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TWI869675B - 電子裝置 - Google Patents

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TWI869675B
TWI869675B TW111118462A TW111118462A TWI869675B TW I869675 B TWI869675 B TW I869675B TW 111118462 A TW111118462 A TW 111118462A TW 111118462 A TW111118462 A TW 111118462A TW I869675 B TWI869675 B TW I869675B
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TW
Taiwan
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layer
insulating layer
hole
edge
light
Prior art date
Application number
TW111118462A
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English (en)
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TW202316661A (zh
Inventor
敏鑽 劉
李冠鋒
Original Assignee
群創光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 群創光電股份有限公司 filed Critical 群創光電股份有限公司
Publication of TW202316661A publication Critical patent/TW202316661A/zh
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    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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Abstract

一種顯示面板，其具有包含感測區的顯示區，其中顯示面板包括基板、半導體層、光阻擋層與第一絕緣層。半導體層設置在基板上。光阻擋層設置在半導體層與基板之間，光阻擋層在感測區中具有第一穿孔。第一絕緣層設置在半導體層上，第一絕緣層在感測區中具有第二穿孔。第一穿孔與所述第二穿孔彼此重疊，並且，在顯示面板的剖面上，第一穿孔具有第一邊緣，第二穿孔具有鄰近於第一邊緣的第二邊緣，且第一邊緣與第二邊緣之間的距離大於0。

Description

電子裝置
本揭露係關於一種電子裝置，尤指一種在感測區中具有穿孔的電子裝置。
隨著電子裝置的演進與發展，電子裝置在現今社會中已成為不可或缺的物品，其中顯示裝置(或顯示面板)等電子裝置可提供更方便的資訊傳遞或影像顯示。為了使顯示裝置具有更多的功能，可額外在顯示裝置中設置所需的元件，例如，用以感測觸碰、光線、聲音等外界資訊的元件，以使顯示裝置可依據感測結果而進行相應的操作。因此，現今業界致力於在設置此些元件的同時維持顯示裝置的顯示效果、顯示裝置的良率及/或元件的良好功能。
在一實施例中，本揭露提供一種顯示面板，其具有包含感測區的顯示區，其中顯示面板包括基板、半導體層、光阻擋層與第一絕緣層。半導體層設置在基板上。光阻擋層設置在半導體層與基板之間，光阻擋層在感測區中具有第一穿孔。第一絕緣層設置在半導體層上，第一絕緣層在感測區中具有第二穿孔。第一穿孔與所述第二穿孔彼此重疊，並且，在顯示面板的剖面上，第一穿孔具有第一邊緣，第二穿孔具有鄰近於第一邊緣的第二邊緣，且第一邊緣與第二邊緣之間的距離大於0。
在另一實施例中，本揭露提供一種顯示裝置，其包括感測元件與顯示面板。顯示面板具有包含感測區的顯示區，感測區重疊於感測元件，且顯示面板包括基板、半導體層、光阻擋層與絕緣層。半導體層設置在基板上。光阻擋層設置在半導體層與基板之間，光阻擋層在感測區中具有第一穿孔。絕緣層設置在半導體層上，絕緣層在感測區中具有第二穿孔。第一穿孔與第二穿孔彼此重疊，並且，在顯示面板的剖面上，第一穿孔具有第一邊緣，第二穿孔具有鄰近於第一邊緣的第二邊緣，且第一邊緣與第二邊緣之間的距離大於0。
100,200,300,400,500,600:顯示裝置
110:基板
110a:表面
112:圖案化結構
120:電路元件層
122:開關元件
124:發光元件
130:光阻擋層
140:感測器
142:感測元件
610:封裝層
CL1:第一導電層
CL2:第二導電層
CL3:第三導電層
D1:第一距離
D2:第二距離
D3:第三距離
DE:汲極
DP:顯示面板
DR:顯示區
Ec1,Ec2:曲線邊緣
ED1:第一邊緣
ED2:第二邊緣
ED3:第三邊緣
ED4:第四邊緣
ED5:第五邊緣
EL1,EL2:電極
GE:閘極
IL1,IL2,IL3,IL4,IL5:絕緣層
L1,L2:光線
LM:發光層
PDL:像素定義層
PR:周邊區
RS:凹槽區
SE:源極
SM:半導體層
SP,SP1,SP2:子像素
SR:感測區
T,1/2T:厚度
TH1:第一穿孔
TH2:第二穿孔
TH3:第三穿孔
TH4:第四穿孔
TH5:第五穿孔
TL1:切線
W1:第一最大寬度
W2:第二最大寬度
W3:第三最大寬度
W4:第四最大寬度
W5:第五最大寬度
X,Y,Z:方向
α1,α2:角度
圖1為本揭露第一實施例的顯示裝置的俯視示意圖。
圖2為沿著圖1的剖面線A-A’的結構剖面示意圖。
圖3為本揭露第一實施例的光阻擋層與絕緣層的俯視示意圖。
圖4為本揭露一實施例的光阻擋層與絕緣層的剖面示意圖。
圖5為本揭露第二實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
圖6為本揭露第三實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
圖7為本揭露第四實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
圖8為本揭露第五實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
圖9至圖13為本揭露一些實施例的光阻擋層與絕緣層的俯視示意圖。
圖14為本揭露第六實施例的顯示裝置的一區域的俯視示意圖。
