TWI869611B - 用於缺陷偵測之系統及方法、及非暫時性電腦可讀儲存媒體 - Google Patents
用於缺陷偵測之系統及方法、及非暫時性電腦可讀儲存媒體 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI869611B TWI869611B TW110126352A TW110126352A TWI869611B TW I869611 B TWI869611 B TW I869611B TW 110126352 A TW110126352 A TW 110126352A TW 110126352 A TW110126352 A TW 110126352A TW I869611 B TWI869611 B TW I869611B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pixels
- image
- image contrast
- processor
- confidence level
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/0006—Industrial image inspection using a design-rule based approach
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- H10P74/203—
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/20—Special algorithmic details
- G06T2207/20112—Image segmentation details
- G06T2207/20152—Watershed segmentation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30168—Image quality inspection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30204—Marker
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Immunology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Medicines Containing Antibodies Or Antigens For Use As Internal Diagnostic Agents (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
Abstract
在一影像對比度量中使用全域及局部對準能量。該影像對比度量可用於尋找光學目標。可使用來自一梯度量值影像之一些像素及來自一光學影像之一背景內容範圍影像以判定該影像對比度量。來自跨一晶圓之部分之該等影像對比度量之一熱圖(heatmap)可接著用於製作一目標清單。可應用上及下可信度值以對可用目標進行排名。
Description
本發明係關於半導體晶圓之缺陷偵測。
半導體製造行業之演進正對良率管理且特定言之對計量及檢測系統提出更高要求。關鍵尺寸繼續縮小,但該行業需減少達成高良率、高價值生產之時間。最小化自偵測到一良率問題至解決該問題之總時間判定半導體製造商之投資回報率。
製造半導體裝置(諸如邏輯及記憶體裝置)通常包含使用大量製造程序處理一半導體晶圓以形成該等半導體裝置之不同特徵及多個層級。例如,微影係一半導體製造程序,其涉及將一圖案自一倍縮光罩轉印至配置在一半導體晶圓上之一光阻劑。半導體製造程序之額外實例包含(但不限於)化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積及離子植入。可將在一單個半導體晶圓上製造之多個半導體裝置之配置分離成個別半導體裝置。
在半導體製造期間之各個步驟使用檢測程序以偵測晶圓上之缺陷以在製造程序中促進更高良率且因此促進更高利潤。檢測始終係製造諸如積體電路之半導體裝置之重要部分。然而,隨著半導體裝置之尺寸減小,檢測對於可接受半導體裝置之成功製造變得甚至更加重要,此係因
為較小缺陷可引起裝置故障。例如,隨著半導體裝置之尺寸減小,偵測減小尺寸之缺陷已變得必要,此係因為甚至相對較小缺陷可在半導體裝置中引起非所要的像差。
然而,隨著設計規則縮小,半導體製造程序可更接近於對程序之效能能力之限制操作。另外,隨著設計規則縮小,較小缺陷可對裝置之電參數具有一影響,此驅動更靈敏檢測。隨著設計規則縮小,藉由檢測偵測之潛在良率相關缺陷之群體大幅增長,且藉由檢測偵測之擾亂點缺陷之群體亦大幅增加。因此,可在晶圓上偵測更多缺陷,且校正程序以剔除全部缺陷可係困難且昂貴的。判定哪些缺陷實際上對裝置之電參數及良率具有一影響可容許程序控制方法聚焦於該等缺陷而大體上忽略其他缺陷。此外,在較小設計規則下,在一些情況中,程序引發之故障趨於係系統性的。亦即,程序引發之故障趨於在通常在設計內重複許多次之預定設計型樣下故障。空間系統性、電相關缺陷之剔除可對良率具有一影響。
需要用於檢測之經改良系統及方法。
在一第一實施例中提供一種系統。該系統包含:一光源,其產生一光束;一載物台,其經組態以將一晶圓固持於該光束之一路徑中;一偵測器,其經組態以接收自該晶圓反射之該光束;及一處理器,其與該偵測器電子通信。該處理器經組態以:使用來自該偵測器之資料產生一光學影像;自該光學影像判定一梯度量值影像;自該光學影像判定一背景內容範圍影像;自該梯度量值影像選擇一第一組像素且自該背景內容範圍影像選擇一第二組像素;且使用該第一組像素及該第二組像素及係є[0.1.0]之一值α判定一影像對比度量。該第一組像素及該第二組像素少於
100%。
可藉由將α與該第一組像素之一影像對比度之一乘積及(1-α)與該第二組像素之一影像對比度之一乘積相加而判定該影像對比度量。
該第一組像素可係該梯度量值影像中之像素之10%。該第二組像素可係該背景內容範圍影像中之像素之20%。
該處理器可進一步經組態以在跨該半導體晶圓之複數個位置處判定該影像對比度量。一滑動窗口可用於在一單一圖框中之該複數個位置處產生該影像對比度量。該處理器可進一步經組態以:自該複數個位置處之該等影像對比度量判定一熱圖;將一上可信度位準及一下可信度位準應用至該熱圖;為一目標清單選擇高於該上可信度位準之該等影像對比度量;及視情況選擇介於該上可信度位準與該下可信度位準之間之該等影像對比度量之一或多者以填充該目標清單上之任何剩餘槽。
