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TWI873325B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

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TWI873325B
TWI873325B TW110112487A TW110112487A TWI873325B TW I873325 B TWI873325 B TW I873325B TW 110112487 A TW110112487 A TW 110112487A TW 110112487 A TW110112487 A TW 110112487A TW I873325 B TWI873325 B TW I873325B
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voltage
processing liquid
nozzle unit
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substrate
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TW110112487A
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TW202204052A (zh
Inventor
橋本佑介
東島治郎
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題] 防止處理液非預期性地朝向基板吐出的情形。 [解決手段] 基板處理裝置之噴嘴單元，係具備有：配管；及噴嘴尖端。噴嘴單元，係包含有：電壓施加用導電部；電壓檢測部；及電壓施加用導電部與電壓檢測部之間的非導電部。電壓從電壓施加部被施加至電壓施加用導電部，藉由電壓檢測器檢測電壓檢測部的電壓，求出噴嘴單元內之處理液的位置。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本揭示，係關於基板處理裝置及基板處理方法。
在半導體元件之製造工程中，係以被形成於基板上的光阻作為遮罩，進行蝕刻或離子注入等的處理。其後，不要的光阻，係從基板上被去除。
作為光阻之去除方法，係已知SPM處理，該SPM處理，係將硫酸與過氧化氫水之混合液即SPM(Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture)等的處理液供給基板，藉此，去除光阻。SPM，係為了提高光阻之去除能力，在被加熱至高溫的狀態下，從噴嘴單元被供給至基板(例如，參閱專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-207080號公報
本揭示，係提供一種可防止處理液非預期性地從噴嘴單元朝向基板吐出的基板處理裝置及基板處理方法。
本揭示，係一種基板處理裝置，其具有對基板吐出處理液之噴嘴單元，該基板處理裝置，其特徵係，前述噴嘴單元，係具備有：電壓施加用導電部，可與前述處理液接觸；及電壓檢測部或電流檢測部，可與前述處理液接觸，在前述電壓施加用導電部與前述電壓檢測部或前述電流檢測部之間介設有非導電部，在前述電壓施加用導電部連接有電壓施加部，並在前述電壓檢測部或前述電流檢測部分別設置有電壓檢測器或電流檢測器。
根據本揭示，可防止處理液非預期性地從噴嘴單元朝向基板吐出的情形。
4:控制裝置
16:處理單元(基板處理裝置)
18:控制裝置
21:腔室
22:基板保持機構
30:噴嘴單元
30A:配管
31:第1層
31A:附加的第1層
32:第2層
33:第3層
40:噴嘴尖端
41:前端
42:外面
43:內面
48:導線
50:導電體
50a:安裝構件
51:接頭
70:電壓施加部
70a~70d:電壓施加部
75:電壓檢測器
80:電壓施加用導電部
80a~80d:電壓施加用導電部元件
81:電壓檢測部
82:非導電部
82A:附加的非導電部
90:處理液供給系統
94a,94b:開關閥
95a,95b:排放閥
99a,99b:排放管線
100B:噴嘴尖端
[圖1]圖1，係表示第1實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。
[圖2]圖2，係表示處理單元(基板處理裝置)之構成的平面示意圖。
[圖3A]圖3A，係表示第1實施形態之噴嘴單元的側剖面圖，且為沿著圖2A-A’線的圖。
[圖3B]圖3B，係表示噴嘴尖端附近的放大圖。
[圖3C]圖3C，係表示導電體附近的放大圖。
[圖3D]圖3D，係表示導線的剖面圖。
[圖4]圖4，係表示噴嘴單元之前端部分的放大圖。
[圖5A]圖5A，係表示第1層之一例的剖面圖。
[圖5B]圖5B，係表示噴嘴尖端之一例的剖面圖。
[圖6]圖6，係表示第1實施形態之基板處理裝置的概略圖。
[圖7]圖7，係表示噴嘴單元與處理液供給系統的圖。
[圖8A]圖8A，係表示噴嘴單元之作用的圖。
[圖8B]圖8B，係表示噴嘴單元之作用的圖。
[圖8C]圖8C，係表示噴嘴單元之作用的圖。
[圖8D]圖8D，係表示噴嘴單元之作用的圖。
[圖9]圖9，係表示噴嘴單元之隨著時間經過而動作的圖。
[圖10]圖10，係表示第2實施形態之基板處理裝置之噴嘴單元的圖。
[圖11A]圖11A，係表示噴嘴單元之作用的圖。
[圖11B]圖11B，係表示噴嘴單元之作用的圖。
[圖11C]圖11C，係表示噴嘴單元之作用的圖。
[圖11D]圖11D，係表示噴嘴單元之作用的圖。
[圖12]圖12，係表示噴嘴單元之隨著時間經過而動作的圖。
[圖13]圖13，係表示第3實施形態之基板處理裝置之噴嘴單元的圖。
[圖14]圖14，係表示噴嘴單元之隨著時間經過而動作的圖。
<第1實施形態>
以下，參閱附加圖面，詳細地說明本申請案所揭示之基板處理裝置的第1實施形態。另外，該發明並不受以下所示之實施形態所限定。
又，以下，係以處理液為硫酸與過氧化氫水之混合液即SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)的情形為例而進行說明。
