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KR102888166B1 - 반도체 제조 장치, 박리 유닛 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체 제조 장치, 박리 유닛 및 반도체 장치의 제조 방법

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KR102888166B1
KR102888166B1 KR1020230120144A KR20230120144A KR102888166B1 KR 102888166 B1 KR102888166 B1 KR 102888166B1 KR 1020230120144 A KR1020230120144 A KR 1020230120144A KR 20230120144 A KR20230120144 A KR 20230120144A KR 102888166 B1 KR102888166 B1 KR 102888166B1
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dicing tape
laser irradiation
laser
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마사유끼 모찌즈끼
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파스포드 테크놀로지 주식회사
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Abstract

본 발명은, 다이의 손상을 저감하는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다. 반도체 제조 장치는, 레이저광에 의해 박리하는 점착 시트로 형성되고, 다이가 첩부된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대와, 상기 다이싱 테이프의 하방에 마련되는 박리 유닛을 구비한다. 상기 박리 유닛은, 발해진 광이 소정 거리만큼 이격된 점에서 집광되는 레이저 조사 장치와, 상기 레이저 조사 장치로부터의 조사광에 의해 형성되는 조사 영역을 제한하는 마스크를 갖는 마스크 장치를 구비한다. 상기 레이저 조사 장치에 의해 상기 조사 영역의 크기가 변경 가능하다.

Description

반도체 제조 장치, 박리 유닛 및 반도체 장치의 제조 방법{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, PEELING UNIT AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 개시는 반도체 제조 장치에 관하 것으로, 예를 들어 레이저광의 조사에 의해 점착력이 약해지는 다이싱 테이프가 사용되는 다이 본더에 적용 가능하다.
다이 본더 등의 반도체 제조 장치는, 접합 재료를 사용해서, 예를 들어 소자를 기판 또는 소자 상에 본드(적재해서 접착)하는 장치이다. 접합 재료는, 예를 들어 액상 또는 필름상의 수지나 땜납 등이다. 소자는, 예를 들어 반도체 칩, MEMS(Micro Electro Mechanical System) 및 유리 칩 등의 다이나 전자 부품이다. 기판은, 예를 들어 배선 기판이나 금속 박판으로 형성되는 리드 프레임, 유리 기판 등이다.
예를 들어, 다이 본더에 의한 다이 본딩 공정 중에는, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히, 웨이퍼라고 함)로부터 분할된 다이를 다이싱 테이프로부터 박리하는 박리 공정이 있다. 다이싱 테이프는 점착층을 갖고, 웨이퍼가 첩부되어 있다. 박리 공정에서는, 다이싱 테이프 이면으로부터 밀어올림 블록 등에 의해 다이를 밀어올려, 다이 공급부에 보유 지지된 다이싱 테이프로부터 1개씩 박리하고, 콜릿 등의 흡착 노즐을 사용해서 기판 상에 반송한다.
일본 특허 공개 제2012-4393호 공보
박리 공정에서는, 다이를 다이싱 테이프로부터 박리해서 픽업할 때, 다이에 갈라짐이나 절결 등의 손상이 생기는 경우가 있다.
본 개시의 과제는, 다이의 손상을 저감하는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다. 기타 과제와 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 밝혀질 것이다.
본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다.
즉, 반도체 제조 장치는, 레이저광에 의해 박리하는 점착 시트로 형성되고, 다이가 첩부된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대와, 상기 다이싱 테이프의 하방에 마련되는 박리 유닛을 구비한다. 상기 박리 유닛은, 발해진 광이 소정 거리만큼 이격된 점에서 집광되는 레이저 조사 장치와, 상기 레이저 조사 장치로부터의 조사광에 의해 형성되는 조사 영역을 제한하는 마스크를 갖는 마스크 장치를 구비한다. 상기 레이저 조사 장치에 의해 상기 조사 영역의 크기가 변경 가능하다.
본 개시에 의하면, 다이의 손상을 저감하는 것이 가능하다.
도 1은 제1 실시 형태에서의 다이 본더의 구성예를 도시하는 개략 상면도이다.
도 2는 도 1에서 화살표 A 방향에서 보았을 때의 개략 구성을 설명하는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시하는 웨이퍼 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시하는 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 도 2에 도시하는 박리 유닛의 상면도이다.
도 6은 도 5에 도시하는 박리 유닛의 A-A선을 따른 단면도이다.
도 7의 (a)는 비교예에서의 박리 유닛, 다이싱 테이프, 다이 및 콜릿을 도시하는 모식도이다. 도 7의 (b)는 제1 실시 형태에서의 박리 유닛, 다이싱 테이프, 다이 및 콜릿을 도시하는 도면이다.
도 8은 제1 실시 형태의 제1 변형예에서의 박리 유닛, 다이싱 테이프, 다이 및 콜릿을 도시하는 모식도이다.
도 9의 (a)는 제1 실시 형태에서의 레이저 광원의 강도 추이를 도시하는 도면이다. 도 9의 (b)는 제1 실시 형태의 제2 변형예에서의 레이저 광원의 강도 추이를 도시하는 도면이다.
도 10의 (a) 및 도 10의 (b)는 제1 실시 형태의 제3 변형예에서의 레이저 조사 장치의 구성 및 동작을 도시하는 도면이다.
도 11의 (a) 내지 도 11의 (c)는 제1 실시 형태의 제4 변형예에서의 조사 범위 제한 부품의 단면도이다.
도 12의 (a)는 제2 실시 형태에서의 박리 유닛의 정면도이다. 도 12의 (b)는 도 12의 (a)에 도시하는 박리 유닛의 마스크 장치가 다이싱 테이프의 위치까지 상승한 경우의 정면도이다.
도 13은 도13은 도 12의 (a)에 나타내는 박리 유닛의 일부를 도시하는 사시도이다.
도 14는 도 12의 (a)에 도시하는 레이저 조사 장치의 위치와 조사 영역의 관계를 도시하는 개념도이다.
도 15는 원형 스폿의 직경과 원형 스폿에 내접하는 정사각형의 다이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 16의 (a)는 도 14에 도시하는 레이저 조사 장치가 다이싱 테이프로부터 H1의 거리에 위치하는 경우의 개폐 갈고리의 위치를 도시하는 상면도이다. 도 16의 (b)는 도 14에 도시하는 레이저 조사 장치가 다이싱 테이프로부터 H2의 거리에 위치하는 경우의 개폐 갈고리의 위치를 도시하는 상면도이다. 도 16의 (c)는 도 14에 도시하는 레이저 조사 장치가 다이싱 테이프로부터 H3의 거리에 위치하는 경우의 개폐 갈고리의 위치를 도시하는 상면도이다.
도 17은 X1-X2 방향이 Y1-Y2 방향보다도 작은 개구를 형성하는 경우의 개폐 갈고리의 위치를 도시하는 상면도이다.
도 18은 X1-X2 방향이 Y1-Y2 방향보다도 큰 개구를 형성하는 경우의 개폐 갈고리의 위치를 도시하는 상면도이다.
도 19는 제2 실시 형태의 제1 변형예에서의 마스크 장치의 일부를 도시하는 상면도이다.
도 20은 제2 실시 형태의 제2 변형예에서의 마스크 장치를 도시하는 상면도이다.
이하, 실시 형태 및 변형예에 대해서, 도면을 사용해서 설명한다. 단, 이하의 설명에서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해서, 실제의 양태에 비하여, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대해서 모식적으로 표현되는 경우가 있다. 또한, 복수의 도면의 상호간에 있어서도, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은 반드시 일치하는 것은 아니다.
<제1 실시 형태>
반도체 제조 장치의 일 실시 형태인 다이 본더의 구성에 대해서 도 1 내지 도 3을 사용해서 설명한다. 도 1은 실시 형태에서의 다이 본더의 구성예를 도시하는 개략 상면도이다. 도 2는 도 1에서 화살표 A 방향에서 보았을 때의 개략 구성을 설명하는 도면이다. 도 3은 도 1에 도시하는 웨이퍼 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.
다이 본더(1)는, 크게 구별하여, 웨이퍼 공급부(10)와, 픽업부(20), 중간 스테이지부(30)와, 본딩부(40)와, 반송부(50), 기판 공급부(60)와, 기판 반출부(70)와, 제어부(제어 장치)(80)를 갖는다. Y 방향(Y2-Y1 방향)이 다이 본더(1)의 전후 방향이며, X 방향(X2-X1 방향)이 좌우 방향이며, Z 방향(Z1-Z2 방향)이 상하 방향이다. 웨이퍼 공급부(10)가 다이 본더(1)의 전방측에 배치되고, 본딩부(40)가 후방측에 배치된다.
웨이퍼 공급부(10)는, 웨이퍼 카세트 리프터(11)와, 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 박리 유닛(13)과, 웨이퍼 인식 카메라(14)를 갖는다.