圖15與圖16為本揭露第六實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出顯示裝置的一部分，且附圖中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，「包括」、「含有」、「具有」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。因此，當本揭露的描述中使用術語「包括」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在。
本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各附圖繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些附圖不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
當相應的構件(例如膜層或區域)被稱為「在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外， 當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在鉛直方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向(orientation)。
應當理解到，當構件或膜層被稱為「連接至」另一個構件或膜層時，它可以直接連接到此另一構件或膜層，或者兩者之間存在有插入的構件或膜層。當構件被稱為「直接連接至」另一個構件或膜層時，兩者之間不存在有插入的構件或膜層。另外，當構件被稱為「耦接於另一個構件(或其變體)」時，它可以直接地連接到此另一構件，通過一或多個構件間接地連接(例如電性接)到此另一構件。
術語「近似」或「相同」一般解釋為在所給定的值的正負20%範圍以內，或解釋為在所給定的值的正負10%、正負5%、正負3%、正負2%、正負1%或正負0.5%的範圍以內。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該(或該些)元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例 間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
須知悉的是，在說明書與申請專利範圍中，術語「水平方向」係表示為平行於附圖中方向X與方向Y的方向，術語「鉛直方向」係表示為平行於附圖中方向Z的方向，且鉛直方向垂直於水平方向。在說明書與申請專利範圍中，術語「俯視上」係表示沿著鉛直方向的觀看結果。
須知悉的是，在說明書與申請專利範圍中，術語「重疊」係表示兩構件在方向Z上的重疊，且在未指明的情況下，術語「重疊」包括部分重疊或完全重疊。在說明書與申請專利範圍中，術語「平行」係表示是指兩構件之間的夾角可小於或等於特定角度，例如5度、3度或1度。
根據本揭露實施例，可使用光學顯微鏡(optical microscopy，OM)、掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其它合適的方式測量各元件的寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距，但不以此為限。詳細而言，根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包含欲測量的元件的剖面圖像，並測量各元件的寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距，並通過合適的方法(例如：積分)獲得元件體積。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。於本揭露的實施例中，剖面例如可以為通過穿孔圓心的一剖面圖或是通過穿孔的任一位置的剖面圖，但本揭露並不以此為限。
在本揭露中，電子裝置可包括顯示裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。 顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。電子裝置可例如包括二極體(diode)、發光二極體(light emitting diode,LED)、液晶(liquid crystal)、螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子點(quantum dot,QD)、其它合適之顯示介質或前述之組合，但不以此為限。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light-emitting diode,OLED)、無機發光二極體(inorganic light-emitting diode,LED)，次毫米發光二極體(mini LED)、微型發光二極體(micro-LED)、量子點發光二極體(QLED、QDLED)、其他適合之材料或上述之組合，但不限於此。此外，顯示裝置可為彩色顯示器或單色顯示器。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、…等周邊系統以支援顯示裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置或拼接裝置。電子裝置的形狀可為矩形、圓形、多邊形、具有曲線邊緣的形狀或其他適合的形狀，但不以此為限。下文將以顯示裝置做為電子裝置或拼接裝置以說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。
請參考圖1至圖3，圖1為本揭露第一實施例的顯示裝置的俯視示意圖，圖2為沿著圖1的剖面線A-A’的結構剖面示意圖，圖3為本揭露第一實施例的光阻擋層與絕緣層的俯視示意圖，其中圖3的絕緣層以絕緣層IL2為例(圖3的絕緣層並不限於絕緣層IL2)。如圖1與圖2所示，顯示裝置100包括顯示面板DP，其中顯示面板DP可具有顯示區DR與周邊區PR，顯示區DR用以進行顯示功能而顯示畫面，而周邊區PR位於顯示區DR的至少一外側(例如，但不限於，周邊區PR環繞顯示區DR)。在本揭露中，顯示區DR可包含感測區SR，用以感測但不限於光線或影像等外界資訊，並且，在俯視上，感測區SR的尺寸(例如面積)可小於或等於顯示區DR的尺寸。舉例而言，在圖1中，在俯視上，感測區SR的尺 寸小於或顯示區DR的尺寸，但不以此為限。另外，在俯視上，感測區SR與顯示區DR可具有為任何適合的俯視形狀，且感測區SR的形狀與顯示區DR的形狀可相似或不同。舉例而言，感測區SR的形狀與顯示區DR的形狀可各自為多邊形(如，三角形、矩形或六邊形等)或具有曲線邊緣的形狀(如，圓形、橢圓形或具有導圓角的形狀等)，但不以此為限。
