JP2016021008A - マルチパターニング用マスクのパターン評価方法およびパターン評価装置 - Google Patents

Abstract

【課題】マルチパターニング用の複数のマスクの位置ずれを、パターンの三次元形状の違いによるウェハ転写への影響も考慮して、評価する方法を提供する。
【解決手段】指定されたホットスポット領域に対応する全てのマルチパターニング用マスクのＳＥＭ画像を取得するとともに、パターン側壁角度を計測し、全てのマルチパーニング用マスクのＳＥＭ画像を合成した後、パターン間の距離と重心位置を算出して設計データと比較し、位置ずれが許容値以上だった場合にはパターンの修正又はマスクの再作製を行う。また、位置ずれが許容値より小さい場合でも、パターン側壁角度のマスク間の差が許容値以上だった場合には、マスクパターンの露光シミュレーションを実施して、露光後のパターンにて位置ずれを調査し、位置ずれ量が許容値以上の場合には、パターンの修正又はマスクの再作製を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は電子顕微鏡を用いたフォトマスクのパターン評価システムにおいて、マルチパターニングにより複数枚のマスクを用いてウェハにパターンを露光する際、パターンの三次元形状の影響を含めたマスク間のパターン位置精度を評価する、マルチパターニング用マスクのパターン評価方法およびパターン評価装置に関する。

近年、半導体デバイスの微細化・複雑化に対応するための技術開発が進められている。現在、次世代のリソグラフィ技術として、極端紫外線源を使ったＥＵＶリソグラフィが本命視されているが、光源の出力不足のため、当初予想されていた量産適用は見送られ、その代替技術としてマルチパターニングの適用が見込まれている。

マルチパターニングとは、ウェハ上に形成されるパターンデータを３つ以上に分割し、それぞれを別々のマスクに形成したもので、マスクパターンのウェハへの露光転写と、その後のエッチング工程をマスク枚数分だけ繰り返し行うことで、ウェハ上に微細なパターンを高密度に形成することを可能とする技術である。マルチパターニングに使われるマスクは、高いパターン寸法精度が要求されるだけでなく、パターンの位置精度も非常に重要である。

特にマルチパターニング用のマスクにおいては、１枚のマスク面内における位置精度のみならず、他のマスクのパターンとの位置関係も高精度にコントロールされている必要がある。

従来、フォトマスクにおけるパターン位置精度は、モニタパターンと呼ばれる専用の十字パターンをマスク全面に描画し、寸法測定装置を使って評価しており、実際のデバイスパターンそのものの位置精度を直接的には測定していなかった。また、パターン位置精度の測定は、１枚のマスク面内におけるパターンを対象としたものであり、マルチパターニングに使われる複数のマスク間での位置精度は計測する手段がなかった。

そこで、複数マスク間の位置精度を計測する手段として、特許文献１に記載されている方法が提案されている。ここでは、ダブルパターニングに使用する２枚のマスクについて、ホットスポット領域となる座標位置のＳＥＭ画像をそれぞれ取得して重ね合わせ表示し、パターンのエッジ間の距離が設計値とどのくらいずれているかを調べ、欠陥か否かを判定している。また、それぞれのマスク画像を露光シミュレーションした結果から、パターンエッジ間の距離を算出し設計値とのずれを元に欠陥か否かを判定している。

特許第４９９１４９９号公報

従来、ＥＵＶマスクではＥＵＶ光を反射する形態であることから、マスクパターンの側壁角度の変化がウェハ転写パターンの寸法に影響することが知られている。一方、ＡｒＦ光による透過型のフォトマスクにおいても、近年のパターン寸法の高精度化、高密度化により側壁角度の変化がウェハ転写に影響することが分かっている。特に、マルチパターニングにおいては、ウェハ上において別のマスクによる転写パターンがより近接することになるため、側壁角度の変化によるウェハパターンの寸法変動が致命的な欠陥となる可能性が高まる。