웨이퍼 카세트 리프터(11)는, 복수의 웨이퍼 링(WR)이 격납되는 웨이퍼 카세트(도시하지 않음)를 웨이퍼 반송 높이까지 상하 이동시킨다. 웨이퍼 수정 슈트(도시하지 않음)는, 웨이퍼 카세트 리프터(11)로부터 공급되는 웨이퍼 링(WR)의 얼라인먼트를 행한다. 웨이퍼 익스트랙터(도시하지 않음)는, 웨이퍼 링(WR)을 웨이퍼 카세트로부터 취출해서 웨이퍼 보유 지지대(12)에 공급하거나, 웨이퍼 보유 지지대(12)로부터 취출해서 웨이퍼 카세트에 수납하거나 한다.
웨이퍼 보유 지지대(12)는, 웨이퍼 링(WR)을 보유 지지하는 익스팬드 링(121)과, 웨이퍼 링(WR)에 보유 지지되어 다이싱 테이프(DT)를 수평하게 위치 결정하는 지지 링(122)을 갖는다. 박리 유닛(13)은 지지 링(122)의 내측에 배치된다. 또한, 다이(D)의 픽업성을 향상시키기 위해서, 다이(D)의 박리 시에, 웨이퍼 링(WR)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(121)은 내릴 수 있어, 웨이퍼 링(WR)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(DT)가 잡아늘여져서 다이(D)의 간격을 넓힐 수 있다.
다이싱 테이프(DT) 상에 웨이퍼(W)가 접착(첩부)되어 있고, 그 웨이퍼(W)는 복수의 다이(D)로 분할되어 있다. 웨이퍼(W)와 다이싱 테이프(DT)의 사이에 다이 어태치 필름(DAF)이라고 불리는 필름상의 접착 재료(DF)를 첩부하고 있다. 접착 재료(DF)는 가열함으로써 경화한다.
다이싱 테이프(DT)로서, 예를 들어 상온에서는 점착력이 있고, 가열하면 점착층이 팽창해서 점착력이 약해져 박리되는 가열 박리 테이프를 사용한다. 또한, 가열 박리 테이프는, 접착 재료(DF)의 경화 온도(통상 150℃)보다도 낮은 온도에서 박리하는 것이 바람직하다. 또한, 접착 재료(DF)의 경화는, 지정 온도를 긴 시간(1시간 정도) 가하는 것이며, 가열 박리 테이프의 가열 시간이 짧은 경우, 가열 박리 시트의 박리 온도는 접착 재료(DF)의 경화 온도와 동일 정도이어도 된다.
웨이퍼 보유 지지대(12)는, 도시하지 않은 구동부에 의해 XY 방향으로 이동하여, 픽업하는 다이(D)를 박리 유닛(13)의 위치로 이동시킨다. 또한, 웨이퍼 보유 지지대(12)는, 도시하지 않은 구동부에 의해 XY 평면 내에서 웨이퍼 링(WR)을 회전시킨다. 박리 유닛(13)은, 도시하지 않은 구동부에 의해 상하 방향으로 이동한다. 박리 유닛(13)은 다이싱 테이프(DT)로부터 다이(D)를 박리한다.
웨이퍼 인식 카메라(14)는, 웨이퍼(W)로부터 픽업하는 다이(D)의 픽업 위치를 파악하거나, 다이(D)의 표면 검사를 하거나 한다.
픽업부(20)는, 픽업 헤드(21)와, Y 구동부(23)를 갖는다. 픽업 헤드(21)에는, 박리된 다이(D)를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(22)이 마련된다. 픽업 헤드(21)는 웨이퍼 공급부(10)로부터 다이(D)를 픽업하여, 중간 스테이지(31)에 적재한다. Y 구동부(23)는 픽업 헤드(21)를 Y1-Y2 방향으로 이동시킨다. 픽업부(20)는, 픽업 헤드(21)를 승강, 회전 및 X1-X2 방향 이동시키는 각 구동부(도시하지 않음)를 갖는다.
중간 스테이지부(30)는, 다이(D)가 적재되는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31) 상의 다이(D)를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(34)를 갖는다. 중간 스테이지(31)는 적재된 다이(D)를 흡착하는 흡인 구멍을 구비한다. 적재된 다이(D)는 중간 스테이지(31)에 일시적으로 보유 지지된다. 중간 스테이지(31)는 다이(D)가 적재되는 적재 스테이지임과 함께, 다이(D)가 픽업되는 픽업 스테이지이기도 하다.
본딩부(40)는, 본드 헤드(41)와, Y 구동부(43)와, 기판 인식 카메라(44)와, 본드 스테이지(46)를 갖는다. 본드 헤드(41)에는 다이(D)를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(42)이 마련된다. Y 구동부(43)는 본드 헤드(41)를 Y1-Y2 방향으로 이동시킨다. 기판 인식 카메라(44)는 기판(S)을 촬상하여, 본드 위치를 인식한다. 여기서, 기판(S)에는, 최종적으로 하나의 패키지가 되는, 복수의 제품 에어리어(이하, 패키지 에어리어(P)라고 함)가 형성되어 있다. 또한, 기판(S)에는, 패키지 에어리어(P)의 위치 인식 마크(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 본드 스테이지(46)는, 기판(S)에 다이(D)가 적재될 때, 상승되어서, 기판(S)을 하방으로부터 지지한다. 본드 스테이지(46)는 기판(S)을 진공 흡착하기 위한 흡인구(도시하지 않음)를 가져, 기판(S)을 고정하는 것이 가능하다. 본드 스테이지(46)는 기판(S)을 가열하는 가열부(도시하지 않음)를 갖는다. 본딩부(40)는, 본드 헤드(41)를 승강, 회전 및 X1-X2 방향 이동시키는 각 구동부(도시하지 않음)를 갖는다.
이와 같은 구성에 의해, 본드 헤드(41)는, 스테이지 인식 카메라(34)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치나 자세를 보정하여, 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업한다. 그리고, 본드 헤드(41)는, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판(S)의 패키지 에어리어(P) 상에 본드하고, 또는 이미 기판(S)의 패키지 에어리어(P) 상에 본드된 다이 상에 적층하는 형태로 본드한다.
반송부(50)는, 기판(S)을 파지해서 반송하는 반송 갈고리(51)와, 기판(S)이 이동하는 반송 레인(52)을 갖는다. 기판(S)은, 반송 레인(52)에 마련된 반송 갈고리(51)의 도시하지 않은 너트를 반송 레인(52)을 따라 마련된 도시하지 않은 볼 나사로 구동함으로써 X 방향으로 이동한다. 이와 같은 구성에 의해, 기판(S)은, 기판 공급부(60)로부터 반송 레인(52)을 따라 본드 위치까지 이동하고, 본드 후, 기판 반출부(70)까지 이동하여, 기판 반출부(70)에 기판(S)을 전달한다.
기판 공급부(60)는, 반송 지그에 격납되어서 반입된 기판(S)을 반송 지그로부터 취출해서 반송부(50)에 공급한다. 기판 반출부(70)는, 반송부(50)에 의해 반송된 기판(S)을 반송 지그에 격납한다.
제어부(80)는, 다이 본더(1)의 각 부의 동작을 감시해서 제어하는 프로그램(소프트웨어) 및 데이터를 저장하는 기억 장치와, 기억 장치에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)와, 입출력 장치(도시하지 않음)를 구비한다. 입출력 장치는, 화상 도입 장치(도시하지 않음) 및 모터 제어 장치(도시하지 않음) 등을 갖는다. 화상 도입 장치는, 웨이퍼 인식 카메라(14), 스테이지 인식 카메라(34) 및 기판 인식 카메라(44)로부터의 화상 데이터를 도입한다. 모터 제어 장치는, 웨이퍼 공급부(10)의 구동부, 픽업부(20)의 구동부, 본딩부(40)의 구동부 등을 제어한다.
다이 본더(1)를 사용한 반도체 장치의 제조 공정의 일부(반도체 장치의 제조 방법)에 대해서 도 4를 사용해서 설명한다. 도 4는 도 1에 도시하는 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다. 이하의 설명에서, 다이 본더(1)를 구성하는 각 부의 동작은 제어부(80)에 의해 제어된다.
(웨이퍼 반입 공정: 공정 S1)
웨이퍼 링(WR)이 웨이퍼 카세트 리프터(11)의 웨이퍼 카세트에 공급된다. 공급된 웨이퍼 링(WR)이 웨이퍼 보유 지지대(12)에 공급된다. 또한, 웨이퍼(W)는, 미리 프로버 등의 검사 장치에 의해 다이마다 검사되어, 다이마다 양호, 불량을 나타내는 웨이퍼 맵 데이터가 생성되어 있어, 제어부(80)의 기억 장치에 기억된다.
(기판 반입 공정: 공정 S2)
기판(S)이 격납된 반송 지그가 기판 공급부(60)에 공급된다. 기판 공급부(60)에서 반송 지그로부터 기판(S)이 취출되어, 기판(S)이 반송 갈고리(51)에 고정된다.