圖1，係表示本實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。在以下中，係為了明確位置關係而規定相互正交之X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
如圖1所示般，基板處理系統1，係具備有：搬入搬出站2；及處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係鄰接設置。
搬入搬出站2，係具備有：載體載置部11； 及搬送部12。在載體載置部11，係載置有複數個載體C，該載體C，係以水平狀態收容複數片被處理基板例如半導體晶圓(以下為晶圓W)。
搬送部12，係鄰接設置於載體載置部11，在內部具備有基板搬送裝置13與收授部14。基板搬送裝置13，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置13，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，使用晶圓保持機構，在載體C與收授部14之間進行晶圓W的搬送。
處理站3，係鄰接設置於搬送部12。處理站3，係具備有搬送部15與複數個處理單元(本揭示之基板處理裝置)16。複數個處理單元16，係被排列設置於搬送部15的兩側。
搬送部15，係在內部具備有基板搬送裝置17。基板搬送裝置17，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置17，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，使用晶圓保持機構，在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W的搬送。
處理單元16，係對藉由基板搬送裝置17所搬送之晶圓W進行預定的基板處理。
又，基板處理系統1，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係例如包含電腦，具備有控制裝置18與記憶部19。在記憶部19，係儲存有程式，該程式，係控制基板處理系統1中所執行的各種處理。控制裝置18，係藉由讀 出並執行被記憶於記憶部19之程式的方式，控制基板處理系統1的動作。
另外，該程式，係亦可為被記錄於電腦可讀取之記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體被安裝於控制裝置4的記憶部19者。作為電腦可讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在如上述般所構成之基板處理系統1中，係首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13從被載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，並將取出的晶圓W載置於收授部14。收授部14所載置之晶圓W，係藉由處理站3的基板搬送裝置17，從收授部14被取出且搬入至處理單元16。
搬入至處理單元16之晶圓W，係在藉由處理單元16進行處理後，藉由基板搬送裝置17，從處理單元16被搬出且載置於收授部14。而且，收授部14所載置之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送裝置13，返回到載體載置部11之載體C。
其次，參閱圖2及圖6，說明關於處理單元(本揭示之基板處理裝置)16的概略構成。圖2，係表示處理單元16之構成的平面示意圖。又，圖6，係表示處理單元16的基板處理裝置中之處理液之供給系統的概略圖。
如圖2所示般，處理單元(基板處理裝置)16，係具備有：腔室21；基板保持機構22，旋轉自如地保持被配置於腔室21內的晶圓W；回收罩杯23；及噴嘴 單元30，對晶圓W吐出處理液。
其中，基板保持機構22，係水平地保持晶圓W，並且使保持的晶圓W繞垂直軸旋轉。又，回收罩杯23，係被配置為包圍基板保持機構22，接取並回收因伴隨著旋轉所引起的離心力而朝晶圓W之外方飛散的處理液。
噴嘴單元30，係被配置於腔室21內，從晶圓W的上方朝向晶圓W供給處理液。像這樣的噴嘴單元30，係具備有：配管30A，供給處理液；噴嘴尖端40，被設置於配管30A之前端，朝向晶圓W吐出處理液；及噴嘴支撐部25，保持噴嘴單元30的配管30A，噴嘴支撐部25，係被構成為可升降及可旋轉。
其次，藉由圖6，敍述關於處理液之供給系統。設置於處理單元16之噴嘴單元(亦稱為表面側噴嘴單元)30，係從晶圓W之上方朝向晶圓W的表面供給處理液。
又，處理單元16，係具有：噴嘴單元(亦稱為背面側噴嘴單元)100，從晶圓W之下方朝向晶圓W的背面供給處理液。
表面側噴嘴單元30，係如上述般，具有：配管30A；及噴嘴尖端40，被設置於配管30A之前端，朝向晶圓W的表面吐出處理液。相同地，背面側噴嘴單元100，係具有：配管100A；及噴嘴尖端100B，被設置於配管100A之前端，朝向晶圓W的背面吐出處理液。又，噴嘴單元30之噴嘴尖端40，係作為電壓施加用導電部80而發揮功能，在該噴嘴尖端40，係連接有電壓施加部70。
而且，在噴嘴單元30之基端側，係設置有電壓檢測部81，在該電壓檢測部81，係連接有電壓檢測器75。而且，在電壓施加用導電部80與電壓檢測部81之間介設有非導電部82。
又，噴嘴單元100之噴嘴尖端100B，係作為電壓施加用導電部而發揮功能，在該噴嘴尖端100B，係連接有電壓施加部100C。
而且，在噴嘴單元100之基端側，係設置有電壓檢測部105，在該電壓檢測部105，係連接有電壓檢測器106。而且，在電壓施加用導電部80與電壓檢測部105之間介設有非導電部102。
該些表面側噴嘴單元30與背面側噴嘴單元100，係分別朝向晶圓W的表面及晶圓W的背面供給處理液者。又，表面側噴嘴單元30與背面側噴嘴單元100，係不限於分別各1根而是設置複數根。
在本實施形態中，雖主要敍述關於表面側噴嘴單元30與背面側噴嘴單元100中之表面側噴嘴單元30，但背面側噴嘴單元100亦具有與表面側噴嘴單元30大致相同的構造。
以下，藉由圖2及圖3A~圖3C，闡述噴嘴單元30的構造。
