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TWI888009B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

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TWI888009B
TWI888009B TW113105210A TW113105210A TWI888009B TW I888009 B TWI888009 B TW I888009B TW 113105210 A TW113105210 A TW 113105210A TW 113105210 A TW113105210 A TW 113105210A TW I888009 B TWI888009 B TW I888009B
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TW
Taiwan
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solution
electrolysis
valve
tank
recovery
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Application number
TW113105210A
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TW202439427A (zh
Inventor
岩尾通矩
加門宏章
岩畑翔太
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
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Publication date
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Abstract

本發明能使過濾器長壽命化,上述過濾器在利用被用於基板處理後之處理液即廢液生成處理液之處理中,自廢液去除有機物。 本發明之基板處理裝置具備:噴嘴,其被供給包含過氧二硫酸離子之第1溶液,並將包含第1溶液之處理液供給至基板;第1罐,其貯存第1溶液;第2罐,其被供給廢液並貯存第2溶液,上述廢液係被用於針對基板之處理後之處理液;第1路徑,其與第2罐之間有第2溶液環流,對第2溶液進行第1電解而生成第3溶液;第2路徑,其具有過濾器,一面藉由過濾器過濾第3溶液,一面進行第2電解而生成第1溶液;及第3路徑,其向第1罐供給第1溶液。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種處理基板之技術。作為該處理(以下稱為「基板處理」)之對象之基板例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、有機EL(electroluminescence,電致發光)顯示裝置等平板顯示器(flat panel display,FPD)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用玻璃基板、陶瓷基板、場發射顯示器(fielde mission display,即FED)用基板、或太陽電池用基板等。
作為被用於基板處理之處理液,例如有眾所周知的硫酸(H2SO4)與過氧化氫水(H2O2)之混合液,其被通稱為SPM(sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture)(例如,參照下述專利文獻1)。藉由SPM生成過氧單硫酸(H2SO5),例如用來去除形成於基板表面之抗蝕劑。
作為基板處理中之活性種(蝕刻劑),眾所周知利用的是過氧二硫酸離子(S2O8 2-)。例如,專利文獻2中揭示了一種使用硫酸與臭氧之混合液 (SOM:Sulfuric Ozone peroxide mixture)來獲得過氧二硫酸離子之技術。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-47857號公報
[專利文獻2]日本專利特開2022-188425號公報
被用於基板處理後之處理液(以下稱為「廢液」)相較被用於基板處理前之處理液而言,包含大量有機物。例如,專利文獻1中介紹了一種利用回收之廢液生成處理液之處理(以下亦稱為「再生」或「再生處理」)。
於處理液中包含有機物之狀態下進行基板處理有可能導致基板處理中之污染,尤其是微粒向基板附著之問題。故而,希望於再生處理中將該有機物去除。
該去除例如利用藉由過濾器所實施之過濾。僅藉由過濾器而於再生中去除有機物存在導致過濾器短壽命化之問題。
鑒於上述問題,本申請中將揭示一種延長在再生處理中自廢液去除有機物之過濾器之壽命之技術。
本發明之基板處理裝置係使用處理液對基板進行處理之裝置。該基板處理裝置之第1形態具備:噴嘴,其被供給包含過氧二硫酸離子之第1溶液,並將包含上述第1溶液之上述處理液供給至上述基板;第1罐,其貯存上述第1溶液;第2罐,其被供給廢液並貯存第2溶液,該廢液係被用於針對上述基板之上述處理後之上述處理液;第1路徑,其與上述第2罐之間有上述第2溶液環流,對上述第2溶液進行第1電解而生成第3溶液;第2路徑,其具有過濾器,一面藉由上述過濾器過濾上述第3溶液,一面進行第2電解而生成上述第1溶液;及第3路徑,其向上述第1罐供給上述第1溶液。
本發明之基板處理裝置之第2形態如該第1形態,其中上述第1路徑具有進行上述第1電解之第1電解裝置。上述第2路徑具有:第3罐,其貯存上述第3溶液;及第2電解裝置,其與上述第3罐之間有上述第3溶液環流,進行上述第2電解。
本發明之基板處理裝置之第3形態如該第1形態,其中上述第2罐既包含於上述第1路徑又包含於上述第2路徑。上述第2路徑與上述第2罐之間有上述第3溶液環流。
本發明之基板處理裝置之第4形態如該第3形態,其中上述第1路徑具有進行上述第1電解之第1電解裝置。上述第2路徑具有進行上述第2電解 之第2電解裝置。
本發明之基板處理裝置之第5形態如該第3形態,其中上述第2路徑進而具有相對於上述過濾器串聯連接之第1開關閥。上述第1路徑具有:第2開關閥,其相對於上述過濾器與上述第1開關閥之串聯連接並聯設置;及電解裝置,其亦為上述第2路徑所共有。上述電解裝置於上述第1開關閥關閉,上述第2開關閥打開時,進行上述第1電解,於上述第2開關閥關閉,上述第1開關閥打開時,進行上述第2電解。
本發明之基板處理裝置之第6形態如該第1至第5形態中之任一形態,其中上述第2電解於較上述第1電解高之溫度下執行。
本發明之基板處理方法係使用處理液對基板進行處理之方法,包含如下步驟:將包含第1溶液之上述處理液供給至上述基板,上述第1溶液包含過氧二硫酸離子;將廢液供給至貯存第2溶液之罐,上述廢液係被用於針對上述基板之上述處理後之上述處理液;於與上述罐之間有上述第2溶液環流之第1路徑中,對上述第2溶液進行第1電解而生成第3溶液;及於具有過濾器之第2路徑中,一面藉由上述過濾器過濾上述第3溶液,一面進行第2電解而生成上述第1溶液。
本發明之基板處理裝置之第1形態及基板處理方法有助於使在再生處理中自廢液去除有機物之過濾器長壽命化。基板處理裝置之第2形態及第4 形態有助於抑制電解裝置之劣化。基板處理裝置之第5形態容易低價實現。
1:基板處理裝置
3:供給回收部
5:排出部
6:處理部
7:再生部
7A:第1回收部
7B:第1硫酸電解部
7C:第2回收部
7D:第2硫酸電解部
7E:第3硫酸電解部
8:配管空間
10:供給罐
13:過氧化氫水供給源
14:純水供給源
14A:閥
14B:閥
16:硫酸供給源
16A:閥
16B:閥
20A:再生罐
20B:再生罐
21A:電解槽
21B:電解槽
21C:電解槽
21D:電解槽
21E:電解槽
30A:回收罐
30B:回收罐
30C:回收罐
30D:回收罐
31:噴出口
35:流路
35a:流路
35b:流路
35c:流路
36:本體
37:閥體
38:氣動致動器
39:汽缸
40:排出液罐
40A:閥
41:間隔壁
42:活塞
43:彈簧
44:桿
45:閥室
46:閥座面
47:接頭
48:接頭
49:筒部
80:腔室
90:控制部
91:CPU
92:ROM
93:RAM
94:記憶裝置
94P:處理程式
95:匯流排線
96:輸入部
97:顯示部
98:通信部
100:供給配管
100A:閥
102:供給配管
102A:閥
102C:閥
102D:閥
103:加熱器
105:溫度計
106:供給配管
106A:閥
106B:噴嘴
106G:供給配管群
108:回流配管
108A:閥
108G:回流配管群
110:回收配管
110C:閥
110D:閥
112:流量計
114:泵
116:加熱器
117:溫度計
119:過濾器
122:廢液配管
122A:閥
122G:廢液配管群
124:回收配管
124A:閥
124B:閥
124C:閥
125:循環配管
125A:閥
125B:閥
125C:閥
125D:閥
126:回收配管
126A:閥
126B:閥
128:循環配管
128A:閥
130:循環配管
130A:閥
132:供給配管
132A:閥
134:供給配管
134A:閥
136:泵
136A:閥
136B:閥
136C:閥
136D:閥
138:濃度計
138A:閥
140:泵
140A:閥
142:加熱器
142A:閥
143:溫度計
144:過濾器
144A:閥
144B:閥
144C:閥
146:濃度計
146A:閥
148:泵
148A:閥
150:加熱器
150A:閥
