TWI875231B

TWI875231B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI875231B
Application number: TW112138560A
Authority: TW
Inventors: 嚴惠先; 金珉奭; 李收珉
Original assignee: 南韓商樂金顯示科技股份有限公司
Priority date: 2022-12-06
Filing date: 2023-10-06
Publication date: 2025-03-01
Also published as: CN118156282A; TW202424939A; JP2024081590A; US20240186471A1; KR20240084305A; EP4391052A1; JP7651634B2

Abstract

一種顯示裝置，包含包含複數個子像素的基板、設置於基板上的各複數個子像素中的像素電路、設置於設置於像素電路的一側上並包含第一電極、半導體層以及第二電極的各複數個子像素中的第一發光單元、設置於設置於像素電路的另一側上並包含第一電極、半導體層以及第二電極的各複數個子像素中的第二發光單元，以及電性連接於像素電路且延伸至第一發光單元以及第二發光單元的像素電極，因此有缺陷的子像素的發光單元能被輕易地修復。

Description

顯示裝置

本發明涉及一種顯示裝置，特別是一種能透過修復製程來修復的顯示裝置。

使用於電腦螢幕、電視機以及行動電話的顯示裝置包含自發光的有機發光顯示器(OLED)以及需要獨立光源的液晶顯示器(LCD)。

顯示裝置已被應用於越來越多樣的應用領域，應用領域不僅包含電腦螢幕以及電視機，也包含個人行動裝置，且因此，具有經減少的體積以及重量並同時具有寬主動區域的顯示裝置已被研究。

近年來，包含發光二極體(LED)的顯示裝置被關注成為下一代的顯示裝置。因為LED由無機材料形成而非由有機材料形成，所以其相較於液晶顯示器或有機發光顯示器具有優異的可靠性以及較長的壽命。此外，LED由於高耐衝擊性而具有高發光速度、高發光效率以及優異的穩定性，且可以顯示高亮度影像。

因此，本發明涉及實質上消除上述限制以及缺點的問題之中的一者或多者的一種顯示裝置。

更具體地，本發明在於提供能夠輕易地使有缺陷的子像素變暗的一種顯示裝置。

本發明也在於提供能透過焊接製程修復發生混色缺陷的子像素的發光單元的一種顯示裝置。

再者，本發明在於提供能夠藉由使用組裝電極來輕易地將連接於有缺陷的像素電路的發光單元以及發生混色缺陷的子像素的發光單元連接於正常驅動的像素電路的一種顯示裝置。

本發明並不限於上述特徵，且所屬技術領域中具有通常知識者可以從以下描述來清楚地理解未於上述提及的其他特徵。

根據本發明的一態樣，顯示裝置包含包含複數個子像素的基板、設置於基板上的各複數個子像素中的像素電路、設置於設置於像素電路的一側上並包含第一電極、半導體層以及第二電極的各複數個子像素中的第一發光單元、設置於設置於像素電路的另一側上並包含第一電極、半導體層以及第二電極的各複數個子像素中的第二發光單元，以及電性連接於像素電路且延伸至第一發光單元以及第二發光單元的像素電極。因此，能輕易地修復發生缺陷的子像素的發光單元。

示例性態樣的其他詳細事項包含在實施方式以及圖式中。

根據本發明，藉由焊接製程可以使有缺陷的子像素變暗，且修復製程可以在其上進行。

根據本發明，即便發光單元因為發光單元的尺寸差異而設置於非期望的子像素中，對應的發光單元仍可以被正常地使用。

根據本發明，藉由使用組裝電極，有缺陷的子像素的發光單元可以輕易地連接於正常子像素的像素電路。

根據本發明，因為是在沒有使用用於修復製程的獨立的結構的情況下，藉由使用組裝電極以及像素電極來進行修復製程，所以顯示裝置的結構可以被簡化。

根據本發明的功效並不限於上述示例性內容，且更多各種功效包含在本發明內。

本發明之優點與特性及其實施方式將參照描述於隨後的示例性態樣以及所附圖式來詳細闡明。然而，本發明並不限於本文中的示例性態樣，且可以各種形式實施。示例性態樣僅為示例性的以使所屬技術領域中具有通常知識可以完全理解本發明的揭露以及本發明的範圍。

用以描述本發明之示例性態樣的圖式中所繪示之形狀、尺寸、比例、角度及數量等僅為一範例，且本發明並不以此為限。在全文中，相似的標號通常指示相似的元件。再者，在本發明的以下描述中，相關習知的技術的詳細的描述可以被省略以避免不必要地模糊本發明的主旨。除非使用例如「僅」的用語，否則使用於此的例如「包含」、「具有」以及「由…組成」的用語通常旨在允許增加另一元件。除非有明確指出，否則單數形式可以包含多數形式。

即便沒有明確指出，元件應解釋為包含一般的誤差範圍。

在描述位置關係時，當兩部件之間的位置關係使用如「上」、「之上」、「下方」、「旁」等用語描述時，一個或多個其他部件可以設置於此二部件之間，除非使用例如「緊接地」或「直接地」等的進一步限定的用語。

當元件或層體設置於其他元件或層體「上」，另一層體或另一元件可以直接插設於其他元件上或其之間。

雖然「第一」、「第二」等用語可以使用於此來描述各種不同的元件，但這些元件不應被這些用語限制。這些用語僅是用於自另一元件區分一元件。因此，在本發明的技術觀念中，將在以下提及的第一元件可以是第二元件。

在全文中，相似的標號通常指示相似的元件。

繪示於圖式的各元件的尺寸以及厚度是為了方便描述而繪示的，且本發明並不限於所繪示的元件的尺寸以及厚度。

本發明的各種態樣的特徵可以部分或整個地彼此黏合或結合，且可以技術上各種方式互鎖以及操作，且這些態樣可以獨立地或彼此關聯地執行。

以下，將參照所附圖式詳細描述根據本發明的示例性態樣的顯示裝置。

圖1係根據本發明的一示例性態樣的顯示裝置的配置示意圖。

在圖1中，顯示裝置100的各種元件之中的顯示面板PN、閘極驅動器GD、資料驅動器DD，以及時序控制器TC僅為了描述方便來繪示。

請參考圖1，顯示裝置100包含包含複數個子像素SP的顯示面板PN、用於將各種訊號供應至顯示面板PN的閘極驅動器GD以及資料驅動器DD，以及用於控制閘極驅動器GD以及資料驅動器DD的時序控制器TC。

作為用於顯示影像的元件的顯示面板PN包含複數個子像素SP。在顯示面板PN中，複數個掃描線SL以及複數個資料線DL彼此相交，且各個子像素SP連接於掃描線SL以及資料線DL。此外，各個子像素SP可以連接於高電位電源供應線VDD(繪示於圖2中)、低電位電源供應線VSS(未繪示)、參考線RL(繪示於圖2中)等。

複數個子像素SP是構成螢幕的最小單元，且各個子像素SP包含發光單元以及用於驅動複數個子像素SP的像素電路。根據顯示面板PN的類型，複數個發光單元可以用不同的方式被界定。舉例來說，當顯示面板PN為無機發光顯示面板時，發光單元可以是發光二極體(LED)或微型發光二極體(LED)。

根據從時序控制器TC提供的複數個閘極控制訊號GCS，閘極驅動器GD將複數個掃描訊號SCAN供應至複數個掃描線SL。雖然圖1繪示一個閘極驅動器GD與顯示面板PN的一側分離，但閘極驅動器GD的數量以及布置方式並不以此為限。

根據從時序控制器TC提供的複數個資料控制訊號DCS，藉由使用參考伽瑪電壓(reference gamma voltage)，資料驅動器DD將從時序控制器TC輸入的影像資料RGB轉換成資料電壓Vdata。資料驅動器DD可以將經轉換的資料電壓Vdata供應至複數個資料線DL。

時序控制器TC校準(align)從外部輸入的影像資料RGB並將其供應至資料驅動器DD。時序控制器TC可以利用從外部輸入的同步訊號來產生閘極控制訊號GCS以及資料控制訊號DCS，其中同步訊號例如為時點脈訊號(dot clock signal)、資料致能訊號(data enable signal)以及水平/垂直同步訊號。此外，時序控制器TC可以將所產生的閘極控制訊號GCS以及資料控制訊號DCS分別供應至閘極驅動器GD以及資料驅動器DD，以控制閘極驅動器GD以及資料驅動器DD。

以下，為了顯示裝置100的顯示面板PN的更詳細描述，將一起參照圖2至圖4。

圖2係根據本發明的一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖。圖3係沿著圖2的線A-A′以及B-B′繪示的剖面圖。圖4係沿著圖2的線C-C′繪示的剖面圖。請參考圖2，各個子像素SP包含第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、儲存電容器Cst以及一個或多個發光單元LED。在圖3中，組裝電極120、像素電極PE以及發光單元LED的影線將被省略。

請參考圖2，在顯示裝置100中，複數個子像素SP包含設置於第一行中的第一子像素SP1、設置於第二行中的第二子像素SP2，以及設置於第三行中的第三子像素SP3。設置於第一行中的第一子像素SP1、設置於第二行中的第二子像素SP2，以及設置於第三行中的第三子像素SP3沿著列方向重複。

第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3各自包含發光單元LED以及像素電路，且可以獨立地發光。舉例來說，第一子像素SP1可以是紅色子像素、第二子像素SP2可以是綠色子像素，以及第三子像素SP3可以是藍色子像素，但本發明並不以此為限。再者，像素電路可以包含第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3以及儲存電容器Cst。

顯示面板PN包含基板110、緩衝層111、閘極絕緣層112、層間絕緣層113、第一鈍化層114、第一平坦化層115、第二鈍化層116、第三鈍化層117以及第二平坦化層118。

基板110是支撐被包含於顯示面板PN中的各種元件的元件，且可以由絕緣材料形成。舉例來說，基板110可以由玻璃或樹脂形成。此外，基板110可以由聚合物或塑膠形成，或可以由具有可撓性的材料形成。

