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TWI869181B - 電漿處理裝置、電漿處理裝置用的耗損零件及零件製造方法 - Google Patents

電漿處理裝置、電漿處理裝置用的耗損零件及零件製造方法 Download PDF

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TWI869181B
TWI869181B TW113103058A TW113103058A TWI869181B TW I869181 B TWI869181 B TW I869181B TW 113103058 A TW113103058 A TW 113103058A TW 113103058 A TW113103058 A TW 113103058A TW I869181 B TWI869181 B TW I869181B
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plasma processing
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consumable
edge ring
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TW113103058A
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齋藤道茂
永關一也
金子彰太
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之目的在於修復耗損零件。 本發明提供一種在電漿處理裝置內使用之零件的形成方法，包含下列製程：一面按該零件之表面狀態，供給該零件之原料，一面對該原料照射能量射束。

Description

電漿處理裝置、電漿處理裝置用的耗損零件及零件製造方法
本揭示係有關於零件形成方法及基板處理系統。
隨著高深寬比之蝕刻及細微化的要求，以高功率施加偏壓電壓產生用射頻電力之電漿程序增加。根據此，提高基板上之離子的引入，而實現高深寬比之蝕刻及細微化(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開公報2015-43470號
[發明欲解決之問題]
然而，在此程序中，因矽、石英、碳化矽之零件或熱噴塗有該等材料之零件的耗損速率增大，此零件之壽命縮短。又，該等零件當耗損預定以上時，需更換為新品。因此，製作耗損商品之前置時間的增加便成為問題。
針對上述問題，在一觀點，以修復耗損零件為目的。 [解決問題之手段]
為解決上述問題，根據一態樣，提供一種零件形成方法，其係在電漿處理裝置內使用之零件的形成方法，包含下列製程：一面按該零件之表面狀態，供給該零件之原料，一面對該原料照射能量射束。 [發明之效果]
根據一觀點，可修復耗損零件。
[用以實施發明之形態]
以下，就用以實施本揭示之形態，參照圖式來說明。此外，在本說明書及圖式中，對實質上相同之結構，藉附上同一符號而省略重複之說明。
[電漿處理裝置] 首先，就電漿處理裝置1之一例，一面參照圖1，一面說明。本實施形態之電漿處理裝置1係電容耦合型(Capacitively Coupled Plasma：CCP)之平行板電漿處理裝置。電漿處理裝置1包含產生用以蝕刻晶圓W上之電漿的電漿產生機構。此外，電漿處理裝置1係包含配置於處理容器10之內部的零件而處理基板之基板處理系統的一例，該零件以一面按該零件之表面狀態供給該零件之原料，一面對該原料照射能量射束之製程形成。
電漿處理裝置1包含大約圓筒形處理容器10。於處理容器10之內面施行了鋁陽極氧化處理(陽極氧化處理)。在處理容器10之內部，對晶圓W以電漿進行蝕刻或成膜等電漿處理。
載置台20具有基台22及靜電吸盤21。可於靜電吸盤21之上面載置晶圓W。基台22由例如Al、Ti、SiC等形成。
於基台22上設有靜電吸盤21。靜電吸盤21為於絕緣體21b之間挾持有電極膜21a之構造。於電極膜21a藉由開關23連接有直流電源25。開關23啟動時，當從直流電源25對電極膜21a施加直流電壓，晶圓W便藉庫侖力靜電吸附於靜電吸盤21。
於晶圓W之周邊載置包圍晶圓W之圓環狀邊緣環87。邊緣環87由例如Si形成，在處理容器10中，使電漿往晶圓W之表面聚合，而使電漿處理之效率提高。
載置台20以支撐體14支撐於處理容器10之底部。於基台22之內部形成有使冷媒通過之流路24。從冷卻器輸出之例如冷卻水或鹵水等冷媒在冷媒入口配管24a→流路24→冷媒出口配管24b→冷卻器之路徑循環。以如此進行而循環之冷媒將載置台20除熱、冷卻。冷媒含有流體及氣體。