151:溫度計
152:過濾器
152A:閥
152B:閥
152C:閥
154:泵
156:加熱器
157:溫度計
158:過濾器
160:排出液配管
160A:閥
161:廢液配管
161G:廢液配管群
162:排出液配管
162A:閥
164:排出液配管
164A:閥
164B:閥
164C:閥
164D:閥
164E:閥
164F:閥
200:混合配管
200A:閥
250A:壁
250B:開口部
250C:擋板
251:旋轉夾頭
251A:旋轉底座
251B:夾頭銷
251C:旋轉軸
251D:旋轉馬達
511:處理杯
511A:外側杯
511B:內側杯
515:排氣口
600:處理單元
S11:步驟
S12:步驟
S13:步驟
S14:步驟
S15:步驟
S16:步驟
S17:步驟
S18:步驟
W:基板
X1:軸向
Z1:旋轉軸線
圖1係模式性地表示本發明之基板處理裝置之構成之方塊圖。
圖2係例示供給回收部之構成之模式圖。
圖3係例示處理部之構成之模式圖。
圖4係概略性地例示處理單元及相關構成之模式圖。
圖5係例示噴嘴之內部構造之剖視圖。
圖6係例示排出部之構成之模式圖。
圖7係概念性地例示控制部之構成之方塊圖。
圖8係例示第1回收部之構成之模式圖。
圖9係例示第1硫酸電解部之構成之模式圖。
圖10係例示第2回收部之構成之模式圖。
圖11係例示第2硫酸電解部之構成之模式圖。
圖12係例示第3硫酸電解部之構成之模式圖。
圖13係例示再生處理之流程圖。
以下,參照隨附圖式,對實施方式進行說明。以下實施方式中,為了說明技術,還會示出詳細特徵等,但其等僅為例示,並非是要使實施方式能夠實施,必須具備該等全部特徵。
圖式係概略性地表示者,為了便於說明,圖式中會適當進行構成之省略、或構成之簡化等。又,不同圖式中各自所示之構成等之大小及位置之相互關係未必為正確記載者,而是可適當變更。又,非剖視圖之俯視圖等圖式中,為了使實施方式之內容容易理解,有時會繪上影線。
圖式中以三叉狀或丁字交叉狀繪製出配管時,只要未特別說明,即表示呈直線狀繪製之三個配管彼此連通。圖式中以四叉狀或十字交叉狀繪製出配管時,只要未特別說明,即表示通過交叉點而呈直線狀繪製之兩個配管彼此不連通。
圖式中被作為配管而繪製之線上所標註之箭頭表示流體流通之方向。
以下所示之說明中,對相同之構成要素標註相同之符號來進行圖示,其等彼此之名稱及功能相同。故而,有時為了避免重複,會省略關於其等之詳細說明。
本申請之說明書所記載之說明中,表述為「具備」、「包含」或「具有」某構成要素等時,只要未特別說明,便不為排除其他構成要素之存在之排他性表述。
本申請之說明書所記載之說明中,有時會使用「第1」或「第2」等序數,該等詞語係為了使實施方式之內容容易理解而權宜使用者,實施方 式之內容並不限定於由該等序數所能生成之順序等。
本申請之說明書所記載之說明中,有時會使用「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「正」或「反」等表示特定之位置或方向之詞語,該等詞語係為了使實施方式之內容容易理解而權宜使用者,與實際執行實施方式時之位置或方向無關。
本申請之說明書所記載之說明中,表述為「…之上表面」或「…之下表面」等時,除了作為對象之構成要素之上表面本身或下表面本身以外,亦包括於作為對象之構成要素之上表面或下表面形成有其他構成要素之狀態。即,例如表述為「設置於A之上表面之B」時,並不妨礙A與B之間介置有另一構成要素「C」。
<1.基板處理裝置1之概要>
圖1係模式性地表示本發明之基板處理裝置1之構成之方塊圖。
基板處理裝置1具備供給回收部3、排出部5、處理部6、再生部7、回收配管110、124、排出液配管160及控制部90。
<1-1.供給回收部3>
圖2係例示供給回收部3之構成之模式圖。供給回收部3具有與處理部6之間有給及回收第1溶液之功能。處理部6進行基板處理。第1溶液包含過氧二硫酸離子,典型而言,包含過氧二硫酸(H2S2O8)。如下所述,希望 第1溶液中之過氧二硫酸之濃度較高。
供給回收部3具有供給罐10、供給配管100、102、排出液配管162、閥100A、102A、162A、流量計112、泵114、加熱器103、116、溫度計105、117、及過濾器119。
向供給配管100流通如下所述藉由再生部7而再生出之第1溶液(以下亦稱為「再生後硫酸」)。自供給配管100向供給罐10供給再生後硫酸。
供給罐10作為貯存第1溶液之第1罐發揮功能。閥100A設置於供給配管100,於控制部90之控制之下,調整向供給配管100流通之再生後硫酸之流量。
於供給配管102連通有供給配管群106G。供給配管102具有經由供給配管群106G向處理部6供給第1溶液之功能。
流量計112、泵114、加熱器116、溫度計117、過濾器119及閥102A於供給配管102中串聯地例如依序設置。
溫度計117測量流經供給配管102之第1溶液之溫度。加熱器116加熱第1溶液,以使由溫度計117測量出之溫度例如達到90℃。該溫度之調整係於控制部90之控制之下進行。
過濾器119去除流經供給配管102之第1溶液內之異物,例如微粒。
泵114將供給配管102內之第1溶液自供給罐10之底部向與供給罐10相反之一側加壓。藉由該加壓,第1溶液自供給罐10之底部經由供給配管102向供給配管群106G流通。流經供給配管102之第1溶液中未流向供給配管群106G之部分向再生部7供給。
控制部90參照處理方案,掌控由處理部6進行之基板處理。藉由閥102A之例如開度,調整流經供給配管102之第1溶液之流量,以使由流量計112測量出之第1溶液之流量達到對該基板處理而言充足之流量。閥102A之調整係於控制部90之控制之下進行。
排出液配管162具有自供給罐10排出第1溶液之功能。閥162A設置於排出液配管162,於控制部90之控制之下,調整向排出液配管162流通之第1溶液之流量。自供給罐10經由排出液配管162排出之第1溶液向排出部5供給。
溫度計105測量流經供給配管100之第1溶液之溫度。加熱器103加熱第1溶液,以使由溫度計105測量出之溫度例如達到90℃。該溫度之調整係於控制部90之控制之下進行。
<1-2.回收配管110、124及排出液配管160>
於回收配管110連通有回流配管群108G。自供給配管群106G供給而 來但未被用於基板處理之第1溶液流入回流配管群108G。第1溶液自處理部6經由回流配管群108G流入回收配管110。流入回收配管110後之第1溶液向再生部7供給。
於回收配管124連通有廢液配管群122G。下述被用於第1基板處理後之廢液(以下亦稱為「第1廢液」)流入廢液配管群122G。第1廢液自處理部6經由廢液配管群122G流入回收配管124。流入回收配管124後之第1廢液向再生部7供給。第1廢液向再生部7之供給可看作是第1廢液自處理部6向再生部7之回收。
於再生部7中,藉由下述再生處理而由回收之第1廢液獲得第1溶液。再生處理能減少向基板處理裝置1新供給之藥液、及自基板處理裝置1排出之第1廢液,使資源更充分地得到利用,能助力於環保技術及生產方法。
於排出液配管160連通有廢液配管群161G。下述被用於第2基板處理後之廢液(以下亦稱為「第2廢液」)流入廢液配管群161G。第2廢液自處理部6經由廢液配管群161G流入排出液配管160。流入排出液配管160後之第2廢液向排出部5供給。
回收配管110、124及排出液配管160例如配置於配管空間8。配管空間8例如設置於配置供給回收部3之位置與配置處理部6之空間之間。在配管空間8中,供給配管群106G連通於供給配管102,回流配管群108G連通於回收配管110,廢液配管群122G連通於回收配管124,廢液配管群161G 連通於排出液配管160。
<1-3.處理部6>
圖3係例示處理部6之構成之模式圖。處理部6具有複數個(圖3之例示 中為6個)處理單元600。
基板處理裝置1所採用之基板處理方法包含如下步驟:對搬送至處理單元600之基板W噴出處理液,進行基板處理;將已加以基板處理之基板W洗淨;使被洗淨後之基板W旋轉而加以乾燥;及自處理單元600搬出乾燥後之基板W。該等步驟係藉由利用控制部90控制基板處理裝置1之各個構成(例如泵、加熱器、閥或旋轉馬達)之動作而進行。
各處理單元600具有閥106A、108A、122A、160A、200A、及噴嘴106B。於各處理單元600導入有供給配管106、回流配管108、廢液配管122、161、及混合配管200。複數個供給配管106構成供給配管群106G,複數個回流配管108構成回流配管群108G,複數個廢液配管122構成廢液配管群122G,複數個廢液配管161構成廢液配管群161G(參照圖1)。
第1溶液自供給配管102流入供給配管106。閥106A設置於供給配管106,於控制部90之控制之下,調整向供給配管106流通之第1溶液之流量。
第1溶液自噴嘴106B流入回流配管108。向回流配管108流通之第1溶 液於回收配管110中合流後流入再生部7。閥108A設置於回流配管108,於控制部90之控制之下,調整向回流配管108流通之第1溶液之流量。
第1廢液流入廢液配管122。向廢液配管群122G流通之第1廢液於回收配管124中合流後流入再生部7。閥122A設置於廢液配管122,於控制部90之控制之下,調整向廢液配管122流通之第1廢液之流量。
第2廢液流入廢液配管161。向廢液配管161流通之第2廢液於排出液配管160中合流後流入排出部5。閥160A設置於廢液配管161,於控制部90之控制之下,調整向廢液配管161流通之第2廢液之流量。
過氧化氫水自過氧化氫水供給源13(參照圖1)流入混合配管200。閥200A設置於混合配管200,於控制部90之控制之下,調整向混合配管200流通之過氧化氫水之流量。
