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TWI875976B - 電子零件之製造方法、及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

電子零件之製造方法、及顯示裝置之製造方法 Download PDF

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TWI875976B
TWI875976B TW110108119A TW110108119A TWI875976B TW I875976 B TWI875976 B TW I875976B TW 110108119 A TW110108119 A TW 110108119A TW 110108119 A TW110108119 A TW 110108119A TW I875976 B TWI875976 B TW I875976B
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上田洸造
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日商積水化學工業股份有限公司
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Abstract

本發明之目的在於提供一種電子零件之製造方法，其係將晶片零件自於具有黏著劑層之轉印用基板上配置有晶片零件之轉印用積層體轉印至驅動電路基板上者，可減少黏著劑層之殘渣，並且高良率地轉印晶片零件。又，本發明之目的在於提供一種包括該電子零件之製造方法之顯示裝置之製造方法。本發明係一種電子零件之製造方法，其具有：步驟（1），其係使於具有含有氣體產生劑之黏著劑層之轉印用基板上配置有晶片零件之轉印用積層體與驅動電路基板接近，並將上述晶片零件與上述驅動電路基板之位置對齊；及步驟（2），其係對上述含有氣體產生劑之黏著劑層施加刺激，將上述晶片零件自上述轉印用積層體轉印至上述驅動電路基板上。

Description

電子零件之製造方法、及顯示裝置之製造方法
本發明係關於一種電子零件之製造方法，其係將晶片零件自於具有黏著劑層之轉印用基板上配置有晶片零件之轉印用積層體轉印至驅動電路基板上者，可減少黏著劑層之殘渣，並且高良率地轉印晶片零件。又，本發明係關於一種包括該電子零件之製造方法之顯示裝置之製造方法。
微型LED顯示器係「構成像素之晶片之1個1個為微細之發光二極體（LED，Light Emitting Diode）晶片，該微型LED晶片自發光而顯示影像」之顯示裝置。微型LED顯示器因對比度較高，響應速度較快，又，不需要液晶顯示器、有機EL顯示器等所使用之濾色器等而亦可實現薄型化，故而作為下一代之顯示裝置而受到關注。
於微型LED顯示器中，許多微型LED晶片以高密度平面狀鋪滿。製造此種微型LED顯示器時，進行如下步驟：將微型LED晶片自於具有黏著劑層之轉印用基板上配置有許多微型LED晶片之轉印用積層體轉印至驅動電路基板上，從而進行電性連接。 於微型LED晶片之轉印步驟中，於使轉印用積層體之配置有LED晶片之面與驅動電路基板之形成有電極之面相對向之狀態下，自轉印用積層體剝離並轉印微型LED晶片。
作為自轉印用積層體剝離微型LED晶片之方法，例如已知如下方法：自轉印用積層體之基板之背面聚焦於黏著劑層而照射雷射光，藉此剝離微型LED晶片（例如，專利文獻1）。又，亦已知如下方法：使用摻合有熱膨脹性粒子、熱膨脹性微膠囊等之黏著劑層，對轉印用積層體與驅動電路基板進行熱壓接而使熱膨脹性粒子、熱膨脹性微膠囊等熱膨脹，藉此使黏著劑層變形，降低接著面積而剝離微型LED晶片（例如，專利文獻2、3）。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2019-138949號公報 專利文獻2：日本特開2019-15899號公報 專利文獻3：日本特開2003-7986號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，於如專利文獻1～3中所記載之照射雷射光之方法或使用熱膨脹性粒子、熱膨脹性微膠囊等之方法中，存在黏著劑層之殘渣附著於微型LED晶片之問題。又，於使用熱膨脹性粒子、熱膨脹性微膠囊等之方法中，藉由黏著劑層變形而剝離微型LED晶片，故而亦存在不易將微型LED晶片高良率地轉印至驅動電路基板上之問題。
本發明之目的在於提供一種電子零件之製造方法，其係將晶片零件自於具有黏著劑層之轉印用基板上配置有晶片零件之轉印用積層體轉印至驅動電路基板上者，可減少黏著劑層之殘渣，並且高良率地轉印晶片零件。又，本發明之目的在於提供一種包括該電子零件之製造方法之顯示裝置之製造方法。 [解決課題之技術手段]
本發明係一種電子零件之製造方法，其具有：步驟（1），其係使於具有含有氣體產生劑之黏著劑層之轉印用基板上配置有晶片零件之轉印用積層體與驅動電路基板接近，並將上述晶片零件與上述驅動電路基板之位置對齊；及步驟（2），其係對上述含有氣體產生劑之黏著劑層施加刺激，將上述晶片零件自上述轉印用積層體轉印至上述驅動電路基板上。 以下，對本發明進行詳述。
本發明人對電子零件之製造方法進行了研究，該電子零件之製造方法係將晶片零件自於具有黏著劑層之轉印用基板上配置有晶片零件之轉印用積層體轉印至驅動電路基板上者，使用含有氣體產生劑之黏著劑層，對該含有氣體產生劑之黏著劑層施加刺激，藉此自轉印用積層體剝離並轉印晶片零件。本發明人發現，根據此種方法，可減少黏著劑層之殘渣，並且高良率地轉印晶片零件，從而完成本發明。
圖1、6及7中示出示意地表示本發明之電子零件之製造方法之步驟之一例的圖。以下，參照圖1、6及7，對本發明之電子零件之製造方法進行說明。
於本發明之電子零件之製造方法中，首先進行步驟（1），其係使於具有含有氣體產生劑之黏著劑層之轉印用基板上配置有晶片零件之轉印用積層體與驅動電路基板接近，並將上述晶片零件與上述驅動電路基板之位置對齊。
