JP2018032721A - プラズマ処理装置のメンテナンス方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理装置の可用性を向上させ、ウエハ全体に施こされるプラズマ処理の均一性を確保する。
【解決手段】下部電極に高分子シートを介して貼り付けられたフォーカスリングを交換するプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって、フォーカスリングが消耗したか否かを判定する交換判定ステップＳ１０と、高分子シートの厚さが増すように高分子シートを加熱することにより、フォーカスリングの上面の高さを上昇させる上昇ステップＳ１４と、フォーカスリングを交換する交換ステップＳ１８と、を有する。上昇ステップは、交換判定ステップＳ１０にてフォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行され、交換ステップＳ１８は、上昇ステップの実行後に交換判定ステップＳ１２にてフォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行される。
【選択図】図４

Description

本開示は、プラズマ処理装置のメンテナンス方法に関する。

半導体デバイスといった電子デバイスの製造においてはプラズマ処理装置が利用されている。特許文献１記載のプラズマ処理装置は、ウエハを載置する載置台上にウエハの周囲を囲むように配置されるフォーカスリングを備える。フォーカスリングを備えることにより、ウエハの上方に生じるプラズマの分布域をウエハ上だけでなくフォーカスリング上にまで拡大させることができる。これにより、ウエハ全体に施されるプラズマ処理の均一性を確保することができる。

ウエハ及びフォーカスリングは、プラズマに晒されるため、温度上昇する。また、ウエハとフォーカスリングとの間に温度差がある場合、プラズマ処理の不均一性の一因ともなる。このため、ウエハ及びフォーカスリングの温度は、それらを支持する載置台の温度を制御することによって制御される。

載置台とフォーカスリングとの間には、シリコンゴム等の高分子シートが配置されている。これにより、載置台とフォーカスリングとの密着性が高まり、熱伝達効果が向上するため、フォーカスリングの温度を精度良く制御することができる。

特開２０１４−１４３２８３号公報

ところで、特許文献１記載の装置のようにプラズマを用いたプラズマ処理装置においては、フォーカスリングが使用に応じて消耗する。この場合、フォーカスリングの上面の高さが除々に低くなり、フォーカスリングの上面とウエハの上面との高さの連続性が失われる。これにより、ウエハのエッジ部分に入射するイオンが増大し、ウエハ全体に施されるプラズマ処理の均一性が低下するおそれがある。このため、プラズマを用いたプラズマ処理装置においては、使用に応じてフォーカスリングを交換するなどのメンテナンスが必要となる。本技術分野においては、プラズマ処理装置の可用性を向上させることができるメンテナンス方法が望まれている。

本発明の一形態に係るプラズマ処理装置のメンテナンス方法は、下部電極に高分子シートを介して貼り付けられたフォーカスリングを交換する方法であって、フォーカスリングが消耗したか否かを判定する交換判定ステップと、高分子シートの厚さが増すように高分子シートを加熱することにより、フォーカスリングの上面の高さを上昇させる上昇ステップと、フォーカスリングを交換する交換ステップと、を有し、上昇ステップは、交換判定ステップにてフォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行され、交換ステップは、上昇ステップの実行後に交換判定ステップにてフォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行される。

このメンテナンス方法においては、フォーカスリングが消耗したと判定された場合、直ぐにフォーカスリングを交換するのではなく、高分子シートの厚さが増すように高分子シートを加熱することにより、フォーカスリングの上面の高さを上昇させる。つまり、加熱により高分子シートの厚さを増すことによって、消耗により低くなったフォーカスリングの上面を上昇させて元の高さに近づけることができる。フォーカスリングの上面とウエハの上面との高さの連続性が修復されることにより、フォーカスリングの機能が回復するため、フォーカスリングの交換の時期を先延ばしにすることができる。よって、プラズマ処理装置の可用性を向上させることができる。

一実施形態において、高分子シートは、シリコンゴムを含み、上昇ステップにおいては、高分子シートの温度が２００℃〜３００℃となるように高分子シートを加熱してもよい。シリコンゴムは２００℃〜３００℃で加熱されると膨張するため、高分子シートの温度が２００℃〜３００℃となるように高分子シートを加熱することで、フォーカスリングの上面を上昇させることができる。

