TWI882126B - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本揭露實施例提供一種顯示裝置，包括多個像素。多個像素中的每個像素包括多個主要接合區以及至少一個備援接合區。每個備援接合區與多個主要接合區連接。至少一個備援接合區的數量少於多個主要接合區的數量。

Description

顯示裝置

本揭露涉及一種顯示裝置。

顯示裝置已廣泛地應用於電子設備例如行動電話、電視、監視器、平板電腦、車用顯示器、穿戴裝置以及桌上型電腦中。隨電子產品蓬勃發展，對於電子產品上的顯示品質的要求越來越高，使得顯示裝置不斷朝向輕、薄、短、小、無框且更大或更高解析度的顯示效果改進。在高穿透率或高解析度的顯示裝置中，由於顯示裝置的尺寸持續的縮小，因而會出現佈線空間或預留修補空間不足的問題。

本揭露是針對一種顯示裝置，其具有良好的視覺效果或顯示品質。

根據本揭露的實施例，顯示裝置包括多個像素。每個所述多個像素包括多個主要接合區以及至少一個備援接合區。每個所述至少一個備援接合區與多個主要接合區連接，且至少一個備援接合區的數量少於多個主要接合區的數量。

通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。

揭露通篇說明書與後附的權利要求中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與權利要求書中，「包括」、「含有」、「具有」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。因此，當本揭露的描述中使用術語「包括」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在。

本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。

應當理解到，當組件或膜層被稱為「連接至」另一個組件或膜層時，它可以直接連接到此另一組件或膜層，或者兩者之間存在有插入的組件或膜層。當組件被稱為「直接連接至」另一個組件或膜層時，兩者之間不存在有插入的組件或膜層。術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。

本揭露中所敘述之一結構（或層別、組件、基材）位於另一結構（或層別、元件、基材）之上，可以指二結構相鄰且直接連接，或是可以指二結構相鄰而非直接連接，非直接連接是指二結構之間具有至少一中介結構（或中介層別、中介組件、中介基材、中介間隔），一結構的下側表面相鄰或直接連接於中介結構的上側表面，另一結構的上側表面相鄰或直接連接於中介結構的下側表面，而中介結構可以是單層或多層的實體結構或非實體結構所組成，並無限制。在本揭露中，當某結構配置在其它結構「上」時，有可能是指某結構「直接」在其它結構上，或指某結構「間接」在其它結構上，即某結構和其它結構間還夾設有至少一結構。

本揭露說明書內的「第一」、「第二」...等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的「第一元件」、「部件」、「區域」、「層」、或「部分」是用於與「第二元件」、「部件」、「區域」、「層」、或「部分」區隔，而非用於限定順序或特定元件、部件、區域、層及/或部分。

本揭露的顯示裝置可包括感測顯示裝置、拼接顯示裝置或透明顯示裝置，但不以此為限。顯示裝置可為可捲曲、可拉伸、可彎折或可撓式電子裝置。顯示裝置可例如包括液晶(liquid crystal) 、發光二極體(light emitting diode，LED)、量子點(quantum dot，QD)、螢光(fluorescence)、磷光(phosphor) 或其他適合之材且其材料可任意排列組合或其他適合的顯示介質，或前述之組合；發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、毫米/次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot，QD，可例如為QLED、QDLED )，但不以此為限。需注意的是，顯示裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，顯示裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。顯示裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統…等周邊系統。下文將以顯示裝置說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。