從傳熱氣體供給源供給之氦氣(He)或氬氣(Ar)等傳熱氣體通過氣體供給管路28而供至靜電吸盤21之上面與晶圓W的背面之間。藉此結構，可以在流路24循環之冷媒與供至晶圓W之背面的傳熱氣體將晶圓W控制為預定溫度。
第1射頻電源32藉由第1匹配器33連接於載置台20，而對載置台20施加第1頻率之電漿產生用射頻電力HF(例如40MHz)。又，第2射頻電源34藉由第2匹配器35連接於載置台20，而對載置台20施加低於第1頻率之第2頻率的偏壓電壓產生用射頻電力LF(例如13.56MHz)。如此進行，載置台20亦具有下部電極之功能。此外，在本實施形態中，將電漿產生用射頻電力HF對載置台20施加，亦可對噴頭40施加。
第1匹配器33使第1射頻電源32之輸出阻抗與電漿側之負載阻抗匹配。第2匹配器35使第2射頻電源34之內部阻抗與電漿側之負載阻抗匹配。
噴頭40安裝於處理容器10之頂部，藉由設於其外緣之圓筒狀遮蔽環42封閉頂部。噴頭40亦可以矽形成。噴頭40亦具有與載置台20(下部電極)對向之對向電極(上部電極)的功能。在噴頭40之周邊部，於遮蔽環42之下面配置有由石英(SiO 2)等形成之頂部遮蔽環41。
於載置台20之側面及邊緣環87的周邊配置有圓環狀罩環89及絕緣環86。罩環89及絕緣環86亦可以石英形成。
於噴頭40形成有氣體導入口45。於噴頭40之內部設有擴散室46。從氣體供給源15輸出之氣體經由氣體導入口45供至擴散室46，擴散後從多個氣體供給孔47供至處理容器10內之電漿處理空間U。
於處理容器10之底面形成有排氣口55。以連接於排氣口55之排氣裝置50將處理容器10內排氣及減壓。藉此，可將處理容器10內維持在預定真空度。於處理容器10之側壁設有閘閥G。閘閥G於對處理容器10搬入搬出晶圓W之際開閉。
於形成在排氣口55之上方的排氣路徑49之上部安裝有圓環狀擋板81，而分隔電漿處理空間U與排氣空間D，並且將氣體整流。
於電漿處理裝置1設有控制裝置全體之動作的第1控制部60。第1控制部60具有CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)62、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)64、及RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)66。CPU62根據儲存於RAM66等記憶區域之配方，執行蝕刻等電漿處理。於配方設定有對應程序條件之裝置的控制資訊亦即程序時間、壓力(氣體之排放)、射頻電力及電壓、各種氣體流量、處理容器內溫度(上部電極溫度、處理容器之側壁溫度、晶圓W溫度、靜電吸盤溫度等)、冷媒溫度等。此外，顯示該等程式及處理條件之配方亦可記憶於硬碟或半導體記憶體。又，配方亦可以收容於CD-ROM、DVD等可以電腦讀取之可攜性記錄媒體的狀態安裝於預定位置來讀取。
在此結構之電漿處理裝置1中，執行電漿處理之際，控制閘閥G之開閉，而將晶圓W搬入至處理容器10之內部，藉升降銷之升降將之載置於載置台20。從直流電源25對電極膜21a施加直流電壓，而將晶圓W靜電吸附、保持於靜電吸盤21。
電漿產生機構具有氣體供給源15、第1射頻電源32及第2射頻電源34。氣體供給源15輸出處理氣體，將之供至處理容器10內。第1射頻電源32對載置台20施加第1射頻電力。第2射頻電源34對載置台20施加第2射頻電力。藉此，電漿產生機構於電漿處理空間U產生電漿。藉所產生之電漿的作用，對晶圓W施行電漿處理。
於電漿處理後，從直流電源25對電極膜21a施加與吸附晶圓W時正負相反之直流電壓，而將晶圓W之電荷除電。藉升降銷之升降，將處理完畢之晶圓W從靜電吸盤21剝離，當開啟閘閥G時，便將之搬出至處理容器10之外部。
[3D列印機之結構] 接著，就3D列印機100之結構一例，一面參照圖2，一面說明。圖2顯示一實施形態之3D列印機100的結構之一例。本實施形態之3D列印機100係配置於處理容器10內來修復因電漿而耗損之零件(耗損零件)的裝置之一例。惟，修復耗損零件之裝置不限圖2所示之3D列印機100的結構。
又，在本實施形態中，以3D列印機100修復之耗損零件的一例舉邊緣環87為例來說明。然而，耗損零件不限於此，例如亦可為罩環89、絕緣環86、頂部遮蔽環41。耗損零件亦可為配置於電漿處理裝置1且可從電漿處理裝置1卸除之任何零件。
3D列印機100可在腔室110形成三維形狀之形塑物。在本實施形態中，預先進行邊緣環87之耗損部分的測定，依據其測定結果，使用3D列印機100，修復邊緣環87之耗損部分的三維形狀，而再形成邊緣環87。