しかしながら、従来技術においてはマスクパターンを二次元平面として捉えており、パターンの側壁角度などの三次元の影響については考慮されていなかった。３枚以上のマスクによるマルチパターニングが使われる先端半導体デバイスにおいては、マスクパターンの側壁角度がウェハ転写に与える影響がさらに大きくなるため、パターン間の位置精度はパターンの三次元形状の影響も含めて評価する必要がある。

本発明はこれらの課題を解決するためになされたもので、第１の目的はマルチパターニング用マスクのパターンを評価する際、パターンの三次元形状の違いによるウェハ転写への影響も考慮して、マスク間の位置ずれを評価することができる方法を提供することである。

また、パターンの三次元形状の違いを含めた位置精度を確認することで、高精度なマルチパターニング用マスクを製造することを目的とする。
なお、本発明はマルチパターニング用マスクに限定するものではなく、２枚のマスクを使用するダブルパターニング用マスクにおいても適用可能である。

上記課題を解決するための本発明の一局面は、マルチパターニング用マスクのパターン評価方法であって、パターンの設計データに基づいて、評価対象となるホットスポット領域を指定する工程と、ホットスポット領域の全てをパターニングするのに用いる複数のマスクのＳＥＭ画像を取得する工程と、複数のマスクのパターン側壁角度を計測する工程と、複数のマスクのＳＥＭ画像を合成する工程と、合成したＳＥＭ画像に基づいて各パターン間の距離を計測する工程と、パターンごとの重心位置を算出する工程と、パターン間距離及び重心位置をそれぞれのパターンの設計データと比較して、パターンの設計データからの位置ずれ量を算出する工程と、パターンの位置ずれ量が、位置ずれ許容値以上であるか否かを判定する工程と、パターンの位置ずれ量が位置ずれ許容値以上である場合に、当該パターンに対応するマスクの修正又は再作製を行う工程と、パターンの位置ずれ量が位置ずれ許容値より小さい場合に、複数のマスク間のパターン側壁角度を比較し、複数のマスク間のパターン側壁角度の差が角度差許容値以上であるか否かを判定する工程と、複数のマスク間のパターン側壁角度の差が角度差許容値以上である場合に、複数のマスクによりパターニングされるパターンの露光シミュレーションを実施する工程と、露光シミュレーションにより得られたパターンの設計データとの位置ずれ量が位置ずれ許容値以上であるか否かを判定する工程と、露光シミュレーションにより得られたパターンの位置ずれ量が位置ずれ許容値以上である場合に、露光シミュレーションにより得られたパターンに対応するマスクの修正又は再作製を行う工程とを含む、マルチパターニング用マスクのパターン評価方法である。

また、位置ずれ許容値および角度差許容値を、マスクの膜種ごとにシミュレーションによって予め求める工程をさらに含んでもよい。

また、複数のマスクのＳＥＭ画像を合成する工程において、ホットスポット領域に対応するパターンの設計データに基づいて、複数のマスクのＳＥＭ画像の位置を調整して合成してもよい。

また、パターンごとの重心位置を算出する工程において、合成したＳＥＭ画像におけるパターンの輪郭線を抽出し、輪郭線を構成する各点の座標の平均値を重心位置として算出してもよい。

