TWI880775B - 電池電量計算方法及電池電量計算系統 - Google Patents

Abstract

電池電量計算方法包含取得電池的理想開路電壓曲線，利用放電電流將電池放電，在電池被放電時，偵測N個放電深度對應的N個放電電壓，依據理想開路電壓曲線、放電電流以及N個放電電壓，產生N個放電深度對應的N個內電阻，依據N個內電阻在電池電阻曲線上對應之N個內電阻取樣點的(N-1)個斜率，調整電池電阻曲線上之至少一個內電阻取樣點的分佈，以使N個內電阻取樣點擬合電池電阻曲線，以及於N個內電阻取樣點的分佈被調整後，更新N個內電阻。N為大於2的正整數。

Description

電池電量計算方法及電池電量計算系統

本發明描述一種電池電量計算方法及電池電量計算系統，尤指一種低複雜度以及高準確率的電池電量計算方法及電池電量計算系統。

隨著科技日新月異，各種可攜式電子產品也紛紛問世。近年來，使用者對於可攜式電子產品的需求為：高效能、長續航、以及微型化。因此，可攜式電子產品內電池的使用以及管理，為重要的設計考量。影響電池電量狀態的因素非常多，例如電池充放電速率、溫度、電池老化狀態等等。為了正確獲得正確的電池電量狀態，許多系統會採取計算複雜度高的方式實現。例如，現今在求得電池電量狀態(State of Charge，SOC)時，會採取開路電壓法(Open Circuit Voltage，OCV)或是庫倫計數法(Coulomb Counting)。

由於影響電量狀態的因素太多，個別因素還會互相影響，使得計算電池電量狀態變成一個複雜的問題，如僅用單純的開路電壓法或是庫倫計數法並無法準確地計算電池電量狀態。因此，在目前的技術中，常常會結合高維度的回歸計算、迭代運算、或是類神經網路(Neural Network，NN)以增加精確度。然而，引入高維度的回歸計算、迭代運算、或是類神經網路的代價為高複雜度以及高耗能。換句話說，若是引入高複雜度的演算法來計算電池電量狀態，將 會加速可攜式電子產品的電量消耗，使其續航能力降低。

因此，發展一種低複雜度以及高準確率的電池電量計算系統，是一個重要的設計議題。

本發明一實施例提出一種電池電量計算方法。電池電量計算方法包含取得電池的理想開路電壓曲線，利用放電電流將電池放電，在電池被放電時，偵測N個放電深度對應的N個放電電壓，依據理想開路電壓曲線、放電電流以及N個放電電壓，產生N個放電深度對應的N個內電阻，依據N個內電阻在電池電阻曲線上對應之N個內電阻取樣點的(N-1)個斜率，調整電池電阻曲線上之至少一個內電阻取樣點的分佈，以使N個內電阻取樣點擬合電池電阻曲線，以及於N個內電阻取樣點的分佈被調整後，更新N個內電阻。N為大於2的正整數。

本發明另一實施例提出一種電池電量計算系統。電池電量計算系統包含電池、電流偵測電路、電壓偵測電路、記憶體及處理器。電流偵測電路耦接於電池。電壓偵測電路耦接於電池。記憶體用以儲存資料。處理器，耦接於電流偵測電路、電壓偵測電路及記憶體。處理器由記憶體中取得電池的理想開路電壓曲線後，利用放電電流將電池放電。在電池被放電時，處理器控制電壓偵測電路偵測N個放電深度對應的N個放電電壓。放電電流被電流偵測電路偵測。處理器依據理想開路電壓曲線、放電電流以及N個放電電壓，產生N個放電深度對應的N個內電阻。處理器依據N個內電阻在電池電阻曲線上對應之N個內電阻取樣點的(N-1)個斜率，調整電池電阻曲線上之至少一個內電阻取樣點的分佈，以使N個內電阻取樣點擬合電池電阻曲線。處理器於N個內電阻取樣點的分佈被調整後，更新N個內電阻。N為大於2的正整數。