一実施形態において、上昇ステップは、高分子シートの温度が第１の温度範囲となるように高分子シートを加熱することにより、フォーカスリングの上面の高さを上昇させる第１上昇ステップと、高分子シートの温度が第１の温度範囲よりも高い第２の温度範囲となるように高分子シートを加熱することにより、フォーカスリングの上面の高さを上昇させる第２上昇ステップと、を含み、第１上昇ステップは、交換判定ステップにてフォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行され、第２上昇ステップは、第１上昇ステップの実行後において交換判定ステップにてフォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行され、交換ステップは、第２上昇ステップの実行後に交換判定ステップにてフォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行されてもよい。

高分子シートは、一般的に熱膨張特性を有する。高分子シートの熱膨張特性の想定されるメカニズムは以下のとおりである。高分子シートは、一般的に主鎖及び側鎖を備えており、主鎖又は側鎖が切れることにより、膨張すると考えられる。ここで、主鎖が切れる温度と側鎖が切れる温度とは異なる。つまり、高分子シートは、第１温度で膨張し、第１温度よりも高い第２温度で膨張するという、二段階で膨張する特性を有すると想定される。上記特性に着目し、一実施形態では、第１上昇ステップにて一段階目の膨張を利用してフォーカスリングの上面とウエハの上面との高さの連続性を修復する。その後の使用により、フォーカスリングが消耗したと判定された場合に、第２上昇ステップにて二段階目の膨張を利用してフォーカスリングの上面とウエハの上面との高さの連続性を修復する。このように、上昇ステップを二段階のステップとすることにより、フォーカスリングの交換の時期をさらに先延ばしにすることができる。よって、プラズマ処理装置の可用性をさらに向上させることができる。

一実施形態においては、上昇ステップでは、プラズマの熱によって高分子シートを加熱してもよい。この場合、プラズマ処理装置に加熱装置を備える必要がないため、簡易な構成でプラズマ処理装置の可用性を向上させることができる。一実施形態においては、上昇ステップでは、ヒータの熱によって高分子シートを加熱してもよい。この場合、フォーカスリングの温調機能を有するプラズマ処理装置において当該方法を容易に実行することができる。

以上説明したように、プラズマ処理装置の可用性を向上させることが可能となる。

第１実施形態に係るメンテナンス方法が適用されるプラズマ処理装置を示す図である。 載置台の詳細を説明する図である。 ヒータを説明する図である。 第１実施形態に係るメンテナンス方法を説明するフローチャートである。 フォーカスリングの上面の高さを説明する図である。 高分子シートの加熱発生ガス分析の測定例である。 第２実施形態に係るメンテナンス方法を説明するフローチャートである。 上昇量と高分子シートの温度との関係を示すグラフである。 上昇量とプラズマ連続照射時間及びプラズマ総照射時間との関係を示すグラフである。 上昇量とＲＦパワーとの関係を示すグラフである。 上昇量と処理時間との関係を示すグラフである。 エッチングレートの回復を確認した結果である。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

［第１実施形態］
図１は、一実施形態に係るメンテナンス方法が適用されるプラズマ処理装置１０を示す図である。図１に示されるプラズマ処理装置１０は、容量結合型プラズマエッチング装置であり、略円筒状の処理容器１２を備えている。処理容器１２の内壁面は、陽極酸化処理されたアルミニウムから構成されている。この処理容器１２は保安接地されている。

処理容器１２の底部上には、絶縁材料から構成された略円筒上の支持部１４が設けられている。支持部１４は、処理容器１２内において、処理容器１２の底部から鉛直方向に延在している。支持部１４は、処理容器１２内に設けられた載置台ＰＤを支持している。具体的には、図１に示されるように、支持部１４は、当該支持部１４の内壁面において載置台ＰＤを支持し得る。

載置台ＰＤは、その上面においてウエハＷを保持する。載置台ＰＤは、下部電極ＬＥ及び静電チャックＥＳＣを有している。

図２は、載置台ＰＤの詳細を説明する図である。図２に示されるように、下部電極ＬＥは、例えばアルミアルミニウム等の金属から構成されており、略円盤形状をなしている。下部電極ＬＥの上面上には、静電チャックＥＳＣが設けられている。静電チャックＥＳＣは、導電膜である電極２０を一対の絶縁層２１ａ、２１ｂ（又は一対の絶縁シート）間に配置した構造を有している。静電チャックＥＳＣの電極２０には、直流電源２２（図１参照）が電気的に接続されている。静電チャックＥＳＣは、直流電源２２からの直流電圧により生じたクーロン力等の静電力によりウエハＷを吸着することにより、ウエハＷを保持することができる。