如圖2及圖3A~圖3C所示般，噴嘴單元30，係具備有：配管30A，供給處理液；噴嘴尖端40，被設置於配管30A之前端；及噴嘴支撐部25，可升降及可旋轉地 支撐配管30A，噴嘴單元30，係朝向晶圓W吐出SPM。
在此，SPM，係例如在被使用於去除光阻的情況下，以160℃前後之高溫，從噴嘴尖端40朝向晶圓W吐出。
進一步敍述關於噴嘴單元30。噴嘴單元30之配管30A，係從側面觀看被形成為呈大致L字狀，具有從內側起依序配置之由耐蝕性樹脂所構成的第1層31、由剛性材料所構成的第2層32及由耐蝕性樹脂所構成的第3層33。又，噴嘴單元30之噴嘴尖端40，係被構成為與配管30A不同個體，由被嵌入於配管30A的前端之具有導電性的耐蝕性樹脂所構成。
具體而言，作為配管30A之第1層31，可使用對SPM具有耐化學性及耐熱性的熱可塑性材料，例如外面具有導電性的PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚)管。
又，作為第2層32，可使用「作為用以保持配管30A之剛性的骨架而發揮功能並且具有導電性」的SUS(不銹鋼)管。
而且，作為第3層33，可使用對SPM具有耐化學性及耐熱性的熱可塑性材料例如PFA管。
而且，噴嘴尖端40，係可使用具有導電性之PFA材料者。
圖3A~圖3C所示般，噴嘴單元30，係更具有被設置於配管30A的基端側之具有導電性的例如由導電性PFA材料所構成之導電體50，並在配管30A之基端安裝 有具有導電性的接頭51，例如具有導電性之PFA材料製的接頭51。而且，配管30A，係經由被安裝於其基端之具有導電性的接頭51，被插裝於噴嘴支撐部25。在該情況下，噴嘴支撐部25，係具有導電性，配管30A，係經由接頭51，可拆卸自如地被插裝於具有導電性的噴嘴支撐部25。因此，藉由將新的配管30A及噴嘴尖端40插裝於噴嘴支撐部25的方式，可輕易地更換配管30A及噴嘴尖端40。
又，設置於配管30A之基端側的導電體50，係從外方密封且覆蓋配管30A者。又，去除藉由導電體50所覆蓋的配管30A中之第2層32的一部分，在導電體50中之去除了第2層32的部分設置有將導電體50安裝於配管30A的安裝構件50a。
而且，在配管30A中之藉由導電體50所覆蓋的部分，配管30A之具有導電性的第1層31之外面與導電體50導通。
在該情況下，如圖3A及圖3C所示般，配管30A中之第1層31，係貫通導電體50，並在導電體50內往右方向通過安裝構件50a而在朝向圖3C的右方向處結束。
又，第2層32，係在導電體50內朝向配管30A之基端側(圖3A之右側)延伸，並與第1層31相同地，在導電體50內往右方向通過安裝構件50a而朝向圖3C的右方向處結束。
又，如圖3A及圖3C所示般，附加的第1層31A被插入至導電體50之右端部，導電體50與附加的第1層 31A被密封材50b密封。
第1層31及附加的第1層31A，係雖如後述般，具有PFA製的管本體31a且外面具有導電性，但內面不具有導電性。因此，第1層31及附加的第1層31A之內面，係雖與處理液接觸，但由於在電性上具有非導電性，因此，第1層31及附加的第1層31A，係構成噴嘴單元30的非導電部82。又，在第1層31及附加的第1層31A之間，係存在與處理液接觸的導電體50，該導電體50，係作為具有導電性的電壓檢測部81而發揮功能。又，在作為該電壓檢測部81而發揮功能的導電體50，係連接有電壓檢測器75。
而且，第3層33，係雖在導電體50內朝向配管30A之基端側(圖3A之右側)延伸，但在導電體50內，於安裝構件50a之前(圖3C之左側)結束。
其次，進一步敍述關於配管30A之第1層31~第3層33及噴嘴尖端40的材料及構造。配管30A之第1層31及附加的第1層31A，係具有大致相同構造。亦即，第1層31與附加的第1層31A，係皆由外面具有導電性且內面具有非導電性的PFA管所構成，可使用例如如圖5A所示般的NE(Non Explosion)型之PFA管。由該NE型的PFA管所構成之第1層31與附加的第1層31A，係具有：非導電性之PFA製的管本體31a；及4根碳製導電部31b，被設置於該PFA製的管本體31a之外面，並延伸於管本體31a的長邊方向，4根導電部31b，係沿著圓周方向，以每隔90°地被設置於管本體31a的外面。因此，第1層31與附加的第1層31A，係 在其外面，沿著長邊方向具有導電性。
又，第2層32，係如上述般，由SUS管所構成，第2層32，係整體上具有導電性。
第3層33，係如上述般，由PFA管所構成，其雖對SPM具有耐化學性及耐熱性，但不具有導電性。然而，並不限於此，第3層33，係亦可由PFA管所構成，並且對SPM具有耐化學性及耐熱性，除此之外，具有導電性。在該情況下，係除了第1層31及第2層32以外，亦可藉由第3層33，將處理液中之電荷排放至外部。
而且，噴嘴尖端40，係被嵌入於配管30A的前端側，基本上被設置為與配管30A不同個體。
噴嘴尖端40之前端41，係朝向晶圓W側。又，至少噴嘴尖端40之內面，係如後述般，從前端41朝向配管30A側具有導電性，並進行從噴嘴尖端40的前端41朝向晶圓W所吐出之處理液的除電，且可確實地防止朝向晶圓W所吐出之處理液的帶電。
像這樣的噴嘴尖端40，係由具有導電性的PFA材料所構成，例如如圖5B所示般，可使用AS(Anti-Static)型之PFA材料。具體而言，係如圖5B所示般，噴嘴尖端40，係具有：PFA製之圓筒狀本體40a；4根碳製導電部40b，被設置於本體40a的外面42，且延伸於PFA製之本體40a的長邊方向；及4根碳製導電部40c，被設置於本體40a的內面43，且延伸於本體40a的長邊方向。
在該情況下，4根導電部40b，係沿著圓周方 向，以間隔90°被設置於本體40a的外面42，4根導電部40c，係沿著圓周方向，以間隔90°被設置於本體40a的內面43。而且，噴嘴尖端40之各導電部40b，係相對於分別對應的導電部40c，被設置於圓周方向之相同位置，各導電部40b，係經由通電部40d與所對應的導電部40c連接，該通電部40d，係貫通本體40a而設置。
因此，噴嘴尖端40，係具有耐化學性及耐熱性，並且其內面及外面導通，且在其內面及外面，沿著其長邊方向具有導通性。
又，如圖3B所示般，噴嘴尖端40，係雖被嵌入於配管30A之前端，但在該情況下，配管30A之第1層31的前端，係與噴嘴尖端40之基端對接。而且，第1層31之前端與噴嘴尖端40之基端，係藉由熔接接合而形成接合部36。而且，在外面具有導電性之第1層31與在外面具有導電性之噴嘴尖端40可經由接合部36導通。