在一第二實施例中提供一種方法。該方法包含:使用一處理器自來自一光學檢測系統之資料產生一半導體晶圓之一光學影像。該光學檢測系統包含一光源及一偵測器。使用該處理器自該光學影像判定一梯度量值影像。使用該處理器自該光學影像判定一背景內容範圍影像。使用該處理器自該梯度量值影像選擇一第一組像素且自該背景內容範圍影像選擇一第二組像素。該第一組像素及該第二組像素少於100%。使用該處理器運用該第一組像素及該第二組像素及係є[0.1.0]之一值α判定一影像對比度量。
可藉由將α與該第一組像素之一影像對比度之一乘積及(1-α)與該第二組像素之一影像對比度之一乘積相加而判定該影像對比度量。
該第一組像素可係該梯度量值影像中之像素之10%。該第
二組像素可係該背景內容範圍影像中之像素之20%。
判定該影像對比度量可發生在跨該半導體晶圓之複數個位置處。一滑動窗口可用於在一單一圖框中之該複數個位置處產生該影像對比度量。該方法可進一步包含:使用該處理器自該複數個位置處之該等影像對比度量判定一熱圖;使用該處理器將一上可信度位準及一下可信度位準應用至該熱圖;使用該處理器為一目標清單選擇高於該上可信度位準之該等影像對比度量;及使用該處理器視情況選擇介於該上可信度位準與該下可信度位準之間之該等影像對比度量之一或多者以填充該目標清單上之任何剩餘槽。
在一第三實施例中提供一種非暫時性電腦可讀儲存媒體。該非暫時性電腦可讀儲存媒體包含用於在一或多個運算裝置上執行步驟之一或多個程式。該等步驟包含:自一半導體晶圓之一光學影像判定一梯度量值影像;自該光學影像判定一背景內容範圍影像;自該梯度量值影像選擇一第一組像素且自該背景內容範圍影像選擇一第二組像素;及使用該第一組像素及該第二組像素及係є[0.1.0]之一值α判定一影像對比度量。該第一組像素及該第二組像素少於100%。例如,該第一組像素及該第二組像素少於該等像素之100%。
可藉由將α與該第一組像素之一影像對比度之一乘積及(1-α)與該第二組像素之一影像對比度之一乘積相加而判定該影像對比度量。
該第一組像素可係該梯度量值影像中之像素之10%。該第二組像素可係該背景內容範圍影像中之像素之20%。
判定該影像對比度量可發生在跨該半導體晶圓之複數個位置處。一滑動窗口可用於在一單一圖框中之該複數個位置處產生該影像對
比度量。該等步驟可進一步包含:自該複數個位置處之該等影像對比度量判定一熱圖;將一上可信度位準及一下可信度位準應用至該熱圖;為一目標清單選擇高於該上可信度位準之該等影像對比度量;及視情況選擇介於該上可信度位準與該下可信度位準之間之該等影像對比度量之一或多者以填充該目標清單上之任何剩餘槽。
100:方法
101:步驟
102:步驟
103:步驟
104:步驟
105:步驟
106:步驟
150:方法
151:步驟
152:步驟
200:系統
201:基於光學之子系統
202:樣品
203:光源
204:光學元件
205:透鏡
206:載物台
207:集光器
208:元件
209:偵測器
210:集光器
211:元件
212:偵測器
213:光束分離器
214:處理器
215:電子資料儲存單元
為了更全面理解本發明之性質及目標,應參考結合隨附圖式進行之以下詳細描述,其中:圖1係實施例之一第一態樣之一流程圖;圖2係實施例之一第二態樣之一流程圖;及圖3係根據本發明之一系統之一圖式。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2020年8月12日申請且被指定為美國申請案第63/064,531號之臨時專利申請案之優先權,該案之揭示內容藉此以引用的方式併入。
儘管將依據特定實施例描述所主張之標的物,然其他實施例(包含未提供本文中闡述之所有益處及特徵之實施例)亦在本發明之範疇內。可在不偏離本發明之範疇之情況下進行各種結構、邏輯、程序步驟、及電子變化。因此,本發明之範疇僅參考隨附發明申請專利範圍而界定。
本文中揭示之實施例可自光學影像品質之視角特性化與光學影像及設計之對準之品質。對準品質可影響多個設計導引缺陷偵測演算法之所關注缺陷(DOI)靈敏度。本文中揭示之實施例使用可指示光學影像
是否可對準至設計之一影像對比度量。度量可用於相對於對準效能限定光學器件模式及/或選擇最佳基於影像之對準位點以增強光學至設計對準效能之整體可信度。影像對比度量可用於判定一對準位點是否係良好或不良。
圖1係一方法100之一流程圖。方法100中之步驟之一些或全部可使用一處理器。所得影像對比度量考量光學影像之全域及局部對準能量。全域對準能量由影像之背景內容動態範圍表示。局部對準能量由藉由背景內容動態範圍正規化之影像之梯度量值表示。影像對比度量組合能量與權重係數兩者用於靈活對準。由於度量被一致地限制至[0,1.0]之範圍,故其可用於特性化跨晶圓及光學器件模式對準光學影像之能力。使用[0,1.0]標度可保持結果正規化。
在101產生一光學影像。可自來自一光學檢測系統(諸如具有一光源及一偵測器之一光學檢測系統)之資料產生光學影像。
在102自光學影像判定一梯度量值影像。一影像梯度係強度之一方向改變。影像之梯度含有以下分量:x導數(Gx)及y導數(Gy)。將梯度量值M判定為(Gx^2+Gy^2)之平方根。
在104自光學影像判定一背景內容範圍影像。給定一預定義背景內容窗口,針對影像中之各像素,範圍值可由在背景內容窗口內發現之局部最小與最大強度之間之絕對差判定。
在103自梯度量值影像選擇一第一組像素。在判定梯度量值影像之後,可以一降序對全部量值像素值排序。可選取量值像素之頂部(或前)N百分比以計算對應度量。第一組像素少於梯度量值影像中之像素之100%。在一例項中,第一組像素係梯度量值影像中之像素之10%,但
可使用其他值。在對準應用中,高頻率信號貢獻多於低頻率信號。使用像素之10%基於對各種晶圓之測試提供經改良結果。
在105自背景內容範圍影像選擇一第二組像素。類似於量值像素選擇對第二組像素進行選擇。第二組像素少於背景內容範圍影像中之像素之100%。在一例項中,第二組像素係背景內容範圍影像中之像素之20%,但可使用其他值。背景內容範圍影像可為光學影像提供正規化項。正規化可需要穩定且不受雜訊影響。因此,採取一頂部範圍像素值之N百分比之平均值可移除有雜訊高頻率信號且穩定化正規化項計算。
在106使用第一組像素、第二組像素及係є[0.1.0]之一值α判定一影像對比度量。例如,可使用公式IC=α(IC gradient )+(1-α)(IC range )判定影像對比度量。在公式中,IC係影像對比度量,ICgradient係第一組像素之影像對比度,且ICrange係第二組像素之影像對比度。影像對比度量對影像之動態範圍不敏感且組合背景內容動態範圍及梯度量值之能量兩者。
可使用一公式來判定
影像對比度。K係在一頂部10%最大∥∥中之像素索引組,G係最大R之
頂部20%中之一組像素索引,且α係є[0.1.0]。表示梯度分量。
表示動態範圍分量。I`k係可在兩個維度上之影像梯度向量。R係
背景內容範圍影像。