修復之際，將邊緣環87載置於工作桌103具有之台102的載置面上。台102按邊緣環87之修復的進行，可升降成例如逐漸下降。
在本實施形態中，於原料儲存部107儲存有作為原料之SiC的粉末。原料只要與形成邊緣環87之材料相同即可。舉例而言，邊緣環87亦可以石英、Si、鎢其中任一者形成。此時，於原料儲存部107儲存石英、Si、鎢之粉末。又，原料不限粉末狀，亦可為線狀。圖2所示之SiC的粉末B從原料儲存部107供給，從原料供給頭105噴射至腔室110內，而用於邊緣環87之耗損的修復。原料儲存部107及原料供給頭105宜配置於腔室110之外部。
對腔室110內一面供給SiC之粉末B，一面照射能量射束，而使SiC之粉末B熔解。在本實施形態中，使用雷射光A(光學雷射)作為照射之能量射束。雷射光A從光源106輸出，照射至以二維掃描之雷射掃描裝置104定位的預定位置。光源106及雷射掃描裝置104宜配置於腔室110之外部。
雷射掃描裝置104使雷射光A在台102上至少於二維方向(XY)掃描。舉例而言，雷射掃描裝置104被控制成按邊緣環87之耗損狀態(耗損量、耗損位置(耗損區域)、耗損形狀等)，使雷射光A之照射點在台102上移動。具體而言，藉第2控制部150之控制，雷射掃描裝置104按邊緣環87之修復的進行，於二維(XY)方向掃描。舉例而言，在圖2之例中，以虛線E顯示邊緣環87之耗損狀態。3D列印機將此邊緣環87之耗損修復成原本之新品的狀態(亦即，虛線E之狀態)。
此時，由雷射掃描裝置104於二維方向掃描之雷射光A經由設於腔室110之頂部、例如台102之中心的正上方之雷射透過窗111，照射至台102上之照射區域。雷射光A在邊緣環87之上方將SiC之粉末B加熱(參照圖2之C)，使粉末B融解固化，而形成固化層D。藉固化層D積層於邊緣環87之上面而進行邊緣環87之修復及再形成。
雷射掃描裝置104及原料供給頭105藉第2控制部150將驅動部108驅動而移動至預定位置。亦可於腔室110設可進行惰性氣體之供給及腔室110內之排氣的設備。
第2控制部150具有CPU152、ROM154及RAM156。第2控制部150進行原料儲存部107及原料供給頭105之原料粉末的供給控制、台102之升降控制。又，第2控制部150進行光源106之點亮控制、雷射掃描裝置104之掃描控制及驅動部108之控制。藉此，第2控制部150控制邊緣環87之修復的動作。
CPU152執行之控制程式儲存於例如ROM154。CPU152藉依據儲存於例如RAM156之三維數據，執行控制程式，而控制邊緣環87之修復。此外，控制程式可儲存於固定之記錄媒體，亦可儲存於各種快閃記憶體或光(磁)碟等可裝卸且可以電腦讀取之記錄媒體。
再者，第2控制部150具有顯示器158及鍵盤或指向裝置等輸入裝置160。顯示器158用於顯示邊緣環87之修復進行狀態等。輸入裝置160用於邊緣環87之修復動作的開始、停止等指令及設定時之控制參數的輸入等。
邊緣環87之耗損狀態的測定以非接觸式三維掃描器200(以下僅稱為「三維掃描器200」。)進行。亦即，邊緣環87之耗損狀態以三維掃描器200測定，並將測定資訊發送至第2控制部150。第2控制部150於RAM156將測定資訊儲存為三維數據。
接著，就執行該製程前，以三維掃描器200所執行之邊緣環87之耗損狀態的測定製程作說明。
[三維掃描器之結構] 首先，就三維掃描器200之結構的一例，一面參照圖3，一面說明。圖3顯示一實施形態之三維掃描器200的結構之一例。本實施形態之三維掃描器200係測定邊緣環87之耗損狀態的裝置之一例，並不限此結構。
三維掃描器200具有測定台203、拍攝部201、驅動部202、檢測控制部204。檢測控制部204具有記憶部206及三維測定部208。於測定台203之載置面上載置邊緣環87。以虛線E顯示邊緣環87之耗損狀態。
拍攝部201與測定台203對向配置，而拍攝邊緣環87。驅動部202按來自檢測控制部204之指示，使拍攝部201於高度方向或水平方向移動。拍攝部201三維掃描邊緣環87之耗損狀態，而拍攝圖像資料。
將圖像資料轉送至檢測控制部204並記憶於記憶部206。三維測定部208從圖像資料與邊緣環87之新品時的狀態之差分，將邊緣環87之三維耗損狀態(三維之耗損量、耗損位置(耗損區域)、耗損形狀等)產生為三維數據。將三維數據發送至3D列印機100。
[三維掃描器之動作] 接著，就三維掃描器200之動作的一例，一面參照圖4，一面說明。圖4係顯示本實施形態之三維數據產生處理的一例之流程圖。本處理於以電漿處理裝置1進行電漿處理預定時間時，或配置於電漿處理裝置1之邊緣環87耗損預定以上時開始。邊緣環87之耗損程度亦可從處理之晶圓W的蝕刻形狀、蝕刻速率等蝕刻特性判定。將耗損之邊緣環87從電漿處理裝置1卸除，搬運至三維掃描器200(步驟S10)。