100:電池電量計算系統

10:電池

11:電流偵測電路

12:電壓偵測電路

13:記憶體

14:處理器

C_OCV:理想開路電壓曲線

C_BAT:開路電壓曲線

DOD(n):第n個放電深度

V_OCV(n):第n個理想放電電壓

V_BAT(n):第n個放電電壓

△V:電壓差

R(n):第n個內電阻

RS(n):第n個內電阻取樣點

C_R:電池電阻曲線

RS(n-1):第n-1個內電阻取樣點

RS(n+1):第n+1個內電阻取樣點

S1、S1’:第一斜率

S2、S2’:第二斜率

RS’(m-1):第m-1個內電阻取樣點

RS’(m+1):第m+1個內電阻取樣點

RS’(m):第m個內電阻取樣點

DOD(m):第m個放電深度

S701至S706:步驟

第1圖係為本發明之電池電量計算系統之實施例的方塊圖。

第2圖係為第1圖之電池電量計算系統中，取得第n個理想放電電壓以及第n個放電電壓的示意圖。

第3圖係為第1圖之電池電量計算系統中，取得第n個內電阻的示意圖。

第4圖係為第1圖之電池電量計算系統中，在第一種模式下，依據兩鄰近斜率調整電池電阻曲線上之至少一個內電阻取樣點的分佈的示意圖。

第5圖係為第1圖之電池電量計算系統中，在第二種模式下，依據兩鄰近斜率調整電池電阻曲線上之至少一個內電阻取樣點的分佈的示意圖。

第6圖係為第1圖之電池電量計算系統中，在電池電阻曲線上之N個內電阻取樣點的分佈被調整完成的示意圖。

第7圖係為第1圖之電池電量計算系統執行電池電量計算方法的流程圖。

第1圖係為本發明之電池電量計算系統100之實施例的方塊圖。電池電量計算系統100包含電池10、電流偵測電路11、電壓偵測電路12、記憶體13以及處理器14。電量計算系統100的電池10可為任何種類的電池，例如可充電電池(Rechargeable Battery)、鋰電池或是鎳氫電池等等。電池10也可為電池組(Battery Pack)，其包含一組串聯的電池單元。電流偵測電路11耦接於電池10，用以偵測電池10在放電或充電時的電流。電壓偵測電路12耦接於電池10，用以偵測電池10在放電或充電時的兩端點電壓。應當理解的是，電壓偵測電路12可耦接於電池10的正負極兩端點。當電池10為電池組時，電壓偵測電路12也可以透過多工器耦接於電池組中每一個電池單元的正負極兩端點。任何合理的硬體變更都屬 於本發明所揭露的範疇。記憶體13用以儲存資料。處理器14耦接於電流偵測電路11、電壓偵測電路12及記憶體13。處理器14可為任何形式的運算單元，例如中央處理器(Central Processing Unit)或是微處理器(Microprocessor)等等。記憶體13可為快閃記憶體(Flash Memory)或是隨機存取記憶體(Random Access Memory)，但不以此為限制。在電池電量計算系統100中，在處理器14由記憶體13中取得電池10的理想開路電壓(Open Circuit Voltage)曲線後，可利用放電電流將電池10放電。在電池10被放電時，處理器14可以控制電壓偵測電路12偵測N個放電深度(Depth of discharge)對應的N個放電電壓。放電電流可被電流偵測電路11偵測。處理器14可以依據理想開路電壓曲線、放電電流以及N個放電電壓，產生N個放電深度對應的N個內電阻。並且，處理器14可依據N個內電阻在電池電阻曲線上對應之N個內電阻取樣點的(N-1)個斜率，調整電池電阻曲線上之至少一個內電阻取樣點的分佈，以使N個內電阻取樣點擬合電池電阻曲線。最後，處理器14可於N個內電阻取樣點的分佈被調整後，更新N個內電阻。N為大於2的正整數。電池電量計算系統100執行電池電量計算方法的細節將於後文詳述。

