TWI878293B - 成膜裝置 - Google Patents

Abstract

[課題] 提供一種能夠延遲堆積物的生長之成膜裝置。 [解決手段] 成膜裝置(1)具備向環爐床(6)的線圈(6a)供給電力之電源(50)。該電源(50)在主爐床(21)的上方改變磁通密度。如此，在使磁通密度為0之區域變動的情況下，能夠使擴散之成膜材料集中附著於主爐床(21)及環爐床(6)的周圍之位置變動。這樣形成之堆積物與藉由成膜材料集中在狹窄範圍內而形成之堆積物相比，生長變慢。藉此，能夠延遲堆積物的生長。

Description

成膜裝置

本發明係有關一種成膜裝置。 本申請案係主張基於2019年5月16日申請之日本專利申請第2019-093049號的優先權。該日本申請案的全部內容係藉由參閱而援用於本說明書中。

作為在成膜對象物的表面上形成膜之成膜裝置，例如有一種使用離子鍍敷法之裝置。在離子鍍敷法中，使蒸發之成膜材料的粒子在真空腔室內擴散並附著於成膜對象物的表面上。這樣的成膜裝置具備：電漿源，設置於真空容器的側壁上，並且用於生成電漿束；轉向線圈，將由電漿源生成之電漿束引導至真空容器內；主爐床，係保持成膜材料之主陽極；及環爐床，係包圍該主爐床之輔助陽極(例如，參閱專利文獻1)。 [先前技術文獻]

[專利文獻1] 日本特開平9-256147號公報

在此，在如上所述的成膜裝置中，有時擴散之成膜材料的一部分停留在該成膜材料附近，並堆積在主爐床及環爐床的周圍。若這樣的堆積物生長，則有可能對在成膜對象物的表面上形成之膜的均勻性造成影響。而且，若堆積量增加而主爐床和環爐床彼此短路，則有可能妨礙成膜的實施。因此，產生去除堆積物之必要性，但為了減少這樣的去除工作，要求延遲堆積物的生長。

[發明所欲解決之問題]

因此，本發明的目的為提供一種能夠延遲堆積物的生長之成膜裝置。 [解決問題之技術手段]

本發明的成膜裝置，其係藉由電漿束加熱成膜材料，使從成膜材料氣化之粒子附著於成膜對象物上，係具備：主陽極，係填充有成膜材料，並且將電漿束引導至成膜材料；輔助陽極，係具有永久磁鐵及電磁體，配置於主陽極的周圍，並且誘導電漿束；及電源，係向輔助陽極的電磁體供給電力，電源在主陽極的上方改變磁通密度。

成膜裝置具備向輔助陽極的電磁體供給電力之電源。該電源在主陽極的上方改變磁通密度。如此，在改變磁通密度的情況下，能夠使擴散之成膜材料集中附著於主陽極及輔助陽極的周圍之位置變動。這樣形成之堆積物與藉由成膜材料集中在狹窄範圍內而形成之堆積物相比，生長變慢。藉此，能夠延遲堆積物的生長。

電源可以藉由在電磁體上疊加交流電流來改變磁通密度。電源能夠藉由在電磁體上疊加交流電流來容易地改變磁通密度。

磁通密度的變化可以係磁通密度為0之區域的變動。如此，在使磁通密度為0之區域變動的情況下，能夠使擴散之成膜材料集中附著於主陽極及輔助陽極的周圍之位置變動。這樣形成之堆積物與藉由成膜材料集中在狹窄範圍內而形成之堆積物相比，生長變慢。藉此，能夠延遲堆積物的生長。

在成膜裝置中，電源藉由在電磁體上疊加交流電流來改變磁通密度，在將藉由交流電流的疊加而發生變化之成膜材料的堆積物的形成位置的振幅設為a，將在電磁體上不疊加交流電流時的堆積物的厚度設為σ的情況下，電源可以在a/σ為2以上之條件下，在電磁體上疊加交流電流。又，電源可以在a/σ為4以上之條件下，在電磁體上疊加交流電流。此時，能夠以相對於堆積物的厚度σ較寬的振幅a使成膜材料擴散。因此，能夠延遲堆積物的生長。 [發明之效果]

