TWI871072B

TWI871072B - 基板處理裝置及基板處理方法

Info

Publication number: TWI871072B
Application number: TW112142378A
Authority: TW
Inventors: 岩尾通矩; 岩畑翔太; 加門宏章
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2022-12-28
Filing date: 2023-11-03
Publication date: 2025-01-21
Also published as: EP4645371A1; WO2024142539A1; TW202427659A; CN120457524A; KR20250114379A; JP2024094631A

Abstract

本發明於抑制電解硫酸之氧化力降低之同時進行基板處理。基板處理裝置具備：基板處理部，其用以使用包含電解硫酸之處理液對基板進行處理；供給箱，其用以貯存向基板處理部供給之處理液；升溫部，其用以於基板處理部中藉由對自供給箱供給之處理液混合賦予水而使處理液升溫；生成部，其用以藉由電解而生成處理液，且將所生成之處理液向供給箱供給；及回收部，其用以回收已於基板處理部中使用之處理液即處理後液且向生成部供給。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本案說明書中所揭示之技術係關於一種基板處理技術。成為處理對象之基板例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等平板顯示器(flat panel display，FPD)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用玻璃基板、陶瓷基板、場發射顯示器(field emission display，即，FED)用基板、或太陽電池用基板等。

先前以來，基板處理中使用硫酸與過氧化氫溶液之混合溶液(SPM)等作為處理液(例如，參照專利文獻1)。SPM係藉由於硫酸中混合過氧化氫溶液而產生氧化力之處理液，主要用於形成於基板之上表面之抗蝕劑之去除等基板處理。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2018-163977號公報

另一方面，可將電解硫酸用作基板處理之處理液來代替將產生大量排液之SPM用作處理液。

然而，若為用於基板處理而將電解硫酸維持為高溫之時間變長，則存在因自分解而電解硫酸之氧化力降低之問題。

本案說明書中所揭示之技術係鑒於如以上記載之問題而完成者，其係用以於抑制電解硫酸之氧化力之降低之同時進行基板處理之技術。

本案說明書中所揭示之技術之第1態樣之基板處理裝置具備：基板處理部，其用以使用包含電解硫酸之處理液對基板進行處理；供給箱，其用以貯存向上述基板處理部供給之上述處理液；升溫部，其用以於上述基板處理部中藉由對自上述供給箱供給之上述處理液混合賦予水而使上述處理液升溫；生成部，其用以藉由電解而生成上述處理液，且將所生成之上述處理液向上述供給箱供給；及回收部，其用以回收已於上述基板處理部中使用之上述處理液即處理後液，且向上述生成部供給。

本案說明書中所揭示之技術之第2態樣之基板處理裝置與第1態樣之基板處理裝置關聯，進而具備用以使自上述供給箱供給之上述處理液向上述供給箱返回之第1循環路徑，上述基板處理部具備自上述第1循環路徑分支而用以將所供給之上述處理液向上述基板噴出之噴出噴嘴，上述噴出噴嘴具備用以將所供給之上述處理液向上述基板噴出之噴出路徑、及自上述噴出路徑分支而使上述處理液向上述供給箱返回之第2循環路徑，上述升溫部於上述噴出路徑中之較與上述第2循環路徑之分支點更下游，對上述處理液混合上述賦予水。

本案說明書中所揭示之技術之第3態樣之基板處理裝置與第2態樣之基板處理裝置關聯，進而具備第2溫度調整部，該第2溫度調整部用以於上述第1循環路徑中，將上述處理液之溫度調整為用以藉由電解而生成上述處理液之溫度即電解溫度。

本案說明書中所揭示之技術之第4態樣之基板處理裝置與第1態樣至第3態樣中任一個態樣之基板處理裝置關聯，上述生成部具備用以藉由電解而生成上述處理液之第1電解部及第2電解部，於上述第1電解部向上述供給箱供給上述處理液之期間，上述第2電解部將藉由上述回收部而回收之上述處理後液電解而生成上述處理液。

本案說明書中所揭示之技術之第5態樣之基板處理裝置與第1態樣至第4態樣中任一個態樣之基板處理裝置關聯，上述生成部具備第1溫度調整部，該第1溫度調整部用以將上述處理後液之溫度及所生成之上述處理液之溫度調整為用以藉由電解而生成上述處理液之溫度即電解溫度。

本案說明書中所揭示之技術之第6態樣之基板處理裝置與第1態樣至第5態樣中任一個態樣之基板處理裝置關聯，上述生成部具備：第1補充部，其用以對電解之上述處理液補充上述賦予水；及第2補充部，其用以對電解之上述處理液補充硫酸。

本案說明書中所揭示之技術之第7態樣之基板處理方法係用以使用包含電解硫酸之處理液對基板進行處理者，且具備以下步驟：於供給箱中貯存向基板處理部供給之上述處理液；於上述基板處理部中，藉由對自上述供給箱供給之上述處理液混合賦予水而使上述處理液升溫；於上述基板處理部中，使用混合有上述賦予水之上述處理液對上述基板進行處理；將已於上述基板處理部中用於處理之上述處理液即處理後液回收且向生成部供給；及於上述生成部中藉由電解而自包含上述處理後液之液體生成上述處理液，且將所生成之上述處理液向上述供給箱供給。

