TWI872541B - 鍍覆裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可縮小攪槳之梁構件引起遮蔽電場的影響之技術，或是可除去附著於離子阻力體之孔的氣泡之技術。鍍覆裝置1000具備攪槳70，其係以配置於陽極11與基板Wf之間，藉由在與基板平行之方向，於第一方向及第二方向往返移動來攪拌鍍覆液Ps之方式而構成，攪槳具有在與攪槳之往返移動方向垂直的方向延伸之複數個梁構件71，攪槳在第一方向及第二方向往返移動包含攪槳以第一往返樣態而往返移動，在第一往返樣態下，攪槳藉由以與在第一方向移動時之行程不同的行程在第二方向移動，而使攪槳從第二方向改變移動方向成第一方向時之複數個梁構件的位置；及從第一方向改變移動方向成第二方向時之複數個梁構件的位置不同。

Description

鍍覆裝置

本發明係關於一種鍍覆裝置。

過去，已知有可對基板實施鍍覆處理之鍍覆裝置（例如，參照專利文獻1）。此種鍍覆裝置具備：貯存鍍覆液，並且在前述鍍覆液之內部配置陽極，並在前述鍍覆液之內部，以與前述陽極相對之方式配置基板的鍍覆槽；及配置於陽極與基板之間，在與基板平行之方向，藉由於第一方向及與第一方向相反之第二方向往返移動來攪拌鍍覆液的方式而構成之攪槳。

此外，過去，攪槳已知有具有在與攪槳之往返移動方向垂直的方向延伸之複數個梁構件者（例如，參照專利文獻1）。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］

[專利文獻1]日本特開2021－130848號公報

（發明所欲解決之問題）

如上述之過去的鍍覆槽中，攪槳在往返移動時之攪槳的行程固定。此時，在攪槳從第二方向改變移動方向成第一方向時，及從第一方向改變移動方向成第二方向時，攪槳之梁構件係在相同部位停止。此時，在鍍覆處理中攪槳之梁構件的平均滯留時間無法均勻化，陽極與基板之間的電場之遮蔽程度可能依攪槳的位置而不同。結果，可能導致基板之鍍覆品質惡化。

或是，過去之鍍覆裝置時，鍍覆槽之鍍覆液中所含的氣泡可能會大量附著於配置在陽極與基板之間的離子阻力體之孔。在該狀態下對基板實施鍍覆處理時，可能因該氣泡造成基板之鍍覆品質惡化。

本發明係鑑於上述情形者，一個目的為提供一種可縮小攪槳之梁構件引起遮蔽電場的影響之技術，或是可除去附著於離子阻力體之孔的氣泡之技術。 （解決問題之手段） （樣態1）

為了達成上述目的，本發明一個樣態之鍍覆裝置係具備：鍍覆槽，其係貯存鍍覆液，並且在前述鍍覆液之內部配置有陽極，並在前述鍍覆液之內部以與前述陽極相對之方式配置有基板；及攪槳，其係以配置於前述陽極與前述基板之間，並藉由在與前述基板平行之方向，於第一方向及與前述第一方向相反之第二方向往返移動來攪拌前述鍍覆液的方式而構成；前述攪槳具有複數個梁構件，其係在與前述攪槳之往返移動方向垂直的方向延伸，前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動包含前述攪槳以第一往返樣態而往返移動，在前述第一往返樣態下，前述攪槳藉由以與在前述第一方向移動時之行程不同的行程在前述第二方向移動，而使前述攪槳從前述第二方向改變移動方向成前述第一方向時之前述複數個梁構件的位置；及從前述第一方向改變移動方向成前述第二方向時之前述複數個梁構件的位置不同。

採用該樣態時，當攪槳從第二方向改變移動方向成第一方向時、及從第一方向改變移動方向成第二方向時，可使攪槳之梁構件不致位於相同部位。藉此，可縮小攪槳之梁構件引起遮蔽電場的影響。結果可使基板之鍍覆品質提高。 （樣態2）

上述樣態1中，前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動，包含前述攪槳以前述第一往返樣態複數次往返移動後，以第二往返樣態而往返移動，在前述第一往返樣態下，在前述第二方向移動時之前述攪槳的行程比在前述第一方向移動時之前述攪槳的行程短，在前述第二往返樣態下，前述攪槳藉由以比在前述第一方向移動時之行程長的行程而在前述第二方向移動，亦可使前述攪槳從前述第二方向改變移動方向成前述第一方向時之前述複數個梁構件的位置；及從前述第一方向改變移動方向成前述第二方向時之前述複數個梁構件的位置不同。 （樣態3）

上述樣態1中，前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動，包含前述攪槳以前述第一往返樣態複數次往返移動後，以第二往返樣態而往返移動，在前述第一往返樣態下，在前述第二方向移動時之前述攪槳的行程比在前述第一方向移動時之前述攪槳的行程長，在前述第二往返樣態下，前述攪槳藉由以比在前述第一方向移動時之行程短的行程而在前述第二方向移動，亦可使前述攪槳從前述第二方向改變移動方向成前述第一方向時之前述複數個梁構件的位置；及從前述第一方向改變移動方向成前述第二方向時之前述複數個梁構件的位置不同。 （樣態4）

上述樣態1～3之任何一個樣態中，亦可將前述基板配置於比前述陽極上方，並在前述鍍覆液之內部，於比前述陽極上方，且比前述攪槳下方配置有具有複數個孔之離子阻力體。 （樣態5）