在本揭露中，以下所述的各種實施例系可在不背離本揭露的精神與範圍內做混合搭配使用，例如一實施例的部分特徵可與另一實施例的部分特徵組合而成為另一實施例。

現將詳細地參考本揭露的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1為本揭露一實施例的顯示裝置的像素的上視示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖1省略繪示了若干元件。請參考圖1，顯示裝置10包括多個像素PX。其中每個像素PX包括多個主要接合區210以及至少一個備援接合區220。在一些實施例中，顯示裝置10還包括開口區11以及環繞開口區11的非開口區13。主要接合區210與備援接合區220對應重疊非開口區13。主要接合區210用以接合發光二極體，且備援接合區220包括發光二極體預留空間320以用於接合發光二極體。在本實施例中，備援接合區220與主要接合區210連接，且備援接合區220的數量少於主要接合區210的數量。在上述的設置下，像素PX可預留空間以進行線路佈局而能實現修補的設計，或者應用為具有穿透顯示功能的像素。因此，顯示裝置10能實現良好電性品質，或具有良好的視覺效果或顯示品質。

請繼續參考圖1，顯示裝置10包括基板100。多個像素PX設置於基板100上。基板100可以為硬質基板或可撓性基板。基板100的材料例如包括玻璃、石英、陶瓷、藍寶石或塑膠等，但本揭露並不以此為限。在一些實施例中，當基板100為可撓基板時可包括合適的可撓材料，例如聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚丙烯(polypropylene，PP)或聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他合適的材料或前述材料的組合，但並不以此為限。此外，基板100的透光率不加以限制，也就是說，基板100可為透光基板、半透光基板或不透光基板。在本實施例中，顯示裝置10可以是應用為具有高穿透率的穿透顯示技術的顯示裝置，但不以此為限。

在一些實施例中，於俯視方向上（又可稱為Z軸上），顯示裝置10的多個像素PX可以在X軸及Y軸上排列成多個橫列（row）以及多個直行（column），以使多個像素PX呈現陣列排列。在本實施例中，X軸與Y軸大致上彼此垂直，且X軸與Y軸大致上垂直於Z軸。在一些實施例中，顯示裝置10還包括多條信號線以及多個薄膜電晶體（圖未示）設置於基板100上。多個像素PX可電性連接多條信號線以及多個薄膜電晶體。舉例來說，多條信號線例如包括掃描線、資料線或其他導線。部分的信號線可電性連接薄膜電晶體（thin film transistor，TFT）。在本實施例中，薄膜電晶體可電性連接至掃描線SL或資料線DL。薄膜電晶體例如包括半導體通道層、柵極（與掃描線電性連接）、以及與半導體通道層電性連接的源極與汲極。半導體通道層的材料例如包括非晶矽(amorphous silicon)、低溫多晶矽(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)或金屬氧化物(metal oxide)，或上述材料的組合，本揭露不限於此。在一些實施例中，不同的薄膜電晶體可具有上述不同的半導體材料。此外，薄膜電晶體可視需要而包括頂部柵極(top gate)電晶體、底部柵極(bottom gate)電晶體、雙柵極(dual gate)電晶體以及雙重柵極(double gate)電晶體，但並不以此為限。

在本實施例中，柵極可電性連接掃描線，而源極可電性連接資料線。柵極的材料可以包括鉬(molybdenum，Mo)、鈦(titanium，Ti)、鉭(tantalum，Ta)、鈮(niobium，Nb)、鉿(hafnium，Hf)、鎳(nickel，Ni)，鉻(chromium，Cr)、鈷(cobalt，Co),、鋯(zirconium，Zr)、鎢(tungsten，W)、鋁(aluminum，Al)、銅(copper，Cu)、銀(argentum ，Ag)、其他合適的金屬、或上述材料的合金或組合，但不以此為限。源極與汲極的材料可以包括透明導電材料或非透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、金屬材料(例如鋁、鉬、銅、銀等)、其它合適材料或上述組合，但不以此為限。

在本實施例中，顯示裝置10可包括多層絕緣層（未示出）以及多層電路層設置於絕緣層上或多層絕緣層之間。絕緣層可以為單層或多層結構，且可例如包含有機材料、無機材料或前述之組合，但不以此為限。所述有機材料可包含聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚醚碸(polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚醯亞胺(polyimide，PI) 、感光型聚醯亞胺(photo sensitive polyimide，PSPI)或前述之組合，而所述無機材料可包含氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或前述之組合，但不以此為限。