根據本案說明書中所揭示之技術之至少第1態樣、第7態樣，藉由使處理液中所包含之電解硫酸於即將在基板處理部中用於基板處理之前升溫，可於抑制電解硫酸之氧化力之降低之同時進行基板處理。

又，與本案說明書中所揭示之技術關聯之目的、特徵、態樣、優點，藉由以下所示之詳細說明與隨附圖式而變得更清楚。

1:基板處理裝置

10:供給箱

12:純水供給源

12A:閥

14:純水供給源

14A:閥

14B:閥

16:硫酸供給源

16A:閥

16B:閥

20A:生成箱

20B:生成箱

21A:電解槽

21B:電解槽

26:噴嘴頭

30:回收箱

31:噴出口

35:流路

35a:流路

35b:流路

35c:流路

36:本體

37:閥體

38:空壓致動器

39:汽缸

40:排液箱

40A:閥室

41:間隔壁

42:活塞

43:彈簧

44:桿

46:閥座面

47:接頭

49:筒部

80:腔室

90:控制部

91:CPU

92:ROM

93:RAM

94:記憶裝置

94P:處理程式

95:匯流排線

96:輸入部

97:顯示部

98:通信部

100:供給配管

100A:閥

102:循環配管

102A:閥

104:測量配管

104A:閥

106:供給配管

106A:閥

106B:噴出噴嘴

108:返回配管

108A:閥

110:循環配管

112:流量計

114:泵

116:加熱器

117:溫度計

118:電解槽

119:過濾器

120:濃度計

122:排液配管

122A:閥

124:回收配管

126:回收配管

126A:閥

126B:閥

128:循環配管

128A:閥

130:循環配管

130A:閥

132:供給配管

132A:閥

134:供給配管

134A:閥

136:泵

138:濃度計

140:泵

142:加熱器

144:過濾器

146:濃度計

148:泵

150:加熱器

152:過濾器

154:泵

156:加熱器

158:過濾器

160:排液配管

160A:閥

162:排液配管

162A:閥

164:排液配管

164A:閥

164B:閥

164C:閥

200:混合配管

200A:閥

250A:壁

250B:開口部

250C:擋板

251:旋轉夾頭

251A:旋轉基座

251B:夾盤銷

251C:旋轉軸

251D:旋轉馬達

511:處理護罩

515:排氣口

600:處理單元

W:基板

X1:軸向

Z1:旋轉軸線

圖1係表示與實施方式相關之基板處理裝置之構成例的圖。

圖2係概念性地表示圖1中例所示之控制部之構成例的圖。

圖3係概略性地表示與實施方式相關之基板處理裝置中之處理單元及關聯之構成例的圖。

圖4係表示噴出噴嘴之內部構造之例之剖視圖。

圖5係表示噴出噴嘴之循環狀態中之基板處理裝置之構成例的圖。

圖6係表示噴出噴嘴之噴出狀態中之基板處理裝置之構成例的圖。

以下，參照隨附之圖式對實施方式進行說明。於以下之實施方式中，為了說明技術而亦示出詳細之特徵等，但是其等為例示，為了實施方式能夠實施，其等之全部未必為必需之特徵。

再者，圖式係概略性地表示之圖，為了方便說明，適當地於圖式中進行構成之省略或構成之簡化等。又，不同之圖式中分別示出之構成等之大小及位置之相互關係未必為準確地記載者，可適當變更。又，於並非剖視圖之俯視圖等圖式中，亦存在為了容易理解實施方式之內容而標註影線之情形。

又，於以下所示之說明中，對相同之構成要素標附相同之符號而進行圖示，其等之名稱與功能亦相同。因此，存在為了避免重複而省略關於其等之詳細說明之情形。

又，於本案說明書中所記載之說明中，於記載為「具備」、「包含」或「具有」某構成要素等之情形時，只要未特別說明，則並非為將其他構成要素之存在除外之排他性的表述。

又，於本案說明書中所記載之說明中，即便存在使用「第1」或「第 2」等序數之情形時，該等用語係為了容易理解實施方式之內容而權宜使用之用語，實施方式之內容並不限定於藉由該等序數而產生之順序等。

又，於本案說明書中所記載之說明中，即便存在使用意味「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「正」或「背」等特定位置或方向之用語之情形時，該等用語係為了容易理解實施方式之內容而權宜使用之用語，與實施方式實際上實施時之位置或方向無關。

又，於本案說明書中所記載之說明中，於記載為「…之上表面」或「…之下表面」等之情形時，除了成為對象之構成要素之上表面本身或下表面本身以外，還包含於成為對象之構成要素之上表面或下表面形成有其他構成要素之狀態。即，例如於記載為「設置於A之上表面之B」之情形時，亦可於A與B之間介置其他構成要素「C」。

<實施方式>

以下，對與本實施方式相關之基板處理裝置及基板處理方法進行說明。

<關於基板處理裝置之構成>

圖1係表示與本實施方式相關之基板處理裝置之構成例的圖。如圖1中例所示，基板處理裝置1具備複數個處理單元600、供給箱10、生成箱20A及生成箱20B、電解槽21A及電解槽21B、回收箱30、將處理液等排液之排液箱40、及控制部90。