上述樣態4中，前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動，亦可包含前述攪槳在前述第一方向以不同速度複數次移動，或是前述攪槳在前述第二方向以不同速度複數次移動。

採用該樣態時，可有效除去附著於離子阻力體之孔的氣泡。藉此，可使基板之鍍覆品質提高。 （樣態6）

上述樣態4中，前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動，亦可包含前述攪槳在前述第一方向以第一速度移動後，在第二方向以與前述第一速度不同之第二速度移動。

採用該樣態時，可有效除去附著於離子阻力體之孔的氣泡。藉此，可使基板之鍍覆品質提高。 （樣態7）

為了達成上述目的，本發明一個樣態之鍍覆裝置係具備：鍍覆槽，其係貯存鍍覆液，並且在前述鍍覆液之內部配置有陽極，並在前述鍍覆液之內部以與前述陽極相對之方式配置有基板；及攪槳，其係以配置於前述陽極與前述基板之間，並藉由在與前述基板平行之方向，於第一方向及與前述第一方向相反之第二方向往返移動來攪拌前述鍍覆液的方式而構成；前述基板配置於比前述陽極上方，在前述鍍覆液之內部，並在比前述陽極上方，且比前述攪槳下方配置具有複數個孔之離子阻力體，前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動，包含前述攪槳在前述第一方向以第一速度移動後，在前述第二方向以與前述第一速度不同之第二速度移動。

採用該樣態時，可有效除去附著於離子阻力體之孔的氣泡。藉此，可使基板之鍍覆品質提高。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態。另外，圖式是為了容易理解構成元件之特徵而以示意性圖示，各構成元件之尺寸比率等未必與實際者相同。此外，在一些圖式中圖示有X－Y－Z之正交座標作為參考。該正交座標中，Z方向相當於上方，－Z方向相當於下方（重力作用之方向）。

圖1係示出本實施形態之鍍覆裝置1000的全體構成的立體圖。圖2係示出本實施形態之鍍覆裝置1000的全體構成的俯視圖。如圖1及圖2所示，鍍覆裝置1000係具備：載入埠100、搬送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、洗淨模組500、旋乾機(spin rinse dryer)600、搬送裝置700、及控制模組800。

載入埠100係用以將被收容在未圖示的FOUP等匣盒的基板搬入至鍍覆裝置1000、或將基板由鍍覆裝置1000搬出至匣盒的模組。在本實施形態中係以水平方向排列配置4台載入埠100，惟載入埠100的數量及配置為任意。搬送機器人110係用以搬送基板的機器人，構成為在載入埠100、對準器120、預濕模組200及旋乾機600之間收授基板。搬送機器人110及搬送裝置700係當在搬送機器人110與搬送裝置700之間收授基板時，係可透過暫置台（未圖示）來進行基板的收授。

對準器120係用以將基板的定向平面或凹口等的位置對合在預定的方向的模組。在本實施形態中係以水平方向排列配置2台對準器120，惟對準器120的數量及配置為任意。預濕模組200係以純水或脫氣水等處理液將鍍覆處理前的基板的被鍍覆面弄濕，藉此將形成在基板表面的圖案內部的空氣置換成處理液。預濕模組200係構成為施行藉由在鍍覆時將圖案內部的處理液置換成鍍覆液，以對圖案內部容易供給鍍覆液的預濕處理。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台預濕模組200，惟預濕模組200的數量及配置為任意。

預浸模組300係構成為施行例如將形成在鍍覆處理前的基板的被鍍覆面的種層表面等所存在的電阻大的氧化膜，以硫酸或鹽酸等處理液蝕刻去除而將鍍覆基底表面進行洗淨或活性化的預浸處理。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台預浸模組300，惟預浸模組300的數量及配置為任意。鍍覆模組400係對基板施行鍍覆處理。在本實施形態中，係以上下方向排列配置3台且以水平方向排列配置4台的12台鍍覆模組400的集合有2個，設有合計24台鍍覆模組400，惟鍍覆模組400的數量及配置為任意。

洗淨模組500係構成為對基板施行洗淨處理，俾以去除殘留在鍍覆處理後的基板的鍍覆液等。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台洗淨模組500，惟洗淨模組500的數量及配置為任意。旋乾機600係用以使洗淨處理後的基板高速旋轉而乾燥的模組。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台旋乾機600，惟旋乾機600的數量及配置為任意。搬送裝置700係用以在鍍覆裝置1000內的複數模組間搬送基板的裝置。控制模組800係構成為控制鍍覆裝置1000的複數模組，可由具備例如與操作員之間的輸出入介面的一般電腦或專用電腦所構成。

以下說明藉由鍍覆裝置1000所為之一連串鍍覆處理之一例。首先，被收容在匣盒的基板被搬入至載入埠100。接著，搬送機器人110係由載入埠100的匣盒取出基板，且將基板搬送至對準器120。對準器120係將基板的定向平面或凹口等的位置對合在預定的方向。搬送機器人110係將以對準器120將方向對合後的基板對搬送裝置700進行收授。

預濕模組200係對基板施行預濕處理。搬送裝置700係將由搬送機器人110所收取到的基板搬送至預濕模組200。搬送裝置700係將已施行預濕處理的基板搬送至預浸模組300。預浸模組300係對基板施行預浸處理。搬送裝置700係將已施行預浸處理的基板搬送至鍍覆模組400。鍍覆模組400係對基板施行鍍覆處理。