(픽업 공정: 공정 S3)
공정 S1 후, 원하는 다이(D)를 다이싱 테이프(DT)로부터 픽업할 수 있도록 웨이퍼 보유 지지대(12)가 움직여진다. 웨이퍼 인식 카메라(14)에 의해 다이(D)가 촬영되고, 촬영에 의해 취득된 화상 데이터에 기초하여 다이(D)의 위치 결정 및 표면 검사가 행해진다. 화상 데이터를 화상 처리함으로써, 다이 본더의 다이 위치 기준점으로부터의 웨이퍼 보유 지지대(12) 상의 다이(D)의 어긋남양(X, Y, θ 방향)이 산출되어 위치 결정이 행해진다. 또한, 다이 위치 기준점은, 미리, 웨이퍼 보유 지지대(12)의 소정의 위치를 장치의 초기 설정으로 해서 보유되어 있다. 화상 데이터를 화상 처리함으로써, 다이(D)의 표면 검사가 행해진다.
위치 결정된 다이(D)는, 박리 유닛(13) 및 픽업 헤드(21)에 의해 다이싱 테이프(DT)로부터 박리된다. 다이싱 테이프(DT)로부터 박리된 다이(D)는, 픽업 헤드(21)에 마련된 콜릿(22)에 흡착, 보유 지지되어, 중간 스테이지(31)에 반송되어서 적재된다.
스테이지 인식 카메라(34)에 의해 중간 스테이지(31) 상의 다이(D)가 촬영되고, 촬영에 의해 취득된 화상 데이터에 기초하여 다이(D)의 위치 결정 및 표면 검사가 행해진다. 화상 데이터를 화상 처리함으로써, 다이 본더의 다이 위치 기준점으로부터의 중간 스테이지(31) 상의 다이(D)의 어긋남양(X, Y, θ 방향)이 산출되어 위치 결정이 행해진다. 또한, 다이 위치 기준점은, 미리, 중간 스테이지(31)의 소정의 위치를 장치의 초기 설정으로 해서 보유되어 있다. 화상 데이터를 화상 처리 함으로써, 다이(D)의 표면 검사가 행해진다.
다이(D)를 중간 스테이지(31)에 반송한 픽업 헤드(21)는 웨이퍼 공급부(10)로 되돌려진다. 상술한 수순에 따라서, 다음의 다이(D)가 다이싱 테이프(DT)로부터 박리되고, 이후 마찬가지의 수순에 따라서 다이싱 테이프(DT)로부터 1개씩 다이(D)가 박리된다.
(본드 공정: 공정 S4)
반송부(50)에 의해 기판(S)이 본드 스테이지(46)에 반송된다. 본드 스테이지(46) 상에 적재된 기판(S)이 기판 인식 카메라(44)에 의해 촬상되고, 촬영에 의해 화상 데이터가 취득된다. 화상 데이터가 화상 처리됨으로써, 다이 본더(1)의 기판 위치 기준점으로부터의 기판(S)의 어긋남양(X, Y, θ 방향)이 산출된다. 또한, 기판 위치 기준점은, 미리, 본딩부(40)의 소정의 위치를 장치의 초기 설정으로 해서 보유되어 있다.
공정 S3에서 산출된 중간 스테이지(31) 상의 다이(D)의 어긋남양으로부터 본드 헤드(41)의 흡착 위치가 보정되어 다이(D)가 콜릿(42)에 의해 흡착된다. 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 흡착한 본드 헤드(41)에 의해 본드 스테이지(46)에 지지된 기판(S)의 소정 개소에 다이(D)가 본드된다. 기판 인식 카메라(44)에 의해 기판(S)에 본드된 다이(D)가 촬영되고, 촬영에 의해 취득된 화상 데이터에 기초하여 다이(D)가 원하는 위치에 본드되었는지 여부 등의 검사가 행해진다.
다이(D)를 기판(S)에 본드한 본드 헤드(41)는 중간 스테이지(31)로 되돌려진다. 상술한 수순에 따라서, 다음의 다이(D)가 중간 스테이지(31)로부터 픽업되어, 기판(S)에 본드된다. 이것이 반복되어서 기판(S)의 모든 패키지 에어리어(P)에 다이(D)가 본드된다.
(기판 반출 공정: 공정 S5)
다이(D)가 본드된 기판(S)이 기판 반출부(70)에 반송된다. 기판 반출부(70)에서 반송 갈고리(51)로부터 기판(S)이 취출되어 반송 지그에 격납된다. 다이 본더(1)로부터 기판(S)이 격납되어 있는 반송 지그가 반출된다.
상술한 바와 같이, 다이(D)는, 기판(S) 상에 실장되어, 다이 본더(1)로부터 반출된다. 그 후, 예를 들어 다이(D)가 실장된 기판(S)이 격납된 반송 지그가 와이어 본딩 공정에 반송되어, 다이(D)의 전극은 Au 와이어 등을 통해서 기판(S)의 전극과 전기적으로 접속된다. 그리고, 기판(S)이 몰드 공정에 반송되어, 다이(D)와 Au 와이어를 몰드 수지(도시하지 않음)로 밀봉함으로써, 반도체 패키지가 완성된다.
적층 본드할 경우는, 와이어 본딩 공정에 이어서, 다이(D)가 실장된 기판(S)이 적재 격납된 반송 지그가 다이 본더에 반입되어서 기판(S) 상에 실장된 다이(D) 상에 다이(D)가 적층되어, 다이 본더로부터 반출된 후, 와이어 본딩 공정에서 Au 와이어를 통해서 기판(S)의 전극과 전기적으로 접속된다. 제2단째보다 위의 다이(D)는, 상술한 방법으로 다이싱 테이프(DT)로부터 박리된 후, 본딩부에 반송되어서 다이(D) 상에 적층된다. 상기 공정이 소정 횟수 반복된 후, 기판(S)이 몰드 공정에 반송되어, 복수개의 다이(D)와 Au 와이어를 몰드 수지(도시하지 않음)로 밀봉함으로써, 적층 패키지가 완성된다.
이어서, 박리 유닛의 구성에 대해서 도 5 및 도 6을 사용해서 설명한다. 도 5는 도 2에 도시하는 박리 유닛의 상면도이다. 도 6은 도 5에 도시하는 박리 유닛의 A-A선을 따른 단면도이다. 도 5에서는, X1 방향을 X, Y1 방향을 Y로 기재하고 있다.
박리 유닛(13)은, 다이싱 테이프(DT)에 레이저광을 조사하는 레이저 조사부(131)와, 다이싱 테이프(DT)를 흡인하는 흡인부(132)와, 그것들을 보유 지지하는 원통상의 돔(133)과, 돔(133)에 덮개를 덮는 돔 플레이트(134)를 갖는다.
돔 플레이트(134)는 레이저 조사부(131)가 배치되는 개구를 갖고, 그 주변부에는, 복수의 흡인구(134a) 및 복수의 흡인구(134a)를 연결하는 복수의 홈(134b)이 마련되어 있다. 흡인구(134a)는 하방에 마련되는 흡인부(132)의 공동(132a)과 연통하고 있다. 공동(132a)은 레이저 조사부(131)의 둘레에 환상으로 구성되어 있다. 공동(132a)은 파이프(132b)와 연통하고, 진공 펌프에 접속되어 있다. 흡인구(134a) 및 홈(134b) 각각의 내부는, 박리 유닛(13)을 상승시켜서 그 상면을 다이싱 테이프(DT)의 이면에 접촉시켰을 때, 상기 진공 펌프에 의해 감압되어, 픽업 대상 다이 이외의 부위의 다이싱 테이프(DT)의 이면이 돔 플레이트(134)의 상면에 밀착되도록 구성되어 있다. 흡인구(134a), 흡인부(132)(공동(132a), 파이프(132b))는 진공 경로를 구성하고 있다.
레이저 조사부(131)로부터의 열에 의한 돔 플레이트(134)의 온도 상승에 수반하는 주변 다이의 가열을 방지하기 위해서, 레이저 조사부(131)와 돔 플레이트(134)의 사이에 간극(G)을 마련하여, 공기 단열하고 있다. 간극(G)의 폭은, 예를 들어 0.5mm정도이다. 또한, 돔 플레이트(134)의 온도 상승을 저감하기 위해서, 공동(132a)의 하방에 벽을 사이에 두고 냉각부를 마련해도 된다. 냉각부는, 예를 들어 레이저 조사부(131)의 둘레에 환상으로 마련된 공동과, 공동과 연통하고 있는 파이프를 포함한다. 그리고, 파이프로부터 공동에 냉각 기체가 공급되고, 공급된 냉각 기체는, 공동을 형성하는 벽에 마련된 배기 구멍으로부터 냉각부의 밖으로 배출되도록 되어 있다.
레이저 조사부(131)는, 공동(131a), 레이저 조사 장치(131c) 및 개구를 갖는 조사 범위 제한 부품(131d)을 구비한다. 공동(131a)의 상부에는 개구(131b)가 마련된다. 레이저 조사 장치(131c)는 개구(131b) 및 조사 범위 제한 부품(131d)의 개구를 통해서 레이저광을 다이싱 테이프(DT)에 조사해서 직접 가열한다. 여기서, 레이저 조사 장치(131c)는, 그 광축이 다이싱 테이프(DT)의 표면의 법선 방향과는 일치하지 않는 방향으로 비스듬해지도록 설치된다. 레이저 조사 장치(131c)는, 개구(131b)에서는, 개구(131b) 전체로 확산되는 조사 범위를 갖는다. 즉, 레이저 조사 장치(131c)의 조사 범위는 고정되어 있고, 다이(D)의 크기보다도 크다. 레이저 조사 장치(131c)에는, 예를 들어 파장 940nm 정도의 가열용 적외선 레이저가 사용된다.
