線基板的製造方法係包含：形成具有第一上表面的第一絕緣層的步驟；在第一上表面，形成包含第一基底金屬層及位於第一基底金屬層上的第一電解鍍覆層且具有150μm以上的寬度的寬幅圖案的步驟；形成被覆第一上表面及寬幅圖案且具有第二上表面的第二絕緣層的步驟；形成從第二上表面往第一絕緣層側凹陷，且具有與寬幅圖案的側面相接的第一內面的第一溝槽及具有與寬幅圖案相分離的第二內面的第二溝槽的步驟；形成被覆第一內面的第二基底金屬層、被覆第二內面的第三基底金屬層、與第二基底金屬層和第三基底金屬層相連續且被覆第二上表面的第四基底金屬層、位於第二基底金屬層上且填滿第一溝槽的厚度的第二電解鍍覆層、位於第三基底金屬層上且填滿第二溝槽的厚度的第三電解鍍覆層、以及與第二電解鍍覆層和第三電解鍍覆層相連續且位於第四基底金屬層上的第四電解鍍覆層的步驟；以及至少將位於第二上表面的第四基底金屬層及第四電解鍍覆層去除，從而形成配置成從第一溝槽延伸到第一上表面且包含寬幅圖案的第一配線導體，並且形成位於第二溝槽內且包含寬度為15μm以下的窄幅圖案的第二配線導體的步驟。

(11)在上述(10)所述的製造方法中，在形成第一配線導體的步驟中，對第一電解鍍覆層的側面實施使其粗糙度成為150nm以上300nm以下的算術平均粗糙度Ra的粗化處理。

(12)在上述(10)或(11)所述的製造方法中，在形成第一溝槽及第二溝槽的步驟中，進行使除了寬幅圖案的側面之外的第一內面及第二內面成為50nm以上100nm以下的算術平均粗糙度Ra的溝槽形成處理。

(13)在上述(10)至(12)所述的製造方法中，在形成第一溝槽及第二溝槽的步驟中，將第二溝槽的深度形成得比第二絕緣層的厚度小。

(14)在上述(10)至(13)所述的製造方法中，在形成第一配線導體及第二配線導體的步驟中，以第一配線導體的表面的至少一部分不會露出的方式，至少將位於第二絕緣層上的第四基底金屬層及第四電解鍍覆層去除掉。

(15)在上述(10)至(14)所述的製造方法中，更包含在第一絕緣層的與第一面為相反側的面形成下層導體層的步驟。以到達下層導體層的深度來形成第一溝槽。

(16)在上述(15)所述的製造方法中，更包含：在第二上表面，形成具有第三上表面的第三絕緣層的步驟；在第三上表面，形成具有150μm以上的寬度的第二寬幅圖案的步驟；形成被覆第三上表面及第二寬幅圖案且具有第四上表面的第四絕緣層的步驟；在隔著第二配線導體24的兩側形成：從第四上表面往第三絕緣層21c側凹陷，且與第二寬幅圖案WP2的側面相接並且到達第一配線導體23的第三溝槽G3的步驟；以及在隔著第二配線導體24的兩側形成：配置成從第三溝槽延伸到第三上表面，且包含第二寬幅圖案並且一部分與第一配線導體相接的第三配線導體的步驟。

10:核心基板

11:核心絕緣層

12:核心導體

12a:核心導體層

12b:貫穿孔導體

20:增建層

21:增建絕緣層

21a:第一絕緣層

21b:第二絕緣層

22:增建導體層

22a:第一基底金屬層

22b:第一電解鍍覆層

22c:第二基底金屬層

22d:第二電解鍍覆層

22e:第三基底金屬層

22f:第三電解鍍覆層

23:第一配線導體

24:第二配線導體

30:阻焊劑層

100:配線基板

G1:第一溝槽

G2:第二溝槽

NP:窄幅圖案

WP:寬幅圖案

Claims (16)