第2圖係為電池電量計算系統100中，取得第n個理想放電電壓V_OCV(n)以及第n個放電電壓V_BAT(n)的示意圖。如前述提及，處理器14可由記憶體13中取得電池10的理想開路電壓曲線C_OCV。理想開路電壓曲線C_OCV可預先設定並儲存於記憶體13內。在其他實施例中，理想開路電壓曲線C_OCV上的所有理想開路電壓V_OCV之方程式或是查詢表(Lookup Table)可預先儲存於記憶體13內。如第2圖所示，理想開路電壓曲線C_OCV可視為電池10無內電阻時(例如剛出廠的電池)，電池10的放電電壓V與放電深度DOD的關係曲線。於此，Y軸為放電電壓V，表示電池10在放電時量測的電壓。X軸為放電深度DOD。放電深度DOD的定義為滿荷電狀態至當前已釋出之電量比。放電深度DOD的範圍在0%到100%之間。在電池電量計算系統100中，處理器14可於記憶體13內取得N個放電深度在理想開路電 壓曲線C_OCV上對應的N個理想放電電壓。並且，處理器14可依據理想開路電壓曲線C_OCV、N個放電電壓以及放電電流，產生N個放電深度對應的N個內電阻。舉例而言，在第2圖中，第n個放電深度DOD(n)可為x%。在第n個放電深度DOD(n)下，處理器14可依據理想開路電壓曲線C_OCV取得第n個理想放電電壓V_OCV(n)。並且，處理器14可以控制電壓偵測電路12偵測第n個放電電壓V_BAT(n)的實際值。應當理解的是，由於電池10會因為電池會受到充放電速率、溫度、電池老化狀態等等諸多因素影響而產生內電阻，因此其實際的第n個放電電壓V_BAT(n)會受到內電阻的影響而小於理想放電電壓V_OCV(n)。因此，在取得第n個理想放電電壓V_OCV(n)以及第n個放電電壓V_BAT(n)後，處理器14可以得出在第n個放電深度DOD(n)下的電壓差△V。因此，電壓差△V可解讀為：因電池放電效能的劣化影響，理想放電電壓V_OCV(n)與實際的放電電壓V_BAT(n)的差距。並且，第2圖的開路電壓曲線C_BAT為實際的量測值，其取樣電壓數值將小於理想開路電壓曲線C_OCV的取樣電壓數值。

第3圖係為第1圖之電池電量計算系統中，取得第n個內電阻R(n)的示意圖。在取得第n個理想放電電壓V_OCV(n)以及第n個放電電壓V_BAT(n)後，處理器14可計算出第n個內電阻R(n)，表示為：

其中I為放電電流，可預先設定並由電流偵測電路11偵測。應當理解的是，第n個內電阻R(n)可由移動平均(Moving Average)機制逼近而得，以增加第n個內電阻R(n)的準確度。然而，本發明並不以此為限制。在第n個內電阻R(n)求得後，處理器14可以在第n個放電深度DOD(n)下，標示出電池電阻曲線C_R上第n個內電阻取樣點RS(n)。應當理解的是，如前述提及，考慮N個內電阻取樣點RS(1)至RS(N)。電池電量計算系統100的目的在於將電池電阻曲線C_R上N個內電阻取樣點RS(1)至RS(N)的分佈最佳化，以使N個內電阻取樣點RS(1)至RS(N)擬合 電池電阻曲線C_R。因此當內電阻取樣點RS(1)至RS(N)被更新時，可以產生出非常準確的電池電阻曲線C_R以利於計算電池電量。如何調整N個內電阻取樣點RS(1)至RS(N)在電池電阻曲線C_R上的分佈，其細節將於後文詳述。