顯示裝置100的顯示區DR可包括多個像素(Pixel)，像素可包括至少一個子像素(Sub-pixel)SP。在一些實施例中，若顯示裝置100為彩色顯示器，一個像素舉例可包括多個子像素SP，例如綠色子像素、紅色子像素與藍色子像素，但不限於此，像素所包括的子像素SP數量與顏色可依據需求而改變。在一些實施例中，若顯示裝置100為單色顯示器，一個像素舉例可包括一個子像素SP，但不限於此。像素與子像素SP的數量與排列方式可依據需求而調整，舉例而言，子像素SP可呈陣列(matrix)排列、條紋型(stripe type)排列、交錯型(staggered)排列或其他適合的排列方式。另外，子像素SP的發光部分的俯視形狀可為矩形、平行四邊形、人字型(chevron)、具有曲線邊緣的形狀或任何其他適合的形狀，而子像素SP的發光部分的俯視形狀可例如以遮光層的開口來定義，但本揭露不以此為限。須說明的是，顯示區DR中的子像素SP可包含位於感測區SR外的「子像素SP1」以及位於感測區SR內的「子像素SP2」。
顯示面板DP可包括基板110，基板110上可包括任何適合的主動元件和/或被動元件，例如薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)、積體電路(integrated circuit)等。基板110可例如包括玻璃、石英、藍寶石、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、其他適合的材料或其組合，以作為可撓或不可撓的基板，但不以此為限。
顯示面板DP可包括設置在基板110上的電路元件層120，其中電路元件層120可依據顯示裝置100所具有的功能而包括對應的元件及/或結構。舉例而言，電路元件層120可包括開關元件122(例如，薄膜電晶體)、發光元件124、被動元件(未繪示，例如，電容)、導電走線(未繪示，例如，掃描線、資料線)、驅動電路(未繪示，例如，閘極驅動電路)、其他適合的元件或其組合，以進行顯示畫面。
開關元件122可包括閘極GE、源極SE、汲極DE及半導體層SM，舉例而言開關元件122可為頂閘型(top gate)薄膜電晶體、底閘型(bottom gate)薄膜電晶體、雙閘(dual gate)薄膜電晶體或其他適合類型的電晶體，但本揭露不以此為限。
發光元件124可依據所接收到的電壓及/或電流而提供具有對應光強度的光，而發光元件124所接收到的電壓及/或電流相關於例如灰階訊號(可由晶片或外部所提供)，藉此顯示畫面。也就是說，各發光元件124所產生的光的強度相關於顯示畫面中對應此發光元件124的區域的灰階值。舉例來說，發光元件124可為發光二極體(如，有機發光二極體、無機發光二極體或量子點發光二極體)，但不以此為限。
發光元件124所發射的光的顏色可依據需求而設計。舉例而言，發光元件124可依據所在的子像素SP而分別發射不同顏色的光，例如紅光、綠光或藍光，但不以此為限。在一些實施例中，所有發光元件124可發射同一種顏色的光線，而顯示面板DP可額外包括設置在發光元件124上的光轉換層(圖未示)，以將發光元件124所發射的光轉換或過濾為不同顏色的光。光轉換層可包括色阻 (color filter)、量子點(Quantum Dot,QD)材料、螢光(fluorescence)材料、磷光(Phosphorescence)材料、其他適合的材料或其任意組合。舉例而言，發光元件124可發射白光，光轉換層可將白光轉換為子像素SP所需的顏色，例如紅光、綠光或藍光，但不以此為限。再舉例而言，發光元件124可發射藍光，光轉換層可將藍光轉換為子像素SP所需的顏色，例如紅光、綠光或不轉換而維持藍光，但不以此為限。
在一些實施例中，掃描線用以傳輸開關訊號以控制開關元件122的開啟與關閉，資料線用以傳遞灰階訊號，電容可提高發光元件124所提供的光強度的穩定度。
在本揭露中，各子像素SP可包括至少一開關元件122、至少一發光元件124與其他所需的元件(例如，電容)，而此些元件可依據需求而在子像素SP中電連接成所需的電路。舉例來說，各子像素SP可包含四個開關元件122與二個電容的電路(4T2C電路)、包含七個開關元件122與一個電容的電路(7T1C電路)或其他適合的電路來驅動發光元件124。
在圖2中，電路元件層120可包括至少一導電層、至少一絕緣層、至少一半導體層、任何其他適合的膜層或其組合，以形成多層結構，其中導電層的材料舉例可包括金屬、透明導電材料(例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等)、其他適合的導電材料或其組合，絕緣層的材料舉例可包括氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNy)、氮氧化矽(SiOxNy)、有機絕緣材料(如，感光樹脂)、其他適合的絕緣材料或其組合，半導體層的材料舉例可包括多晶矽(poly-silicon)、非晶矽(amorphous silicon)、金屬氧化物(metal-oxide semiconductor,IGZO)半導體、其他 適合的半導體材料或其組合，但不限於此。詳細而言，如圖2所示，電路元件層120依序可包括絕緣層IL1、半導體層SM、絕緣層IL2、第一導電層CL1、絕緣層IL3、第二導電層CL2、絕緣層IL4與絕緣層IL5，絕緣層IL1在半導體層SM與基板110之間，半導體層SM在絕緣層IL1與絕緣層IL2之間，絕緣層IL2在半導體層SM與第一導電層CL1之間，第一導電層CL1在絕緣層IL2與絕緣層IL3之間，絕緣層IL3在第一導電層CL1與第二導電層CL2之間，第二導電層CL2在絕緣層IL3與絕緣層IL4之間，絕緣層IL4在第二導電層CL2與絕緣層IL5之間，但不以此為限。須說明的是，絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、絕緣層IL4與絕緣層IL5可各自為單層絕緣膜層或多層絕緣膜層。
須說明的是，絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、絕緣層IL4與絕緣層IL5可各自包括適合的材料。在一些實施例中，絕緣層IL5的材料可不同於絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3與絕緣層IL4的材料。舉例而言，絕緣層IL5可包括有機絕緣材料(如，高分子材料)，而絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3與絕緣層IL4可包括無機絕緣材料，且絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3與絕緣層IL4的材料可彼此相同或不同，但不以此為限。