조사 범위 제한 부품(131d)은, 예를 들어 개구를 갖는 직사각 형상의 플레이트를 포함한다. 플레이트는 레이저광을 가로막는 마스크이다. 그 플레이트의 개구는 다이(D)의 형상 및 크기(다이 사이즈)에 맞는 것이며, 교환 가능하다. 즉, 조사 범위 제한 부품(131d)은, 다이 사이즈에 맞추어 조사 범위가 조정 가능하다. 조사 범위 제한 부품(131d)은, 예를 들어 L자상의 플레이트를 2매 조합해서 구성되는 조리개(개구 면적이 가변인 부품)를 사용해서 조사 범위를 조정 가능하게 해도 된다. 조사 범위 제한 부품(131d)을 사용함으로써, 다이 사이즈에 따라서 레이저광을 조사할 수 있어, 불필요한 부분의 가열을 방지할 수 있다.
제1 실시 형태에 의하면, 하기의 적어도 하나의 효과를 갖는다.
(a) 특허문헌 1과 같은 밀어올림 블록을 사용하지 않으므로, 밀어올림 블록이 돔 플레이트보다도 높게 밀려올라가지 않는다. 이에 의해, 저 스트레스로 픽업하는 것이 가능하여, 다이의 갈라짐이나 절결을 저감하는 것이 가능하게 된다.
(b) 다이싱 테이프(DT) 중 픽업하는 다이(D) 아래에 위치하는 부분에 레이저광을 선택적으로 조사함으로써, 픽업하는 다이(박리 대상 다이)의 주변에 위치하는 다이(주변 다이) 및 주변 다이 아래의 다이싱 테이프(DT)에의 열의 전도를 저감하는 것이 가능하다. 이에 의해, 주변 다이가 박리되기 쉬워지는 것이 억제되어, 파손 우려를 저감하는 것이 가능하게 된다.
상술한 효과의 다른 제1 실시 형태의 효과에 대해서 도 7의 (a) 및 도 7의 (b)를 사용해서 설명한다. 도 7의 (a)는 비교예에서의 박리 유닛, 다이싱 테이프, 다이 및 콜릿을 도시하는 모식도이다. 도 7의 (b)는 제1 실시 형태에서의 박리 유닛, 다이싱 테이프, 다이 및 콜릿을 도시하는 모식도이다.
도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 비교예에서의 박리 유닛(13)의 레이저 조사 장치(131c)는 레이저광(LL)을 다이싱 테이프(DT)의 법선 방향을 따라 조사하도록 마련된다. 이 때문에, 다이싱 테이프(DT)의 점착층의 표면에서 정반사된 레이저광(RL)은 조사 방향(다이싱 테이프(DT)의 법선 방향)과 동일한 방향으로 반사되므로 레이저 조사 장치(131c)로 재귀해서 광원을 과잉으로 가열해버린다.
도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이, 제1 실시 형태에서의 박리 유닛(13)의 레이저 조사 장치(131c)는 레이저광(LL)을 다이싱 테이프(DT)의 법선 방향과는 일치하지 않게 조사하도록 마련된다. 이 때문에, 다이싱 테이프(DT)의 점착층의 표면에서 정반사된 레이저광(RL)은 조사 방향과 다른 방향으로 반사되므로 레이저 조사 장치(131c)로 재귀하지 않는다. 이에 의해, 레이저광의 재귀에 의한 레이저 조사 장치의 과잉 가열을 방지하여, 레이저 조사 장치의 단수명화 및 조사 강도의 불안정화를 방지할 수 있다.
또한, 레이저광(LL)에 의한 가열 시는, 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이, 콜릿(22)을 다이(D)에 접촉시키지 않고 대기시킨다. 이에 의해, 다이(D)를 통한 콜릿(22)에의 가열을 방지하는 것이 가능하다. 또한, 콜릿(22)으로부터의 다이(D)(다이싱 테이프(DT))에의 냉열 전도가 억제되어, 효율적으로 다이싱 테이프(DT)의 가열을 행하는 것이 가능하다.
<제1 실시 형태의 변형예>
이하, 제1 실시 형태의 대표적인 변형예에 대해서, 몇가지 예시한다. 이하의 변형예의 설명에 있어서, 상술한 제1 실시 형태에서 설명되어 있는 것과 마찬가지의 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지의 부호가 사용될 수 있는 것으로 한다. 그리고 이러한 부분의 설명에 대해서는, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에서, 상술한 제1 실시 형태에서의 설명이 적절히 원용될 수 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 제1 실시 형태의 일부, 및 복수의 변형예의 전부 또는 일부가, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에서 적절히 복합적으로 적용될 수 있다.
(제1 변형예)
도 8은 제1 실시 형태의 제1 변형예에서의 박리 유닛, 다이싱 테이프, 다이 및 콜릿을 도시하는 모식도이다.
제1 변형예에서의 박리 유닛(13)은, 실시 형태에서의 박리 유닛과는 레이저 광원이 다르지만, 기타 구성은 마찬가지이다.
본 변형예에서의 레이저 조사 장치(131c)는, 조사 범위(스폿)가 다이 사이즈보다도 작은 레이저를 사용한다. 레이저 조사 장치(131c)는, 제어부(80)의 제어에 의해, 다이(D)가 위치하는 영역을 스캔하도록 구성된다. 레이저 조사 장치(131c)의 스폿 직경은, 예를 들어 0.05mm 이상 0.5mm 이하 정도이다. 반사광이 동일 개소에 집중되지 않고, 레이저 조사 장치(131c)의 가열을 억제할 수 있다.
또한, 레이저 조사 장치(131c)의 스폿이 다이(D)의 네 변의 내측을 이동하면, 다이(D)의 네 코너에 레이저가 조사되지 않는 영역이 나온다. 인접하는 다이의 사이에는 다이싱 블레이드의 폭에 대응하는 간극이 있다. 다이싱 테이프의 확장 시는 그 간극은 더욱 넓어진다. 예를 들어, 레이저 조사 장치(131c)의 스폿의 중심이 다이(D)의 네 변 상까지 이동해도, 스폿 직경이 상기 간극보다도 작으면, 인접하는 다이 아래의 다이싱 테이프(DT)를 직접 가열하지는 않는다. 이에 의해, 조사 범위 제한 부품(131d)의 이용을 피하는 것이 가능하다.
또한, 제어부(80)는, 레이저를 스캔하는 다이(D)가 위치하는 영역을 사전에 웨이퍼 인식 카메라(14)에 의해 인식하여, 다이 사이즈 및 위치, 형상을 파악해서 사이즈에 맞춰서 스캔하도록 해도 된다.
또한, 돔 플레이트(134) 내의 레이저 조사부(131) 내에 카메라를 설치하고, 제어부(80)는, 다이(D)의 상방으로부터 웨이퍼 인식 카메라(14)용 조명 장치로부터 조명광을 비춤과 함께, 레이저 조사부(131) 내의 카메라에 의해 다이싱 테이프(DT)를 하방으로부터 촬영하도록 해도 된다. 이에 의해, 다이싱 라인이 인식 가능하여, 스캔하는 다이(D)의 위치가 파악 가능해진다. 이에 의해, 레이저를 보다 정확하게 스캔하는 것이 가능하게 된다.
또한, 제어부(80)는, 레이저 조사 장치(131c)의 조사 패턴이, 연속적인 라인 패턴으로 조사할 뿐만 아니라, 도트 패턴이나 간헐적인 라인 패턴으로 조사하도록 제어해도 된다. 이에 의해, 가열 박리 다이싱 테이프에의 과잉 가열의 컨트롤이나 레이저 조사 시간을 단축하는 것이 가능하게 된다.
또한, 레이저광을 스캔시키는 방향, 스캔 시간, 속도를 임의로 설정할 수 있도록 해도 된다. 이에 의해, 제품의 사양(다이의 두께, 크기, 형상 등)에 따라서 열 박리 다이싱 테이프의 박리 팽창시키는 순서나 정도를 컨트롤할 수 있음과 함께, 박리하는 다이 이외의 부분에의 열전도도 컨트롤하는 것이 가능하게 된다.
(제2 변형예)
도 9의 (a)는 제1 실시 형태에서의 레이저광의 강도 추이를 도시하는 도면이다. 도 9의 (b)는 제1 실시 형태의 제2 변형예에서의 레이저광의 강도 추이를 도시하는 도면이다. 도 9의 (a) 및 도 9의 (b)의 횡축은 시간(t), 종축은 레이저광의 강도(LI)이다.