搬送裝置700係將已施行鍍覆處理的基板搬送至洗淨模組500。洗淨模組500係對基板施行洗淨處理。搬送裝置700係將已施行洗淨處理的基板搬送至旋乾機600。旋乾機600係對基板施行乾燥處理。搬送機器人110係由旋乾機600收取基板，將已施行乾燥處理的基板搬送至載入埠100的匣盒。最後由載入埠100搬出收容有基板的匣盒。

另外，圖1及圖2說明之鍍覆裝置1000的構成不過是一例，鍍覆裝置1000之構成並非限定於圖1及圖2之構成者。

繼續，說明鍍覆模組400。另外，由於本實施形態之鍍覆裝置1000具有的複數個鍍覆模組400具有同樣之構成，因此就1個鍍覆模組400作說明。

圖3係顯示本實施形態之鍍覆裝置1000中的鍍覆模組400之構成的示意圖。具體而言，圖3示意性圖示在將基板Wf浸漬於鍍覆液Ps之前狀態下的鍍覆模組400。圖4係顯示將基板Wf浸漬於鍍覆液Ps之狀態的示意圖。

圖3及圖4中例示之鍍覆裝置1000的一例為杯式之鍍覆裝置。但是，並非限定於該構成者，例如，本實施形態之鍍覆裝置1000亦可係使基板Wf之面方向在上下方向狀態下浸漬於鍍覆液Ps類型的鍍覆裝置（亦即，係縱型之鍍覆裝置）。

圖3及圖4中例示之鍍覆裝置1000的鍍覆模組400具備：鍍覆槽10、溢流槽20、基板固持器30、及攪槳70。此外，鍍覆模組400如圖3所例示，亦可具備：旋轉機構40、傾斜機構45、及升降機構50。

本實施形態之鍍覆槽10藉由在上方具有開口之有底的容器而構成。具體而言，鍍覆槽10具有：底壁10a；及從該底壁10a之外周緣向上方延伸的外周壁10b，該外周壁10b之上部開口。另外，鍍覆槽10之外周壁10b的形狀並非特別限定者，不過本實施形態之外周壁10b的一例為具有圓筒形狀。在鍍覆槽10之內部貯存有鍍覆液Ps。

鍍覆液Ps只要是包含構成鍍覆皮膜之金屬元素的離子之溶液即可，其具體例並非特別限定者。本實施形態中，鍍覆處理之一例為使用銅鍍覆處理，鍍覆液Ps之一例為使用硫酸銅溶液。此外，鍍覆液Ps中亦可含有指定之添加劑。

在鍍覆槽10之鍍覆液Ps的內部配置有陽極11。此外，至少在基板Wf之鍍覆處理時，在鍍覆槽10之鍍覆液Ps的內部，以與陽極11相對之方式亦配置基板Wf。陽極11之具體種類並非特別限定者，亦可係不溶解性陽極，亦可係溶解性陽極。本實施形態之陽極11的一例為使用不溶解性陽極。該不溶解性陽極之具體種類並非特別限定者，可使用鉑或氧化銥等。

亦可在鍍覆槽10之鍍覆液Ps的內部，並在比陽極11上方，且比基板Wf下方（具體而言，本實施形態係進一步比攪槳70下方）配置離子阻力體12。具體而言，如圖4（B1部分之放大圖）所例示，離子阻力體12藉由具有複數個孔12a（細孔）之多孔質的板構件而構成。孔12a係以連通離子阻力體12之下面與上面的方式而設。

如圖3所例示，將離子阻力體12中形成有複數個孔12a之區域稱為「孔形成區域PA」。俯視本實施形態之孔形成區域PA時具有圓形狀。此外，本實施形態之孔形成區域PA的面積與基板Wf之被鍍覆面Wfa的面積相同，或是比該被鍍覆面Wfa之面積大。但是，並非限定於該構成者，孔形成區域PA之面積亦可比基板Wf之被鍍覆面Wfa的面積小。

該離子阻力體12係為了謀求形成於陽極11與基板Wf之間的電場均勻化而設。如本實施形態，藉由在鍍覆槽10中配置離子阻力體12，可輕易謀求形成於基板Wf之鍍覆皮膜（鍍覆層）的膜厚均勻化。

如圖3及圖4所例示，在鍍覆槽10之內部，亦可在比陽極11上方且比離子阻力體12下方的部位配置有膜16。此時，鍍覆槽10之內部藉由膜16劃分成比膜16下方之陽極室17a、與比膜16上方之陰極室17b。陽極11配置於陽極室17a，離子阻力體12及基板Wf配置於陰極室17b。膜16係以容許鍍覆液Ps所含之包含金屬離子的離子種通過膜16，且抑制鍍覆液Ps所含之非離子系的鍍覆添加劑通過膜16之方式而構成。此種膜16例如可使用離子交換膜。

鍍覆槽10中設有用於在鍍覆槽10中供給鍍覆液Ps之供給口。具體而言，在本實施形態之鍍覆槽10的外周壁10b上設有用於在陽極室17a中供給鍍覆液Ps之第一供給口13a；及用於在陰極室17b中供給鍍覆液Ps之第二供給口13b。

此外，鍍覆槽10中設有用於將陽極室17a之鍍覆液Ps排出鍍覆槽10外部的第一排出口14a。從第一排出口14a排出之鍍覆液Ps藉由泵浦（無圖示）壓送，而再度從第一供給口13a供給至陽極室17a。

溢流槽20藉由配置於鍍覆槽10外側之有底容器而構成。溢流槽20係為了將超過鍍覆槽10之外周壁10b上端的鍍覆液Ps（亦即，從鍍覆槽10溢流之鍍覆液Ps）暫時貯存而設。貯存於溢流槽20之鍍覆液Ps從第二排出口14b排出後，藉由泵浦（無圖示）壓送，而再度從第二供給口13b供給至陰極室17b。

