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TWI877101B - 度量量測中圖案置放錯誤之減少或消除 - Google Patents

度量量測中圖案置放錯誤之減少或消除 Download PDF

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TWI877101B
TWI877101B TW107136647A TW107136647A TWI877101B TW I877101 B TWI877101 B TW I877101B TW 107136647 A TW107136647 A TW 107136647A TW 107136647 A TW107136647 A TW 107136647A TW I877101 B TWI877101 B TW I877101B
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harmonic
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亞爾 飛勒
維拉得摩 朗維司基
洛爾 葛隆海德
夏倫 雅哈崙
伊夫吉尼 古理維克
安娜 格羅茲凡
馬克 吉納渥克
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美商克萊譚克公司
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Abstract

本發明提供用於在成像及散射量測度量兩者中減少或消除一裝置圖案位置與一目標圖案位置之間之一差異同時維持目標可印刷性、製程相容性及光學對比度的度量方法及目標。在量測及/或模擬中，可藉由在遮罩設計中使用具有與週期性結構相同之一週期性(細間距)的次解析輔助特徵及/或藉由使用藉由將學習程序應用於特定校準項而導出之PPE (圖案置放錯誤)校正因數校準量測結果而減少圖案置放偏差。本發明揭示在相同層處、例如在一個或兩個層中(除規則目標結構之外亦)具有多個週期性結構之度量目標，該等度量目標用於尤其在與諸如掃描器像差、離軸照明及其他錯誤源之不對稱效應有關時校準及移除PPE。

Description

度量量測中圖案置放錯誤之減少或消除
本發明係關於度量之領域，且更特定言之係關於用於減少圖案置放錯誤(PPE)之目標及方法。
度量量測利用一系列目標來量測各種度量量度(metrology metrics)，諸如目標層之間之疊對。實例包含標準盒中盒(Box in Box)及AIM(先進成像度量目標，其等具有具大間距(例如，1500nm至2500nm)之週期性光柵)成像OVL(疊對)目標，及SCOL(散射量測疊對)目標(其等具有較小間距，例如，500nm至800nm)，全部該等目標具有遠大於裝置之設計規則間距的典型間距，且因此具有可印刷性問題且亦引入諸如PPE(圖案置放錯誤)之錯誤。
美國專利第9,329,033號(其全文以引用的方式併入本文中)中提供之ASC(Archer自我校準)演算法用於同時校正不準確度及PPE。似裝置目標提供於美國專利申請案第14/820917號(其全文以引用的方式併入本文中)中，其等仍面臨關於其等提供之光學對比度及其等可印刷性之挑戰。
下文係提供對本發明之初步理解之一簡化概述。此概述不一定識別關鍵元件或限制本發明之範疇，而是僅用作以下描述之一引言。
本發明之一個態樣提供一種減少一裝置圖案位置與一對應度量目標中之至少一個週期性結構的一目標圖案位置之間之一差異的方法，該方法包括將具有與該至少一個週期性結構相同之一週期性且為該至少一個週期性結構之接續的次解析輔助特徵添加至該至少一個週期性結構之一遮罩設計，其中該等次解析輔助特徵具有小於一對應可印刷性臨限值之一CD(臨界尺寸)。
本發明之一個態樣提供一種減少一半導體裝置與一對應度量目標之間之PPE偏差的方法，該方法包括：藉由將一學習程序應用於一校準項而自多個目標結構及自其等量測之度量信號導出與不對稱像差有關的一PPE校正；及藉由該PPE校正調整對應量測。
本發明之此等、額外及/或其他態樣及/或優點在以下詳細描述中闡述；可自詳細描述推斷；及/或可藉由實踐本發明而習得。
90:目標結構設計/目標設計
91:光瞳影像/圖案/繞射圖案
92:週期性結構/規則線元件
95:經印刷目標/圖案/經印刷圖案
96:經印刷元件
110:週期性結構/目標結構設計/設計目標/目標設計/圖案
111:光瞳影像/圖案/繞射圖案
112:輔助特徵/次解析輔助特徵(SRAF)/輔助元件
115:經印刷目標/圖案/經印刷圖案
116:經印刷元件
120:目標
122:初始週期性結構
124:切割遮罩
130:目標
132:先前層
132A:週期性結構
132B:週期性結構
134:當前層/週期性結構
134A:週期性結構
134B:週期性結構
200:方法
205:階段
210:階段
212:階段
215:階段
220:階段
230:階段
235:階段/最佳化次解析特徵以最小化目標不對稱性
240:階段
250:階段
260:階段
270:階段
272:階段
274:階段
276:階段
280:階段
290:階段
為更佳理解本發明之實施例且展示可如何實現該等實施例，現將僅藉由實例參考隨附圖式，其中在各處，相似元件符號指定對應元件或區段。
在隨附圖式中：
圖1係根據本發明之一些實施例之在微影遮罩上之度量目標的週期性結構中使用輔助特徵之一高階示意性繪示。
圖2呈現根據本發明之一些實施例之最左與最右經印刷目標元件之CD值之間之差對輔助特徵(SRAF)之CD的相依性之模擬結果。