噴嘴106B向第1溶液中添加過氧化氫水,形成處理液後將其供給至基板W。該添加於藉由第1溶液所實施之基板處理中並非必須執行。該添加將提高基板處理中之第1溶液之溫度。該溫度較高將提高基板處理之效率。
若被供用於基板處理前之第1溶液之溫度較高,則如下所示,S2O8 2-→2SO4-
2SO4-‧+2H2O→2HSO4 2-+2OH‧
2HSO4-+xH2O→2H2SO5+xH2
2SO4-‧+2H2O→2HSO4 2-+2OH‧
過氧二硫酸容易分解(符號「‧」表示自由基;以下同樣如此)。該分解亦表現為過氧二硫酸之失活。
在被供用於基板處理以前,不使第1溶液之溫度提高,以抑制其失活,並在進行基板處理時向第1溶液中添加過氧化氫水,這將有助於提高基板處理之效率。
於噴嘴106B連接有供給配管106、回流配管108及混合配管200。自供給配管102經過閥106A藉由供給配管106向噴嘴106B供給第1溶液。自過氧化氫水供給源13經過閥200A藉由混合配管200向噴嘴106B供給過氧化氫水。噴嘴106B使自供給配管106供給而來但未被用作處理液之第1溶液經過閥108A藉由回流配管108流入回收配管110。
例如,噴嘴106B如下所述地,向第1溶液中添加過氧化氫水後將其噴出,或不進行添加而使第1溶液流入回流配管108。
圖3中省略了過氧化氫水供給源13,而圖1中例示出了將過氧化氫水供給源13設置於基板處理裝置1外部之情形,亦可將其設置於基板處理裝置1內部。
<1-4.處理單元600>
圖4係概略性地例示處理單元600及相關構成之模式圖。圖4中示出了配置於圖3所例示之一個供給配管106之與供給配管102相反之一側(向供給配管102流通之第1溶液之下游側;以下亦簡稱為「較供給配管102更靠下游側」)的處理單元600之構成之例。配置於圖3所例示之另一個供給配管106之較供給配管102更靠下游側的處理單元600亦與圖4所例示之構成同樣地構成。
處理單元600具備腔室80、旋轉夾頭251及處理杯511。
腔室80呈具有內部空間之箱形。旋轉夾頭251具有於腔室80內一面將1片基板W以水平姿勢保持一面使其繞著鉛直之旋轉軸線Z1旋轉之功能。例如,基板W以基板W之中央部位於旋轉軸線Z1之上之姿勢被保持於旋轉夾頭251。
噴嘴106B向腔室80內側之規定部位(例如旋轉底座251A)噴出處理液。旋轉底座251A上保持有基板W時之上述噴出相當於處理液自噴嘴106B向基板W之供給。
於處理單元600亦可連接有與噴嘴106B不同,用於噴出其他用途之液體之噴嘴(例如,噴出其他藥液之噴嘴、或噴出沖洗液之噴嘴)。
處理杯511具有外側杯511A及內側杯511B。外側杯511A及內側杯511B均呈沿著旋轉軸線Z1延伸之筒狀形狀。
內側杯511B包圍旋轉夾頭251,外側杯511A包圍內側杯511B。
廢液配管122設置於腔室80之底部,並設置於外側杯511A之內側且內側杯511B之外側。廢液配管161設置於腔室80之底部,並設置於內側杯511B之內側且旋轉夾頭251之外側。
相對於外側杯511A之上端,內側杯511B之上端位於下方。外側杯511A及內側杯511B藉由未圖示之升降機構(例如馬達或汽缸)而相互獨立或連動地於鉛直方向上升降。
基板W被保持於旋轉夾頭251時,外側杯511A及內側杯511B之上端均位於較旋轉底座251A更靠下方之位置。基板W受到基板處理時,外側杯511A之上端位於較被旋轉夾頭251保持之基板W更靠上方之位置。
內側杯511B能向較保持於旋轉夾頭251之基板W更靠上方且較外側杯511A更靠下方之位置(以下暫稱為「上方位置」)移動。內側杯511B能向較保持於旋轉夾頭251之基板W更靠下方之位置(以下暫稱為「下方位置」)移動(圖4中例示之位置)。
進行第1基板處理時,內側杯511B移動至下方位置。第1基板處理例如為藉由處理液去除基板W上之抗蝕劑之處理。過氧二硫酸離子能對抗蝕劑之去除發揮作用,因此希望處理液內包含之第1溶液中之過氧二硫酸離 子之濃度較高。
第1廢液會被外側杯511A之內側面接住。被外側杯511A接住之第1廢液經由廢液配管122流入回收配管124,然後向再生部7供給,而被供用於下述再生處理。
進行第2基板處理時,內側杯511B移動至上方位置。第2基板處理例如為於第1基板處理之後刷洗基板W之沖洗處理。關於沖洗處理之詳情、用以實現該沖洗處理之沖洗液及其向該基板W之供給,本實施方式中省去相關說明。
第2廢液會被內側杯511B之內側面接住。被內側杯511B接住之第2廢液並不被供用於下述再生處理,而是經由廢液配管161流入排出液配管160,然後向排出部5供給。
腔室80具有箱狀之壁250A。於壁250A形成有開口部250B。基板W向腔室80之搬入、及基板W自腔室80之搬出均要經過開口部250B。
腔室80具有活動之擋板250C。開口部250B藉由擋板250C而打開或關閉。擋板250C藉由未圖示之擋板升降機構,而於蓋住開口部250B之關閉位置(圖4中鏈線所示)與敞開開口部250B之打開位置(圖4中實線所示)之間升降。
旋轉夾頭251具有旋轉底座251A、複數個夾頭銷251B、旋轉軸251C及旋轉馬達251D。
旋轉底座251A呈圓板狀。複數個夾頭銷251B自旋轉底座251A之上表面外周部向上方突出。複數個夾頭銷251B抓持或鬆開基板W之周緣部。被夾頭銷251B抓持之基板W與旋轉底座251A對向,於旋轉夾頭251上保持為水平姿勢。旋轉軸251C自旋轉底座251A之中央部向下方延伸。旋轉馬達251D藉由使旋轉軸251C旋轉,而使被複數個夾頭銷251B抓持之狀態下之基板W旋轉。
例如,亦可採用真空吸附基板W之下表面且具有旋轉底座之真空吸附式夾盤,以此取代利用複數個夾頭銷251B來抓持基板W之旋轉夾頭251。
排氣口515設置於腔室80之側部。通過排氣口515,將腔室80內之環境氣體適當排出至腔室80外。藉由未圖示之杯排氣機構,來排放處理杯511內之環境氣體。
<1-5.噴嘴106B>
圖5係例示噴嘴106B之內部構造之剖視圖。
噴嘴106B具有本體36、閥體37、氣動致動器38及噴出口31。本體36具有閥室45。
於本體36形成有引導第1溶液或處理液之流路35。閥體37打開或關閉流路35。氣動致動器38使閥體37於軸向X1上進退而使流路35打開或關閉。較閥體37更靠噴出口31側之流路35與混合配管200連通。較混合配管200更靠噴出口31側之流路35作為供處理液流通之流路35c發揮功能。較閥體37距噴出口31更遠之流路35分支成流路35a、35b。
於本體36連接有一對接頭48。於一接頭48連接有供給配管106,供給配管106與流路35a連通。亦可將流路35a看作供給配管106之一部分。於另一接頭48連接有回流配管108,回流配管108與流路35b連通。亦可將流路35b看作回流配管108之一部分。
流路35a連通於供給配管106及閥室45。流路35b連通於回流配管108及閥室45。流路35c連通於閥室45及噴出口31。
氣動致動器38具有汽缸39、活塞42、彈簧43及桿44。汽缸39與閥室45沿著軸向X1排列。汽缸39與閥室45之間藉由間隔壁41而分隔。閥體37於閥室45內進退。
汽缸39藉由活塞42而分隔成間隔壁41側之前室、及於軸向X1上與前室一併夾著該活塞42之後室。彈簧43在汽缸39之後室側介插於活塞42與本體36之間。彈簧43將活塞42向間隔壁41推壓。
於本體36連接有一對接頭47。於一接頭47連接有向汽缸39之前室傳遞氣壓之未圖示之管。於另一接頭47連接有向汽缸39之後室傳遞氣壓之未圖示之管。經由該等管及接頭47向汽缸39之前室或後室中之任一者傳遞氣壓將使得活塞42於汽缸39內沿著軸向X1進退。
桿44貫通間隔壁41而沿著軸向X1延伸。桿44之一端連結於活塞42。桿44之另一端連結於閥體37。閥體37例如呈圓板狀,其徑向與軸向X1正交。
若活塞42於汽缸39內沿著軸向X1進退,則閥體37經由桿44而於閥室45內沿著軸向X1進退。
閥室45包含閥座面46。閥座面46與間隔壁41對向,例如呈與軸向X1正交之圓環狀。流路35a、35b例如連接於閥座面46所呈圓環之內緣。沿著閥體37之進退方向(軸向X1)觀察時,於閥室45之側方連接有流路35c。
本體36包含筒部49。筒部49向下方突出,其下方側之前端形成有噴出口31。混合配管200向筒部49之側方導入,連通於流路35c。
對汽缸39之前室及後室皆不作用氣壓時,氣動致動器38處於不作動狀態。此時,活塞42於汽缸39內被彈簧43向閥室45側推壓,閥體37於閥室45內與閥座面46接觸。藉由該接觸,流路35於流路35a、35b與流路35c之間關閉(圖5中所例示之狀態)。此時,活塞42位於與間隔壁41側接近之 位置。
若於該狀態下將閥106A、108A打開,則自供給罐10通過供給配管106及流路35a向噴嘴106B供給之第1溶液經過流路35b、回流配管108及回收配管110向再生部7供給。如上所述般第1溶液自供給配管106向回流配管108流通而不被供用於基板處理之狀態以下稱為「經過噴嘴狀態」。
於經過噴嘴狀態下,第1溶液亦自供給配管102向再生部7流通。
於獲得了經過噴嘴狀態之狀況下,若向汽缸39之前室傳遞氣壓,則活塞42會對抗彈簧43之推壓力,向汽缸39之後室方向後退。此時,於閥室45內,閥體37離開閥座面46。隨著閥體37離開閥座面46,流路35a、35b與閥室45連通,流路35c與閥室45連通,流路35a、35b與流路35c連通。
自供給罐10經過供給配管106及流路35a供給之第1溶液向流路35c流入。此時,若閥200A打開,則過氧化氫水自混合配管200流入流路35c並於其中被添加至第1溶液。添加了過氧化氫水之第1溶液自噴出口31噴出。自噴出口31噴出處理液之狀態以下稱為「噴出狀態」。