基板固持器30係以基板Wf之被鍍覆面Wfa與陽極11相對的方式而保持作為陰極之基板Wf。本實施形態中，基板Wf之被鍍覆面Wfa具體而言設於朝向基板Wf之下方側的面（下面）。

如圖3所例示，基板固持器30亦可具有以比基板Wf之被鍍覆面Wfa的外周緣突出於下方之方式而設的環31。具體而言，本實施形態之環31從下面觀看具有環形狀。

基板固持器30連接至旋轉機構40。旋轉機構40係用於使基板固持器30旋轉的機構。圖3所例示之「R1」係基板固持器30之旋轉方向的一例。旋轉機構40可使用習知之旋轉馬達。傾斜機構45係用於使旋轉機構40及基板固持器30傾斜的機構。升降機構50藉由在上下方向延伸之支軸51而支撐。升降機構50係用於使基板固持器30、旋轉機構40及傾斜機構45在上下方向升降的機構。升降機構50可使用直動式之致動器等習知的升降機構。

控制模組800備有微電腦，該微電腦具備：處理器801；及作為非暫態性記憶媒體之記憶裝置802等。控制模組800依據記憶於記憶裝置802之程式的指令，藉由處理器801工作來控制鍍覆模組400之動作。

圖5係攪槳70之示意俯視圖。參照圖3、圖4及圖5，攪槳70配置在鍍覆槽10內部的陽極11與基板Wf之間的部位。具體而言，本實施形態之攪槳70配置在比陽極11上方而配置的離子阻力體12與基板Wf之間。

參照圖5，攪槳70藉由驅動裝置77受驅動。驅動裝置77之動作是由控制模組800控制。藉由驅動攪槳70來攪拌鍍覆槽10之鍍覆液Ps。

本實施形態之驅動裝置77接受控制模組800的指示，而使攪槳70在與基板Wf（或陽極11）平行之方向「第一方向（本實施形態之一例為X方向）」、及與第一方向相反之「第二方向（本實施形態之一例為－X方向）」交互移動。亦即，本實施形態之攪槳70係在第一方向及第二方向往返移動。

此外，本實施形態之驅動裝置77係以可變更使攪槳70在第一方向移動時之行程與在第二方向移動時之行程的方式而構成。此種驅動裝置77之機械性構造本身並非特別限定者，而可使用習知之驅動裝置（例如，日本特開2019－151874號公報等）。舉出具體例時，本實施形態之驅動裝置77係以具備連接至攪槳70的直線馬達77a，並藉由該直線馬達77a而使攪槳70往返移動之方式而構成（亦即，本實施形態之驅動裝置77的一例係直線馬達式之驅動裝置）。

本實施形態之攪槳70的一例係在第一方向及第二方向以一定速度（mm／sec，或rpm）移動。此外，一例為本實施形態之攪槳70在第一方向移動時之速度與在第二方向移動時的速度係相同值。另外，以rpm表示攪槳70往返移動時之速度的單位時，例如，所謂攪槳70之速度係N（rpm），是指在1分鐘內攪槳70往返1次進行了N次。

如圖5所例示，本實施形態之攪槳70具有複數個在對第一方向（及第二方向）垂直之方向（Y軸方向）延伸的梁構件71。在鄰接的梁構件71之間設有間隙。複數個梁構件71之一端連結至第一連結構件72a，另一端連結至第二連結構件72b。攪槳70驅動時，攪槳70具體而言係梁構件71攪拌鍍覆液Ps。亦即，梁構件71具有作為「攪拌部位」之功能。

另外，身為本實施形態之攪槳70的往返移動方向之長度的攪槳寬（圖5係攪槳70之X方向的長度），比基板Wf之被鍍覆面Wfa在第一方向的外緣與在第二方向的外緣之距離的最大值「基板寬度D1（符號例示於圖3）」小，不過並非限定於該構成者。攪槳70之攪槳寬亦可與基板寬度D1相等，亦可比基板寬度D1大。

此外，本實施形態之攪槳70的攪槳寬，於攪槳70以後述之第一往返樣態及第二往返樣態而往返移動時，係設定成攪槳70不致碰撞鍍覆槽10之外周壁10b的內面之大小。

俯視攪槳70時，攪拌鍍覆液Ps時攪槳70之移動區域MA（亦即，攪槳70往返移動之範圍）宜以覆蓋離子阻力體12之整個孔形成區域PA的方式而構成。採用該構成時，可藉由攪槳70有效攪拌比離子阻力體12之孔形成區域PA上方的鍍覆液Ps。

另外，攪槳70至少在攪拌鍍覆液Ps時配置在鍍覆槽10之內部即可，而不需要始終配置在鍍覆槽10內部。例如，停止驅動攪槳70而不進行藉由攪槳70攪拌鍍覆液Ps情況下，攪槳70亦可為配置在鍍覆槽10外部之構成。

圖6係用於說明本實施形態之從供給鍍覆液至開始鍍覆處理的一連串動作之流程圖。首先，在鍍覆槽10中供給鍍覆液Ps（步驟S10）。具體而言，係以陽極11及離子阻力體12浸漬於鍍覆液Ps之方式在鍍覆槽10中供給鍍覆液Ps。更具體而言，本實施形態係從第一供給口13a及第二供給口13b供給鍍覆液Ps至鍍覆槽10。