静電チャックＥＳＣは、表面２１ｓを有している。この表面２１ｓは、下部電極ＬＥに接する下面２１ｕとは反対側の面である。表面２１ｓは、底面２１ｔ及び複数の凸部２１ｐを有している。複数の凸部２１ｐは、略円柱形状を有しており、底面２１ｔから上方に突出するように構成されている。また、複数の凸部２１ｐは、静電チャックＥＳＣの表面２１ｓにおいて分散配置されている。ウエハＷは、静電チャックＥＳＣの複数の凸部２１ｐの頂部に裏面Ｗｂが接するように載置される。静電チャックＥＳＣの表面２１ｓは、ガス供給ライン２８（図１）に接続されている。ガス供給ライン２８は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャックＥＳＣの表面２１ｓとウエハＷの裏面Ｗｂとの間に供給する。

下部電極ＬＥの周縁部上には、ウエハＷのエッジ及び静電チャックＥＳＣを囲むようにフォーカスリングＦＲが配置されている。フォーカスリングＦＲは、エッチングの均一性を向上させるために設けられている。フォーカスリングＦＲは、エッチング対象の膜の材料によって適宜選択される材料から構成されており、例えば、石英から構成され得る。

フォーカスリングＦＲは、高分子シート１６を介して下部電極ＬＥの周縁部上に配置されている。高分子シート１６は、下部電極ＬＥとフォーカスリングＦＲとの密着性を高め、熱伝達効果を向上させるために設けられている。高分子シート１６は、ウエハＷの周囲を囲むように載置される円環状の形状を有する。高分子シート１６は、プラズマ処理装置１０を用いたプラズマ処理時にプラズマに曝されないように、フォーカスリングＦＲに覆われる。高分子シート１６は、例えばシリコンゴムなどの樹脂で形成される。シリコンゴムは、主骨格がシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合）で結合された高分子ゴムであり、通常、側鎖としてはメチル基が結合される。

なお、高分子シート１６は、下部電極ＬＥとフォーカスリングＦＲとの間に配置されていればよく、下部電極ＬＥとフォーカスリングＦＲとの両方に密着している必要はない。つまり、下部電極ＬＥとフォーカスリングＦＲとの間に高分子シート１６以外の部材が介在してもよい。

下部電極ＬＥの内部には、冷媒流路２４が設けられている。冷媒流路２４は、温調機構を構成している。冷媒流路２４には、外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａ（図１参照）を介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給された冷媒は、配管２６ｂ（図１参照）を介してチラーユニットに戻される。このように、冷媒流路２４には、冷媒が循環するよう、供給される。この冷媒の温度を制御することにより、静電チャックＥＳＣによって支持されたウエハＷの温度、及びフォーカスリングＦＲの温度が制御される。

載置台ＰＤには、ヒータが設けられていてもよい。図３は、ヒータを説明する図である。図３の（Ａ）に示される例では、ヒータ９０がフォーカスリングＦＲの直下の下部電極ＬＥの内部に設けられている。図３の（Ｂ）に示される例では、高分子シート１６と下部電極ＬＥとの間にスペーサＳＰが配置されており、スペーサＳＰの内部にヒータ９０が設けられている。ヒータ９０には、図示しない直流電源が接続され、電流に応じて発熱する。ヒータ９０から発生した熱は、高分子シート１６及びフォーカスリングＦＲに伝導する。

図１に戻り、プラズマ処理装置１０は、上部電極３０を備えている。上部電極３０は、載置台ＰＤの上方において、当該載置台ＰＤと対向配置されている。下部電極ＬＥと上部電極３０とは、互いに略平行に設けられている。これら上部電極３０と下部電極ＬＥとの間には、ウエハＷにプラズマ処理を行うための処理空間Ｓが画成されている。

上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、処理容器１２の上部に支持されている。この上部電極３０は、電極板３４及び電極支持体３６を含み得る。電極板３４は、処理空間Ｓに面しており、複数のガス吐出孔３４ａを画成している。この電極板３４は、一実施形態では、シリコンから構成されている。

電極支持体３６は、電極板３４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。この電極支持体３６は、水冷構造を有し得る。電極支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。このガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂが下方に延びている。また、電極支持体３６には、ガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、このガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。