圖1中示出示意地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（1）之一例的圖。於上述步驟（1）中，如圖1所示，使於轉印用基板9上配置有晶片零件1之轉印用積層體6與驅動電路基板7接近，並將晶片零件1與驅動電路基板7之位置對齊。於圖1中，晶片零件1及驅動電路基板7分別具有電極1a及電極7a。 再者，於圖1中，轉印用基板9係由支持體5及至少具有含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶4所構成之積層體。但，於本發明之電子零件之製造方法中，轉印用基板並不限定於此種構成。
上述轉印用積層體係於具有含有氣體產生劑之黏著劑層之轉印用基板上配置有晶片零件者。 上述晶片零件並無特別限定，例如可例舉微型LED晶片、影像感測器之光學晶片等。再者，上述晶片零件為微型LED晶片，且包括本發明之電子零件之製造方法之顯示裝置之製造方法亦為本發明之一。
於上述轉印用積層體中，在上述轉印用基板之含有氣體產生劑之黏著劑層上配置上述晶片零件。 於本發明之電子零件之製造方法中，藉由使用上述含有氣體產生劑之黏著劑層，於下述步驟（2）中，對上述含有氣體產生劑之黏著劑層施加刺激，藉此自上述轉印用基板剝離上述晶片零件，從而可減少上述含有氣體產生劑之黏著劑層之殘渣，並且高良率地轉印上述晶片零件。
上述轉印用基板具有含有氣體產生劑之黏著劑層即可，並無特別限定，例如可為於基材之單面積層有含有氣體產生劑之黏著劑層之單面黏著帶。即，可不具有支持體等，此種單面黏著帶本身為上述轉印用基板。 又，上述轉印用基板如圖1所示，可為由支持體及至少具有含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶所構成之積層體。就製造上之操作性之觀點而言，上述轉印用基板較佳為由支持體及至少具有含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶所構成之積層體。上述支持體並無特別限定，例如可例舉玻璃基板、金屬基板、有機基板等。
上述至少具有含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶並無特別限定，但較佳為除含有氣體產生劑之黏著劑層（晶片零件側黏著劑層）以外，進而具有支持體側黏著劑層。即，上述至少具有含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶較佳為具有含有氣體產生劑之黏著劑層及支持體側黏著劑層之雙面黏著帶。
圖2中示出示意地表示本發明之電子零件之製造方法中所使用之至少具有含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶之一例的剖面圖。 圖2所示之雙面黏著帶4為積層有含有氣體產生劑之黏著劑層（晶片零件側黏著劑層）4b及支持體側黏著劑層4a之不具有基材之雙面黏著帶。雖未圖示，但於含有氣體產生劑之黏著劑層（晶片零件側黏著劑層）4b上配置晶片零件，將支持體側黏著劑層4a貼合於支持體而使用。
於上述轉印用基板具有上述支持體、及上述具有含有氣體產生劑之黏著劑層及支持體側黏著劑層之雙面黏著帶之情形時，上述具有含有氣體產生劑之黏著劑層及支持體側黏著劑層之雙面黏著帶較佳為滿足以下幾點。即，較佳為於將上述含有氣體產生劑之黏著劑層對SUS板之180°方向之剝離力設為Fb，將上述支持體側黏著劑層對SUS板之180°方向之剝離力設為Fa時，Fa＞Fb，且Fa為1 N/inch以上。 藉由使Fa＞Fb，且Fa為1 N/inch以上，可抑制上述支持體與上述雙面黏著帶之剝離，並且容易剝離上述晶片零件。藉此，可以更高之良率轉印上述晶片零件。 上述Fa之更佳之下限為2 N/inch，進而較佳之下限為5 N/inch。上述Fa之上限並無特別限定，但實質上限為50 N/inch左右。
上述Fb並無特別限定，較佳之上限為0.3 N/inch。若上述Fb為0.3 N/inch以下，則可容易地剝離上述晶片零件，且可以更高之良率轉印上述晶片零件。上述Fb之更佳之上限為0.2 N/inch，進而較佳之上限為0.1 N/inch。上述Fb之下限並無特別限定，就抑制意外脫落並且藉由產生氣體而無殘渣地剝離上述晶片零件之觀點及降低施加於上述晶片零件之剝離應力之觀點等而言，較佳之下限為0.02 N/inch。
再者，於上述含有氣體產生劑之黏著劑層及上述支持體側黏著劑層為硬化型黏著劑層之情形時，Fb及Fa意指藉由光照射等硬化後之剝離力。作為藉由光照射使上述含有氣體產生劑之黏著劑層及上述支持體側黏著劑層硬化之方法，例如可例舉如下方法：使用超高壓水銀紫外線照射器，以累計照射量成為2000 mJ/cm2 之方式向黏著劑層照射365 nm之紫外線。此時之照射強度並無特別限定，較佳為50～500 mW/cm2 。 作為Fb及Fa之測定方法，例如可例舉如下方法：使用Autograph（島津製作所公司製造），於溫度23℃、相對濕度50%之環境下以300 mm/min之拉伸速度沿180°方向剝離雙面黏著帶，測定剝離力。
藉由使上述含有氣體產生劑之黏著劑層含有氣體產生劑，且藉由對上述含有氣體產生劑之黏著劑層施加刺激而產生氣體，於上述含有氣體產生劑之黏著劑層與上述晶片零件之間因氣體而產生間隙，從而可容易地剝離上述晶片零件。結果，可減少上述含有氣體產生劑之黏著劑層之殘渣，並且高良率地轉印上述晶片零件。又，於更佳之形態中，藉由對上述含有氣體產生劑之黏著劑層施加刺激而產生氣體，上述晶片零件自上述含有氣體產生劑之黏著劑層剝離，可藉由剝離應力不易施加於上述晶片零件之狀態或自然掉落進行轉印。
上述氣體產生劑並無特別限定，較佳為藉由光、熱、電磁波或電子束等刺激而產生氣體之氣體產生劑。作為上述光，例如可例舉紫外線、雷射光等。其中，較佳為藉由光而產生氣體之氣體產生劑。 上述藉由刺激而產生氣體之氣體產生劑並無特別限定，使用偶氮化合物、疊氮化合物、羧酸化合物或四唑化合物較佳。