接著，使基板Wf浸漬於鍍覆液Ps（步驟S20）。具體而言，本實施形態藉由升降機構50使基板固持器30下降，而使基板Wf之至少被鍍覆面Wfa浸漬於鍍覆液Ps。

接著，藉由驅動裝置77開始驅動攪槳70，而開始藉由攪槳70攪拌鍍覆液Ps（步驟S30）。

藉由攪槳70攪拌鍍覆液Ps，可提高鍍覆液Ps之均質性。此外，藉由攪槳70攪拌鍍覆液Ps，亦可達到以下說明之效果。

具體而言，鍍覆槽10之鍍覆液Ps中會產生氣泡Bu。例如，在鍍覆槽10中供給鍍覆液Ps時，空氣與鍍覆液Ps一起流入鍍覆槽10時，可能該空氣會變成氣泡Bu。

如上述，鍍覆槽10之鍍覆液Ps中產生氣泡Bu時，該氣泡Bu會附著在離子阻力體12之孔12a上（參照圖4）。若未藉由攪槳70攪拌鍍覆液Ps時，可能該氣泡Bu會大量附著在孔12a上。此種狀態下對基板Wf實施鍍覆處理時，可能會因為該氣泡Bu導致基板Wf之鍍覆品質惡化。

相對而言，採用本實施形態時，藉由攪槳70攪拌鍍覆液Ps，可促進附著於離子阻力體12之孔12a的氣泡Bu向上方移動。藉此，可將附著於孔12a之氣泡Bu抽到上方而從孔12a除去。結果，可抑制因附著於孔12a之氣泡Bu導致基板Wf的鍍覆品質惡化。

參照圖6，在步驟S30後，藉由通電裝置（無圖示）而在陽極11與基板Wf之間通過電流，開始對基板Wf進行鍍覆處理（步驟S40）。藉此，開始對基板Wf之被鍍覆面Wfa形成鍍覆皮膜。具體而言，本實施形態即使在該步驟S40之對基板Wf執行鍍覆處理中，仍然藉由步驟S30之攪槳70進行鍍覆液Ps的攪拌（亦即，攪拌鍍覆液Ps，並且對被鍍覆面Wfa進行鍍覆皮膜的形成）。

另外，攪槳70攪拌鍍覆液Ps之時期，並非限定於上述時期者。例如，即使在步驟S10與步驟S20之間的時期（亦即，在鍍覆槽10中供給鍍覆液Ps後，且基板Wf被浸漬於鍍覆液Ps之前的時期），亦可藉由攪槳70攪拌鍍覆液Ps。

圖7係用於說明攪槳70之詳細動作的流程圖之一例。具體而言，該圖7顯示攪槳70在圖6之步驟S30中的詳細動作。主要參照圖5及圖7說明攪槳70之詳細動作如下。

首先，參照圖5，將各個梁構件71在第一方向之排列間距設為「d（mm）」，將各個梁構件71在第一方向之寬度設為「W（mm）」，並將攪槳70之往返移動次數設為「n（次）」。另外，往返移動次數例如係當攪槳70在第一方向移動後，又在第二方向移動時統計為「1次」。

參照圖7，首先，攪槳70藉由接受了控制模組800之指示的驅動裝置77受驅動，而以以下說明之「第一往返樣態」往返移動（步驟S31）。

該第一往返樣態下，攪槳70藉由以與在第一方向移動時之行程不同的行程在第二方向移動，而使攪槳70從第二方向改變移動方向成第一方向時之梁構件71的位置（亦即，攪槳70往返移動1次時之開始移動位置（亦即，「起點」））；及攪槳70從第一方向改變移動方向成第二方向時之梁構件71的位置（亦即，攪槳70往返移動1次時之折返位置（亦即，「終點」））不同。藉此，可使鍍覆處理中之梁構件71的平均滯留時間均勻化。

一例為本實施形態在該第一往返樣態下，在第二方向移動時之攪槳70的行程比在第一方向移動時之攪槳70的行程短。具體而言，該第一往返樣態之一例為本實施形態之攪槳70進行1次以上在第一方向以「A（mm）」之行程移動，接著，在第二方向以「A－W（mm）」之行程移動。

亦即，在第一往返樣態下，攪槳70在第一方向移動「A（mm）」後，在第二方向移動「A－W（mm）」。如此，在第一往返樣態下，攪槳70在第二方向移動之距離，比攪槳70向第一方向移動之距離縮短「W（mm）」程度。結果，在第一往返樣態下，攪槳70開始往返移動之位置每往返1次在第一方向偏差「W（mm）」程度。

但是，步驟S31並非限定於上述構成者，例如，在步驟S31中，第二方向之行程亦可係比「A（mm）」短，且比「A－W（mm）」大之值。

接著，控制模組800判定攪槳70是否已複數次往返移動（步驟S32）。該一例為本實施形態之控制模組800判定是否滿足「W×n＞d」之關係。亦即，在步驟S32中，控制模組800判定梁構件71之寬度（W）乘上攪槳70的往返移動次數（n）之值，是否比梁構件71之排列間距（d）大。

通常，步驟S31之攪槳70以第一往返樣態的往返移動係執行至在步驟S32判定為Yes（是）。

在步驟S32判定為Yes時（亦即，滿足「W×n＞d」之關係時），藉由接受控制模組800之指示的驅動裝置77受驅動，而攪槳70以以下說明之「第二往返樣態」往返移動（步驟S33）。亦即，本實施形態之攪槳70在以第一往返樣態複數次往返移動後，再以第二往返樣態往返移動。