在本實施例中，多層電路層ML可應用為上述的信號線，包括掃描線、資料線或其他導線。多層電路層ML的材料可以包括透明導電材料或非透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、金屬材料(例如鋁、鉬、銅、銀等)、其它合適材料或上述組合，但不以此為限。如圖1所示，多層電路層ML可包括第一電路層M1。第一電路層M1可例如包括多條掃描線SL、SL’，多條掃描線SL、SL’部分大致沿著X軸延伸，但不以此為限。

在本實施例中，多層電路層ML還可包括第二電路層M2。在Z軸上，第二電路層M2設置於第一電路層M1的上方，且第二電路層M2部分重疊第一電路層M1。第二電路層M2可例如包括多條資料線DL、DL’，多條資料線DL、DL’部分大致沿著Y軸延伸，但不以此為限。從另一角度來說，第一電路層M1與第二電路層M2可以交錯設置。

多層電路層ML還可包括第三電路層M3以及第四電路層M4。在Z軸上，第三電路層M3設置於第二電路層M2的上方，且第四電路層M4設置於第三電路層M3的上方。第三電路層M3部分重疊第二電路層M2，且第四電路層M4部分重疊第三電路層M3。第三電路層M3例如包括電路線或橋接線路130，且其一部分大致沿著X軸延伸，另一部分大致沿著Y軸延伸。第四電路層M4例如包括接合墊140（pad）或共用電路線142，且其一部分大致沿著X軸延伸，另一部分大致沿著Y軸延伸，但不以此為限。在本實施例中，第三電路層M3的部分可以通過絕緣層上的通孔（未繪示）以電性連接至第二電路層M2的部分，且第四電路層M4的部分可以通過另一絕緣層上的通孔（未繪示）以電性連接至第三電路層M3的部分。在上述的設置下，第四電路層M4包括多個接合墊140，一部分接合墊140可以連接至共用電路線142(可位於第四電路層M4)，另一部分接合墊140可以透過橋接線路130以電性連接至第二電路層M2的資料線DL，但不以此為限。

在本實施例中，開口區11定義可由相鄰的兩個像素PX與像素PX’分別具有相鄰的兩條資料線DL及資料線DL’大致上圍繞出的區域(如圖1所示)。舉例來說，開口區11可以是使環境光穿透的區域。在另一些實施例中，開口區11可由相鄰兩條資料線DL、DL’以及相鄰兩條掃描線SL、SL’所圍繞出來的區域所定義。也就是說，開口區11大致上不重疊電路層ML（包括第一電路層M1、第二電路層M2、第三電路層M3或第四電路層M4）。在一些實施例中，開口區11例如是八角形，但不以此為限。在其他實施例中，開口區11也可以是三角形、矩形、多角形、星形、圓形或不規則形，本揭露不以此為限。

在本實施例中，開口區11可被非開口區13所環繞。電路層ML（包括第一電路層M1、第二電路層M2、第三電路層M3或第四電路層M4）的至少部分可以重疊非開口區13。也就是說，掃描線SL、資料線DL、橋接線路130、接合墊140或共用電路線142的至少部分可以重疊非開口區13，但不以此為限。