作為上述偶氮化合物，例如可例舉：2,2'-偶氮雙-(N-丁基-2-甲基丙醯胺)、2,2'-偶氮雙{2-甲基-N-[1,1-雙(羥基甲基)-2-羥基乙基]丙醯胺}、2,2'-偶氮雙{2-甲基-N-[2-(1-羥基丁基)]丙醯胺}、2,2'-偶氮雙[2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙醯胺]、2-偶氮雙[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙醯胺]、2,2'-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙醯胺)、2,2'-偶氮雙(N-環己基-2-甲基丙醯胺)、2,2'-偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二硫酸鹽二水合物、2,2'-偶氮雙[2-(3,4,5,6-四氫嘧啶-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙{2-[1-(2-羥基乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙脒)鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙(2-胺基丙烷)二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙[N-(2-羧基醯基)-2-甲基-丙脒]、2,2'-偶氮雙{2-[N-(2-羧基乙基)脒]丙烷}、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙醯胺肟)、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸甲酯)、2,2'-偶氮雙(異丁酸甲酯)、4,4'-偶氮雙(4-氰基碳酸)、4,4'-偶氮雙(4-氰基戊酸)、2,2'-偶氮雙(2,4,4-三甲基戊烷)等。
作為上述疊氮化合物，例如可例舉：藉由將3-疊氮基甲基-3-甲基氧環丁烷、對苯二甲疊氮、對第三丁基苯甲疊氮、3-疊氮基甲基-3-甲基氧環丁烷進行開環聚合而獲得之環氧丙基疊氮基聚合物等具有疊氮基之聚合物等。
作為上述羧酸化合物，例如可例舉苯乙酸、二苯乙酸、三苯乙酸或其鹽等。
作為上述四唑化合物，例如可例舉1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5,5-偶氮雙-1H-四唑或其鹽等。
上述氣體產生劑之含量並無特別限定，相對於構成上述含有氣體產生劑之黏著劑層之黏著劑100重量份，較佳之下限為1重量份，較佳之上限為100重量份。若上述氣體產生劑之含量為1重量份以上，則上述含有氣體產生劑之黏著劑層具有充分之氣體產生性，可進一步減少黏著劑層之殘渣，並且高良率地轉印上述晶片零件。若上述氣體產生劑之含量為100重量份以下，則上述含有氣體產生劑之黏著劑層具有充分之黏著性，可抑制上述晶片零件之意外脫落。上述氣體產生劑之含量之更佳之下限為3重量份，更佳之上限為50重量份。
構成上述含有氣體產生劑之黏著劑層之黏著劑並無特別限定，非硬化型之黏著劑或硬化型之黏著劑均可。具體而言，例如可例舉橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺酯系黏著劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系黏著劑等。其中，就容易地調節黏著力而言，較佳為丙烯酸系黏著劑，更佳為丙烯酸系之硬化型黏著劑。
作為上述硬化型黏著劑，可例舉藉由光照射而交聯及硬化之光硬化型黏著劑、藉由加熱而交聯及硬化之熱硬化型黏著劑等。其中，就「於下述之步驟（b）之前或後藉由光照射而硬化，使儲存彈性模數上升，從而可進一步減少上述含有氣體產生劑之黏著劑層之殘渣，並且高良率地轉印上述晶片零件」方面而言，較佳為光硬化型黏著劑，更佳為紫外線硬化型黏著劑。即，上述含有氣體產生劑之黏著劑層較佳為光硬化型黏著劑層，更佳為紫外線硬化型黏著劑層。 作為上述光硬化型黏著劑，例如可例舉：以聚合性聚合物作為主成分，且含有光聚合起始劑之黏著劑。作為上述熱硬化型黏著劑，例如可例舉：以聚合性聚合物作為主成分，且含有熱聚合起始劑之黏著劑。
上述聚合性聚合物例如可藉由如下方式獲得：預先合成分子內具有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物（以下，稱為含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物），使其與分子內具有與上述官能基反應之官能基及自由基聚合性之不飽和鍵之化合物（以下，稱為含有官能基之不飽和化合物）進行反應。
上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物例如可藉由如下方式獲得：使「烷基之碳數通常處於2～18之範圍之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯」、「含有官能基之單體」及「進而視需要之可與該等共聚之其他改質用單體」共聚。
上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量並無特別限定，通常為20萬～200萬左右。 再者，重量平均分子量可使用凝膠滲透層析法確定，例如可使用HSPgelHR MB-M 6.0×150 mm作為管柱，使用THF作為溶出液，於40℃進行測定，藉由聚苯乙烯標準進行確定。
作為上述含有官能基之單體，例如可例舉：丙烯酸、甲基丙烯酸等含有羧基之單體；或丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸羥基乙酯等含有羥基之單體；或丙烯酸環氧丙基酯、甲基丙烯酸環氧丙基酯等含有環氧基之單體。又，作為上述含有官能基之單體，例如亦可例舉：丙烯酸異氰酸基乙酯、甲基丙烯酸異氰酸基乙酯等含有異氰酸基之單體；或丙烯酸胺基乙酯、甲基丙烯酸胺基乙酯等含有胺基之單體等。
作為上述可共聚之其他改質用單體，例如可例舉乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等一般用於(甲基)丙烯酸系聚合物之各種單體。