圖3係繪示根據本發明之一些實施例之一方法之一高階示意性流程圖。
圖4係根據本發明之一些實施例之藉由最佳化次解析特徵以最小化目標不對稱性而製備之目標的一實例之一高階示意性繪示。
圖5係根據本發明之一些實施例之在相同層中具有多個週期性結構之目標的一高階示意性繪示。
圖6係根據本發明之一些實施例之在兩個或更多個層中具有多個週期性結構之目標的一高階示意性繪示。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張於2017年10月23日申請之美國臨時專利申請案第62/576,045號之權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。
在以下描述中，描述本發明之各種態樣。為說明之目的，闡述特定組態及細節以提供對本發明之一透徹理解。然而，熟習此項技術者亦將明白，可在無本文中呈現之特定細節之情況下實踐本發明。此外，可能已省略或簡化熟知特徵以免使本發明不清楚。特定參考圖式，應強調，所展示之細節係作為實例且僅用於本發明之闡釋性論述之目的，且係為了提供據信為本發明之原理及概念態樣之最有用的且容易理解的描述而呈現。就此而言，並未試圖比本發明之一基本理解所必需之細節更詳細地展示本發明之結構細節，結合圖式進行之描述使熟習此項技術者明白可如何在實踐中具體實施本發明之若干形式。
在詳細說明本發明之至少一項實施例之前，應瞭解，本發明在其應用方面不限於在以下描述中闡述或在圖式中繪示之組件之構造及 配置的細節。本發明適用於可依各種方式實踐或實行之其他實施例以及所揭示實施例之組合。再者，應瞭解，本文中所採用之用語及術語係用於描述之目的且不應被視為限制性。
除非另有明確陳述，否則如自以下論述明白，應瞭解，在本說明書各處，利用諸如「處理」、「運算」、「計算」、「判定」、「增強」、「導出」或類似者之術語的論述指代一電腦或運算系統或類似電子運算裝置操縱表示為運算系統之暫存器及/或記憶體內之實體(諸如電子)量的資料及/或將資料變換為類似表示為運算系統之記憶體、暫存器或其他此等資訊儲存、傳輸或顯示裝置內之實體量的其他資料的動作及/或處理程序。
本發明之實施例提供用於增強度量量測準確度之有效率的且經濟的方法及機構，且藉此提供對度量之技術領域之改良。提供用於減小對疊對(OVL)量測之掃描器像差影響的目標設計及演算方法，此克服不容許同時滿足目標可印刷性、製程相容性、可量測性(光學對比度)及小圖案置放錯誤(相對於裝置圖案置放)之要求的先前技術目標設計之先前技術缺點。應注意，雖然本發明旨在於光學照明輻射，但其可擴展至其中照明輻射處於極短波長(諸如x射線)之應用。有利地，所揭示實施例克服由於需要使用具有一粗間距 P c 之專門設計之週期性「代理」目標作為並非裝置本身(其等具有光學上未解析之設計規則間距)之度量目標而造成之困難，藉由成像及/或散射量測度量程序量測具有較大粗間距(通常高於400nm(例如，針對散射量測方法)、900nm(例如，針對成像方法)或更多，相較於通常低於90nm但亦可擴展至數百奈米之裝置間距)之度量目標。
所揭示實施例移除或減少作為疊對之部分量測之經量測目標圖案置放錯誤(PPE)與裝置圖案置放之間的差異，該差異可由裝置及度 量目標之不一致(non-agreeing)結構尺度引起，且在先前技術中可超過1nm或數nm。下文揭示目標組態及量測校正及/或校準之任一或兩個方法，且其等可組合以增強量測準確度。所揭示目標設計容許一大幅相對PPE減少而不損及目標製程相容性及目標可量測性(對比度)，且所揭示之目標設計及演算方法容許即時(on-the-fly)PPE校正。應注意，雖然下文參考疊對作為一非限制代表性度量量度，但其他度量量度亦可用於所揭示方法中。應強調，所揭示方法適用於成像度量(例如，AIM目標及類似結構)及散射量測度量(例如，SCOL目標及類似結構)兩者。
有利地，所揭示目標自經印刷目標移除CD變動，且減少與CD變動相關聯之PPE(據發現其與掃描器像差有關)。此發現有助於避免PPE對掃描器像差之敏感度(其以CD變動表示)增加一個數量級。發現CD變動對一階繞射級之振幅提供一純虛數(相位)加法，且因此既不提供焦點斜率亦不提供任何疊對錯誤放大，亦不需要特定選取配方設置以確保準確疊對量測條件，利用此發展出避免此等因數以識別、隔離、量測及移除相對PPE而達到優於1nm之像差振幅量測之一解析度的目標設計及量測方法。
本發明提供用於在成像度量及散射量測度量兩者中減少或消除裝置與對應度量目標之間之圖案置放錯誤(PPE)之差異，同時維持目標可印刷性、製程相容性及光學對比度的度量方法及目標。在量測及/或模擬中，可藉由使用具有與目標之週期性結構相同之一週期性的次解析輔助特徵及/或藉由使用藉由將學習程序應用於特定校準項而導出的PPE校正因數校準量測結果而減少目標PPE與裝置PPE之間的差異。本發明揭示在相同層處(例如，在一個或兩個層中)(除規則目標結構之外亦)具有多個 週期性結構之度量目標，該等度量目標用於尤其在與不對稱效應(諸如掃描器像差、離軸照明及其他錯誤源)有關時校準及移除PPE。
某些實施例藉由以下操作而減少或甚至移除由不對稱掃描器像差引起之PPE之部分，以改良疊對量測之總準確度同時保持一可接受量測效能：使用具有與分段間距相同之週期性的輔助特徵；僅用信號之二次諧波量測；及/或將校準方案應用於度量量測，如下文詳細揭示。可在任何度量平台中實施各種實施例以改良與CDSEM(臨界尺寸掃描電子顯微鏡)疊對量測(其係疊對量測之準確度的主要參考)之匹配且提供與真實裝置更相關之疊對值。