處理單元600使用所供給之處理液對基板進行處理。關於處理單元600之詳細構成將於下文敍述。再者，處理單元600之個數並不限定為圖1所示之個數。

供給箱10貯存經由供給配管100而自生成箱20A或生成箱20B供給之處理液。而且，供給箱10將該處理液向處理單元600供給。又，自純水供給源12對供給箱10供給純水(DIW)、過氧化氫溶液或臭氧水。能夠藉由利用控制部90控制閥12A而調整自純水供給源12供給之純水等之流量。再者，亦可不具備純水供給源12。

用以自供給箱10供給處理液之配管包含：循環配管102，其連接於供給箱10，且經由供給箱10而使處理液循環；測量配管104，其自循環配管102分支而使處理液向供給箱10返回；供給配管106，其自循環配管102分支且向各處理單元600供給處理液；返回配管108，其於各供給配管106之下游側之端部分支而使處理液向供給箱10側返回；及循環配管110，其使自各返回配管108合流之處理液向供給箱10返回。

於循環配管102之較於測量配管104分支之位置更上游側，設置有測量處理液之流量之流量計112、流通處理液之泵114、加熱處理液之加熱器116、測量處理液之溫度之溫度計117、及將處理液電解之電解槽118。再者，於充分抑制處理液之自分解之情形時亦可不設置電解槽118。又，亦可將加熱器置換為包含冷卻在內能夠調整溫度之機構，並不限定於加熱之情形時。以下所示之加熱器亦相同。

於測量配管104，設置有用以測量於測量配管104中流通之處理液之濃度的濃度計120。於藉由濃度計120而測量之處理液之濃度高於所期望之濃度的情形時，藉由利用控制部90之控制而自純水供給源12將純水等向供給箱10供給，可降低處理液之濃度。又，於藉由濃度計120而測量之處理液之濃度低於所期望之濃度的情形時，利用控制部90之控制而於電解槽118將處理液電解，此時還同時地將水電解，藉此可使處理液之濃度上升。再者，亦能夠將藉由電解而產生之水沿用為賦予水。

於循環配管102之較於測量配管104分支之位置更下游側，設置有將處理液內之顆粒等去除之過濾器119、及能夠藉由利用控制部90控制而調整於循環配管102中循環之處理液之流量之閥102A。

於供給配管106，設置有能夠藉由利用控制部90控制而調整於供給配管106中流動之處理液之流量之閥106A。於供給配管106中流動在循環配管102中流動之處理液之一部分之流量。

於返回配管108，設置有能夠藉由利用控制部90控制而調整於返回配管108中流動之處理液之流量之閥108A。

又，返回配管108自供給配管106分支之部位設置於處理單元600中之噴出噴嘴106B內，於噴出噴嘴106B進而連接有將作為純水(DIW)、過氧化氫溶液或臭氧水之賦予水混合至供給配管106內之處理液之混合配管200。於混合配管200，設置有能夠藉由利用控制部90控制而調整於混合配管200內流動之賦予水之流量之閥200A。

再者，供給至混合配管200之賦予水亦可為自純水供給源12供給者，亦可為自另外準備之供給源供給者。

於用以自處理單元600回收處理液之配管包含：排液配管122，其連接於各處理單元600，且將用於基板處理之處理液(處理後液)排液；回收配管124，其將自各排液配管122合流之處理後液向回收箱30供給；回收配管126，其連接於回收箱30，且向生成箱20A或生成箱20B供給處理後液；循環配管128，其使處理液於生成箱20A與電解槽21A之間循環；循環配管130，其使處理液於生成箱20B與電解槽21B之間循環；供給配管132，其使處理液自生成箱20A向供給配管100合流；及供給配管134，其使處理液自生成箱20B向供給配管100合流。於排液配管122，設置有藉由利用控制部90控制而調整來自處理單元600之排液之流量之閥122A。

此處，回收箱30亦可並列地設置有複數個。即，亦能夠將來自回收配管124之處理後液選擇性地供給至複數個回收箱，使直至自回收箱向生成箱供給處理後液為止之時間變長。

於回收配管126設置有：泵136，其用以將貯存於回收箱30中之處理後液向生成箱20A或生成箱20B輸送；閥126A，其能夠藉由利用控制部90 控制而調整向生成箱20A輸送之處理後液之流量；及閥126B，其能夠藉由利用控制部90控制而調整向生成箱20B輸送之處理後液之流量。

於循環配管128設置有：閥128A，其用以藉由利用控制部90控制而調整於循環配管128中流動之處理液之流量；濃度計138，其用以測量於循環配管128中流動之處理液之濃度；泵140，其用以輸送於循環配管128中流動之處理液；加熱器142，其將處理液加熱；及過濾器144，其將處理液內之顆粒等去除。

於循環配管130設置有：閥130A，其用以藉由利用控制部90控制而調整於循環配管130中流動之處理液之流量；濃度計146，其用以測量於循環配管130中流動之處理液之濃度；泵148，其用以輸送於循環配管130中流動之處理液；加熱器150，其將處理液加熱；及過濾器152，其將處理液內之顆粒等去除。