為了獲得上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物，於聚合起始劑之存在下使原料單體進行自由基反應即可。作為上述使原料單體進行自由基反應之方法即聚合方法，可使用以往公知之方法，例如可例舉溶液聚合（沸點聚合或恆溫聚合）、乳化聚合、懸浮聚合、塊狀聚合等。 用於獲得上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之自由基反應所使用之聚合起始劑並無特別限定，例如可例舉有機過氧化物、偶氮化合物等。作為上述有機過氧化物，例如可例舉1,1-雙(第三己基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷、過氧化三甲基乙酸第三己酯、過氧化三甲基乙酸第三丁酯、2,5-二甲基-2,5-雙(2-乙基己醯基過氧化)己烷、過氧化-2-乙基己酸第三己酯、過氧化-2-乙基己酸第三丁酯、過氧化異丁酸第三丁酯、過氧化-3,5,5-三甲基己酸第三丁酯、過氧化月桂酸第三丁酯等。作為上述偶氮化合物，例如可例舉偶氮雙異丁腈、偶氮雙環己腈（azobis(cyclohexanecarbonitrile)）等。該等聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為與上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物反應之含有官能基之不飽和化合物，根據上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基，可使用與上述含有官能基之單體相同者。例如，於上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為羧基之情形時，使用含有環氧基之單體或含有異氰酸基之單體。於上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為羥基之情形時，使用含有異氰酸基之單體。於上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為環氧基之情形時，使用含有羧基之單體或丙烯醯胺等含有醯胺基之單體。於上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為胺基之情形時，使用含有環氧基之單體。
上述光硬化型黏著劑所含有之光聚合起始劑例如可例舉藉由照射250～800 nm之波長之光而活化者。作為此種光聚合起始劑，例如可例舉：甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物；或安息香丙醚、安息香異丁醚等安息香醚系化合物；或二苯乙二酮二甲基縮酮、苯乙酮二乙基縮酮等縮酮衍生物化合物；或膦氧化物衍生物化合物。又，亦可例舉雙(η5-環戊二烯基)二茂鈦衍生物化合物、二苯甲酮、米其勒酮、氯9-氧硫𠮿、十二烷基9-氧硫𠮿、二甲基9-氧硫𠮿、二乙基9-氧硫𠮿、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。該等光聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為上述熱硬化型黏著劑所含有之熱聚合起始劑，可例舉：藉由熱而分解，產生開始聚合硬化之活性自由基者。具體而言，例如可例舉：二異丙苯基過氧化物、二第三丁基過氧化物、過氧化苯甲酸第三丁酯、第三丁基氫過氧化物、過氧化苯甲醯、異丙苯氫過氧化物、二異丙基苯氫過氧化物、對薄荷烷氫過氧化物、二第三丁基過氧化物等。 上述熱聚合起始劑之市售品並無特別限定，例如可例舉Perbutyl D、Perbutyl H、Perbutyl P、Perpenta H（以上均為日油公司製造）等。該等熱聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述含有氣體產生劑之黏著劑層可進一步含有自由基聚合性之多官能低聚物或單體。藉由含有自由基聚合性之多官能低聚物或單體，上述含有氣體產生劑之黏著劑層之光硬化性及熱硬化性提高。 上述多官能低聚物或單體並無特別限定，較佳為重量平均分子量為1萬以下。就藉由光照射或加熱而使上述含有氣體產生劑之黏著劑層高效率地三維網狀化而言，上述多官能低聚物或單體較佳為重量平均分子量為5000以下且分子內之自由基聚合性之不飽和鍵之數量為2～20個。
作為上述多官能低聚物或單體，例如可例舉三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯及該等之甲基丙烯酸酯等。又，作為上述多官能低聚物或單體，例如亦可例舉1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售之寡酯丙烯酸酯及該等之甲基丙烯酸酯等。該等多官能低聚物或單體可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述含有氣體產生劑之黏著劑層可進一步含有發煙二氧化矽（fumed silica）等無機填料。藉由含有無機填料，上述含有氣體產生劑之黏著劑層之凝聚力提昇，可以充分之黏著力貼附於被黏著體，且可充分固定被黏著體。
上述含有氣體產生劑之黏著劑層較佳為含有交聯劑。藉由含有交聯劑，上述含有氣體產生劑之黏著劑層之凝聚力提昇，可以充分之黏著力貼附於被黏著體，且可充分固定被黏著體。上述交聯劑並無特別限定，例如可例舉異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑等。其中，就使黏著力進一步提高而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑。
上述交聯劑之含量較佳為相對於構成上述含有氣體產生劑之黏著劑層之黏著劑100重量份為0.01重量份以上且20重量份以下。藉由使上述交聯劑之含量在上述範圍內，可使上述黏著劑適度交聯，提高黏著力。就進一步提高黏著力之觀點而言，上述交聯劑之含量之更佳之下限為0.05重量份，更佳之上限為15重量份，進而較佳之下限為0.1重量份，進而較佳之上限為10重量份。
上述含有氣體產生劑之黏著劑層可含有塑化劑、樹脂、界面活性劑、蠟、微粒子填充劑等公知之添加劑。該等添加劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述含有氣體產生劑之黏著劑層較佳為凝膠分率為20重量%以上且未達95重量%。藉由使上述凝膠分率在上述範圍內，可以充分之黏著力貼附於被黏著體，且可充分固定被黏著體。就改善黏著力之觀點而言，上述黏著劑層之凝膠分率更佳為30重量%以上，且更佳為90重量%以下。 再者，於上述含有氣體產生劑之黏著劑層為硬化型黏著劑層之情形時，上述凝膠分率意指藉由光照射等而硬化前之凝膠分率。