將邊緣環87載置於測定台203之載置面上。拍攝部201將邊緣環87三維掃描(步驟S10)。將所掃描之邊緣環87的圖像資料轉送至檢測控制部204。
三維測定部208從邊緣環87之圖像資料與邊緣環87之新品時的狀態之差分，產生顯示邊緣環87之三維的耗損量、耗損位置、耗損形狀等之三維數據(步驟S12)。三維測定部208將所產生之三維數據發送至3D列印機100(步驟S14)，結束本處理。
藉此，3D列印機100取得顯示邊緣環87之耗損狀態的三維數據，依據三維數據，進行邊緣環87之耗損部分的修復，而將邊緣環87再形成為原本之新品狀態。
[3D列印機之動作] 接著，就3D列印機100之動作的一例，一面參照圖5，一面說明。圖5係顯示本實施形態之零件的修復、形成處理之一例的流程圖。當開始本處理時，第2控制部150從三維掃描器200接收三維數據(步驟S20)。
接著，第2控制部150將三維數據記憶於RAM156等記憶部。第2控制部150依據三維數據，判定邊緣環87之耗損量是否超過閾值(步驟S22)。當第2控制部150判定邊緣環87之耗損量未超過閾值時，由於在此時間點，邊緣環87之耗損在預定以下，故判斷為亦可不進行修復，而結束本處理。
另一方面，在步驟S22，當第2控制部150判定邊緣環87之耗損量超過閾值時，判斷需要邊緣環87之修復，而將邊緣環87搬送至3D列印機100，將之載置於台102(步驟S24)。
接著，第2控制部150依據三維數據，控制驅動部108，使原料供給頭105與雷射掃描裝置104分別移動(步驟S26)。然後，第2控制部150一面從原料儲存部107供給原料亦即SiC之粉末B，一面照射雷射光A(步驟S28)。藉此，使SiC之粉末B融解(參照圖2之C)及固化，而於按邊緣環87之耗損狀態的位置形成固化層(參照圖2之D)。
之後，第2控制部150判定邊緣環87之耗損部分的修復是否完畢(步驟S30)。當第2控制部150判定邊緣環87之耗損部分的修復未完畢時，便返回至步驟S26，反覆進行步驟S26~S30之處理。另一方面，在步驟S30，當第2控制部150判定邊緣環87之耗損部分的修復完畢時，則結束本處理。
如以上所說明，在本實施形態的邊緣環87等零件之形成方法中，包含下述製程，前述製程係一面依據顯示零件之耗損狀態的三維數據，供給該零件之原料，一面對該原料照射能量射束。
根據此，可修復邊緣環87等零件。藉此，即使邊緣環87等零件耗損預定以上，亦不需將該零件更換為新品，而可使零件之耗費量降低。
又，修復對象之零件使用三維掃描器200測定耗損狀態。測定後，一面依據顯示零件之耗損狀態的三維數據，供給該零件之原料，一面照射能量射束而進行零件之修復。藉此，可謀求縮短零件之製作所花費的前置時間。
惟，在本實施形態的邊緣環87等零件之形成方法中，並不限一面依據顯示零件之耗損狀態的三維數據，供給該零件之原料，一面對該原料照射能量射束。舉例而言，不僅是電漿所致之零件的耗損，當因其他原因而要再形成邊緣環87時，亦可一面依據顯示該零件之表面狀態的三維數據，供給該零件之原料，一面照射能量射束而進行零件之再形成。
[3D列印機之種類] 此外，在本實施形態中，進行邊緣環87之修復的3D列印機100之一例適用指向性能量沉積型3D列印機。在指向性能量沉積型3D列印機，一面供給粉末狀或線狀原料，一面在腔室110內之空間以雷射光熔解原料，使熔解之原料沉積於零件之預定位置而進行零件之修復。然而，3D列印機100並不限此結構之3D列印機。
舉例而言，亦可使用粉體熔化成型之3D列印機。在粉體熔化成型之3D列印機，反覆進行將粉末狀原料舖滿台後以雷射光等熔解，再將粉末狀原料舖滿後以雷射光等熔解之作業而修復零件。修復零件之方法更亦可使用指向性能量沉積型及粉體熔化成型以外之3D列印機。前述以外之3D列印機可舉黏合劑噴射型3D列印機、疊層製造成型之3D列印機、光聚合固化(光固化)型3D列印機、材料擠製成型(熔融沉積成型)式3D列印機為例。
又，零件之材料為樹脂或氧化物等金屬以外之材料時，在3D列印機進行之一面供給金屬以外之原料，一面照射能量射束之製程中，使用紫外線及其他頻帶以外的光作為能量射束。藉此，根據本實施形態之零件形成方法，不僅是金屬材料之零件，亦可修復樹脂等金屬以外之材料的零件。零件之材料為金屬以外之材料時的3D列印機可舉以紫外線使從噴射頭噴射之金屬以外的材料固化而積層之材料噴射型3D列印機為例。
以上，以上述實施形態說明了零件形成方法及基板處理系統，本發明之零件形成方法及基板處理系統不限上述實施形態，在本發明之範圍內可進行各種變形及改良。上述複數之記載於實施形態的事項可在不矛盾之範圍組合。
