TWI889075B

TWI889075B - 晶片移轉與固接設備、晶片固接設備以及晶片移轉與固接方法

Info

Publication number: TWI889075B
Application number: TW112149376A
Authority: TW
Inventors: 廖建碩
Original assignee: 台灣愛司帝科技股份有限公司
Priority date: 2023-12-19
Filing date: 2023-12-19
Publication date: 2025-07-01
Also published as: US20250204101A1; TW202527628A

Abstract

本發明提供晶片移轉與固接設備、晶片固接設備以及晶片移轉與固接方法。晶片移轉與固接設備包括訊號控制模組、晶片承載模組、晶片移轉模組以及雷射光產生模組。當晶片承載模組被配置以用於承載一電路基板時，晶片移轉模組被配置以用於將多個晶片移轉到電路基板上。當晶片移轉模組被配置以用於將多個晶片移轉到電路基板上時，雷射光產生模組被配置以用於產生一雷射光束，且雷射光束被允許聚焦在遠離其中一晶片的任意位置而形成一光聚焦區域以及遠離光聚焦區域的一熱輻射區域。多個焊接材料被允許透過雷射光束的熱輻射區域所提供的一預定輻射溫度而固化，藉此以使得每一晶片被允許透過焊接材料而固接在電路基板上。

Description

晶片移轉與固接設備、晶片固接設備以及晶片移轉與固接方法

本發明涉及一種晶片移轉與固接設備、晶片固接設備以及晶片移轉與固接方法，特別是涉及一種半導體晶片移轉與固接設備、半導體晶片固接設備以及半導體晶片移轉與固接方法。

現有技術中，雷射焊接可用於將晶片固接在電路板上，然而現有技術中的雷射焊接設備與雷射焊接方法仍然具有可改善空間。

本發明所要改善或者解決的問題在於，針對現有技術的不足提供一種晶片移轉與固接設備、晶片固接設備以及晶片移轉與固接方法。

為了改善或者解決上述的問題，本發明所採用的其中一技術手段是提供一種晶片移轉與固接設備，其包括：一訊號控制模組、一晶片承載模組、一晶片移轉模組以及一雷射光產生模組。晶片承載模組電性連接於訊號控制模組。晶片移轉模組可移動地設置在晶片承載模組的上方且電性連接於訊號控制模組。雷射光產生模組可移動地設置在晶片承載模組的上方且電性連接於訊號控制模組。其中，當晶片承載模組被配置以用於承載一電路基板時，晶片移轉模組被允許透過訊號控制模組的控制而被配置以用於將多個晶片移轉到電路基板上，且每一晶片被允許透過多個焊接材料而電性連接於電路基板。其中，當晶片移轉模組透過訊號控制模組的控制而被配置以用於將多個晶片移轉到電路基板上時，雷射光產生模組被允許透過訊號控制模組的控制而被配置以用於產生一雷射光束，雷射光束被允許聚焦在遠離其中一晶片的任意位置而形成一光聚焦區域以及遠離光聚焦區域的一熱輻射區域，且多個焊接材料被允許透過雷射光束的熱輻射區域所提供的一預定輻射溫度而固化，藉此以使得每一晶片被允許透過焊接材料而固接在電路基板上。

為了改善或者解決上述的問題，本發明所採用的另外一技術手段是提供一種晶片固接設備，其包括：一訊號控制模組、一晶片承載模組以及一雷射光產生模組。晶片承載模組電性連接於訊號控制模組。雷射光產生模組可移動地設置在晶片承載模組的上方且電性連接於訊號控制模組。其中，當多個晶片被允許透過多個焊接材料而電性連接於一電路基板時，雷射光產生模組被允許透過訊號控制模組的控制而被配置以用於產生一雷射光束，雷射光束被允許聚焦在遠離其中一晶片的任意位置而形成一光聚焦區域以及遠離光聚焦區域的一熱輻射區域，且多個焊接材料被允許透過雷射光束的熱輻射區域所提供的一預定輻射溫度而固化，藉此以使得每一晶片被允許透過焊接材料而固接在電路基板上。