도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이, 제1 실시 형태에서는, 레이저 조사 장치(131c)는 ON/OFF의 단순 제어로 레이저광의 강도를 제어하고 있지 않다. 이 때문에, 다이싱 테이프(DT)의 점착층의 발포(FF) 후에도 가열(과잉 가열(OH))이 행해진다. 과잉의 열이 발생하므로, 콜릿(22)의 퇴피가 필요하다.
도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, 제2 변형예에서는, 레이저 조사 장치(131c)는 ON/OFF 외에 레이저광의 강도를 제어한다. 즉, 레이저 조사 장치(131c)는 발포에 충분한 강도의 조사밖에 하지 않는다. 발포 후에는, 다이(D)나 콜릿(22)에의 전열에 의해 온도가 저하되어, 발포 정지하는 것을 방지하기 위한 강도가 작은 예열용 조사를 계속한다. 이에 의해, 과잉의 열의 발생을 저감하는 것이 가능하다.
(제3 변형예)
도 10의 (a) 및 도 10의 (b)는 제1 실시 형태의 제3 변형예에서의 레이저 조사 장치의 구성 및 동작을 도시하는 도면이다.
제3 변형예에서의 레이저 조사 장치(131c)는, 집광 렌즈(101) 등의 광학계를 갖고, 외부에 설치하는 레이저 광원으로부터 광 파이버(102) 등에 의해 레이저 조사 장치(131c)까지 도입한다.
도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이, 레이저 조사 장치(131c)는, 광학계에 의해 다이 사이즈(조사 범위 제한 부품(131d)의 개구 면적)에 따라서 레이저 조사 범위(SS)를 변경하는 것이 가능하다. 이에 의해, 조사 범위 제한 부품(131d)의 가열을 보다 저감하는 것이 가능하게 된다.
도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, 조사 장치(131c)는 레이저광의 조사 범위 외에, 조사 형상도 변경하는 것이 가능하다. 이에 의해, 비스듬히 조사한 레이저광의 조도를 다이의 사이즈로 균등하게 조사하기 때문에, 다이에 조사하는 레이저광의 사다리꼴 처리를 행하는 것이 가능하다.
(제4 변형예)
도 11의 (a) 내지 도 11의 (c)는 제1 실시 형태의 제4 변형예에서의 조사 범위 제한 부품의 단면도이다.
조사 범위 제한 부품(131d)에 레이저광이 조사되므로, 조사 범위 제한 부품(131d)에의 가열을 저감하는 가열 억제 수단을 마련하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 조사 범위 제한 부품(131d)에의 가열이 저감되어, 조사 범위 제한 부품(131d)에 의한 박리하는 다이(박리 대상 다이) 아래에 위치하는 다이싱 테이프(DT)의 개소 이외의 다이싱 테이프(DT)에의 가열을 저감하는 것이 가능하다. 예를 들어, 박리 대상 다이에 인접하는 다이(인접 다이) 아래에 위치하는 다이싱 테이프(DT)의 개소에의 가열을 저감하는 것이 가능하다.
이하에, 가열 억제 수단을 몇가지 예시한다. 이하의 가열 억제 수단을 조합하여도 된다.
도 11의 (a)에 도시하는 바와 같이, 조사 범위 제한 부품(131d)의 이면(레이저 조사 장치(131c)측)에, 레이저 조사 장치(131c)에 직접 반사하지 않는 방향으로의 반사판(103)을 마련한다. 이 반사판은, 예를 들어 레이저 조사 장치(131c)가 적외선 레이저일 경우, 도금된 판 등이다.
도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 조사 범위 제한 부품(131d)을 다이싱 테이프(DT)와 접촉하는 면적을 작게 하는 형상으로 해도 된다. 예를 들어, 조사 범위 제한 부품(131d)의 상면에 볼록부(104) 및 오목부(105)를 마련한다. 여기서, 볼록부(104)의 상면의 면적의 합계는, 오목부(105)의 저면의 면적의 합계보다도 작게 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 볼록부(104)는 상면의 면적이 작은 핀 형상이다.
도 11의 (c)에 도시하는 바와 같이, 조사 범위 제한 부품(131d)에 냉각 기구(106)를 마련해도 된다. 냉각 기구로서는, 예를 들어 펠티에 소자를 들 수 있다.
조사 범위 제한 부품(131d)은, 수지 등의 열전도가 작은 재료를 포함해도 된다. 수지로서는, 예를 들어 폴리에테르에테르케톤이나 폴리옥시메틸렌 등의 엔지니어 플라스틱을 들 수 있다.
<제2 실시 형태>
제2 실시 형태에서의 다이 본더(1)는, 박리 유닛(13)의 구성이 제1 실시 형태와는 다르지만, 다른 구성은 마찬가지이다.
이어서, 박리 유닛의 구성에 대해서 도 12의 (a), 도 12의 (b) 및 도 13을 사용해서 설명한다. 도 12의 (a)는 제2 실시 형태에서의 박리 유닛의 정면도이다. 도 12의 (b)는 도 12의 (a)에 도시하는 박리 유닛의 마스크 장치가 다이싱 테이프의 위치까지 상승한 경우의 정면도이다. 도 13은 도 12의 (a)에 도시하는 박리 유닛의 일부를 도시하는 사시도이다.
박리 유닛(13)은, 레이저 조사 장치(231)와, 보유 지지부(232)와, 이동 기구(액추에이터, 구동부)(233)와, 지지부(234)와, 받침대부(135)와, 마스크 장치(136)와, 이동 기구(액추에이터, 구동부)(137)를 구비한다.
레이저 조사 장치(231)에는, 광 파이버(231a)(도 14 참조)를 통해서 박리 유닛(13)의 외부에 설치되는 레이저 광원(231b)(도 14 참조)이 접속된다. 레이저 광원(231b)은, 예를 들어 레이저 다이오드(LD)이며, 적외선 영역의 파장의 레이저광을 조사한다. 예를 들어, 파장은 940nm이다. 레이저 조사 장치(231)는 발해진 광이 레이저 조사 장치(231)의 선단으로부터 소정 거리만큼 이격된 점(집광점(FP))에서 집광된다. 집광점(FP)은 다이싱 테이프보다도 Z1측에 위치하도록 설정된다. 바꾸어 말하면, 박리 유닛(13)의 상면이 다이싱 테이프(DT)에 근접한 상태에서, 레이저 조사 장치(231)의 상면과 다이싱 테이프(DT)의 거리가 소정 거리보다도 짧게 설정된다.
보유 지지부(232)는, 레이저 조사 장치(231)의 외주를 덮어서 레이저 조사 장치(231)를 보유 지지한다. 보유 지지부(232)는 이동 기구(233)에 고정된다. 이동 기구(233)는, Z1-Z2 방향으로 연신되어 지지부(234)에 고정되는 고정부(2331)와, 보유 지지부(232)에 고정되는 가동부(2332)를 구비한다. 이동 기구(233)는, 고정부(2331)에 대하여 가동부(2332)를 움직이게 함으로써 보유 지지부(232)를 Z1-Z2 방향으로 움직이게 하는 것이 가능하다. 이에 의해, 레이저 조사 장치(231)는 상하 이동이 가능해서, 레이저 조사 장치(231)의 상하 방향의 위치가 변경 가능하여, 마스크 장치(136)에 근접하거나, 멀어지거나 하는 것이 가능해진다.
지지부(234)는 Z1-Z2 방향으로 연신되는 부분을 갖고, 이동 기구(137)에 고정된다. 지지부(234)는 받침대부(135)를 지지하기 위한 면을 Z1측에 갖는다. 받침대부(135)는 평면으로 보아 8각 형상의 판상으로 형성되고, 중앙부에 레이저광이 통과하는 원형의 개구를 갖는다. 받침대부(135)는 지지부(234)의 Z1측의 면에 지지된다.
마스크 장치(136)는, X축 개폐 기구(구동부, 액추에이터)(1361)와, 개폐 갈고리(1362)와, Y축 개폐 기구(구동부, 액추에이터)(1363)와, 개폐 갈고리(1364)를 구비한다.
X축 개폐 기구(1361)는 받침대부(135)의 Y1측의 Z1측의 면에 마련된다. X축 개폐 기구(1361)는 한 쌍의 개폐 갈고리(1362)를 X1-X2 방향으로 움직이게 한다. 한 쌍의 개폐 갈고리(1362)는 각각, X축 개폐 기구(1361)로부터 Z1 방향으로 연신되는 제1 부분과, 제1 부분으로부터 Y2 방향으로 연신되는 제2 부분으로서의 직사각 형상의 플레이트(마스크 플레이트)를 갖는다.
Y축 개폐 기구(1363)는 받침대부(135)의 X2측의 Z1측의 면에 마련된다. Y축 개폐 기구(1363)는 한 쌍의 개폐 갈고리(1364)를 Y1-Y2 방향으로 움직이게 한다. 한 쌍의 개폐 갈고리(1364)는 각각, Y축 개폐 기구(1363)로부터 Z1 방향으로 연신되는 제1 부분과, 제1 부분으로부터 X1 방향으로 연신되는 제2 부분으로서의 직사각 형상의 플레이트(마스크 플레이트)를 갖는다.