而且，配管30A之第2層32的前端，係延伸至噴嘴尖端40之中間附近，形成第2層32與噴嘴尖端40的接合部37。而且，第2層32與在外面具有導電性之噴嘴尖端40，係可相互導通。
又，配管30A之第3層33的前端，係比第2層32更延伸至噴嘴尖端40之前端側，第3層33的前端與噴嘴尖端40藉由熔接接合而形成接合部38。
在圖3B中，在內面具有導電性之噴嘴尖端40，係與通過其內面的處理液導通。同時，在外面具有導 電性之噴嘴尖端40，係在其外面，可經由接合部36與第1層31的外面導通。又，噴嘴尖端40，係在其外面，可與第2層32導通。
再者，在噴嘴尖端40之外面連接有導線48，導線48，係如圖3D所示般，具有金屬線(銅線)48a；及耐化學性的保護層48b，保護該金屬線48a不受處理液影響。
導線48，係被直接連接於噴嘴尖端40，沿著配管30A延伸，並且被連接於由直流電源所構成的電壓施加部70。又，電壓施加部70接地。
又，如圖3A所示般，在噴嘴單元30之配管30A的基端側，係雖設置有導電體50，但該導電體50，係由包含有例如已混入的碳且整體上具有導電性的PTFE(聚四氟乙烯)所構成。在該情況下，配管30A之第2層32及第3層33，係皆延伸至基端側而在導電體50內結束。又，第1層31，係在導電體50內朝外方露出，具有導電性之第1層31的外面，係與導電體50導通。
又，第3層33在導電體50內延伸至安裝構件50a的左側而結束，第2層32，係在導電體50內露出而與導電體50導通。而且，該第2層32，係在導電體50內延伸至安裝構件50a的右側而結束。
而且，配管30A之第1層31，係貫通導電體50而朝向配管30A之基端側(圖3A之右側)延伸，並在導電體50內延伸至安裝構件50a之右側，於與第2層32相同的位置結束。
另一方面，附加的第1層31A被插入至導電體50之右端部，接頭51被安裝於附加的第1層31A之右端部。該接頭51，係例如由具有導電性的PFA材料所構成。具體而言，接頭51，係可使用在內面與外面具有導電性之例如如圖5B所示般的AS型的PFA管，或包含有已混入的碳且整體上具有導電性的PTFE管。另一方面，在噴嘴支撐部25內，係設置有連通管52，該連通管52，係具有與具有導電性之附加的第1層31A相同的構造。該連通管52，係由在外面具有導電性之NE型的PFA管所構成，藉由在內面與外面具有導電性的接頭51，從外方夾持附加的第1層31A與連通管52，藉此，可將附加的第1層31A之內部與連通管52之內部連通。在該情況下，第1層31與連通管52，係經由接頭51亦電性導通。由像這樣的構成所形成之噴嘴支撐部25內的連通管52，係經由未圖示之導線接地。
又，如圖3B所示般，在配管30A之前端側，第3層33，係從外側完全覆蓋第1層31及第2層32，並且從外方亦覆蓋噴嘴尖端40的一部分。由於第3層33，係具有高耐化學性及耐熱性，因此，藉由該具有高耐化學性及耐熱性的第3層33，可有效地保護第1層31、第2層32及噴嘴尖端40不受例如包含高溫之SPM的處理液影響。
其次，藉由圖7，說明關於將處理液供給至噴嘴單元30的處理液供給系統90。在本實施形態中，從處理液供給系統90對噴嘴單元30供給硫酸及過氧化氫水的混合液即SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)。
像這樣的處理液供給系統90，係具備有：硫酸供給系統90A；及過氧化氫水供給系統90B。其中，硫酸供給系統90A，係具有硫酸供給源91a與經由供給管線111a被依序連接於硫酸供給源91a的流量計92a及針閥93a。
又，在針閥93a之下游側連接有開關閥94a，在開關閥94a之下游側，係連接有硫酸與過氧化氫水的合流點110。
又，在開關閥94a之出口側，係連接有分歧的排放管線99a，在該排放管線99a，係設置有排放閥95a與流量計98a。
又，亦可在排放管線99a之前端設置吸引裝置97a。
而且，在針閥93a之下游側的供給管線111a，係連接有分歧的分歧管線113，在該分歧管線113，係連接有使硫酸經由循環閥114返回到硫酸供給源91a的回流管線115。
又，過氧化氫水供給系統90B，係具有過氧化氫水供給源91b與經由供給管線111b被依序連接於過氧化氫水供給源91b的流量計92b及針閥93b。
又，在針閥93b之下游側連接有開關閥94b，在開關閥94b之下游側，係連接有硫酸與過氧化氫水的合流點110。
又，在開關閥94b之出口側，係連接有分歧 的排放管線99b，在該排放管線99b，係設置有排放閥95b與流量計98b。
又，亦可在排放管線99a之前端設置吸引裝置97a。
其次，說明關於由像這樣的構成所形成之本實施形態的作用亦即基板處理方法。
首先，如圖2所示般，在處理單元(本揭示之基板處理裝置)16內，藉由基板保持機構22保持晶圓W。其次，藉由基板保持機構22所保持之晶圓W，係藉由該基板保持機構22旋轉，並在晶圓W旋轉的期間，從噴嘴單元30之噴嘴尖端40對晶圓W吐出例如由SPM所構成的處理液。
在該期間，因伴隨著晶圓W之旋轉所引起的離心力而朝晶圓W之外方飛散的處理液，係被回收罩杯23接取並回收。
其次，藉由圖8A~圖8D及圖9，說明關於噴嘴單元30之該期間的作用。
噴嘴單元30，係藉由控制基板處理裝置16的控制裝置4進行驅動控制。首先，控制裝置4，係將硫酸供給系統90A的開關閥94a與過氧化氫水供給系統90B的開關閥94b開啟，並使晶圓W旋轉。在該情況下，噴嘴單元30，係預先被配置於晶圓W上，從硫酸供給源91a所供給的硫酸與從過氧化氫水供給源91b所供給的過氧化氫水會在合流點110合流而成為SPM且被傳送至噴嘴單元30。其 後，從噴嘴單元30之噴嘴尖端40對晶圓W吐出處理液(SPM)(參閱圖8A)。
其次，控制裝置4，係在SPM處理結束後，將硫酸供給系統90A的開關閥94a與過氧化氫水供給系統90B的開關閥94b關閉，並同時將硫酸供給系統90A的排放閥95a與過氧化氫水供給系統90B的排放閥95b開啟。
此時，停止從噴嘴單元30之噴嘴尖端40對晶圓W吐出處理液(亦稱為斷液)(參閱圖8B)。又，將排放閥95a、95b開啟，藉此，在噴嘴單元30內到達噴嘴尖端40之前端的處理液，係朝基端側縮回(參閱圖8C)。