在一些實施例中，像素PX的主要接合區210以及備援接合區220可以對應非開口區13設置。換句話說，主要接合區210及至少一個備援接合區220對應地重疊非開口區13。舉例來說，多個主要接合區210可以重疊第二電路層M2、第三電路層M3或第四電路層M4。備援接合區220可以重疊第二電路層M2、第三電路層M3或第四電路層M4。每個主要接合區210包括兩個接合墊140。每個備援接合區220包括兩個接合墊140。在本實施例中，接合墊140可應用為連接發光二極體的電極。也就是說，每個主要接合區210可用以接合藍色發光二極體300B、綠色發光二極體300G或紅色發光二極體300R，並在俯視方向上，至少部分主要接合區210與發光二極體重疊(例如: 藍色發光二極體300B、綠色發光二極體300G或紅色發光二極體300R)。每個備援接合區220可用以接合藍色發光二極體300B、綠色發光二極體300G或紅色發光二極體300R，但不以此為限。在本實施例中，備援接合區220的數量少於主要接合區210的數量。舉例來說，圖1示出了三個主要接合區210可沿著Y軸依序排列並重疊於非開口區13，而二個備援接合區220可沿著Y軸接續主要接合區210排列並重疊於非開口區13，但本揭露不以此為限。也就是說，主要接合區210與備援結合區220連接或相鄰地設置。在其他實施例中，備援接合區220可與主要接合區210交錯排列，或備援接合區220可以排列於主要接合區210的相對兩端，但不限於此。此外，須注意的是，圖1所示的主要接合區210的數量與備援接合區220的數量僅為示意用，並非用以具體限定本揭露。在其他實施例中，主要接合區210的數量可為二個、四個或更多個，備援接合區220的數量可為一個、三個或更多個，本揭露不以此為限。

在本實施例中，像素PX的定義例如為：非開口區13中主要接合區210與備援接合區220在X軸上相對兩側的開口區11、11’的中線L、L’之間的區域。舉例來說，主要接合區210與備援接合區220左側的開口區11由中線L隔離出面積相等的兩半。主要接合區210與備援接合區220右側的開口區11’由中線L’隔離出面積相等的兩半。開口區11的中線L至開口區11’的中線L’之間的區域可被稱為像素PX。也就是說，像素PX包括重疊非開口區13的主要接合區210與備援接合區220以及其相對兩側的分別兩個開口區11、11’的一半，但不以此為限。

在本實施例中，顯示裝置10還可包括遮光層BM（圖1未示出）。遮光層BM的至少一部分對應重疊非開口區13。舉例來說，遮光層BM可以設置在基板100上，且在Z軸上設置在電路層ML下方。也就是說，第一電路層M1、第二電路層M2、第三電路層M3或第四電路層M4的至少部分設置於遮光層BM的上方，且重疊遮光層BM。從另一角度來說，遮光層BM不重疊開口區11，而與非開口區13對應環繞開口區11。因此，在一些實施例中，當多層電路層無法清晰呈現資料線或/和掃描線，遮光層BM所圍繞的區域可定義為開口區11。此外，主要接合區210與備援接合區220可以對應重疊遮光層BM。在本實施例中，遮光層BM例如是黑色矩陣（black matrix），其材料可包括金屬或摻有色料的不透光樹脂，或者是其他合適的材料或上述材料的組合，但不限於此。上述金屬舉例可為鉻金屬(Chromium，Cr)，但不以此為限。上述樹脂舉例可為環氧樹脂(epoxy resin)或壓克力樹脂(acrylic resin)，或其他合適的材料或上述材料的組合，但不以此為限。在上述的設置下，顯示裝置10的對比可被增加。顯示裝置10的顯示效果或顯示品質可以提升。

值得注意的是，本揭露一實施例的顯示裝置10的電路層ML、主要接合區210與備援接合區220可以重疊遮光層BM而設置於開口區11外的非開口區13，因此顯示裝置10的像素PX可透過開口區11而具有高穿透率。藉此，像素PX可應用為具有穿透顯示功能的像素。如此一來，顯示裝置10具有良好的視覺效果或顯示品質。此外，主要接合區210用以接合發光二極體，且備援接合區220包括發光二極體預留空間320以用於接合修補用或備援用的發光二極體。因此，顯示裝置10的像素PX可預留空間，而具有實現修補像素的設計。如此一來，顯示裝置10具有良好的電性品質。