上述含有氣體產生劑之黏著劑層的施加刺激前之儲存彈性模數為1.0×104 Pa以上。若上述施加刺激前之儲存彈性模數為1.0×104 Pa以上，則可充分保持上述晶片零件，又，可進一步減少上述含有氣體產生劑之黏著劑層之殘渣，並且更高良率地轉印上述晶片零件。上述施加刺激前之儲存彈性模數之更佳之下限為5.0×104 Pa。就充分保持上述晶片零件，並且改善剝離之觀點而言，上述施加刺激前之儲存彈性模數之上限較佳為5.0×107 Pa，更佳為5.0×106 Pa，進而較佳為1.0×106 Pa。 再者，於上述含有氣體產生劑之黏著劑層為硬化型黏著劑層之情形時，上述施加刺激前之儲存彈性模數意指藉由光照射等而硬化前且施加刺激前之儲存彈性模數。
上述含有氣體產生劑之黏著劑層之上述施加刺激前之儲存彈性模數例如可以如下方式進行測定。 以厚度成為400 μm之方式製作僅上述含有氣體產生劑之黏著劑層之測定樣品。對於該測定樣品，使用黏彈性譜儀（IT Meter and Control公司製造之DVA-200或其同等品），於剪切模式、升溫速度10℃/分鐘、頻率10 Hz之條件下進行測定。將此時之於23℃之儲存彈性模數作為施加刺激前之儲存彈性模數。
上述含有氣體產生劑之黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳為200 μm以下。若上述厚度為200 μm以下，則可進一步減少上述含有氣體產生劑之黏著劑層之殘渣，並且轉印上述晶片零件。上述厚度之更佳之上限為50 μm，進而較佳之上限為20 μm。上述厚度之下限並無特別限定，就保持上述晶片零件，並且改善剝離之觀點而言，較佳之下限為2 μm，更佳之下限為5 μm。
構成上述支持體側黏著劑層之黏著劑並無特別限定，可使用與構成上述含有氣體產生劑之黏著劑層之黏著劑相同之黏著劑。其中，就使耐熱性優異，黏著力容易調節而言，較佳為丙烯酸系黏著劑。 作為上述丙烯酸系黏著劑，可例舉以(甲基)丙烯酸系聚合物作為主成分之黏著劑。上述(甲基)丙烯酸系聚合物與上述含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物同樣地，例如可藉由如下方式獲得：使烷基之碳數通常處於2～18之範圍之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯與進而視需要之可與該等共聚之其他改質用單體共聚。
至少具有上述含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶可為具有基材之支持型，亦可為不具有基材之非支持型。 具體而言，例如於為具有基材之支持型之情形時，可為於基材之一面具有上述含有氣體產生劑之黏著劑層（晶片零件側黏著劑層），於基材之另一面具有上述支持體側黏著劑層之雙面黏著帶。於為不具有基材之非支持型之情形時，可為積層有上述含有氣體產生劑之黏著劑層（晶片零件側黏著劑層）及上述支持體側黏著劑層之雙面黏著帶。
上述基材之材料並無特別限制，較佳為耐熱性材料。作為上述基材之材料，例如可例舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚縮醛、聚醯胺、聚碳酸酯、聚苯醚（polyphenylene ether）、聚對苯二甲酸丁二酯、超高分子量聚乙烯、間規聚苯乙烯、聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、氟樹脂、液晶聚合物等。其中，就使耐熱性優異而言，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯。
上述基材之厚度並無特別限定，較佳之下限為5 μm，且較佳之上限為188 μm。藉由使上述基材之厚度在上述範圍內，可製成具有適度之韌性，且操作性優異之雙面黏著帶。上述基材之厚度之更佳之下限為12 μm，且更佳之上限為125 μm。
上述晶片零件配置於上述轉印用基板上之方法並無特別限定，例如可例舉：於上述轉印用基板之上述含有氣體產生劑之黏著劑層上直接配置上述晶片零件之方法；或將上述晶片零件自排列有上述晶片零件之臨時積層體轉印配置至上述轉印用基板之方法等。就生產性之觀點而言，較佳為將上述晶片零件自排列有上述晶片零件之臨時積層體轉印配置至上述轉印用基板之方法。
將上述晶片零件自排列有上述晶片零件之臨時積層體轉印配置至上述轉印用基板之方法並無特別限定，例如可例舉包括如下之步驟（a）、步驟（b）及步驟（c）之方法。 即，首先進行步驟（a），其係準備排列有上述晶片零件之臨時積層體。其次，進行步驟（b），其係將上述臨時積層體之排列有上述晶片零件之面貼合於上述轉印用基板之上述含有氣體產生劑之黏著劑層。進而進行步驟（c），其係使構成上述臨時積層體之臨時基板與上述晶片零件剝離，從而獲得於上述轉印用基板上配置有上述晶片零件之轉印用積層體。
於上述步驟（a）中，準備排列有上述晶片零件之臨時積層體。 圖3中示出示意地表示本發明之電子零件之製造方法中所使用之臨時積層體之一例的剖面圖。於圖3所示之臨時積層體3中，表面具有電極1a之複數個晶片零件1以與具有電極1a之面相接之方式排列於臨時基板2上。
上述晶片零件通常於經由暫時固定用黏著劑層暫時固定於玻璃基板等支持體之狀態下經包括於表面形成電極之步驟等之晶片零件製造步驟而製造。其後，所製造之複數個上述晶片零件貼合於臨時基板後，自暫時固定用黏著劑層及支持體剝離，從而排列於臨時基板上。
上述臨時基板並無特別限定，例如可例舉玻璃基板、金屬基板、有機基板等。上述臨時基板較佳為具有用於在該臨時基板上配置上述晶片零件之黏著劑層。用於配置上述晶片零件之黏著劑層與上述晶片零件之間之剝離力較佳為較小。
其次，於上述步驟（b）中，將上述臨時積層體之排列有上述晶片零件之面貼合於上述轉印用基板之上述含有氣體產生劑之黏著劑層。 圖4中示出示意地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（b）之一例的圖。於上述步驟（b）中，如圖4所示，將晶片零件1排列於臨時基板2上之臨時積層體之排列有晶片零件1之面貼合於轉印用基板9上之含有氣體產生劑之黏著劑層。即，將晶片零件1之背面貼合於轉印用基板9上之含有氣體產生劑之黏著劑層。 再者，於圖4中，轉印用基板9為由支持體5及至少具有含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶4所構成之積層體。但，於本發明之電子零件之製造方法中，轉印用基板並不限定於此種構成。