舉例而言，在上述實施形態中，就包含測定邊緣環87之耗損狀態的製程、一面按所測定之邊緣環87的耗損狀態，供給邊緣環87之原料，一面對該原料照射能量射束之製程的邊緣環87之形成方法作了說明。然而，本發明不限於此，亦可包含測定邊緣環87之表面狀態的製程、及一面按所測定之邊緣環87的表面狀態，供給邊緣環87之原料，一面對該原料照射能量射束之製程。
舉例而言，邊緣環87等零件之表面狀態除了電漿所致之邊緣環87的耗損以外，亦包含傷痕或破損所致者。零件之表面有破損等時，亦是可測定包含破損部分之零件的表面狀態，依據測定結果，以本發明之零件形成方法，進行零件之修復或再形成。
本發明之電漿處理裝置不論Capacitively Coupled Plasma(CCP)(電容耦合電漿)、Inductively Coupled Plasma(ICP)(感應耦合電漿)、Radial Line Slot Antenna(放射狀線槽孔天線)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)(電子迴旋共振電漿)、Helicon Wave Plasma(HWP)(螺旋波電漿)哪種類型皆可適用。
在本說明書中，基板之一例舉了晶圓W來說明。然而，基板不限於此，亦可為用於LCD(Liquid Crystal Display：液晶顯示器)、FPD(Flat Panel Display：平板顯示器)之各種基板、CD基板、印刷基板等。
1:電漿處理裝置 10:處理容器 14:支撐體 15:氣體供給源 20:載置台 21:靜電吸盤 21a:電極膜 22:基台 23:開關 24:流路 24a:冷媒入口配管 24b:冷媒出口配管 25:直流電源 26:加熱器 28:氣體供給管路 32:第1射頻電源 33:第1匹配器 34:第2射頻電源 35:第2匹配器 40:噴頭 41:頂部遮蔽環 42:遮蔽環 45:氣體導入口 47:氣體供給孔 49:排氣路徑 50:排氣裝置 55:排氣口 60:第1控制部 62:CPU 64:ROM 66:RAM 81:擋板 86:絕緣環 87:邊緣環 89:罩環 100:3D列印機 102:台 103:工作桌 104:雷射掃描裝置 105:原料供給頭 106:光源 107:原料儲存部 108:驅動部 110:腔室 150:第2控制部 152:CPU 154:ROM 156:RAM 158:顯示器 160:輸入裝置 200:3D掃描器 201:拍攝部 202:驅動部 203:測定台 204:檢測控制部 206:記憶部 208:三維測定部 A:雷射光 B:SiC之粉末 C:加熱SiC之粉末 D:排氣空間(圖1) D:固化層(圖2) E:虛線(邊緣環之耗損狀態) G:閘閥 S10:步驟 S12:步驟 S14:步驟 S20:步驟 S22:步驟 S24:步驟 S26:步驟 S28:步驟 S30:步驟 U:電漿處理空間 W:晶圓
圖1係顯示一實施形態之電漿處理裝置的一例之圖。 圖2係顯示一實施形態之3D列印機的結構之一例的圖。 圖3係顯示一實施形態之三維掃描器的結構之一例的圖。 圖4係顯示一實施形態之三維數據產生處理的一例之流程圖。 圖5係顯示一實施形態之零件修復、形成處理的一例之流程圖。
S20:步驟
S22:步驟
S24:步驟
S26:步驟
S28:步驟
S30:步驟

Claims (18)

  1. 一種電漿處理裝置，包括： 電漿處理容器；及 耗損零件，配置於該電漿處理容器內； 該耗損零件包含修復部，該修復部係藉由依據電漿處理後的耗損部分的三維數據照射能量射束而形成。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中， 該能量射束的照射，係按該耗損零件的電漿處理後的耗損狀態與該耗損部分的耗損量的閾值而決定。
  3. 如請求項2之電漿處理裝置，其中， 該耗損狀態係耗損量、耗損位置或耗損形狀。
  4. 如請求項1～3中任一項之電漿處理裝置，其中， 該耗損零件係以石英、SiC、Si、鎢其中任一者形成。
  5. 如請求項1～3中任一項之電漿處理裝置，其中， 該能量射束，於該耗損零件為金屬時係光學雷射或電子束，而於該耗損零件為該金屬以外時則係紫外線。
  6. 如請求項1～3中任一項之電漿處理裝置，其中， 該耗損零件係邊緣環、罩環、絕緣環及頂部遮蔽環其中至少任一者。
  7. 一種電漿處理裝置用的耗損零件，其配置於電漿處理容器內， 該耗損零件包含修復部，該修復部係藉由依據電漿處理後的耗損部分的三維數據照射能量射束而形成。
  8. 如請求項7之電漿處理裝置用的耗損零件，其中， 該能量射束的照射，係按該耗損零件的電漿處理後的耗損狀態與該耗損部分的耗損量的閾值而決定。