於供給配管132，設置有藉由利用控制部90控制而調整於供給配管132中流動之處理液之流量之閥132A。

於供給配管134，設置有藉由利用控制部90控制而調整於供給配管134中流動之處理液之流量之閥134A。

於供給配管100設置有：泵154，其用以輸送於供給配管100中流動之處理液；加熱器156，其將處理液加熱；過濾器158，其將處理液內之顆粒等去除；及閥100A，其用以藉由利用控制部90控制而調整於供給配管100中流動之處理液之流量。

又，自純水供給源14對生成箱20A及生成箱20B供給純水(DIW)、過氧化氫溶液或臭氧水。自純水供給源14供給至生成箱20A之純水等之流量能夠藉由利用控制部90來控制閥14A而調整。又，自純水供給源14供給至生成箱20B之純水等之流量能夠藉由利用控制部90來控制閥14B而調整。再者，亦可不具備純水供給源14。

又，自硫酸供給源16對生成箱20A及生成箱20B供給硫酸(H₂SO₄)。自硫酸供給源16供給至生成箱20A之硫酸之流量能夠藉由利用控制部90來控制閥16A而調整。又，自硫酸供給源16供給至生成箱20B之硫酸之流量能夠藉由利用控制部90來控制閥16B而調整。再者，亦可不具備硫酸供給源16。

於用以將處理液及處理後液排液之配管包含：排液配管160，其用以將處理後液自各處理單元600向排液箱40排液；排液配管162，其用以將處理液自供給箱10向排液箱40排液；及排液配管164，其用以將處理液或處理後液自生成箱20A、生成箱20B及回收箱30向排液箱40排液。於排液配管160設置有利用控制部90之控制而調整來自處理單元600之排液之流量的閥160A。於排液配管162設置有利用控制部90之控制調整來自供給箱10之排液之流量的閥162A。於排液配管164設置有：閥164A，其利用控制部90之控制而調整來自生成箱20A之排液之流量；閥164B，其利用控制部90之控制而調整來自生成箱20B之排液之流量；及閥164C，其利用控制部90之控制而調整來自回收箱30之排液之流量。

圖2係概念性地表示圖1中例所示之控制部90之構成之例的圖。控制部90可由具有電路之一般的電腦構成。具體而言，控制部90具備中央運算處理裝置(central processing unit，即CPU)91、唯讀記憶體(read only memory，即ROM)92、隨機存取記憶體(random access memory，即RAM)93、記憶裝置94、輸入部96、顯示部97及通信部98、與將該等相互連接之匯流排線95。

ROM92儲存基本程式。RAM93用作CPU91進行規定之處理時之作業區域。記憶裝置94由快閃記憶體或硬碟裝置等非揮發性記憶裝置構成。輸入部96由各種開關或觸控面板等構成，自操作員接受處理配方等輸入設定指示。顯示部97例如由液晶顯示裝置及燈等構成，於CPU91之控制之下，顯示各種資訊。通信部98具有經由區域網路(local area network，LAN)等之資料通信功能。

於記憶裝置94中預先設定有關於圖1之基板處理裝置1中之各構成之控制的複數個模式。藉由CPU91執行處理程式94P，而選擇上述複數個模式中之1個模式，利用該模式控制各構成。再者，處理程式94P亦可記憶於記錄媒體中。若使用該記錄媒體，則可將處理程式94P安裝於控制部90中。又，控制部90執行之功能之一部分或全部未必需要藉由軟體而實現，亦可藉由專用之邏輯電路等硬體而實現。

圖3係概略性地表示與本實施方式相關之基板處理裝置中之處理單元600及關聯之構成之例的圖。再者，於圖3中，表示了配置於圖1中之某1個供給配管106之下游之處理單元600之構成的例，配置於其他供給配管106之下游之處理單元600之構成亦與圖3中例所示之情形時相同。

如圖3中例所示，處理單元600具備：箱形之腔室80，其具有內部空間；旋轉夾頭251，其於腔室80內以水平姿勢保持1片基板W且使基板W繞通過基板W之中央部之鉛直旋轉軸線Z1旋轉；及筒狀之處理護罩511，其繞基板W之旋轉軸線Z1包圍旋轉夾頭251。

腔室80由箱狀之壁250A包圍。於壁250A形成有用以將基板W搬入至腔室80內或自腔室80內搬出基板W之開口部250B。

開口部250B藉由擋板250C而開閉。擋板250C藉由擋板升降機構(此處，未圖示)而於覆蓋開口部250B之關閉位置(於圖3中由雙點劃線表示)、與將開口部250B打開之打開位置(於圖3中由實線表示)之間升降。

如圖3中例所示，旋轉夾頭251具備：圓板狀之旋轉基座251A，其與水平姿勢之基板W對向地設置；複數個夾盤銷251B，其等自旋轉基座251A之上表面外周部向上方突出，且夾持基板W之周緣部；旋轉軸251C，其自旋轉基座251A之中央部向下方延伸；及旋轉馬達251D，其藉由使旋轉軸251C旋轉，而使吸附於旋轉基座251A之基板W旋轉。