高電位電源供應線VDD、複數個資料線DL、參考線RL、組裝電極120、遮光層LS以及第一電容器電極SC1設置於基板110上。

高電位電源供應線VDD是將高電位電源供應電壓傳輸至各複數個子像素SP的線路。複數個高電位電源供應線VDD可以將高電位電源供應電壓分別傳輸至複數個子像素SP的第二電晶體T2。高電位電源供應線VDD可以在複數個子像素SP之間沿著行方向延伸。舉例來說，高電位電源供應線VDD可以在第一子像素SP1和第三子像素SP3之間沿著行方向設置。此外，高電位電源供應線VDD可以透過輔助高電位電源供應線VDDA將高電位電源供應電壓傳輸至沿著列方向設置的各個子像素SP，這將於隨後描述。在此情況下，高電位電源供應線VDD可以被稱為是第一電源供應線。再者，行方向可以被稱為第一方向，且列方向可以被稱為第二方向。

複數個資料線DL是將資料電壓Vdata轉移至各個子像素SP的線路。複數個資料線DL可以分別連接於複數個子像素SP的第一電晶體T1。複數個資料線DL可以在複數個子像素SP之間沿著行方向延伸。舉例來說，在第一子像素SP1和高電位電源供應線VDD之間沿著行方向延伸的資料線DL可以將資料電壓Vdata轉移至第一子像素SP1，設置於第一子像素SP1和第二子像素SP2之間的資料線DL可以將資料電壓Vdata轉移至第二子像素SP2，且設置於第三子像素SP3和高電位電源供應線VDD之間的資料線DL可以將資料電壓Vdata轉移至第三子像素SP3。

參考線RL是將參考電壓傳輸至各個子像素SP的線路。參考線RL可以分別連接於複數個子像素SP的第三電晶體T3。參考線RL可以在複數個子像素SP之間沿著行方向延伸。舉例來說，參考線RL可以在第二子像素SP2和第三子像素SP3之間沿著行方向延伸。相鄰於參考線RL的第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3各自的第三電晶體T3的第三汲極電極DE3可以沿著列方向延伸，且可以電性連接於參考線RL。在此情況下，參考線RL可以被稱為第三電源供應線。

遮光層LS在各個子像素SP中設置於基板110上。遮光層LS可以阻擋從基板110的下部部分入射至電晶體的光以使漏電流最小化。舉例來說，遮光層LS可以阻擋入射至作為驅動電晶體的第二電晶體T2的第二主動層ACT2的光。

第一電容器電極SC1在各個子像素SP中設置於基板110上。第一電容器電極SC1以及其他電容器電極可以形成出儲存電容器Cst。第一電容器電極SC1可以與遮光層LS一體成型。

緩衝層111設置於高電位電源供應線VDD、複數個資料線DL、參考線RL、遮光層LS以及第一電容器電極SC1上。緩衝層111可以減緩水氣或雜質滲透過基板110的情形。緩衝層111可以由例如氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)的單層或多層結構組成，但不以此為限。然而，緩衝層111可以依據基板110的類型或電晶體的類型被省略，但不以此為限。

首先，第一電晶體T1在各個子像素SP中設置於緩衝層111上。第一電晶體T1將資料電壓Vdata轉移至第二電晶體T2的第二閘極電極GE2。可以藉由來自掃描線SL的掃描訊號使第一電晶體T1導通，且可以透過經導通的第一電晶體T1使來自資料線DL的資料電壓Vdata傳輸至第二電晶體T2的第二閘極電極GE2。因此，第一電晶體T1可以被稱為開關電晶體。

第一電晶體T1包含第一主動層ACT、第一閘極電極GE1、第一源極電極SE1以及第一汲極電極DE1。

第一主動層ACT設置於緩衝層111上。第一主動層ACT可以由例如氧化物半導體、非晶矽以及多晶矽的半導體材料形成，但不以此為限。

閘極絕緣層112設置於第一主動層ACT上。閘極絕緣層112是用於將第一主動層ACT以及第一閘極電極GE1絕緣的絕緣層，且可以由氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)的單層或多層結構組成。然而，本發明並不以此為限。

第一閘極電極GE1設置於閘極絕緣層112上。第一閘極電極GE1可以電性連接於掃描線SL。第一閘極電極GE1可以由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)以及鉻(Cr)或其合金的導電材料形成，但不以此為限。

層間絕緣層113設置於第一閘極電極GE1上。用於將各個第一源極電極SE1以及第一汲極電極DE1連接於第一主動層ACT的接觸孔形成於層間絕緣層113中。層間絕緣層113是用於保護層間絕緣層113之下的元件的絕緣層，且可以由氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)的單層或多層結構組成，但不以此為限。

電性連接於第一主動層ACT的第一源極電極SE1以及第一汲極電極DE1設置於層間絕緣層113上。第一汲極電極DE1可以連接於資料線DL以及第一主動層ACT，且第一源極電極SE1可以連接於第一主動層ACT以及第二電晶體T2的閘極電極GE2。第一源極電極SE1以及第一汲極電極DE1可以由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)以及鉻(Cr)或其合金的導電材料形成，但不以此為限。

第二電晶體T2在各個子像素SP中設置於緩衝層111上。第二電晶體T2是將驅動電流供應至發光單元LED的電晶體。第二電晶體T2可以被導通以控制流至發光單元LED的驅動電流。因此，用於控制驅動電流的第二電晶體T2可以被稱為驅動電晶體。

第二電晶體T2包含第二主動層ACT2、第二閘極電極GE2、第二源極電極SE2以及第二汲極電極DE2。

第二主動層ACT2設置於緩衝層111上。第二主動層ACT2可以由例如氧化物半導體、非晶矽以及多晶矽的半導體材料形成，但不以此為限。

閘極絕緣層112設置於第二主動層ACT2上，且第二閘極電極GE2設置於閘極絕緣層112上。第二閘極電極GE2可以電性連接於第一電晶體T1的第一源極電極SE1。第二閘極電極GE2可以由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)以及鉻(Cr)或其合金的導電材料形成，但不以此為限。

層間絕緣層113設置於第二閘極電極GE2上，且電性連接於第二主動層ACT2的第二源極電極SE2以及第二汲極電極DE2設置於層間絕緣層113上。第二汲極電極DE2可以電性連接於第二主動層ACT2以及高電位電源供應線VDD，且第二源極電極SE2可以連接於第二主動層ACT2以及發光單元LED。第二源極電極SE2以及第二汲極電極DE2可以由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)以及鉻(Cr)或其合金的導電材料形成，但不以此為限。

第三電晶體T3在各個子像素SP中設置於緩衝層111上。第三電晶體T3是用於補償第二電晶體T2的閾值電壓的電晶體。第三電晶體T3在第二電晶體T2的第二源極電極SE2和參考線RL之間被連接。第三電晶體T3可以被導通，且可以將參考電壓轉移至第二電晶體T2的第二源極電極SE2以感測第二電晶體T2的閾值電壓。因此，感測第二電晶體T2的特性的第三電晶體T3可以被稱為感測電晶體。

第三電晶體T3包含第三主動層ACT3、第三閘極電極GE3、第三源極電極SE3以及第三汲極電極DE3。

第三主動層ACT3設置於緩衝層111上。第三主動層ACT3可以由例如氧化物半導體、非晶矽以及多晶矽的半導體材料形成，但不以此為限。

閘極絕緣層112設置於第三主動層ACT3上，且第三閘極電極GE3設置於閘極絕緣層112上。第三閘極電極GE3可以電性連接於掃描線SL。第三閘極電極GE3可以由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)以及鉻(Cr)或其合金的導電材料形成，但不以此為限。

層間絕緣層113設置於第三閘極電極GE3上，且電性連接於第三主動層ACT3的第三源極電極SE3以及第三汲極電極DE3設置於層間絕緣層113上。第三汲極電極DE3可以電性連接於第三主動層ACT3以及參考線RL，且第三源極電極SE3可以電性連接於第三主動層ACT3以及第二電晶體T2的第二源極電極SE2。第三源極電極SE3以及第三汲極電極DE3可以由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)以及鉻(Cr)或其合金的導電材料形成，但不以此為限。

繪示於圖2中的第一電晶體T1以及第三電晶體T3是藉由連接於掃描線SL而被控制的電晶體，但並不以此為限。像素電路可以包含連接於被施加發光控制訊號的發光線的電晶體。

第二電容器電極SC2設置於閘極絕緣層112上。第二電容器電極SC2是形成儲存電容器Cst的其中一個電極，且可以被設置以與第一電容器電極SC1重疊。第二電容器電極SC2與第二電晶體T2的第二閘極電極GE2一體成型，且第二電容器電極SC2可以電性連接於第二閘極電極GE2。第一電容器電極SC1以及第二電容器電極SC2可以彼此分離，且緩衝層111以及閘極絕緣層112插設於第一電容器電極SC1以及第二電容器電極SC2之間。

此外，複數個掃描線SL、輔助高電位電源供應線VDDA以及第三電容器電極SC3設置於層間絕緣層113上。

首先，掃描線SL是將掃描訊號傳輸至各個子像素SP的線路。掃描線SL可以與複數個子像素SP相交，且可以沿著列方向延伸。掃描線SL可以電性連接於各個子像素SP的第一電晶體T1的第一閘極電極GE1以及第三電晶體T3的第三閘極電極GE3。

輔助高電位電源供應線VDDA設置於層間絕緣層113上。輔助高電位電源供應線VDDA可以沿著列方向延伸，且可以被設置為跨過複數個子像素SP。輔助高電位電源供應線VDDA可以電性連接於沿著行方向延伸的高電位電源供應線VDD以及沿著列方向設置的複數個子像素SP各自的第二電晶體T2的第二汲極電極DE2。

第三電容器電極SC3設置於層間絕緣層113上。第三電容器電極SC3是形成儲存電容器Cst的電極，且可以被設置以與第一電容器電極SC1以及第二電容器電極SC2重疊。第三電容器電極SC3可以與第二電晶體T2的第二源極電極SE2一體成型，且可以電性連接於第二源極電極SE2。再者，第二源極電極SE2也可以透過形成於層間絕緣層113以及緩衝層111中的接觸孔電性連接於第一電容器電極SC1。因此，第一電容器電極SC1以及第三電容器電極SC3可以電性連接於第二電晶體T2的第二源極電極SE2。

在發光單元LED發光的同時，儲存電容器Cst可以儲存第二電晶體T2的第二閘極電極GE2和第二源極電極SE2之間的電位差，以使恆定電流被供應至發光單元LED。儲存電容器Cst包含形成於基板110上且連接於第二源極電極SE2的第一電容器電極SC1、形成於緩衝層111以及閘極絕緣層112上且連接於閘極電極GE2的第二電容器電極SC2，以及形成於層間絕緣層113上且連接於第二源極電極SE2的第三電容器電極SC3，以使儲存電容器Cst可以儲存第二電晶體T2的第二閘極電極GE2和第二源極電極SE2之間的電壓。