為了改善或者解決上述的問題，本發明所採用的另外再一技術手段是提供一種晶片移轉與固接方法，其包括：透過一晶片承載模組以承載一電路基板；透過一晶片移轉模組以將多個晶片移轉到電路基板上，每一晶片被允許透過多個焊接材料而電性連接於電路基板；以及，透過一雷射光產生模組以產生一雷射光束，雷射光束被允許聚焦在遠離其中一晶片的任意位置而形成一光聚焦區域以及遠離光聚焦區域的一熱輻射區域，且多個焊接材料被允許透過雷射光束的熱輻射區域所提供的一預定輻射溫度而固化，藉此以使得每一晶片被允許透過焊接材料而固接在電路基板上。其中，晶片承載模組、晶片移轉模組以及雷射光產生模組電性連接於一訊號控制模組。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種晶片移轉與固接設備以及一種晶片固接設備，其能通過「雷射光產生模組被允許透過訊號控制模組的控制而被配置以用於產生一雷射光束」、「雷射光束被允許聚焦在遠離其中一晶片的任意位置而形成一光聚焦區域以及遠離光聚焦區域的一熱輻射區域」以及「多個焊接材料被允許透過雷射光束的熱輻射區域所提供的一預定輻射溫度而固化」的技術方案，以使得每一晶片被允許透過焊接材料而固接在電路基板上。

本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的一種晶片移轉與固接方法，其能通過「透過一雷射光產生模組以產生一雷射光束」、「雷射光束被允許聚焦在遠離其中一晶片的任意位置而形成一光聚焦區域以及遠離光聚焦區域的一熱輻射區域」以及「多個焊接材料被允許透過雷射光束的熱輻射區域所提供的一預定輻射溫度而固化」的技術方案，以使得每一晶片被允許透過焊接材料而固接在電路基板上。

為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關「晶片移轉與固接設備、晶片固接設備以及晶片移轉與固接方法」的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，需事先聲明的是，本發明的圖式僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語「或」，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

[第一實施例]

參閱圖1至圖6所示，本發明第一實施例提供一種晶片移轉與固接方法，其可以包括下列步驟：首先，配合圖1、圖2與圖3所示，透過一晶片承載模組2（例如可移動夾具、可移動真空吸盤或者任何種類的可移動載台）以承載一電路基板P（例如具有電路布局的任何承載基板）（步驟S100）；接著，配合圖1、圖2、圖3與圖4所示，透過一晶片移轉模組3（例如可移動夾爪、可移動真空吸嘴或者任何種類的晶片移轉結構）以將多個晶片C（例如預先透過一黏著層H以黏附在例如玻璃的一透明基板G上的多個發光二極體晶片、多個積體電路晶片或者任何種類的多個晶片，或者一或者多個晶片C也可以預先透過真空吸嘴以進行吸附）移轉到電路基板P上，每一晶片C被允許透過多個焊接材料S（例如預先放置在電路基板P上或者晶片C上的多個錫球或者任何種類的多個焊接體）而電性連接於電路基板P（步驟S1022）；然後，配合圖1、圖2與圖4（或圖5）所示，透過一雷射光產生模組4（例如具有固定式聚焦加工頭的一雷射光聚焦模組或者任何種類的雷射光提供模組）以產生一雷射光束L（或者一雷射光源），藉此以使得每一晶片C被允許透過焊接材料S而固接在電路基板P上（步驟S1042）；接下來，配合圖1、圖2與圖6所示，透過晶片移轉模組3以將透明基板G移除（步驟S106），或者在步驟S106之後還可以增加一清潔步驟，以清除可能殘留在晶片C的外表面上的殘留物（例如黏著層H的部分殘留材料）。更進一步來說，配合圖4或者圖5所示，在步驟S1042之中，雷射光束L被允許聚焦在遠離其中一晶片C的任意位置（舉例來說，如圖4所示，雷射光束L被允許聚焦在其中一晶片C的上方，或者如圖5所示，雷射光束L被允許聚焦在其中一晶片C的下方）而形成一光聚焦區域L11以及遠離光聚焦區域L11的一熱輻射區域L12（或者是可以涵蓋到至少一晶片C的一熱輻射區域L12），並且多個焊接材料S被允許透過雷射光束L的熱輻射區域L12所提供的一預定輻射溫度（或者是一預定焊接溫度）而固化。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。