本発明の他の局面は、マルチパターニング用マスクのパターン評価装置であって、パターンの設計データに基づいて、評価対象となるホットスポット領域を指定する手段と、ホットスポット領域の全てをパターニングするのに用いる複数のマスクのＳＥＭ画像を取得する手段と、複数のマスクのパターン側壁角度を計測する手段と、複数のマスクのＳＥＭ画像を合成する手段と、合成したＳＥＭ画像に基づいて各パターン間の距離を計測する手段と、パターンごとの重心位置を算出する手段と、パターン間距離及び重心位置をそれぞれのパターンの設計データと比較して、パターンの設計データからの位置ずれ量を算出する手段と、パターンの位置ずれ量が、位置ずれ許容値以上であるか否かを判定する手段と、パターンの位置ずれ量が位置ずれ許容値以上である場合に、当該パターンに対応するマスクの修正又は再作製を行う手段と、パターンの位置ずれ量が位置ずれ許容値より小さい場合に、複数のマスク間のパターン側壁角度を比較し、複数のマスク間のパターン側壁角度の差が角度差許容値以上であるか否かを判定する工程と、複数のマスク間のパターン側壁角度の差が角度差許容値以上だった場合に、複数のマスクによりパターニングされるパターンの露光シミュレーションを実施する手段と、露光シミュレーションにより得られたパターンの露光パターンの設計データとの位置ずれ量が位置ずれ許容値以上であるか否かを判定する手段と、露光シミュレーションにより得られたパターンの位置ずれ量が位置ずれ許容値以上と判定された場合に、露光シミュレーションにより得られたパターンに対応するマスクの修正又は再作製を行う手段とを備える、マルチパターニング用マスクのパターン評価装置である。

また、位置ずれ許容値および角度差許容値は、マスクの膜種ごとにシミュレーションによって予め求められてもよい。

また、複数のマスクのＳＥＭ画像を合成する手段は、ホットスポット領域に対応するパターンの設計データに基づいて、複数のマスクのＳＥＭ画像の位置を調整して合成してもよい。

パターンごとの重心位置を算出する手段は、合成したＳＥＭ画像におけるパターンの輪郭線を抽出し、輪郭線を構成する各点の座標の平均値を重心位置として算出してもよい。

本発明により、マルチパターニング用のマスク間における実パターンの位置精度を、パターン側壁角度の違いによる影響も含めて評価することが可能となる。また、パターンの三次元形状の違いを含めた位置精度を確認することで、より高精度なマルチパターニング用マスクを製造することが可能となる。

本発明の一実施形態に係るパターン評価方法の処理手順を示すフロー図 本発明の一実施形態に係るパターン評価装置の機能構成図 ホットスポット領域の露光パターンの設計データ例 １〜３枚目のマスクのＳＥＭ画像例 ３枚のＳＥＭ画像を合成した結果 パターン間距離の計測例（ａ）およびパターン重心位置の算出例（ｂ） 側壁角度によって転写パターン寸法が変化することを示す説明図

（実施形態）
ここで、本発明の一実施形態に係るパターン評価方法およびパターン評価装置について説明する。図１はパターン評価方法フロー図であり、図２はパターン評価装置の機能構成図である。

＜パターン評価方法＞
まず、本実施形態に係るパターン評価方法を図１、３〜７を参照して説明する。まず、露光パターンの設計データから、マスクパターンの僅かな違いが露光パターン上の欠陥になりやすいホットスポット領域を指定（Ｓ１）する。ホットスポット領域の設計データの例を図３に示す。図中の各パターンに付けられているハッチングは、マルチパターニング技術によりパターンを３枚のマスクに分割する場合のパターンとマスクとの対応関係を表している。パターンを複数のマスクに割り振る場合は、同一マスク上ではなるべくパターン間の距離が離れるようにする。マルチパターニング用の３枚のマスクにパターンデータを割り振り、各マスクが作製される。

次に、各マスクのホットスポット領域において、マスクのＳＥＭ画像（以下、画像という）を取得（Ｓ２）する。図４の（ａ）〜（ｃ）は、マルチパターニング用の１枚目〜３枚目の各マスクのホットスポット領域の画像例である。

次に、各マスクのホットスポット領域にあるパターンの側壁角度を計測（Ｓ３）する。そして、マルチパターニング用の全マスクについて画像取得と側壁角度計測とを実施する（Ｓ４）。側壁角度を計測する方法としては、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を使ってパターンの三次元形状を測定する方法や、ＣＤ−ＳＥＭにおいて電子ビームを斜めに照射したり、複数の二次電子検出器で得られる信号を利用したりして、パターンの側壁幅を計測し、高さ情報を基に側壁角度を算出する方法などがある。