在該情況下，將排放閥95a、95b開啟，藉此，在硫酸供給系統90A中，係供給管線111a內之硫酸會因自身重量而經由排放管線99a被排放至外方。又，在過氧化氫水供給系統90B中，係供給管線111b內之過氧化氫水會因自身重量而經由排放管線99b被排放至外方。作為其結果，在噴嘴單元30內，處理液，係朝基端側縮回(參閱圖8C)，而且，藉由將排放閥95a、95b持續開啟的方式，在噴嘴單元30內，處理液，係縮回至基準位置P(參閱圖8D)。
此時，如圖8D所示般，在噴嘴單元30內，處理液之界面K，係縮回至噴嘴單元30的基準位置P。
其後，控制裝置4，係將排放閥95a、95b關閉，使位於晶圓W上之噴嘴單元30以噴嘴支撐部25為中心旋轉，並從晶圓W上的位置到達待機位置。
其次，控制裝置4，係判定位於噴嘴單元30內之處理液是否正確地縮回至基準位置，該噴嘴單元30，係位於待機位置。在該情況下，控制裝置4，係在將排放閥95a、95b關閉後，使電壓施加部70作動，將電壓施加至作為電壓施加用導電部80而發揮功能的噴嘴尖端40。
同時，藉由被連接於作為電壓檢測部81而發揮功能之導電體50的電壓檢測器75，檢測導電體50的電壓，並時常監視藉由電壓檢測器75所檢測的電壓。另外，連接於導電體50之電壓檢測器75接地。
如上述般，在作為電壓施加用導電部80而發揮功能之導電性的噴嘴尖端40與作為電壓檢測部81而發揮功能之導電性的導電體50之間，係介設有包含第1層31的非導電部82，該第1層31，係與處理液接觸之內面為非導電製。因此，在噴嘴單元30內之處理液的界面K正確地縮回至預定之基準位置P的情況下，係噴嘴尖端40與導電體50不導通，且藉由電壓檢測器75所檢測的電壓成為0。
另一方面，吾人亦考慮例如因開關閥94a、94b兩者或一方的動作不良而造成噴嘴單元30內之處理液被傳送至噴嘴尖端40側的情形。
在該情況下，係噴嘴尖端40與導電體50藉由噴嘴單元30內之處理液而變得導通，且藉由電壓檢測器75檢測導電體50的電壓。其次，來自電壓檢測器75之信號被傳送至控制裝置4，控制裝置4，係判定為噴嘴單元30內的處理液從預定之基準位置P到達噴嘴尖端40。如此一來， 控制裝置4，係可確實地檢測基板處理裝置16之處理液供給系統90的異常。
如以上般，根據本實施形態，可輕易且確實地檢測被設置於噴嘴單元30的上游側之處理液供給系統90的異常。在該情況下，僅在噴嘴尖端40設置電壓施加部70並在導電體50設置電壓檢測器75，藉此，藉由簡單之構造，可低價且確實地檢測處理液供給系統90的異常。
如此一來，根據本實施形態，可輕易地檢測被設置於噴嘴單元30的上游側之處理液供給系統90的異常。因此，可進行包含該處理液供給系統之恢復動作的修補，並在下一工程中，可確實地防止處理液非預期性地從噴嘴單元30朝向晶圓W吐出的情形。
然而，在從噴嘴單元30的噴嘴尖端40對晶圓W吐出處理液之際，吾人亦認為該處理液帶電而具有電荷。
根據本實施形態，由於噴嘴尖端40之內面具有導電性，因此，通過噴嘴尖端40之處理液中的電荷，係被放電至噴嘴尖端40的內面。
其次，放電至噴嘴尖端40之內面的電荷，係通過以下3種通電路徑(1)~(3)被放電至外方而適當地進行除電。
(1)放電至噴嘴尖端40之具有導電性的內面之電荷，係流向噴嘴尖端40之具有導電性的外面，其後，從噴嘴尖端40之外面通過第2層32流向導電體50。其次， 流向導電體50之電荷，係到達附加的第1層31A之外面，其後，經由接頭51從噴嘴支撐部25流向外方而接地，如此一來，將處理液中之電荷適當地除電。
(2)放電至噴嘴尖端40之具有導電性的內面之電荷，係流向噴嘴尖端40之具有導電性的外面。其後，電荷，係從噴嘴尖端40之外面通過第1層31之具有導電性的外面而到達導電體50，其後，從導電體50通過附加的第1層31A且經由接頭51從噴嘴支撐部25流向外方而接地，將處理液中之電荷適當地除電。
<第2實施形態>
以下，藉由圖10~圖12，說明關於本揭示之基板處理裝置的第2實施形態。
在圖10~圖12所示之第2實施形態中，設置於噴嘴單元30之電壓施加用導電部80包含有複數個例如2個電壓施加用導電部元件80a、80b，並在各電壓施加用導電部元件80a、80b分別各自地連接有電壓施加部70a、70b。又，電壓施加部70a、70b分別接地。
其中，前端側之第1電壓施加用導電部元件80a，係由噴嘴單元30的噴嘴尖端40所構成。又，第2電壓施加用導電部元件80b，係由被介設於噴嘴單元30內的導電體所構成，該導電體，係可由包含有例如已混入的碳且整體上具有導電性的PTFE(聚四氟乙烯)所構成。另外，噴嘴單元30，係具有配管30A，該配管30A，係包含有水平 部分130A與垂直部分130B，任一電壓施加用導電部元件80a、80b，係位於垂直部分130B上。
在圖10~圖12所示之第2實施形態中，其他構成，係與圖1~圖9所示的第1實施形態大致相同。
在圖10及圖12所示之第2實施形態中，對與圖1~圖9所示之第1實施形態相同的部份賦予相同符號而省略詳細之說明。
其次，藉由圖10~圖12，說明關於噴嘴單元30的作用。
噴嘴單元30，係藉由控制基板處理裝置16的控制裝置4進行驅動控制。首先，控制裝置4，係將硫酸供給系統90A的開關閥94a與過氧化氫水供給系統90B的開關閥94b開啟，並使晶圓W旋轉。在該情況下，噴嘴單元30，係預先被配置於晶圓W上，從硫酸供給源91a所供給的硫酸與從過氧化氫水供給源91b所供給的過氧化氫水會在合流點110合流而成為SPM且被傳送至噴嘴單元30。其後，從噴嘴單元30之噴嘴尖端40對晶圓W吐出處理液(SPM)(參閱圖11A)。
其次，控制裝置4，係在SPM處理結束後，將硫酸供給系統90A的開關閥94a與過氧化氫水供給系統90B的開關閥94b關閉，並同時將硫酸供給系統90A的排放閥95a與過氧化氫水供給系統90B的排放閥95b開啟。
此時，停止從噴嘴單元30之噴嘴尖端40對晶圓W吐出處理液(亦稱為斷液)(參閱圖11B)。又，將排放閥 95a、95b開啟，藉此，在噴嘴單元30內到達噴嘴尖端40之前端的處理液，係朝基端側縮回(參閱圖11C)。