  9. 如請求項8之電漿處理裝置用的耗損零件，其中， 該耗損狀態係耗損量、耗損位置或耗損形狀。
  10. 如請求項7～9中任一項之電漿處理裝置用的耗損零件，其中， 該耗損零件係以石英、SiC、Si、鎢其中任一者形成。
  11. 如請求項7～9中任一項之電漿處理裝置用的耗損零件，其中， 該能量射束，於該耗損零件為金屬時係光學雷射或電子束，而於該耗損零件為該金屬以外時則係紫外線。
  12. 如請求項7～9中任一項之電漿處理裝置用的耗損零件，其中， 該耗損零件係邊緣環、罩環、絕緣環及頂部遮蔽環其中至少任一者。
  13. 一種零件製造方法，該零件係配置於電漿處理容器內，該零件製造方法包含下述製程： 藉由依據電漿處理後的耗損部分的三維數據照射能量射束，而形成修復部。
  14. 如請求項13之零件製造方法，其中， 該能量射束的照射，係按該零件的電漿處理後的耗損狀態與該耗損部分的耗損量的閾值而決定。
  15. 如請求項14之零件製造方法，其中， 該耗損狀態係耗損量、耗損位置或耗損形狀。
  16. 如請求項13～15中任一項之零件製造方法，其中， 該零件係以石英、SiC、Si、鎢其中任一者形成。
  17. 如請求項13～15中任一項之零件製造方法，其中， 該能量射束，於該零件為金屬時係光學雷射或電子束，而於該零件為該金屬以外時則係紫外線。
  18. 如請求項13～15中任一項之零件製造方法，其中， 該零件係邊緣環、罩環、絕緣環及頂部遮蔽環其中至少任一者。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7096079B2 (ja) * 2018-06-15 2022-07-05 キオクシア株式会社 プラズマ処理装置の再生装置
US11913777B2 (en) * 2019-06-11 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Detector for process kit ring wear
CN116230481B (zh) * 2021-12-03 2025-09-16 成都高真科技有限公司 一种用于晶圆刻蚀的高度可控边缘环组件及处理腔结构
KR20250048009A (ko) 2022-08-01 2025-04-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 고순도 실리콘의 적층 조형 방법, 반도체 제조 장치용 부품의 적층 조형 방법, 반도체 제조 장치용 부품 및 반도체 제조 장치용 부품의 형성 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020072240A1 (en) * 2000-12-07 2002-06-13 Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. Plasma etching apparatus with focus ring and plasma etching method
CN104159727A (zh) * 2011-12-16 2014-11-19 艾伦·厄尔德曼 用于翻新轮胎的设备和方法
CN104674210A (zh) * 2013-12-02 2015-06-03 齐欢 一种工件激光自动化修复方法
TW201636192A (zh) * 2015-02-06 2016-10-16 應用材料股份有限公司 針對更低薄膜應力及更低操作溫度而配置的３ｄ列印腔室元件
TW201640556A (zh) * 2015-01-28 2016-11-16 蘭姆研究公司 用於半導體製造腔室中之可消耗零件的剩餘使用壽命的估計
TW201641744A (zh) * 2015-05-07 2016-12-01 應用材料股份有限公司 腔室組件之腐蝕控制

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3388421B2 (ja) * 1996-11-26 2003-03-24 大日本印刷株式会社 フォトマスクの残留欠陥修正方法
KR101005983B1 (ko) * 2000-12-12 2011-01-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치의 재생 방법, 플라즈마 처리 용기의 내부 부재의 재생 방법, 및 플라즈마 처리 장치
JP4286025B2 (ja) * 2003-03-03 2009-06-24 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 石英治具の再生方法、再生使用方法および半導体装置の製造方法