值得注意的是，配合圖2、圖3以及圖4（或圖5）所示，本發明第一實施例所提供的一種晶片移轉與固接方法可以使用一種晶片移轉與固接設備D。更進一步來說，晶片移轉與固接設備D包括訊號控制模組1、晶片承載模組2、晶片移轉模組3以及雷射光產生模組4，並且訊號控制模組1、晶片承載模組2以及雷射光產生模組4可以相互配合以定義成一種晶片固接設備。另外，晶片承載模組2、晶片移轉模組3以及雷射光產生模組4電性連接於訊號控制模組1，晶片移轉模組3可移動地設置在晶片承載模組2的上方，並且雷射光產生模組4可移動地設置在晶片承載模組2的上方。

舉例來說，配合圖3與圖4所示，當晶片承載模組2被配置以用於承載一電路基板P時，晶片移轉模組3可以被允許透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於將多個晶片移轉到電路基板P上，並且每一晶片C可以被允許透過多個焊接材料S而電性連接於電路基板P。另外，如圖4或者圖5所示，當晶片移轉模組3透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於將多個晶片移轉到電路基板P上時，雷射光產生模組4可以被允許透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於產生一雷射光束L，雷射光束L可以被允許聚焦在遠離其中一晶片C的任意位置而形成一光聚焦區域L11（如圖4所示，雷射光束L被允許聚焦在其中一晶片C的上方而形成一光聚焦區域L11；如圖5所示，雷射光束L被允許聚焦在其中一晶片C的下方而形成一光聚焦區域L11；或者是任意周圍位置）以及遠離光聚焦區域L11的一熱輻射區域L12，並且多個焊接材料S可以被允許透過雷射光束L的熱輻射區域L12所提供的一預定輻射溫度而固化（例如熔化後再固化），藉此以使得每一晶片C（例如mini LED晶片或者micro LED晶片）可以被允許透過焊接材料S而固接在電路基板P上。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。

藉此，如圖4所示，當雷射光產生模組4透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於產生雷射光束L時，雷射光束L聚焦在晶片C的上方所形成的光聚焦區域L11可以在一預定程度上遠離多個晶片C，藉此以避免多個晶片C受到雷射光束L所產生的光聚焦區域L11的高溫影響而損壞。另外，如圖5所示，當雷射光產生模組4透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於產生雷射光束L時，雷射光束L聚焦在晶片C的下方所形成的光聚焦區域L11（也就是虛擬的光聚焦區域）可以在一預定程度上遠離多個晶片C，藉此以避免多個晶片C受到雷射光束L所產生的光聚焦區域L11的高溫影響而損壞。

[第二實施例]

參閱圖1、圖2、圖7以及圖8所示，本發明第二實施例提供一種晶片移轉與固接方法以及一種晶片移轉與固接設備D。由圖7與圖4的比較，或者圖8與圖5的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最主要的差異在於：在第二實施例中，當晶片移轉模組3透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於將多個晶片移轉到電路基板P上時（也就是步驟S1022），雷射光產生模組4所產生的雷射光束L可以被允許透過一光學整形模組5（例如包括多個微透鏡陣列）而形成投射在多個焊接材料S（也就是由至少兩個晶片C所接觸的多個焊接材料S）上的一線形區域（或者是條狀的小範圍雷射光斑）或者一矩形區域（或者是矩形的大範圍雷射光斑），藉此以增加晶片移轉與固接設備D的焊接效率。也就是說，在將多個晶片移轉到電路基板P上的步驟S1022之後，本發明第二實施例所提供的一種晶片移轉與固接方法可以進一步包括：透過一雷射光產生模組4（例如具有固定式聚焦加工頭的一雷射光聚焦模組或者任何種類的雷射光提供模組）以產生一雷射光束L（或者一雷射光源），並且雷射光產生模組4所產生的雷射光束L可以被允許透過一光學整形模組5而投射在多個焊接材料S上，藉此以使得每一晶片C被允許透過焊接材料S而固接在電路基板P上（步驟S1044）。