再者，旋轉夾頭251並不限定為圖3中例所示之夾持式之夾頭之情形，例如，亦可為具備真空吸附基板W之下表面之旋轉基座之真空吸附式之夾頭。

亦可於處理單元600連接用以噴出其他用途之液體之噴嘴(例如，噴出其他藥液之噴嘴或噴出沖洗液之噴嘴等)。

又，如圖3中例所示，於連接於處理單元600之供給配管106之前端，連接有噴出處理液之噴出噴嘴106B。噴出噴嘴106B朝向腔室80之內側之規定部位(例如，旋轉基座251A)噴出處理液。

處理護罩511以包圍旋轉夾頭251之周圍之方式設置，藉由未圖示之升降機構(馬達或汽缸等)而於鉛直方向升降。處理護罩511之上部於其上端成為較保持於旋轉基座251A之基板W更上側之上位置、與較該基板W更下側之下位置之間升降。

自基板W之上表面向外側飛散之處理液由處理護罩511之內側面接住。而且，由處理護罩511接住之處理液經由設置於腔室80之底部且處理護罩511之內側之排液配管122、排液配管160而向腔室80之外部適當排液。又，藉由未圖示之護罩排氣機構而將處理護罩511內之環境排氣。

又，於腔室80之側部設置有排氣口515。通過排氣口515而將腔室80 內之環境向腔室80外適當排出。

圖4係表示噴出噴嘴106B之內部構造之例之剖視圖。

噴出噴嘴106B具備：本體36，其形成有引導處理液之流路35；閥體37，其將流路35開閉；空壓致動器38，其使閥體37於軸向X1進退而使流路35開閉；混合配管200，其於流路35中之較閥體37更下游之位置(流路35c)合流；及噴出口31。

本體36具備：汽缸39，其構成空壓致動器38；閥室40A，其使閥體37進退；流路35a，其與供給配管106連通且到達閥室40A；流路35b，其於流路35a之較閥室40A更上游之位置連接於流路35a，且與返回配管108連通；及流路35c，其自閥室40A到達噴出口31。

汽缸39與閥室40A排列於軸向X1。汽缸39與閥室40A之間藉由間隔壁41而隔開。流路35a及流路35c相當於將自供給箱10供給之處理液朝向噴出口31導引之供給配管106之一部分。又，流路35b相當於使處理液返回至供給箱10之返回配管108之一部分。

空壓致動器38具備汽缸39、活塞42、彈簧43及桿44。汽缸39藉由活塞42而隔開為間隔壁41側之前室、與隔著該活塞42而為軸向X1之相反側之後室。於本體36，於汽缸39之前室及後室分別連接有用以將分別個別地傳遞空氣壓力之管連接之接頭47。活塞42藉由經由管及接頭47而將空氣壓力傳遞至汽缸39之前室或後室之任一者，而沿著軸向X1於汽缸39內進退。

彈簧43於汽缸39之後室側介插於活塞42與本體36之間，將活塞42向間隔壁41之方向按壓。

桿44之基部連結於活塞42，前端部貫通間隔壁41而突出至閥室40A。於突出至閥室40A之桿44之前端部連結有閥體37。閥體37形成為圓板狀，使徑向與軸向X1正交而連結於桿44之前端部。若於汽缸39內活塞42沿著軸向X1進退，則閥體37經由桿44而於閥室40A內沿著軸向X1進退。

閥室40A包含與間隔壁41對向且與軸向X1正交之圓環狀之閥座面46，於閥座面46之中心位置，同心狀地開口有流路35a。流路35c於閥室40A之閥體37之進退方向(軸向X1)之側方開口。

本體36包含於前端形成有噴出口31且自噴嘴頭26之下表面向下方突出之筒部49。又，自筒部49之側方插入有混合配管200，於較閥室40A更下游之位置之流路35c連接有混合配管200。

於不使空氣壓力作用於汽缸39之前室及後室之任一者而不使空壓致動器38作動之狀態下，活塞42被彈簧43於汽缸39內向前進位置，即如圖4中例所示向接近間隔壁41側之位置按壓，藉此於閥室40A內，閥體37接觸於閥座面46，而將流路35a之開口關閉。

因此，流路35a與流路35c之間關閉，自供給箱10通過供給配管106與流路35a供給之處理液通過流路35b與返回配管108而返回至供給箱10(循環狀態)。

若於該循環狀態下將空氣壓力傳遞至汽缸39之前室，使活塞42抵抗彈簧43之按壓力而向汽缸39之後室方向後退，則於閥室40A內，閥體37自閥座面46離開，流路35a之開口於閥室40A打開。因此，流路35a與流路35c經由閥室40A而連接，自供給箱10通過供給配管106與流路35a供給之處理液通過流路35c而自噴出口31噴出(噴出狀態)。