在圖2中，電路元件層120中的上述膜層舉例可用以形成開關元件122、電容、導電走線及/或驅動電路。在一些實施例中(如圖2)，開關元件122可為頂閘型薄膜電晶體，半導體層SM可包括開關元件122的通道層，絕緣層IL2可包括開關元件122的閘極絕緣層，第一導電層CL1可包括開關元件122的閘極GE，第二導電層CL2可包括開關元件122的源極SE與汲極DE，但不以此為限。在本實施例中，通道層為半導體層SM與閘極GE重疊的部分。在一些實施例中(如圖2)，導電走線中的掃描線可被包括在第一導電層CL1中，導電走線中的資料線 可被包括在第二導電層CL2中，但不以此為限，在一些實例中，資料線可被包括在第一導電層CL1中，掃描線可被包括在第二導電層CL2中。須說明的是，在一些實施例的電路元件層120中，絕緣層IL1舉例可為半導體層SM與基板110之間的所有絕緣層所複合成的膜層，絕緣層IL2舉例可為半導體層SM與第一導電層CL1之間的所有絕緣層所複合成的膜層，但不以此為限。
驅動電路可設置在周邊區PR中，並連接導電走線(例如，掃描線或資料線)。在一些實施例中，驅動電路可由電路元件層120中的導電層、絕緣層與半導體層SM所形成，但不以此為限。在一些實施例中，驅動電路舉例可為積體電路(integrated circuit,IC)，使得驅動電路可透過接合工藝而設置在基板110上，並透過導電件(例如焊錫、接合墊)而電連接電路元件層120中的其他導電元件(如，導電走線)。
電路元件層120中的上述膜層的形成方式可依據需求而調整。舉例而言，此些膜層可透過沉積製程(deposition process)、塗布製程(coating process)、蝕刻製程(etch process)及/或微影製程(photolithography)等半導體製程來形成，但不以此為限。
在圖2所示的電路元件層120中，發光元件124設置在絕緣層IL5上。舉例而言，在圖2中，發光元件124可包括電極EL1、電極EL2(被包括第三導電層CL3中)以及設置在電極EL1與電極EL2之間的發光層LM，但不以此為限。在本實施例中，第三導電層CL3包含透明導電材料，在一些實施例中，第三導電層CL3包含不透明導電材料。須說明的是，發光元件124的形成方式可依據需求及/或發光元件124的種類而調整。在一些實施例中，發光元件124的形成方式舉例 可包括沉積製程、塗布製程、蝕刻製程及/或微影製程等半導體製程，但不以此為限。在一些實施例中，發光元件124舉例可透過接合而設置，但不以此為限。
除此之外，在圖2中，電路元件層120還可選擇性地包括像素定義層PDL，位於兩個發光元件124或兩個電極EL1之間以分隔發光元件124。像素定義層PDL可為單層結構或複合結構，並可包括絕緣材料(有機絕緣材料或無機絕緣材料)、反射材料、其它合適的材料或上述材料的組合，但不限於此。在一些實施例中，子像素SP的發光部分可以由像素定義層PDL所暴露出的電極EL1所定義，但本揭露並不以此為限。
在本揭露中，顯示裝置100還可包括感測器140，用以感測例如但不限於光線等外界資訊，而感測器140可設置在任何適合的位置。舉例而言，在圖2中，感測器140可設置在基板110相反於發光元件124的一側(即，基板110在感測器140與發光元件124之間)，並且，感測器140用以感測從基板110相同於發光元件124的一側所射入的外界光線(即，在圖2中由上而下射入的外界光線)，但不以此為限。
感測器140可包括至少一感測元件142，用以進行感測功能。舉例而言，當感測器140是用以感測外界光線時，感測器140中的感測元件142可為光感測件，以接收外界光線而產生對應的電訊號，進而達到感測外界光線的功能。在一些實施例中，作為光感測件的感測元件142可用以感測可見光、紅外光、其他適合的光或其組合，但不以此為限。舉例而言，感測器140可包括一個或多個感測元件142，可用以感測可見光及/或紅外光，但不以此為限。舉例而言，感測器140可包括多個感測元件142，感測元件142的至少一個可用以感測可見光，感 測元件142的至少另一個可用以感測紅外光，但不以此為限。在一些實施例中，具有作為光感測件的感測元件142的感測器140舉例可進行照相功能，但不以此為限。在另一些實施例中，感測元件142可以感測電容變化或超聲波等，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，感測器140可以提供拍照、攝影或生物特徵辨識(如指紋辨識)等功能。感測器140例如可包括光學照相機(optical camera)或紅外線傳感器(infrared sensor)。在其他實施例中，感測器140還可包括閃光燈、紅外光(infrared，IR)光源、其他感測器、電子元件或上述組合，但不限于此。
於本揭露中，感測器140中的感測元件142的最外圍所圍出來的區域於方向Z上與顯示區DR重疊的區域可為感測區SR。在一些實施例中，感測範圍可以大於感測區SR，但本揭露不以此為限。舉例而言，在一些實施例中，顯示裝置100還可包括光學結構(未繪)，可藉由設置光學結構將位於未重疊感測元件142的區域的指紋的反射光，反射或導引至有重疊感測元件142的區域，因此感測範圍可以大於感測區SR，換句話說，可藉由設置光學結構使得部分沒有重疊感測元件142的區域也可有感測功能，其中光學結構可例如為導光板、具有特殊光學設計的覆蓋層或是其他合適的光學結構，但不限於此。在一些實施例中，感測範圍的面積的測量方法可包括以下步驟。第一步：可使用具有模擬指紋特徵或具有指紋特徵的物體觸控顯示裝置100數次，使得顯示裝置100可出現數個感測結果圖案。數個感測結果圖案中的其中一些可為正確的感測結果，數個感測結果圖案中的其中另一些可為失敗的或不正確的感測結果。第二步：可進行辨識程序以找出或確認出正確的感測結果圖案。第三步：以正確的感測結果圖案的中心點之間的連接線所能圍出的最大面積來定義感測範圍。若由第三步所定義出的感測範圍的邊界為不規則的，則建議每一公分內找出至少一個正確的 感測結果圖案以在每一公分內定義出一個中心點，以獲得連接線並定義出更精確的感測範圍的邊界。
在本揭露中，感測區SR內具有子像素SP2以進行畫面顯示，且外界光線可穿過感測區SR中的結構而照射到感測器140中的感測元件142以進行光線感測，因此，感測區SR可進行顯示功能與感測功能。由於外界光線較難以直接穿過子像素SP2，因此，需在感測區SR中未設置有子像素SP2的區域設計能使外界光線穿透的結構，以使得外界光線得以照射到感測元件142。在本揭露中，為了使外界光線得以穿透，並同時降低外界光線在顯示裝置100的感測區SR內的強度衰減，使得感測元件142可接收到光強度較高的外界光線，如圖1與圖2所示，電路元件層120可在兩子像素SP2之間具有凹槽區RS，其中，由於凹槽區RS的存在，感測區SR內的子像素SP2的密度可小於感測區SR外的子像素SP1的密度，也就是說，感測區SR中預定範圍內的子像素SP2的數量小於感測區SR外相同預定範圍內的子像素SP1的數量，但不以此為限。