在某些實施例中，所揭示之方法及目標可經組態以處置由(若干)掃描器像差(如在圖1中之一非限制性實例中論述)、EUV(極紫外線)之離軸照明等引起且可能由其他因數(諸如對稱掃描器像差(例如，焦點)或蝕刻期間之微負載效應)增強的不對稱性。
圖1係根據本發明之一些實施例之在微影遮罩上之度量目標的週期性結構110中使用輔助特徵112之一高階示意性繪示。圖1顯示與至少一個週期性結構相同之一週期性且為在該至少一個週期性結構110之兩端的接續的至少二個次解析輔助特徵112。圖1提供以下各者之一示意性比較：具有全部印刷於目標中之具一(細)間距P1之週期性結構92的遮罩上之目標結構設計90與具有經印刷之具一間距P1之週期性結構92及未經印刷之具一間距P2(例如，P2=P1)之輔助特徵112的遮罩上之目標結構設計110；具有分別表示為96、116之具對應CD(指示為CD1、CD2、CD3、CD4等)及PPE(指示為PPE1、PPE2、PPE3、PPE4等)之經印刷元件的對應經印刷目標95、115；及對應光瞳影像91、111。
本發明者已發現，在某些實施例中，將目標110設計為使P2接近P1或P2=P1提供下文揭示之優點。應注意，所揭示之方法及目標可 適用於成像度量技術及散射量測度量技術兩者，而提供例如成像度量中之更均勻CD及更小PPE以及更均勻光瞳繞射信號，如分別在圖案95、115及91、111中示意性地繪示。
本發明者已發現不對稱掃描器像差與CD可變性之間的一關係，如下文揭示(參見方程式1)。例如，對於圖1中繪示之目標元件(例如，來自標準分段AIM目標之具有介於1.2μm與2.4μm之間之間距 P c 及大約
Figure 107136647-A0305-12-0007-13
之粗CD的元件)，繪示其在遮罩(110)上不具有(90、95、91)及具有(110、115、111)具間距P2之次解析輔助特徵(SRAF)112，間距P2具有與分段間距P1相同之週期。對於目標設計90，跨圖案95之CD可變性及PPE較高(例如，約為數nm)，而對於所揭示之目標設計110，跨圖案115之CD可變性及PPE較低(例如，小於1nm或小於0.5nm)。像差之不對稱性可由經印刷圖案95、115之最左線與最右線之間的CD差異表示，其對於來自缺少輔助特徵之目標設計90的經印刷圖案95可為例如數nm(例如，大約2.5nm)；且對於來自具有輔助特徵112之目標設計110的圖案115小於1nm(例如，小於大約0.5nm)。
圖1進一步呈現各自目標設計90、110之光瞳平面中的繞射圖案91、111(圖式表示目標設計之一個粗間距)。圖之各者中的兩個最大峰值對應於分段間距(目標之週期性結構的元件可按一細間距P1分段，細間距P1遠小於粗間距 P c 且接近裝置間距，以增強目標可印刷性)，而全部其他較小峰值對應於粗間距 P c 。最大繞射峰值造成整個各自目標之位移(當分段間距等於或非常接近裝置間距時，位移等於歸因於像差之裝置位移)，而其他繞射級造成CD調變效應(例如，最左CD與最右CD之間的差異)。如圖案110中繪示，添加輔助特徵112減小其他繞射級之振幅且因此 提供減小對應CD可變性之輔助特徵組態。
圖2呈現根據本發明之一些實施例之最左與最右經印刷目標元件之CD值之間之差對輔助特徵112(SRAF)之CD的相依性之模擬結果。模擬結果顯示，隨著遮罩輔助特徵112之大小(例如，CD)之增加，最左CD與最右CD之間之差異(不對稱像差)減小，且在(輔助元件112之)SRAF大小接近遮罩上之規則線元件92之大小(CD)時消失。
在以下分析中，本發明者已發現CD變動提供對裝置圖案之位置與疊對目標(在使用疊對量測儀器進行觀察時)之位置之間之偏差的主要影響。例如，若在將目標分段間距P1選取為等於裝置間距時無CD變動，則整個疊對目標將歸因於相同掃描器像差而隨裝置精確位移。因此，在此情況中，裝置與疊對目標之位置之間將不存在偏差(無PPE偏差)。
方程式1表示由僅零階繞射級與±1階繞射級之間之一干擾引起的一信號強度I，該等繞射級由一物鏡(例如，其在一CCD(電荷耦合裝置)上)捕獲。A 0 及A 1 分別表示零階繞射及一階繞射之振幅，Ψ表示歸因於目標形貌及透鏡焦點位置之零階與一階之間的相位差，GP表示光柵位置，且項
Figure 107136647-A0305-12-0008-1
/
Figure 107136647-A0305-12-0008-2
(掃描器像差引發之項)描述歸因於由掃描器像差引起之CD變動之+1階繞射與-1階繞射之間的相位差，其中△CD n 係關於目標中心對稱之第n對線之CD差，
Figure 107136647-A0305-12-0008-4
係平均CD值，且d n 對應於此對線距目標中心之距離。
Figure 107136647-A0305-12-0008-3
如方程式1中表示，掃描器像差引發之項可解釋為至真實光柵位置之一額外位移且判定其等歸因於像差之PPE錯誤。對於圖1中呈 現之設計，掃描器像差引發之項針對目標設計90提供約3.5nm之一疊對錯誤且針對目標設計110提供約1nm之一疊對錯誤。
圖3係繪示根據本發明之一些實施例之一方法200的一高階示意性流程圖。方法200可至少部分由例如一目標設計模組及/或一度量模組中之至少一個電腦處理器實施。某些實施例包括電腦程式產品，該等電腦程式產品包括具有隨其具體實施且經組態以實行方法200之相關階段之電腦可讀程式的一電腦可讀儲存媒體。某些實施例包括藉由方法200之實施例設計之各自目標的目標設計檔案。方法200可包括以下階段，無關於其等順序，該等階段經組態以達成目標可印刷性、製程相容性、光學對比度及小圖案置放錯誤PPE及/或裝置與對應目標之間的小或無PPE偏差(階段205)。