依本發明，能夠提供一種能夠延遲堆積物的生長之成膜裝置。

以下，參閱圖式對基於本發明的成膜裝置的一實施形態進行詳細說明。另外，在圖式的說明中對相同的要素標註相同的符號，並省略重複說明。

圖1所示之第1實施形態之成膜裝置1係在所謂的離子鍍敷法中使用之離子鍍敷裝置。另外，為了便於說明，圖1中示出XYZ坐標系。Y軸方向係輸送後述之成膜對象物之方向。X軸方向係成膜對象物與後述之爐床機構對向之方向。Z軸方向係與X軸方向和Y軸方向正交之方向。

成膜裝置1係以成膜對象物11的板厚方向成為水平方向(圖1中X軸方向)之方式，在使成膜對象物11直立或從直立之狀態傾斜之狀態下，成膜對象物11配置於真空腔室10內而被輸送之所謂的縱型的成膜裝置。此時，X軸方向係水平方向且成膜對象物11的板厚方向，Y軸方向係水平方向，Z軸方向係垂直方向。另一方面，在基於本發明的成膜裝置的一實施形態中，可以係以成膜對象物的板厚方向大致成為垂直方向之方式，將成膜對象物配置於真空腔室內而被輸送之所謂的橫型的成膜裝置。此時，Z軸及Y軸方向係水平方向，X軸方向係垂直方向且板厚方向。另外，在以下實施形態中，以縱型的情況為例子，對本發明的成膜裝置的一實施形態進行說明。

成膜裝置1具備爐床機構2、輸送機構3、環爐床6、轉向線圈5、電漿源7、壓力調整裝置8、電源50及真空腔室10。

真空腔室10具有：輸送室10a，用於輸送形成成膜材料的膜之成膜對象物11；成膜室10b，使成膜材料Ma擴散；及電漿口10c，將從電漿源7照射之電漿束P接收到真空腔室10。輸送室10a、成膜室10b及電漿口10c彼此連通。輸送室10a沿著規定的輸送方向(圖中的箭頭D1)(沿Y軸)而設定。又，真空腔室10由導電性的材料構成，並且與接地電位連接。

輸送機構3將以與成膜材料Ma對向之狀態保持成膜對象物11之保持構件16沿輸送方向D1輸送。例如保持構件16係保持成膜對象物的外周緣之框體。輸送機構3由設置於輸送室10a內之多個輸送輥15構成。輸送輥15沿著輸送方向D1等間隔地配置，支撐保持構件16並沿輸送方向D1輸送。另外，成膜對象物11例如使用玻璃基板或塑料基板等板狀構件。

電漿源7係壓力梯度型，其主體部分經由設置於成膜室10b的側壁上之電漿口10c與成膜室10b連接。電漿源7在真空腔室10內生成電漿束P。在電漿源7中生成之電漿束P從電漿口10c向成膜室10b內射出。電漿束P的射出方向被以包圍電漿口10c之方式設置之轉向線圈5控制。轉向線圈5生成Y軸方向的磁場，並將由電漿源7生成之電漿束引導至真空容器內的中央。

壓力調整裝置8與真空腔室10連接，並調整真空腔室10內的壓力。壓力調整裝置8例如具有渦輪分子泵或低溫泵等減壓部和測量真空腔室10內的壓力之壓力測量部。

爐床機構2係用於保持成膜材料Ma之機構。爐床機構2設置於真空腔室10的成膜室10b內，從輸送機構3觀察時，配置於X軸方向的負方向上。爐床機構2具有作為將從電漿源7射出之電漿束P引導至成膜材料Ma之主陽極或引導從電漿源7射出之電漿束P之主陽極之主爐床21。

如圖2所示，主爐床21具有填充有成膜材料Ma之沿Z軸方向的正方向延伸之筒狀的填充部21a和從填充部21a突出之凸緣部21b。主爐床21相對於真空腔室10所具有之接地電位保持為正電位，因此吸引電漿束P(參閱圖1)。在入射該電漿束P之主爐床21的填充部21a形成有用於填充成膜材料Ma之貫通孔21c。而且，成膜材料Ma的頂端部分在該貫通孔21c的一端露出於成膜室10b。

環爐床6係具有用於誘導電漿束P之電磁體之輔助陽極。環爐床6配置於保持成膜材料Ma之主爐床21的填充部21a的周圍。環爐床6具有線圈6a(電磁體)、永久磁鐵6b及環狀的容器6c，線圈6a及永久磁鐵6b收容在環狀的容器6c中。環爐床6依據流過線圈6a之電流的大小，控制入射到成膜材料Ma之電漿束P的朝向或入射到主爐床21之電漿束P的朝向。