第4圖係為電池電量計算系統100中，在第一種模式下，依據兩鄰近斜率調整電池電阻曲線C_R上之至少一個內電阻取樣點的分佈的示意圖。在第4圖中，處理器14可以取得N個內電阻中之第(n-1)個內電阻、第n個內電阻及第(n+1)個內電阻分別在電池電阻曲線C_R上對應的第(n-1)個內電阻取樣點RS(n-1)、第n個內電阻取樣點RS(n)及第(n+1)個內電阻取樣點RS(n+1)。第(n-1)個內電阻取樣點RS(n-1)、第n個內電阻取樣點RS(n)及第(n+1)個內電阻取樣點RS(n+1)為在電池電阻曲線C_R上三個連續的取樣點。接著，處理器14可以取得第(n-1)個內電阻取樣點RS(n-1)與第n個內電阻取樣點RS(n)的第一斜率S1。第一斜率S1可表示為：

其中第(n-1)個內電阻取樣點RS(n-1)對應第(n-1)個放電深度DOD(n-1)，且第(n)個內電阻取樣點RS(n)對應第(n)個放電深度DOD(n)。類似地，處理器14可以取得第(n)個內電阻取樣點RS(n)與第(n+1)個內電阻取樣點RS(n+1)的第二斜率S2。第二斜率S2可表示為：

其中第(n+1)個內電阻取樣點RS(n+1)對應第(n+1)個放電深度DOD(n+1)。接著，處理器14可以比較第一斜率S1與第二斜率S2，以調整電池電阻曲線C_R上之至少一個內電阻取樣點的分佈。舉例而言，處理器14可以設定一個門檻值S_TH，且門檻值S_TH為0至1之間的正數。並且，處理器14可以比較第一斜率S1與第二斜率S2，以產生第一斜率S1與第二斜率S2的差異值。在第4圖中，若第一斜率S1與第二斜率S2的差異值小於門檻值S_TH，表示三個連續的取樣點 RS(n-1)、RS(n)、RS(n+1)的變化不大。因此，電池電阻曲線C_R可以利用線性逼近。處理器14可以減少第(n-1)個內電阻取樣點RS(n-1)與第(n+1)個內電阻取樣點RS(n+1)之間的取樣數目，表示如下：

<S _TH

第5圖係為電池電量計算系統100中，在第二種模式下，依據兩鄰近斜率調整電池電阻曲線C_R上之至少一個內電阻取樣點的分佈的示意圖。在第5圖中，處理器14可以取得N個內電阻中之第(m-1)個內電阻、第m個內電阻及第(m+1)個內電阻分別在電池電阻曲線C_R上對應的第(m-1)個內電阻取樣點RS’(m-1)、第m個內電阻取樣點RS’(m)及第(m+1)個內電阻取樣點RS’(m+1)。第(m-1)個內電阻取樣點RS’(m-1)、第m個內電阻取樣點RS’(m)及第(m+1)個內電阻取樣點RS’(m+1)為在電池電阻曲線C_R上三個連續的取樣點。接著，處理器14可以取得第(m-1)個內電阻取樣點RS’(m-1)與第m個內電阻取樣點RS’(m)的第一斜率S1’。第一斜率S1’可表示為：

其中第(m-1)個內電阻取樣點RS’(m-1)對應第(m-1)個放電深度DOD’(m-1)，且第(m)個內電阻取樣點RS’(m)對應第(m)個放電深度DOD’(m)。類似地，處理器14可以取得第(m)個內電阻取樣點RS’(m)與第(m+1)個內電阻取樣點RS’(m+1)的第二斜率S2’。第二斜率S2’可表示為：