藉此，如圖7所示，當雷射光產生模組4透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於產生雷射光束L時，雷射光束L透過「其中一種光學整形模組5」而聚焦在晶片C的上方所形成的光聚焦區域L11可以在一預定程度上遠離多個晶片C，藉此以避免多個晶片C受到雷射光束L所產生的光聚焦區域L11的高溫影響而損壞。另外，如圖8所示，當雷射光產生模組4透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於產生雷射光束L時，雷射光束L透過「另外一種光學整形模組5」而聚焦在晶片C的下方所形成的光聚焦區域L11（也就是虛擬的光聚焦區域）可以在一預定程度上遠離多個晶片C，藉此以避免多個晶片C受到雷射光束L所產生的光聚焦區域L11的高溫影響而損壞。

[第三實施例]

參閱圖1、圖2、圖9以及圖10所示，本發明第三實施例提供一種晶片移轉與固接方法以及一種晶片移轉與固接設備D。由圖9與圖4的比較，或者圖10與圖5的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例最主要的差異在於：在第三實施例中，晶片承載模組2的內部或者外部具有一加熱板20（或者加熱器），並且加熱板20可以被配置以用於調整晶片承載模組2的溫度。藉此，當晶片承載模組2透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於承載電路基板P時（也就是步驟S1022），晶片承載模組2的加熱板20可以被允許透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於提供一穩定預熱溫度給電路基板P，並且穩定預熱溫度會低於預定輻射溫度（或者是一預定焊接溫度），以避免多個焊接材料S因為穩定預熱溫度而被固化。也就是說，在透過晶片承載模組2以承載電路基板P的步驟S100之後，本發明第三實施例所提供的一種晶片移轉與固接方法可以進一步包括：透過一晶片移轉模組3（例如可移動夾爪、可移動真空吸嘴或者任何種類的晶片移轉結構）以將多個晶片C（例如預先透過一黏著層H以黏附在例如玻璃的一透明基板G上的多個發光二極體晶片、多個積體電路晶片或者任何種類的多個晶片，或者一或者多個晶片C也可以預先透過真空吸嘴以進行吸附）移轉到電路基板P上，並且透過晶片承載模組2的加熱板20以提供一穩定預熱溫度（或者是持續固定的預熱溫度）給電路基板P（步驟S1024），藉此以避免多個焊接材料S在焊接過程以及冷卻過程中會因為焊接材料S產生應力殘留而造成焊接強度降低的情況，如此晶片C很容易受到外力影響而脫離電路基板P。

更進一步來說，由圖9與圖4的比較，或者圖10與圖5的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例最主要的差異在於：在第三實施例中，晶片移轉與固接設備D進一步包括一溫度檢測模組6，並且溫度檢測模組6可移動地設置在晶片承載模組2的周圍區域且電性連接於訊號控制模組1。也就是說，本發明第三實施例所提供的一種晶片移轉與固接方法可以進一步包括：透過一溫度檢測模組6以檢測雷射光束L的溫度。舉例來說，當雷射光產生模組4透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於產生雷射光束L時，溫度檢測模組6可以被允許透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於檢測雷射光束L的熱輻射區域L12所提供給多個焊接材料S的預定輻射溫度。此外，當溫度檢測模組6檢測雷射光束L的熱輻射區域L12所提供給多個焊接材料S的預定輻射溫度低於焊接材料S的一預定焊接溫度時，雷射光產生模組4可以被允許透過訊號控制模組1的控制而提升雷射光束L的能量，藉此以增加每一晶片C固接在電路基板P上的良率。另外，當溫度檢測模組6檢測雷射光束L的熱輻射區域L12所提供給多個焊接材料S的預定輻射溫度高於焊接材料S的預定焊接溫度時，雷射光產生模組4可以被允許透過訊號控制模組1的控制而降低雷射光束L的能量，藉此以增加每一晶片C固接在電路基板P上的良率。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。

藉此，如圖9所示，當雷射光產生模組4透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於產生雷射光束L時，雷射光束L聚焦在晶片C的上方所形成的光聚焦區域L11可以在一預定程度上遠離多個晶片C，藉此以避免多個晶片C受到雷射光束L所產生的光聚焦區域L11的高溫影響而損壞。另外，如圖10所示，當雷射光產生模組4透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於產生雷射光束L時，雷射光束L聚焦在晶片C的下方所形成的光聚焦區域L11（也就是虛擬的光聚焦區域）可以在一預定程度上遠離多個晶片C，藉此以避免多個晶片C受到雷射光束L所產生的光聚焦區域L11的高溫影響而損壞。

[實施例的有益效果]