成膜材料Ma可以例示ITO或ZnO等透明導電材料。在成膜材料Ma由導電性物質構成之情況下，若對主爐床21照射電漿束P，則電漿束P直接入射到成膜材料Ma，成膜材料Ma的頂端部分被加熱而氣化，被電漿束P離子化之成膜材料粒子Mb擴散到成膜室10b內。擴散到成膜室10b內之成膜材料粒子Mb向成膜室10b的上方(Z軸正方向)移動，在輸送室10a內附著於成膜對象物11的表面上。另外，成膜材料Ma係形成為規定長度的圓柱形狀之固體物，在爐床機構2中一次填充多個成膜材料Ma。而且，依據成膜材料Ma的消耗，從爐床機構2的下方向依序擠出成膜材料Ma，以使最上部的成膜材料Ma的頂端部分與主爐床21的上端保持規定的位置關係。

又，爐床機構2還具有配置於主爐床21的周圍之外輪緣28。該外輪緣28防止成膜材料Ma在成膜時堆積在主爐床21的周圍而導致的主爐床21與環爐床6的短路。

外輪緣28係圓筒狀的有底容器。外輪緣28具有包圍主爐床21的填充部21a之側壁部28b和設置於主爐床21的凸緣部21b側的側壁部28b的端部之底部28c。在外輪緣28的底部28c形成有供主爐床21的填充部21a插通之圓形的開口28a。而且，外輪緣28的側壁部28b的上部朝向外輪緣28的側方逐漸翹曲，向成膜室10b側開口。

電源50係向環爐床6的線圈6a供給電力之裝置。電源50在主爐床21的上方改變磁通密度。具體而言，電源50藉由在線圈6a上疊加交流電流來改變磁通密度。在本實施形態中，磁通密度的變化係在主爐床21的上方使磁通密度為0之區域變動。來自電源50的電流描繪正弦波(參閱圖5(b))。電源50設定頻率、中心的電流值(偏移(offset))及振幅(相對於中心的電流值向正側及負側發生變化之電流的大小)。

電源50在a/σ為2以上之條件下，在線圈6a上疊加交流電流。更佳為電源50在a/σ為4以上之條件下，在線圈6a上疊加交流電流。在此，“a”係指藉由交流電流的疊加而發生變化之成膜材料的堆積物的形成位置的振幅。關於振幅a的詳細說明，留待後述。“σ”係指在線圈6a上不疊加交流電流時的堆積物的厚度。

在圖2中，容易在外輪緣28的上端附近的彎曲之部分形成堆積物A。又，容易在底部28c形成堆積物B。又，容易在主爐床21的頂端部形成堆積物C。其中，堆積物A、B以在特定的部位大幅延伸之方式生長。在電源50沒有疊加交流電流之情況下，堆積物A、B以具有規定的厚度之方式延伸。此時的堆積物A、B的延伸部分的厚度為“σ”。厚度σ可以藉由在設定電源50的交流電力的條件之前階段，例如在導入或製造成膜裝置1時等進行堆積物A、B的形成的同時進行實際測量來取得。

接下來，參閱圖3～圖7對“a/σ”的條件進一步詳細地進行說明。參閱圖3對主爐床21附近的磁場分布進行說明。在圖3中，示出了從電漿源7射出之電漿束藉由環爐床6引導至主爐床21之狀態的磁場分布。圖中的箭頭表示磁力線的朝向。主爐床21附近的磁場受由環爐床6產生的磁場、由轉向線圈5產生的磁場及由電漿束P的自感應產生的磁場的影響。藉由該等影響形成磁通密度為0之區域。另外，如圖3所示，在本實施形態的成膜裝置1的結構中，磁場相對於環爐床6的中心軸CL係非對稱地分布。因此，磁通密度為0之位置形成在偏離中心軸CL之位置。但是，在用於設定“a/σ”的條件之模擬實驗中，假設電漿束P沒有偏心，磁場與中心軸CL對稱地分布，從而進行運算。此時，磁通密度為0之區域E1、E2存在於主爐床21的上方的中心軸CL上。