根據以下實施例之任一者，方法200可包括設計提供裝置與對應目標之間之小或無PPE偏差或相對PPE的目標(階段210)。方法200可包括將具有與(若干)目標週期性結構相同之一週期性且為該(若干)週期性結構之接續的次解析輔助特徵添加至該(若干)週期性結構之遮罩設計(階段212)，以用具有與目標之細間距相同之間距且具有小於一對應可印刷性臨限值之一CD(臨界尺寸)的次解析輔助元件擴展目標週期性結構(階段215)。方法200可包括組態輔助特徵使其具有與目標細間距相同之週期性(階段220)。可將SRAF輔助特徵之尺寸最佳化為仍低於可印刷性臨限值之最大值(例如，參見圖2)。輔助特徵可例如藉由使用模擬方法或藉由使用具有用以判定可印刷性臨限值及限制之經印刷目標陣列的一特殊遮罩而組態，該特殊遮罩諸如經組態以判定可印刷性窗口之運用規則可印刷性驗證程序之特殊遮罩、FEM(焦點曝光矩陣)晶圓、CDSEM(臨界尺寸掃描 電子顯微鏡)等。
在某些實施例中，方法200可進一步包括使用最佳化之相移遮罩以最小化目標不對稱性(階段230)。可例如使用(若干)模擬及/或實驗量測最佳化相移遮罩以最小化目標之像差相關不對稱性，同時使總位移維持為類似於裝置位移。使用各種方法，輔助特徵可經選擇或經組態以最小化CD變動，此連同選擇等於裝置間距之目標元件的一細分段間距一起最小化或消除裝置與對應目標之間的相對PPE。最佳化可包括例如類OPC(光學近接校正)最佳化，其中最佳化之自由參數包含例如遮罩特徵之數目、遮罩特徵之置放、各特徵大小及相位等。
在某些實施例中，方法200可進一步包括最佳化次解析特徵以最小化目標不對稱性(階段235)。例如，可使用具有次解析度間距之(若干)週期性結構來構造非相移遮罩上之特徵，該等特徵實際上可表現為類似於相移遮罩，如可使用有效介質理論(例如，參見美國專利申請公開案第2015/0309402號中之用於焦點偏移目標之有效介質理論之應用，該案之全文以引用的方式併入本文中)推論。
圖4係根據本發明之一些實施例之藉由最佳化次解析特徵以最小化目標不對稱性235而製備之目標120的一實例之一高階示意性繪示。可使用一初始週期性結構122(其可為基於裝置的且具有一最小設計規則間距(例如，介於80nm至150nm、30nm至100nm或10nm至50nm之間，此取決於掃描器技術))且應用一切割程序(示意性地繪示為切割遮罩124)以產生製程層之疊對目標120而產生目標120，其中因為目標結構在尺寸上類似於裝置結構且因為圖案中不存在間隙(例如，無大於100nm之間隙)，所以目標120具有最小可能NZO(非零偏移)，不具有可印刷性 問題，而使目標120製程相容。因為目標120亦針對量測光學工具提供足夠對比度，所以其等亦為適當度量目標。
在某些實施例中，方法200可進一步包括設計目標之1：1線：空間(L：S)比(或近似如此，例如，0.9<L：S<1.1)，且量測二次諧波(在無一階之情況下，二階及零階繞射級信號之干擾)(階段240)。應用類似於方程式1之考量，描述歸因於由掃描器像差引起之CD變動之+2階繞射級與-2階繞射級之間之相位差的掃描器像差引發之項與
Figure 107136647-A0305-12-0011-5
/
Figure 107136647-A0305-12-0011-6
成比例。本發明者斷定，若線：空間比(L：S)接近1：1，對經量測疊對之極端特徵影響接近零，則4d n
Figure 107136647-A0305-12-0011-14
P，且信號之此部分不含有與掃描器像差有關之不準確度。因此，度量目標可設計為及/或選擇為具有目標之一1：1 L：S比且使得二次諧波主要包含零階及二階干擾(即，二次諧波中之-1階及+1階干擾部分遠更小)。因此，此等目標之度量量測係相對於二次諧波實行，且減少或移除預期不準確度(歸因於極端特徵差異)(例如，使其接近或等於零)。
對散射量測疊對(SCOL)度量應用類似考量，SCOL目標可經設計及/或經選擇以使用二階繞射級信號而非一階繞射級信號以最小化不對稱性(諸如與掃描器像差有關之不對稱性)之影響。
方法200可包括校正及/或校準經量測疊對值以減小PPE偏差及/或PPE值(階段250)，以自量測移除不對稱分量。下文提供校準程序之(若干)實例。目標包括具有良好建立之一次及二次諧波(或任何其他諧波對)之週期性結構且係在具有不同已知像差 A 1 及 A 2 之至少兩個晶圓上產生。度量量測可包含在至少兩個晶圓上僅使用一次諧波量測疊對以產生 OVL 1 ，且僅使用二次諧波量測疊對以產生 OVL 2 。可使用不同設置(例如， 關於光譜、焦點等)量測諧波。
方程式2表示不同晶圓上之疊對之間的差異，假定差異僅歸因於掃描器像差，其中 PPE i 表示i次諧波之PPE且 RealOffset 表示真實偏移。
Figure 107136647-A0305-12-0012-7
在校準程序中，若 RealOffset 較小(例如，在使用模擬驗證時)，則可將其忽略，否則可使用微影模擬來學習 RealOffset (例如，甚至具有根據目標之細間距及細CD設計之一間距及CD的緻密週期性結構之空間影像模擬可滿足學習之需要)。替代地或補充地，方法200可包括使用例如量測模擬根據方程式2A學習 PPE i ，以產生量測對由掃描器不對稱像差(其等可使用微影模擬學習)引起之不對稱性的敏感度。Fi表示歸因於像差之i次諧波的量測錯誤之斜率且係根據經驗估計。
Figure 107136647-A0305-12-0012-8
自方程式2A，可在一訓練階段中關於一或多個參數(諸如諧波、波長、光柵等)學習校準常數
Figure 107136647-A0305-12-0012-9
。在運行時間期間，在量測 一新位點及/或晶圓時，具有表示為