該第二往返樣態下，攪槳70藉由以比在第一方向移動時之行程長的行程在第二方向移動，使攪槳70在從第二方向改變移動方向成第一方向時之梁構件71的位置（起點）、及攪槳70從第一方向改變移動方向成第二方向時之梁構件71的位置（終點）不同。藉此，使在鍍覆處理中之梁構件71的平均滯留時間均勻化。

具體而言，該第二往返樣態之一例為本實施形態之攪槳70進行1次以上在第一方向以「A－W（mm）」之行程移動，接著，在第二方向以「A（mm）」之行程移動。

亦即，在第二往返樣態下，攪槳70在第一方向移動「A－W（mm）」後，在第二方向移動「A（mm）」。亦即，在第二往返樣態下，攪槳70在第一方向移動之距離比攪槳70向第二方向移動之距離縮短「W（mm）」程度。結果，在第二往返樣態下，攪槳70開始往返移動之位置每往返1次在第二方向偏差「W（mm）」程度。

但是，步驟S33並非限定於上述構成者，例如在步驟S33中，亦可在第一方向之行程係比「A（mm）」短，且比「A－W（mm）」大之值。

使攪槳70以第二往返樣態而往返移動結束的時期並非特別限定者，不過本實施形態之控制模組800的一例為攪槳70開始以第二往返樣態而往返移動起，攪槳70之往返移動次數為「n（次）（此與步驟S32之n相同值）」時，使攪槳70以第二往返樣態之往返移動結束。

攪槳70以第二往返樣態之往返移動結束時，控制模組800亦可從步驟S31起再度執行圖7之流程圖（亦即，亦可反覆執行圖7之流程圖）。此外，控制模組800亦可在圖7之流程圖的任意時期，接受到使攪槳70之驅動強制性停止的要旨之停止驅動要求情況下，亦可使圖7之流程圖的執行強制性結束，而使攪槳70之驅動停止。

採用如以上說明之本實施形態時，由於攪槳70之往返移動的樣態包含有第一往返樣態，因此，攪槳70從第一方向改變移動方向成第二方向時、及從第二方向改變移動方向成第一方向時（亦即，攪槳70之往返移動時的速度變成零時），可使攪槳70之梁構件71不致位於相同部位。藉此，可縮小攪槳70之梁構件71引起遮蔽電場的影響。結果，可使基板Wf之鍍覆品質提高。具體而言，例如可使形成於基板Wf之鍍覆皮膜之膜厚的均勻性提高。

再者，採用本實施形態時，由於攪槳70之往返移動的樣態進一步包含第二往返樣態，因此可更加縮小攪槳70之梁構件71引起遮蔽電場的影響。結果，可使基板Wf之鍍覆品質更提高。

另外，本實施形態之構成並非限定於上述構成者，例如在第二往返樣態下，亦可攪槳70往返移動時之行程一定。具體而言，此時，在第二往返樣態下，攪槳70亦可以A（mm）之行程在第一方向及第二方向移動。即使此時，若攪槳70之往返移動包含上述的第一往返樣態時，仍可縮小攪槳70之梁構件71引起遮蔽電場的影響。

此外，第一往返樣態下，亦可攪槳70在第二方向移動時之行程比在第一方向移動時的行程長。例如，此時，在第一往返樣態下，攪槳70亦可在第一方向以「A－W（mm）」之行程移動，接著，在第二方向以「A（mm）」之行程移動。而後，此時，在第二往返樣態下，攪槳70在第二方向移動時之行程宜比在第一方向移動時的行程短。例如，此時，在第二往返樣態下，攪槳70只須在第一方向以「A（mm）」之行程移動，接著，在第二方向以「A－W（mm）」之行程移動即可。 （變化例1）

圖8（A）及圖8（B）係用於說明實施形態之變化例1的鍍覆裝置1000之示意圖。具體而言，圖8（A）及圖8（B）係示意性放大顯示本變化例之鍍覆裝置1000的離子阻力體12之周邊構成的剖面圖。另外，在圖8（A）及圖8（B）中，攪槳70例示有其1個梁構件71。

本變化例與前述實施形態不同之處為在第一往返樣態及第二往返樣態下的至少1個樣態下，攪槳70在第一方向複數次移動時，或攪槳70在第二方向複數次移動時，攪槳70係以不同之速度移動。

該具體例為本變化例在第一往返樣態及第二往返樣態「兩者」下，攪槳70在第一方向複數次移動時，或攪槳70在第二方向複數次移動時，攪槳70係以不同速度移動。

該一例為圖8（A）及圖8（B）例示攪槳70在「第一方向」複數次移動時，攪槳70以不同速度移動的情形。具體而言，如圖8（A）所例示，本變化例之第一往返樣態及第二往返樣態包含：攪槳70在第一方向以「第一速度V1（mm／sec，或rpm）移動；與如圖8（B）所例示，攪槳70在第一方向以比第一速度V1快的「第二速度V2（mm／sec，或rpm）移動。

具體而言，本變化例之接受了控制模組800之指示的驅動裝置77在第一往返樣態及第二往返樣態下，使攪槳70複數次在第一方向移動時，向該第一方向複數次移動中，一部分次數係使攪槳70以第一速度V1移動，其餘次數係使攪槳70以第二速度V2移動。

另外，上述情況下，驅動裝置77使攪槳70在第二方向移動時，只須使攪槳70例如以從第一速度V1及第二速度V2中選擇之1個速度（亦即，一定速度）移動即可。

或是，本變化例亦可構成攪槳70在「第二方向」以不同速度複數次移動。具體而言，此時，在第一往返樣態及第二往返樣態下之至少1個樣態下，包含：攪槳70在第二方向以第一速度V1移動；與攪槳70在第二方向以第二速度V2移動。