第一鈍化層114設置於第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3以及儲存電容器Cst上。第一鈍化層114是用於保護第一鈍化層114之下的元件的絕緣層，且可以由氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)的單層或多層結構組成，但不以此為限。

第一平坦化層115設置於第一鈍化層114上。第一平坦化層115可以使設置有複數個電晶體T1、T2、T3以及儲存電容器Cst的基板110的上部部分平坦化。第一平坦化層115可以由單層或多層結構構成，且可以由例如光阻劑或丙烯酸基(acryl-based)有機材料形成，但不以此為限。

第二鈍化層116設置於第一平坦化層115上。第二鈍化層116是用於保護第二鈍化層116之下的元件的絕緣層，且可以由氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)的單層或多層結構構成，但不以此為限。

連接電極150以及複數個組裝電極120設置於第二鈍化層116上。

連接電極150是電性連接第二電晶體T2以及像素電極PE的電極。連接電極150可以透過形成於第二鈍化層116、第一平坦化層115以及第一鈍化層114中的接觸孔電性連接於第二源極電極SE2以及第三電容器電極SC3。

連接電極150可以具有包含第一連接層150a以及第二連接層150b的多層結構。第一連接層150a設置於第二鈍化層116上，且覆蓋第一連接層150a的第二連接層150b被設置。第二連接層150b可以被設置以環繞第一連接層150a的上部表面以及側表面。

第二連接層150b由相較於第一連接層150a更耐腐蝕的材料形成，且因此在製造顯示裝置100時，可以使因第一連接層150a和相鄰的線路之間的位移導致的短路缺陷最小化。舉例來說，第一連接層150a可以由例如銅(Cu)以及鉻(Cr)的導電材料形成，且第二連接層150b可以由鉬(Mo)或鉬鈦合金(MoTi)形成，但本發明並不以此為限。

複數個組裝電極120設置於第二鈍化層116上。

組裝電極120包含第一組裝電極122以及第二組裝電極123。

複數個第一組裝電極122以及複數個第二組裝電極123可以在各個第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3中沿著行方向延伸，且可以固定間隔彼此分離。

第一組裝電極122可以設置於對應發光單元LED的一側的區域中。在多個組裝電極120之中，第一組裝電極122可以設置於與低電位電源供應線重疊的區域中且電性連接於低電位電源供應線。低電位電源供應線是將低電位電源供應電壓傳輸至發光單元LED的線路。低電位電源供應線可以在各個子像素SP中沿著行方向延伸。舉例來說，低電位電源供應線可以設置於各個第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3中。

第二組裝電極123可以與第一組裝電極122分離，且可以設置於對應發光單元LED的另一側的區域中。

複數個組裝電極120各自包含設置於第二鈍化層116上的導電層122a、123a，以及設置於導電層122a、123a上且覆蓋導電層122a、123a的上部表面以及側表面的披覆層122b、123b。

第一組裝電極122包含第一導電層122a以及第一披覆層122b，且第二組裝電極123包含第二導電層123a以及第二披覆層123b。

第一導電層122a以及第二導電層123a可以不與發光單元LED重疊。亦即，第一導電層122a以及第二導電層123a的端部可以設置於發光單元LED的端部之外。

第一組裝電極122的第一披覆層122b可以被設置以覆蓋第一導電層122a的上部表面以及側表面。在此情況下，第一披覆層122b以及第二披覆層123b可以自第一導電層122a以及第二導電層123a的端部朝向發光單元LED的中心部分延伸，且可以與發光單元LED重疊。舉例來說，各個第一披覆層122b以及第二披覆層123b可以被設置以與對應小於發光單元LED的下部表面的面積的一半的區域重疊。

第一導電層122a以及第二導電層123a與連接電極150的第一連接層150a可以透過相同製程由相同材料形成。舉例來說，第一導電層122a以及第二導電層123a可以由例如銅(Cu)以及鉻(Cr)的導電材料形成。再者，第一披覆層122b以及第二披覆層123b與連接電極150的第二連接層150b可以透過相同製程由相同材料形成。舉例來說，第一披覆層122b以及第二披覆層123b可以由相較於第一導電層122a以及第二導電層123a更耐腐蝕的材料形成，如鉬(Mo)、鉬鈦合金(MoTi)等，但本發明並不以此為限。

第三鈍化層117設置於連接電極150以及組裝電極120上。第三鈍化層117是用於保護第三鈍化層117之下的元件的絕緣層，且可以由氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)的單層或多層結構構成，但不以此為限。

複數個發光單元LED設置於第三鈍化層117上。

第三鈍化層117可以於相鄰於複數個發光單元LED的區域具有開口。舉例來說，第三鈍化層117可以於相鄰於複數個發光單元LED的兩側表面的一側表面的區域具有開口。舉例來說，在相鄰於複數個發光單元LED的一個側表面的區域中，第三鈍化層117可以部分地曝露出第一組裝電極122的上部表面。

一個或多個發光單元LED在第三鈍化層117上設置於一個子像素SP中。發光單元LED是藉由電流來發光的元件。發光單元LED可以包含發出紅光、綠光、藍光等的發光單元LED，且透過其組合可以實施包含白光的各種顏色的光。此外，可以藉由使用發出特定顏色的光的發光單元LED以及將來自發光單元LED的光轉換成不同顏色的光的光轉換單元，來實施各種顏色的光。

發光單元LED可以藉由接收來自第二電晶體T2的驅動電流來發光。發光單元LED的尺寸可以根據發光單元LED的類型來變化。在此情況下，因為發光單元LED的類型表示發出的光的類型，所以發光單元LED的尺寸可以依據發光單元LED是否為紅色發光單元、綠色發光單元或藍色發光單元來變化。發光單元可以對於其發出的各個顏色的光展現出不同的發光效率。因此，可以根據發光單元LED的效率來決定發光單元LED的尺寸，以使發出不同顏色的光的發光單元可以發出具有相同亮度的光。

舉例來說，當發出特定顏色的發光單元的發光效率相對低時，所述發光單元可以藉由將其形成為比其他發光單元更大的尺寸來相較其他發光單元發出相同亮度的光。在圖2中，設置於第一子像素SP1的發光單元LED的尺寸是最大的，設置於第二子像素SP2中的發光單元LED的尺寸小於設置於第一子像素SP1中的發光單元LED的尺寸，且設置於第三子像素SP3中的發光單元LED的尺寸小於設置於第二子像素SP2中的發光單元LED的尺寸。在此情況下，設置於第一子像素SP1中的發光單元LED可以是紅色發光單元，設置於第二子像素SP2中的發光單元LED可以是綠色發光單元，且設置於第三子像素SP3中的發光單元LED可以是藍色發光單元，但本發明並不以此為限。

在此情況下，設置於一子像素SP中的複數個發光單元LED可以並聯。亦即，各個發光單元LED的一個電極可以連接於相同第二電晶體T2的源極電極，且上述之其他電極可以連接於相同組裝電極120。

發光單元LED可以包含第一發光單元130以及第二發光單元140。同時，設置於各個子像素SP中的發光單元LED可以彼此分離，且像素電路插設於其之間。具體來說，第一發光單元130可以設置於像素電路的一側上，且第二發光單元140可以設置於像素電路的另一側上。舉例來說，如圖2所示，第一發光單元130可以設置於像素電路的上側上，且第二發光單元140可以設置於像素電路的下側上。

第一發光單元130與第二發光單元140可以發出相同顏色的光。在此情況下，因為第一發光單元130以及第二發光單元140與發光單元LED屬於相同類型，所以第一發光單元130的尺寸可以相同於第二發光單元140的尺寸。於此，發光單元LED的尺寸可以是發光單元LED的下部表面的面積、發光單元LED的剖面之寬度，或發光單元LED的體積、高度等。然而，本發明並不以此為限。

為了描述方便，圖2以及圖4繪示兩個發光單元LED設置於各個子像素SP中，但設置於各個子像素SP中的發光單元LED的數量並不以此為限。

請參考圖3以及圖4，發光單元130包含第一半導體層131、發光層132、第二半導體層133、第一電極134、第二電極135以及封裝層136。

第一半導體層131設置於第三鈍化層117上，且第二半導體層133設置於第一半導體層131上。第一半導體層131以及第二半導體層133可以是將n型雜質以及p型雜質摻雜至特定材料所形成的層體。舉例來說，第一半導體層131以及第二半導體層133各自可以是將n型雜質或p型雜質摻雜至例如氮化鎵(GaN)、磷化銦鋁(InAlP)、砷化鎵(GaAs)等材料所形成的層體。此外，p型雜質可以是鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈹(Be)等，且n型雜質可以是矽(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)等，但本發明並不以此為限。

第一半導體層131的一部分可以突出至第二半導體層133外部。第一半導體層131的上部表面可以包含與第二半導體層133的下部表面重疊的一部分，以及設置於第二半導體層133的下部表面外部的一部分。然而，第一半導體層131以及第二半導體層133的尺寸以及形狀可以進行各種修改，但並不以此為限。

發光層132設置於第一半導體層131和第二半導體層133之間。發光層132可以接收來自第一半導體層131以及第二半導體層133的電洞以及電子以發光。發光層132可以由單或多量子井(multi-quantum well，MQW)結構形成，且可以由例如氮化銦鎵(InGaN)或氮化鎵(GaN)形成，但本發明並不以此為限。

第一電極134設置以環繞第一半導體層131的下部表面以及側表面。第一電極134是用於電性連接第一發光單元130以及低電位電源供應線VSS的電極。第一電極134可以由導電材料形成，舉例來說，導電材料可以是由例如氧化銦錫(ITO)以及氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料，或例如鈦(Ti)、金(Au)、銀(Ag)以及銅(Cu)或其合金的不透明導電材料形成，但本發明並不以此為限。

第二電極135設置於第二半導體層133的上部表面上。第二電極135是電性連接像素電極PE以及第二半導體層133的電極，這將於隨後描述。第二電極135可以由導電材料形成，舉例來說，導電材料可以是例如氧化銦錫(ITO)以及氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料，但不以此為限。