Figure 107136647-A0305-12-0012-10
之一未知像差A(其中在方程式3中表示D)且提供方程式4中表示之經校正疊對。
D=OVL i -OVL j =PPE i -PPE j =(F i -F j )A 方程式3
OVL=OVL i -PPE i =OVL i -R． D 方程式4
在某些實施例中，上文呈現之校準可使用不同波長代替諧波來實行，或除諧波之外亦可使用不同波長來實行。
對SCOL度量應用類似考量，SCOL目標可經構造以提供二階及一階繞射信號，且SCOL量測可經組態以例如使用不同繞射級、不同波長及/或光瞳平面之不同部分之任一者提供可對其等實施以上程序之至少兩個單獨疊對量測。
在某些實施例中，方法200可進一步包括自經量測信號移除(若干)不對稱分量(階段260)。
在某些實施例中，方法200可進一步包括使用多個目標及度量信號(諸如用於散射量測之繞射級及用於成像量測之諧波信號)以移除像差(階段270)。方法200可進一步包括藉由將一學習程序應用於一校準項而自目標及信號導出與不對稱像差有關之一PPE校正(階段272)，其中例如根據方程式2至方程式4實行學習程序，且方法200可包括重複導出(階段274)以校準度量量測。在某些實施例中，方法200可進一步包括藉由PPE校正調整對應量測(階段276)。
在某些實施例中，方法200可進一步包括使用在相同層中具有多個週期性結構之目標(階段280)，其中週期性結構經組態以在量測時提供PPE校正。週期性結構之間距及/或CD可相同或不同。方法200可進一步包括藉由以一最小設計規則間距對一週期性結構應用一切割程序以產生具不同間距及CD之週期性結構而在一個層中產生多個目標結構(階段290)。
方法200之實施例可應用於散射量測及/或成像度量，此取決於目標之特定組態及量測程序。
圖5係根據本發明之一些實施例之在相同層中具有多個週期性結構(階段280)的目標130之一高階示意性繪示。某些實施例包括以下 校準方法及根據其設計之目標。
目標130可在至少一個相同層中包括至少兩個週期性結構。例如，目標130可包括在各量測方向上具有三對週期性結構之一個三重AIM或等效目標，其經修改以將其光柵之兩者印刷於相同層上(例如，參見下文圖6)。(若干)相同層中之週期性結構的設計可類似或不同，例如，具有不同粗間距，及/或在一些情況中可具有不同細分段間距(例如，分段間距為96nm及160nm)，且回應於掃描器像差而截然不同。當類似時，週期性結構可具有相同幾何不對稱性(例如，具有相同細CD及相同細間距)以使量測與不對稱像差之類型無關，且因此針對全部像差及似像差PPE，不對稱回應不變且所學習常數相同。粗間距及CD可使用方程式1、工具模擬及/或根據經驗之任一者最佳化，以例如放大週期性結構之間之經量測疊對回應之差異。替代地或補充地，週期性結構之設計可經組態以具有可例如使用微影及/或處理程序之模擬驗證的成比例不對稱性。在某些實施例中，至少兩個週期性結構可在粗CD、粗間距、分段之跨度(其等之一些可在一或多個週期性結構中移除)之任一者方面不同，以放大週期性結構之間之經量測疊對回應之差異，如藉由方程式1指示。在某些實施例中，可在例如具有不同已知像差 A 1 及 A 2 之至少兩個晶圓上產生及量測目標。參考圖5，目標130可在相同(至少一個)層中(例如，在一先前層132中)包括兩個或更多個週期性結構132A、132B，且在一或多個其他層中(例如，在一當前層134中)具有(若干)額外週期性結構134。如上文論述，週期性結構132A、132B可在其等參數(CD、間距、範圍及尺寸)之任一者方面不同或包括類似結構。
在某些實施例中，可根據上文概述之原理(方程式2至4)實 行且在下文提供對在至少一個相同層中具有至少兩個週期性結構之目標130的量測。可在兩個晶圓(具有不同已知像差 A 1 及 A 2 )上使用光柵F量測兩個層之間之疊對以提供 OVL 1 且使用光柵S量測以提供 OVL 2 。量測可使用不同設置(光譜、焦點等)且使用任何演算法實行。處理可根據方程式2實行，其中 PPE i 表示第i光柵之PPE，且其中若 RealOffset 較小或使用如上文揭示之微影模擬及/或方程式2A學習則將其忽略。可使用例如一次諧波(或在散射量測之情況中，繞射級)定義及學習校準常數
Figure 107136647-A0305-12-0015-11
以使用與較高及/多個諧波相比對製程變動較不敏感之量測(因為製程變動改變經量測信號中之不同諧波之振幅之間的比率)。量測具有未知像差A之某(若干)新位點及/或晶圓可使用方程式3及方程式4來實行。
對SCOL量測應用類似考量，可使用兩個或更多個不同SCOL目標，該等SCOL目標使用類似演算法且根據上文概述之原理(方程式2至方程式4)實行校準而在一或多個層中具有不同目標設計，且在另一或多個層中具有類似目標設計，其中R使用例如量測工具模擬或使用方程式2而學習。
在某些實施例中，可藉由最佳化照明參數(諸如光譜及焦點)而實行校準，以針對各諧波(可能針對各位點及/或針對各層)達成最小形貌相位，例如，如美國專利申請公開案第2017/0146915號中所揭示，該案之全文以引用的方式併入本文中。可藉由以下操作而執行最佳化：在各位點上且針對各週期性結構(例如，光柵)在週期性結構附近掃描照明設置(例如，光譜、焦點)，及針對各諧波識別具有零(或接近零)形貌相位之照明設置(例如，波長)；且接著使用經識別之設置(例如，波長及焦點位置)量測對應週期性結構及對應諧波。