於獲得了該噴出狀態之狀況下,若停止向汽缸39之前室傳遞氣壓,或於該停止之同時向汽缸39之後室傳遞氣壓,則活塞42會藉由彈簧43之 推壓力,向汽缸39之前室方向前進。此時,於閥室45內,閥體37與閥座面46接觸。隨著閥體37與閥座面46接觸,流路35a、35b與閥室45被阻斷,流路35c與閥室45被阻斷,流路35a、35b與流路35c之間關閉。如此將獲得經過噴嘴狀態。
噴嘴106B處於噴出狀態(圖5之閥體37離開閥座面46之狀態)時,閥106A打開,閥108A關閉。第1溶液向流路35c供給。於噴出狀態下,閥200A亦打開,過氧化氫水亦自混合配管200向流路35c供給。過氧化氫水於流路35c中被添加至第1溶液,然後自噴出口31噴出處理液。
噴嘴106B有助於使用第1溶液生成處理液。自噴出口31噴出之處理液會到達基板W之上表面,進行基板處理。
如上所述,不僅於噴出狀態下,而且於經過噴嘴狀態下亦使第1溶液流通至供給配管106之噴嘴106B內,這將有助於抑制供給配管102、106中之第1溶液之溫度變化,甚至有助於抑制被供用於基板處理之處理液之溫度變化。例如,於經過噴嘴狀態下向供給配管102、噴嘴106B流通之第1溶液以能維持供給配管102、106之溫度之程度,被抑制於最低限度之流量。
<1-6.排出部5>
圖6係例示排出部5之構成之模式圖。排出部5具有自基板處理裝置1排出對基板處理裝置1而言無用之液體之功能。排出部5具有排出液罐40 及閥40A。
自供給回收部3,具體為供給罐10,經過排出液配管162向排出液罐40供給第1溶液。自再生部7經過排出液配管164向排出液罐40供給第1廢液、皆將於下文說明之第2溶液、第3溶液、第4溶液及第5溶液中之任一者或複數者。自處理部6經過排出液配管160向排出液罐40供給第2廢液。
排出液罐40貯存第1廢液、第2廢液、第1溶液、第2溶液、第3溶液、第4溶液及第5溶液中之任一者或複數者。排出液罐40中貯存之液體經過閥40A向基板處理裝置1之外部排出。閥40A於控制部90之控制之下,調整自排出液罐40排出之液體之流量。
<1-7.控制部90>
圖7係概念性地例示控制部90之構成之方塊圖。控制部90可由具有電氣電路之普通電腦構成。具體而言,控制部90具備中央運算處理裝置(central processing unit,即CPU)91、唯讀記憶體(read only memory,即ROM)92、隨機存取記憶體(random access memory,即RAM)93、記憶裝置94、輸入部96、顯示部97、通信部98、及將其等相互連接之匯流排線95。
ROM92儲存有基本程式。RAM93作為供CPU91進行規定處理時之作業區域來使用。記憶裝置94由非揮發性記憶裝置(例如快閃記憶體或硬碟裝置)構成。輸入部96例如由各種切換器或觸控面板構成,自操作員接 收輸入設定指示(例如處理方案)。顯示部97例如由液晶顯示裝置及指示燈等構成,於CPU91之控制之下顯示各種資訊。通信部98具有例如經由區域網路(local area network,LAN)之資料通信功能。
記憶裝置94中已預先設定有控制基板處理裝置1之各個構成之複數個模式。藉由CPU91執行處理程式94P,而自上述複數個模式中選擇1個模式,於該模式下控制各個構成。再者,處理程式94P亦可記憶於記錄媒體。使用該記錄媒體時,能將處理程式94P安裝至控制部90。又,控制部90所執行之功能之一部分或全部未必要由軟體來實現,亦可由專用之硬體,例如邏輯電路來實現。
<2.再生部7>
再生部7進行再生處理。於再生處理中依序進行第1電解及第2電解,而使用第1廢液生成第1溶液。
<2-1.再生部7之第1實施方式>
圖8係例示第1回收部7A之構成之模式圖。圖9係例示第1硫酸電解部7B之構成之模式圖。
再生部7之第1實施方式包含第1回收部7A、第1硫酸電解部7B、回收配管126及排出液配管164。可看作第1回收部7A與第1硫酸電解部7B共有回收配管126及排出液配管164,亦可看作第1回收部7A及第1硫酸電解部7B中之任一者具有回收配管126及排出液配管164。
第1回收部7A與第1硫酸電解部7B藉由回收配管126及排出液配管164而連結。
<2-1-1.第1回收部7A>
第1回收部7A具有回收罐30A、30B、30D、閥102D、110D、124A、124B、125A、125B、125C、125D、136A、136B、136D、164D、164E、164F、循環配管125、泵136及電解槽21C。
回收配管124經由閥124A向回收罐30A供給第1廢液,經由閥124B向回收罐30B供給第1廢液。回收罐30A、30B均作為貯存第2溶液之第2罐發揮功能。第2溶液係包含第1廢液及下述第3溶液中之任一者或兩者之臨時名稱。
閥124A於控制部90之控制之下,調整向回收罐30A供給之第1廢液之流量,閥124B於控制部90之控制之下,調整向回收罐30B供給之第1廢液之流量。
閥164E設置於回收罐30A與排出液配管164之間。閥164E調整自回收罐30A經由排出液配管164向排出部5供給第2溶液之量。
閥164F設置於回收罐30B與排出液配管164之間。閥164F調整自回收罐30B經由排出液配管164向排出部5供給第2溶液之量。
閥164E、164F對流量之調整係於控制部90之控制之下進行。
回收罐30A經由閥136A向泵136供給第2溶液,回收罐30B經由閥136B向泵136供給第2溶液。
閥136A、136B均於控制部90之控制之下,調整向泵136供給之第2溶液之流量。
回收罐30A中貯存之第2溶液經由閥136A藉由泵136於循環配管125及回收配管126中之任一者或兩者內輸送,回收罐30B中貯存之第2溶液經由閥136B藉由泵136於循環配管125及回收配管126中之任一者或兩者內輸送。
第1回收部7A藉由電解槽21C所進行之電解,將第1廢液中包含之有機物分解。藉由該電解而由第1廢液生成第3溶液。亦可對第2溶液進行電解而生成第3溶液。如此分解有機物之電解係上述第1電解。
回收配管110經由閥110D向回收罐30D供給第1溶液,供給配管102經由閥102D向回收罐30D供給第1溶液。回收罐30D有助於冷卻第1溶液。
閥102D、110D於控制部90之控制之下,調整向回收罐30D供給之第1溶液之流量。
閥164D設置於回收罐30D與排出液配管164之間。閥164D調整自回收罐30D經由排出液配管164向排出部5供給第1溶液之量。回收罐30D經由閥136D向泵136供給第1溶液。閥136D、164D對流量之調整係於控制部90之控制之下進行。
閥125D於控制部90之控制之下,調整自循環配管125向回收配管126流去之第4溶液之流量。第4溶液係意指第1溶液及第3溶液中之任一者或兩者之臨時名稱。
於使用回收罐30A進行第1電解前,要藉由閥124A、164E之調整,向回收罐30A中貯存對第1電解而言適量之第1廢液。
於使用回收罐30B進行第1電解前,要藉由閥124B、164F之調整,向回收罐30B中貯存對第1電解而言適量之第1廢液。
無論是使用回收罐30A進行第1電解之情形時,還是使用回收罐30B進行第1電解之情形時,閥125D均關閉。第1溶液中包含之上述有機物較少,無需對第1溶液進行第1電解,閥136D關閉。
使用回收罐30A進行第1電解時,閥124A、164E關閉,閥125A、136A、125C打開。利用泵136加以送液,藉此於回收罐30A與電解槽21C之間,循環配管125中循環第3溶液,電解槽21C中進行第1電解。
使用回收罐30B進行第1電解時,閥124B、164F關閉,閥125B、136B、125C打開。利用泵136加以送液,藉此於回收罐30B與電解槽21C之間,循環配管125中循環第3溶液,電解槽21C中進行第1電解。
於第1電解中不希望第2溶液之溫度較高。回收罐30A、30B貯存第2溶液,並使其溫度例如降低至60℃以下。相較對第1電解僅採用回收罐30A、30B中之任一者之情形時而言,互補地實施向回收罐30A、30B供給第1廢液之處理與使用回收罐30A、30B進行第1電解之處理將有助於提高第1電解之效率。
例如,當閥124A打開時,閥136A關閉,第1廢液向回收罐30A供給,且閥125B、136B打開,而使用回收罐30B進行第1電解。例如,當閥124B打開時,閥136B關閉,第1廢液向回收罐30B供給,且閥125A、136A打開,而使用回收罐30A進行第1電解。
於第1電解中,按照如下所示來分解有機物。
S2O8 2-→2SO4-
2SO4-‧+2H2O→2HSO4 2-+2OH‧
C、H(有機物)+2SO4-‧→2HSO4-+xCO2+yH2O
2HSO4-+xH2O→2H2SO5+xH2
C、H(有機物)+2OH‧→xCO2+yH2O
執行第1電解之時間越長,有機物分解得越多。例如,持續預計有機物會被分解至期望程度之時間地執行第1電解。
第1電解結束後,閥125A、125B兩者關閉,或閥125C關閉。第1電解結束後,閥136A、136B中之任一者或兩者打開。第1電解結束後,閥136D打開。
藉由泵136向回收配管126供給經由閥136A、125D自回收罐30A供給之第3溶液、經由閥136B、125D自回收罐30B供給之第3溶液、及經由閥136D、125D自回收罐30D供給之第1溶液。
對第2溶液進行第1電解來生成第3溶液之路徑以下暫稱為「第1路徑」。例如,閥125A、136A、125C、電解槽21C及循環配管125可看作與回收罐30A之間有第2溶液環流之第1路徑。例如,閥125B、136B、125C、電解槽21C及循環配管125可看作與回收罐30B之間有第2溶液環流之第1路徑。
於第1回收部7A中,亦可設置有回收罐30A及與回收罐30A相關之第1路徑,但省略回收罐30B及與回收罐30B相關之第1路徑。
<2-1-2.第1硫酸電解部7B>
第1硫酸電解部7B具有再生罐20A、20B、電解槽21A、21B、循環配管128、130、供給配管132、134、及閥126A、126B。