在本揭露中，電路元件層120中的膜層可各自具有穿孔，而此些穿孔彼此重疊的區域視為凹槽區RS，其中各膜層的穿孔的數量可依據需求而設計(各膜層的穿孔的數量可為一個或多個)。須說明的是，在本揭露中，術語「穿孔」係表示穿透過一個膜層或多個膜層的孔洞，膜層A1的穿孔係表示穿透過膜層A1的孔洞，膜層A1與膜層A2的穿孔係表示同時穿透過膜層A1與膜層A2的孔洞。須說明的是，由於本揭露所述的膜層可為單層膜層或複合膜層，因此，膜層A1的穿孔則依據膜層A1的種類而為單層膜層的穿孔或複合膜層的穿孔。
詳細而言，電路元件層120中的絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、 絕緣層IL4與絕緣層IL5可各自具有穿孔，而此些穿孔彼此重疊。此外，在一些實施例中(如圖2)，電路元件層120的像素定義層PDL也具有的穿孔，以減少電路元件層120在凹槽區RS中的膜層數量，但不以此為限。此外，在一些實施例中(如圖2)，電路元件層120中的例如第一導電層CL1、第二導電層CL2、發光元件124以及半導體層SM可不設置在凹槽區RS中，以減少電路元件層120在凹槽區RS中的膜層數量，但不以此為限。
在本揭露中，電路元件層120的各膜層的穿孔可透過任何適合的工藝來形成，例如蝕刻工藝(如，乾蝕刻工藝及/或濕蝕刻工藝)。並且，電路元件層120的各膜層的穿孔可依據需求(如，穿孔的圖案)及/或根據材料的種類而在相同或不同的工藝中形成。舉例而言，在一些實施例中(如圖2)，絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、絕緣層IL4的穿孔可在同一個工藝中形成，絕緣層IL5與像素定義層PDL的穿孔可在另一個工藝中形成，第三導電層CL3的穿孔可在另一個工藝中形成，但不以此為限。在一些實施例中(圖未示)，電路元件層120中的各膜層的穿孔可都在同一個工藝(例如，乾蝕刻工藝)中形成，但不以此為限。須說明的是，由於圖2所示的各膜層的穿孔都是由上而下(方向Z的相反方向)進行蝕刻，因此，在圖2所示的各膜層中，穿孔的上緣尺寸(例如，上緣寬度)可大於或等於穿孔的下緣尺寸(例如，下緣寬度)，但不以此為限。
在一些實施例中，當包含相同材料的多個膜層的穿孔在同一個工藝中形成時，此些膜層中的穿孔的邊緣可彼此相連，且此些邊緣與基板110的表面110a之間的角度可彼此相同或相似(如，角度差小於5度、3度或1度)，但不以此為限。須說明的是，基板110的表面110a可平行於水平方向(即，平行於方向X與方向Y)。須說明的是，請參考圖4，當膜層(如，單層膜層或複合膜層)的穿 孔的邊緣並非是直線時，此膜層的穿孔的邊緣與基板110的表面110a之間的角度係為穿孔的邊緣在此膜層的厚度T的二分之一厚度1/2T之處的切線(如，切線TL1)與基板110的表面110a之間的角度(如，角度α1)。
請參考圖2，顯示面板DP可包括光阻擋層130，設置在半導體層SM與基板110之間(例如設置在半導體層SM與感測元件142之間)。在本揭露中，光阻擋層130可包括任何適合的材料(如，金屬、光阻、油墨、樹酯(resin)、色料(pigment)或其組合)，使得光阻擋層130的光穿透率可小於40%或小於20%。舉例而言，光阻擋層130可包括金屬材料，但不以此為限。如此，可降低外界光線的反射光照射到開關元件122的通道層的光強度，或是降低開關元件122的閾值電壓(Threshold voltage)偏移的機率，以提高顯示品質。本揭露所述的穿透率係指環境光穿透光阻擋層130後量測到的穿透光的光強度除以環境光未穿透光阻擋層130所量測到的光強度的百分比。本案中所述之「光強度」係指光源(可例如環境光)的頻譜積分值。在一些實施例中，光源可包含可見光(例如波長介於380nm至780nm之間)或紫外光(例如波長小於365nm)，但不限於此，意即當光源為可見光時，光強度為波長380nm至波長780nm範圍內的頻譜積分值。
在本揭露中，光阻擋層130可依據需求而重疊於至少部分的子像素SP2，以重疊於至少部分的開關元件122的通道層。在一些實施例中，如圖2所示，光阻擋層130可重疊於感測區SR內的子像素SP2，但不重疊於感測區SR外的子像素SP1(即，光阻擋層130可設置在顯示區DR中的感測區SR內，但不設置在顯示區DR中的感測區SR以外的區域)，但不以此為限。
類似地，光阻擋層130在感測區SR中具有第一穿孔TH1，而第一穿孔 TH1可重疊於電路元件層120各膜層的穿孔，使得外界光線得以通過電路元件層120的凹槽區RS並照射到感測器140的感測元件142。在顯示面板DP的剖面上(如圖2與圖3)，第一穿孔TH1具有第一邊緣ED1。
在顯示面板DP的剖面上，第一穿孔TH1的尺寸(例如沿方向X上的寬度或是沿方向Z觀察的面積，但並不以此為限)以及電路元件層120的各膜層在感測區SR內的穿孔的尺寸可依據需求而設計。在一些實施例中(如圖2)，絕緣層IL2在感測區SR內的第二穿孔TH2(與光阻擋層130的第一穿孔TH1彼此重疊)具有鄰近於第一穿孔TH1的第一邊緣ED1的第二邊緣ED2，且第一邊緣ED1與第二邊緣ED2之間的第一距離D1可大於0，但不以此為限。舉例而言，第一邊緣ED1與第二邊緣ED2之間的第一距離D1可大於0且小於5微米(um)、或大於0且小於3微米，但不以此為限。須說明的是，本文所述的「兩邊緣之間的距離」表示兩邊緣最接近基板110之處(即，邊緣的底部之處)之間在水平方向上的距離。
在本揭露中，由於第一邊緣ED1與第二邊緣ED2之間的第一距離D1大於0，使得第一邊緣ED1與第二邊緣ED2在剖面上彼此不切齊，因此，可降低外界光線通過第一穿孔TH1與第二穿孔TH2時所造成的繞射現象，以減少繞射所造成的感測問題。舉例而言，光阻擋層130可阻擋部分因繞射而產生的具有相位偏移的雜訊光，以提升感測元件142的感測準確度及/或清晰度。另外，根據此設計，可減少經過多次折射的光線照射到感測元件142，以提升感測元件142的感測準確度及/或清晰度。
在一些實施例中(如圖2與圖3)，第一穿孔TH1的尺寸可小於第二穿孔TH2的尺寸，以減少感測元件142所接收到的雜訊光，進而提升感測元件142 的感測準確度及/或清晰度。舉例而言，在圖2與圖3中，第一穿孔TH1的面積(由方向Z觀察)可小於第二穿孔TH2的面積，但不以此為限。舉例而言，在圖2與圖3中，第一穿孔TH1的第一最大寬度W1可小於第二穿孔TH2的第二最大寬度W2，但不以此為限。在一些實施例中，由於第一邊緣ED1與第二邊緣ED2之間的第一距離D1大於0且小於5微米、或大於0且小於3微米，可減少繞射現象且可具有良好的感測品質。舉例而言，第一穿孔TH1的尺寸對於第二穿孔TH2的尺寸(或子像素SP的尺寸)的比值可大於或等於65%、或大於或等於79%，但不以此為限。
在一些實施例中(如圖2)，在顯示面板DP的剖面上，絕緣層IL5在感測區SR內的第三穿孔TH3(與絕緣層IL2的第二穿孔TH2彼此重疊，或與光阻擋層130的第一穿孔TH1及絕緣層IL2的第二穿孔TH2彼此重疊)具有鄰近於第一穿孔TH1的第一邊緣ED1的第三邊緣ED3，且第一邊緣ED1與第三邊緣ED3之間的第二距離D2可大於0，但不以此為限。在一些實施例中(如圖2)，在顯示面板DP的剖面上，第一穿孔TH1的第一最大寬度W1可小於第三穿孔TH3的第三最大寬度W3，但不以此為限。