在該情況下，將排放閥95a、95b開啟，藉此，在硫酸供給系統90A中，係供給管線111a內之硫酸會因自身重量而經由排放管線99a被排放至外方。又，在過氧化氫水供給系統90B中，係供給管線111b內之過氧化氫水會因自身重量而經由排放管線99b被排放至外方。作為其結果，在噴嘴單元30內，處理液，係朝基端側縮回(參閱圖11C)，而且，藉由將排放閥95a、95b持續開啟的方式，在噴嘴單元30內，處理液，係縮回至基準位置P(參閱圖11D)。
此時，如圖11D所示般，在噴嘴單元30內，處理液之界面K，係縮回至噴嘴單元30的基準位置P。
其後，控制裝置4，係將排放閥95a、95b關閉，使位於晶圓W上之噴嘴單元30以噴嘴支撐部25為中心旋轉，並從晶圓W上的位置到達待機位置。
其次，控制裝置4，係判定位於噴嘴單元30內之處理液是否正確地縮回至基準位置，該噴嘴單元30，係位於待機位置。在該情況下，控制裝置4，係在將排放閥95a、95b關閉後，使2個電壓施加部70a、70b作動，將電壓施加至2處的電壓施加用導電部元件80a、80b。
同時，藉由被連接於作為電壓檢測部81而發揮功能之導電體50的電壓檢測器75，檢測導電體50的電壓，並時常監視藉由電壓檢測器75所檢測的電壓。另外， 連接於導電體50之電壓檢測器75接地。
又，在作為第1電壓施加用導電部元件80a而發揮功能之導電性的噴嘴尖端40與第2電壓施加用導電部元件80b之間，係介設有包含第1層31之附加的非導電部82A，該第1層31，係與處理液接觸之內面為非導電性。又，在第2電壓施加用導電部元件80b與作為電壓檢測部81而發揮功能之導電性的導電體50之間，係介設有包含第1層31之非導電部82，該第1層31，係與處理液接觸之內面為非導電性。因此，在噴嘴單元30內之處理液的界面K正確地縮回至預定之基準位置P的情況下，係電壓施加用導電部元件80a、80b與導電體50不導通，且藉由電壓檢測器75所檢測的電壓成為0。
另一方面，吾人亦考慮例如因開關閥94a、94b兩者或一方的動作不良而造成噴嘴單元30內之處理液被傳送至噴嘴尖端40側的情形。
在該情況下，係首先，噴嘴單元30內之處理液到達第2電壓施加用導電部元件80b，且第2電壓施加用導電部元件80b與導電體50藉由處理液而導通。藉此，藉由電壓檢測器75檢測導電體50的電壓。
此時，電壓檢測器75，係檢測從電壓施加部70b被施加至第2電壓施加用導電部元件80b的電壓Y1。
此時，控制裝置4，係判斷為噴嘴單元30之處理液供給系統90的異常，使處理液供給系統90執行恢復動作。
具體而言，控制裝置4，係開啟處理液供給系統90的排放閥95a、95b，將硫酸及過氧化氫水排放至外方，並將噴嘴單元30內之處理液朝噴嘴單元30的基端側縮回。
藉由進行像這樣的恢復動作，在電壓檢測器75檢測之電壓值成為了0的情況下，係判定為噴嘴單元30內之處理液的界面K已縮回至所期望之基準位置P，亦即已恢復正常，並關閉排放閥95a、95b，使恢復動作結束。
另一方面，存在有不管上述恢復動作如何，噴嘴單元30內之處理液更從第2電壓施加用導電部元件80b到達第1電壓施加用導電部元件80a的情形。在該情況下，係第1電壓施加用導電部元件80a及第2電壓施加用導電部元件80b與導電體50藉由處理液而導通。此時，電壓檢測器75，係檢測「將從電壓施加部70a被施加至第1電壓施加用導電部元件80a之電壓與從電壓施加部70b被施加至第2電壓施加用導電部元件80b之電壓合計而成」的電壓Y2。
如此一來，在噴嘴單元30內之處理液到達了第1電壓施加用導電部元件80a的情況下，控制裝置4，係判斷為處理液供給系統90的異常，並關閉排放閥95a、95b，使恢復動作結束。同時，控制裝置4，係經由警報器4a發出外部警報，通知處理液供給系統90的異常。
如以上般，根據本實施形態，可輕易且確實地檢測被設置於噴嘴單元30的上游側之處理液供給系統90的異常。又，在檢測處理液供給系統90的異常後，可對處 理液供給系統90進行恢復動作，使處理液供給系統90恢復正常。
如此一來，可檢測被設置於噴嘴單元30的上游側之處理液供給系統90的異常。因此，可進行該處理液供給系統之修補，並在下一工程中，可確實地防止處理液非預期性地從噴嘴單元30朝向晶圓W吐出的情形。
另外，在本實施形態中，雖表示了在控制裝置4進行恢復動作之際，將排放閥95a、95b開啟而使噴嘴單元30內之處理液朝基端側縮回的例子，但並不限於此，控制裝置4，係亦可將排放閥95a、95b開啟，並且使被設置於排放管線99a、99b之前端的吸引裝置97a、97b作動。在該情況下，係噴嘴單元30內之處理液因自身重量而朝噴嘴單元30之基端側縮回，並且可藉由吸引裝置97a、97b，使噴嘴單元30內的處理液強制地朝基端側縮回。
再者，控制裝置4，係亦可在進行恢復動作之際，使用N2氣體來對處理液供給系統90進行氣體沖洗並將處理液供給系統90之異物等排放至外方而進行恢復動作，以代替將排放閥95a、95b開啟或使吸引裝置97a、97b作動。
<第3實施形態>
其次，藉由圖13及圖14，說明關於本揭示之基板處理裝置的第3實施形態。
在圖13及圖14所示之第3實施形態中，設置 於噴嘴單元30之電壓施加用導電部80包含有複數個例如4個電壓施加用導電部元件80a、80b、80c、80d，並在各電壓施加用導電部元件80a、80b、80c、80d分別各自地連接有電壓施加部70a、70b、70c、70d。又，電壓施加部70a、70b、70c、70d分別接地。
其中，前端側之第1電壓施加用導電部元件80a，係由噴嘴單元30的噴嘴尖端40所構成。又，第2電壓施加用導電部元件80b、第3電壓施加用導電部元件80c及第4電壓施加用導電部元件80d，係由被介設於噴嘴單元30內的導電體所構成，該導電體，係可由包含有例如已混入的碳且整體上具有導電性的PTFE(聚四氟乙烯)所構成。另外，噴嘴單元30，係具有配管30A，該配管30A，係包含有水平部分130A與垂直部分130B。
而且，第1電壓施加用導電部元件80a與第2電壓施加用導電部元件80b之間、第2電壓施加用導電部元件80b與第3電壓施加用導電部元件80c之間、第3電壓施加用導電部元件80c與第4電壓施加用導電部元件80d之間，係成為附加的非導電部82A。又，第4電壓施加用導電部元件80d與電壓檢測部81之間，係成為非導電部82，預先求出各個附加的非導電部82A及非導電部82之長度，亦即第1~第4電壓施加用導電部元件80a~80d的位置。
在圖13及圖14所示之第3實施形態中，其他構成，係與圖1~圖9所示的第1實施形態大致相同。