環繞至少一部分的第一半導體層131、發光層132、第二半導體層133、第一電極134以及第二電極135的封裝層136被設置。封裝層136可以由絕緣材料形成，且可以保護第一半導體層131、發光層132以及第二半導體層133。封裝層136可以被設置以覆蓋發光層132、相鄰於發光層132的第一半導體層131的側表面的一部分，以及相鄰於發光層132的第二半導體層133的側表面的一部分。第一電極134以及第二電極135可以從封裝層136被曝露出，且可以電性連接像素電極PE以及晶片接觸電極CCE(這將於隨後描述)以及第一電極134和第二電極135。

黏合層AD可以設置於複數個發光單元LED和第三鈍化層117以及組裝電極120之間。在發光單元LED的自組裝期間，黏合層AD可以是暫時地固定發光單元130的有機膜。在製造顯示裝置100時，當覆蓋發光單元LED的有機膜形成時，有機膜的一部分可以填入發光單元LED和第三鈍化層117以及組裝電極120之間的空間，以暫時地將發光單元LED固定於第三鈍化層117以及組裝電極120上。此後，即便有機膜被移除，滲透過發光單元LED之下的有機膜的一部分仍可以留下而沒有被移除，且可以變成黏合層。黏合層AD可以由有機材料形成，例如光阻劑以及丙烯酸基(acryl-based)有機材料，但不以此為限。

晶片接觸電極CCE設置於發光單元LED的一側上。晶片接觸電極CCE是用於電性連接發光單元LED以及組裝電極120的電極。晶片接觸電極CCE可以在與第一組裝電極122重疊的區域中被設置以環繞發光單元LED的至少一部分的第一半導體層131以及第一電極134。在此情況下，晶片接觸電極CCE可以電性連接於在第三鈍化層117具有開口的區域中被第三鈍化層117曝露出的第一組裝電極122。

同時，晶片接觸電極CCE可以不設置於發光單元LED的另一側上。因此，第一發光單元130的第一電極134以及第二發光單元140的第一電極144會電性連接於第一組裝電極122，且可以不連接於第二組裝電極123，且直接絕緣於第二組裝電極123。

第二平坦化層118設置於發光單元LED以及晶片接觸電極CCE上。第二平坦化層118可以使設置有發光單元LED的基板110的上部部分平坦化，且可以與黏合層AD一起將發光單元LED固定至基板110上。

因此，第二平坦化層118可以在發光單元LED的一側上被設置以接觸晶片接觸電極CCE，且可以在發光單元LED的另一側上被設置以接觸發光單元的側表面。

同時，在圖式中，第二平坦化層118被繪示為單層結構，但並不以此為限，且第二平坦化層118可以由單層或多層結構構成，舉例來說，可以由光阻劑或丙烯酸基(acryl-based)有機材料形成，但不以此為限。

像素電極PE設置於第二平坦化層118上。

像素電極PE是用於電性連接複數個發光單元LED以及連接電極150的電極。請參考圖2至圖4，像素電極PE電性連接於像素電路，且延伸至第一發光單元130以及第二發光單元140。亦即，像素電極PE可以自第一發光單元130延伸且連接於第二發光單元140，且可以透過形成於第二平坦化層118中的接觸孔電性連接於連接電極150以及第二電晶體T2。

像素電極PE可以由導電材料形成，舉例來說，導電材料可以是例如氧化銦錫(ITO)以及氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料，但不以此為限。

請參考圖4，第二發光單元140設置於第三鈍化層117上。第二發光單元140與第一發光單元130以及驅動電路一起設置於一個子像素SP中。相對於子像素SP中的像素電路來說，第二發光單元140沿著相對第一發光單元130的方向設置。

第二發光單元140包含第一半導體層141、發光層142、第二半導體層143、第一電極144、第二電極145以及封裝層146。第二發光單元140的第一半導體層141、發光層142、第二半導體層143、第二電極145以及封裝層146可以相似於第一發光單元130的第一半導體層131、發光層132、第二半導體層133、第二電極135以及封裝層136。因此，多餘的描述將被省略。

第二發光單元140可以透過形成於第二平坦化層118中的接觸孔電性連接於第一發光單元130以及自像素電路延伸的像素電極PE。因此，在一個子像素SP中，第一發光單元130以及第二發光單元140可以電性連接於第二電晶體T2。

同時，當使用組裝電極藉由開口內部的自校準發光單元來製造顯示裝置時，可能會產生發出不同顏色的光的發光單元設置於單一子像素中的混色缺陷。在此情況下，發出不同顏色的光的發光單元可能會因為構成發光單元的材料以及材料的效率彼此不同而具有不同尺寸。舉例來說，在具有相對低發光效率的發光單元的情況下，具有相對低發光效率的發光單元相較於其他發光單元可以形成為具有較大的尺寸以使其可以與發出不同顏色的光的發光單元發出相同亮度的光。因此，當紅色發光單元的發光效率是最低時，紅色發光單元可以形成為相對大的尺寸，且當藍色發光單元的發光效率在發光單元之中是最高時，藍色發光單元可以形成為相對小的尺寸。

因此，供發光單元設置於基板上的開口的尺寸可以被設置為對應發光單元的尺寸，以使發出相同顏色的光的元件可以在相同子像素中自校準。然而，當自校準製程以上述方式來進行時，具有相對小的尺寸的發光單元可以設置於設置有具有相對大的尺寸的發光單元的開口中，亦即，可以設置於發出不同顏色的光的子像素中。舉例來說，相較紅色發光單元具有小尺寸的綠色發光單元或藍色發光單元可以設置於設置有紅色發光單元的子像素中，且相較綠色發光單元具有小尺寸的藍色發光單元可以設置於設置有綠色發光單元的子像素中。因此，會有發出不同顏色的光的發光單元設置於一個子像素中或發出非預期顏色的光的發光單元設置於一個子像素中而造成混色缺陷的問題。

因此，當混色缺陷發生於子像素中時，造成混色缺陷的發光單元的像素電極可能斷連進而使被錯放的發光單元變暗。然而，在顯示裝置以像素電極自像素電路沿著一方向延伸且連接於第一發光單元以及第二發光單元這樣的方式來配置的情況下，當缺陷發生於被設置為遠離像素電路的發光單元中時，可以藉由使元件之間的像素電極斷連而使有缺陷的發光單元變暗。同時，當被設置為遠離像素電路的發光單元是正常發光單元，且設置於像素電路和正常發光單元之間的另一發光單元被錯放時，像素電路和發光單元之間的像素電極會被斷連，以使被設置為遠離像素電路的正常發光單元也與像素電路斷連。因此，設置於子像素中的所有複數個發光單元可以變暗，且因此，使用者可視覺上辨認出變暗的區域。

因此，在根據本發明的一示例性態樣的顯示裝置100中，設置於各個子像素SP中的一對發光單元LED被設置為彼此分離，且像素電路插設於其之間，以使僅有一個發光單元LED可以連接於自像素電路延伸的像素電極PE。舉例來說，請參考圖2，第一發光單元130設置於像素電路的上側上，且第二發光單元140設置於像素電路的下側上。在如上述配置顯示裝置100的情況下，若第一發光單元130以及第二發光單元140之中的一者被錯放時，另一者可以維持與像素電路連接。因此，在根據本發明的一示例性態樣的顯示裝置100中，可以藉由選擇性地僅使被錯放的發光單元變暗來改善由肉眼察覺到的變暗的區域的程度。

同時，當一個發光單元被錯放於描述於圖1至圖4中的顯示裝置100中時，修復製程將被啟動且將參照圖5來解釋。

圖5係根據本發明的另一示例性態樣的顯示裝置的剖面圖。具體來說，在圖5中，係假設第一發光單元130以及第二發光單元140之中的第一發光單元130被錯放。除了像素電極PE不同之外，繪示於圖5中的顯示裝置500的其他配置相似於繪示於圖1至圖4中的顯示裝置100的其他配置，所以多餘的描述將被省略。

請參考圖5，子像素SP包含第一發光單元130以及第二發光單元140。於此，當繪示於圖5中的子像素SP是紅色子像素時，第二發光單元140會是紅色發光單元，但第一發光單元130可以是與第二發光單元140發出不同顏色的光的藍色發光單元或綠色發光單元。因此，第一發光單元130以及第二發光單元140是發出不同顏色的光的發光單元LED，且第一發光單元130的尺寸可以不同於第二發光單元140的尺寸。

如上所述，當第一發光單元130被錯放於子像素SP中時，第一發光單元130和像素電路之間的電性連接應被斷連。因此，在根據本發明的另一示例性態樣的顯示裝置500中，可以進行用於使連接第一發光單元130以及像素電路的像素電極PE斷連的切割製程。

舉例來說，可以藉由雷射照射方法使像素電極PE斷連。請參考圖5，像素電極PE在像素電路和第一發光單元130以及第二發光單元140之間變成分離的。因此，像素電極PE連接於正常地設置於第一發光單元130以及第二發光單元140之中的發光單元LED，亦即，像素電極PE連接於第二發光單元140。因此，作為正常發光單元LED的第二發光單元140可以藉由像素電路來發光，且作為造成混色缺陷的發光單元LED的第一發光單元130不會連接於像素電路且可以不發光。

同時，在圖5中，係基於設置於子像素SP的上部部分上的第一發光單元130是造成混色缺陷的發光單元的假設進行描述，但本發明並不以此為限。當設置於子像素SP的下部部分上的第二發光單元140是造成混色缺陷的發光單元LED時，像素電極PE會在像素電路和第二發光單元140之間變成分離的，以使造成混色缺陷的發光單元LED可以變暗。

此外，在圖5中，係基於混色缺陷是發生於子像素SP中的假設進行描述，但本發明並不以此為限。當發光單元LED本身具有缺陷或甚至當像素電路和發光單元LED之間的電性連接有缺陷時，斷連製程可以在子像素SP中的像素電極PE上進行以使有缺陷的發光單元LED變暗。

在根據本發明的另一示例性態樣的顯示裝置100中，設置於各個子像素SP中的一對發光單元LED彼此分離，且像素電路插設於其之間。在此情況下，被錯放的或有缺陷的發光單元LED和像素電路之間的電性連接會被斷連，以使得僅有正常發光單元LED會連接於像素電路PE，且被錯放的或有缺陷的發光單元LED可以不再藉由像素電路PE來發光。