在一些實施例中(如圖2)，在顯示面板DP的剖面上，第三導電層CL3在感測區SR內的第四穿孔TH4(例如與光阻擋層130的第一穿孔TH1、絕緣層IL2的第二穿孔TH2與絕緣層IL5的第三穿孔TH3重疊)具有鄰近於第一穿孔TH1的第一邊緣ED1的第四邊緣ED4，且第一邊緣ED1與第四邊緣ED4之間的第三距離D3可大於0，但不以此為限。在一些實施例中(如圖2)，在顯示面板DP的剖面上，第一穿孔TH1的第一最大寬度W1可小於第四穿孔TH4的第四最大寬度W4，但不以此為限。
在一些實施例中(如圖2)，在顯示面板DP的剖面上，絕緣層IL1在感測區SR內的第五穿孔TH5(例如與光阻擋層130的第一穿孔TH1、絕緣層IL2的第二穿孔TH2、絕緣層IL5的第三穿孔TH3與第三導電層CL3的第四穿孔TH4重疊)具有鄰近於第一穿孔TH1的第一邊緣ED1的第五邊緣ED5，且第一邊緣ED1與第五邊緣ED5之間的距離可大於0，但不以此為限。在一些實施例中(如圖2)，在顯示面板DP的剖面上，第一穿孔TH1的第一最大寬度W1可小於第五穿孔TH5的第五最大寬度W5，但不以此為限。
在一實施例中，請參考圖2，第三導電層CL3的第四穿孔TH4的第四最大寬度W4大於絕緣層IL5的第三穿孔TH3的第三最大寬度W3大於絕緣層IL2的第二穿孔TH2的第二最大寬度W2大於絕緣層IL1的第五穿孔TH5的第五最大寬度W5大於光阻擋層130的第一穿孔TH1的第一最大寬度W1，但不以此為限。
在一些實施例中(如圖2)，在顯示面板DP的剖面上，電路元件層120的各膜層中的穿孔鄰近於第一穿孔TH1的第一邊緣ED1的邊緣與第一邊緣ED1之間的距離都可大於0，但不以此為限。在一些實施例中(如圖2)，在顯示面板DP的剖面上，第一穿孔TH1的第一最大寬度W1可小於電路元件層120的各膜層中的穿孔的最大寬度，但不以此為限。
此外，在顯示面板DP的剖面上，穿孔的邊緣與基板110的表面110a之間的角度可依據需求而設計。在一些實施例中，光阻擋層130的第一穿孔TH1的第一邊緣ED1與基板110的表面110a之間的角度α1可不同於電路元件層120的其中一個膜層的穿孔的邊緣與基板110表面110a之間的角度。舉例而言，如圖4 所示，光阻擋層130的第一穿孔TH1的第一邊緣ED1與基板110的表面110a之間的角度α1可不同於絕緣層IL2的第二穿孔TH2的第二邊緣ED2與基板110的表面110a之間的角度α2，但不以此為限。
在顯示面板DP的俯視上，各膜層的穿孔的俯視形狀可依據需求而設計，且各膜層的穿孔的俯視形狀可彼此相同或不同。在本揭露中，穿孔的俯視形狀可為封閉的幾何圖案，也就是說，穿孔具有環繞其自身的邊緣。舉例而言，穿孔的俯視形狀可為多邊形(如，三角形、矩形或六邊形等)或具有曲線邊緣的形狀(如，圓形、橢圓形或具有導圓角的形狀等)。在圖3中，第一穿孔TH1與第二穿孔TH2為具有導圓角的形狀，使得第一穿孔TH1具有曲線邊緣Ec1，第二穿孔TH2具有曲線邊緣Ec2，但不以此為限。由於第一穿孔TH1具有曲線邊緣Ec1及/或第二穿孔TH2具有曲線邊緣Ec2，因此，可減少外界光線通過第一穿孔TH1與第二穿孔TH2時所產生的繞射問題。
上述膜層的穿孔的尺寸與子像素SP的尺寸之間的關係可依據需求而設計。在一些實施例中(如圖3)，在俯視上，光阻擋層130的第一穿孔TH1的尺寸可近似於或相同於子像素SP的尺寸，及/或絕緣層IL2的第二穿孔TH2的尺寸可近似於或相同於子像素SP的尺寸，但不以此為限。於此實施例中，子像素的尺寸例如可為相鄰的兩閘極線及相鄰兩資料線所圍成區域，在一些實施例中，相鄰的兩閘極線為兩條具有相同功能的閘極線(例如連接到相同功能之開關元件的閘極線)且兩條相同功能的閘極線之間不存在其他與上述兩條具有相同功能的閘極線；相鄰兩資料線為兩條具有相同功能的資料線(例如連接到相同功能之開關元件的資料線)且兩條相同功能的資料線之間不存在其他與上述兩條具有相同功能的資料線，但本揭露不以此為限。
在本揭露中，顯示裝置100還可包括其他適合的元件及/或結構。在一些實施例中，顯示面板DP還可選擇性地包括與基板110對應設置的另一基板(未繪示)，該另一基板上可以選擇性設有濾光層，光調整層及/或遮光層，遮光層可用以分隔子像素SP，並用以遮蔽部分元件，以減少顯示裝置100對於外界光的反射而影響顯示品質，但不以此為限。遮光層可包括金屬、光阻、油墨、樹酯、色料、其他適合的光阻擋材料或上述之組合，但不以此為限。在一些實施例中，顯示面板DP還可選擇性地包括光學膜層，例如偏光片(polarizer)及/或抗反射膜(anti-reflection film)，設置在適合的位置，但不以此為限。
本揭露的顯示裝置不以上述實施例為限，下文將繼續揭示其它實施例，然為了簡化說明並突顯各實施例與上述實施例之間的差異，下文中使用相同標號標注相同元件，並不再對重複部分作贅述。
請參考圖5，圖5為本揭露第二實施例的顯示裝置的剖面示意圖。如圖5所示，本實施例與第一實施例的差異在於本實施例的顯示裝置200的穿孔的邊緣設計。在圖5的電路元件層120中，絕緣層IL1的穿孔(第五穿孔TH5)的邊緣、絕緣層IL2的穿孔(第二穿孔TH2)的邊緣、絕緣層IL3的穿孔的邊緣、絕緣層IL4的穿孔的邊緣、絕緣層IL5的穿孔(第三穿孔TH3)的邊緣彼此不相連。舉例而言，絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、絕緣層IL4、絕緣層IL5的穿孔可在不同工藝中形成，但不以此為限。另外，在圖5中，第三導電層CL3的第四穿孔TH4的邊緣可相連於像素定義層PDL的穿孔的邊緣，但不以此為限。在一些實施例中，絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、絕緣層IL4、絕緣層IL5的穿孔的邊緣與基板110的表面110a之間的角度可彼此不相同，但不以此為限。在一些實 施例中，絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、絕緣層IL4、絕緣層IL5的穿孔的邊緣與基板110的表面110a之間的角度可都不同於光阻擋層130的第一穿孔TH1的第一邊緣ED1與基板110的表面110a之間的角度α1，但不以此為限。
請參考圖6，圖6為本揭露第三實施例的顯示裝置的剖面示意圖。如圖6所示，本實施例與第一實施例的差異在於本實施例的顯示裝置300的穿孔的邊緣設計。在圖6中，絕緣層IL5覆蓋了絕緣層IL1的穿孔(第五穿孔TH5)的邊緣、絕緣層IL2的穿孔(第二穿孔TH2)的邊緣、絕緣層IL3的穿孔的邊緣與絕緣層IL4的穿孔的邊緣，因此，絕緣層IL5的第三穿孔TH3的第三最大寬度W3小於絕緣層IL2的第二穿孔TH2的第二最大寬度W2以及絕緣層IL1的第五穿孔TH5的第五最大寬度W5，但絕緣層IL5的第三穿孔TH3的第三最大寬度W3大於光阻擋層130的第一穿孔TH1的第一最大寬度W1，但不以此為限。