圖6係根據本發明之一些實施例之在兩個或更多個層中具有多個週期性結構的目標130之一高階示意性繪示。某些實施例包括在各量測方向上具有四對週期性結構之四重AIM目標130或等效目標，其中至少兩個週期性結構132A、132B及134A、134B可分別在至少兩層132及134(諸如分別為先前層及當前層)之各者中。目標130可用於同時量測及移除來自先前層及當前層132、134兩者之不對稱效應，諸如掃描器像差。某些實施例包括可經構造(示意性地指示為在先前層132下方之選用額外層)而每兩個或更多個層具有多個週期性結構的多個目標130。
上文關於根據本發明之實施例之方法、設備(系統)及電腦程式產品之流程圖繪示及/或部分圖來描述本發明之態樣。將瞭解，可藉由電腦程式指令實施流程圖繪示及/或部分圖之各部分以及流程圖繪示及/或部分圖中之部分之組合。可將此等電腦程式指令提供至一通用電腦、專用電腦或產生一機器之其他可程式化資料處理設備的一處理器，使得經由電腦或其他可程式化資料處理設備之處理器執行的指令產生用於實施在流程圖及/或部分圖或其部分中指定之功能/動作的手段。
此等電腦程式指令亦可儲存於一電腦可讀媒體中，其可引導一電腦、其他可程式化資料處理設備或其他裝置以一特定方式運作，使得儲存於電腦可讀媒體中之指令產生包含實施在流程圖及/或部分圖或其部分中指定之功能/動作之指令的一製品。
亦可將電腦程式指令載入至一電腦、其他可程式化資料處理設備或其他裝置上以引起在電腦、其他可程式化設備或其他裝置上執行一系列操作步驟而產生一電腦實施處理程序，使得在電腦或其他可程式化設備上執行之指令提供用於實施在流程圖及/或部分圖或其部分中指定之 功能/動作的處理程序。
前述流程圖及圖繪示根據本發明之各種實施例之系統、方法及電腦程式產品之可行實施方案的架構、功能性及操作。就此而言，流程圖或部分圖中之各部分可表示包括用於實施(若干)指定邏輯功能之一或多個可執行指令的程式碼之一模組、片段或部分。亦應注意，在一些替代實施方案中，該部分中所提及之功能可不按圖中提及之順序發生。例如，取決於所涉及之功能性，連續展示之兩個部分事實上可實質上同時執行，或該等部分有時可按相反順序執行。亦將注意，部分圖及/或流程圖繪示之各部分以及部分圖及/或流程圖繪示中之部分之組合可藉由執行指定功能或動作或專用硬體及電腦指令之組合的專用基於硬體之系統來實施。
在上文描述中，一實施例係本發明之一實例或實施方案。「一項實施例」、「一實施例」、「某些實施例」或「一些實施例」之各種出現不一定皆指代相同實施例。儘管可在一單一實施例之內容背景中描述本發明之各種特徵，然亦可單獨或以任何適合組合提供該等特徵。相反地，儘管為清楚起見可在本文中在單獨實施例之內容背景中描述本發明，然本發明亦可實施於一單一實施例中。本發明之某些實施例可包含來自上文揭示之不同實施例之特徵，且某些實施例可併有來自上文揭示之其他實施例之元件。本發明之元件在一特定實施例之內容背景中的揭示不應被視為將其等使用僅限於特定實施例中。此外，應瞭解，本發明可以各種方式實行或實踐，且本發明可在除上文描述中概述之實施例外之某些實施例中實施。
本發明不限於該等圖或對應描述。例如，流程不需要移動通過各所繪示方框或狀態或呈與所繪示及描述完全相同之順序。除非另有 定義，否則本文中使用之技術及科學術語之意義應如本發明所屬技術之一般技術者所通常理解。雖然已參考有限數目個實施例描述本發明，但此等實施例不應被解釋為限制本發明之範疇，而是作為一些較佳實施例之例示。其他可能變動、修改及應用亦在本發明之範疇內。因此，本發明之範疇不應藉由目前為止已描述之內容限制，而是由隨附發明申請專利範圍及其等合法等效物限制。
90‧‧‧目標結構設計/目標設計
91‧‧‧光瞳影像/圖案/繞射圖案
92‧‧‧週期性結構/規則線元件
95‧‧‧經印刷目標/圖案/經印刷圖案
96‧‧‧經印刷元件
110‧‧‧週期性結構/目標結構設計/設計目標/目標設計/圖案
111‧‧‧光瞳影像/圖案/繞射圖案
112‧‧‧輔助特徵/次解析輔助特徵(SRAF)/輔助元件
115‧‧‧經印刷目標/圖案/經印刷圖案
116‧‧‧經印刷元件

Claims (20)

  1. 一種減少一裝置圖案位置與一對應度量目標中之至少一個週期性結構的一目標圖案位置之間之一差異的方法，該方法包括將具有與該至少一個週期性結構相同之一週期性且為在該至少一個週期性結構之兩端的接續的至少二個次解析輔助特徵添加至該至少一個週期性結構之一遮罩設計，其中該等次解析輔助特徵具有小於一對應可印刷性臨限值之一臨界尺寸(CD)；及量測一次階(first order)及零階(zero order)繞射級信號之至少一者之一干擾。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括使用最佳化之相移遮罩以最小化目標不對稱性。
  3. 如請求項2之方法，其中使用針對該目標之光學近接校正的模擬結果來最佳化該等相移遮罩。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包括藉由導出低於一可印刷性臨限值之該等次解析輔助特徵的一最大間距而最佳化該等次解析輔助特徵以最小化目標不對稱性。
  5. 如請求項4之方法，其中使用模擬來實行該最佳化。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包括自該度量目標量測包括二階及零階繞射級信號之一干擾的二次諧波。
  7. 如請求項1之方法，其應用於成像度量及對應目標。
  8. 如請求項7之方法，其中該至少一個週期性結構之元件進一步以一細間距分段。
  9. 如請求項1之方法，其應用於散射量測度量及對應目標。
  10. 一種根據如請求項1之方法設計的度量目標。