自回收配管126,經由閥126A向再生罐20A供給第4溶液,經由閥126B向再生罐20B供給第4溶液。閥126A、126B均於控制部90之控制之下,調整供給之第4溶液之流量。第4溶液係意指第1溶液及第3溶液中之任一者或兩者之臨時名稱。再生罐20A、20B均能貯存第4溶液。
再生罐20A、20B均作為貯存第3溶液之第3罐發揮功能。
循環配管128使第4溶液於再生罐20A與電解槽21A之間循環。於該循環中,電解槽21A對第4溶液中包含之第3溶液進行電解,生成第1溶液。循環配管130使再生罐20B所貯存之第4溶液循環。於該循環中,電解槽21B對第4溶液中包含之第3溶液進行電解,生成第1溶液。該等電解係上述第2電解。
於第2電解中,按照如下所示來生成過氧二硫酸離子。
2SO4 2-→S2O8 2-+2e-
2HSO4-→2H++S2O8 2-+2e-
再生罐20A、20B均貯存藉由第2電解而獲得之第1溶液、及回收罐30D中貯存之第1溶液。
供給配管132自再生罐20A向供給配管100供給第1溶液,供給配管134自再生罐20B向供給配管100供給第1溶液。
於循環配管128設置有閥128A、泵140、加熱器142、溫度計143、過濾器144、電解槽21A及濃度計138。
閥128A於控制部90之控制之下,調整自再生罐20A向循環配管128流通之第4溶液之流量。
泵140輸送向循環配管128流通之第4溶液。加熱器142加熱向循環配管128流通之第4溶液。溫度計143測量向循環配管128流通之第4溶液之溫度。過濾器144去除向循環配管128流通之第4溶液內之異物,例如微粒。濃度計138測量向循環配管128流通之第4溶液之硫酸濃度。
於循環配管130設置有閥130A、泵148、加熱器150、溫度計151、過濾器152、電解槽21B及濃度計146。
閥130A於控制部90之控制之下,調整自再生罐20B向循環配管130流通之第4溶液之流量。
泵148輸送向循環配管130流通之第4溶液。加熱器150加熱向循環配管130流通之第4溶液。溫度計151測量向循環配管130流通之第4溶液之溫度。過濾器152去除向循環配管130流通之第4溶液內之異物,例如微粒。濃度計146測量向循環配管130流通之第4溶液之硫酸濃度。
上述「硫酸濃度」包括硫酸之濃度、過氧單硫酸之濃度及過氧二硫酸之濃度中之任一者。例如,以進行第2電解之時間來估測過氧二硫酸之濃度是否變得較所期望之下限大。一旦執行第2電解之時間超過規定時間,便結束該第2電解。
第1硫酸電解部7B中,於供給配管100設置有泵154、加熱器156、溫度計157及過濾器158。
自再生罐20A經由供給配管132及閥132A向泵154供給第1溶液,自再生罐20B經由供給配管134及閥134A向泵154供給第1溶液。泵154輸送向供給配管100流通之第1溶液。
閥132A於控制部90之控制之下,調整向供給配管132流通之第1溶液之流量,閥134A於控制部90之控制之下,調整向供給配管134流通之第1溶液之流量。
過濾器158去除向供給配管100流通之第1溶液內之異物,例如微粒。
溫度計157測量流經供給配管100之第1溶液之溫度。加熱器156加熱第1溶液,以使由溫度計157測量出之溫度例如達到90℃。該溫度之調整係於控制部90之控制之下進行。
第1硫酸電解部7B具有閥164A、164B。再生罐20A經由閥164A向排 出液配管164供給第4溶液,再生罐20B經由閥164B向排出液配管164供給第4溶液。閥164A、164B對流量之調整係於控制部90之控制之下進行。
自純水供給源14向再生罐20A及再生罐20B供給純水(DIW)、過氧化氫水或臭氧水。自純水供給源14向再生罐20A供給之純水等之流量可藉由利用控制部90控制閥14A來進行調整。又,自純水供給源14向再生罐20B供給之純水等之流量可藉由利用控制部90控制閥14B來進行調整。
自硫酸供給源16向再生罐20A及再生罐20B供給硫酸。自硫酸供給源16向再生罐20A供給之硫酸之流量可藉由利用控制部90控制閥16A來進行調整。又,自硫酸供給源16向再生罐20B供給之硫酸之流量可藉由利用控制部90控制閥16B來進行調整。
為了使說明變得簡單,首先對使用再生罐20A進行第2電解之情形進行說明。於第2電解之前,先要藉由閥126A、164A之調整,向再生罐20A中貯存對第2電解而言適量之第4溶液。
於第2電解中,閥132A關閉,再生罐20A與供給配管100不連通。閥164A關閉,再生罐20A與排出液配管164不連通。閥126A關閉,不自回收配管126向再生罐20A供給第4溶液。
於第2電解中,閥128A打開,泵140動作,再生罐20A中貯存之第4溶液向電解槽21A供給。電解槽21A作為電解裝置發揮功能。電解槽21A動 作,第4溶液中包含之第3溶液受到第2電解,生成第1溶液並向再生罐20A供給。如此一來,於再生罐20A所貯存之第4溶液中,第1溶液之比率上升。
於再生罐20A中進行第2電解之情形時,可經由閥126B對再生罐20B供給第4溶液,亦可經由閥164B自再生罐20B排出第4溶液。例如,於該等處理中,閥130A關閉。
當由濃度計138測量出之硫酸濃度較低時,例如閥16A打開,向再生罐20A供給硫酸。當由濃度計138測量出之硫酸濃度較高時,例如閥14A打開,向再生罐20A供給純水、過氧化氫水或臭氧水。
例如,當在再生罐20A中貯存之第4溶液全部流經電解槽21A所需之期間,測量出之硫酸濃度均持續收斂於規定範圍內時,可認為測量出之硫酸濃度係再生罐20A中貯存之第4溶液之硫酸濃度。
於再生罐20B中,同樣地,使用循環配管130、泵148、加熱器150、溫度計151及過濾器152進行第2電解。此時,閥134A關閉,再生罐20B與供給配管100不連通。閥164B關閉,再生罐20B與排出液配管164不連通。閥126B關閉,不自回收配管126向再生罐20B供給第4溶液。
於第2電解中,閥130A打開,泵148動作,再生罐20B中貯存之第4溶液向電解槽21B供給。電解槽21B作為電解裝置發揮功能。電解槽21B動 作,第4溶液中包含之第3溶液受到第2電解,生成第1溶液並向再生罐20B供給。如此一來,於再生罐20B所貯存之第4溶液中,第1溶液之比率上升。
於再生罐20B中進行第2電解之情形時,可經由閥126A對再生罐20A供給第4溶液,亦可經由閥164A自再生罐20A排出第4溶液。例如,於該等處理中,閥128A關閉。
當由濃度計146測量出之硫酸濃度較低時,例如閥16B打開,向再生罐20B供給硫酸。當由濃度計146測量出之硫酸濃度較高時,例如閥14B打開,向再生罐20B供給純水、過氧化氫水或臭氧水。
例如,當在再生罐20B中貯存之第4溶液全部流經電解槽21B所需之期間,測量出之硫酸濃度均持續收斂於規定範圍內時,可認為測量出之硫酸濃度係再生罐20B中貯存之第4溶液之硫酸濃度。
例如,第2電解於較第1電解高之溫度下執行。例如,第2電解中之第4溶液之溫度高於第1電解中之第2溶液之溫度。例如,於第1回收部7A中執行第1電解前,第2溶液要於回收罐30A、30B中冷卻至室溫。例如,第2電解中之第4溶液之溫度要升溫至60℃。
該升溫例如係援用溫度計143之溫度測量,藉由加熱器142,於控制部90之控制之下進行,或例如係援用溫度計151之溫度測量,藉由加熱器 150,於控制部90之控制之下進行。
一面使用再生罐20A進行第2電解,一面使用再生罐20B進行第4溶液之供給及排出中之任一者或兩者,一面使用再生罐20B進行第2電解,一面使用再生罐20A進行第4溶液之供給及排出中之任一者或兩者將有助於提高第2電解之效率。
使用再生罐20A所實施之第2電解與使用再生罐20B所實施之第2電解亦可並行地進行。
對第3溶液進行第2電解來生成第1溶液之路徑以下暫稱為「第2路徑」。例如,閥128A、過濾器144、電解槽21A及循環配管128可看作一面藉由過濾器144過濾第3溶液,一面生成第1溶液之第2路徑。例如,閥130A、過濾器152、電解槽21B及循環配管130可看作一面藉由過濾器152過濾第3溶液,一面生成第1溶液之第2路徑。
供給配管100、132、134可看作自再生部7,更具體為第1硫酸電解部7B,向供給罐10供給第1溶液之第3路徑。
根據上述動作,能於再生處理中使用第1廢液生成第1溶液,並依序進行第1電解及第2電解。而且,因於第1電解中會分解第1廢液中包含之有機物,故於第2電解中生成過氧二硫酸離子時,向循環配管128、130流通之有機物會減少,從而過濾器144、152之壽命延長。
例如,進而參照圖8,於第2電解中途,或第2電解結束後,在閥136A、136B關閉之狀態下,打開閥136D、125D、126A,而自回收罐30D向再生罐20A供給第1溶液。
例如,進而參照圖8,於第2電解中途,或第2電解結束後,在閥136A、136B關閉之狀態下,打開閥136D、125D、126B,而自回收罐30D向再生罐20B供給第1溶液。
於第1硫酸電解部7B中,亦可設置有再生罐20A及與再生罐20A相關之第2路徑,但省略再生罐20B及與再生罐20B相關之第2路徑。
<2-2.再生部7之第2實施方式>
圖10係例示第2回收部7C之構成之模式圖。圖11係例示第2硫酸電解部7D之構成之模式圖。
再生部7之第2實施方式包含第2回收部7C、第2硫酸電解部7D、回收配管126及排出液配管164。可看作第2回收部7C與第2硫酸電解部7D共有回收配管126及排出液配管164,亦可看作第2回收部7C及第2硫酸電解部7D中之任一者具有回收配管126及排出液配管164。
第2回收部7C與第2硫酸電解部7D藉由回收配管126及排出液配管164而連結。
<2-2-1.第2回收部7C>
第2回收部7C具有回收罐30C、閥124C、136C、164C、110C、102C、及泵136。
第2回收部7C與第1回收部7A不同,不進行第1電解。再生處理,具體為第1電解及第2電解均於第2硫酸電解部7D中進行。