若於該噴出狀態下停止向汽缸39之前室傳遞空氣壓力，取而代之將空氣壓力傳遞至汽缸39之後室，使活塞42隨著彈簧43之按壓力而向汽缸39之前室方向，即接近間隔壁41之方向前進，則於閥室40A內，閥體37接觸於閥座面46，流路35a之開口關閉。因此，恢復為流路35a與流路35c之間關閉，自供給箱10通過供給配管106與流路35a供給之處理液通過流路35b與返回配管108返回至供給箱10之循環狀態。

若於上述噴出狀態下打開閥200A而自混合配管200將賦予水混合至處理液，則藉由反應熱而使包含電解硫酸之處理液之溫度上升。具體而言，處理液之溫度上升至用於基板處理時之溫度(處理溫度)。

<關於基板處理裝置之動作>

其次，對基板處理裝置之動作進行說明。與本實施方式相關之基板處理裝置之基板處理方法具備以下步驟：對朝處理單元600搬送之基板W噴出處理液而進行基板處理；將進行基板處理後之基板W洗淨；使洗淨後之基板W旋轉而使其乾燥；及將乾燥之基板W自處理單元600搬出。

以下，參照圖5及圖6，對上述基板處理裝置之動作中所包含之基板處理進行說明。此處，圖5係表示噴出噴嘴106B之循環狀態中之基板處理裝置之構成之例的圖。又，圖6係表示噴出噴嘴106B之噴出狀態中之基板處理裝置之構成之例的圖。於圖5及圖6中，打開狀態之閥以黑色表示。再者，以下所示之動作係藉由利用控制部90控制基板處理裝置1中之各構成(泵、加熱器、閥、或旋轉馬達等)之動作而進行。

首先，經由循環配管128而使硫酸(H₂SO₄)於生成箱20A與電解槽21A之間循環，生成包含電解硫酸之處理液。此處，所謂電解硫酸係指藉由將硫酸電解而生成之過硫酸(過氧二硫酸，即H₂S₂O₈)。過硫酸具有較相同溫度下之卡羅酸(H₂SO₅)強之氧化力。

於利用控制部90進行之閥16A之控制下自硫酸供給源16對生成箱20A適當供給硫酸。又，於利用控制部90進行之閥14A之控制下自純水供給源14適當供給純水(DIW)等。又，如下所述，於利用控制部90進行之閥126A之控制下自回收箱30對生成箱20A供給處理後液。

貯存於生成箱20A之處理液於閥128A為打開狀態下，利用循環配管128中之加熱器142將溫度調整為例如60℃以下，利用過濾器144適當去除顆粒等，利用泵140向電解槽21A輸送。藉由將處理液溫度調整為60℃以下(電解溫度)，而將硫酸電解之情形時之電解硫酸之生成率增加。又，藉由將處理液溫度調整為60℃以下，而抑制電解硫酸自分解為卡羅酸(H₂SO₅)與OH自由基。

然後，藉由於電解槽21A將溫度調整後之硫酸電解，而生成包含電解硫酸與硫酸之處理液。此處，將硫酸電解時，由於處理液中之水分子亦被電解，故而隨著電解而處理液之濃度上升。包含電解硫酸之處理液之濃度利用濃度計138來測量，控制部90基於測量之該濃度來控制輸送至電解槽21A之處理液之流量(即，藉由控制閥128A之開閉，而於測量之濃度較低之情形時使處理液之流量增加，於測量之濃度較高之情形時使處理液之流量降低)。再者，若使電解硫酸之濃度變低，則過硫酸之生成效率上升。

上述生成箱20A與生成箱20B成為冗餘構成。因此，與生成箱20A之情形相同地，經由循環配管130而使硫酸(H₂SO₄)於生成箱20B與電解槽21B之間循環，生成包含電解硫酸之處理液。

於利用控制部90進行之閥16B之控制下自硫酸供給源16對生成箱20B適當供給硫酸。又，於利用控制部90進行之閥14B之控制下自純水供給源14適當供給純水(DIW)等。又，如下所述，於利用控制部90進行之閥126B之控制下自回收箱30對生成箱20B供給處理後液。

貯存於生成箱20B之處理液於閥130A為打開狀態下，利用循環配管130中之加熱器150而將溫度調整為電解溫度(例如60℃以下)，利用過濾器152適當去除顆粒等，利用泵148向電解槽21B輸送。

然後，藉由於電解槽21B將溫度調整後之硫酸電解，而生成包含電解硫酸與硫酸之處理液。包含電解硫酸之處理液之濃度利用濃度計146來測量，控制部90基於測量之該濃度來藉由控制閥130A之開閉而調整輸送至電解槽21B之處理液之流量。

生成箱20A與生成箱20B能夠可切換地向供給箱10供給處理液。例如圖5中例所示，亦可打開閥128A而於循環配管128使處理液循環，且打開閥132A而自生成箱20A向供給箱10供給處理液，於該期間，關閉閥130A及閥134A，自回收箱30將處理後液貯存於生成箱20B。或者，於貯存於生成箱20A之電解硫酸之濃度未達到所期望之濃度之情形時，可一面打開閥128A且關閉閥132A而於循環配管128繼續處理液之循環，藉由硫酸之電解而使處理液之濃度上升，一面打開閥130A及閥134A，將於循環配管130循環之達到所期望之濃度之處理液自生成箱20B向供給箱10供給。即，即便於在一生成箱(電解槽)中生成處理液之過程中，亦可自另一生成箱連續地供給處理液。