圖6係根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖。圖7係沿著圖6的線D-D′的剖面圖。除了僅像素電極PE以及第二平坦化層618的形狀不同之外，圖6以及圖7的顯示裝置600的其他配置相似於圖1至圖4的顯示裝置100的其他配置，所以多餘的描述將被省略。

請參考圖6，像素電極PE包含延伸至第一發光單元130以及第二發光單元140的第一部分PE1、設置以與設置有像素電極PE的子像素SP的第二組裝電極123重疊的第二部分PE2，以及自第一部分PE1延伸且被設置以與設置於相鄰設置有像素電極PE的子像素SP的行之子像素SP的第二組裝電極123重疊的第三部分PE3。因此，複數個子像素SP的像素電極PE會與相對應的子像素SP的第二組裝電極123以及設置於相鄰於其的行中之子像素SP的第二組裝電極123重疊。舉例來說，第一子像素SP1的像素電極PE可以與第一子像素SP1以及第三子像素SP3各自的第二組裝電極123重疊，第二子像素SP2的像素電極PE可以與第二子像素SP2以及第一子像素SP1各自的第二組裝電極123重疊，且第三子像素SP3的像素電極PE可以與第三子像素SP3以及第二子像素SP2各自的第二組裝電極123重疊。

首先，第一子像素SP1的第二部分PE2以及第三部分PE3設置於相同線路上。舉例來說，第一子像素SP1的第二部分PE2以及第一子像素SP1的第三部分PE3可以自第一發光單元130以及第二發光單元140的上部部分沿著列方向延伸。

接著，第二子像素SP2的第二部分PE2以及第三部分PE3自第一部分PE1的不同位置延伸。舉例來說，第二子像素SP2的第二部分PE2自第二子像素SP2的第一發光單元130以及第二發光單元140的上部部分沿著列方向延伸，且第二子像素SP2的第三部分PE3可以自第二子像素SP2的像素電路的上部部分沿著列方向延伸。

接著，第三子像素SP3的第二部分PE2以及第三部分PE3設置於相同線路上。舉例來說，第三子像素SP3的第二部分PE2以及第三子像素SP3的第三部分PE3自第三子像素SP3的像素電路的上部部分沿著列方向延伸。

接著，請參考圖7，溝槽可以設置於對應子像素SP的像素電極PE的一部分的區域中的第二平坦化層618中。第二平坦化層618的溝槽是第二平坦化層618被移除的區域，且可以使設置於第二平坦化層618之下的第三鈍化層117的上部表面曝露出來。第二平坦化層618的溝槽可以設置於對應子像素SP的像素電極PE的第二部分PE2以及第三部分PE3的區域中。因此，像素電極PE的第二部分PE2以及第三部分PE3沿著設置於第二平坦化層618中的溝槽來設置。同時，像素電極PE的第二部分PE2以及第三部分PE3可以在設置有第二平坦化層618的溝槽的區域中接觸設置於第二組裝電極123上的第三鈍化層117的上部表面。因此，像素電極PE的第二部分PE2以及第三部分PE3可以絕緣於第二組裝電極123。

舉例來說，請參考圖7，第二平坦化層618的溝槽設置於第一子像素SP1的第二部分PE2以及第一子像素SP1的第二組裝電極123彼此重疊的區域中，且第一子像素SP1的像素電極PE的第二部分PE2可以接觸第三鈍化層117的上部表面，第三鈍化層117設置於第一子像素SP1的第二組裝電極123上。

接著，第二平坦化層618的溝槽設置於第二子像素SP2的第三部分PE3以及第一子像素SP1的第二組裝電極123彼此重疊的區域中，且第二子像素SP2的像素電極PE的第三部分PE3可以接觸第三鈍化層117的上部表面，第三鈍化層117設置於第一子像素SP1的第二組裝電極123上。

同時，雖然圖7繪示第二平坦化層618的溝槽設置於與第一子像素SP1的第二組裝電極123重疊的區域中的情況，但第二平坦化層618的溝槽可以設置於與第二子像素SP2的第二組裝電極123以及第三子像素SP3的第二組裝電極123重疊的區域中。因此，第二平坦化層618的溝槽可以設置於第二子像素SP2的第二組裝電極123和第二子像素SP2的像素電極PE的第二部分PE2以及第三子像素SP3的像素電極PE的第三部分PE3彼此重疊的區域中。此外，第二平坦化層618的溝槽可以設置於第三子像素SP3的第二組裝電極123和第三子像素SP3的像素電極PE的第二部分PE2以及第一子像素SP1的像素電極PE的第三部分PE3彼此重疊的區域中。

在根據本發明的另一示例性態樣的顯示裝置600中，子像素SP的像素電極PE被設置以與沿著相鄰於其的行設置的子像素SP重疊。具體來說，一個子像素SP的像素電極PE被設置以與沿著相鄰於其的行設置的另一子像素SP的第二組裝電極123重疊。因此，在顯示裝置的子像素SP中，當與沿著相鄰的行設置的發光單元LED發出相同顏色的光且造成混色缺陷的發光單元LED被設置時，可以藉由將造成混色缺陷的發光單元LED連接於沿著相鄰的行設置的子像素SP的像素電路來進行修復。

以下，將一起參照圖8以及圖9描述當混色缺陷發生於第一子像素SP1中時，第一子像素SP1的發光單元LED被修復的情況。

圖8係根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖。圖9係沿著圖8的線E-E′繪示的剖面圖。圖8以及圖9係在與將被設置於第二子像素SP2中的發光單元LED發出相同顏色的光的發光單元LED設置於第一子像素SP1中的情況下，執行修復製程之後的剖面圖。除了僅發光單元LED、像素電極PE以及第三鈍化層817的形狀不同之外，圖8以及圖9的顯示裝置800的其他配置相似於圖6以及圖7的顯示裝置600的其他配置，所以多餘的描述將被省略。

第一子像素SP1包含彼此分離且像素電路插設於其之間的第一發光單元130以及第二發光單元140。

第一子像素SP1的第一發光單元130以及第一子像素SP1的第二發光單元140可以發出不同顏色的光。舉例來說，當設置於第一行中的第一子像素SP1是紅色子像素時，第一子像素SP1的第二發光單元140可以是紅色發光單元，但第一子像素SP1的第一發光單元130可以是與第一子像素SP1的第二發光單元140發出不同顏色的光的綠色發光單元。在此情況下，第一子像素SP1的第一發光單元130可以相同於第二子像素SP2的第一發光單元130以及第二發光單元140。在此情況下，因為第一發光單元130以及第二發光單元140為不同類型的發光單元LED，所以第一發光單元130的尺寸可以不同於第二發光單元140的尺寸。

在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置800中，可以進行切割製程以使第一子像素SP1的像素電極PE以及第一發光單元130斷連，而使得發出綠色的光的第一子像素SP1的第一發光單元130不再藉由驅動第一子像素SP1的紅色發光單元的像素電路來發光。

因此，第一子像素SP1的像素電極PE可以被獨立地設置。舉例來說，第一子像素SP1的像素電極PE的第一部分PE1在第一發光單元130和像素電路以及第二發光單元140之間為分離的，且僅電性連接於第一子像素SP1的第一發光單元130以及第二發光單元140之中的第二發光單元140。請參考圖8，第一子像素SP1的第二發光單元140藉由像素電極PE的第一部分PE1連接於像素電路，且第一子像素SP1的第一發光單元130電性絕緣於第一子像素SP1的第二發光單元140以及像素電路。

因此，第一子像素SP1的第二發光單元140可以藉由第一子像素SP1的像素電路來發光，且從第一子像素SP1的像素電路施加的訊號可以不被傳輸至第一子像素SP1的第一發光單元130。

第一子像素SP1的第一發光單元130可以連接於第二子像素SP2的像素電路，與第一子像素SP1的第一發光單元130發出相同顏色的光的發光單元設置於第二子像素SP2中。請參考圖8以及圖9，第一子像素SP1的第二組裝電極123連接於第一子像素SP1的第二部分PE2，且電性連接於第二子像素SP2的像素電極PE的第三部分PE3。

首先，若藉由將雷射照射至第一子像素SP1的第二組裝電極123以及像素電極PE的第二部分PE2重疊的區域上來進行焊接製程，則第三鈍化層817會於被雷射照射的區域具有開口，且第一子像素SP1的像素電極PE的第二部分PE2可以電性連接於第一子像素SP1的第二組裝電極123。接著，藉由將雷射照射至第一子像素SP1的第二組裝電極123以及第二子像素SP2的像素電極PE的第三部分PE3重疊的區域上來進行焊接製程，第三鈍化層817會在第一子像素SP1的第二組裝電極123和第二子像素SP2的像素電極PE的第三部分PE3之間具有開口。第二子像素SP2的像素電極PE的第三部分PE3可以電性連接於第一子像素SP1的第二組裝電極123。因此，可以藉由第二子像素SP2的像素電路來驅動第一子像素SP1的第一發光單元130。

同時，請參考圖8，第一子像素SP1的第二組裝電極123沿著列方向與相鄰於其的另一第一子像素SP1的第二組裝電極123分離，而可阻斷第二子像素SP2的驅動電路和沿著列方向相鄰於第一子像素SP1的另一子像素SP之間的電性連接。舉例來說，可以藉由照射來自第一子像素SP1的第一發光單元130以及第二發光單元140的外部的雷射，使第一子像素SP1的第二組裝電極123斷連。

因此，當混色缺陷發生於沿著列方向相鄰於第一子像素SP1的其他子像素SP中時，可以藉由將第一子像素SP1的第二組裝電極123作為修復線使用來進行額外的修復。

同時，在圖8以及圖9中，是基於第一子像素SP1的第一發光單元130造成混色缺陷的假設進行描述，但本發明並不以此為限。當設置於第一子像素SP1中的第二發光單元140相同於設置於第二子像素SP2中的發光單元LED時，可以用與上述方法相同的方式藉由連接第一子像素SP1的第二發光單元140以及第二子像素SP2的像素電路來進行修復。此外，當設置於第一子像素SP1中的第一發光單元130以及第二發光單元140相同於設置於第二子像素SP2中的發光單元LED時，可以藉由將第一發光單元130以及第二發光單元140連接於第二子像素SP2的像素電路來進行修復。