ガス供給管３８には、バルブ群４２及び流量制御器群４４を介して、ガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０は、複数のガスソースを含んでもよい。流量制御器群４４は、複数の流量制御器を含んでもよい。複数の流量制御器は、対応するガスソースから供給されるガスの流量を制御する。これら流量制御器は、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）であってもよく、ＦＣＳであってもよい。バルブ群４２は、複数のバルブを含んでもよい。複数のガスソースはそれぞれ、流量制御器及びバルブを介して、ガス供給管３８に接続されている。ガスソースのガスは、ガス供給管３８からガス拡散室３６ａに至り、ガス通流孔３６ｂ及びガス吐出孔３４ａを介して処理空間Ｓに吐出される。

プラズマ処理装置１０は、接地導体１２ａを更に備え得る。接地導体１２ａは、略円筒状をなしており、処理容器１２の側壁から上部電極３０の高さ位置よりも上方に延びるように設けられている。

また、プラズマ処理装置１０では、処理容器１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、処理容器１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材にＹ_２Ｏ_３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。

処理容器１２の底部側においては、支持部１４と処理容器１２の内壁との間に排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ_２Ｏ_３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。この排気プレート４８の下方において処理容器１２には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器１２内を所望の真空度まで減圧することができる。また、処理容器１２の側壁にはウエハＷの搬入出口１２ｇが設けられており、この搬入出口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。

処理容器１２の内壁には、導電性部材（ＧＮＤブロック）５６が設けられている。導電性部材５６は、高さ方向においてウエハＷと略同じ高さに位置するように、処理容器１２の内壁に取り付けられている。この導電性部材５６は、グランドにＤＣ的に接続されており、異常放電防止効果を発揮する。なお、導電性部材５６はプラズマ生成領域に設けられていればよく、その設置位置は図１に示された位置に限られるものではない。

また、プラズマ処理装置１０は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を更に備えている。第１の高周波電源６２は、プラズマ生成用の第１の高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電力を発生する電源であり、２７〜１００ＭＨｚの周波数、一例においては４０ＭＨｚの高周波電力を発生する。第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して下部電極ＬＥに接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（下部電極ＬＥ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。

第２の高周波電源６４は、ウエハＷにイオンを引き込むための第２の高周波電力、即ち高周波バイアス電力を発生する電源であり、４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数、一例においては３．２ＭＨｚの高周波電力を発生する。第２の高周波電源６４は、整合器６８を介して下部電極ＬＥに接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極ＬＥ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。

なお、プラズマ処理装置１０は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４の２周波である必要はなく、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４の何れか一方のみを備えてもよい。

また、プラズマ処理装置１０は、直流電源７０を更に備え得る。直流電源７０は、上部電極３０に接続されている。直流電源７０は、負の直流電圧を発生し、当該直流電圧を上部電極３０に与えることが可能である。直流電源７０に負の直流電圧が与えられると、処理空間Ｓに存在する正イオンが、電極板３４に衝突する。これにより、電極板３４からシリコンが放出される。放出されたシリコンは、ウエハＷの表面に堆積して、ハードマスクを保護し得る。

また、一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、制御部Ｃｎｔを更に備え得る。この制御部Ｃｎｔは、プラズマ処理装置１０の各部を統括制御する。制御部Ｃｎｔは、ＣＰＵといったプロセッサ、ユーザインタフェース、及び、記憶部を備え得る。

プロセッサは、記憶部に記憶されたプログラム及びプロセスレシピを実行することにより、流量制御器群４４、バルブ群４２及び排気装置５０に制御信号を送出し、エッチング時に処理ガスが処理容器１２内に供給され、且つ、当該処理容器１２内の圧力が設定された圧力となるように、制御を実行する。また、プロセッサは、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４、並びに、直流電源７０に制御信号を送出し、第１の高周波電源６２の高周波電力の大きさ、第２の高周波電源６４の大きさ、直流電源７０の直流電圧の大きさを制御することができる。また、プロセッサは、記憶部に種々の測定値などを記憶する。

ユーザインタフェースは、工程管理者がプラズマ処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボード又はタッチパネル、プラズマ処理装置１０の稼働状況等を可視化して表示するディスプレイ等を含んでいる。