在將供給至環爐床6的線圈6a之電流(以下，有時稱為爐床線圈電流)設定為規定的值時，若將磁通密度為0之區域設為“區域E1”，提高爐床線圈電流，則磁通密度為0之區域移動到比區域E1高的位置的“區域E2”。每提高爐床線圈電流的值，磁通密度高的區域的擴展朝向上方向。可以推測，若增大爐床線圈電流，則磁通密度為0之區域的位置向上方移動，因此電漿束P的流動亦朝向上方。因此，當電源50疊加交流電流時，磁場分布反覆發生變化，磁通密度為0之區域以在上下方向上往復移動之方式變動。

與如上所述的磁場分布的變化同樣地，電位分布亦隨著爐床線圈電流的變化而發生變化。隨著電位分布的變化，離子的飛散方式發生變化，堆積物A、B的位置或速度發生變化。

例如，如圖2所示，將不疊加交流電流而以規定的爐床線圈電流形成堆積物A、B時的形成位置設為“PA”“PB”。在設定了沿堆積物A、B的延伸方向延伸，並且通過堆積物A、B的峰位置之軸線之情況下，形成位置PA、PB被設定在該軸線與堆積物A、B的形成面(圖2中外輪緣28的表面)的交點處。此時，在爐床線圈電流低之情況下，形成位置PA1被設定在遠離主爐床21的位置，在爐床線圈電流高之情況下，形成位置PA2被設定在靠近主爐床21的位置。又，在爐床線圈電流低之情況下，形成位置PB1被設定在靠近主爐床21的位置，在爐床線圈電流高的情況下，形成位置PB2被設定在遠離主爐床21的位置。圖4中示出爐床線圈電流與堆積物A、B、C的變動量之間的關係。圖4所示之結果係藉由模擬實驗而得之結果。在此，不疊加交流電流，規定的電流值的直流的爐床線圈電流流過線圈6a。橫軸表示爐床線圈電流的大小，縱軸表示從基準位置到堆積物A、B、C的形成位置的距離。另外，在圖4中，將爐床線圈電流設為0A時的各堆積物A、B、C的形成位置成為基準位置。

如上所述，堆積物A、B的形成位置PA、PB隨著爐床線圈電流的變動而變動。因此，當電源50疊加交流電流時，隨著爐床線圈電流以描繪正弦波之方式週期性地變動(參閱圖5(b))，堆積物A、B的形成位置PA、PB亦週期性地變動。如圖5(b)所示，爐床線圈電流以電流值C1為中心值，以電流值C2為極大值及以電流值C3為極小值描繪正弦波。將此時的堆積物A、B的生長模型示於圖5(a)。橫軸表示形成位置PA、PB的位置，縱軸表示通量強度。通量強度係表示在某一位置的成膜材料粒子的附著量(高度)之參數。另外，通量強度的峰位置為堆積物A、B的形成位置PA、PB。由曲線圖G1示出爐床線圈電流為電流值C1時的通量強度的分布，由曲線圖G2示出爐床線圈電流為電流值C2時的通量強度的分布，由曲線圖G3示出爐床線圈電流為電流值C3時的通量強度的分布。如此，堆積物A、B的形成位置PA、PB的變動幅度2a利用曲線圖G2的峰位置與曲線圖G3的峰位置之間的距離表示。此時的堆積物A、B的形成位置PA、PB的振幅a由變動幅度2a的一半大小來定義。例如，在不疊加交流電流之情況下，成膜材料集中於一個部位的形成位置PA、PB，因此堆積物A、B的生長變快。相對於此，在疊加交流電流之情況下，如圖5(a)所示，成膜材料附著之位置在變動幅度2a的範圍內週期性地變動。因此，成膜材料被分散，因此能夠延遲堆積物A、B的生長(向延伸方向延伸)。