以下特舉圖6所示的結構的製造方法的一實施例，但製造方法並不以此為限。在製造方法的一實施例中，在形成光阻擋層130、絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3與絕緣層IL4後，對絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3與絕緣層IL4進行至少一蝕刻製程以形成此些膜層的穿孔。然後，形成絕緣層IL5以覆蓋絕緣層IL1的穿孔(第五穿孔TH5)的邊緣、絕緣層IL2的穿孔(第二穿孔TH2)的邊緣、絕緣層IL3的穿孔的邊緣與絕緣層IL4的穿孔的邊緣。之後，對絕緣層IL5進行蝕刻製程以形成第三穿孔TH3。
請參考圖7，圖7為本揭露第四實施例的顯示裝置的剖面示意圖。如圖7所示，本實施例與第一實施例的差異在於本實施例的顯示裝置400的絕緣層IL1在感測區SR內不具有與其他膜層穿孔重疊的穿孔，且絕緣層IL1覆蓋了光阻 擋層130的第一穿孔TH1，使得光阻擋層130可被絕緣層IL1所保護，以降低光阻擋層130被毀損的可能性。
請參考圖8，圖8為本揭露第五實施例的顯示裝置的剖面示意圖。如圖8所示，本實施例與第一實施例的差異在於本實施例的顯示裝置500的基板110在感測區SR的設計。在圖8中，基板110在感測區SR中具有重疊於凹槽區RS的圖案化結構112，其中基板110的圖案化結構112舉例可用以匯聚外界光線，以提升照射到感測元件142的光線的強度。在一些實施例中，基板110的圖案化結構112可為具有適當曲面的凹陷結構，以達到例如透鏡的效果。舉例而言，圖案化結構112的曲面舉例可為弧面、拋物面或其他適合的曲面，但不以此為限。
請參考圖9至圖13，圖9至圖13為本揭露一些實施例的光阻擋層130與絕緣層的俯視示意圖。須說明的是，圖9至圖13中的絕緣層為在感測區SR中具有穿孔的絕緣層，而圖9至圖13的絕緣層則以絕緣層IL2為例。須說明的是，圖9至圖13所示的光阻擋層130與絕緣層的俯視關係可用於本揭露的任何實施例中。
在本揭露中，光阻擋層130在感測區SR中可具有至少一第一穿孔TH1，絕緣層IL2在感測區SR中可具有至少一第二穿孔TH2，而第一穿孔TH1與第二穿孔TH2的數量可依據需求而設計。在一些實施例中(如圖9)，光阻擋層130在感測區SR中可具有多個第一穿孔TH1，絕緣層IL2在感測區SR中可具有一個第二穿孔TH2，而第二穿孔TH2可與多個第一穿孔TH1重疊而在感測區SR中形成多個凹槽區RS(凹槽區RS形成在第一穿孔TH1的其中一個與第二穿孔TH2的重疊區域內)，但不以此為限。在圖9中，絕緣層IL2的第二穿孔TH2的俯視圖案可環繞子像素SP2。
在一些實施例中(如圖10)，光阻擋層130在感測區SR中可具有一個第一穿孔TH1，絕緣層IL2在感測區SR中可具有多個第二穿孔TH2，而第一穿孔TH1可與多個第二穿孔TH2重疊而在感測區SR中形成多個凹槽區RS(凹槽區RS形成在第一穿孔TH1與第二穿孔TH2的其中一個的重疊區域內)，但不以此為限。在圖10中，光阻擋層130的第一穿孔TH1的俯視圖案可環繞子像素SP2。
在一些實施例中(如圖11)，光阻擋層130在感測區SR中可具有一個第一穿孔TH1，絕緣層IL2在感測區SR中可具有一個第二穿孔TH2，而第一穿孔TH1可與第二穿孔TH2重疊而在感測區SR中形成一個或多個凹槽區RS，但不以此為限。在圖11中，光阻擋層130的第一穿孔TH1的俯視圖案與絕緣層IL2的第二穿孔TH2的俯視圖案可環繞子像素SP2。
在一些實施例中(圖未示)，光阻擋層130在感測區SR中可具有多個第一穿孔TH1，絕緣層IL2在感測區SR中可具有多個第二穿孔TH2，而多個第一穿孔TH1可分別重疊於多個第二穿孔TH2，以在感測區SR中形成多個凹槽區RS，但不以此為限。多個第一穿孔TH1與多個第二穿孔TH2之間的重疊方式可依據需求而設計。舉例而言，多個第一穿孔TH1與多個第二穿孔TH2以一對一對應、一對多對應、多對一對應或多對多對應的方式重疊。
在本揭露中，穿孔的俯視形狀與尺寸可依據需求而設計。在一些實施例中(如圖12)，光阻擋層130在感測區SR中可具有多個第一穿孔TH1，絕緣層IL2在感測區SR中可具有一個第二穿孔TH2。在圖12中，在顯示面板DP的俯視上，光阻擋層130的第一穿孔TH1可為八邊形，而絕緣層IL2的第二穿孔TH2的俯 視圖案可環繞子像素SP2，但不以此為限。
在一些實施例中(如圖12)，第一穿孔TH1並非完全相同。在圖12中，其中一行的第一穿孔TH1的俯視形狀與其中另一行的第一穿孔TH1的俯視形狀之間存在有旋轉90度的差異，但不以此為限。由於第一穿孔TH1並非完全相同，因此，可減少外界光線通過第一穿孔TH1與第二穿孔TH2時所產生的繞射問題。
在一些實施例中(如圖13)，光阻擋層130在感測區SR中可具有多個第一穿孔TH1，絕緣層IL2在感測區SR中可具有一個第二穿孔TH2。在圖13中，第一穿孔TH1的俯視形狀並非完全相同。舉例而言，其中一行的第一穿孔TH1的俯視形狀可為八邊形，其中另一行的第一穿孔TH1的俯視形狀可為十六邊形，但不以此為限。在一些實施例中(如圖13)，第一穿孔TH1的其中一個的面積可不同於第一穿孔TH1的其中另一個的面積。舉例而言，八邊形的第一穿孔TH1的面積可小於十六邊形的第一穿孔TH1的面積，但不以此為限。由於第一穿孔TH1的俯視形狀並非完全相同，因此，可減少外界光線通過第一穿孔TH1與第二穿孔TH2時所產生的繞射問題。
請參考圖14至圖16，圖14為本揭露第六實施例的顯示裝置的一區域的俯視示意圖，圖15與圖16為本揭露第六實施例的顯示裝置的剖面示意圖。如圖14與圖15所示，本實施例與第一實施例的差異在於本實施例的顯示裝置600的穿孔的設計。在圖14與圖15中，光阻擋層130的第一穿孔TH1的第一邊緣ED1與絕緣層IL2的第二穿孔TH2的第二邊緣ED2之間的第一距離D1可大於0，且第一穿孔TH1的尺寸可大於第二穿孔TH2的尺寸。舉例而言，在圖14與圖15中，第一穿孔TH1的第一最大寬度W1大於第二穿孔TH2的第二最大寬度W2。
如圖14至圖16所示，由於第一穿孔TH1的尺寸可大於第二穿孔TH2的尺寸，因此，提升了凹槽區RS中可使外界光線穿透過的面積(例如提升開口率)，進而增加照射到感測元件142的外界光線。舉例來說，在圖16中，除了具有相對於鉛直方向較小的角度的外界光線(如光線L1)可照射到感測元件142之外，具有相對於鉛直方向較大的角度的部分外界光線(如光線L2)也可照射到感測元件142。在圖16中，具有相對於鉛直方向較大的角度的部分外界光線(如光線L2)可照射到重疊於子像素SP2的感測元件142，但不以此為限。