其中第(m+1)個內電阻取樣點RS’(m+1)對應第(m+1)個放電深度DOD’(m+1)。接著，處理器14可以比較第一斜率S1’與第二斜率S2’，以調整電池電阻曲線C_R上之至少一個內電阻取樣點的分佈。舉例而言，處理器14可以比較第一斜率S1’與第二斜率S2’，以產生第一斜率S1’與第二斜率S2’的差異值。在第 5圖中，若第一斜率S1’與第二斜率S2’的差異值大於或等於門檻值S_TH，表示三個連續的取樣點RS’(m-1)、RS’(m)、RS’(m+1)的變化劇烈。因此，電池電阻曲線C_R可能在取樣點RS’(m)之處出現轉折。處理器14可以增加第(m-1)個內電阻取樣點RS’(m-1)與第(m+1)個內電阻取樣點RS’(m+1)之間的取樣數目，表示如下：

S _TH

第6圖係為電池電量計算系統100中，在電池電阻曲線C_R上之N個內電阻取樣點的分佈被調整完成的示意圖。如前述提及，處理器14可以將N個內電阻取樣點在電池電阻曲線C_R所對應的(N-1)個斜率兩兩比較，以調整N個內電阻取樣點的分佈。如第6圖所示，在N個內電阻取樣點的分佈被調整後，在電池電阻曲線C_R上的(N-1)個斜率中，鄰近兩斜率的差異值將小於門檻值S_TH。換句話說，電池電量計算系統100可以用動態距離(Dynamic distance)的方式調整N個內電阻取樣點的分佈。因此，電池電阻曲線C_R可用有限的N個內電阻取樣點精準地擬合。也由於電池電阻曲線C_R可用有限的N個內電阻取樣點精準地擬合，故當電池電阻曲線C_R結合開路電壓法(Open Circuit Voltage，OCV)或是庫倫計數法(Coulomb Counting)等技術時，將會有更精準的電池電量估計結果。例如，當電池電阻曲線C_R被產生後，在y%的放電深度下，可以將電壓偵測電路12量測到的放電電壓疊加至由放電電流以及內電阻導出的電壓差上。因此，可以判斷電池10的放電效率或其他應用。

第7圖係為電池電量計算系統100執行電池電量計算方法的流程圖。電池電量計算方法的流程包含步驟S701至步驟S706。步驟S701至步驟S706描述如下：步驟S701：取得電池10的理想開路電壓曲線C_OCV；步驟S702：利用放電電流I將電池10放電； 步驟S703：在電池10被放電時，偵測N個放電深度對應的N個放電電壓；步驟S704：依據理想開路電壓曲線C_OCV、放電電流I以及N個放電電壓，產生N個放電深度對應的N個內電阻；步驟S705：依據N個內電阻在電池電阻曲線C_R上對應之N個內電阻取樣點的(N-1)個斜率，調整電池電阻曲線C_R上之至少一個內電阻取樣點的分佈，以使N個內電阻取樣點擬合電池電阻曲線C_R；步驟S706：於N個內電阻取樣點的分佈被調整後，更新N個內電阻。

步驟S701至步驟S706的細節已於前文詳述，故於此將不再贅述。電池電量計算系統100由於可以偵測內電阻，並可最佳化有限的內電阻的分佈，以擬合出失真最小的電池電阻曲線。由於內電阻的數目(N)可以自定義，因此後續在更新內電阻時的複雜度也可以調整。因此，本發明的電池電量計算系統可實現一種可調整複雜度以及高計算準確率的電池電量計算方法。

綜上所述，本發明描述一種電池電量計算方法以及電池電量計算系統。電池電量計算系統可利用理想開路電壓曲線、放電電流以及放電電壓，得出有限個內電阻。並且，電池電量計算系統還可以利用有限個內電阻在電池電阻曲線上之鄰近兩斜率的差異值，判斷是否要調整有限個內電阻的分佈。最終，當在電池電阻曲線上之所有成對鄰近兩斜率的差異值均小於門檻值時，有限個內電阻的分佈可被最佳化。因此，電池電量計算系統可利用有限個內電阻擬合出失真最小的電池電阻曲線。在電池電量計算系統中，由於內電阻的數目可以自定義，因此後續在更新內電阻時的複雜度也可以調整。因此，本發明的電池電量計算系統可實現一種可調整複雜度以及高計算準確率的電池電量計算方法。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