自任一(或雙方)生成箱供給之處理液利用供給配管100中之加熱器156將溫度調整為例如60℃以下，利用過濾器158適當去除顆粒等，經由打開狀態之閥100A而利用泵154向供給箱10輸送。

於供給箱10貯存經由供給配管100而自生成箱供給之處理液。又，自純水供給源12對供給箱10適當供給純水(DIW)等，調整處理液之濃度。

自供給箱10經由循環配管102而輸送之處理液，係以利用循環配管102中之溫度計117測量之溫度例如成為60℃以下的方式利用加熱器116進行溫度調整，利用過濾器119適當去除顆粒等，利用泵114以再次返回至供給箱10之方式輸送。控制部90參照處理配方而掌握於處理單元600進行之基板處理，以利用流量計112測量之處理液之流量成為對該基板處理而言充分之流量的方式，藉由閥102A之開閉等而調整於循環配管102循環之處理液之流量。

於自循環配管102分支之測量配管104，設置有利用控制部90之控制來調整流量之閥104A、及濃度計120。控制部90參照利用濃度計120測量之處理液之濃度，進行打開閥12A而自純水供給源12向供給箱10供給純水等，或者利用電解槽118將處理液電解而使處理液之濃度上升等控制。

於循環配管102之下游側，設置有分支至各處理單元600之供給配管106，藉由利用控制部90之控制將對應之閥106A打開，而可向處理單元600適當供給處理液。

於噴出噴嘴106B之循環狀態(圖4之閥體37接觸於閥座面46之狀態) 下，打開閥106A及閥108A，自循環配管102供給至供給配管106進而供給至返回配管108之處理液於循環配管110合流後返回至供給箱10。如此，處理液流至供給配管106之噴出噴嘴106B內並循環，藉此於噴出處理液而進行基板處理時，可抑制因配管與處理液之溫度差引起之處理液之溫度變化。再者，較理想的是，將於循環狀態下經由返回配管108而供給之處理液抑制於用以維持配管之溫度之最低限度之流量。

於噴出噴嘴106B之噴出狀態(圖4之閥體37自閥座面46離開之狀態)下，打開閥106A，另一方面關閉閥108A，處理液自噴出噴嘴106B之噴出口31朝向基板W之上表面噴出。然後，進行基板處理。

此處，於處理液即將自噴出口31噴出之前，對流路35c中之處理液，自閥200A為打開狀態之混合配管200混合賦予水。若對包含電解硫酸之處理液混合純水等賦予水，則藉由反應熱而處理液之溫度上升，例如達到90℃左右。

藉由將電解硫酸利用賦予水升溫而電解硫酸之氧化力提高，即便不利用加熱器等升溫，亦可使用處理液高效率地進行基板處理(例如，抗蝕劑剝離處理)。又，於將臭氧水作為賦予水混合至電解硫酸之情形時，存在亦增加臭氧水本身之氧化力，成為氧化力更強之處理液之可能性。

又，由於過硫酸及卡羅酸均包含於電解硫酸中，故而與相同溫度下之單獨利用卡羅酸之基板處理相比，處理液可發揮較高之氧化力。

噴出至基板W而用於基板處理之處理液作為處理後液，經由打開狀態之閥122A而向排液配管122流入。處理後液包含硫酸根離子(SO₄ ^2-)。然後，處理後液於回收配管124合流而回收至回收箱30。

電解硫酸可藉由回收後再次電解而再次用於基板處理。因此，藉由使用包含電解硫酸之處理液進行基板處理，可減少伴隨基板處理之排液。

貯存於回收箱30之處理後液藉由泵136而經由回收配管126，選擇性地利用打開閥126A來向生成箱20A輸送，利用打開閥126B來向生成箱20B輸送(即，向一者或兩者輸送)。

<關於藉由以上所記載之實施方式而產生之效果>

接下來，表示藉由以上所記載之實施方式而產生之效果之例。再者，於以下之說明中，基於以上所記載之實施方式中例所示之具體性的構成來記載該效果，但是於產生相同效果之範圍內，亦可與本案說明書中例所示之其他具體性的構成置換。即，以下，為方便起見，存在僅將建立對應之具體性的構成中之任一者作為代表進行記載之情形，但是亦可將作為代表記載之具體性的構成置換為建立對應之其他具體性的構成。

根據以上所記載之實施方式，基板處理裝置具備基板處理部、供給箱10、升溫部、生成部、及回收部。此處，基板處理部例如係與包含噴出噴嘴106B之處理單元600等對應者。又，升溫部例如係與使賦予水混合之混合配管200等對應者。又，生成部例如係與和電解槽連接之生成箱20A(或生成箱20B)對應者。又，回收部例如係與向回收箱30連接之回收配管124等對應者。基板處理部使用包含電解硫酸之處理液對基板W進行處理。供給箱10貯存向基板處理部供給之處理液。混合配管200於基板處理部中，對自供給箱10供給之處理液混合賦予水。藉此，混合配管200使處理液升溫。生成部於電解槽藉由電解而生成處理液。然後，生成部將所生成之處理液自生成箱向供給箱10供給。回收配管124回收已於基板處理部中使用之處理液即處理後液且向生成部供給。