採用本變化例時，藉由攪槳70在第一方向以不同速度複數次移動，或是藉由在第二方向以不同速度複數次移動，可有效除去附著於離子阻力體12之孔12a的氣泡Bu。藉此，可抑制因附著於離子阻力體12之孔12a的氣泡Bu導致晶圓W之鍍覆品質惡化（亦即，可使基板Wf之鍍覆品質提高）。

具體而言，採用本變化例時，如圖8（A）所例示，當攪槳70以相對低速移動情況下，將附著於離子阻力體12之孔12a的相對大尺寸之氣泡Bu抽到上方，可從孔12a有效除去。

另一方面，如圖8（B）所例示，攪槳70以相對高速移動情況下，抽上附著於離子阻力體12之孔12a的相對小尺寸之氣泡Bu（亦即，攪槳70以低速移動時未被抽上之尺寸的氣泡Bu），可從孔12a有效除去。

具體而言，此時，藉由攪槳70以第二速度V2移動，可在攪槳70之梁構件71與離子阻力體12的上面之間有效形成鍍覆液Ps之渦流Sw。藉由該渦流Sw，即使附著於孔12a之氣泡Bu的尺寸小時，仍可有效抽上該氣泡Bu並從離子阻力體12除去。如此，採用本變化例時，可有效除去附著於離子阻力體12之孔12a的不同尺寸之氣泡Bu。

另外，第一速度V1之具體數值並非特別限定者，例如可使用可從離子阻力體12之孔12a除去尺寸（最大外形尺寸）超過基準值的氣泡Bu之速度。該第一速度V1例如藉由實驗等求出適當值即可。此外，第二速度V2之具體數值只要是比第一速度V1快的速度即可，並非特別限定者，例如可使用可從孔12a除去尺寸未達基準值之氣泡Bu的速度。該第二速度V2亦為例如藉由實驗等求出適當值即可。

另外，舉出第一速度V1與第二速度V2之恰當比率的一例時，第二速度V2可使用約為第一速度V1之1.5倍以上的速度。 （變化例2）

圖9（A）及圖9（B）係用於說明實施形態之變化例2的鍍覆裝置1000之示意圖。具體而言，圖9（A）及圖9（B）係示意性放大顯示本變化例之鍍覆裝置1000的離子阻力體12之周邊構成的剖面圖。另外，在圖9（A）及圖9（B）中，攪槳70例示有其1個梁構件71。

本變化例與前述之實施形態及變化例1不同之處為在第一往返樣態及第二往返樣態下之至少1個樣態下，攪槳70在第一方向以「第一速度V1」移動後（參照圖9（A）），在第二方向以與第一速度不同之「第二速度V2」移動（參照圖9（B））。

亦即，本變化例之接受了控制模組800之指示的驅動裝置77在第一往返樣態及第二往返樣態中之至少1個樣態下，重複複數次使攪槳70在第一方向以第一速度V1移動後，在第二方向以第二速度V2移動。

另外，本變化例中，第二速度V2之一例為比第一速度V1快的速度。但是，並非限定於該構成者，第二速度V2亦可係比第一速度V1慢之速度。

採用本變化例時，在攪槳70往返1次時，攪槳70可以第一速度V1及第二速度V2移動。藉此，可有效除去附著於離子阻力體12之孔12a的氣泡Bu。結果，可使基板Wf之鍍覆品質提高。

具體而言，當攪槳70往返1次時，攪槳70以相對低速移動時（圖9（A）），可將附著於離子阻力體12之孔12a的相對大尺寸之氣泡Bu抽到上方，並從孔12a有效除去。另外，攪槳70以相對高速移動時（圖9（B）），可將附著於離子阻力體12之孔12a的相對小尺寸之氣泡Bu抽到上方，並從孔12a有效除去。 （其他變化例）

另外，上述變化例1及變化例2中，攪槳70往返移動時之行程亦可一定。亦即，此時，攪槳70於往返移動時亦可分別在第一方向及第二方向各以A（mm）移動。採用該構成時，雖然難以達到前述實施形態中特有的作用效果，不過可達到變化例1及變化例2中特有之作用效果（除去附著於離子阻力體12之孔12a的氣泡Bu，而使基板Wf之鍍覆品質提高的作用效果）。

以上，詳述了本發明之實施形態及變化例，不過本發明並非限定於該特定之實施形態及變化例者，在本發明之要旨的範圍內當然可進行各種變化及變更。

10:鍍覆槽 10a:底壁 10b:外周壁 11:陽極 12:離子阻力體 12a:孔 13a:第一供給口 13b:第二供給口 14a:第一排出口 14b:第二排出口 16:膜 17a:陽極室 17b:陰極室 20:溢流槽 30:基板固持器 31:環 40:旋轉機構 45:傾斜機構 50:升降機構 51:支軸 70:攪槳 71:梁構件 72a:第一連結構件 72b:第二連結構件 77:驅動裝置 77a:直線馬達 400:鍍覆模組 800:控制模組 801:處理器 802:記憶裝置 1000:鍍覆裝置 Bu:氣泡 D1:基板寬度 d:排列間距 MA:移動區域 PA:孔形成區域 Ps:鍍覆液 Sw:渦流 V1:第一速度 V2:第二速度 W:寬度 Wf:基板 Wfa:被鍍覆面