従来は、パターン側壁角の変動がウェハ転写寸法に与える影響が大きいと言われる反射型のＥＵＶマスクにおいて、側壁角度を計測するニーズが高かった。最近では透過型マスクであるＡｒＦマスクにおいても、パターンの側壁角の変動によるウェハ転写への影響が無視できないようになってきた。特にマルチパターニング用マスクが使われる世代では、最終的にウェハ上に形成されるパターン間の距離がさらに短くなるため、側壁角度の変動の影響が相対的に大きくなる。

次に、同じホットスポット領域の全マスクの画像を合成する処理（Ｓ５）を実施する。これは、画像処理により各マスクにおける同一座標の画像を合成することで可能となるが、マスク間の位置精度はＳＥＭ装置のステージ精度に依存する。そこで、より高精度に各マスクの画像を合成する場合は、分割前のホットスポット領域に関する露光パターンの設計データ（Ｓ６）を利用し、各マスクの画像のパターンがこの露光パターンの設計データに合うように位置を調整し、画像を合成する。合成した画像の例を図５に示す。

続いて、合成した画像を使ってパターン位置精度を評価する。パターン位置精度はパターン間の距離と重心位置のずれにより確認する。まず、合成した画像において、隣り合うパターン同士のエッジ間距離を測定することでパターン間の距離を計測（Ｓ７）する。図６の（ａ）にパターン間距離を計測した箇所を矢印で示した例を表す。次に合成した画像にて、各パターンの重心位置を算出（Ｓ８）する。パターンの重心位置は、パターン画像の輪郭線を抽出し、その輪郭線を構成する各点のｘ座標及びｙ座標を、ｘ座標及びｙ座標ごとに全て平均することで算出される。図６の（ｂ）に各パターンの重心座標を算出し、その位置を黒丸で表示した結果を示す。

次に、パターン間の距離及び重心位置をそれぞれの露光パターンの設計データと比較（Ｓ９）し、露光パターンの設計データからの位置ずれ量を算出する。その後、パターンの位置ずれ量が許容値以上でないかを判定（Ｓ１０）する。この許容値はマスクが使われる技術ノードや、フォトマスクの膜種によって異なるため、光露光シミュレータや露光テスト評価マスクを利用して事前に算出しておく。もし許容値以上の位置ずれが見つかった場合は、対象マスクの修正又は再作製（Ｓ１５）を実施する。

ここで、パターンの位置ずれ量が許容値より小さかった場合は、マスク間の側壁角度を比較（Ｓ１１）する。ＡｒＦ光マスクにおいても、開口パターン部の側壁角度によってウェハに露光されるパターン寸法が変化することが分かっている。これは図７に示すように、ガラス基板（１０２）と遮光膜（１０３）との境界部で規定されるマスクのパターン寸法が同じ場合でも、遮光膜の側壁角度（θ_１、θ_２）によって透過する露光光（１０１）の光量が異なり、ウェハ上でのレジストパターン（１０４）の大きさ（Ｐ_１、Ｐ_２）が変化するためである。従って、マルチパターニング用のマスクにおいて、マスク間でパターンの側壁角度が異なる場合には、マスク間のパターン寸法が同じであってもウェハパターンが変化してしまう可能性がある。

従って、マスク間の側壁角度差が許容値以上でないかを判定（Ｓ１２）する。この許容値は技術ノードやフォトマスクの膜種によって異なるため、事前に光露光シミュレータを利用して算出しておく。もしマスク間の側壁角度差が許容値以上であった場合には、側壁角度が異なることでウェハ露光後に不具合が生じる可能性が高いため、各マスクパターンの露光シミュレーション（Ｓ１３）を実施し、露光シミュレーションにより得られたパターンと露光パターンの設計データとの位置ずれ量が許容値以上でないかを判定（Ｓ１４）する。許容値以上であった場合には対象マスクの修正又は再作製（Ｓ１５）を実施する。