在圖13及圖14所示的第3實施形態中，對與 圖1~圖9所示之第1實施形態相同的部份賦予相同符號而省略詳細之說明。
其次，藉由圖13及圖14，說明關於噴嘴單元30的作用。
噴嘴單元30，係藉由控制基板處理裝置16的控制裝置4進行驅動控制。首先，控制裝置4，係將硫酸供給系統90A的開關閥94a與過氧化氫水供給系統90B的開關閥94b開啟，並使晶圓W旋轉。在該情況下，噴嘴單元30，係預先被配置於晶圓W上，從硫酸供給源91a所供給的硫酸與從過氧化氫水供給源91b所供給的過氧化氫水會在合流點110合流而成為SPM且被傳送至噴嘴單元30。其後，從噴嘴單元30之噴嘴尖端40對晶圓W吐出處理液(SPM)。
其次，控制裝置4，係在SPM結束後，將硫酸供給系統90A的開關閥94a與過氧化氫水供給系統90B的開關閥94b關閉，並同時將硫酸供給系統90A的排放閥95a與過氧化氫水供給系統90B的排放閥95b開啟。
此時，停止從噴嘴單元30之噴嘴尖端40對晶圓W吐出處理液(亦稱為斷液)。又，將排放閥95a、95b開啟，藉此，在噴嘴單元30內到達噴嘴尖端40之前端的處理液，係朝基端側縮回。
在該情況下，將排放閥95a、95b開啟，藉此，在硫酸供給系統90A中，係供給管線111a內之硫酸會因自身重量而經由排放管線99a被排放至外方。又，在過 氧化氫水供給系統90B中，係供給管線111b內之過氧化氫水會因自身重量而經由排放管線99b被排放至外方。作為其結果，在噴嘴單元30內，處理液，係朝基端側縮回，而且，藉由將排放閥95a、95b持續開啟的方式，在噴嘴單元30內，處理液，係縮回至基準位置P。
此時，在噴嘴單元30內，處理液之界面，係縮回至噴嘴單元30的基準位置。
其後，控制裝置4，係將排放閥95a、95b關閉，使位於晶圓W上之噴嘴單元30以噴嘴支撐部25為中心旋轉，並從晶圓W上的位置到達待機位置。
在該期間，控制裝置4，係判定藉由開啟排放閥95a、95b而執行之處理液的排放作用是否完善地進行。
具體而言，控制裝置4，係在將排放閥95a、95b關閉後，使電壓施加部70a~70d作動，對第1~第4電壓施加用導電部元件80a~80d施加電壓。
同時，藉由被連接於作為電壓檢測部81而發揮功能之導電體50的電壓檢測器75，檢測導電體50的電壓，並時常監視藉由電壓檢測器75所檢測的電壓。另外，連接於導電體50之電壓檢測器75接地。
在電壓施加用導電部80的第1~第4電壓施加用導電部元件80a~80d間，係分別介設有包含第1層31之附加的非導電部82A，該第1層31，係與處理液接觸之內面為非導電性。又，在第4電壓施加用導電部元件80d與作為 電壓檢測部81而發揮功能之導電性的導電體50之間，係介設有包含第1層31之非導電部82，該第1層31，係與處理液接觸之內面為非導電性。
因此，在排放作用中，當噴嘴單元30內之處理液的界面K在噴嘴單元30內縮回的期間，可藉由電壓檢測器75求出噴嘴單元30內之處理液的界面之移動速度。
亦即，在將排放閥95a、95b關閉後，由於緊接著噴嘴單元30內之處理液的界面位於噴嘴尖端40(第1電壓施加用導電部元件80a)，因此，藉由電壓檢測器75所檢測之電壓，係成為從電壓施加部70a~70d所施加的電壓之合計值Y4。
其次，當噴嘴單元30內之處理液的界面朝噴嘴單元30之基端側移動而處理液的界面到達第2電壓施加用導電部元件80b時，藉由電壓檢測器75所檢測之電壓，係成為從電壓施加部70b~70d所施加的電壓之合計值Y3。
其次，噴嘴單元30內之處理液的界面朝噴嘴單元30之基端側進一步移動，且處理液的界面到達第3電壓施加用導電部元件80c，藉由電壓檢測器75所檢測之電壓，係成為從電壓施加部70c~70d所施加的電壓之合計值Y2。
噴嘴單元30內之處理液的界面朝噴嘴單元30之基端側進一步移動，且處理液的界面到達第4電壓施加用導電部元件80d，藉由電壓檢測器75所檢測之電壓，係成為從電壓施加部70d所施加的電壓Y1。
當噴嘴單元30內之處理液的界面朝噴嘴單元30之基端側進一步移動而處理液的界面遠離第4電壓施加用導電部元件80d時，藉由電壓檢測器75所檢測之電壓，係成為0。
如上述般，預先求出被設置於噴嘴單元30之第1~第4電壓施加用導電部元件80a~80d的位置，且藉由電壓檢測器75檢測電壓，藉此，可從藉由電壓檢測器75所檢測到之電壓與檢測時間，求出噴嘴單元30內之處理液的界面之移動速度，亦即排放速度。
而且，基於藉由電壓檢測器75所求出之處理液的界面的移動速度與預先設定的所期望之處理液的界面之移動速度，控制裝置4，係可判定被連接於噴嘴單元30的處理液供給系統90之排放作用的完善性，亦即處理液在噴嘴單元30內是否可從噴嘴尖端40側正確地朝基端側縮回。
又，在處理液供給系統90之排放作用被判定為不充分的情況下，使用吸引裝置97a、97b來將處理液從處理液供給系統90之內部吸引至外方，或進行使用了N2氣體的氣體沖洗並將處理液排放至外方，藉此，修補處理液供給系統90。
另外，在上述各實施形態中，雖表示了使用導電體50作為電壓檢測部81並將電壓檢測器75連接於導電體50而直接檢測導電體50之電壓的例子，但並不限於此，亦可藉由靜電電容式的表面電位計來間接地檢測電壓檢測 部81之電壓。
在藉由靜電電容式的表面電位計來間接地檢測電壓檢測部81之電壓的情況下，電壓檢測部81，係不必非要如導電體50般地具有導電性，亦可藉由非導電性的構件來構成電壓檢測部81。
又，在上述各實施形態中，雖表示了使用導電體50作為電壓檢測部81並將電壓檢測器75連接於該導電體50的例子，但並不限於此，亦可使用導電體50作為電流檢測部81A並將電流檢測器(電流計)75A連接於導電體50，該電流檢測器75A，係檢測流動於該導電體50內的電流。相同地，雖表示了將電壓檢測器106連接於電壓檢測部105的例子，但並不限於此，亦可使用電流檢測部105A來代替電壓檢測部105並將電流檢測器(電流計)106A連接於電流檢測部105A，該電流檢測器106A，係檢測流動於該電流檢測部105A內的電流(參閱圖6)。
本次所揭示之實施形態，係在所有方面皆為例示，吾人應瞭解該等例示並非用以限制本發明。上述各實施形態，係只要不脫離添附之申請專利範圍及其主旨，則亦可藉由各種形態進行省略、置換、變更。又，上述各實施形態中之構成，係只要不相互矛盾，則可適當地進行組合。
30:噴嘴單元
30A:配管