圖1係顯示實施形態之鍍覆裝置的整體構成之立體圖。 圖2係顯示實施形態之鍍覆裝置的整體構成之俯視圖。 圖3係顯示實施形態之鍍覆裝置中的鍍覆模組之構成的示意圖。 圖4係顯示實施形態之將基板浸漬於鍍覆液的狀態之示意圖。 圖5係實施形態之攪槳的示意俯視圖。 圖6係用於說明實施形態之從供給鍍覆液至開始鍍覆處理的一連串動作之流程圖。 圖7係用於說明實施形態之攪槳的詳細動作之流程圖的一例。 圖8（A）及圖8（B）係用於說明實施形態之變化例1的鍍覆裝置之示意圖。 圖9（A）及圖9（B）係用於說明實施形態之變化例2的鍍覆裝置之示意圖。

70:攪槳 71:梁構件 72a:第一連結構件 72b:第二連結構件 77:驅動裝置 77a:直線馬達 d:排列間距 W:寬度

Claims (9)

1. 一種鍍覆裝置，係具備：鍍覆槽，其係貯存鍍覆液，並且在前述鍍覆液之內部配置有陽極，並在前述鍍覆液之內部以與前述陽極相對之方式配置有基板；及攪槳，其係以配置於前述陽極與前述基板之間，並藉由在與前述基板平行之方向，於第一方向及與前述第一方向相反之第二方向往返移動來攪拌前述鍍覆液的方式而構成；前述攪槳具有複數個梁構件，其係在與前述攪槳之往返移動方向垂直的方向延伸，前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動包含前述攪槳以第一往返樣態而往返移動，在前述第一往返樣態下，前述攪槳藉由以與在前述第一方向移動時之行程相比有預先設定的規定值不同的行程在前述第二方向移動，而使前述攪槳從前述第二方向改變移動方向成前述第一方向時之前述複數個梁構件的位置；及從前述第一方向改變移動方向成前述第二方向時之前述複數個梁構件的位置不同。
2. 如請求項1之鍍覆裝置，其中前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動，包含前述攪槳以前述第一往返樣態複數次往返移動後，以第二往返樣態而往返移動，在前述第一往返樣態下，在前述第二方向移動時之前述攪槳的行程比在前述第一方向移動時之前述攪槳的行程短前述規定值， 在前述第二往返樣態下，前述攪槳藉由以比在前述第一方向移動時之行程長前述規定值的行程而在前述第二方向移動，而使前述攪槳從前述第二方向改變移動方向成前述第一方向時之前述複數個梁構件的位置；及從前述第一方向改變移動方向成前述第二方向時之前述複數個梁構件的位置不同。
3. 如請求項1之鍍覆裝置，其中前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動，包含前述攪槳以前述第一往返樣態複數次往返移動後，以第二往返樣態而往返移動，在前述第一往返樣態下，在前述第二方向移動時之前述攪槳的行程比在前述第一方向移動時之前述攪槳的行程長前述規定值，在前述第二往返樣態下，前述攪槳藉由以比在前述第一方向移動時之行程短前述規定值的行程而在前述第二方向移動，而使前述攪槳從前述第二方向改變移動方向成前述第一方向時之前述複數個梁構件的位置；及從前述第一方向改變移動方向成前述第二方向時之前述複數個梁構件的位置不同。
4. 如請求項1之鍍覆裝置，其中將前述基板配置於比前述陽極上方，並在前述鍍覆液之內部，於比前述陽極上方，且比前述攪槳下方配置有具有複數個孔之離子阻力體。
5. 如請求項4之鍍覆裝置，其中前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動包含：前述攪槳在前述第一方向以不同速度複數次移動；或是前述攪槳在前述第二方向以不同速度複數次移動。
6. 如請求項4之鍍覆裝置，其中前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動，包含前述攪槳在前述第一方向以第一速度移動後，在前述第二方向以與前述第一速度不同之第二速度移動。
7. 一種鍍覆裝置，係具備：鍍覆槽，其係貯存鍍覆液，並且在前述鍍覆液之內部配置有陽極，並在前述鍍覆液之內部以與前述陽極相對之方式配置有基板；及攪槳，其係以配置於前述陽極與前述基板之間，並藉由在與前述基板平行之方向，於第一方向及與前述第一方向相反之第二方向往返移動來攪拌前述鍍覆液的方式而構成；前述基板配置於比前述陽極上方，在前述鍍覆液之內部，並在比前述陽極上方，且比前述攪槳下方配置具有複數個孔之離子阻力體，前述攪槳在前述第一方向及前述第二方向往返移動，包含前述攪槳在前述第一方向以第一速度移動後，在前述第二方向以比前述第一速度更快之第二速度移動，藉由前述攪槳以前述第一速度移動，從而將附著於前述離子阻力體之前述孔的預定尺寸之氣泡抽取而從前述孔除去，藉由前述攪槳以前述第二速度移動，從而將附著於前述離子阻力體之前述孔的比前述預定尺寸更小的尺寸的氣泡抽取而從前述孔除去。
8. 如請求項2之鍍覆裝置，其中在前述第二往返樣態下，前述攪槳進行往返移動與在前述第一往返樣態的前述攪槳之往返移動之次數相同的次數後，使基於前述第二往返樣態之前述攪槳之往返移動結束。
9. 如請求項3之鍍覆裝置，其中在前述第二往返樣態下，前述攪槳進行往返移動與前述第一往返樣態的前述攪槳之往返移動之次數相同的次數後，使基於前述第二往返樣態之前述攪槳之往返移動結束。