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種晶片移轉與固接設備D以及一種晶片固接設備，其能通過「雷射光產生模組4被允許透過訊號控制模組1的控制而被配置以用於產生一雷射光束L」、「雷射光束L被允許聚焦在遠離其中一晶片C的任意位置而形成一光聚焦區域L11以及遠離光聚焦區域L11的一熱輻射區域L12」以及「多個焊接材料S被允許透過雷射光束L的熱輻射區域L12所提供的一預定輻射溫度而固化」的技術方案，以使得每一晶片C被允許透過焊接材料S而固接在電路基板P上。

本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的一種晶片移轉與固接方法，其能通過「透過一雷射光產生模組4以產生一雷射光束L」、「雷射光束L被允許聚焦在遠離其中一晶片C的任意位置而形成一光聚焦區域L11以及遠離光聚焦區域L11的一熱輻射區域L12」以及「多個焊接材料S被允許透過雷射光束L的熱輻射區域L12所提供的一預定輻射溫度而固化」的技術方案，以使得每一晶片C被允許透過焊接材料S而固接在電路基板P上。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

D : 晶片移轉與固接設備 1 : 訊號控制模組 2 : 晶片承載模組 20 : 加熱板 3 : 晶片移轉模組 4 : 雷射光產生模組 5 : 光學整形模組 6 : 溫度檢測模組 P : 電路基板 C : 晶片 S : 焊接材料 L : 雷射光束 L11 : 光聚焦區域 L12 : 熱輻射區域 G : 透明基板 H : 黏著層

圖1為本發明所提供的晶片移轉與固接方法的流程圖。

圖2為本發明所提供的晶片移轉與固接設備的功能方塊圖。

圖3為本發明透過一晶片承載模組以承載一電路基板以及透過一晶片移轉模組以移轉多個晶片的示意圖。

圖4為本發明第一實施例所提供的晶片移轉與固接設備透過一雷射光產生模組以產生聚焦在其中一晶片上方的一雷射光束的示意圖。

圖5為本發明第一實施例所提供的晶片移轉與固接設備透過一雷射光產生模組以產生聚焦在其中一晶片下方的一雷射光束的示意圖。

圖6為本發明透過晶片移轉模組以將一透明基板移除的示意圖。

圖7為本發明第二實施例所提供的晶片移轉與固接設備透過一雷射光產生模組以產生聚焦在其中一晶片上方的一雷射光束的示意圖。

圖8為本發明第二實施例所提供的晶片移轉與固接設備透過一雷射光產生模組以產生聚焦在其中一晶片下方的一雷射光束的示意圖。

圖9為本發明第三實施例所提供的晶片移轉與固接設備透過一雷射光產生模組以產生聚焦在其中一晶片上方的一雷射光束的示意圖。

圖10為本發明第三實施例所提供的晶片移轉與固接設備透過一雷射光產生模組以產生聚焦在其中一晶片下方的一雷射光束的示意圖。

D : 晶片移轉與固接設備 2 : 晶片承載模組 4 : 雷射光產生模組 P : 電路基板 C : 晶片 S : 焊接材料 L : 雷射光束 L11 : 光聚焦區域 L12 : 熱輻射區域 G : 透明基板 H : 黏著層