以下將以圖2及圖3所示的簡易示意圖及簡易電路圖來說明像素修補的步驟及方式。

圖2為本揭露另一實施例的顯示裝置的部分上視示意圖。圖3為圖2所示像素的示意性的電路圖。為了附圖清楚及方便說明，圖2及圖3省略繪示了若干元件。請先參考圖2，顯示裝置10A包括像素PX。在一些實施例中，顯示裝置10A還包括開口區11以及非開口區13環繞開口區11。遮光層BM對應重疊非開口區13並環繞開口區11設置。像素PX包括多個主要接合區210, 210’, 210’’及至少一個備援接合區220。多個主要接合區210, 210’, 210’’沿著Y軸排列並重疊非開口區13設置。至少一個備援接合區220對應設置於其中一個主要接合區(ex:主要接合區210)的一端，並重疊非開口區13設置。主要接合區(ex:主要接合區210)與備援接合區220分別用以接合發光二極體。

舉例來說，發光二極體300R對應接合於主要接合區210、發光二極體300B對應接合於主要接合區210’、發光二極體300G對應接合於主要接合區210’’。也就是說，在俯視方向(Z軸方向)上，主要接合區210、210’、210’’的至少部分分別與發光二極體300R、300G、300R重疊。此外，備援接合區220鄰接於設置有發光二極體300G的主要接合區210’’。

在本實施例中，主要接合區210連接至備援接合區220。舉例來說，請參考圖2及圖3，發光二極體300R、發光二極體300G以及發光二極體300B分別透過導線或橋接線路連接至備援接合區220。顯示裝置10A具有預焊點WP、WP’、WP’’（圖2僅標示一個預焊點WP）位於備援接合區220與連接於備援接合區220的主要接合區210、210’、210’’之間。舉例來說，主要接合區210及其接合的發光二極體300R與備援接合區220之間具有預焊點WP。主要接合區210’及其接合的發光二極體300G與備援接合區220之間具有預焊點WP’。主要接合區210’’及其接合的發光二極體300B與備援接合區220之間具有預焊點WP’’。此外，顯示裝置10A還包括預切割點CP、CP’、CP’’位於預焊點WP、WP’、WP’’與主要接合區210、210’、210’’之間。舉例來說，主要接合區210及其接合的發光二極體300R與預焊點WP之間具有預切割點CP。主要接合區210’及其接合的發光二極體300G與預焊點WP’之間具有預切割點CP’。主要接合區210’’及其接合的發光二極體300B與預焊點WP’’之間具有預切割點CP’’。以發光二極體300R舉例說明，在上述的設置下，當發光二極體300R為不符合檢驗規格（例如包括：暗點、亮點或外觀損毀）時，可進行顯示裝置10A的修補工藝。上述修補工藝包括：將修補用的發光二極體（例如發紅光的發光二極體）接合至備援接合區220中的發光二極體預留空間320的接合墊；接著在預切割點CP上對導線或橋接線路進行雷射切割工藝；接著在預焊點WP上進行雷射焊接工藝。在完成上述修補工藝後，在提供一電壓至顯示裝置10A後，接合在主要接合區210中的發光二極體300R不會接受到電壓而不會發光。接合在備援接合區220中的修補用發光二極體可接收到上述的電壓而進行發光。如此一來，顯示裝置10A可透過修補工藝完成發光二極體的修補，因此顯示裝置10A可具有良好的電性品質。此外，顯示裝置10A可具有良好的視覺效果或顯示品質。

值得注意的是，本揭露一實施例的顯示裝置10A的像素PX中的備援接合區220的數量少於主要接合區210、210’、210’’的數量。舉例來說，圖2及圖3所示的主要接合區210的數量為三個，分別對藍色發光二極體300B、綠色發光二極體300G以及紅色發光二極體300R。備援接合區220的數量為一個，也就是說備援接合區220可對應接合至一個修補用的發光二極體（例如：設置於發光二極體預留空間320的藍色發光二極體、綠色發光二極體、紅色發光二極體），但上述的數量關係並不用於限制本揭露。在上述的設置下，在修補顯示裝置10A的工藝中，可在預留的空間中選擇性的設置修補用的發光二極體。如此一來，可以節省成本。此外，由於預留的空間可以減少，因此可以增加線路設置的空間、達成高電路密度設計的需求或提升開口區11的穿透率。藉此，顯示裝置10A可具有良好的電性品質、良好的視覺效果或顯示品質。