圖6係在圖4的曲線圖中，提取堆積物A和堆積物B的形成位置PA、PB的值進行標繪之圖。藉由將該曲線圖的任意一個爐床線圈電流設定為中心值，並設定交流電流的振幅，從而確定變動幅度2a，藉此確定振幅a。例如，若將爐床線圈電流的中心值設為20A，將振幅設為10A，則30A中的形成位置PA與10A中的形成位置PA之間的距離成為形成堆積物A時的變動幅度2a。又，該變動幅度2a的一半的值成為振幅a(=10mm)。又，30A中的形成位置PB與10A中的形成位置PB之間的距離成為形成堆積物B時的變動幅度2a。又，該變動幅度2a的一半的值成為振幅a(=3.5mm)。在此，振幅a能夠藉由除以堆積物A、B的厚度σ而作為標準值用“a/σ”表示。堆積物A的厚度σ實際測量為5mm，堆積物B的厚度σ實際測量為1mm。因此，在將爐床線圈電流的中心值設為20A，將振幅設為10A之情況下，堆積物A的標準值“a/σ”成為2，堆積物B的標準值“a/σ”成為3.5。如此，藉由參閱標準值“a/σ”，能夠比較離子通量集中之區域的振幅a相對於離子通量的擴展(厚度σ)為何種程度的大小。

將在主爐床21周邊的任意的位置的通量強度的時間平均值與標準值“a/σ”之間的關係示於圖7。圖7的橫軸表示標準值“a/σ”，縱軸表示通量強度的時間平均值的標準值。通量強度的時間平均值的標準值係將標準值“a/σ=1”時的值作為基準值(=1)，表示相對於該基準值為何種程度的大小之值。如圖7所示，可以理解為，隨著標準值“a/σ”變大，附著於任意處之通量強度降低。尤其，在標準值“a/σ”成為2之前的期間，能夠使通量強度急劇降低。因此，可以理解為，電源50在a/σ為2以上之條件下，在線圈6a上疊加交流電流為較佳。又，在標準值“a/σ”成為4之前的期間，能夠使通量強度急劇降低。因此，可以理解為，電源50在a/σ為4以上之條件下，在線圈6a上疊加交流電流為較佳。

另外，關於為了將標準值“a/σ”設為如上所述的條件，電源50如何設定頻率、中心的電流值及振幅，並無特別限定。作為一例，頻率可以設定在10～100Hz的範圍內。在該範圍內，能夠抑制由於頻率過高而作為銅板的熱損失而能量損失，並且能夠抑制由於頻率過低而在膜上形成層結構。又，中心的電流值只要設定在20～40A的範圍內即可。又，振幅只要設定在2～20A的範圍內即可。

接下來，對本實施形態之成膜裝置1的作用·效果進行說明。

本實施形態之成膜裝置1藉由電漿束P加熱成膜材料Ma，使從成膜材料Ma氣化之粒子附著於成膜對象物11上，上述成膜裝置1具備：作為主陽極的主爐床21，填充有成膜材料Ma，並且將電漿束P引導至成膜材料Ma；作為輔助陽極的環爐床6，其具有永久磁鐵6b及線圈6a，配置於主爐床21的周圍，並且誘導電漿束P；及電源50，向環爐床6的線圈6a供給電力，並且在主爐床21的上方改變磁通密度。

成膜裝置1在主爐床21的上方改變磁通密度。如此，在改變磁通密度之情況下，能夠使擴散之成膜材料集中附著於主爐床21及環爐床6的周圍之位置變動。這樣形成之堆積物與藉由成膜材料集中在狹窄範圍內而形成之堆積物相比，生長變慢。藉此，能夠延遲堆積物的生長。

電源50可以藉由在線圈6a上疊加交流電流來改變磁通密度。電源50能夠藉由在線圈6a上疊加交流電流來容易地改變磁通密度。

磁通密度的變化可以係磁通密度為0之區域的變動。如此，在使磁通密度為0之區域變動之情況下，能夠使擴散之成膜材料集中附著於主爐床21及環爐床6的周圍之位置變動。這樣形成之堆積物與藉由成膜材料集中在狹窄範圍內而形成之堆積物相比，生長變慢。藉此，能夠延遲堆積物的生長。

在成膜裝置1中，電源50藉由在線圈a上疊加交流電流來改變磁通密度，在將藉由交流電流的疊加而發生變化之成膜材料的堆積物的形成位置的振幅設為a，將在線圈6a上不疊加交流電流時的堆積物的厚度設為σ之情況下，電源50可以在a/σ為2以上之條件下，在線圈6a上疊加交流電流。又，電源50可以在a/σ為4以上之條件下，在線圈6a上疊加交流電流。此時，能夠以相對於堆積物的厚度σ較寬的振幅a使成膜材料擴散。因此，能夠延遲堆積物的生長。