JP5595795B2 (ja) * 2009-06-12 2014-09-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法
JP5662079B2 (ja) 2010-02-24 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法
JP2011210853A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Tokyo Electron Ltd 消耗量測定方法
JP2012049220A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 耐プラズマ部材およびその再生方法
JP6017936B2 (ja) * 2012-11-27 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN104851775A (zh) * 2014-02-13 2015-08-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种修复位于有源区衬底上损伤的方法
KR102401501B1 (ko) * 2014-12-19 2022-05-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링
CN105147416A (zh) * 2015-09-23 2015-12-16 深圳市艾科赛龙科技有限公司 一种组织器官缺损部位弥合物构建方法及构建系统
DE102016203094B4 (de) * 2016-02-26 2022-02-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum dauerhaften Reparieren von Defekten fehlenden Materials einer photolithographischen Maske
KR101671671B1 (ko) * 2016-05-25 2016-11-01 주식회사 티씨케이 반도체 제조용 부품의 재생방법과 그 재생장치 및 재생부품
US20180061696A1 (en) * 2016-08-23 2018-03-01 Applied Materials, Inc. Edge ring or process kit for semiconductor process module
JP2018032721A (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のメンテナンス方法
CN106729988A (zh) * 2017-01-12 2017-05-31 广东泰宝医疗器械技术研究院有限公司 一种具有抗菌性能的3d打印骨修复支架及其制备方法
CN109290569B (zh) * 2017-07-24 2024-04-19 通用电气技术有限公司 用于通过增材制造修理部件的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020072240A1 (en) * 2000-12-07 2002-06-13 Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. Plasma etching apparatus with focus ring and plasma etching method
CN104159727A (zh) * 2011-12-16 2014-11-19 艾伦·厄尔德曼 用于翻新轮胎的设备和方法
CN104674210A (zh) * 2013-12-02 2015-06-03 齐欢 一种工件激光自动化修复方法
TW201640556A (zh) * 2015-01-28 2016-11-16 蘭姆研究公司 用於半導體製造腔室中之可消耗零件的剩餘使用壽命的估計
TW201636192A (zh) * 2015-02-06 2016-10-16 應用材料股份有限公司 針對更低薄膜應力及更低操作溫度而配置的３ｄ列印腔室元件
TW201641744A (zh) * 2015-05-07 2016-12-01 應用材料股份有限公司 腔室組件之腐蝕控制

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