將上述臨時積層體之排列有上述晶片零件之面貼合於上述轉印用基板之上述含有氣體產生劑之黏著劑層之方法並無特別限定，例如使用覆晶接合機（例如，東麗工程公司製造之FC-3000或其同等品）即可。
其次，於上述步驟（c）中，使上述臨時基板與上述晶片零件剝離，從而獲得於上述轉印用基板上配置有上述晶片零件之轉印用積層體。 圖5中示出示意地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（c）之一例的圖。於上述步驟（c）中，藉由使上述臨時基板與上述晶片零件剝離，而獲得如圖5所示之於轉印用基板9上配置有晶片零件1之轉印用積層體6。
使上述臨時基板與上述晶片零件剝離之方法並無特別限定，例如藉由剝離上述臨時基板而使其自上述晶片零件剝離即可。
於上述步驟（1）中，使如此獲得之轉印用積層體與驅動電路基板接近，並將上述晶片零件與上述驅動電路基板之位置對齊。 將上述晶片零件與上述驅動電路基板之位置對齊之方法並無特別限定，例如使用覆晶接合機（例如，東麗工程公司製造之FC-3000或其同等品）即可。
於上述步驟（1）中，上述晶片零件與上述驅動電路基板可如圖1所示分開，亦可彼此相接。就抑制由上述晶片零件與上述驅動電路基板之接觸所導致之破損之觀點而言，上述晶片零件與上述驅動電路基板較佳為分開。
於本發明之電子零件之製造方法中，上述步驟（1）後，進行步驟（2），其係對上述含有氣體產生劑之黏著劑層施加刺激，將上述晶片零件自上述轉印用積層體轉印至上述驅動電路基板上。 藉此，將上述晶片零件與上述驅動電路基板連接。 上述驅動電路基板並無特別限定，通常為了與上述晶片零件連接及導通而於上述驅動電路基板之表面形成接著劑層，上述驅動電路基板較佳為於表面具有各向異性導電膜、各向異性導電接著劑。於上述步驟（2）中，較佳為將上述晶片零件上之電極與上述驅動電路基板上之電極電性連接。
於上述步驟（2）中，可對上述含有氣體產生劑之黏著劑層整體施加刺激，亦可對上述含有氣體產生劑之黏著劑層之要剝離之每個晶片零件區域施加刺激。於對上述含有氣體產生劑之黏著劑層整體施加刺激之情形時，在可一舉轉印複數個上述晶片零件之方面較佳，於對上述含有氣體產生劑之黏著劑層之要剝離之每個晶片零件區域施加刺激之情形時，在可僅選擇性地轉印目標上述晶片零件之方面較佳。 再者，於上述含有氣體產生劑之黏著劑層為硬化型黏著劑層之情形時，例如可同時進行藉由光照射等使上述含有氣體產生劑之黏著劑層硬化及對上述含有氣體產生劑之黏著劑層施加刺激。
圖6中示出示意地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（2）之一例的圖。於上述步驟（2）中，例如，如圖6所示，對於至少具有含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶4的含有氣體產生劑之黏著劑層整體，例如藉由紫外線施加刺激，自轉印用基板9剝離晶片零件1，將晶片零件1轉印至驅動電路基板7上。 圖7中示出示意地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（2）之另一例的圖。於上述步驟（2）中，例如，如圖7所示，對於至少具有含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶4的含有氣體產生劑之黏著劑層之要剝離之每個晶片零件區域，例如藉由自光照射裝置8所照射之光8a施加刺激，自轉印用基板9剝離晶片零件1，將晶片零件1轉印至驅動電路基板7上。
於本發明之電子零件之製造方法中，藉由對上述含有氣體產生劑之黏著劑層施加刺激而自上述轉印用基板剝離上述晶片零件，藉此可減少上述含有氣體產生劑之黏著劑層之殘渣，並且高良率地轉印上述晶片零件。 對上述含有氣體產生劑之黏著劑層所施加之刺激並無特別限定，較佳為光、熱、電磁波或電子束。上述光並無特別限定，較佳為紫外線或雷射光。於對上述含有氣體產生劑之黏著劑層整體施加刺激之情形時，特佳為紫外線，於對上述含有氣體產生劑之黏著劑層之要剝離之每個晶片零件區域施加刺激之情形時，特佳為聚光照射雷射光或紫外線。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種電子零件之製造方法，其係將晶片零件自於具有黏著劑層之轉印用基板上配置有晶片零件之轉印用積層體轉印至驅動電路基板上者，可減少黏著劑層之殘渣，並且高良率地轉印晶片零件。又，根據本發明，可提供一種包括該電子零件之製造方法之顯示裝置之製造方法。
以下，例舉實施例進一步對本發明之形態進行詳細說明，但本發明並不僅限於該等實施例。
（(甲基)丙烯酸系聚合物A之合成） 準備具備溫度計、攪拌機、冷凝管之反應器。向該反應器內添加作為(甲基)丙烯酸烷基酯之丙烯酸-2-乙基己酯51重量份、丙烯酸異莰酯37重量份、作為含有官能基之單體之丙烯酸1重量份、甲基丙烯酸羥基乙酯19重量份、月桂硫醇0.01重量份、及乙酸乙酯80重量份後，加熱反應器開始回流。其次，向上述反應器內添加作為聚合起始劑之1,1-雙(第三己基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，於回流下開始聚合。其次，自聚合開始起1小時後及2小時後各添加0.01重量份之1,1-雙(第三己基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷，進而，自聚合開始起4小時後添加0.05重量份之過氧化三甲基乙酸第三己酯，繼續聚合反應。其次，自聚合開始起8小時後，獲得固形物成分55重量%、重量平均分子量60萬之含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液。 相對於所獲得之包含含有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，添加12重量份之甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯，進行反應而獲得(甲基)丙烯酸系聚合物A。