記憶部には、プラズマ処理装置１０で実行される各種処理をプロセッサの制御によって実現するための制御プログラム（ソフトウエア）、及び、処理条件データ等を含むプロセスレシピ、メンテナンス用のレシピ等が保存されている。プロセッサは、ユーザインタフェースからの指示等、必要に応じて、各種の制御プログラムを記憶部から呼び出して実行する。このようなプロセッサの制御下で、プラズマ処理装置１０において所望の処理が実行される。また、記憶部には、実行済みのプロセスレシピ（プロセス条件）に対応する監視結果が関連付けられて記憶されていてもよい。

次に、一実施形態に係るメンテナンス方法を説明する。このメンテナンス方法は、下部電極ＬＥに高分子シート１６を介して貼り付けられたフォーカスリングＦＲを交換する方法である。図４は、一実施形態に係るメンテナンス方法を説明するフローチャートである。図４に示されるフローチャートは、例えば、プラズマ処理装置１０のプロセスレシピ実行後のタイミングで実行され得る。フローチャートは、制御部Ｃｎｔによって実行される。

図４に示されるように、最初に、制御部Ｃｎｔは、判定処理（Ｓ１０：交換判定ステップ）として、フォーカスリングＦＲが消耗したか否かを判定する。例えば、制御部Ｃｎｔは、フォーカスリングＦＲの基準状態と判定処理実行時（又はプロセス処理実行時）のフォーカスリングＦＲの状態とを比較することでフォーカスリングＦＲが消耗したか否かを判定する。フォーカスリングＦＲの基準状態とは、初期導入時又は前回メンテナンス終了時のフォーカスリングＦＲの物性値又は配置位置である。つまり、新品のフォーカスリングＦＲの物性値又は配置位置である。物性値は、例えば、厚さ、重量、抵抗値などである。配置位置は、例えばフォーカスリングＦＲの上面の高さである。新品のフォーカスリングＦＲの物性値又は配置位置は記憶部に記憶されている。フォーカスリングＦＲの判定処理実行時（又はプロセス処理実行時）の状態は、図示しない赤外線レーザ、重量測定器、抵抗測定器などにより取得され、記憶部に記憶されている。制御部Ｃｎｔは、比較結果に基づいてフォーカスリングＦＲが消耗したか否かを判定する。例えば、制御部Ｃｎｔは、閾値以上の差分が検出されたときに、フォーカスリングＦＲが消耗したと判定する。一般的に、０．３ｍｍ程度消耗した場合、フォーカスリングＦＲは交換する必要がある。

図５は、フォーカスリングの上面の高さを説明する図である。図５の（Ａ）は、初期状態（新品）のフォーカスリングＦＲの上面ＦＲａの高さを示す。図５の（Ｂ）に示されるように、プラズマ処理を繰り返すうちにフォーカスリングＦＲが消耗する。図中では、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａが削られて、高さが低くなっている（消耗量ｈ１）。制御部Ｃｎｔは、消耗量ｈ１が閾値（例えば０．３ｍｍ）以上になった場合、フォーカスリングＦＲが消耗したと判定する。

制御部Ｃｎｔは、フォーカスリングＦＲが消耗したことに起因する現象に基づいて、フォーカスリングＦＲが消耗したか否かを判定してもよい。例えば、制御部Ｃｎｔは、プロセス結果に基づいてフォーカスリングＦＲが消耗したか否かを判定する。プロセス結果とは、例えばエッチングレートの面内分布、ホール形状の面内分布などである。具体的には、制御部Ｃｎｔは、ウエハ位置とエッチングレートとの関係と、初期導入時又は前回メンテナンス終了時におけるウエハ位置とエッチングレートとの関係と、を比較してフォーカスリングＦＲが消耗したか否かを判定する。ウエハ位置とエッチングレートとの関係と、初期導入時又は前回メンテナンス終了時におけるウエハ位置とエッチングレートとの関係と、は記憶部に記憶されている。例えば、制御部Ｃｎｔは、閾値以上の差分が検出されたときに、フォーカスリングＦＲが消耗したと判定する。

図４に戻り、制御部Ｃｎｔは、判定処理（Ｓ１０）においてフォーカスリングＦＲが消耗したと判定された場合、判定処理（Ｓ１２：上昇判定ステップ）として、後述するフォーカスリングＦＲの上昇処理を実行済みであるか否かを判定する。後述のとおり、上昇処理は非可逆的かつ上昇値に上限が存在するためである。制御部Ｃｎｔは、記憶部に記憶された後述する処理フラグを参照し、フォーカスリングＦＲの上昇処理を実行済みであるか否かを判定する。