マスク間の側壁角度差が許容値より小さいか、シミュレーションパターンの位置ずれが許容値より小さい場合は、調査したホットスポット領域において、マルチパターニングのマスク間でのパターン位置ずれは問題ないとしてパターン評価を完了（Ｓ１６）する。

＜パターン評価装置＞
次に、パターン評価を実行するパターン評価装置について図２を参照して説明する。このパターン評価装置の動作について詳細を述べる。まず、設計データ保存機能（Ｆ１）は露光パターンの設計データを保存しておく機能で、指定された領域のパターンデータはここから取り出す。マスクの座標指定機能（Ｆ２）にてホットスポット領域の位置を指定し、ＳＥＭ画像取得機能（Ｆ３）で各マルチパターニング用マスクの指定された座標の各画像を取得する。ＳＥＭ画像取得機能は測長用のマスクＣＤ−ＳＥＭを利用する。また、各マルチパターニング用マスクの指定された座標において、側壁角度計測機能（Ｆ９）を使ってパターンの側壁角度を計測する。

次に、位置合わせ機能（Ｆ４）によりマルチパターニング用マスクの各画像の位置を合わせる。このとき設計データ保存機能から元の設計データを呼び出し、この露光パターンの設計データを基準に各画像の位置合わせを行う。そして、画像合成機能（Ｆ５）を使ってマルチパターニング用マスクの各画像を１枚の画像に合成する。より高精度に各マスクの画像を合成する場合は、分割前のホットスポット領域に関する露光パターンの設計データを利用し、各マスクの画像のパターンがこの露光パターンの設計データに合うように位置を調整し、画像を合成する。

次に、合成した画像をパターン間距離計測機能（Ｆ６）に入力し、合成画像において隣接するパターン間の距離を算出する。また、合成した画像を重心位置算出機能（Ｆ７）に入力し、合成画像中の各パターンの輪郭線を抽出して、輪郭線を構成する座標データについてｘ、ｙ座標それぞれに平均値を算出することで重心座標を求める。画像から輪郭線を抽出する方法としては、平滑化や二値化、微分処理などの一般的な画像処理を組み合わせて実施する手法や、特許第４０８５６３５号公報に開示される輪郭線抽出方法などがある。

次に、算出したパターン間の距離のデータと重心座標データとを、露光パターンの設計データ比較機能（Ｆ８）に入力し、露光パターンの設計データのパターン間距離や重心座標との差を算出し、パターン位置ずれ量とする。その結果は、判定機能（Ｆ１０）に入力され、パターン位置ずれ量が事前に設定しておいた許容値より大きいかを判定する。

パターン位置ずれ量が許容値以上であった場合には、評価結果出力機能（Ｆ１３）に位置ずれが大きいパターンがあるマスクの番号と、マスクの修正又は再作製が必要である旨を表示する。一方、パターン位置ずれ量が許容値より小さい場合は、マスク間の側壁角度の差によって処理が分かれる。この許容値はマスクが使われる技術ノードや、フォトマスクの膜種によって異なるため、光露光シミュレータや露光テスト評価マスクを利用して事前に算出しておく。

側壁角度計測機能（Ｆ９）で算出した各マスクの側壁角度から、マスク間の側壁角度差を算出し、これが許容値より小さい場合は、評価結果出力機能（Ｆ１３）にて今回評価したホットスポット領域についてはパターン位置精度に問題ないことを表示する。しかし、側壁角度差が許容値以上の場合は、マスク間の側壁角度の違いによってウェハパターン寸法が変化する可能性があるため、露光シミュレーション機能（Ｆ１１）を使って各マスクのパターンの露光評価を実施する。この許容値は技術ノードやフォトマスクの膜種によって異なるため、事前に光露光シミュレータを利用して算出しておく。