（構成晶片零件側黏著劑層之黏著劑溶液A之製備） 相對於所獲得之(甲基)丙烯酸系聚合物A之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，將交聯劑（S Dyne硬化劑UA，Sekisui Fuller公司製造）1.25重量份、光起始劑（Omnirad651，Toyotsu Chemiplas公司製造）1重量份及氣體產生劑（Vam-110，富士膠片和光純藥公司製造）20重量份加以混合。藉此，獲得構成晶片零件側黏著劑層之黏著劑之乙酸乙酯溶液。
（構成晶片零件側黏著劑層之黏著劑溶液B之製備） 相對於丙烯酸系聚合物（SK Dyne 1495C，綜研化學公司製造）之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，混合2重量份之交聯劑（S Dyne硬化劑UA，Sekisui Fuller公司製造），獲得構成晶片零件側黏著劑層之黏著劑之乙酸乙酯溶液。
（構成支持體側黏著劑層之黏著劑溶液C之製備） 相對於丙烯酸系聚合物（SK Dyne 1604N，綜研化學公司製造）之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，混合1重量份之交聯劑（S Dyne硬化劑UA，Sekisui Fuller公司製造），獲得構成支持體側黏著劑層之黏著劑之乙酸乙酯溶液。
（構成支持體側黏著劑層之黏著劑溶液D之製備） 相對於丙烯酸系聚合物（SK Dyne 1495C，綜研化學公司製造）之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，混合0.5重量份之交聯劑（S Dyne硬化劑UA，Sekisui Fuller公司製造），獲得構成支持體側黏著劑層之黏著劑之乙酸乙酯溶液。
（實施例1） （1）雙面黏著帶之製造 以乾燥皮膜之厚度成為10 μm之方式利用刮刀（doctor knife）將所獲得之構成晶片零件側黏著劑層之黏著劑溶液A塗敷於經脫模處理之PET膜（NS-50-C，Nakamoto Packs公司製造）上，於常溫靜置10分鐘。其後，使用預先加溫至110℃之烘箱，於110℃加熱5分鐘而使塗敷溶液乾燥，獲得晶片零件側黏著劑層。 同樣地，以乾燥皮膜之厚度成為10 μm之方式利用刮刀將所獲得之構成支持體側黏著劑層之黏著劑溶液C塗敷於經脫模處理之PET膜（NS-50-MA，Nakamoto Packs公司製造）上，於常溫靜置10分鐘。其後，使用預先加溫至110℃之烘箱，於110℃加熱5分鐘而使塗敷溶液乾燥，獲得支持體側黏著劑層。藉由將晶片零件側黏著劑層與支持體側黏著劑層貼合，獲得雙面黏著帶。
（2）Fa之測定 利用乙醇洗淨厚度1 mm之SUS板之表面，充分進行乾燥。將預先裁切為寬度25 mm、長度10 cm之雙面黏著帶之支持體側黏著劑層側之隔離膜剝離，使2 kg輥往返1次而貼附於SUS板，獲得積層體。其後，將晶片零件側黏著劑層側之隔離膜剝離，使2 kg輥往返1次而將厚度50 μm之PET膜（Lumirror S10，東麗公司製造）貼附於上述積層體，獲得測定用樣品。 其後，使用超高壓水銀紫外線照射器，以累計照射量成為2000 mJ/cm2 之方式，向測定用樣品照射365 nm之紫外線。以照射強度成為100 mW/cm2 之方式調節照度。使用Autograph（島津製作所公司製造），於溫度23℃、相對濕度50%之環境下以300 mm/min之拉伸速度沿180°方向剝離雙面黏著帶，測定剝離力Fa。再者，對於向測定樣品照射紫外線前之剝離力，亦以相同方式進行測定。
（3）Fb之測定 將雙面黏著帶之支持體側黏著劑層側之隔離膜剝離，貼附厚度50 μm之PET膜（Lumirror S10，東麗公司製造）後，將晶片零件側黏著劑層側之隔離膜剝離，貼附於SUS板，製作測定用樣品。除此以外，以與上述Fa之測定相同之方式進行測定。
（4）照射紫外線前之儲存彈性模數之測定 以厚度成為400 μm之方式製作僅晶片零件側黏著劑層之測定樣品。對於該測定樣品，使用黏彈性譜儀（DVA-200，IT Meter and Control公司製造），於剪切模式、升溫速度10℃/分鐘、頻率10 Hz之條件下進行測定。將此時之於23℃之儲存彈性模數作為施加刺激前（藉由紫外線之照射而硬化前且施加刺激前）之儲存彈性模數。
（5）晶片零件貼合於支持體（轉印用積層體之製作） 使用貼合機裝置（ATM-812，Takatori公司製造），將雙面黏著帶之支持體側黏著劑層側之隔離膜剝離，將雙面黏著帶與支持體（石英玻璃）貼合，獲得轉印用基板。 其後，將轉印用基板上之雙面黏著帶之晶片零件側黏著劑層側之隔離膜剝離，使用覆晶接合機（FC-3000，東麗工程公司製造），將Si晶片（1 cm見方，厚度為700 μm）載置於晶片零件側黏著劑層上，獲得轉印用積層體。
（6）晶片零件之轉印 作為驅動電路基板，使用表面具有接著層（對SUS板之180°方向之剝離力為0.2 N/inch）之基板。使轉印用積層體之晶片表面與驅動電路基板相接，除此以外，以與圖1相同之方式，將晶片零件與驅動電路基板之位置對齊。其後，使用高壓水銀紫外線照射裝置（GWSM-300R，Takatori公司製造），以累計照射量成為2000 mJ/cm2 之方式自支持體側向晶片零件側黏著劑層整體照射365 nm之紫外線，對晶片零件側黏著劑層整體施加刺激而產生氣體，並且使晶片零件側黏著劑層硬化（整面照射）。以照射強度成為100 mW/cm2 之方式調節照度。照射後，提起轉印用基板，進行晶片零件之轉印。
（實施例2） 分別將晶片零件側黏著劑層及支持體側黏著劑層之厚度變更為25 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式，進行晶片零件之轉印。
（實施例3） 使用構成晶片零件側黏著劑層之黏著劑溶液B，除此以外，以與實施例1相同之方式，進行晶片零件之轉印。
（實施例4） 以與實施例1相同之方式，製造雙面黏著帶。代替向晶片零件側黏著劑層整體照射紫外線（整面照射），使用SPOT型UV照射裝置（LS5，浜松光子公司製造），將紫外線聚光於1 cm見方，以照射強度成為500 mW/cm2 之方式向晶片零件側黏著劑層之要剝離之每個晶片零件區域照射10秒，除此以外，以與實施例1相同之方式，進行晶片零件之轉印。