1. 一種配線基板，係具備有：第一絕緣層，係具有第一上表面；第二絕緣層，係位於前述第一上表面且具有第二上表面；第一基底金屬層，係位於前述第一上表面；第一電解鍍覆層，係位於前述第一基底金屬層上；第一溝槽，係從前述第二上表面沿著前述第一電解鍍覆層的側面往前述第一絕緣層側凹陷，且具有第一內面，前述第一內面包括前述第一電解鍍覆層的側面作為內面之一部分；第二溝槽，係具有從前述第二上表面往前述第一絕緣層側凹陷的第二內面；第一配線導體，係配置成從前述第一溝槽延伸到前述第一上表面，且包含寬度為150μm以上的寬幅圖案；以及第二配線導體，係位於前述第二溝槽，且包含寬度為15μm以下的窄幅圖案；前述第一配線導體係包含：第二基底金屬層，係位於前述第一內面上，並且與前述第一電解鍍覆層的前述側面相連接；以及第二電解鍍覆層，係位於該第二基底金屬層上，且填充於前述第一溝槽內；前述第二配線導體係包含：第三基底金屬層，係位於前述第二內面上；以及 第三電解鍍覆層，係位於該第三基底金屬層上，且填充於前述第二溝槽內。
2. 如請求項1所述之配線基板，其中，前述第一電解鍍覆層的前述側面係具有150nm以上300nm以下的算術平均粗糙度Ra。
3. 如請求項1或2所述之配線基板，其中，前述第一內面及前述第二內面的至少一者係具有50nm以上100nm以下的算術平均粗糙度Ra。
4. 如請求項1或2所述之配線基板，其中，前述第二溝槽的深度係比前述第二絕緣層的厚度小。
5. 如請求項1或2所述之配線基板，其中，前述第一電解鍍覆層的表面的至少一部分係由前述第二絕緣層被覆著。
6. 如請求項1或2所述之配線基板，更具備有下層導體，該下層導體係位於前述第一絕緣層的與前述第一上表面為相反側的面；位於前述第一溝槽之前述第一配線導體係與前述下層導體相接。
7. 如請求項6所述之配線基板，更具備有：第三絕緣層，係位於前述第二上表面且具有第三上表面；第四絕緣層，係位於前述第三上表面且具有第四上表面；第三溝槽，係具有從前述第四上表面往前述第三絕緣層側凹陷的第三內面；以及第三配線導體，係配置成從前述第三溝槽延伸到前述第三上表面，且包含寬度為150μm以上的第二寬幅圖案；位於前述第三溝槽的前述第三配線導體係與前述第一配線導體相接； 在前述配線基板的厚度方向的剖面視圖中，前述第二配線導體的一部分係被前述下層導體、前述第一配線導體及前述第三配線導體圍住。
8. 如請求項7所述之配線基板，更具備有第五絕緣層，該第五絕緣層係具有複數個電極；前述下層導體更包含：圓筒形狀的第一貫穿孔導體、以及第二貫穿孔導體，該第二貫穿孔導體係俯視觀看時與該第一貫穿孔導體相分離而位於該第一貫穿孔導體的內側；前述第一貫穿孔導體係與前述第一配線導體及前述第三配線導體電性連接；前述複數個電極之中的至少一個電極與前述第二貫穿孔導體，係經由前述第二配線導體而電性地相連接。
9. 如請求項8所述之配線基板，其中，前述複數個電極之中的至少兩個電極係經由前述第二配線導體而電性地相連接。
10. 一種配線基板的製造方法，係包含：形成具有第一上表面的第一絕緣層的步驟；在前述第一上表面，形成包含第一基底金屬層及位於該第一基底金屬層上的第一電解鍍覆層且具有150μm以上的寬度的寬幅圖案的步驟；形成被覆前述第一上表面及前述寬幅圖案且具有第二上表面的第二絕緣層的步驟；形成從前述第二上表面沿著前述第一電解鍍覆層的側面往前述第一絕緣層側凹陷且具有包括前述第一電解鍍覆層的側面作為內面之一部分的第 一內面的第一溝槽、及具有與前述第一電解鍍覆層的側面相分離而配置的第二內面的第二溝槽的步驟；形成被覆前述第一內面的第二基底金屬層、被覆前述第二內面的第三基底金屬層、與前述第二基底金屬層和前述第三基底金屬層相連續且被覆前述第二上表面的第四基底金屬層、位於前述第二基底金屬層上且填滿前述第一溝槽的厚度的第二電解鍍覆層、位於前述第三基底金屬層上且填滿前述第二溝槽的厚度的第三電解鍍覆層、以及與前述第二電解鍍覆層和前述第三電解鍍覆層相連續且位於前述第四基底金屬層上的第四電解鍍覆層的步驟；以及至少將位於前述第二上表面的前述第四基底金屬層及前述第四電解鍍覆層去除，從而形成配置成從前述第一溝槽延伸到前述第一上表面且包含前述寬幅圖案的第一配線導體，並且形成位於前述第二溝槽內且包含寬度為15μm以下的窄幅圖案的第二配線導體的步驟。
11. 如請求項10所述之配線基板的製造方法，其中，在形成前述第一配線導體的步驟中，對前述第一電解鍍覆層的側面實施使其成為150nm以上300nm以下的算術平均粗糙度Ra的粗化處理。
12. 如請求項10或11所述之配線基板的製造方法，其中，在形成前述第一溝槽及前述第二溝槽的步驟中，進行使除了前述寬幅圖案的側面之外的前述第一內面及前述第二內面成為50nm以上100nm以下的算術平均粗糙度Ra的溝槽形成處理。
13. 如請求項10或11所述之配線基板的製造方法，其中，在形成前述第一溝槽及前述第二溝槽的步驟中，將前述第二溝槽的深度形成得比前述第二絕緣層的厚度小。
14. 如請求項10或11所述之配線基板的製造方法，其中，在形成前述第一配線導體及前述第二配線導體的步驟中，以前述第一配線導體的表面的至少一部分不會露出的方式，至少將位於第二絕緣層上的前述第四基底金屬層及前述第四電解鍍覆層去除掉。
15. 如請求項10或11所述之配線基板的製造方法，更包含在前述第一絕緣層的與前述第一上表面為相反側的面形成下層導體層的步驟，並以到達前述下層導體層的深度來形成前述第一溝槽。
16. 如請求項15所述之配線基板的製造方法，更包含：在前述第二上表面，形成具有第三上表面的第三絕緣層的步驟；在前述第三上表面，形成具有150μm以上的寬度的第二寬幅圖案的步驟；形成被覆前述第三上表面及前述第二寬幅圖案且具有第四上表面的第四絕緣層的步驟；在隔著前述第二配線導體的兩側形成：從前述第四上表面往前述第三絕緣層側凹陷，且與前述第二寬幅圖案的側面相接並且到達前述第一配線導體的第三溝槽的步驟；以及 在隔著前述第二配線導體的兩側形成：配置成從前述第三溝槽延伸到前述第三上表面，且包含前述第二寬幅圖案，並且一部分與前述第一配線導體相接的第三配線導體的步驟。

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