Claims

一種晶片移轉與固接設備，其包括：一訊號控制模組；一晶片承載模組，所述晶片承載模組電性連接於所述訊號控制模組；一晶片移轉模組，所述晶片移轉模組可移動地設置在所述晶片承載模組的上方且電性連接於所述訊號控制模組；以及一雷射光產生模組，所述雷射光產生模組可移動地設置在所述晶片承載模組的上方且電性連接於所述訊號控制模組；其中，當所述晶片承載模組被配置以用於承載一電路基板時，所述晶片移轉模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於將多個晶片移轉到所述電路基板上，且每一所述晶片被允許透過多個焊接材料而電性連接於所述電路基板；其中，當所述晶片移轉模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於將多個所述晶片移轉到所述電路基板上時，所述雷射光產生模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於產生一雷射光束，所述雷射光束被允許聚焦在遠離其中一所述晶片的任意位置而形成一光聚焦區域以及遠離所述光聚焦區域的一熱輻射區域，且多個所述焊接材料被允許透過所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供的一預定輻射溫度而固化，藉此以使得每一所述晶片被允許透過所述焊接材料而固接在所述電路基板上；其中，所述晶片承載模組的內部或者外部具有一加熱板，且所述加熱板被配置以用於調整所述晶片承載模組的溫度；其中，當所述晶片移轉模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於將多個所述晶片移轉到所述電路基板上時，所述雷射光產生模組所產生的所述雷射光束被允許透過一光學整形模組而形成投射在多個所述焊接材料上的一線形區域或者一矩形區域；其中，當所述雷射光產生模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於產生所述雷射光束時，所述雷射光束聚焦在所述晶片的上方或者下方所形成的所述光聚焦區域遠離多個所述晶片，藉此以避免多個所述晶片受到所述雷射光束所產生的所述光聚焦區域的高溫影響而損壞。
如請求項1所述的晶片移轉與固接設備，其中，當所述晶片承載模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於承載所述電路基板時，所述晶片承載模組的所述加熱板被允許透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於提供一穩定預熱溫度給所述電路基板，且所述穩定預熱溫度低於所述預定輻射溫度，以避免多個所述焊接材料因為所述穩定預熱溫度而被固化。
如請求項1所述的晶片移轉與固接設備，其中，所述晶片移轉與固接設備進一步包括一溫度檢測模組，所述溫度檢測模組可移動地設置在所述晶片承載模組的周圍區域且電性連接於所述訊號控制模組；其中，當所述雷射光產生模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於產生所述雷射光束時，所述溫度檢測模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於檢測所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供給多個所述焊接材料的所述預定輻射溫度；其中，當所述溫度檢測模組檢測所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供給多個所述焊接材料的所述預定輻射溫度低於所述焊接材料的一預定焊接溫度時，所述雷射光產生模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而提升所述雷射光束的能量，藉此以增加每一所述晶片固接在所述電路基板上的良率；其中，當所述溫度檢測模組檢測所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供給多個所述焊接材料的所述預定輻射溫度高於所述焊接材料的所述預定焊接溫度時，所述雷射光產生模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而降低所述雷射光束的能量，藉此以增加每一所述晶片固接在所述電路基板上的良率；其中，每一所述晶片為一發光二極體晶片或者一積體電路晶片。
一種晶片固接設備，其包括：一訊號控制模組；一晶片承載模組，所述晶片承載模組電性連接於所述訊號控制模組；以及一雷射光產生模組，所述雷射光產生模組可移動地設置在所述晶片承載模組的上方且電性連接於所述訊號控制模組；其中，當多個晶片被允許透過多個焊接材料而電性連接於一電路基板時，所述雷射光產生模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於產生一雷射光束，所述雷射光束被允許聚焦在遠離其中一所述晶片的任意位置而形成一光聚焦區域以及遠離所述光聚焦區域的一熱輻射區域，且多個所述焊接材料被允許透過所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供的一預定輻射溫度而固化，藉此以使得每一所述晶片被允許透過所述焊接材料而固接在所述電路基板上；其中，所述晶片承載模組的內部或者外部具有一加熱板，且所述加熱板被配置以用於調整所述晶片承載模組的溫度；其中，當多個所述晶片被允許透過多個所述焊接材料而電性連接於所述電路基板時，所述雷射光產生模組所產生的所述雷射光束被允許透過一光學整形模組而形成投射在多個所述焊接材料上的一線形區域或者一矩形區域；其中，當所述雷射光產生模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於產生所述雷射光束時，所述雷射光束聚焦在所述晶片的上方或者下方所形成的所述光聚焦區域遠離多個所述晶片，藉此以避免多個所述晶片受到所述雷射光束所產生的所述光聚焦區域的高溫影響而損壞。