在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置800中，子像素SP的像素電極PE被設置以與沿著相鄰於其的行設置的子像素SP重疊。因此，當造成混色缺陷的元件設置於第一子像素SP1中時，亦即，當與第二子像素SP2發出相同顏色的光之發光單元LED設置於第一子像素SP1中時，藉由使用組裝電極120之中的第二組裝電極123來輕易地修復發生混色缺陷的子像素SP是可能的。舉例來說，當發出綠光的綠色發光單元設置於發出紅光的第一子像素SP1中時，可以藉由連接第一子像素SP1的綠色發光單元以及設置有發出綠光的發光單元的第二子像素SP2的像素電路來進行修復。

此外，在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置800中，在不進一步設置獨立的結構的情況下，可以藉由使用第二組裝電極123將發生混色缺陷的子像素SP的發光單元LED連接於相鄰於其的子像素SP的像素電路，以使顯示裝置800的結構可以被簡化，且元件的材料可以被簡化/或統一。

圖10係根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖。圖11係沿著圖10的線F-F′繪示的剖面圖。圖10以及圖11係在與將被設置於第三子像素SP3中的發光單元LED發出相同顏色的光的發光單元LED設置於第一子像素SP1中的情況下，執行修復製程之後的剖面圖。除了僅發光單元LED、像素電極PE以及第三鈍化層1017的形狀不同之外，圖10以及圖11的顯示裝置1000的其他配置相似於圖6以及圖7的顯示裝置600的其他配置，所以多餘的描述將被省略。

第一子像素SP1的第一發光單元130以及第一子像素SP1的第二發光單元140可以發出不同顏色的光。舉例來說，當設置於第一行中的第一子像素SP1是紅色子像素時，第一子像素SP1的第二發光單元140可以是紅色發光單元，但第一子像素SP1的第一發光單元130可以是與第一子像素SP1的第二發光單元140發出不同顏色的光的藍色發光單元。在此情況下，第一子像素SP1的第一發光單元130可以與第三子像素SP3的第一發光單元130以及第二發光單元140相同。

在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置1000中，可以進行切割製程以使第一子像素SP1的像素電極PE以及第一發光單元130斷連，以使發出藍光的第一子像素SP1的第一發光單元130不再藉由驅動第一子像素SP1的紅色發光單元的像素電路來發光。

舉例來說，可以藉由雷射照射方法使像素電極PE斷連。舉例來說，第一子像素SP1的像素電極PE的第一部分PE1在第一發光單元130和像素電路以及第二發光單元140之間為分離的，且僅電性連接於第一子像素SP1的第一發光單元130以及第二發光單元140之中的第二發光單元140。請參考圖10，第一子像素SP1的第二發光單元140藉由像素電極PE的第一部分PE1連接於像素電路，且第一子像素SP1的第一發光單元130電性絕緣於第一子像素SP1的第二發光單元140以及像素電路。因此，第一子像素SP1的第二發光單元140可以藉由第一子像素SP1的像素電路來發光，且從第一子像素SP1的像素電路施加的訊號可以不被傳輸至第一子像素SP1的第一發光單元130。

第一子像素SP1的第一發光單元130可以連接於第三子像素SP3的像素電路，與第一子像素SP1的第一發光單元130發出相同顏色的光的發光單元設置於第三子像素SP3中。請參考圖10以及圖11，第三子像素SP3的第二組裝電極123連接於第三子像素SP3的第二部分PE2，且電性連接於第一子像素SP1的第三部分PE3。

首先，若藉由將雷射照射至第三子像素SP3的第二組裝電極123以及像素電極PE的第二部分PE2彼此重疊的區域上來進行焊接製程，則第三鈍化層1017會於被雷射照射的區域具有開口，且第三子像素SP3的像素電路可以電性連接於第三子像素SP3的第二組裝電極123。接著，若藉由將雷射照射至第三子像素SP3的第二組裝電極123以及第一子像素SP1的像素電極PE的第二部分PE2彼此重疊的區域上來進行焊接製程，則第三鈍化層1017會於被雷射照射的區域具有開口，且第三子像素SP3的像素電路可以電性連接於像素電極PE的第二部分PE2。因此，第一子像素SP1的第一發光單元130可以被第三子像素SP3的像素電路驅動。

同時，請參考圖10，第三子像素SP3的第二組裝電極123沿著列方向與相鄰於其的另一第三子像素SP3的第二組裝電極123分離，而可阻斷第一子像素SP1的驅動電路和沿著列方向相鄰於第三子像素SP3的另一子像素SP之間的電性連接。因此，當混色缺陷發生於沿著列方向相鄰於第一子像素SP1的其他子像素SP中時，可以藉由將第三子像素SP3的第二組裝電極123作為修復線使用來進行額外的修復。

同時，在圖10以及圖11中，係基於第一子像素SP1的第一發光單元130是造成混色缺陷的假設進行描述，但本發明並不以此為限。當設置於第一子像素SP1中的第二發光單元140或第一發光單元130以及第二發光單元140兩者為相同於設置於第三子像素SP3中的發光單元LED時，可以藉由將造成混色缺陷的發光單元LED連接於第三子像素SP3的像素電路來進行修復。

在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置1000中，子像素SP的像素電極PE被設置以與設置於相鄰於其的行中的子像素SP重疊。因此，當造成混色缺陷的元件設置於第一子像素SP1中時，亦即，當與第三子像素SP3發出相同顏色的光的發光單元LED設置於第一子像素SP1中時，藉由使用組裝電極120之中的第二組裝電極123來輕易地修復發生混色缺陷的子像素SP是可能的。舉例來說，當發出藍光的藍色發光單元設置於發出紅光的第一子像素SP1中時，可以藉由連接第一子像素SP1的藍色發光單元以及設置有發出藍光的發光單元的第三子像素SP3的像素電路來進行修復。

此外，在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置1000中，在不進一步設置獨立的結構的情況下，可以藉由使用第二組裝電極123將發生混色缺陷的子像素SP的發光單元LED連接於相鄰於其的子像素SP的像素電路，以使顯示裝置1000的結構可以被簡化。

圖12係根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖。圖13係沿著圖12的線G-G′繪示的剖面圖。圖12以及圖13係在與將被設置於第三子像素SP3中的發光單元LED發出相同顏色的光的發光單元LED設置於第二子像素SP2中的情況下，執行修復製程之後的剖面圖。除了僅發光單元LED、像素電極PE以及第三鈍化層1217的形狀不同之外，圖12以及圖13的顯示裝置1200的其他配置相似於圖6以及圖7的顯示裝置600的其他配置，所以多餘的描述將被省略。

第二子像素SP2包含彼此分離且像素電路插設於其之間的第一發光單元130以及第二發光單元140。

第二子像素SP2的第一發光單元130以及第二子像素SP2的第二發光單元140可以發出不同顏色的光。舉例來說，當設置於第二行中的第二子像素SP2是綠色子像素時，第二子像素SP2的第二發光單元140可以是綠色發光單元，但第二子像素SP2的第一發光單元130可以是與第二發光單元140發出不同顏色的光的藍色發光單元。在此情況下，第二子像素SP2的第一發光單元130可以與第三子像素SP3的第一發光單元130以及第二發光單元140相同。

在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置1200中，可以進行切割製程以使第二子像素SP2的像素電極PE以及第一發光單元130斷連，以使發出藍光的第二子像素SP2的第一發光單元130不再藉由驅動第二子像素SP2的綠色發光單元的像素電路來發光。

舉例來說，可以藉由雷射照射方法使像素電極PE斷連。舉例來說，第二子像素SP2的像素電極PE的第一部分PE1在第一發光單元130和像素電路以及第二發光單元140之間為分離的，且僅電性連接於第二子像素SP2的第一發光單元130以及第二發光單元140之中的第二發光單元140。請參考圖12，第二子像素SP2的第二發光單元140藉由像素電極PE的第一部分PE1連接於像素電路，且第二子像素SP2的第一發光單元130電性絕緣於第二子像素SP2的第二發光單元140以及像素電路。因此，第二子像素SP2的第二發光單元140可以藉由第二子像素SP2的像素電路來發光，且從第二子像素SP2的像素電路施加的訊號可以不被傳輸至第二子像素SP2的第一發光單元130。

第二子像素SP2的第一發光單元130可以連接於第三子像素SP3的像素電路，與第二子像素SP2的第一發光單元130發出相同顏色的光的發光單元設置於第三子像素SP3中。請參考圖12以及圖13，第二子像素SP2的第二組裝電極123連接於第二子像素SP2的第二部分PE2，且電性連接於第三子像素SP3的第三部分PE3。

首先，若藉由將雷射照射至第二子像素SP2的第二組裝電極123以及像素電極PE的第二部分PE2彼此重疊的區域上來進行焊接製程，則第三鈍化層1217會於被雷射照射的區域具有開口，且第二子像素SP2的像素電路可以電性連接於第二子像素SP2的第二組裝電極123。接著，若藉由將雷射照射至第二子像素SP2的第二組裝電極123以及第三子像素SP3的像素電極PE的第三部分PE3彼此重疊的區域上來進行焊接製程，則第三鈍化層1217會於被雷射照射的區域具有開口，且第二子像素SP2的第二組裝電極123以及第三子像素SP3的像素電極PE的第三部分PE3可以被電性連接。因此，第二子像素SP2的第一發光單元130可以被第三子像素SP3的像素電路驅動。

同時，請參考圖12，第三子像素SP3的第二組裝電極123沿著列方向與相鄰於其的另一第二子像素SP2的第二組裝電極123分離，而可阻斷第三子像素SP3的驅動電路和沿著列方向相鄰於第二子像素SP2的另一子像素SP之間的電性連接。因此，當混色缺陷發生於沿著列方向相鄰於第二子像素SP2的其他子像素SP中時，可以藉由將第二子像素SP2的第二組裝電極123作為修復線使用來進行額外的修復。

同時，在圖12以及圖13中，是基於第二子像素SP2的第一發光單元130造成混色缺陷的假設進行描述，但本發明並不以此為限。當設置於第二子像素SP2中的第二發光單元140或第一發光單元130以及第二發光單元140兩者為相同於設置於第三子像素SP3中的發光單元LED時，可以藉由將造成混色缺陷的發光單元LED連接於第三子像素SP3的像素電路來進行修復。