回收配管124經由閥124C向回收罐30C供給第1廢液。閥124C於控制部90之控制之下,調整向回收罐30C供給之第1廢液之流量。
藉由閥124C之調整,向回收罐30C供給對第2硫酸電解部7D中之再生處理而言適量之第1廢液。
供給配管102於控制部90之控制之下,經由閥102C調整向回收罐30C供給之第1溶液之流量,回收配管110於控制部90之控制之下,經由閥110C調整向回收罐30C供給之第1溶液之流量。
回收罐30C貯存第5溶液。第5溶液係第1廢液與第1溶液之混合物。
閥164C設置於回收罐30C與排出液配管164之間。閥164C調整自回收罐30C經由排出液配管164向排出部5供給第5溶液之量。閥164C對流量之調整係於控制部90之控制之下進行。
回收罐30C經由閥136C向泵136供給第5溶液。閥136C於控制部90之控制之下,調整向泵136供給之第5溶液之流量。
藉由閥136C之調整及泵136之動作,將要供給至第2硫酸電解部7D之第5溶液向回收配管126流通。
於第1電解中不希望第1溶液之溫度較高。回收罐30C貯存第5溶液,並使其溫度例如降低至60℃以下。回收罐30C貯存向第2硫酸電解部7D送出前之第5溶液將有助於提高第2硫酸電解部7D中之第1電解之效率。
<2-2-2.第2硫酸電解部7D>
第2硫酸電解部7D具有對第1硫酸電解部7B(參照圖9)追加了電解槽21D、21E、閥138A、140A、142A、146A、148A、150A之構成。
例如,閥138A、140A、142A、146A、148A、150A均為開關閥,其打開或關閉由控制部90控制。
閥138A、142A設置於循環配管128。閥138A於循環配管128中,將加熱器142、溫度計143、過濾器144、電解槽21A及濃度計138與再生罐20A之液面側分隔。閥142A於循環配管128中,將加熱器142、溫度計143、過濾器144、電解槽21A及濃度計138與泵140及閥128A分隔。
循環配管128於該再生罐20A之液面側與閥138A之間分支,於該分支處設置有電解槽21D。循環配管128於泵140與閥142A之間分支,於該分支處設置有閥140A。閥140A與電解槽21D串聯連接於閥138A、142A之間。閥140A與電解槽21D之連接順序亦可顛倒。
閥146A、150A設置於循環配管130。閥146A於循環配管130中,將加熱器150、溫度計151、過濾器152、電解槽21B及濃度計146與再生罐20B之液面側分隔。閥150A於循環配管130中,將加熱器150、溫度計151、過濾器152、電解槽21B及濃度計146與泵148及閥130A分隔。
循環配管130於該再生罐20B之液面側與閥146A之間分支,於該分支處設置有電解槽21E。循環配管130於泵148與閥150A之間分支,於該分支處設置有閥148A。閥148A與電解槽21E串聯連接於閥146A、150A之間。閥148A與電解槽21E之連接順序亦可顛倒。
自回收配管126,經由閥126A向再生罐20A供給第5溶液,經由閥126B向再生罐20B供給第5溶液。閥126A、126B均於控制部90之控制之下,調整供給之第5溶液之流量。
於再生罐20A中,貯存第5溶液直至第1電解開始為止。於再生罐20A中,會藉由第1電解而由第5溶液中之第1廢液生成第3溶液,故而可以說貯存第5溶液及第3溶液,亦可以說包含第1溶液及第2溶液。於再生罐20A中,會藉由第2電解而由第3溶液生成第1溶液。自該等觀點而言,再生罐 20A可以說是貯存第2溶液之第2罐,亦可以說是貯存第3溶液之第3罐。同樣地,再生罐20B可以說是第2罐,亦可以說是第3罐。
於第2硫酸電解部7D中,在閥128A、140A打開,閥138A、142A關閉之狀態下,泵140及電解槽21D動作,對再生罐20A內貯存之第5溶液中包含之第1廢液進行第1電解。
再生罐20A內貯存之第5溶液因被閥138A、142A阻擋,故不經過電解槽21A、過濾器144,而經由閥128A、140A於循環配管128內藉由泵140之動作輸送。該第5溶液中包含之第1廢液藉由電解槽21D受到第1電解。隨著該第1電解之推進,再生罐20A中之第1廢液之量減少,第3溶液之量增多。
使用再生罐20A所實施之第1電解與第1回收部7A中之第1電解同樣地,例如基於時間之經過而結束。於第1電解結束之時間點,再生罐20A實質上貯存第4溶液。
於第1電解結束後,在閥128A、138A、142A打開,閥140A關閉之狀態下,泵140及電解槽21A動作,對再生罐20A內貯存之第4溶液中包含之第3溶液進行第2電解。
再生罐20A內貯存之第4溶液因被閥140A阻擋,故不經過電解槽21D,而經由閥128A、138A、142A於循環配管128內藉由泵140之動作輸 送。第4溶液被過濾器144過濾,同時該第4溶液中包含之第3溶液藉由電解槽21A受到第2電解。隨著該第2電解之推進,再生罐20A中之第3溶液之量減少,第1溶液之量增多。
使用再生罐20A所實施之第2電解與第1硫酸電解部7B中之第2電解同樣地,例如基於時間之經過而結束。於第2電解結束之時間點,再生罐20A實質上貯存第1溶液。
根據上述動作,電解槽21D可以說是進行第1電解之第1電解裝置。電解槽21A可以說是進行第2電解之第2電解裝置。
於第2硫酸電解部7D中,在閥130A、148A打開,閥146A、150A關閉之狀態下,泵148及電解槽21E動作,對再生罐20B內貯存之第5溶液中包含之第1廢液進行第1電解。
再生罐20B內貯存之第5溶液因被閥146A、150A阻擋,故不經過電解槽21E、過濾器152,而經由閥130A、148A於循環配管130內藉由泵148之動作輸送。該第5溶液中包含之第1廢液藉由電解槽21E受到第1電解。隨著該第1電解之推進,再生罐20B中之第1廢液之量減少,第3溶液之量增多。
使用再生罐20B所實施之第1電解與第1回收部7A中之第1電解同樣地,例如基於時間之經過而結束。於第1電解結束之時間點,再生罐20B 實質上貯存第4溶液。
於第1電解結束後,在閥130A、146A、150A打開,閥148A關閉之狀態下,泵148及電解槽21B動作,對再生罐20B內貯存之第4溶液中包含之第3溶液進行第2電解。
再生罐20B內貯存之第4溶液因被閥148A阻擋,故不經過電解槽21E,而經由閥130A、146A、150A於循環配管130內藉由泵148之動作輸送。第4溶液被過濾器152過濾,同時該第4溶液中包含之第3溶液藉由電解槽21B受到第2電解。隨著該第2電解之推進,再生罐20B中之第3溶液之量減少,第1溶液之量增多。
使用再生罐20B所實施之第2電解與第1硫酸電解部7B中之第2電解同樣地,例如基於時間之經過而結束。於第2電解結束之時間點,再生罐20B實質上貯存第1溶液。
根據上述動作,電解槽21E可以說是進行第1電解之第1電解裝置。電解槽21B可以說是進行第2電解之第2電解裝置。
除了電解槽21D、21E所實施之第1電解以外之第2硫酸電解部7D之動作與第1硫酸電解部7B之動作相同。
使用再生罐20A所實施之第1電解與使用再生罐20B所實施之第1電解 亦可並行地進行。使用再生罐20A所實施之第2電解與使用再生罐20B所實施之第2電解亦可並行地進行。
可一面使用再生罐20A進行第1電解,一面使用再生罐20B進行第2電解。亦可一面使用再生罐20A進行第2電解,一面使用再生罐20B進行第1電解。相較對第2硫酸電解部7D僅採用再生罐20A、20B中之任一者之情形時而言,再生罐20A、20B互補地進行第1電解與第2電解將有助於提高再生處理之效率。
第2實施方式中,例如閥128A、140A、電解槽21D及循環配管128可看作與再生罐20A之間有第2溶液環流之第1路徑。例如閥130A、148A、電解槽21E及循環配管130可看作與再生罐20B之間有第2溶液環流之第1路徑。
第2實施方式中,亦與第1實施方式同樣地,例如閥128A、過濾器144、電解槽21A及循環配管128可看作一面藉由過濾器144過濾第3溶液,一面生成第1溶液之第2路徑。例如閥130A、過濾器152、電解槽21B及循環配管130可看作一面藉由過濾器152過濾第3溶液,一面生成第1溶液之第2路徑。
第2實施方式中,亦與第1實施方式同樣地,供給配管100、132、134可看作自再生部7,更具體為第2硫酸電解部7D,向供給罐10供給第1溶液之第3路徑。
第2實施方式中,亦與第1實施方式同樣地,過濾器144、152之壽命延長。
第2實施方式中,亦與第1實施方式同樣地,電解槽21A、21B不負責第1電解,藉此使電解槽21A、21B之劣化得到抑制。
第1實施方式中,能使閥136D與閥136A及閥136B排他性地打開或關閉(參照圖8)。藉由該打開或關閉,能免於對自回收配管110、供給配管102供給至再生部7之第1溶液進行再生處理,自該觀點而言,第1實施方式相較第2實施方式具有上述優點。
第2實施方式中,亦與第1實施方式同樣地,例如第2電解於較第1電解高之溫度下執行。該溫度控制可藉由溫度計143與加熱器142之協作、或溫度計151與加熱器150之協作而實現。
於第2硫酸電解部7D中,亦可設置有再生罐20A、以及與再生罐20A相關之第1路徑及第2路徑,但省略再生罐20B、以及與再生罐20B相關之第1路徑及第2路徑。
<2-3.再生部7之第3實施方式>
圖12係例示第3硫酸電解部7E之構成之模式圖。再生部7之第3實施方式包含第2回收部7C(參照圖10)、第3硫酸電解部7E、回收配管126及排出 液配管164。可看作第2回收部7C與第3硫酸電解部7E共有回收配管126及排出液配管164,亦可看作第2回收部7C及第3硫酸電解部7E中之任一者具有回收配管126及排出液配管164。
第2回收部7C與第3硫酸電解部7E藉由回收配管126及排出液配管164而連結。