如請求項4所述的晶片固接設備，其中，當所述晶片承載模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於承載所述電路基板時，所述晶片承載模組的所述加熱板被允許透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於提供一穩定預熱溫度給所述電路基板，且所述穩定預熱溫度低於所述預定輻射溫度，以避免多個所述焊接材料因為所述穩定預熱溫度而被固化。
如請求項4所述的晶片固接設備，其中，所述晶片固接設備進一步包括一溫度檢測模組，所述溫度檢測模組可移動地設置在所述晶片承載模組的周圍區域且電性連接於所述訊號控制模組；其中，當所述雷射光產生模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於產生所述雷射光束時，所述溫度檢測模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於檢測所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供給多個所述焊接材料的所述預定輻射溫度；其中，當所述溫度檢測模組檢測所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供給多個所述焊接材料的所述預定輻射溫度低於所述焊接材料的一預定焊接溫度時，所述雷射光產生模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而提升所述雷射光束的能量，藉此以增加每一所述晶片固接在所述電路基板上的良率；其中，當所述溫度檢測模組檢測所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供給多個所述焊接材料的所述預定輻射溫度高於所述焊接材料的所述預定焊接溫度時，所述雷射光產生模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而降低所述雷射光束的能量，藉此以增加每一所述晶片固接在所述電路基板上的良率；其中，每一所述晶片為一發光二極體晶片或者一積體電路晶片。
一種晶片移轉與固接方法，其包括：透過一晶片承載模組以承載一電路基板；透過一晶片移轉模組以將多個晶片移轉到所述電路基板上，每一所述晶片被允許透過多個焊接材料而電性連接於所述電路基板；以及透過一雷射光產生模組以產生一雷射光束，所述雷射光束被允許聚焦在遠離其中一所述晶片的任意位置而形成一光聚焦區域以及遠離所述光聚焦區域的一熱輻射區域，且多個所述焊接材料被允許透過所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供的一預定輻射溫度而固化，藉此以使得每一所述晶片被允許透過所述焊接材料而固接在所述電路基板上；其中，所述晶片承載模組、所述晶片移轉模組以及所述雷射光產生模組電性連接於一訊號控制模組；其中，所述晶片承載模組的內部或者外部具有一加熱板，且所述加熱板被配置以用於調整所述晶片承載模組的溫度；其中，當所述晶片移轉模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於將多個所述晶片移轉到所述電路基板上時，所述雷射光產生模組所產生的所述雷射光束被允許透過一光學整形模組而形成投射在多個所述焊接材料上的一線形區域或者一矩形區域；其中，當所述雷射光產生模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於產生所述雷射光束時，所述雷射光束聚焦在所述晶片的上方或者下方所形成的所述光聚焦區域遠離多個所述晶片，藉此以避免多個所述晶片受到所述雷射光束所產生的所述光聚焦區域的高溫影響而損壞。
如請求項7所述的晶片移轉與固接方法，其中所使用的晶片移轉與固接設備，其特徵在於，所述晶片移轉與固接設備包括所述訊號控制模組、所述晶片承載模組、所述晶片移轉模組以及所述雷射光產生模組，所述晶片移轉模組可移動地設置在所述晶片承載模組的上方，且所述雷射光產生模組可移動地設置在所述晶片承載模組的上方。
如請求項7所述的晶片移轉與固接方法，其中，當所述晶片承載模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於承載所述電路基板時，所述晶片承載模組的所述加熱板被允許透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於提供一穩定預熱溫度給所述電路基板，且所述穩定預熱溫度低於所述預定輻射溫度，以避免多個所述焊接材料因為所述穩定預熱溫度而被固化。
如請求項7所述的晶片移轉與固接方法，其中，所述晶片移轉與固接方法進一步包括：透過一溫度檢測模組以檢測所述雷射光束的溫度；其中，所述溫度檢測模組可移動地設置在所述晶片承載模組的周圍區域且電性連接於所述訊號控制模組；其中，當所述雷射光產生模組透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於產生所述雷射光束時，所述溫度檢測模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而被配置以用於檢測所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供給多個所述焊接材料的所述預定輻射溫度；其中，當所述溫度檢測模組檢測所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供給多個所述焊接材料的所述預定輻射溫度低於所述焊接材料的一預定焊接溫度時，所述雷射光產生模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而提升所述雷射光束的能量，藉此以增加每一所述晶片固接在所述電路基板上的良率；其中，當所述溫度檢測模組檢測所述雷射光束的所述熱輻射區域所提供給多個所述焊接材料的所述預定輻射溫度高於所述焊接材料的所述預定焊接溫度時，所述雷射光產生模組被允許透過所述訊號控制模組的控制而降低所述雷射光束的能量，藉此以增加每一所述晶片固接在所述電路基板上的良率；其中，每一所述晶片為一發光二極體晶片或者一積體電路晶片。