40:噴嘴尖端
50:導電體
70:電壓施加部
75:電壓檢測器
75A:電流檢測器(電流計)
80:電壓施加用導電部
81:電壓檢測部
81A:電流檢測部
82:非導電部
100:噴嘴單元
100A:配管
100B:噴嘴尖端
100C:電壓施加部
102:非導電部
105:電壓檢測部
105A:電流檢測部
106:電壓檢測器
106A:電流檢測器(電流計)
W:晶圓

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，係具有對基板吐出處理液之噴嘴單元，該基板處理裝置，其特徵係，前述噴嘴單元，係具備有：電壓施加用導電部，可與前述處理液接觸；及電壓檢測部或電流檢測部，可與前述處理液接觸，在前述電壓施加用導電部與前述電壓檢測部或前述電流檢測部之間介設有非導電部，在前述電壓施加用導電部連接有電壓施加部，並在前述電壓檢測部或前述電流檢測部分別設置有電壓檢測器或電流檢測器，前述噴嘴單元，係具有：配管，供給前述處理液；及噴嘴尖端，被設置於前述配管之前端，朝向前述基板吐出前述處理液，前述噴嘴尖端，係作為前述電壓施加用導電部而發揮功能。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述電壓檢測部，係包含有電壓檢測用導電部或電流檢測用導電部，前述電壓檢測器，係被連接於前述電壓檢測用導電部而直接檢測前述電壓檢測用導電部的電壓，抑或，前述電流檢測器，係被連接於前述電流檢測用導電部而直接檢測流動於前述電流檢測用導電部的電流。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述電壓檢測器，係由間接地檢測前述電壓檢測部的電壓之靜電電容式的表面電位計所構成。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，更具備有：控制裝置，基於來自前述電壓檢測器或電流檢測器之信號，判定是否在前述電壓施加用導電部與前述電壓檢測部或電流檢測部之間存在有前述處理液。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中，前述電壓施加用導電部，係包含有：複數個電壓施加用導電部元件，在彼此之間介設有附加的非導電部，前述控制裝置，係基於來自前述電壓檢測器或電流檢測器之信號，求出前述噴嘴單元內之前述處理液的界面。
  6. 如請求項4之基板處理裝置，其中，在前述噴嘴單元之上游側連接有處理液供給系統，該處理液供給系統，係具有開關閥與被設置於前述開關閥之出口側的排放閥，在前述排放閥連接有排放管線，前述控制裝置，係在前述基板處理裝置之待機時，將前述開關閥與前述排放閥關閉，並且在判定為在前述電壓施加用導電部與前述電壓檢測部或電流檢測部之間存在有前述處理液之際，將前述排放閥開啟，從前述排放管線排出前述處理液。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中，在前述噴嘴單元之上游側連接有處理液供給系統，該處理液供給系統，係具有開關閥與被設置於前述開關閥之 出口側的排放閥，在前述排放閥連接有排放管線，前述控制裝置，係在停止前述處理液之吐出時，將前述開關閥關閉，並且開啟前述排放閥而從前述排放管線排出前述處理液，基於來自前述電壓檢測器或前述電流檢測器之信號，求出前述處理液的界面。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中，前述控制裝置，係基於前述處理液之界面，求出前述處理液的排放速度。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述噴嘴單元，係設置有複數個。
  10. 一種基板處理方法，係使用了具有對基板吐出處理液之噴嘴單元與控制裝置的基板處理裝置，前述噴嘴單元，係具備有：電壓施加用導電部，可與前述處理液接觸；及電壓檢測部或電流檢測部，可與前述處理液接觸，在前述電壓施加用導電部與前述電壓檢測部或電流檢測部之間介設有非導電部，在前述電壓施加用導電部連接有電壓施加部，在前述電壓檢測部設置有電壓檢測器或在前述電流檢測部設置有電流檢測器，在前述噴嘴單元之上游側設置有處理液供給系統，該基板處理方法，係其特徵係，具備有：「藉由前述控制裝置，使前述處理液供給系統作動，將前述處理液從前述噴嘴單元吐出至前述基板」的工程；「藉由前述控制裝置，使前述處理液供給系統作動，停止將前述處理液從前述噴嘴單元朝前述基板吐出」的工 程；「藉由前述控制裝置，將電壓從前述電壓施加部施加至前述電壓施加用導電部」的工程；及「藉由前述電壓檢測器來檢測前述電壓檢測部之電壓，且藉由前述控制裝置，判定是否在前述電壓施加用導電部與前述電壓檢測部之間存在有前述處理液，抑或藉由前述電流檢測器來檢測流動於前述電流檢測部之電流，且藉由前述控制裝置，判定是否在前述電壓施加用導電部與前述電流檢測部之間存在有前述處理液」的工程，前述處理液供給系統，係具有開關閥與被設置於前述開關閥之出口側的排放閥，在前述排放閥連接有排放管線，前述控制裝置，係在前述基板處理裝置之待機時，將前述開關閥與前述排放閥關閉，並且在判定為在前述電壓施加用導電部與前述電壓檢測部或電流檢測部之間存在有前述處理液之際，將前述排放閥開啟，從前述排放管線排出前述處理液。
  11. 如請求項10之基板處理方法，其中，前述電壓施加用導電部，係包含有：複數個電壓施加用導電部元件，在彼此之間介設有附加的非導電部，前述控制裝置，係基於來自前述電壓檢測器或前述電流檢測器之信號，求出前述噴嘴單元內之前述處理液的界面。
  12. 如請求項10或11之基板處理方法，其中， 前述處理液供給系統，係具有開關閥與被設置於前述開關閥之出口側的排放閥，在前述排放閥連接有排放管線，前述控制裝置，係在停止前述處理液之吐出時，將前述開關閥關閉，並且開啟前述排放閥而從前述排放管線排出前述處理液，基於來自前述電壓檢測器或前述電流檢測器之信號，求出前述處理液的界面。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其中，前述控制裝置，係基於前述處理液之界面，求出前述處理液的排放速度。
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