第3硫酸電解部7E亦與第2硫酸電解部7D同樣地,進行第1電解及第2電解。第3實施方式中,第2回收部7C亦與第2實施方式同樣地動作。
第3硫酸電解部7E具有對第1硫酸電解部7B(參照圖9)追加了閥144A、144B、144C、152A、152B、152C之構成。例如,閥144A、144B、144C、152A、152B、152C均為開關閥,其打開或關閉由控制部90控制。
閥144A、144B設置於循環配管128。閥144A於循環配管128中,配置在溫度計143與過濾器144之間。閥144B於循環配管128中,配置在電解槽21A與過濾器144之間。循環配管128於該溫度計143與電解槽21A之間避開閥144A而分支,於該分支處設置有閥144C。閥144C可以說是相對於閥144A與過濾器144之串聯連接而並聯設置,亦可以說是相對於閥144B與過濾器144之串聯連接而並聯設置,還可以說是相對於閥144A、144B與過濾器144之串聯連接而並聯設置。
閥152A、152B設置於循環配管130。閥152A於循環配管130中,配置在溫度計151與過濾器152之間。閥152B於循環配管130中,配置在電解槽21B與過濾器152之間。循環配管130於該溫度計151與電解槽21B之間繞過閥152A而分支,於該分支處設置有閥152C。閥152C可以說是相對於閥152A與過濾器152之串聯連接而並聯設置,亦可以說是相對於閥152B與過濾器152之串聯連接而並聯設置,還可以說是相對於閥152A、152B與過濾器152之串聯連接而並聯設置。
與第2實施方式同樣地,再生罐20A、20B均可以說是第2罐,亦可以說是第3罐。
自回收配管126,經由閥126A向再生罐20A供給第5溶液,經由閥126B向再生罐20B供給第5溶液。閥126A、126B均於控制部90之控制之下,調整供給之第5溶液之流量。
於第3硫酸電解部7E中,在閥144A、144B中之任一者或兩者關閉,閥128A、144C打開之狀態下,泵140及電解槽21A動作,對再生罐20A內貯存之第5溶液中包含之第1廢液進行第1電解。
再生罐20A內貯存之第5溶液因被閥144A、144B中之任一者阻擋,故不經過過濾器144,而經由閥128A、144C於循環配管128內藉由泵140之動作輸送。該第5溶液中包含之第1廢液藉由電解槽21A受到第1電解。隨著該第1電解之推進,再生罐20A中之第1廢液之量減少,第3溶液之量 增多。
使用再生罐20A所實施之第1電解與第1回收部7A中之第1電解同樣地,例如基於時間之經過而結束。於第1電解結束之時間點,再生罐20A實質上貯存第4溶液。
於第1電解結束後,在閥128A、144A、144B打開,閥144C關閉之狀態下,泵140及電解槽21A動作,對再生罐20A內貯存之第4溶液中包含之第3溶液進行第2電解。
再生罐20A內貯存之第4溶液因被閥144C阻擋,故不繞開過濾器144,而經由閥128A、144A、144B於循環配管128內藉由泵140之動作輸送。第4溶液被過濾器144過濾,同時該第4溶液中包含之第3溶液藉由電解槽21A受到第2電解。隨著該第2電解之推進,再生罐20A中之第3溶液之量減少,第1溶液之量增多。
使用再生罐20A所實施之第2電解與第1硫酸電解部7B中之第2電解同樣地,例如基於時間之經過而結束。於第2電解結束之時間點,再生罐20A實質上貯存第1溶液。
根據上述動作,電解槽21A可以說是進行第1電解之第1電解裝置,也是進行第2電解之第2電解裝置。
於第3硫酸電解部7E中,在閥152A、152B中之任一者或兩者關閉,閥130A、152C打開之狀態下,泵148及電解槽21B動作,對再生罐20B內貯存之第5溶液中包含之第1廢液進行第1電解。
再生罐20B內貯存之第5溶液因被閥152A、152B中之任一者阻擋,故不經過過濾器152,而經由閥130A、152C於循環配管130內藉由泵148之動作輸送。該第5溶液中包含之第1廢液藉由電解槽21B受到第1電解。隨著該第1電解之推進,再生罐20B中之第1廢液之量減少,第3溶液之量增多。
使用再生罐20B所實施之第1電解與第1回收部7A中之第1電解同樣地,例如基於時間之經過而結束。於第1電解結束之時間點,再生罐20B實質上貯存第4溶液。
於第1電解結束後,在閥130A、152A、152B打開,閥152C關閉之狀態下,泵148及電解槽21B動作,對再生罐20B內貯存之第4溶液中包含之第3溶液進行第2電解。
再生罐20B內貯存之第4溶液因被閥152C阻擋,故不繞開過濾器152,而經由閥130A、152A、152B於循環配管130內藉由泵148之動作輸送。第4溶液被過濾器152過濾,同時該第4溶液中包含之第3溶液藉由電解槽21B受到第2電解。隨著該第2電解之推進,再生罐20B中之第3溶液之量減少,第1溶液之量增多。
使用再生罐20B所實施之第2電解與第1硫酸電解部7B中之第2電解同樣地,例如基於時間之經過而結束。於第2電解結束之時間點,再生罐20B實質上貯存第1溶液。
根據上述動作,電解槽21B可以說是進行第1電解之第1電解裝置,也是進行第2電解之第2電解裝置。
除了電解槽21A、21B所實施之第1電解以外之第3硫酸電解部7E之動作與第1硫酸電解部7B之動作相同。
使用再生罐20A所實施之第1電解與使用再生罐20B所實施之第1電解亦可並行地進行。使用再生罐20A所實施之第2電解與使用再生罐20B所實施之第2電解亦可並行地進行。
可一面使用再生罐20A進行第1電解,一面使用再生罐20B進行第2電解。亦可一面使用再生罐20A進行第2電解,一面使用再生罐20B進行第1電解。相較對第3硫酸電解部7E僅採用再生罐20A、20B中之任一者之情形時而言,再生罐20A、20B互補地進行第1電解與第2電解將有助於提高再生處理之效率。
第3實施方式中,例如閥128A、144C、電解槽21A及循環配管128可看作與再生罐20A之間有第2溶液環流之第1路徑。例如閥130A、152C、 電解槽21B及循環配管130可看作與再生罐20B之間有第2溶液環流之第1路徑。
第3實施方式中,例如閥128A、過濾器144、閥144A、144B、電解槽21A及循環配管128可看作一面藉由過濾器144過濾第3溶液,一面生成第1溶液之第2路徑。例如閥130A、過濾器152、閥152A、152B、電解槽21B及循環配管130可看作一面藉由過濾器152過濾第3溶液,一面生成第1溶液之第2路徑。
第3實施方式中,亦與第1實施方式同樣地,供給配管100、132、134可看作自再生部7,更具體為第3硫酸電解部7E,向供給罐10供給第1溶液之第3路徑。
第3實施方式中,亦與第1實施方式同樣地,過濾器144、152之壽命延長。
第3實施方式中,無需第1實施方式中之電解槽21C,亦無需第2實施方式中之電解槽21D、21E。自該觀點而言,第3實施方式相較第1實施方式及第2實施方式,具有更易低價獲得之優點。
第3實施方式中,未採用第1實施方式中之電解槽21C,亦未採用第2實施方式中之電解槽21D、21E,電解槽21A、21B均兼作第1電解槽與第2電解槽。自該觀點而言,第1實施方式及第2實施方式相較第3實施方 式,均具有電解槽21A、21B不易劣化(抑制劣化)之優點。
第1實施方式中,能免於對自回收配管110、供給配管102供給至再生部7之第1溶液進行再生處理,自該觀點而言,第1實施方式相較第3實施方式具有上述優點。
第3實施方式中,亦與第1實施方式同樣地,例如第2電解於較第1電解高之溫度下執行。該溫度控制可藉由溫度計143與加熱器142之協作、或溫度計151與加熱器150之協作而實現。
於第3硫酸電解部7E中,亦可設置有再生罐20A、以及與再生罐20A相關之第1路徑及第2路徑,但省略再生罐20B、以及與再生罐20B相關之第1路徑及第2路徑。
<3.硫酸再生處理>
基板處理裝置1按照如上所述動作,而由第1廢液生成第1溶液。第1溶液作為再生後硫酸供給至供給罐10,以供生成處理液。
圖13係例示由第1廢液獲得第1溶液之再生處理之流程圖。再生處理包含步驟S11、S12、S13、S14、S15、S16、S17。硫酸再生處理有時進而包含步驟S18。
步驟S11係將第1廢液供給至第2罐之步驟。就第1實施方式而言,於 步驟S11中,自回收配管124,經由閥124A向回收罐30A供給第1廢液,經由閥124B向回收罐30B供給第1廢液(參照圖8)。就第2實施方式及第3實施方式而言,於步驟S11中,自回收配管124經由閥124C向回收罐30C供給第1廢液(參照圖10)。
步驟S12係開始第1電解之步驟。就第1實施方式而言,於步驟S12中,將閥124A、124B、125D、164E、164F關閉,將閥125C打開,使泵136及電解槽21C動作。於使用回收罐30A進行第1電解之情形時,將閥125A、136A打開。於使用回收罐30B進行第1電解之情形時,將閥125B、136B打開(參照圖8)。
於第1實施方式之第1電解中,關閉閥136D能使回收罐30D中貯存之第1溶液不被供用於第1電解,藉此有助於減輕電解槽21C之負荷。
就第2實施方式而言,於步驟S12中,將閥132A、134A關閉。於使用再生罐20A進行第1電解之情形時,於步驟S12中,將閥138A、142A關閉,將閥128A、140A打開,使泵140及電解槽21D動作。於使用再生罐20B進行第1電解之情形時,於步驟S12中,將閥146A、150A關閉,將閥130A、148A打開,使泵148及電解槽21E動作(參照圖11)。
就第3實施方式而言,於步驟S12中,將閥132A、134A關閉。於使用再生罐20A進行第1電解之情形時,於步驟S12中,將閥144A、144B中之任一者或兩者關閉,將閥144C打開,使泵140及電解槽21A動作。於使 用再生罐20B進行第1電解之情形時,於步驟S12中,將閥152A、152B中之任一者或兩者關閉,將閥152C打開,使泵148及電解槽21B動作(參照圖12)。