可對藉由背景內容範圍(藉由max(R)發現)正規化之影像I'計算影像對比度。可使用5x5窗口、7x7窗口、9x9窗口或其他大小之窗口計算背景內容動態範圍。
對準效能可受影像清晰度(x/y能量改變)影響。兩個梯度量
值(最精細,局部)及背景內容範圍(粗略,全域)可表示用於對準之影像清晰度品質。可需要影像正規化以跨晶圓或光學器件比較影像。然而,藉由一大範圍之正規化可降低梯度量值之能量。範圍能量可用於補償梯度量值能量。
可在跨一半導體晶圓之多個位置判定影像對比度量。光學影像中之各像素可具有一對應影像對比度(IC)值。理論上,需要全部像素遍歷以計算IC。為了促進IC計算,預定義一固定目標窗口大小及移動步長以對光學像素進行取樣。例如,若針對x及y方向兩者,窗口步長係1像素,則其等效於對光學影像中之全部像素進行取樣。
所得影像對比度量可用於量化影像之模糊度。影像對比度量可提供影像品質與對準效能之間之一正確相關性。其使用可改良顯著對準位點選擇且增加DOI靈敏度。
一全域影像對比度臨限值可用於自對準視角跨晶圓且跨光學器件限定光學影像。其可實現各種基於對準之特性化。例如,具有最佳影像對比度量之對準位點改良光學至設計對準,此可改良像素至設計對準(PDA)。PDA準確度對於某些類型之檢測(諸如其中在檢測期間使用設計資訊以執行一或多個功能之檢測)可係重要的。PDA係可改良由一檢測工具(諸如一掃描電子顯微鏡(SEM))報告之缺陷位置準確度之一基於設計之對準方法。PDA目標選擇可係基於影像顯著特徵。
影像對比度量可用於量化光學至設計對準效能。因此,影像對比度量係在圖2中展示之方法150中使用之一度量之一實例。方法150中之步驟之一些或全部可使用一處理器。
方法150之實施例可自動尋找最佳目標以改良用於缺陷偵
測之與光學影像及設計之對準之品質。例如,一半導體製造商可需要知道最佳目標(例如,五個目標)在一1000x1000像素影像上之何處。最佳目標候選者之一鏈結清單可用於光學至設計對準,且一自動化最佳目標檢索演算法可輔助尋找最佳目標候選者。一顯著目標檢索演算法可組合影像顯著性與基於標記之分水嶺分段方法。光學目標檢索演算法將多可信度位準策略整合至基於標記之分水嶺演算法中且可跨晶圓晶粒一致地達成最佳光學目標選擇以改良PDA效能。使用具有一多可信度位準策略之基於標記之分水嶺分段方法可以具有幾何分集之一均勻分佈自動選擇最佳光學目標以防止選定目標落在附近鄰域中。測試已展示,方法150以較佳光學-設計對準率勝過當前基於區域之目標檢索。
在151提供一影像之一完整圖框。一圖框可通常係1536x768像素或1024x1024像素,但可使用其他圖框大小。使用一滑動窗口技術以在一單一圖框中之多個位置處產生一影像對比度量。滑動窗口操作係一取樣方法。在給定一定界框(即,窗口或子影像)(其通常小於圖框大小)之情況下計算IC值。為了覆蓋整個圖框,判定窗口大小及移動步長(例如,多少像素在2D方向上前進),且移動相同大小之窗口以獲得IC值在整個圖框上之分佈。部分(或目標窗口)大小可由一使用者定義。典型部分大小係192x192像素。窗口大小對圖框之比率可在[0.05,0.2]之範圍中。
一般言之,一光學影像係具有數百萬個像素之一圖框。可應用具有數千個像素(諸如192x192像素或其他大小)之一滑動窗口以產生具有一可調整步長(例如,1/8或1/4窗口大小)之顯著性度量熱圖。顯著性度量熱圖可係藉由滑動窗口運算之IC值影像。其可被視為經降低取樣特徵影像(例如,特徵係IC)。其含有可用於為影像對準應用尋找最佳(即,最
顯著)位置之IC值及其等位置資訊。
存在針對顯著性度量(SM)之許多選項,諸如影像梯度、強度操作、影像對比度量等。例如,來自方法100之影像對比度量係一顯著性度量之一實例。影像對比度量可僅使用滑動窗口影像內之像素執行。顯著性度量可考量梯度量值(最精細,局部)及背景內容範圍(粗略,全域)兩者,因此其可表示用於對準之影像清晰度品質。
在152自影像對比度量判定一熱圖。可藉由判定個別滑動窗口之一IC度量而產生熱圖。熱圖可係一顯著性度量熱圖。顯著性度量熱圖可自一單一圖框產生。熱圖可係繪示量值(例如,使用值或色彩)之一資料視覺化技術。
將一上可信度位準(「硬臨限值」)應用至在153及154之熱圖。亦將一下可信度位準(「軟臨限值」)應用至在155及156之熱圖。可對熱圖執行定限以提取具有一高顯著性度量(例如,IC)之位置。為在157之目標清單選擇高於上可信度位準之影像對比度量。視情況,在選擇高於上可信度位準之影像對比度量之後,使用介於上可信度位準與下可信度位準之間之一或多個影像對比度量以填充目標清單上之任何剩餘槽。可排除低於下可信度位準之影像對比度量。
可藉由檢查對應於其等對準效能之大量光學影像而判定一硬臨限值。若一個目標具有低於硬臨限值之IC值,則無論如何其將被摒棄。
軟臨限值可在硬定限操作之後自倖存候選者選擇光學目標組。軟臨限值可係動態的且用於控制最終選定目標之數目。
可信度位準可根據顯著性度量熱圖之動態範圍設定或以其
他方式組態。在具有一硬臨限值及一軟臨限值之一實例中,高於硬臨限值之任何顯著性度量值意謂對應目標具有待選擇之優先級。硬臨限值可在經驗上基於經使用顯著性度量,但軟臨限值可經調適成適於檢索。低於軟臨限值之任何顯著性度量值意謂忽略對應目標。若最佳目標候選者之鏈結清單之長度小於經請求量,則具有介於硬臨限值與軟臨限值之間之顯著性度量值之目標可在一「等待清單」上。因此,若不存在具有高於上可信度位準之一顯著性度量值之足夠目標,則可使用來自等待清單之目標。任何經提取目標可按其等顯著性度量值(例如,以降序)排名。具有光學顯著性度量之最佳目標可改良設計對準細化,此可改良PDA。
基於標記之分水嶺演算法在具有上及下可信度位準之顯著性度量熱圖上運行。標記可藉由距離轉換及可調適定限產生。可自各經分水嶺分段區域根據其等局部最大值提取最佳目標。若可自一相對大經分段區域提取多於一個目標,則可實施兩個相鄰目標之間之最小距離之一策略。使用兩個相鄰目標之間之一最小距離可有助於維持圖框中之目標之一所要分佈。使用緊密接近之兩個目標可影響效能,因此僅可選擇此等接近目標之一者。
在方法150之一實例中,收集對準位點及設計之光學影像。針對真實數據驗證光學及設計之一個別對之對準準確度。自光學影像判定一顯著性度量熱圖。應用基於標記之分段及多可信度位準策略以自顯著性度量熱圖產生最佳目標候選者之鏈結清單。來自鏈結清單之最佳目標用於PDA工作流程中以獲得光學至設計對準偏移。將此等對準偏移與真實數據比較。可針對來自多個晶圓及不同光學器件模式之對準位點重複比較。
在圖3中展示一系統200之一項實施例。該系統200包含基於光學之子系統201。一般而言,該基於光學之子系統201經組態用於藉由將光引導至(或使光掃描遍及)一樣品202及偵測來自樣品202之光來針對樣品202產生基於光學之輸出。在一項實施例中,樣品202包含一晶圓。該晶圓可包含此項技術中已知之任何晶圓。在另一實施例中,樣品202包含倍縮光罩。該倍縮光罩可包含此項技術中已知之任何倍縮光罩。