以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖4為本揭露再一實施例的顯示裝置的部分上視示意圖。圖5為圖4所示像素的示意性的電路圖。為了附圖清楚及方便說明，圖4及圖5省略繪示了若干元件。本實施例的顯示裝置10B大致相似於圖2及圖3的顯示裝置10A，因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例不同於顯示裝置10A之處主要在於，顯示裝置10B包括像素PX、開口區11以及非開口區13環繞開口區11。像素PX包括三個主要接合區210、210’、210’’，以及二個備援接合區220、220’。舉例來說，備援接合區220可鄰近主要接合區210設置，而備援接合區220’可鄰近主要接合區210’設置。預焊點WP對應備援接合區220設置。預焊點WP對應備援接合區220’設置。備援接合區220中的發光二極體預留空間320可接合修補用的發光二極體。備援接合區220’中的發光二極體預留空間320’可接合另一個修補用的發光二極體，但上述的數量關係並不用於限制本揭露。在本實施例中，備援接合區220、220’的數量少於主要接合區210、210’、210’’的數量。由於預留的空間可以減少，因此可以增加線路設置的空間、達成高電路密度設計的需求或提升開口區11的穿透率。藉此，顯示裝置10B還可進行修補，可具有良好的電性品質、良好的視覺效果或顯示品質。

以下以圖5所示的電路圖簡單說明像素修補的步驟及方式。

請參考圖5，發光二極體300R、發光二極體300G以及發光二極體300B分別透過導線或橋接線路連接至備援接合區220、220’。顯示裝置10B具有預焊點WP1、WP2、WP3位於備援接合區220或備援接合區220’與主要接合區210、210’、210’’之間。舉例來說，主要接合區210及其接合的發光二極體300R與備援接合區220或備援接合區220’之間具有預焊點WP1。主要接合區210’及其接合的發光二極體300G與備援接合區220或備援接合區220’之間具有預焊點WP2。主要接合區210’’及其接合的發光二極體300B與備援接合區220或備援接合區220’之間具有預焊點WP3。此外，顯示裝置10B還包括預切割點CP1、CP2、CP3位於預焊點WP1、WP2、WP3與主要接合區210、210’、210’’之間。舉例來說，主要接合區210及其接合的發光二極體300R與預焊點WP1之間具有預切割點CP1（在圖4中，預切割點CP1鄰近主要接合區210設置）。主要接合區210’及其接合的發光二極體300G與預焊點WP2之間具有預切割點CP2（在圖4中，預切割點CP2鄰近主要接合區210’設置）。主要接合區210’’及其接合的發光二極體300B與預焊點WP3之間具有預切割點CP3（在圖4中，預切割點CP3鄰近主要接合區210’’設置）。以發光二極體300R及發光二極體300G舉例說明，在上述的設置下，當發光二極體300R及發光二極體300G為不符合檢驗規格（例如包括：暗點、亮點或外觀損毀）時，可進行顯示裝置10B的修補工藝。上述修補工藝包括：將修補用的發光二極體（例如發紅光的發光二極體）接合至備援接合區220中的發光二極體預留空間320的接合墊；接著將修補用的發光二極體（例如發綠光的發光二極體）接合至備援接合區220’中的發光二極體預留空間320’的接合墊；接著在預切割點CP1上對導線或橋接線路進行雷射切割工藝；接著在預切割點CP2上對導線或橋接線路進行雷射切割工藝；接著在預切割點CP5、CP7、CP8上對導線或橋接線路進行雷射切割工藝；接著在預焊點WP1及預焊點WP2上進行雷射焊接工藝。在完成上述修補工藝後，在提供一電壓至顯示裝置10B後，接合在主要接合區210中的發光二極體300R以及接合在主要接合區210’中的發光二極體300G不會接受到電壓而不會發光。分別接合在備援接合區220及在備援接合區220’中的修補用發光二極體可接收到上述的電壓而進行發光。