於藉由步驟S12而開始第1電解後,執行步驟S13。於步驟S13中,判斷自執行步驟S12後是否經過了第1規定時間。反覆執行步驟S13直至該判斷之結果成為肯定為止。
步驟S12中開始之第1電解持續進行至經過第1規定時間為止。第1規定時間係推測出之第1電解所需之時間。第1規定時間亦可以說是推測出之使第1廢液中之有機物之量或其比率低於規定值所需之時間。當步驟S13之判斷之結果成為肯定時,執行步驟S14。
步驟S14係停止第1電解之步驟。就第1實施方式而言,例如停止電解槽21C之動作(參照圖8)。就第2實施方式而言,要停止使用再生罐20A所實施之第1電解時,例如停止電解槽21D之動作,要停止使用再生罐20B所實施之第1電解時,例如停止電解槽21E之動作(參照圖11)。就第3實施方式而言,要停止使用再生罐20A所實施之第1電解時,例如停止電解槽21A之動作,要停止使用再生罐20B所實施之第1電解時,例如停止電解槽21B之動作(參照圖12)。
第3實施方式中,於第1電解及第2電解中,均為電解槽21A、21B動作。因於第1電解之後要執行第2電解,故於步驟S14中未必要停止電解槽 21A、21B。
步驟S15係開始第2電解之步驟。就第1實施方式而言,於步驟S15中,將閥125C(或進而將閥125A、125B亦)關閉。於使用回收罐30A所實施之第1電解結束之情形時,將閥136A打開,於使用回收罐30B所實施之第1電解結束之情形時,將閥136B打開,上述兩種情形時,均使泵136動作(參照圖8)。
於步驟S15中,將閥132A、134A關閉。於使用再生罐20A進行第2電解之情形時,將閥128A打開,使泵140及電解槽21A動作。於使用再生罐20B進行第2電解之情形時,將閥130A打開,使泵148及電解槽21B動作(參照圖9)。
就第2實施方式而言,於步驟S15中,將閥132A、134A關閉。於使用再生罐20A進行第2電解之情形時,將閥138A、142A打開,使泵140及電解槽21A動作。於使用再生罐20B進行第2電解之情形時,將閥146A、150A打開,使泵148及電解槽21B動作(參照圖11)。
就第3實施方式而言,於步驟S15中,將閥132A、134A關閉。於使用再生罐20A進行第2電解之情形時,將閥144A、144B打開,將閥144C關閉,使泵140及電解槽21A動作。於使用再生罐20B進行第2電解之情形時,將閥152A、152B打開,將閥152C關閉,使泵148及電解槽21B動作(參照圖12)。
於藉由步驟S15而開始第2電解後,執行步驟S16。於步驟S16中,判斷自執行步驟S15後是否經過了第2規定時間。反覆執行步驟S16直至該判斷之結果成為肯定為止。
步驟S15中開始之第2電解持續進行至經過第2規定時間為止。第2規定時間係推測出之第2電解所需之時間。第2規定時間亦可以說是推測出之使第1溶液之量或其濃度,具體為過氧二硫酸離子之量或其濃度超過規定值所需之時間。當步驟S16之判斷結果成為肯定時,執行步驟S17。
步驟S17係停止第2電解之步驟。就第1實施方式、第2實施方式、第3實施方式而言,均為:要停止使用再生罐20A所實施之第2電解時,例如停止電解槽21A之動作,要停止使用再生罐20B所實施之第2電解時,例如停止電解槽21B之動作(參照圖9、圖11、圖12)。
對於硫酸再生處理,還假定了進而包含步驟S18之情形。步驟S18係於執行步驟S17後,將第1溶液向第1罐供給之步驟。就第1實施方式、第2實施方式、第3實施方式而言,於步驟S17中,例如均為:將閥132A、134A打開,使泵154動作。
自上述觀點而言,本發明之基板處理方法可看作是使用處理液對基板進行處理之方法,包含如下步驟:將包含第1溶液之處理液供給至基板W,上述第1溶液例如包含過氧二硫酸離子;將廢液供給至貯存第2溶液之 第2罐(就第1實施方式而言,為回收罐30A、30B,就第2實施方式及第3實施方式而言,為再生罐20A、20B);及進行再生處理。
可看成再生處理包含第1電解及第2電解兩個步驟。第1電解係於與第2罐之間有第2溶液環流之第1路徑中,對第2溶液進行而生成第3溶液。第2電解係於具有過濾器144、152之第2路徑中,一面藉由過濾器144、152過濾第3溶液,一面進行而生成第1溶液。如此生成之第1溶液作為處理液以供再利用。
<4.變形>
濃度計138、146有時能將過氧二硫酸之濃度與硫酸之濃度及過氧單硫酸之濃度區分開來測定(例如分光分析等)。步驟S16之判斷係判斷過氧二硫酸之失活程度。上述情形時,步驟S16中之判斷條件可變更為「過氧二硫酸之濃度未達規定濃度」。
第2實施方式及第3實施方式中,亦可採用自第1回收部7A中去掉循環配管125、電解槽21C、閥125A、125B、125C之構成,以此取代第2回收部7C。
再者,當然可將分別構成上述各實施方式及各種變化例之全部或一部分於不矛盾之範圍內適當進行組合。
1:基板處理裝置
3:供給回收部
5:排出部
6:處理部
7:再生部
8:配管空間
13:過氧化氫水供給源
14:純水供給源
16:硫酸供給源
90:控制部
100:供給配管
102:供給配管
106G:供給配管群
108G:回流配管群
110:回收配管
122G:廢液配管群
124:回收配管
160:排出液配管
161G:廢液配管群
162:排出液配管
164:排出液配管
200:混合配管

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置,其係使用處理液對基板進行處理之裝置,具備: 噴嘴,其被供給包含過氧二硫酸離子之第1溶液,並將包含上述第1溶液之上述處理液供給至上述基板; 第1罐,其貯存上述第1溶液; 第2罐,其被供給廢液並貯存第2溶液,上述廢液係被用於針對上述基板之上述處理後之上述處理液; 第1路徑,其與上述第2罐之間有上述第2溶液環流,對上述第2溶液進行第1電解而生成第3溶液; 第2路徑,其具有過濾器,一面藉由上述過濾器過濾上述第3溶液,一面進行第2電解而生成上述第1溶液;及 第3路徑,其向上述第1罐供給上述第1溶液。
  2. 如請求項1之基板處理裝置,其中上述第1路徑具有進行上述第1電解之第1電解裝置, 上述第2路徑具有: 第3罐,其貯存上述第3溶液;及 第2電解裝置,其與上述第3罐之間有上述第3溶液環流,進行上述第2電解。
  3. 如請求項1之基板處理裝置,其中上述第2罐既包含於上述第1路徑又包含於上述第2路徑,且 上述第2路徑與上述第2罐之間有上述第3溶液環流。
  4. 如請求項3之基板處理裝置,其中上述第1路徑具有進行上述第1電解之第1電解裝置, 上述第2路徑具有進行上述第2電解之第2電解裝置。
  5. 如請求項3之基板處理裝置,其中上述第2路徑進而具有相對於上述過濾器串聯連接之第1開關閥, 上述第1路徑具有: 第2開關閥,其相對於上述過濾器與上述第1開關閥之串聯連接並聯設置;及 電解裝置,其亦為上述第2路徑所共有;且 上述電解裝置 於上述第1開關閥關閉,上述第2開關閥打開時,進行上述第1電解, 於上述第2開關閥關閉,上述第1開關閥打開時,進行上述第2電解。
  6. 如請求項1至5中任一項之基板處理裝置,其中上述第2電解於較上述第1電解高之溫度下執行。
  7. 一種基板處理方法,其係使用處理液對基板進行處理之方法,包含如下步驟: 將包含第1溶液之上述處理液供給至上述基板,上述第1溶液包含過氧二硫酸離子; 將廢液供給至貯存第2溶液之罐,上述廢液係被用於針對上述基板之上述處理後之上述處理液; 於與上述罐之間有上述第2溶液環流之第1路徑中,對上述第2溶液進行第1電解而生成第3溶液;及 於具有過濾器之第2路徑中,一面藉由上述過濾器過濾上述第3溶液,一面進行第2電解而生成上述第1溶液。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130092553A1 (en) * 2009-03-24 2013-04-18 Kurita Water Industries Ltd. Supply system and supply method for functional solution
TW202141615A (zh) * 2018-09-20 2021-11-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266477A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Kurita Water Ind Ltd 半導体基板洗浄システム
JP5773132B2 (ja) * 2011-02-23 2015-09-02 栗田工業株式会社 過硫酸濃度の測定方法、過硫酸濃度測定装置、及び過硫酸供給装置
JP6191720B1 (ja) * 2016-03-25 2017-09-06 栗田工業株式会社 過硫酸溶液製造供給装置及び方法
JP7606415B2 (ja) 2021-06-09 2024-12-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130092553A1 (en) * 2009-03-24 2013-04-18 Kurita Water Industries Ltd. Supply system and supply method for functional solution
TW202141615A (zh) * 2018-09-20 2021-11-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

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