制御部Ｃｎｔは、判定処理（Ｓ１２）においてフォーカスリングＦＲの上昇処理を実行済みでないと判定された場合、フォーカスリングＦＲの上昇処理（Ｓ１４：上昇ステップ）として、高分子シート１６の厚さが増すように高分子シート１６を加熱することにより、フォーカスリングＦＲの上面の高さを上昇させる。

ここで、高分子シート１６の物性について説明する。高分子シート１６は、熱膨張特性を有する。高分子シート１６の熱膨張特性は、以下のメカニズムで発生していると想定される。

高分子シート１６の材料であるシリコンゴムは、主鎖がシロキサン結合であり、側鎖がメチル基である。シリコンゴムは、加熱すると、シロキサン結合又はメチル基の結合が熱劣化により切断される。図６は、高分子シートの加熱発生ガス分析の測定例である。加熱発生ガス分析とは、分析対象物（本実施形態においては高分子シート）を加熱した場合に、発生するガス種の発生速度を時間の関数として追跡する手法であり、図６の横軸は温度を示し、図６の縦軸は各温度におけるガス種の発生速度を示す。また、図６におけるガス種類は、実線がメタンガスであり、破線が二酸化炭素ガスであり、点線がトリメチルシラノールであり、一点鎖船がシロキサン化合物である。なお、高分子シートとしては、主鎖がシロキサン結合で結合され、側鎖にメチル基を有するシリコンゴムを使用している。

図６に示されるように、シリコンゴムを常温から加熱した場合、１４０℃前後で二酸化炭素ガスの発生が開始する。二酸化炭素ガスの発生は、シリコンゴムにおける側鎖の切断を意味する。その後、２１０℃前後でシロキサン化合物の発生が開始する。このシロキサン化合物の発生は、シリコンゴムの主鎖であるシロキサン結合が切断されたことを意味する。このように、シリコンゴムは、熱劣化により最初に側鎖が切断される。これにより、主鎖に多数の架橋が生成される。架橋は再結合するものの、結合角が変化してシロキサン構造を維持しにくくなるため、ポリマー構造が崩れ、膨張する傾向になる。さらに温度を上昇させると、主鎖であるシロキサン結合が熱劣化により切断され、ポリマー構造の崩壊が加速し、さらなる膨張が進行する。このように、高分子シート１６は、側鎖が切断される第１温度（１４０℃前後）で膨張し、主鎖が切断される第２温度（２１０℃前後）でさらに膨張するという、二段階で膨張する特性を有すると予想される。また、結合の切断によって膨張は生じるため、高分子シート１６の膨張は非可逆的かつ上昇量に上限が存在すると考えられる。さらに、膨張は材料に起因しているため、再現性に優れていると考えられる。これらの予想される特性は、高分子シート１６の熱膨張が制御しやすいことを示している。

図４に戻り、制御部Ｃｎｔは、フォーカスリングＦＲの上昇処理（Ｓ１４）として、高分子シート１６の温度が２００℃〜３００℃となるように高分子シート１６を加熱する。高分子シート１６に含まれるシリコンゴムは、２００℃〜３００℃に加熱された場合、膨張するためである。なお、制御部Ｃｎｔは、高分子シート１６の温度を２００℃〜３００℃に所定時間保ってもよい。加熱保持時間は任意に設定することができる。

制御部Ｃｎｔは、種々の手法で高分子シート１６を加熱することができる。例えば、制御部Ｃｎｔは、プラズマの熱によって高分子シート１６を加熱する。制御部Ｃｎｔは、通常のプロセス条件とは異なるメンテナンス用のプロセス条件でプラズマ処理をすることで、フォーカスリングＦＲを介して所定のプラズマ熱が高分子シート１６へ伝達され、高分子シート１６を所定の温度に加熱することができる。例えば、制御部Ｃｎｔは、通常のプロセス条件よりも高いＲＦ電力でプラズマ処理を行う。具体的には、制御部Ｃｎｔは、通常のプロセス時のＲＦ電力（〜１０００Ｗ）よりも高いＲＦ電力（３０００Ｗ以上、例えば３０００Ｗ〜５０００Ｗ）でプラズマ処理を行う。周波数は、低周波の方がフォーカスリングＦＲへのイオンの衝突が増加するため、高分子シート１６の入熱を効率良く行うことができる。具体的には、ＲＦの周波数は１３ＭＨｚ程度でよい。周波数は一周波でもよいし、二周波でもよい。また、ＲＦは、上部印加よりも下部印加の方が高分子シート１６の入熱を効率良く行うことができる。制御部Ｃｎｔは、ヒータ９０の熱によって高分子シート１６を加熱してもよい。