在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置1200中，子像素SP的像素電極PE被設置以與設置於相鄰於其的行中的子像素SP重疊。因此，當造成混色缺陷的元件設置於第二子像素SP2中時，亦即，當與第三子像素SP3發出相同顏色的光的發光單元LED設置於第二子像素SP2中時，藉由使用組裝電極120之中的第二組裝電極123來輕易地修復發生混色缺陷的子像素SP是可能的。舉例來說，當發出藍光藍色發光單元的設置於發出綠光的第二子像素SP2中時，可以藉由連接第二子像素SP2的藍色發光單元以及設置有發出藍光的發光單元的第三子像素SP3的像素電路來進行修復。

此外，在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置1200中，在不進一步設置獨立的結構的情況下，可以藉由使用第二組裝電極123將發生混色缺陷的子像素SP的發光單元LED連接於相鄰於其的子像素SP的像素電路，以使顯示裝置1200的結構可以被簡化。

以下，將一起參照圖14以及圖15來描述缺陷發生於子像素SP的像素電路中時，修復子像素SP的發光單元LED的情況。

圖14係根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖。圖15系沿著圖14的線H-H′繪示的剖面圖。圖14以及圖15係在第一子像素的第一發光單元130以及第二發光單元140之中的第一發光單元130不發光的情況下，執行修復製程之後的剖面圖。除了僅發光單元LED、像素電極PE以及第三鈍化層1417的形狀不同之外，圖14以及圖15的顯示裝置1400的其他配置相似於圖6以及圖7的顯示裝置600的其他配置，所以多餘的描述將被省略。

第一子像素SP1的第一發光單元130以及第一子像素SP1的第二發光單元140可以發出相同顏色的光。在此情況下，設置於第一子像素SP1中的第一發光單元130以及第二發光單元140可以與設置於其他沿著列方向相鄰的子像素SP中的發光單元LED發出相同顏色的光。

當複數個子像素SP之中的一個子像素SP的像素電路有缺陷時，或像素電路和發光單元LED之間的電性連接有缺陷時，第一發光單元130以及第二發光單元140至少其中一者可以不發光。

在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置1400中，可以進行切割製程以使在第一子像素SP1中不發光的發光單元LED和第一子像素SP1的像素電路之間的像素電極PE斷連。

舉例來說，可以藉由雷射照射方法使像素電極PE斷連。第一子像素SP1的像素電極PE的第一部分PE1在第一發光單元130和像素電路以及第二發光單元140之間為分離的，且僅電性連接於第一子像素SP1的第一發光單元130以及第二發光單元140之中的第二發光單元140。請參考圖14，第一子像素SP1的第二發光單元140藉由像素電極PE的第一部分PE1連接於像素電路，且第一子像素SP1的第一發光單元130電性絕緣於第一子像素SP1的第二發光單元140以及像素電路。因此，第一子像素SP1的第二發光單元140可以藉由第一子像素SP1的像素電路來發光，且從第一子像素SP1的像素電路施加的訊號可以不被傳輸至第一子像素SP1的第一發光單元130。

此外，第一子像素SP1的第一發光單元130可以連接於子像素SP的像素電路，子像素SP的像素電路與第一子像素SP1的像素電路設置於相同行中，且設置有與第一子像素SP1的第一發光單元130發出相同顏色的光的發光單元。請參考圖14以及圖15，第一子像素SP1的第二組裝電極123連接於第一子像素SP1的第二部分PE2，且電性連接於沿著行方向相鄰於第一發光單元130的另一子像素SP的第二部分PE2。

首先，若藉由將雷射照射至第一子像素SP1的第二組裝電極123以及像素電極PE的第二部分PE2彼此重疊的區域上來進行焊接製程，則第三鈍化層1417會於被雷射照射的區域具有開口，且第一發光單元130可以電性連接於第一子像素SP1的第二組裝電極123。接著，若藉由將雷射照射至第一子像素SP1的第二組裝電極123以及設置於第一子像素SP1的第一發光單元130的上側上的子像素SP的第二部分PE2彼此重疊的區域上來進行焊接製程，則第三鈍化層1417會於被雷射照射的區域具有開口，且第一子像素SP1的第二組裝電極123以及設置於第一子像素SP1的第一發光單元130的上側上的子像素SP的第二部分PE2可以被電性連接。因此，第一子像素SP1的第一發光單元130可以被沿著行方向相鄰於其的第三子像素SP3的像素電路驅動。

同時，請參考圖14，第一子像素SP1的第二組裝電極123與沿著列方向相鄰於其的另一第一子像素SP1的第二組裝電極123分離，而可阻斷第一子像素SP1的驅動電路和沿著行方向相鄰於第一子像素SP1的另一子像素SP之間的電性連接。因此，當混色缺陷發生於沿著行方向相鄰於第一子像素SP1的其他子像素SP中時，可以藉由將第一子像素SP1的第二組裝電極123作為修復線使用來進行額外的修復。

同時，在圖14以及圖15中，是基於第一子像素SP1的像素電路有缺陷的假設進行描述，但本發明並不以此為限。若設置於第二子像素SP2以及第三子像素SP3中的像素電路有缺陷時，可以用與上述方法相同的方式藉由連接沿著行方向相鄰的子像素SP的像素電路來進行修復。

在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置1400中，子像素SP的像素電極PE被設置以與設置在相鄰於其的行中的子像素SP重疊。因此，當因像素電路中的缺陷或第一子像素SP1中的發光單元LED和像素電路之間的不當接觸導致發光單元LED未被驅動時，可以藉由使用沒有被驅動的子像素SP的組裝電極120之中的第二組裝電極123來輕易地修復發生缺陷的子像素SP。舉例來說，當第一子像素SP1的第一發光單元130不發光時，可以藉由將其連接於設置於第一子像素SP1的上側上的發光單元LED的像素電路來進行修復。

此外，在根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置1400中，在不進一步設置獨立的結構的情況下，可以藉由使用第二組裝電極123將發生混色缺陷的子像素SP的發光單元LED連接於相鄰於其的子像素SP的像素電路，以使顯示裝置1400的結構可以被簡化。

本發明的示例性態樣還可以如以下描述。

根據本發明的一態樣，提供一種顯示裝置。顯示裝置包含包含複數個子像素的基板、設置於基板上的各複數個子像素中的像素電路、設置於各複數個子像素中且設置於像素電路的一側上並包含第一電極、半導體層以及第二電極的第一發光單元、設置於各複數個子像素中且設置於像素電路的另一側上並包含第一電極、半導體層以及第二電極的第二發光單元，以及電性連接於像素電路且延伸至第一發光單元以及第二發光單元的像素電極。

第一發光單元的尺寸可以相同於第二發光單元的尺寸，其中，像素電極連接於第一發光單元以及第二發光單元。

第一發光單元的尺寸可以不同於第二發光單元的尺寸，其中，像素電極連接於第一發光單元以及第二發光單元之中的一者。

顯示裝置更可以包含在第一發光單元以及第二發光單元之下被設置以彼此分離的第一組裝電極以及第二組裝電極，其中，第一發光單元的第一電極以及第二發光單元的第一電極電性連接於第一組裝電極，且絕緣於第二組裝電極。

可以設置複數個子像素，使得設置於第一行中的第一子像素、設置於第二行中的第二子像素，以及設置於第三行中的第三子像素沿著列方向重複，且像素電極可以包含延伸至第一發光單元以及第二發光單元的第一部分、被設置以與設置有像素電極的子像素的第二組裝電極重疊的第二部分，以及自第一部分延伸且被設置以與沿著相鄰於子像素的行設置的子像素的第二組裝電極重疊的第三部分，像素電極設置於子像素中。

像素電極的第二部分以及第三部分可以絕緣於第二組裝電極。

當第一子像素的第一發光單元以及第二發光單元的尺寸彼此不同，且第一子像素的第一發光單元的尺寸相同於第二子像素的第一發光單元的尺寸時，第一子像素的像素電極的第二部分可以電性連接於第一子像素的第二組裝電極，且第二子像素的像素電極的第三部分可以電性連接於第一子像素的第二組裝電極。

第一子像素的像素電極的第一部分可以僅電性連接於第一子像素的第一發光單元以及第二發光單元之中的第二發光單元。

第一子像素的第二組裝電極可以與沿著列方向相鄰於其的另一第一子像素的第二組裝電極分離。

當第一子像素的第一發光單元以及第二發光單元的尺寸彼此不同，且第一子像素的第一發光單元的尺寸相同於第三子像素的第一發光單元的尺寸時，第一子像素的像素電極的第三部分可以電性連接於第三子像素的第二組裝電極，且第三子像素的像素電極的第二部分可以電性連接於第三子像素的第二組裝電極。

第三子像素的第二組裝電極可以與沿著列方向相鄰於其的另一第三子像素的第二組裝電極分離。

當第二子像素的第一發光單元以及第二發光單元的尺寸彼此不同，且第二子像素的第一發光單元的尺寸相同於第三子像素的第一發光單元的尺寸時，第二子像素的像素電極的第二部分可以電性連接於第二子像素的第二組裝電極，且第三子像素的像素電極的第三部分可以電性連接於第二子像素的第二組裝電極。

第二子像素的第二組裝電極可以與沿著列方向相鄰於其的另一第二子像素的第二組裝電極分離。

第二子像素的像素電極的第一部分可以僅電性連接於第二子像素的第一發光單元以及第二發光單元之中的第二發光單元。

當複數個子像素之中的一個子像素的像素電路有缺陷時，所述一個子像素的像素電極的第二部分可以電性連接於第二組裝電極，且沿著行方向相鄰於所述一個子像素的另一子像素的像素電極的第二部分可以電性連接於第二組裝電極。

一子像素以及另一子像素的第二組裝電極可以與沿著行方向相鄰於其的其他子像素的第二組裝電極分離。

雖然本發明的示例性態樣已參照所附圖式來詳細描述，但本發明並不限於此，且可以在不偏離本發明的技術觀念的情況下以許多不同的形式體現。因此，本發明的示例性態樣僅供說明之用，且並非旨在限制本發明的技術觀念。本發明的技術觀念的範圍並不限於此。因此，應理解到，上述的示例性態樣在所有態樣中是說明性的且不限制本發明。本發明的保護範圍應基於以下發明申請專利範圍來解釋，且在其中的等效範圍的所有的技術觀念應解釋為落入本發明的範圍。