根據此種構成，藉由使處理液中所包含之電解硫酸於即將在處理單元600中用於基板處理之前升溫，可於抑制電解硫酸之氧化力降低之同時進行基板處理。

再者，即便於對上述構成適當追加本案說明書中例所示之其他構成之情形時，即，適當追加作為上述構成未言及之本案說明書中之其他構成之情形時，亦可產生相同之效果。

又，根據以上所記載之實施方式，基板處理裝置具備用以使自供給箱10供給之處理液向供給箱10返回之第1循環路徑。此處，第1循環路徑例如係與循環配管102等對應者。而且，基板處理部具備自循環配管102分支而用以將所供給之處理液向基板W噴出之噴出噴嘴106B。噴出噴嘴106B具備用以將所供給之處理液向基板W噴出之噴出路徑、及自噴出路徑分支而使處理液向供給箱10返回之第2循環路徑。此處，噴出路徑例如係與噴出噴嘴106B中相當於供給配管106之一部分之流路35a及流路35c等對應者。又，第2循環路徑例如係與噴出噴嘴106B中相當於返回配管108之一部分之流路35b等對應者。而且，混合配管200於噴出路徑中之較與第2循環路徑之分支點(例如，圖4中之閥室40A)更下游對處理液混合賦予水。根據此種構成，藉由使電解硫酸於噴出噴嘴106B內之較閥室40A更下游升溫，而使以60℃以下維持電解硫酸之時間變長，可於抑制電解硫酸之氧化力降低之同時進行基板處理。

又，根據以上所記載之實施方式，於循環配管102中，具備用以將處理液之溫度調整為用以藉由電解而生成處理液之溫度即電解溫度(例如，60℃以下)之第2溫度調整部。此處，第2溫度調整部例如係與加熱器116等對應者。根據此種構成，藉由於供給箱10中將處理液溫度調整為電解溫度(60℃以下)，可抑制電解硫酸自分解。

又，根據以上所記載之實施方式，生成部具備用以藉由電解而生成處理液之第1電解部及第2電解部。此處，第1電解部例如係與電解槽21A對應者。又，第2電解部例如係與電解槽21B對應者。而且，於電解槽21A向供給箱10供給處理液之期間，電解槽21B將藉由回收配管124回收之處理後液電解而生成處理液。根據此種構成，即便於在一生成箱(電解槽)中生成處理液之過程中，亦可自另一生成箱連續地供給處理液。

又，根據以上所記載之實施方式，生成部具備用以將處理後液之溫度及所生成之處理液之溫度調整為用以藉由電解而生成處理液之溫度即電解溫度(例如，60℃以下)之第1溫度調整部。此處，第1溫度調整部例如係與加熱器142或加熱器150等對應者。根據此種構成，藉由於生成箱及電解槽中將處理液溫度調整為電解溫度(60℃以下)，可使電解硫酸之情形時之電解硫酸之生成率增加。又，可抑制電解硫酸自分解。

又，根據以上所記載之實施方式，生成部具備用以對電解之處理液補充賦予水之第1補充部、及用以對電解之處理液補充硫酸之第2補充部。此處，第1補充部例如係與純水供給源14等對應者。又，第2補充部例如係與硫酸供給源16等對應者。根據此種構成，可於電解硫酸之濃度高於所期望之濃度之情形時追加純水等而降低濃度，又，可於電解硫酸之濃度低於所期望之濃度之情形時追加硫酸而提高濃度。

根據以上所記載之實施方式，於基板處理方法中，於供給箱10中貯存向基板處理部供給之處理液。而且，於基板處理部中，藉由對自供給箱10供給之處理液混合賦予水而使處理液升溫。而且，使用處理液對基板W進行處理。而且，將已於基板處理部中使用之處理液即處理後液回收且向生成部供給。而且，於生成部中藉由電解而自包含處理後液之液體生成處理液，且將所生成之處理液向供給箱10供給。

根據此種構成，藉由使處理液中所包含之電解硫酸於即將在處理單元600中用於基板處理之前升溫，可於抑制電解硫酸之氧化力之降低之同時進行基板處理。

再者，於無特別限制之情形時，進行各處理之順序可變更。

又，即便於對上述構成適當追加本案說明書中例所示之其他構成之情形時，即，適當追加作為上述構成未言及之本案說明書中之其他構成之情形時，亦可產生相同之效果。

<關於以上所記載之實施方式之變化例>

於以上所記載之實施方式中，存在亦對各構成要素之材質、材料、尺寸、形狀、相對性配置關係或實施之條件等進行記載之情形，但是該等於所有態樣中僅為一例，並非限定性者。

因此，可於本案說明書中所揭示之技術範圍內設定未例示之無數變化例與均等物。例如，於使至少1個構成要素變化之情形時，包含追加之情形或省略之情形。

又，於以上所記載之至少1個實施方式中，於未特別指定而記載材料名等之情形時，只要不產生矛盾，則於該材料中包含其他添加物，例如包含合金等。