한 쌍의 개폐 갈고리(1362) 및 한 쌍의 개폐 갈고리(1364)는, 레이저광을 차폐하는 부재로 형성된다. 한 쌍의 개폐 갈고리(1362)의 제2 부분과 한 쌍의 개폐 갈고리(1364)의 제2 부분에 의해, 중앙부에 크기가 가변인 사각 형상의 개구가 형성된다.
이동 기구(137)는, Z1-Z2 방향으로 연신되는 고정부(1371)와, 지지부(234)에 고정되는 가동부(1372)를 구비한다. 고정부(1371)는 웨이퍼 공급부(10)의 베이스(15)에 고정된다. 이동 기구(137)는, 고정부(1371)에 대하여 가동부(1372)를 움직이게 함으로써 지지부(234)를 Z1-Z2 방향으로 움직이게 하는 것이 가능하다. 이에 의해, 마스크 장치(136)는 상하 이동이 가능해서, 마스크 장치(136)의 상하 방향의 위치가 변경 가능하여, 다이싱 테이프(DT)에 근접하거나, 멀어지거나 하는 것이 가능해진다. 예를 들어, 도 12의 (a)에 도시하는 가동부(1372)가 Z1 방향으로 이동함으로써, 지지부(234)가 Z1 방향으로 이동하고, 도 12의 (b)에 도시하는 바와 같이 마스크 장치(136)는 Z1 방향으로 이동한다.
레이저 조사 장치(231)가 Z1-Z2 방향으로 이동 가능함으로 인한 작용에 대해서 도 7을 사용해서 설명한다. 도 14는 도 12의 (a)에 도시하는 레이저 조사 장치의 위치와 조사 영역의 관계를 나타내는 개념도이다.
레이저 조사 장치(231)는 집광점(FP)에서 집광되므로, 레이저 조사 장치(231)와 다이싱 테이프(DT)의 사이의 거리(H)에 따라서, 다이싱 테이프(DT)에서의 조사 영역의 직경(스폿 직경(φ))이 변화한다. 레이저 조사 장치(231)의 선단부터 다이싱 테이프(DT)까지의 거리(H1)가 긴 경우, 다이싱 테이프(DT)에서의 조사 영역(IR1)의 직경(φ1)은 작아진다. 레이저 조사 장치(231)의 선단부터 다이싱 테이프(DT)까지의 거리(H3)가 H1보다도 짧은 경우, 조사 영역(IR3)의 직경(φ3)은 φ1보다도 커진다. 레이저 조사 장치(231)의 선단부터 다이싱 테이프(DT)까지의 거리(H2)가 H1과 H3의 사이에 있을 경우, 조사 영역(IR2)의 직경(φ2)은 φ1과 φ3의 사이의 크기가 된다.
따라서, 다이 사이즈가 작은 다이(D1)를 박리하는 경우, 거리(H)를 크게 하고(H=H1), 스폿 직경(φ)을 작게 한다(φ=φ1). 다이 사이즈가 큰 다이(D3)를 박리하는 경우, 거리(H)를 작게 하고(H=H3), 스폿 직경(φ)을 크게 한다(φ=φ3). 다이 사이즈가 다이(D1)와 다이(D3)의 사이의 다이(D2)를 박리하는 경우, 거리(H)를 H1과 H3의 사이로 하고(H=H2), 스폿 직경(φ)을 φ1과 φ3의 사이의 크기로 한다(φ=φ2).
따라서, 레이저 조사 장치(231)를 Z1-Z2 방향(상하 방향)으로 움직이게 함으로써, 박리하고자 하는 다이(D)의 사이즈와 조사 영역(IR)을 일치시키는 것이 가능하다. 여기서, 다이(D)의 사이즈와 조사 영역(IR)의 일치란, 다이(D)가 조사 영역(IR)에 내접하는 것이다. 바꾸어 말하면, 다이(D)의 대각선의 길이가 조사 영역(IR)의 직경과 일치하는 것이다. 단, 이 경우, 다이(D)의 면적은 조사 영역(IR)의 면적보다도 작다.
다이(D)의 사이즈와 조사 영역(IR)의 일치 효과에 대해서 도 15를 사용해서 설명한다. 도 15는 원형 스폿의 직경과 원형 스폿에 내접하는 정사각형의 다이의 관계를 도시하는 도면이다.
φ는 조사 영역(IR)의 원형 스폿의 직경, Sa는 그 원형 스폿의 면적, Lb는 그 원형 스폿에 내접하는 정사각형의 다이(D)의 한 변의 길이, Sc는 그 정사각형의 다이(D)의 면적이다. d는 그 원형 스폿의 면적(Sa)과 그 정사각형의 다이(D)의 면적(Sc)의 차분, e는 그 정사각형의 다이(D)의 면적(Sc)과 그 원형 스폿의 면적(Sa)의 비, f는 그 정사각형의 다이(D)의 면적(Sc)과 φ=35에서의 원형 스폿의 면적의 비이다.
즉,
Sa=π(φ/2)2
Lb=φ/√2
Sc=Lb2
d=Sa-Sc
e=Sc/Sa
f=Sc/{π(35/2)2}
e는 레이저 조사 장치(231)의 높이를 바꿀 때의 조사 효율을 나타내고, f는 레이저 조사 장치(231)의 높이를 스폿 직경이 최대(φ=35)일 경우의 높이로 고정할 때의 조사 효율을 나타낸다. 레이저 조사 장치(231)의 높이를 고정할 때, 다이 사이즈가 작을수록 조사 효율이 저하된다. 그러나, 레이저 조사 장치(231)의 높이를 바꿀 때, 다이 사이즈에 관계없이 조사 효율은 일정해진다. 즉, 다이 사이즈가 작을수록 조사 효율의 향상이 가능하다.
마스크 장치(136)의 작용에 대해서 도 16의 (a) 내지 도 16의 (c)를 사용해서 설명한다. 도 16의 (a)는 도 14에 도시하는 레이저 조사 장치가 다이싱 테이프로부터 H1의 거리에 위치하는 경우의 개폐 갈고리의 위치를 도시하는 상면도이다. 도 16의 (b)는 도 14에 도시하는 레이저 조사 장치가 다이싱 테이프로부터 H2의 거리에 위치하는 경우의 개폐 갈고리의 위치를 도시하는 상면도이다. 도 16의 (c)는 도 14에 도시하는 레이저 조사 장치가 다이싱 테이프로부터 H3의 거리에 위치하는 경우의 개폐 갈고리의 위치를 도시하는 상면도이다.
한 쌍의 개폐 갈고리(1362)(제2 부분(1362a, 1362b)) 및 한 쌍의 개폐 갈고리(1364)(제2 부분(1364a, 1364b))에 의해 사각형의 개구가 형성된다. 그 개구를 원형의 조사 영역(IR)에 내접하도록, 제2 부분(1362a)과 제2 부분(1362b)의 X1-X2 방향의 간격 및 제2 부분(1364a)과 제2 부분(1364b)의 Y1-Y2 방향의 간격이 조정된다. 여기서, 조사 영역(IR)의 중심과 개구의 중심은 일치하고 있다.
개폐 갈고리(1362)의 제2 부분(1362a)이 X1 방향으로 이동할 경우, 제2 부분(1362b)이 X2 방향으로 이동한다. 개폐 갈고리(1362)의 제2 부분(1362a)이 X2 방향으로 이동할 경우, 제2 부분(1362b)이 X1 방향으로 이동한다.
개폐 갈고리(1364)의 제2 부분(1364a)이 Y2 방향으로 이동할 경우, 제2 부분(1364b)이 Y1 방향으로 이동한다. 개폐 갈고리(1362)의 제2 부분(1364a)이 Y1 방향으로 이동할 경우, 제2 부분(1364b)이 Y2 방향으로 이동한다.
개폐 갈고리(1362, 1364)가 레이저광을 차폐하는 부재로 형성되므로, 개폐 갈고리(1362, 1364)는 레이저 조사 장치(231)로부터의 조사광을 부분적으로 마스크하는 것이 가능하다. 또한, 개폐 갈고리(1362, 1364)는 마스크 영역(개구 영역)을 스폿 사이즈(다이 사이즈)에 맞춰서 변경하는 것이 가능하다.
예를 들어, 도 16의 (a)에 도시하는 바와 같이, 조사 영역(IR1)의 직경이 φ1인 경우, 개구(OP1)가 조사 영역(IR1)에 내접하도록, 개폐 갈고리(1362)의 제2 부분(1362a, 1362b)의 간격과 개폐 갈고리(1364)의 제2 부분(1364a, 1364b)의 간격이 조정된다. 여기서, 조사 영역(IR1)의 중심과 개구(OP1)의 중심은 일치하고 있다. 조사 영역(IR1) 중, 제2 부분(1362a, 1362b, 1364a, 1364b)에 위치하는 부분이 마스크된다.