在一些實施例中，請參考圖五的設置，當發光二極體300B為不符合檢驗規格(例如包括：暗點、亮點或外觀損毀)，進行第一次修補完畢後仍不符合檢驗規格時，可對顯示裝置10B進行第二次修補的工藝。舉例來說，將第一修補用的發光二極體（例如發藍光的發光二極體）接合至備援接合區220中的發光二極體預留空間320的接合墊；接著在預切割點CP3上對導線或橋接線路進行雷射切割工藝；接著在預焊點WP3上進行雷射焊接工藝，然後提供一電壓至顯示裝置10B測試第一修補用的發光二極體發光品質。若仍不符合檢驗規格，進行第二次修補工藝，將第二修補用的發光二極體（例如發藍光的發光二極體）接合至另一備援接合區220’中的另一發光二極體預留空間320’的接合墊；接著在預切割點CP7、CP8、CP9上對導線或橋接線路進行雷射切割工藝。在完成上述修補工藝後，再次提供一電壓至顯示裝置10B後，接合在主要接合區210’’中的發光二極體300B不會接受到電壓而不會發光，接合在備援接合區220’中的修補用發光二極體可接收到上述的電壓而進行發光。

如此一來，顯示裝置10B可透過修補工藝完成發光二極體的修補，因此顯示裝置10B可具有良好的電性品質。此外，顯示裝置10B可具有良好的視覺效果或顯示品質。

在此須注意的是，上述的修補工藝僅以發光二極體300R及發光二極體300G為不符合檢驗規格的發光二極體舉例說明。不符合檢驗規格的定義可包括：發光二極體發光超出預設的平均亮度（即過亮）、發光低於預設的平均亮度（即過暗）或不發光（即不亮）。或者是，發光二極體可能受有破損而導致外觀有缺陷。此外，發光二極體的尺寸大於預設的平均尺寸或小於預設的平均尺寸也可被認定為不符合檢驗規格，但本實施例不以上述舉例為限。此外，也可以是發光二極體300R及發光二極體300B為不符合檢驗規格的發光二極體。又或者是，發光二極體300R、發光二極體300G或發光二極體300B中的任一者為不符合檢驗規格的發光二極體，本揭露不以此為限。

圖6為本揭露又一實施例的顯示裝置的部分上視示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖6省略繪示了若干元件。本實施例的顯示裝置10C大致相似於圖4顯示裝置10B，因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例不同於顯示裝置10B之處主要在於，顯示裝置10C包括像素PX、開口區11以及非開口區13環繞開口區11。像素PX中的主要接合區210、210’、210’’所分別接合的發光二極體為藍色發光二極體300B。顯示裝置10C還包括光轉換層340R或光轉換層340G。光轉換層340R重疊主要接合區210中的藍色發光二極體300B。光轉換層340G重疊主要接合區210’中的藍色發光二極體300B。

舉例來說，光轉換層340R例如包含發紅光的量子點（quantum dot，QD）材料。光轉換層340G例如包含發綠光的量子點材料。在上述的設置下，藍色發光二極體300B所發出的藍光可被光轉換層340R轉換為紅光。相似地，藍色發光二極體300B所發出的藍光可被光轉換層340G轉換為綠光。如此一來，顯示裝置10C可透過設置藍色發光二極體300B，並搭配不同顏色的量子點材料以達成產生不同顏色光的需求。此外，顯示裝置10C還可獲致與上述實施例相似的優良技術效果。