在圖3中所展示之系統200之實施例中,基於光學之子系統201包含經組態將光引導至樣品202之一照明子系統。該照明子系統包含至少一個光源。例如,如圖3中所展示,該照明子系統包含光源203。在一項實施例中,該照明子系統經組態以按一或多個入射角(其或其等可包含一或多個傾斜角及/或一或多個法線角)將光引導至樣品202。例如,如圖3中所展示,以一傾斜入射角引導來自光源203之光穿過光學元件204且接著穿過透鏡205而至樣品202。該傾斜入射角可包含任何合適之傾斜入射角,其可取決於例如樣品202之特性而改變。
基於光學之子系統201可經組態以在不同時間按不同入射角將光引導至樣品202。例如,基於光學之子系統201可經組態以更改該照明子系統之一或多個元件之一或多個特性,使得光可按與圖3中所展示之入射角不同之一入射角被引導至樣品202。在一個此實例中,該基於光學之子系統201可經組態以移動光源203、光學元件204及透鏡205,使得光按一不同傾斜入射角或一法線(或一近法線)入射角被引導至樣品202。
在一些例項中,該基於光學之子系統201可經組態以同時按一個以上入射角將光引導至樣品202。例如,該照明子系統可包含一個以上照明通道,該等照明通道之一者可包含如圖3中所展示之光源203、
光學元件204及透鏡201且該等照明通道之另一者(未顯示)可包含可不同地或相同地組態之類似元件,或可包含至少一光源及可能諸如本文中進一步描述之一或多個其他組件。若此光與另一光同時被引導至樣品,則按不同入射角被引導至樣品202之光之一或多個特性(例如,波長、偏光等)可不同,使由按不同入射角照明樣品202產生之光可在(若干)偵測器處彼此區分。
在另一例項中,該照明子系統可包含僅一個光源(例如,圖3中所展示之光源203)且來自光源之光可藉由該照明子系統之一或多個光學元件(未展示)而分離至不同光學路徑中(例如,基於波長、偏光等)。不同光學路徑之各者中之光接著可被引導至樣品202。多個照明通道可經組態以在相同時間或不同時間將光引導至樣品202(例如,當使用不同照明通道以循序照明樣品時)。在另一例項中,相同照明通道可經組態以在不同時間使用不同特性將光引導至樣品202。例如,在一些例項中,光學元件204可經組態為光譜濾波器且該光譜濾波器之性質可以多種不同方式(例如,藉由置換出該光譜濾波器)改變,使得不同波長之光可在不同時間被引導至樣品202。該照明子系統可具有此項技術中已知之用於將具有不同或相同特性之光按不同或相同入射角循序或同時引導至樣品202之任何其他合適組態。
在一項實施例中,光源203可包含一寬頻電漿(BBP)源。以此方式,由光源203產生且被引導至樣品202之光可包含寬頻光。然而,光源可包含任何其他合適光源,諸如雷射。雷射可包含此項技術中已知之任何合適雷射且可經組態以產生任何合適波長或此項技術中已知之波長之光。此外,雷射經組態以產生單色或近單色之光。以此方式,雷射可為一
窄頻雷射。光源203亦可包含一多色光源,該多色光源產生多個離散波長或波段之光。
來自光學元件204之光可藉由透鏡205聚焦至樣品202上。儘管透鏡205在圖3中被展示為一單一折射光學元件,但應暸解,實務上,透鏡205可包含數個折射及/或反射光學元件,其等組合地將來自該光學元件之光聚焦至該樣品。圖3中所展示及本文中描述之照明子系統可包含任何其他合適之光學元件(未展示)。此等光學元件之實例包含(但不限於)(若干)偏光組件、(若干)光譜濾波器、(若干)空間濾波器、(若干)反射光學元件、(若干)變跡器、(若干)光束分離器(諸如光束分離器213)、(若干)孔隙及類似物,其等可包含此項技術中已知之任何此等合適光學元件。此外,該基於光學之子系統201可經組態以基於照明之類型而更該該照明子系統之一或多個元件以用於產生基於光學之輸出。
基於光學之子系統201亦可包含一掃描子系統,該掃描子系統經組態以使光掃描遍及樣品202。例如,基於光學之子系統201可包含載物台206,在基於光學之輸出產生期間樣品202被安置在該載物台206上。該掃描子系統可包含任何合適機械及/或機器人總成(其包含載物台206),該總成可經組態以移動樣品202,使得光可掃描遍及樣品202。此外或替代地,基於光學之子系統201可經組態使得該基於光學之子系統201之一或多個光學元件執行光遍及樣品202之某一掃描。光可以任何合適方式(諸如以蛇形路徑或以螺旋形路徑)掃描遍及樣品202。
基於光學之子系統201進一步包含一或多個偵測通道。該一或多個偵測通道之至少一者包含一偵測器,該偵測器經組態以偵測歸因於由子系統照明樣品202而來自該樣品202之光且回應於經偵測光而產生
輸出。例如,圖3中所展示之基於光學之子系統201包含兩個偵測通道,一個偵測通道藉由集光器207、元件208及偵測器209形成,且另一偵測通道藉由集光器210、元件211及偵測器212形成。如圖3中所展示,該兩個偵測通道經組態以按不同集光角度收集且偵測光。在一些例項中,兩個偵測通道經組態以偵測經散射光,且該等偵測通道經組態以偵測依不同角度自樣品202散射之光。然而,一或多個偵測通道經組態以偵測來自樣品202之另一類型之光(例如,經反射光)。
如圖3中進一步展示,兩個偵測通道經展示為定位於紙平面中且該照明子系統亦經展示定位於該紙平面中。因此,在此實施例中,兩個偵測通道經定位(例如,居中)於入射平面中。然而,一或多個偵測通道可經定位於入射平面外。例如,藉由集光器210、元件211及偵測器212形成之偵測通道可經組態以收集且偵測自入射平面散射之光。因此,此一偵測通道可被統稱為一「側」通道,且此一側通道可在實質上垂直於入射平面之一平面中居中。
儘管圖3展示包含兩個偵測通道之基於光學之子系統201之一實施例,但基於光學之子系統201可包含不同數目個偵測通道(例如,僅一個偵測通道或兩個或更多個偵測通道)。在一個此例項中,藉由集光器210、元件211及偵測器212形成之偵測通道可形成如上文描述之一個側通道,且基於光學之子系統201可包含形成為定位在入射平面之相對側上之另一側通道之一額外偵測通道(未展示)。因此,基於光學之子系統201可包含偵測通道,該偵測通道包含集光器207、元件208及偵測器209且在入射平面中居中且經組態以按法向於或接近法向於樣品208表面之(若干)散射角收集並偵測光。因此,此偵測通道可被統稱為一「頂部」通道,且基
於光學之子系統201亦可包含如上文描述般組態之兩個或更多個側通道。因而,基於光學之子系統201可包含至少三個通道(即,一個頂部通道及兩個側通道),且該至少三個通道之各者具有其自身的集光器,其各者經組態以按不同於其他集光器之各者之散射角收集光。