（實施例5） 使用構成支持體側黏著劑層之黏著劑溶液D，除此以外，以與實施例1相同之方式，進行晶片零件之轉印。
＜評價＞ 對於實施例，藉由以下之方法進行評價。將結果示於表1。
（1）轉印之良率評價 將上述（6）之晶片零件之轉印進行5次，將5次全部可轉印之情況設為○，將至少1次無法轉印之情況設為×。
（2）殘渣之評價 藉由光學顯微鏡（VHX-500F，基恩士公司製造）對上述（6）之晶片零件之轉印後之晶片零件進行觀察，對殘渣之附著進行評價。將每個晶片零件0.1 mm以上之糊劑殘留部位為1個以下之情況設為◎，將2個以上且5個以下之情況設為○，將5個以上或因剝離不良而無法觀察之情況設為×。
（3）晶片零件與雙面黏著帶之剝離評價（自然掉落次數之測定） 將轉印用積層體之晶片表面與驅動電路基板間隔1 cm而設置，將晶片零件與驅動電路基板之位置對齊，除此以外，以與實施例（上述（6）之晶片零件之轉印）相同之方式，進行晶片零件之轉印。進行5次評價，對紫外線照射後之晶片零件自晶片零件側黏著劑層自然剝離（掉落），可確認轉印至驅動電路基板之次數（掉落次數）進行測定。
[表1]
   UV照射前之剝離力Fa（支持體側） UV照射前之剝離力Fb（晶片零件側） UV照射後之剝離力Fa（支持體側） UV照射後之剝離力Fb（晶片零件側） UV照射前之儲存彈性模數G'（晶片零件側） 評價結果
對SUS 對SUS 對SUS 對SUS 轉印之良率 自然掉落次數 殘渣
實施例1 5 N/inch 5 N/inch 5 N/inch 0.05 N/inch 1.0×104 Pa 〇 3 ◎
實施例2 8 N/inch 8 N/inch 8 N/inch 0.1 N/inch 1.0×104 Pa 〇 2 ◎
實施例3 5 N/inch 0.3 N/inch 5 N/inch 0.3 N/inch 1.0×105 Pa 〇 1 〇
實施例4 5 N/inch 5 N/inch 5 N/inch 0.05 N/inch 1.0×104 Pa 〇 5 ◎
實施例5 2 N/inch 5 N/inch 2 N/inch 0.05 N/inch 1.0×104 Pa 〇 3 ◎
[產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種電子零件之製造方法，其係將晶片零件自於具有黏著劑層之轉印用基板上配置有晶片零件之轉印用積層體轉印至驅動電路基板上者，可減少黏著劑層之殘渣，並且高良率地轉印晶片零件。又，根據本發明，可提供一種包括該電子零件之製造方法之顯示裝置之製造方法。
1:晶片零件 1a:電極 2:臨時基板 3:臨時積層體 4:至少具有含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶 4a:支持體側黏著劑層 4b:含有氣體產生劑之黏著劑層（晶片零件側黏著劑層） 5:支持體 6:轉印用積層體 7:驅動電路基板 7a:電極 8:光照射裝置 8a:光 9:轉印用基板
[圖1]係示意地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（1）之一例的圖。 [圖2]係示意地表示本發明之電子零件之製造方法中所使用之至少具有含有氣體產生劑之黏著劑層之雙面黏著帶之一例的剖面圖。 [圖3]係示意地表示本發明之電子零件之製造方法中所使用之臨時積層體之一例的剖面圖。 [圖4]係示意地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（b）之一例的圖。 [圖5]係示意地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（c）之一例的圖。 [圖6]係示意地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（2）之另一例的圖。 [圖7]係示意地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（2）之又一例的圖。

Claims (10)

  1. 一種電子零件之製造方法，其具有： 步驟（1），其係使於具有含有氣體產生劑之黏著劑層之轉印用基板上配置有晶片零件之轉印用積層體與驅動電路基板接近，並將上述晶片零件與上述驅動電路基板之位置對齊；及 步驟（2），其係對上述含有氣體產生劑之黏著劑層施加刺激，將上述晶片零件自上述轉印用積層體轉印至上述驅動電路基板上； 於上述步驟（2）中，對上述含有氣體產生劑之黏著劑層所施加之刺激為光。
  2. 如請求項1之電子零件之製造方法，其中，於上述步驟（2）中，對上述含有氣體產生劑之黏著劑層整體施加刺激。
  3. 如請求項1之電子零件之製造方法，其中，於上述步驟（2）中，對上述含有氣體產生劑之黏著劑層之要剝離之每個晶片零件區域施加刺激。
  4. 如請求項1、2或3之電子零件之製造方法，其中，上述含有氣體產生劑之黏著劑層為光硬化型黏著劑層。
  5. 如請求項1、2或3之電子零件之製造方法，其中，上述轉印用基板具有支持體、及具有含有氣體產生劑之黏著劑層與支持體側黏著劑層之雙面黏著帶，將上述含有氣體產生劑之黏著劑層對SUS板之180°方向之剝離力設為Fb，將上述支持體側黏著劑層對SUS板之180°方向之剝離力設為Fa時，Fa＞Fb，且Fa為1 N/inch以上。
  6. 如請求項1、2或3之電子零件之製造方法，其中，上述含有氣體產生劑之黏著劑層為紫外線硬化型黏著劑層。
  7. 如請求項5之電子零件之製造方法，其中，上述Fb為0.3 N/inch以下。
  8. 如請求項1、2或3之電子零件之製造方法，其中，上述含有氣體產生劑之黏著劑層的施加刺激前之儲存彈性模數為1.0×10 4Pa以上。
  9. 如請求項1、2或3之電子零件之製造方法，其中，上述含有氣體產生劑之黏著劑層之厚度為200 μm以下。
  10. 一種顯示裝置之製造方法，其包括請求項1、2、3、4、5、6、7、8或9之電子零件之製造方法，其中，上述晶片零件為微型LED晶片。
TW110108119A 2020-03-09 2021-03-08 電子零件之製造方法、及顯示裝置之製造方法 TWI875976B (zh)

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