  11. 一種減少一半導體裝置與一對應度量目標之間之圖案置放錯誤(PPE)偏差的方法，該方法包括：藉由將一學習程序應用於一校準項而自多個目標結構及自其等量測之多個度量信號導出與不對稱像差有關之一PPE校正，其中該等度量信號是基於一次階(first order)及零階(zero order)繞射級信號之至少一者之至少一干擾，及藉由該PPE校正調整對應量測。
  12. 如請求項11之方法，其中根據以下方程式實行該學習程序：
    Figure 107136647-A0305-13-0002-12
     =RealOffset(A 1 -A 2 )+F i (A 1 -A 2 )方程式3： D=OVL i -OVL j =PPE i -PPE j =(F i -F j )A 方程式4： OVL=OVL i -PPE i =OVL i -R． D 其中PPE i 是第i個諧波的圖案置放錯誤，PPE j 是第j個諧波的圖案置放錯誤，A是晶圓的像差，A1及A2是晶圓1及晶圓2的像差，F i 是第i個諧波的量測錯誤的斜率，F j 是第j個諧波的量測錯誤的斜率，OVL是校正過的疊對，OVL i是第i個諧波的疊對，OVL j 是第j個諧波的疊對，R是校準常數。
  13. 如請求項11之方法，其進一步包括自該度量目標量測包括二階及零階繞射級信號之一干擾的二次諧波。
  14. 如請求項11之方法，其進一步包括藉由重複該PPE校正之該導出而校準度量量測。
  15. 如請求項11之方法，其進一步包括在具有兩個或更多個目標結構的至少一個層中組態該等多個目標結構以在量測時提供該PPE校正。
  16. 如請求項15之方法，其中各層中之該兩個或更多個目標結構具有相同細間距。
  17. 如請求項15之方法，其中該兩個或更多個目標結構之間距及/或CD不同。
  18. 如請求項11之方法，其進一步包括藉由以一最小設計規則間距對一週期性結構應用一切割程序以產生具不同間距及臨界尺寸(CD)的週期性結構而在一個層中產生該多個目標結構。
  19. 如請求項11項之方法，其應用於成像度量、對應目標及自該等對應目標量測之諧波。
  20. 如請求項11之方法，其應用於散射量測度量、對應目標及自該等對應目標量測之繞射信號。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019083560A1 (en) * 2017-10-23 2019-05-02 Kla-Tencor Corporation REDUCTION OR ELIMINATION OF PATTERN PLACEMENT ERROR IN METROLOGY MEASUREMENTS
WO2020091733A1 (en) 2018-10-30 2020-05-07 Kla-Tencor Corporation Estimation of asymmetric aberrations
US11360397B2 (en) * 2019-09-17 2022-06-14 Kla Corporation System and method for application of harmonic detectivity as a quality indicator for imaging-based overlay measurements
CN113325661B (zh) * 2020-02-28 2024-12-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光罩图形测量方法及其系统
US11686576B2 (en) 2020-06-04 2023-06-27 Kla Corporation Metrology target for one-dimensional measurement of periodic misregistration
JP7667884B2 (ja) 2021-12-17 2025-04-23 ケーエルエー コーポレイション ターゲットの配置精度を向上させるためのオーバーレイターゲットの設計

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100168895A1 (en) * 2008-10-30 2010-07-01 Hiromitsu Mashita Mask verification method, method of manufacturing semiconductor device, and computer readable medium
US20140065733A1 (en) * 2011-01-24 2014-03-06 International Business Machines Corporation Discrete sampling based nonlinear control system
US20140141536A1 (en) * 2012-11-09 2014-05-22 Kla-Tencor Corporation Method and System for Providing a Target Design Displaying High Sensitivity to Scanner Focus Change