100:電池電量計算系統

10:電池

11:電流偵測電路

12:電壓偵測電路

13:記憶體

14:處理器

Claims (20)

1. 一種電池電量計算方法，包含： 取得一電池的一理想開路電壓(Open Circuit Voltage)曲線； 利用一放電電流將該電池放電； 在該電池被放電時，偵測N個放電深度(Depth of discharge)對應的N個放電電壓； 依據該理想開路電壓曲線、該放電電流以及該N個放電電壓，產生該N個放電深度對應的N個內電阻； 依據該N個內電阻在一電池電阻曲線上對應之N個內電阻取樣點的(N-1)個斜率，調整該電池電阻曲線上之至少一個內電阻取樣點的一分佈，以使該N個內電阻取樣點擬合該電池電阻曲線；及 於該N個內電阻取樣點的該分佈被調整後，更新該N個內電阻； 其中N為大於2的正整數。
2. 如請求項1所述之方法，其中該理想開路電壓曲線包含該電池無內電阻時，該電池的一放電電壓與一放電深度的一關係曲線，且該理想開路電壓曲線是預先設定並儲存於一記憶體內。
3. 如請求項1所述之方法，其中依據該理想開路電壓曲線、該放電電流以及該N個放電電壓，產生該N個放電深度對應的該N個內電阻包含： 取得該N個放電深度在該理想開路電壓曲線上對應的N個理想放電電壓；及 依據該N個理想放電電壓、該N個放電電壓以及該放電電流，產生該N個放電深度對應的該N個內電阻。
4. 如請求項3所述之方法，其中該N個內電阻中之一第n個內電阻表示為： 其中I為該放電電流， 為N個理想放電電壓中之一第n個理想放電電壓， 為N個放電電壓中之一第n個放電電壓，且該N個放電深度的一範圍在0%到100%之間。
5. 如請求項1所述之方法，其中該N個內電阻之每一個內電阻是利用一移動平均(Moving Average)機制逼近而得。
6. 如請求項1所述之方法，其中依據該N個內電阻在該電池電阻曲線上對應之該N個內電阻取樣點的該(N-1)個斜率，調整該電池電阻曲線上之該至少一個內電阻取樣點的該分佈，以使該N個內電阻取樣點擬合該電池電阻曲線包含： 取得該N個內電阻中之一第(n-1)個內電阻、一第n個內電阻及一第(n+1)個內電阻分別在該電池電阻曲線上對應的一第(n-1)個內電阻取樣點、一第n個內電阻取樣點及一第(n+1)個內電阻取樣點； 取得該第(n-1)個內電阻取樣點與該第n個內電阻取樣點的一第一斜率； 取得該第n個內電阻取樣點與該第(n+1)個內電阻取樣點的一第二斜率；及 比較該第一斜率與該第二斜率，以調整該電池電阻曲線上之該至少一個內電阻取樣點的該分佈； 其中n的一範圍為1至N。
7. 如請求項6所述之方法，另包含： 設定一門檻值； 其中該門檻值為0至1之間的正數。
8. 如請求項7所述之方法，其中比較該第一斜率與該第二斜率，以調整該電池電阻曲線上之該至少一個內電阻取樣點的該分佈包含： 比較該第一斜率與該第二斜率，以產生該第一斜率與該第二斜率的一差異值；及 若該差異值大於或等於該門檻值，增加該第(n-1)個內電阻取樣點與該第(n+1)個內電阻取樣點之間的一取樣數目。
9. 如請求項7所述之方法，其中比較該第一斜率與該第二斜率，以調整該電池電阻曲線上之該至少一個內電阻取樣點的該分佈包含： 比較該第一斜率與該第二斜率，以產生該第一斜率與該第二斜率的一差異值；及 若該差異值小於該門檻值，減少該第(n-1)個內電阻取樣點與該第(n+1)個內電阻取樣點之間的一取樣數目。
10. 如請求項7所述之方法，其中該N個內電阻取樣點的該分佈被調整後，在該電池電阻曲線上的(N-1)個斜率中，鄰近兩斜率的一差異值小於該門檻值。