如上文進一步描述,包含於基於光學之子系統201中之偵測通道之各者可經組態以偵測散射光。因此,圖3中所展示之基於光學之子系統201可經組態用於針對樣品202之暗場(DF)輸出產生。然而,基於光學之子系統201亦可或替代性地包含經組態用於針對樣品202之明場(BF)輸出產生之(若干)偵測通道。換言之,基於光學之子系統201可包含至少一個偵測通道,該至少一個偵測通道經組態以偵測自樣品202鏡面反射之光。因此,本文中描述之基於光學之子系統201可經組態用於僅DF、僅BF或DF及BF兩者之成像。儘管該等集光器之各者在圖3中被展示為單一折射光學元件,但應暸解,該等集光器之各者可包含一或多個折射光學晶粒及/或一或多個折射光學元件。
該一或多個偵測通道可包含此項技術中已知之任何合適偵測器。例如,該等偵測器可包含光電倍增管(PMT)、電荷耦合裝置(CCD)、延時積分(TDI)攝影機及此項技術中已知之任何其他合適偵測器。該等偵測器亦可包含非成像偵測器或成像偵測器。以此方式,若該等偵測器係非成像偵測器,則該等偵測器之各者可經組態以偵測散射光之特定特性(諸如強度),但可不經組態以偵測依據成像平面內之位置而變化之此等特性。因而,藉由包含在該基於光學之子系統之該等偵測通道之各者中之該等偵測器之各者產生之輸出可為信號或資料,而非影像信號或影像資料。在此等例項中,一處理器(諸如處理器214)可經組態以產生來自偵
測器之非成像輸出之樣品202之影像。然而,在其他例項中,該等偵測器可經組態為成像偵測器,其等經組態以產生影像信號或影像資料。因此,基於光學之子系統可經組態以依數種方式產生本文中描述之光學影像或其他基於光學之輸出。
應注意,本文中提供圖3以大體上繪示一基於光學之子系統201之一組態,其可被包含於本文中描述之系統實施例中或其可產生由本文中描述之系統實施例所使用之基於光學之輸出。本文中描述之基於光學之子系統201組態可經變更以最佳化基於光學之子系統201之效能,如在設計一商業輸出擷取系統時通常所執行般。此外,本文中描述之系統可使用一現有系統來實施(例如,藉由將本文中描述之功能性添加至一現有系統)。對於一些此等系統,本文中描述之方法可經提供作為系統之選用功能性(例如,除該系統之其他功能性之外)。替代性地,本文中描述之系統可被設計為一全新系統。
處理器214可以任何合適方式耦合至系統200之組件(例如,經由一或多個傳輸媒體,其或其等可包含有線及無線傳輸媒體),使得處理器214可接收輸出。處理器214可經組態以使用該輸出執行數個功能。系統200可自處理器214接收指令或其他資訊。處理器214及/或電子資料儲存單元215視情況可與一晶圓檢測工具、一晶圓計量工具或一晶圓檢視工具(未繪示)電子通信以接收額外資訊或發送指令。例如,處理器214及/或電子資料儲存單元215可與一掃描電子顯微鏡電子通信。
本文中描述之處理器214、(若干)其他系統或(若干)其他子系統可為各種系統之部分,包含一個人電腦系統、影像電腦、大型電腦系統、工作站、網路設備、網際網路設備或其他裝置。(若干)子系統或(若
干)系統亦可包含此項技術中已知之任何合適處理器,諸如一平行處理器。此外,(若干)子系統或(若干)系統可包含具有高速處理之一平台及軟件(作為獨立或網路工具)。
處理器214及電子資料儲存單元215可經安置於系統200或另一裝置中或可為系統200或另一裝置之部分。在一實例中,處理器214及電子資料儲存單元215可為一獨立控制單元之部分或可在一集中式品質控制單元中。可使用多個處理器214或電子資料儲存單元215。
處理器214實務上可由硬體、軟體及韌體之任何組合實施。又,如本文中描述之其功能可藉由一個單元執行,或在不同組件當中劃分,其等之各者繼而可藉由硬體、軟體及韌體之任何組合來實施。供處理器214實施多種方法及功能之程式碼或指令可儲存於可讀儲存媒體中,諸如電子資料儲存單元215中之一記憶體或其他記憶體。
若系統200包含一個以上處理器214,則不同子系統可彼此耦合,使得影像、資料、資訊、指令等可在該等子系統之間發送。例如,一個子系統可藉由任何合適傳輸媒體耦合至(若干)額外子系統,該傳輸媒體可包含此項技術中已知之任何合適有線及/或無線傳輸媒體。此等子系統之兩者或更多者亦可藉由一共用電腦可讀儲存媒體(未展示)而有效地耦合。
處理器214可經組態以使用系統200之輸出或其他輸出執行數個功能。例如,處理器214可經組態以將該輸出發送至一電子資料儲存單元215或另一儲存媒體。處理器214可如文中描述般進一步組態。
處理器214可根據本文中描述之任何實施例組態,諸如方法100及/或150。該處理器214亦可經組態以使用該系統200之輸出或使用
來自其他源之影像或資料執行其他功能或額外步驟。
系統200及本文中描述之方法之各種步驟、功能及/或操作藉由以下一或多者實行:電子電路、邏輯閘、多工器、可程式化邏輯裝置、ASIC、類比或數位控制件/開關、微控制器或運算系統。實施諸如本文中描述之方法之程式指令可經由載體媒體傳輸或儲存於載體媒體上。該載體媒體可包含諸如一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光碟、一非揮發性記憶體、一固態記憶體、一磁帶及類似物之一儲存媒體。一載體媒體可包含諸如一電線、電纜或無線傳輸鏈路之一傳輸媒體。例如,可藉由一單一處理器214或替代地多個處理器214實行貫穿本發明描述之各種步驟。此外,系統200之不同子系統可包含一或多個運算或邏輯系統。因此,上述描述不應被解釋為對本發明之限制,而僅係一說明。
在一例項中,處理器214與系統200通信。處理器214經組態以使用來自偵測器(例如,偵測器209或偵測器212)之資料產生一光學影像。自光學影像判定一梯度量值影像及一背景內容範圍影像。自梯度量值影像選擇一第一組像素且自背景內容範圍影像選擇一第二組像素。第一組像素及第二組像素少於100%。接著使用第一組像素及第二組像素及係є[0.1.0](介於0與1.0之間)之一值α判定一影像對比度量。例如,可藉由將α與第一組像素之一乘積及(1-α)與第二組像素之一乘積相加而判定影像對比度量。可在跨半導體晶圓之複數個位置處判定影像對比度量。
處理器214可使用一滑動窗口,該滑動窗口用於在一單一圖框中之複數個位置處產生影像對比度量。處理器214亦可經組態以:自複數個位置處之影像對比度量判定一熱圖;將一上可信度位準及一下可信度位準應用至熱圖;為一目標清單選擇高於上可信度位準之影像對比度
量;及視情況選擇介於上可信度位準與下可信度位準之間之影像對比度量之一或多者以填充目標清單上之任何剩餘槽。
一額外實施例係關於一種非暫時性電腦可讀媒體,其儲存可在一控制器上執行以用於執行用於光學目標檢索之一電腦實施方法之程式指令,如本文中所揭示。特定言之,如圖3中所展示,電子資料儲存單元215或其他儲存媒體可含有一非暫時性電腦可讀媒體,其包含可在處理器214上執行之程式指令。電腦實施方法可包含本文中描述之(若干)任何方法(包含方法100及/或方法150)之(若干)任何步驟。