US20150346605A1 (en) * 2014-06-02 2015-12-03 Asml Netherlands B.V. Method of Designing Metrology Targets, Substrates Having Metrology Targets, Method of Measuring Overlay, and Device Manufacturing Method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050136340A1 (en) * 2000-07-21 2005-06-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and methods, patterning structure and method for making a patterning structure, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7541201B2 (en) * 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US7075639B2 (en) * 2003-04-25 2006-07-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and mark for metrology of phase errors on phase shift masks
US7608468B1 (en) * 2003-07-02 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies, Corp. Apparatus and methods for determining overlay and uses of same
US9779186B2 (en) * 2007-08-28 2017-10-03 Asml Netherlands B.V. Methods for performing model-based lithography guided layout design
US20140353526A1 (en) * 2008-09-01 2014-12-04 D2S, Inc. Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography
TWI625816B (zh) * 2013-04-10 2018-06-01 Kla-Tencor Corporation 在目標設計及生產中之直接自行組裝
CN106164733B (zh) * 2014-03-31 2020-06-30 科磊股份有限公司 使用散射术计量的焦点测量
KR102202517B1 (ko) * 2014-07-13 2021-01-13 케이엘에이 코포레이션 오버레이 및 수율 임계 패턴을 이용한 계측
JP2016021008A (ja) * 2014-07-15 2016-02-04 凸版印刷株式会社 マルチパターニング用マスクのパターン評価方法およびパターン評価装置
US10228320B1 (en) * 2014-08-08 2019-03-12 KLA—Tencor Corporation Achieving a small pattern placement error in metrology targets
KR102788661B1 (ko) * 2016-04-04 2025-03-28 케이엘에이 코포레이션 필 팩터 변조에 의한 공정 호환성 개선
WO2019083560A1 (en) * 2017-10-23 2019-05-02 Kla-Tencor Corporation REDUCTION OR ELIMINATION OF PATTERN PLACEMENT ERROR IN METROLOGY MEASUREMENTS
CN113168111B (zh) * 2018-12-03 2024-05-03 Asml荷兰有限公司 用于预测半导体制造过程的产率的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100168895A1 (en) * 2008-10-30 2010-07-01 Hiromitsu Mashita Mask verification method, method of manufacturing semiconductor device, and computer readable medium
US20140065733A1 (en) * 2011-01-24 2014-03-06 International Business Machines Corporation Discrete sampling based nonlinear control system
US20140141536A1 (en) * 2012-11-09 2014-05-22 Kla-Tencor Corporation Method and System for Providing a Target Design Displaying High Sensitivity to Scanner Focus Change
US20150346605A1 (en) * 2014-06-02 2015-12-03 Asml Netherlands B.V. Method of Designing Metrology Targets, Substrates Having Metrology Targets, Method of Measuring Overlay, and Device Manufacturing Method

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