100:顯示裝置 1000:顯示裝置 1017:第三鈍化層 110:基板 111:緩衝層 112:閘極絕緣層 113:層間絕緣層 114:第一鈍化層 115:第一平坦化層 116:第二鈍化層 117:第三鈍化層 118:第二平坦化層 120:組裝電極 1200:顯示裝置 1217:第三鈍化層 122:第一組裝電極 122a:第一導電層 122b:第一披覆層 123:第二組裝電極 123a:第二導電層 123b:第二披覆層 130:第一發光單元 131:第一半導體層 132:發光層 133:第二半導體層 134:第一電極 135:第二電極 136:封裝層 140:第二發光單元 1400:顯示裝置 141:第一半導體層 1417:第三鈍化層 142:發光層 143:第二半導體層 144:第一電極 145:第二電極 146:封裝層 150:連接電極 150a:第一連接層 150b:第二連接層 500:顯示裝置 600:顯示裝置 618:第二平坦化層 800:顯示裝置 817:第三鈍化層 ACT:第一主動層 ACT2:第二主動層 ACT3:第三主動層 AD:黏合層 CCE:晶片接觸電極 Cst:儲存電容器 DCS:資料控制訊號 DD:資料驅動器 DE1:第一汲極電極 DE2:第二汲極電極 DE3:第三汲極電極 DL:資料線 GCS:閘極控制訊號 GD:閘極驅動器 GE1:第一閘極電極 GE2:第二閘極電極 GE3:第三閘極電極 LED:發光單元 LS:遮光層 PE:像素電極 PE1:第一部分 PE2:第二部分 PE3:第三部分 PN:顯示面板 RGB:影像資料 RL:參考線 SC1:第一電容器電極 SC2:第二電容器電極 SC3:第三電容器電極 SCAN:掃描訊號 SE1:第一源極電極 SE2:第二源極電極 SE3:第三源極電極 SL:掃描線 SP:子像素 SP1:第一子像素 SP2:第二子像素 SP3:第三子像素 T1:第一電晶體 T2:第二電晶體 T3:第三電晶體 TC:時序控制器 Vdata:資料電壓 VDD:高電位電源供應線 VDDA:輔助高電位電源供應線 A-A′,B-B′,C-C′,D-D′,E-E′,F-F′,G-G′,H-H′:線

包含所附圖式以提供本發明之進一步瞭解，且併入本案而構成本案的一部分，所附圖式繪示本發明之態樣且與描述一併用以解釋本發明之原理。

在圖式中：

圖1係根據本發明的一示例性態樣的顯示裝置的配置示意圖；

圖2係根據本發明的一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖；

圖3係沿著圖2的線A-A′以及B-B′繪示的剖面圖；

圖4係沿著圖2的線C-C′繪示的剖面圖；

圖5係根據本發明的另一示例性態樣的顯示裝置的剖面圖；

圖6係根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖；

圖7係沿著圖6的線D-D′繪示的剖面圖；

圖8係根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖；

圖9係沿著圖8的線E-E′繪示的剖面圖；

圖10係根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖；

圖11係沿著圖10的線F-F′繪示的剖面圖；

圖12係根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖；

圖13係沿著圖12的線G-G′繪示的剖面圖；

圖14係根據本發明的又另一示例性態樣的顯示裝置的平面放大圖；以及

圖15係沿著圖14的線H-H′繪示的剖面圖。

120:組裝電極

122:第一組裝電極

122a:第一導電層

122b:第一披覆層

123:第二組裝電極

123a:第二導電層

123b:第二披覆層

130:第一發光單元

140:第二發光單元

150:連接電極

150a:第一連接層

150b:第二連接層

600:顯示裝置

ACT:第一主動層

ACT2:第二主動層

ACT3:第三主動層

Cst:儲存電容器

DE1:第一汲極電極

DE2:第二汲極電極

DE3:第三汲極電極

DL:資料線

GE1:第一閘極電極

GE2:第二閘極電極

GE3:第三閘極電極

LED:發光單元

LS:遮光層

PE:像素電極

PE1:第一部分

PE2:第二部分

PE3:第三部分

RL:參考線

SC1:第一電容器電極

SC2:第二電容器電極

SC3:第三電容器電極

SE1:第一源極電極

SE2:第二源極電極

SE3:第三源極電極

SL:掃描線

SP:子像素

SP1:第一子像素

SP2:第二子像素

SP3:第三子像素

T1:第一電晶體

T2:第二電晶體

T3:第三電晶體

VDD:高電位電源供應線

VDDA:輔助高電位電源供應線

Claims

一種顯示裝置，包含：一基板，包含複數個子像素；一像素電路，設置於各該子像素中；一第一發光單元，設置於設置於該像素電路的一側上的各該子像素中；一第二發光單元，設置於設置於該像素電路的另一側上的各該子像素中；一像素電極，電性連接於該像素電路，且延伸至該第一發光單元以及該第二發光單元；以及一第一組裝電極以及一第二組裝電極，彼此分離且分別設置於該第一發光單元以及該第二發光單元之下；其中，該第一發光單元的一第一電極以及該第二發光單元的一第一電極電性連接於該第一組裝電極，且與該第二組裝電極分離。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該第一發光單元與該第二發光單元具有相同的尺寸，以及其中，該像素電極連接於該第一發光單元以及該第二發光單元。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該第一發光單元與該第二發光單元具有不同的尺寸，其中，該像素電極連接於該第一發光單元以及該第二發光單元之中的一者。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該像素電極包含：一第一部分，延伸至該第一發光單元以及該第二發光單元，一第二部分，與設置有該像素電極的該子像素的該第二組裝電極重疊，以及一第三部分，自該第一部分延伸，且與設置於相鄰於設置有該像素電極的該子像素之一行中的該子像素的該第二組裝電極重疊。
如請求項4所述之顯示裝置，其中，該像素電極的該第二部分以及該第三部分與該第二組裝電極分離。
如請求項4所述之顯示裝置，其中，該些子像素被設置成設置於一第一行中的一第一子像素、設置於一第二行中的一第二子像素以及設置於一第三行中的一第三子像素沿著一列方向重複，以及其中，當該第一子像素的該第一發光單元以及該第二發光單元具有彼此不同的尺寸時，該第一子像素的該第一發光單元的尺寸與該第二子像素的該第一發光單元的尺寸相同，該第一子像素的該像素電極的該第二部分電性連接於該第一子像素的該第二組裝電極，以及該第二子像素的該像素電極的該第三部分電性連接於該第一子像素的該第二組裝電極。
如請求項6所述之顯示裝置，其中，該第一子像素的該像素電極的該第一部分僅電性連接於該第一子像素的該第一發光單元以及該第二發光單元之中的該第二發光單元。
如請求項6所述之顯示裝置，其中，該第一子像素的該第二組裝電極沿著該列方向與相鄰於其的另一個該第一子像素的該第二組裝電極分離。
如請求項4所述之顯示裝置，其中，該些子像素被設置成設置於一第一行中的一第一子像素、設置於一第二行中的一第二子像素以及設置於一第三行中的一第三子像素沿著一列方向重複，以及其中，當該第一子像素的該第一發光單元以及該第二發光單元具有彼此不同的尺寸時，該第一子像素的該第一發光單元的尺寸會相同於該第三子像素的該第一發光單元的尺寸，該第一子像素的該像素電極的該第三部分電性連接於該第三子像素的該第二組裝電極，以及該第三子像素的該像素電極的該第二部分電性連接於該第三子像素的該第二組裝電極。
如請求項9所述之顯示裝置，其中，該第一子像素的該像素電極的該第一部分僅電性連接於該第一子像素的該第一發光單元以及該第二發光單元之中的該第二發光單元。
如請求項9所述之顯示裝置，其中，該第三子像素的該第二組裝電極沿著該列方向與相鄰於其的另一第三子像素的該第二組裝電極分離。
如請求項4所述之顯示裝置，其中，該些子像素被設置成設置於一第一行中的一第一子像素、設置於一第二行中的一第二子像素以及設置於一第三行中的一第三子像素沿著一列方向重複，以及當該第二子像素的該第一發光單元以及該第二發光單元具有彼此不同的尺寸時，該第二子像素的該第一發光單元的尺寸相同於該第三子像素的該第一發光單元的尺寸，該第二子像素的該像素電極的該第二部分電性連接於該第二子像素的該第二組裝電極，以及該第三子像素的該像素電極的該第三部分電性連接於該第二子像素的該第二組裝電極。
如請求項12所述之顯示裝置，其中，該第二子像素的該第二組裝電極沿著該列方向與相鄰於其的另一第二子像素的該第二組裝電極分離。
如請求項12所述之顯示裝置，其中，該第二子像素的該像素電極的該第一部分僅電性連接於該第二子像素的該第一發光單元以及該第二發光單元之中的該第二發光單元。
如請求項4所述之顯示裝置，其中，該些子像素被設置成設置於一第一行中的一第一子像素、設置於一第二行中的一第二子像素以及設置於一第三行中的一第三子像素沿著一列方向重複，以及其中，當該些子像素之中的一子像素的該像素電路有缺陷，或該像素電路和該第一發光單元或該第二發光單元之間的電性連接有缺陷時，該子像素的該像素電極的該第二部分會電性連接於該第二組裝電極；沿著一行方向相鄰於該子像素的一另一子像素的該像素電極的該第二部分會電性連接於該第二組裝電極。
如請求項15所述之顯示裝置，其中，該子像素以及另一該子像素的該些第二組裝電極沿著一行方向與相鄰於其的其他子像素的該些第二組裝電極分離。
如請求項15所述之顯示裝置，其中，該第一子像素的該像素電極的該第一部分僅電性連接於該第一子像素的該第一發光單元以及該第二發光單元之中的該第二發光單元。
如請求項4所述之顯示裝置，其中，當其中一個該子像素的一像素電路具有缺陷時，藉由照射雷射來執行一修復製程來形成該第二部分以及該第三部分。
一種顯示裝置，包含：一基板，包含複數個子像素；一像素電路，設置於各該子像素中；一第一發光單元，設置於設置於該像素電路的一側上的各該子像素中；一第二發光單元，設置於設置於該像素電路的另一側上的各該子像素中；一像素電極，電性連接於該像素電路以及該第一發光單元和該第二發光單元至少其中一者；一連接電極，電性連接該像素電極以及一電晶體；一第一組裝電極，電性連接於該第一發光單元；以及一第二組裝電極，與該第一組裝電極分離，且電性連接於該第二發光單元，其中，該第一組裝電極、該第二組裝電極以及該連接電極設置於相同層上。