該等程式指令可以多種方式之任一者實施,包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向之技術等。例如,該等程式指令可使用ActiveX控制項、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(MFC)、流式SIMD擴展(SSE)或其他技術或方法論來實施。
儘管本發明已關於一或多項特定實施例來描述,但將暸解,本發明之其他實施例可在不偏離本發明之範疇之情況下進行。因此,本發明被視為僅受限於隨附發明申請專利範圍及其等之合理解釋。
100:方法
101:步驟
102:步驟
103:步驟
104:步驟
105:步驟
106:步驟
Claims (18)
- 一種用於缺陷偵測之系統,其包括:一光源,其產生一光束;一載物台,其經組態以將一晶圓固持於該光束之一路徑中;一偵測器,其經組態以接收自該晶圓反射之該光束;及一處理器,其與該偵測器電子通信,其中該處理器經組態以:使用來自該偵測器之資料產生一光學影像;自該光學影像判定一梯度量值影像(gradient magnitude image);自該光學影像判定一背景內容範圍影像;自該梯度量值影像選擇一第一組像素且自該背景內容範圍影像選擇一第二組像素,其中該第一組像素及該第二組像素少於100%;且使用該第一組像素及該第二組像素及係є[0.1.0]之一值α判定一影像對比度量(image contrast metric)。
- 如請求項1之系統,其中藉由將α與該第一組像素之一影像對比度之一乘積及(1-α)與該第二組像素之一影像對比度之一乘積相加而判定該影像對比度量。
- 如請求項1之系統,其中該第一組像素係該梯度量值影像中之像素之10%,且其中該第二組像素係該背景內容範圍影像中之像素之20%。
- 如請求項1之系統,其中該處理器進一步經組態以在跨該半導體晶圓 之複數個位置處判定該影像對比度量。
- 如請求項4之系統,其中一滑動窗口用於在一單一圖框中之該複數個位置處產生該影像對比度量。
- 如請求項4之系統,其中該處理器進一步經組態以:自該複數個位置處之該等影像對比度量判定一熱圖(heatmap);將一上可信度位準及一下可信度位準應用至該熱圖;為一目標清單選擇高於該上可信度位準之該等影像對比度量;及選擇介於該上可信度位準與該下可信度位準之間之該等影像對比度量之一或多者以填充該目標清單上之任何剩餘槽。
- 一種用於缺陷偵測之方法,其包括:使用一處理器自來自一光學檢測系統之資料產生一半導體晶圓之一光學影像,其中該光學檢測系統包含一光源及一偵測器;使用該處理器自該光學影像判定一梯度量值影像;使用該處理器自該光學影像判定一背景內容範圍影像;使用該處理器自該梯度量值影像選擇一第一組像素且自該背景內容範圍影像選擇一第二組像素,其中該第一組像素及該第二組像素少於100%;及使用該處理器運用該第一組像素及該第二組像素及係є[0.1.0]之一值α判定一影像對比度量。
- 如請求項7之方法,其中藉由將α與該第一組像素之一影像對比度之一乘積及(1-α)與該第二組像素之一影像對比度之一乘積相加而判定該影像對比度量。
- 如請求項7之方法,其中該第一組像素係該梯度量值影像中之像素之10%,且其中該第二組像素係該背景內容範圍影像中之像素之20%。
- 如請求項7之方法,其中判定該影像對比度量發生在跨該半導體晶圓之複數個位置處。
- 如請求項10之方法,其中一滑動窗口用於在一單一圖框中之該複數個位置處產生該影像對比度量。
- 如請求項10之方法,其中該方法進一步包含:使用該處理器自該複數個位置處之該等影像對比度量判定一熱圖;使用該處理器將一上可信度位準及一下可信度位準應用至該熱圖;使用該處理器為一目標清單選擇高於該上可信度位準之該等影像對比度量;及使用該處理器選擇介於該上可信度位準與該下可信度位準之間之該等影像對比度量之一或多者以填充該目標清單上之任何剩餘槽。
- 一種非暫時性電腦可讀儲存媒體,其包括用於在一或多個運算裝置上執行以下步驟之一或多個程式: 自一半導體晶圓之一光學影像判定一梯度量值影像;自該光學影像判定一背景內容範圍影像;自該梯度量值影像選擇一第一組像素且自該背景內容範圍影像選擇一第二組像素,其中該第一組像素及該第二組像素少於100%;及使用該第一組像素及該第二組像素及係є[0.1.0]之一值α判定一影像對比度量。
- 如請求項13之非暫時性電腦可讀儲存媒體,其中藉由將α與該第一組像素之一影像對比度之一乘積及(1-α)與該第二組像素之一影像對比度之一乘積相加而判定該影像對比度量。
- 如請求項13之非暫時性電腦可讀儲存媒體,其中該第一組像素係該梯度量值影像中之像素之10%,且其中該第二組像素係該背景內容範圍影像中之像素之20%。
- 如請求項13之非暫時性電腦可讀儲存媒體,其中判定該影像對比度量發生在跨該半導體晶圓之複數個位置處。
- 如請求項16之非暫時性電腦可讀儲存媒體,其中一滑動窗口用於在一單一圖框中之該複數個位置處產生該影像對比度量。
- 如請求項16之非暫時性電腦可讀儲存媒體,其中該等步驟進一步包含: 自該複數個位置處之該等影像對比度量判定一熱圖;將一上可信度位準及一下可信度位準應用至該熱圖;為一目標清單選擇高於該上可信度位準之該等影像對比度量;及選擇介於該上可信度位準與該下可信度位準之間之該等影像對比度量之一或多者以填充該目標清單上之任何剩餘槽。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202063064531P | 2020-08-12 | 2020-08-12 | |
| US63/064,531 | 2020-08-12 | ||
| US17/355,126 | 2021-06-22 | ||
| US17/355,126 US11803960B2 (en) | 2020-08-12 | 2021-06-22 | Optical image contrast metric for optical target search |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202206805A TW202206805A (zh) | 2022-02-16 |
| TWI869611B true TWI869611B (zh) | 2025-01-11 |
Family
ID=80224258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110126352A TWI869611B (zh) | 2020-08-12 | 2021-07-19 | 用於缺陷偵測之系統及方法、及非暫時性電腦可讀儲存媒體 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11803960B2 (zh) |