露光シミュレーション結果は、露光パターン評価機能（Ｆ１２）に入力され、各マスクの露光後のパターンにて位置ずれの評価を実施する。この位置ずれ量が許容値以上であった場合は、評価結果出力機能（Ｆ１３）にてマスクの修正又は再作製が必要である旨を表示し、許容値より小さい場合にはパターン位置精度は問題ない旨を表示する。

以上の機能を持つパターン評価装置により、これまで評価することが困難であったマルチパターニング用マスクのマスク間でのパターン位置精度が、側壁角度の影響も含めて検証することが可能となる。

本発明は、高精度なマルチパターニング用マスクの製造等に用いることができる。

Ｓ１ ホットスポット領域を指定する処理
Ｓ２ マスクのＳＥＭ画像を取得する処理
Ｓ３ パターンの側壁角度を計測する処理
Ｓ４ 対象の全マスクについて画像取得と側壁角度計測を実施する処理
Ｓ５ 全マスクの画像を合成する処理
Ｓ６ ホットスポット領域の設計データ
Ｓ７ パターン間の距離を計測する処理
Ｓ８ パターンの重心位置を算出する処理
Ｓ９ パターン間の距離及び重心位置を設計データと比較する処理
Ｓ１０ パターンの位置ずれを許容値と比較する処理
Ｓ１１ マスク間の側壁角度を比較する処理
Ｓ１２ マスク間の側壁角度差を許容値と比較する処理
Ｓ１３ 露光シミュレーション処理
Ｓ１４ シミュレーション結果の位置ずれを許容値と比較する処理
Ｓ１５ 対象マスクを修正又は再作製する処理
Ｓ１６ パターン評価の完了
Ｆ１ 設計データの保存機能
Ｆ２ マスクの座標指定機能
Ｆ３ ＳＥＭ画像取得機能
Ｆ４ 位置合わせ機能
Ｆ５ 画像合成機能
Ｆ６ パターン間距離計測機能
Ｆ７ 重心位置算出機能
Ｆ８ 設計データ比較機能
Ｆ９ 側壁角度計測機能
Ｆ１０ 判定機能
Ｆ１１ 露光シミュレーション機能
Ｆ１２ 露光パターン評価機能
Ｆ１３ 評価結果出力機能
１０１ 露光光
１０２ ガラス基板
１０３ 遮光膜
１０４ レジストパターン
１０５ ターゲットレイヤー
１０６ 基板

Claims (8)