예를 들어, 도 16의 (b)에 도시하는 바와 같이, 조사 영역(IR2)의 직경이 φ2인 경우, 개구(OP1)가 조사 영역(IR2)에 내접하도록, 개폐 갈고리(1362)의 제2 부분(1362a, 1362b)의 간격과 개폐 갈고리(1364)의 제2 부분(1364a, 1364b)의 간격이 조정된다. 여기서, 조사 영역(IR2)의 중심과 개구(OP2)의 중심은 일치하고 있다. 조사 영역(IR2) 중, 제2 부분(1362a, 1362b, 1364a, 1364b)에 위치하는 부분이 마스크된다.
예를 들어, 도 16의 (c)에 도시하는 바와 같이, 조사 영역(IR3)의 직경이 φ3인 경우, 개구(OP3)가 조사 영역(IR3)에 내접하도록, 개폐 갈고리(1362)의 제2 부분(1362a, 1362b)의 간격과 개폐 갈고리(1364)의 제2 부분(1364a, 1364b)의 간격이 조정된다. 여기서, 조사 영역(IR3)의 중심과 개구(OP3)의 중심은 일치하고 있다. 조사 영역(IR3) 중, 제2 부분(1362a, 1362b, 1364a, 1364b)에 위치하는 부분이 마스크된다.
도 16의 (a) 내지 도 16의 (c)에 도시하는 개구(OP1 내지 OP3)는 정사각형의 예이지만, 개구를 직사각 형상으로 하는 것도 가능하다. 이것에 대해서 도 17 및 도 18을 사용해서 설명한다. 도 17은 X1-X2 방향이 Y1-Y2 방향보다도 작은 개구를 형성하는 경우의 개폐 갈고리의 위치를 도시하는 상면도이다. 도 18은 X1-X2 방향이 Y1-Y2 방향보다도 큰 개구를 형성하는 경우의 개폐 갈고리의 위치를 도시하는 상면도이다.
도 17에 도시하는 바와 같이, 개폐 갈고리(1362)의 제2 부분(1362a, 1362b)의 X1-X2 방향의 간격을 개폐 갈고리(1364)의 제2 부분(1364a, 1364b)의 Y1-Y2 방향의 간격보다도 작게 함으로써, 개구(OP4)는 X1-X2 방향이 Y1-Y2 방향보다도 작은 직사각 형상으로 된다. 이에 의해, 조사 영역(IR4) 중, 제2 부분(1362a, 1362b, 1364a, 1364b)에 위치하는 부분이 마스크된다.
도 18에 도시하는 바와 같이, 개폐 갈고리(1362)의 제2 부분(1362a, 1362b)의 X1-X2 방향의 간격을 개폐 갈고리(1364)의 제2 부분(1364a, 1364b)의 Y1-Y2 방향의 간격보다도 크게 함으로써, 개구(OP5)는 X1-X2 방향이 Y1-Y2 방향보다도 큰 직사각 형상으로 된다. 이에 의해, 조사 영역(IR5) 중, 제2 부분(1362a, 1362b, 1364a, 1364b)에 위치하는 부분이 마스크된다.
또한, 레이저 조사 장치(231)로 레이저광을 다이싱 테이프(DT)에 조사할 경우, 다이싱 테이프(DT)를 통해서 다이(D)도 가열될 수 있다. 다이(D)를 통해서 콜릿(22)이 가열되어도 되는 경우, 콜릿(22)은 다이(D)에 접촉시켜도 된다. 이에 의해, 박리 대상의 다이(D)를 안정시키는 것이 가능하다. 다이(D)를 통한 콜릿(22)에의 가열을 방지할 경우, 콜릿(22)을 다이(D)에 접촉시키지 않고 대기시킨다.
제2 실시 형태에 따르면, 하기의 적어도 하나의 효과를 갖는다.
(a) 밀어올림 블록이나 슬라이드 블록 등, 이동하는 블록을 사용하지 않으므로, 기계적으로 다이에 스트레스가 가해지지 않는다. 이에 의해, 저스트레스로 박리하는 것이 가능하여, 다이의 손상(크랙이나 변형, 갈라짐, 절결 등)을 저감하는 것이 가능하게 된다.
(b) 레이저 조사 장치(231)와 다이싱 테이프(DT)의 거리를 변경하는 것이 가능하므로, 박리하는 다이에 효율적으로 레이저광을 조사하는 것이 가능하다. 이에 의해, 단시간에 다이를 박리하는 것이 가능해진다.
(c) 다이싱 테이프(DT)의 이면 근방에 조사광의 마스크가 배치되므로, 박리 대상의 다이에만 레이저광을 조사하는 것이 가능하다. 이에 의해, 박리 대상 외의 다이가 원하는 타이밍 이외에서 박리되지 않는 것이 가능해진다.
(d) 다이의 박리 시간을 단축 가능하므로, 다이 본더의 처리 능력(UPH)을 높이는 것이 가능하다.
(e) 다이를 박리할 때 다이에의 스트레스를 저감하는 것이 가능하므로, 반도체 제품(반도체 장치)의 품질 향상이 가능해진다.
<제2 실시 형태의 변형예>
이하, 제2 실시 형태의 대표적인 변형예에 대해서, 몇가지 예시한다. 이하의 변형예의 설명에 있어서, 상술한 제2 실시 형태에서 설명되어 있는 것과 마찬가지의 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는, 상술한 제2 실시 형태와 마찬가지의 부호가 사용될 수 있는 것으로 한다. 그리고 이러한 부분의 설명에 대해서는, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에서, 상술한 제2 실시 형태에서의 설명이 적절히 원용될 수 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 실시 형태의 일부, 및 복수의 변형예의 전부 또는 일부가, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에서 적절히 복합적으로 적용될 수 있다.
(제1 변형예)
제1 변형예에서의 마스크 장치에 대해서 도 19를 사용해서 설명한다. 도 19는 제2 실시 형태의 제1 변형예에서의 마스크 장치의 일부를 도시하는 상면도이다.
제2 실시 형태에서는, 2쌍의 개폐 갈고리(1362, 1364)를 사용하는 예를 설명했지만, 개폐 갈고리는 한 쌍만이어도 된다. 제1 변형예에서는, 박리 유닛(13)은 X축 개폐 기구(1361) 및 한 쌍의 개폐 갈고리(1362)(제2 부분(1362a, 1362b))를 구비하지만, Y축 개폐 기구(1363) 및 한 쌍의 개폐 갈고리(1364)(제2 부분(1364a, 1364b))는 구비하고 있지 않다. 이에 의해, 조사 영역(IR) 중, 제2 부분(1362a, 1362b)에 위치하는 부분이 마스크된다.
조사 영역(IR)의 Y1측 및 Y2측이 마스크되지 않지만, 다이(D)의 X1-X2 방향이 Y1-Y2 방향보다도 작은 직사각 형상의 경우, 조사 영역(IR)의 Y1측 및 Y2측의 다이(D)로부터 비어져 나오는 영역은 작으므로, 인접하는 다이에의 영향은 작다.
또한, 박리 유닛(13)은 Y축 개폐 기구(1363) 및 한 쌍의 개폐 갈고리(1364)(제2 부분(1364a, 1364b))를 구비하고, X축 개폐 기구(1361) 및 한 쌍의 개폐 갈고리(1362)(제2 부분(1362a, 1362b))는 구비하지 않도록 해도 된다. 이 경우, 다이(D)의 X1-X2 방향이 Y1-Y2 방향보다도 큰 직사각 형상의 경우에 유효하다.
(제2 변형예)
제2 변형예에서의 마스크 장치에 대해서 도 20을 사용해서 설명한다. 도 20은 제2 실시 형태의 제2 변형예에서의 마스크 장치를 도시하는 상면도이다.
제2 실시 형태에서는, 개폐 갈고리(1362, 1364)가 조사 영역의 중심을 기준으로 개폐해서 개구(OP)가 조사 영역(IR)의 중심에 위치하는 예를 설명했지만, 개구(OP)를 조사 영역(IR)의 중심으로부터 오프셋해서 위치하도록 해도 된다.
제2 변형예에서의 마스크 장치(136)는, X축 개폐 기구(1361a, 1361b)와, 개폐 갈고리(1362a, 1362b)와, Y축 개폐 기구(1363a, 1363b)와, 개폐 갈고리(1364a, 1364b)를 구비한다.
X축 개폐 기구(1361a)는 개폐 갈고리(제2 부분)(1362a)를 X1-X2 방향으로 움직이게 한다. X축 개폐 기구(1361b)는 개폐 갈고리(제2 부분)(1362b)를 X1-X2 방향으로 움직이게 한다. 개폐 갈고리(제2 부분)(1362a) 및 개폐 갈고리(제2 부분)(1362b)는 독립적으로 작동 가능하다.
Y축 개폐 기구(1363a)는 개폐 갈고리(제2 부분)(1364a)를 Y1-Y2 방향으로 움직이게 한다. Y축 개폐 기구(1363b)는 개폐 갈고리(제2 부분)(1364b)를 Y1-Y2 방향으로 움직이게 한다. 개폐 갈고리(제2 부분)(1364a)와 개폐 갈고리(제2 부분)(1364b)는 독립적으로 작동 가능하다.