| KR (1) | KR102844705B1 (zh) |
| CN (1) | CN115777060B (zh) |
| IL (1) | IL299067B2 (zh) |
| TW (1) | TWI869611B (zh) |
| WO (1) | WO2022035590A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11987884B2 (en) * | 2021-04-15 | 2024-05-21 | Jnk Tech | Glass and wafer inspection system and a method of use thereof |
| US11508590B2 (en) * | 2021-04-15 | 2022-11-22 | Jnk Tech | Substrate inspection system and method of use thereof |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010028732A1 (en) * | 2000-01-18 | 2001-10-11 | Alain Coulombe | Method and system for detecting defects on a printed circuit board |
| US20060018514A1 (en) * | 2002-11-27 | 2006-01-26 | Bankhead Andrew D | Surface profiling apparatus |
| US20150146200A1 (en) * | 2012-04-27 | 2015-05-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection device and defect inspection method |
| EP3174009A1 (en) * | 2015-11-26 | 2017-05-31 | Thomson Licensing | Method and apparatus for determining a contrast value for an image |
| TW201734441A (zh) * | 2016-01-01 | 2017-10-01 | 克萊譚克公司 | 使用影像重建以用於缺陷偵測之系統及方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6630996B2 (en) * | 2000-11-15 | 2003-10-07 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
| US7158663B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-01-02 | Siemens Corporate Research, Inc. | Method for measuring confidence of ball grid array model in surface mounted devices |
| GB0415766D0 (en) * | 2004-07-14 | 2004-08-18 | Taylor Hobson Ltd | Apparatus for and a method of determining a characteristic of a layer or layers |
| US8073240B2 (en) * | 2007-05-07 | 2011-12-06 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for identifying one or more optical modes of an inspection system as candidates for use in inspection of a layer of a wafer |
| US8611639B2 (en) * | 2007-07-30 | 2013-12-17 | Kla-Tencor Technologies Corp | Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods |
| WO2011083749A1 (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-14 | 日本電気株式会社 | 学習装置、識別装置、学習識別システム及び学習識別装置 |
| WO2013067329A1 (en) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | Polestar Technologies, Inc. | Methods and systems for detection and identification of concealed materials |
| US9401016B2 (en) * | 2014-05-12 | 2016-07-26 | Kla-Tencor Corp. | Using high resolution full die image data for inspection |
| US10012599B2 (en) * | 2015-04-03 | 2018-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Optical die to database inspection |
| US10535131B2 (en) * | 2015-11-18 | 2020-01-14 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for region-adaptive defect detection |
| US9984454B2 (en) * | 2016-04-22 | 2018-05-29 | Kla-Tencor Corporation | System, method and computer program product for correcting a difference image generated from a comparison of target and reference dies |