本發明並不限定於前述實施形態，在不脫離本發明的宗旨之範圍內，能夠進行如下所述那樣的各種變形。

在上述實施形態中，例示了基於離子鍍敷法的成膜裝置。取而代之，在通常的電漿蒸鍍裝置、微粒電漿(Dust plasma)裝置及電漿裝置中，只要係固定有蒸發源之類型的成膜裝置，則能夠應用本發明。

在上述實施形態中，電源藉由在電磁體上疊加交流電流，在主陽極的上方使磁通密度為0之區域變動。然而，使磁通密度為0之區域變動之方法並無特別限定。

例如，電源可以精細地切換直流電流的值。例如，電源可以藉由精細地切換直流電流，形成與圖5(b)類似的波形。另外，在設置環爐床，使磁鐵朝向上述實施形態所記載之方向之時點(即使線圈的電流為0)，形成磁通密度為0的點，因此亦可以適當變更電流的流動方式。

又，在上述實施形態中，電源藉由改變磁通密度為0之區域，改變產生堆積物之區域，延遲了堆積物的生長。然而，電源只要能夠藉由改變磁通密度來改變堆積物的產生區域即可，並不限定於一定要改變磁通密度為0之區域之方法。

例如，除了上述實施形態的線圈6a以外，還可以追加其他線圈，藉由使電流接通/斷開(ON/OFF)或者改變電流值來改變堆積物產生位置的磁通密度。又，亦可以藉由配置永久磁鐵，並使其位置移動來改變堆積物產生位置的磁通密度。

1:成膜裝置 6:環爐床 6a:線圈(電磁體) 6b:永久磁鐵 7:電漿源 11:成膜對象物 21:主爐床 50:電源

[圖1] 係表示本發明的實施形態之成膜裝置的結構之剖面圖。 [圖2] 係表示主爐床附近的結構之放大圖。 [圖3] 係表示主爐床附近的磁場之示意圖。 [圖4] 中示出爐床線圈電流與堆積物A、B、C的變動量之間的關係。 [圖5] 係(a)表示堆積物A、B的生長模型之圖，(b)係表示交流電流的波形之圖。 [圖6] 係在圖4的曲線圖中，提取堆積物A和堆積物B的形成位置PA、PB的值進行標繪之圖。 [圖7] 係表示在主爐床周邊的任意的位置的通量強度的時間平均值與標準值“a/σ”之間的關係之曲線圖。

2:爐床機構

6:環爐床

6a:線圈

6b:永久磁鐵

6c:容器

21:主爐床

21a:填充部

21b:凸緣部

21c:貫通孔

28:外輪緣

28b:側壁部

28c:底部

50:電源

A,B,C:堆積物

Ma:成膜材料

PA,PA1,PA2,PB,PB1,PB2:形成位置

X,Y,Z:軸方向

σ:厚度

Claims (5)

1. 一種成膜裝置，其係藉由電漿束加熱成膜材料，使從前述成膜材料氣化之粒子附著於成膜對象物上，係具備： 主陽極，係填充有前述成膜材料，並且將前述電漿束引導至前述成膜材料； 輔助陽極，係具有永久磁鐵及電磁體，配置於前述主陽極的周圍，並且誘導前述電漿束；及 電源，係向前述輔助陽極的前述電磁體供給電力， 前述電源構成為，改變前述主陽極上方的磁通密度，使得前述成膜材料集中並附著在前述主陽極和前述輔助陽極周圍的位置隨著時間而變動。
2. 如請求項1所述之成膜裝置，其中，前述電源藉由在前述電磁體上疊加交流電流來改變前述磁通密度。
3. 如請求項1或請求項2所述之成膜裝置，其中， 前述電漿束係由電漿源供給； 前述磁通密度的變化，係前述主陽極和前述輔助陽極與前述電漿源之間的磁通密度為0之區域的變動。
4. 如請求項2或請求項3所述之成膜裝置，其中，前述電源藉由在前述電磁體上疊加交流電流來改變前述磁通密度， 在將藉由前述交流電流的疊加而發生變化之前述成膜材料的堆積物的形成位置的振幅設為a，將在前述電磁體上不疊加前述交流電流時的前述堆積物的厚度設為σ之情況下， 前述電源在a/σ為2以上之條件下，在前述電磁體上疊加交流電流。
5. 如請求項4所述之成膜裝置，其中，前述電源在a/σ為4以上之條件下，在前述電磁體上疊加交流電流。

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