이와 같은 구성에 의해, 개구(OP)를 조사 영역(IR)의 중심 이외에 오프셋시킨 영역에 배치하는 것이 가능하므로, 조사 영역(IR)의 중심(레이저 조사 장치(231)로부터의 조사광의 중심)으로부터 오프셋해서 조사 가능해진다. 이에 의해, 박리 대상의 다이(D)의 중심이 조사 영역(IR)의 중심으로부터 어긋나서 위치하는 경우에도, 웨이퍼 보유 지지대(12)를 미세 이동하지 않고, 다이(D)가 위치하는 영역에 조사하는 것이 가능해진다.
이상, 본 개시자들에 의해 이루어진 개시를 제1 실시 형태, 제2 실시 형태 및 그들의 변형예에 기초하여 구체적으로 설명했지만, 본 개시는, 상기 제1 실시 형태, 제2 실시 형태 및 그들의 변형예에 한정되는 것이 아니라, 다양하게 변경 가능한 것은 말할 필요도 없다.
예를 들어, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에서는, 다이싱 테이프로서 가열성 박리 테이프를 사용하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 자외선 박리 테이프를 사용해도 된다. 이 경우, 레이저 광원은 자외선을 조사한다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 레이저 조사부(131)를 돔 플레이트(134) 내에 배치하는 예를 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 레이저 조사부(131)를 돔 플레이트(134) 밖에 설치하여, 웨이퍼 전체에 레이저광을 스캔하는 것이 가능하게 하도록 해도 된다. 이 경우, 픽업 위치의 인식 정밀도가 요구되지 않을 경우는, 돔 플레이트를 구비하지 않아도 된다. 이에 의해, 웨이퍼를 이동하지 않아도 박리하는 다이에만 레이저광을 조사해서 픽업하는 것이 가능하게 된다. 또한, 픽업 위치의 인식 정밀도가 요구되는 경우는, 픽업하는 다이가 위치하는 다이싱 테이프의 개소에만 레이저광을 조사한 후, 돔 플레이트에 의해 다이싱 테이프를 고정하도록 해도 된다.
또한, 제2 실시 형태에서는, 레이저 조사 장치(231)가 박리 유닛(13) 내에서의 상하 방향의 위치를 바꿈으로써(레이저 조사 장치(231)에 의해), 조사 영역의 사이즈를 바꾸는 예를 설명했지만, 예를 들어 레이저 조사 장치(231) 내의 렌즈에 의해 조사 영역의 사이즈를 바꾸도록 해도 된다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 다이 어태치 필름을 사용하는 예를 설명했지만, 기판에 접착제를 도포하는 프리폼부를 마련해서 다이 어태치 필름을 사용하지 않아도 된다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 웨이퍼 공급부로부터 다이를 픽업 헤드로 픽업해서 중간 스테이지에 적재하고, 중간 스테이지에 적재된 다이를 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 다이 본더에 대해서 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 다이 공급부로부터 다이를 픽업하는 다이 본딩 장치에 적용 가능하다.
예를 들어, 중간 스테이지와 픽업 헤드가 없이, 웨이퍼 공급부의 다이를 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 다이 본더에도 적용 가능하다.
또한, 중간 스테이지가 없이, 웨이퍼 공급부로부터 다이를 픽업해서 다이 픽업 헤드를 위로 회전해서 다이를 본딩 헤드에 전달하여 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 플립 칩 본더에 적용 가능하다.
제1 실시 형태에서는, 다이 본더를 예로 들어 설명했지만, 픽업한 다이를 트레이에 적재하는 반도체 제조 장치에도 적용할 수 있다.
1: 다이 본더(반도체 제조 장치)
12: 웨이퍼 보유 지지대
13: 박리 유닛
136: 마스크 장치
231: 레이저 조사 장치

Claims (13)

  1. 다이가 첩부된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대와,
    상기 다이싱 테이프의 하방에 마련되고, 가열에 의해 상기 다이를 상기 다이싱 테이프로부터 박리하는 박리 유닛
    을 구비하고,
    상기 박리 유닛은,
    레이저원으로부터 발해진 광이 소정 거리만큼 이격된 점(집광점)에서 집광시키는 레이저 조사 장치와,
    상기 집광점과 상기 레이저 조사 장치 사이에서 상기 다이싱 테이프에 근접하게 설치되며, 상기 레이저 조사 장치로부터의 조사광에 의해 형성되는 조사 영역을 제한하는 마스크를 갖는 마스크 장치
    를 구비하고,
    상기 레이저 조사 장치의 상기 박리 유닛 내에서의 상하 방향의 위치를 변경함으로써 상기 조사 영역의 크기가 변경 가능한, 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 집광점은 상기 다이싱 테이프보다 상방에 위치하도록 설정되는, 반도체 제조 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 박리 유닛의 상면이 상기 다이싱 테이프에 근접한 상태에서, 상기 레이저 조사 장치의 상면과 상기 다이싱 테이프의 거리가 상기 소정 거리보다도 짧게 설정되는, 반도체 제조 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 마스크의 위치에서의 상기 조사 영역의 면적은 상기 다이의 면적보다도 크게 설정되는, 반도체 제조 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 마스크는 상기 조사 영역의 크기가 변경 가능한, 반도체 제조 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 마스크는 사각 형상의 개구를 갖고, 당해 개구의 크기가 변경 가능한, 반도체 제조 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 개구의 중심은 상기 레이저 조사 장치로부터의 조사광의 중심과 오프셋하는 것이 가능한, 반도체 제조 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 박리 유닛은 또한, 상기 마스크 장치의 상하 방향의 위치를 변경하는 구동부를 구비하는, 반도체 제조 장치.
  9. 다이가 첩부된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대와,
    상기 다이싱 테이프의 하방에 근접하게 마련되고, 가열에 의해 상기 다이를 상기 다이싱 테이프로부터 박리하는 박리 유닛
    을 구비하고,
    상기 박리 유닛은, 상부에 개구를 갖는 공동과 상기 개구의 하방에 마련되는 레이저 조사 장치를 갖는 레이저 조사부와, 상기 레이저 조사부 위에 설치되고 상기 레이저 조사 장치로부터 레이저 광의 조사 범위를 제한하여 상기 다이의 형상 및 크기에 맞추는 조사 범위 제한 부품을 구비하고,
    상기 레이저 조사 장치는, 당해 레이저 조사 장치로부터 조사되는 레이저광의 조사 방향이 상기 다이싱 테이프의 표면의 법선 방향에 대하여 기울어져, 상기 레이저광이 상기 개구를 통해서 상기 다이싱 테이프에 조사되도록 마련되는, 반도체 제조 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 레이저 조사 장치로부터 조사되는 레이저 광의 스폿 사이즈는 상기 다이보다도 작고,
    상기 레이저 조사 장치는 상기 다이가 위치하는 영역을 상기 레이저 광이 스캔하도록 구성되는, 반도체 제조 장치.
  11. 제10항에 있어서, 또한,
    카메라와,
    상기 레이저 조사 장치에 의해 상기 다이가 위치하는 영역을 상기 레이저 광이 스캔하는 범위를 상기 카메라에 의해 사전에 인식하도록 구성되는 제어부를 구비하는, 반도체 제조 장치.
  12. 다이가 첩부된 다이싱 테이프의 하방에 마련되고, 가열에 의해 상기 다이를 상기 다이싱 테이프로부터 박리하는 박리 유닛이며,
    레이저원으로부터 발해진 광이 소정 거리만큼 이격된 점(집광점)에서 집광시키는 레이저 조사 장치와,
    상기 집광점과 상기 레이저 조사 장치 사이이며, 상기 다이싱 테이프에 근접하여 설치되고, 상기 레이저 조사 장치로부터의 조사광에 의해 형성되는 조사 영역을 제한하는 마스크를 갖는 마스크 장치
    를 구비하고,
    상기 레이저 조사 장치의 상기 박리 유닛 내에서의 상하 방향의 위치를 변경함으로써 상기 조사 영역의 크기가 변경 가능한, 박리 유닛.
  13. 다이가 첩부된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대와, 상기 다이싱 테이프의 하방에 마련되고, 가열에 의해 상기 다이를 상기 다이싱 테이프로부터 박리하는 박리 유닛을 구비하고, 상기 박리 유닛은, 레이저원으로부터 발해진 광이 소정 거리만큼 이격된 점(집광점)에서 집광시키는 레이저 조사 장치와, 상기 집광점과 상기 레이저 조사 장치 사이에서 상기 다이싱 테이프에 근접하게 설치되며, 상기 레이저 조사 장치로부터의 조사광에 의해 형성되는 조사 영역을 제한하는 마스크를 갖는 마스크 장치를 구비하고, 상기 레이저 조사 장치의 상기 박리 유닛 내에서의 상하 방향의 위치를 변경함으로써 상기 조사 영역의 크기가 변경 가능한 반도체 제조 장치에 상기 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 반입하는 공정과,
    상기 다이싱 테이프로부터 상기 다이를 박리하는 공정
    을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법.
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