| US11270430B2 (en) * | 2017-05-23 | 2022-03-08 | Kla-Tencor Corporation | Wafer inspection using difference images |
| US10402963B2 (en) * | 2017-08-24 | 2019-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Defect detection on transparent or translucent wafers |
| US10522376B2 (en) * | 2017-10-20 | 2019-12-31 | Kla-Tencor Corporation | Multi-step image alignment method for large offset die-die inspection |
| US10572991B2 (en) * | 2017-11-07 | 2020-02-25 | Kla-Tencor Corporation | System and method for aligning semiconductor device reference images and test images |
| US10801968B2 (en) * | 2018-10-26 | 2020-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Algorithm selector based on image frames |
-
2021
- 2021-06-22 US US17/355,126 patent/US11803960B2/en active Active
- 2021-07-19 TW TW110126352A patent/TWI869611B/zh active
- 2021-07-28 CN CN202180045542.9A patent/CN115777060B/zh active Active
- 2021-07-28 IL IL299067A patent/IL299067B2/en unknown
- 2021-07-28 WO PCT/US2021/043366 patent/WO2022035590A1/en not_active Ceased
- 2021-07-28 KR KR1020227045807A patent/KR102844705B1/ko active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010028732A1 (en) * | 2000-01-18 | 2001-10-11 | Alain Coulombe | Method and system for detecting defects on a printed circuit board |
| US20060018514A1 (en) * | 2002-11-27 | 2006-01-26 | Bankhead Andrew D | Surface profiling apparatus |
| US20150146200A1 (en) * | 2012-04-27 | 2015-05-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection device and defect inspection method |
| EP3174009A1 (en) * | 2015-11-26 | 2017-05-31 | Thomson Licensing | Method and apparatus for determining a contrast value for an image |
| TW201734441A (zh) * | 2016-01-01 | 2017-10-01 | 克萊譚克公司 | 使用影像重建以用於缺陷偵測之系統及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL299067B1 (en) | 2025-04-01 |
| IL299067B2 (en) | 2025-08-01 |
| US11803960B2 (en) | 2023-10-31 |
| CN115777060A (zh) | 2023-03-10 |
| CN115777060B (zh) | 2024-11-19 |
| TW202206805A (zh) | 2022-02-16 |
| WO2022035590A1 (en) | 2022-02-17 |
| KR20230048253A (ko) | 2023-04-11 |
| KR102844705B1 (ko) | 2025-08-08 |
| IL299067A (en) | 2023-02-01 |
| US20220051380A1 (en) | 2022-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10697900B2 (en) | Correlating SEM and optical images for wafer noise nuisance identification | |
| TWI778258B (zh) | 缺陷偵測之方法、系統及非暫時性電腦可讀媒體 | |
| CN111819596B (zh) | 组合模拟及光学显微术以确定检验模式的方法和系统 | |
| CN112106180A (zh) | 基于设计的对准的性能监测 | |
| TWI869611B (zh) | 用於缺陷偵測之系統及方法、及非暫時性電腦可讀儲存媒體 | |
| CN114667596B (zh) | 基于噪声特性而对次关注区域进行聚类 | |
| TWI851819B (zh) | 半導體檢測的系統及方法,以及非暫時性電腦可讀媒體 | |
| TWI885268B (zh) | 處理半導體晶圓影像的系統及方法 | |
| JP7642797B2 (ja) | 三次元ウェハ構造向けビニング増強欠陥検出方法 | |
| TWI885269B (zh) | 用以成像半導體晶圓之方法及系統,以及非暫時性電腦可讀媒體 | |
| TWI904255B (zh) | 用於影像對準之方法及系統、及非暫時性電腦可讀儲存媒體 | |
| TW202449383A (zh) | 用於滋擾抑制之圖案分割 | |
| TW202312303A (zh) | 通過基於影像投影之修補對設計對準之晶圓對準改良 |