11. 一種電池電量計算系統，包含： 一電池； 一電流偵測電路，耦接於該電池； 一電壓偵測電路，耦接於該電池； 一記憶體，用以儲存資料；及 一處理器，耦接於該電流偵測電路、該電壓偵測電路及該記憶體； 其中該處理器由該記憶體中取得該電池的一理想開路電壓(Open Circuit Voltage)曲線後，利用一放電電流將該電池放電，在該電池被放電時，該處理器控制該電壓偵測電路偵測N個放電深度(Depth of discharge)對應的N個放電電壓，該放電電流被該電流偵測電路偵測，該處理器依據該理想開路電壓曲線、該放電電流以及該N個放電電壓，產生該N個放電深度對應的N個內電阻，該處理器依據該N個內電阻在一電池電阻曲線上對應之N個內電阻取樣點的(N-1)個斜率，調整該電池電阻曲線上之至少一個內電阻取樣點的一分佈，以使該N個內電阻取樣點擬合該電池電阻曲線，該處理器於該N個內電阻取樣點的該分佈被調整後，更新該N個內電阻，且N為大於2的正整數。
12. 如請求項11所述之系統，其中該理想開路電壓曲線包含該電池無內電阻時，該電池的一放電電壓與一放電深度的一關係曲線，且該理想開路電壓曲線是預先設定並儲存於該記憶體內。
13. 如請求項11所述之系統，其中該處理器於該記憶體內取得該N個放電深度在該理想開路電壓曲線上對應的N個理想放電電壓，且該處理器依據該N個理想放電電壓、該N個放電電壓以及該放電電流，產生該N個放電深度對應的該N個內電阻。
14. 如請求項13所述之系統，其中該N個內電阻中之一第n個內電阻表示為： 其中I為該放電電流， 為N個理想放電電壓中之一第n個理想放電電壓， 為N個放電電壓中之一第n個放電電壓，且該N個放電深度的一範圍在0%到100%之間。
15. 如請求項11所述之系統，其中該N個內電阻之每一個內電阻是利用一移動平均(Moving Average)機制逼近而得。
16. 如請求項11所述之系統，其中該處理器取得該N個內電阻中之一第(n-1)個內電阻、一第n個內電阻及一第(n+1)個內電阻分別在該電池電阻曲線上對應的一第(n-1)個內電阻取樣點、一第n個內電阻取樣點及一第(n+1)個內電阻取樣點，該處理器取得該第(n-1)個內電阻取樣點與該第n個內電阻取樣點的一第一斜率，該處理器取得該第n個內電阻取樣點與該第(n+1)內電阻個取樣點的一第二斜率，該處理器比較該第一斜率與該第二斜率，以調整該電池電阻曲線上之該至少一個內電阻取樣點的該分佈，且n的一範圍為1至N。
17. 如請求項16所述之系統，其中該處理器設定一門檻值，且該門檻值為0至1之間的正數。
18. 如請求項17所述之系統，其中該處理器比較該第一斜率與該第二斜率，以產生該第一斜率與該第二斜率的一差異值，且若該差異值大於或等於該門檻值，該處理器增加該第(n-1)個內電阻取樣點與該第(n+1)個內電阻取樣點之間的一取樣數目。
19. 如請求項17所述之系統，其中該處理器比較該第一斜率與該第二斜率，以產生該第一斜率與該第二斜率的一差異值，且若該差異值小於該門檻值，減少該第(n-1)個內電阻取樣點與該第(n+1)個內電阻取樣點之間的一取樣數目。
20. 如請求項17所述之系統，其中該N個內電阻取樣點的該分佈被調整後，在該電池電阻曲線上的(N-1)個斜率中，鄰近兩斜率的一差異值小於該門檻值。

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