1. マルチパターニング用マスクのパターン評価方法であって、
   パターンの設計データに基づいて、評価対象となるホットスポット領域を指定する工程と、
   前記ホットスポット領域の全てをパターニングするのに用いる複数のマスクのＳＥＭ画像を取得する工程と、
   前記複数のマスクのパターン側壁角度を計測する工程と、
   前記複数のマスクのＳＥＭ画像を合成する工程と、
   前記合成したＳＥＭ画像に基づいて各パターン間の距離を計測する工程と、
   前記パターンごとの重心位置を算出する工程と、
   前記パターン間距離及び重心位置をそれぞれのパターンの前記設計データと比較して、前記パターンの前記設計データからの位置ずれ量を算出する工程と、
   前記パターンの位置ずれ量が、位置ずれ許容値以上であるか否かを判定する工程と、
   前記パターンの位置ずれ量が前記位置ずれ許容値以上である場合に、当該パターンに対応するマスクの修正又は再作製を行う工程と、
   前記パターンの位置ずれ量が前記位置ずれ許容値より小さい場合に、
   前記複数のマスク間のパターン側壁角度を比較し、前記複数のマスク間のパターン側壁角度の差が角度差許容値以上であるか否かを判定する工程と、
   前記複数のマスク間のパターン側壁角度の差が前記角度差許容値以上である場合に、
   前記複数のマスクによりパターニングされるパターンの露光シミュレーションを実施する工程と、
   前記露光シミュレーションにより得られたパターンの前記パターンの設計データとの位置ずれ量が前記位置ずれ許容値以上であるか否かを判定する工程と、
   前記露光シミュレーションにより得られたパターンの位置ずれ量が前記位置ずれ許容値以上である場合に、前記露光シミュレーションにより得られたパターンに対応するマスクの修正又は再作製を行う工程とを含む、マルチパターニング用マスクのパターン評価方法。
2. 前記位置ずれ許容値および前記角度差許容値を、前記マスクの膜種ごとにシミュレーションによって予め求める工程をさらに含む、請求項１に記載のマルチパターニング用マスクのパターン評価方法。
3. 前記複数のマスクのＳＥＭ画像を合成する工程において、前記ホットスポット領域に対応する前記パターンの設計データに基づいて、前記複数のマスクのＳＥＭ画像の位置を調整して合成する、請求項１に記載のマルチパターニング用マスクのパターン評価方法。
4. 前記パターンごとの重心位置を算出する工程において、前記合成したＳＥＭ画像におけるパターンの輪郭線を抽出し、前記輪郭線を構成する各点の座標の平均値を前記重心位置として算出する、請求項１に記載のマルチパターニング用マスクのパターン評価方法。
5. マルチパターニング用マスクのパターン評価装置であって、
   パターンの設計データに基づいて、評価対象となるホットスポット領域を指定する手段と、
   前記ホットスポット領域の全てをパターニングするのに用いる複数のマスクのＳＥＭ画像を取得する手段と、
   前記複数のマスクのパターン側壁角度を計測する手段と、
   前記複数のマスクのＳＥＭ画像を合成する手段と、
   前記合成したＳＥＭ画像に基づいて各パターン間の距離を計測する手段と、
   前記パターンごとの重心位置を算出する手段と、
   前記パターン間距離及び重心位置をそれぞれの露光パターンの前記設計データと比較して、前記パターンの前記設計データからの位置ずれ量を算出する手段と、
   前記パターンの位置ずれ量が、位置ずれ許容値以上であるか否かを判定する手段と、
   前記パターンの位置ずれ量が前記位置ずれ許容値以上である場合に、当該パターンに対応するマスクの修正又は再作製が必要である旨を表示する手段と、
   前記パターンの位置ずれ量が前記位置ずれ許容値より小さい場合に、
   前記複数のマスク間のパターン側壁角度を比較し、前記複数のマスク間のパターン側壁角度の差が角度差許容値以上であるか否かを判定する工程と、
   前記複数のマスク間のパターン側壁角度の差が前記角度差許容値以上だった場合に、
   前記複数のマスクによりパターニングされるパターンの露光シミュレーションを実施する手段と、
   前記露光シミュレーションにより得られたパターンの前記パターンの設計データとの位置ずれ量が前記位置ずれ許容値以上であるか否かを判定する手段と、
   前記露光シミュレーションにより得られたパターンの位置ずれ量が前記位置ずれ許容値以上と判定された場合に、前記露光シミュレーションにより得られたパターンに対応するマスクの修正又は再作製が必要である旨を表示する手段とを備える、マルチパターニング用マスクのパターン評価装置。
6. 前記位置ずれ許容値および前記角度差許容値は、前記マスクの膜種ごとにシミュレーションによって予め求められる、請求項５に記載のマルチパターニング用マスクのパターン評価装置。
7. 前記複数のマスクのＳＥＭ画像を合成する手段は、前記ホットスポット領域に対応する前記パターンの設計データに基づいて、前記複数のマスクのＳＥＭ画像の位置を調整して合成する、請求項５に記載のマルチパターニング用マスクのパターン評価装置。
8. 前記パターンごとの重心位置を算出する手段は、前記合成したＳＥＭ画像におけるパターンの輪郭線を抽出し、前記輪郭線を構成する各点の座標の平均値を前記重心位置として算出する、請求項５に記載のマルチパターニング用マスクのパターン評価装置。

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