可選擇地，顯示裝置600還可包括封裝層610，設置在發光元件124上(發光元件124在封裝層610與基板110之間)，以保護所覆蓋的結構及/或元件。封裝層610可包括任何適合的封裝材料，例如有機絕緣材料，但不以此為限。須說明的是，封裝層610可適用於上述任何實施例中。
在圖16中，光阻擋層130的第一穿孔TH1的第一邊緣ED1被絕緣層(如，絕緣層IL1)所覆蓋，而絕緣層(如，絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、絕緣層IL4)的穿孔的邊緣被封裝層610所覆蓋。在一些實施例中，封裝層610的折射率可高於絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、絕緣層IL4(如，無機絕緣材料)的折射率，因此，當具有相對於鉛直方向較大的角度的部分外界光線(如光線L2)射入凹槽區RS時，會因為封裝層610與絕緣層(如，絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、絕緣層IL4)之間的折射率關係，使得此外界光線會折射而更朝向感測元件142，以增加感測元件142所接收到的外界光線。在圖16中，由於第一穿孔TH1的尺寸可大於第二穿孔TH2的尺寸，且封裝層610的折射率可高於絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、絕緣層IL4(如，無機絕緣材料)的折射 率，使得感測元件142所接收到的外界光線得以提升。在一些實施例中，感測元件142甚至可以感測到重疊於子像素SP2的外界圖案資訊。
綜上所述，透過膜層的穿孔設計或是光阻擋層的存在，可提升感測元件的感測準確度、清晰度及/或所接收到的光強度，並可維持顯示裝置的正常運作。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。
100:顯示裝置
110:基板
110a:表面
120:電路元件層
122:開關元件
124:發光元件
130:光阻擋層
140:感測器
142:感測元件
CL1:第一導電層
CL2:第二導電層
CL3:第三導電層
D1:第一距離
D2:第二距離
D3:第三距離
DE:汲極
DP:顯示面板
DR:顯示區
ED1:第一邊緣
ED2:第二邊緣
ED3:第三邊緣
ED4:第四邊緣
ED5:第五邊緣
EL1,EL2:電極
GE:閘極
IL1,IL2,IL3,IL4,IL5:絕緣層
LM:發光層
PDL:像素定義層
RS:凹槽區
SE:源極
SM:半導體層
SP,SP1,SP2:子像素
SR:感測區
TH1:第一穿孔
TH2:第二穿孔
TH3:第三穿孔
TH4:第四穿孔
TH5:第五穿孔
W1:第一最大寬度
W2:第二最大寬度
W3:第三最大寬度
W4:第四最大寬度
W5:第五最大寬度
X,Y,Z:方向

Claims (16)

  1. 一種顯示面板，所述顯示面板具有包含一感測區的一顯示區，且所述顯示面板包括：一基板；一半導體層，設置在所述基板上；一光阻擋層，設置在所述半導體層與所述基板之間，所述光阻擋層在所述感測區中具有至少一第一穿孔；以及一第一絕緣層，設置在所述半導體層上，所述第一絕緣層在所述感測區中具有至少一第二穿孔；其中所述至少一第一穿孔與所述至少一第二穿孔彼此重疊；以及其中，在所述顯示面板的剖面上，所述至少一第一穿孔的一者具有一第一邊緣，所述至少一第二穿孔的一者具有鄰近於所述第一邊緣的一第二邊緣，且所述第一邊緣與所述第二邊緣之間的一距離大於0；其中所述至少一第一穿孔的數量與所述至少一第二穿孔的數量不同。
  2. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述第一邊緣與所述第二邊緣之間的所述距離小於5微米(um)。
  3. 如請求項2所述的顯示面板，其中所述第一邊緣與所述第二邊緣之間的所述距離小於3微米。
  4. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述至少一第一穿孔的一第一最 大寬度小於所述至少一第二穿孔的一第二最大寬度。
  5. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述至少一第一穿孔的一第一最大寬度大於所述至少一第二穿孔的一第二最大寬度。
  6. 如請求項1所述的顯示面板，其中在所述顯示面板的俯視上，所述至少一第一穿孔具有一曲線邊緣。
  7. 如請求項1所述的顯示面板，其中在所述顯示面板的俯視上，所述至少一第二穿孔具有一曲線邊緣。
  8. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述第一邊緣與所述基板的一表面之間的角度不同於所述第二邊緣與所述基板的所述表面之間的角度。
  9. 如請求項1所述的顯示面板，還包括設置在所述第一絕緣層上的一第二絕緣層，其中所述第二絕緣層在所述感測區中具有一第三穿孔，且所述第三穿孔與所述至少一第二穿孔彼此重疊。
  10. 如請求項9所述的顯示面板，其中所述第一絕緣層的材料不同於所述第二絕緣層的材料。
  11. 如請求項9所述的顯示面板，還包括設置在所述第二絕緣層上的 一導電層，其中所述導電層在所述感測區中具有一第四穿孔，且所述第四穿孔與所述第三穿孔彼此重疊。
  12. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述光阻擋層的所述至少一第一穿孔包括多個第一穿孔，所述第一絕緣層的所述至少一第二穿孔包括多個第二穿孔，且所述多個第一穿孔分別重疊於所述多個第二穿孔。
  13. 如請求項12所述的顯示面板，其中所述多個第一穿孔的其中一個的面積不同於所述多個第一穿孔的其中另一個的面積。
  14. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述光阻擋層的所述至少一第一穿孔包括多個第一穿孔。
  15. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述第一絕緣層的所述至少一第二穿孔包括多個第二穿孔。
  16. 一種顯示裝置，包括：一感測元件；以及一顯示面板，具有包含一感測區的一顯示區，所述感測區重疊於所述感測元件，且所述顯示面板包括：一基板；一半導體層，設置在所述基板上； 一光阻擋層，設置在所述半導體層與所述基板之間，所述光阻擋層在所述感測區中具有至少一第一穿孔；以及一絕緣層，設置在所述半導體層上，所述絕緣層在所述感測區中具有至少一第二穿孔；其中所述至少一第一穿孔與所述至少一第二穿孔彼此重疊；以及其中，在所述顯示面板的剖面上，所述至少一第一穿孔的一者具有一第一邊緣，所述至少一第二穿孔的一者具有鄰近於所述第一邊緣的一第二邊緣，且所述第一邊緣與所述第二邊緣之間的一距離大於0；其中所述至少一第一穿孔的數量與所述至少一第二穿孔的數量不同。
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