綜上所述，在本揭露一實施例的顯示裝置中，由於電路層、主要接合區與備援接合區可以重疊遮光層而設置於開口區外的非開口區，因此顯示裝置的像素可透過開口區而為具有高穿透率的穿透顯示功能的像素。如此一來，顯示裝置可應用為穿透顯示裝置，或具有良好的視覺效果或顯示品質。此外，主要接合區連接備援接合區，以透過備援接合區接合用於修補用或備援用的發光二極體。因此，顯示裝置的像素具有預留設置發光二極體的空間，而具有實現修補像素的設計。如此一來，顯示裝置具有良好的電性品質。另外，由於備援接合區的數量可以少於主要接合區的數量，因此預留的空間可以減少以增加高密度線路的佈局或提升開口區的穿透率，且可在預留的空間中選擇性的設置修補用的發光二極體。如此一來，顯示裝置可以節省成本、增加線路設置的空間、達成高電路密度設計的需求或提升開口區的穿透率。藉此，顯示裝置可具有良好的電性品質、良好的視覺效果或顯示品質。

最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的範圍。

10A, 10B, 10C:顯示裝置 11, 11’:開口區 13:非開口區 100:基板 130:橋接線路 140:接合墊 142:共用電路線 210, 210’, 210’’:主要接合區 220, 220’:備援接合區 300B. 300G, 300R:發光二極體 320, 320’:發光二極體預留空間 340G, 340R:光轉換層 BM:遮光層 CP, CP’, CP’’, CP1, CP2, CP3, CP4, CP5, CP6, CP7, CP8, CP9:預切割點 DL, DL’:資料線 L, L’:中線 M1:第一電路層 M2:第二電路層 M3:第三電路層 M4:第四電路層 ML:電路層 PX, PX’:像素 SL, SL’:掃描線 WP, WP’, WP’', WP1, WP2, WP3:預焊點 X, Y, Z:軸

圖1為本揭露一實施例的顯示裝置的像素的上視示意圖。 圖2為本揭露另一實施例的顯示裝置的部分上視示意圖。 圖3為圖2所示像素的示意性的電路圖。 圖4為本揭露再一實施例的顯示裝置的部分上視示意圖。 圖5為圖4所示像素的示意性的電路圖。 圖6為本揭露又一實施例的顯示裝置的部分上視示意圖。

10A:顯示裝置

11:開口區

13:非開口區

210,210’,210”:主要接合區

220,220’:備援接合區

300B.300G,300R:發光二極體

320:發光二極體預留空間

BM:遮光層

CP,CP’,CP”:預切割點

PX:像素

WP:預焊點

X,Y,Z:軸

Claims (9)

1. 一種顯示裝置，包括：基板；多個像素，每個所述多個像素包括：多個主要接合區；以及至少一個備援接合區，電路層，與所述多個主要接合區及所述至少一個備援接合區重疊，且設置於所述基板上，其中，所述電路層包括多個接合墊，其中所述多個接合墊的一部分對應於所述多個主要接合區，所述多個接合墊的另一部分對應於所述至少一個備援接合區；遮光層，設置於所述基板上，重疊所述電路層；以及開口區，被所述遮光層環繞，且不與所述多個接合墊重疊，其中每個所述至少一個備援接合區與所述多個主要接合區連接，且所述至少一個備援接合區的數量少於所述多個主要接合區的數量。
2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中每個所述多個主要接合區與每個所述至少一個備援接合區分別包括兩個接合墊。
3. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置還包括多個預焊點位於每個所述至少一個備援接合區與連接每個所述至少一個備援接合區的每個所述多個主要接合區之間。
4. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置還包括多個預切割點位於所述多個預焊點與每個所述多個主要接合區之間。
5. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述多個主要接合區是用以分別接合藍色發光二極體、綠色發光二極體或紅色發光二極體。
6. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述至少一個備援接合區是用以接合藍色發光二極體、綠色發光二極體或紅色發光二極體。
7. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置還包括至少一光轉換層，其中所述多個主要接合區的一者是用以接合藍色發光二極體，且所述至少一光轉換層重疊所述藍色發光二極體。
8. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述多個主要接合區及所述至少一個備援接合區重疊所述遮光層。
9. 如請求項1所述的顯示裝置，其中所述遮光層的材料包括金屬材料。

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