図５の（Ｃ）は、上昇処理（Ｓ１４）を説明する図である。図５の（Ｃ）に示されるように、高分子シート１６を加熱することにより高分子シート１６の厚さが増加している。これにより、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａが増加した厚さ分だけ上昇する（上昇量ｈ２）。これにより、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａを初期状態の高さに近づけることができる。消耗量ｈ１と上昇量ｈ２とは、高分子シート１６の物性及び加熱温度によって等しくなるように調整することができる。

図４に戻り、制御部Ｃｎｔは、上昇処理（Ｓ１４）の終了時において、上昇処理を実行したか否かを示す処理フラグを記憶部に記憶する。例えば、制御部Ｃｎｔは、上昇処理が未実行であることを示す「０」から、上昇処理が実行済みであることを示す「１」へ処理フラグを変更する。上昇処理（Ｓ１４）が終了すると、図４に示されるフローチャートが終了する。

また、制御部Ｃｎｔは、判定処理（Ｓ１０）において、フォーカスリングＦＲが消耗していないと判定された場合、図３に示すフローチャートが終了する。例えば、フォーカスリングＦＲの交換メンテナンスを実行してから間もない場合、又は、上述した上昇処理（Ｓ１４）を実行してから間もない場合には、フォーカスリングＦＲが消耗していないため、図４に示されるフローチャートが終了する。

また、制御部Ｃｎｔは、判定処理（Ｓ１２）において、フォーカスリングＦＲの上昇処理（Ｓ１４）を実行済みであると判定された場合、フォーカスリングＦＲの交換メンテナンスを行う。具体的には、制御部Ｃｎｔは、処理容器１２の開処理（Ｓ１６）として、処理容器１２内にパージガスを導入して処理容器１２内を大気圧とし、処理容器１２を開放する。そして、フォーカスリングＦＲの交換処理（Ｓ１８：交換ステップ）が実行される。フォーカスリングＦＲの交換は、制御部Ｃｎｔが図示しないロボットを用いて行ってもよいし、作業員によって実行されてもよい。このように、交換処理（Ｓ１８）は、上昇処理（Ｓ１４）を実行後において、フォーカスリングＦＲの消耗が判定されたときに実行される。交換処理（Ｓ１８）が終了すると、図４に示されるフローチャートが終了する。

以上、図４に示されるフローチャートが実行されることにより、フォーカスリングＦＲが消耗したと判定された場合、直ぐにフォーカスリングＦＲを交換するのではなく、真空環境下において、高分子シート１６の厚さが増すように高分子シート１６を加熱することにより、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａの高さを上昇させる。つまり、加熱により高分子シート１６の厚さを増すことによって、消耗により低くなったフォーカスリングＦＲの上面ＦＲａを上昇させて元の高さに近づけることができる。フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａとウエハＷの上面との高さの連続性が修復されることにより、フォーカスリングＦＲの機能が回復するため、フォーカスリングＦＲの交換の時期を先延ばしにすることができる。よって、プラズマ処理装置１０の可用性を向上させることができる。

［第２実施形態］
第２実施形態に係るメンテナンス方法は、第１実施形態に係るメンテナンス方法と比較して、上昇処理（Ｓ１４）の温度を二段階に分けて制御している点が相違し、その他は同一である。したがって、第１実施形態に係るメンテナンス方法と同一部分については記載を省略する。第２実施形態に係るメンテナンス方法が適用されるプラズマ処理装置は、プラズマ処理装置１０と同一である。

図７は、第２実施形態に係るメンテナンス方法を説明するフローチャートである。図７に示されるフローチャートは、例えば、プラズマ処理装置１０のプロセスレシピ実行後のタイミングで実行され得る。フローチャートは、制御部Ｃｎｔによって実行される。

図７に示されるように、最初に、制御部Ｃｎｔは、判定処理（Ｓ３０：交換判定ステップ）として、フォーカスリングＦＲが消耗したか否かを判定する。判定処理（Ｓ３０）は、図４に示された判定処理（Ｓ１０）と同一である。

制御部Ｃｎｔは、フォーカスリングＦＲが消耗したと判定された場合、判定処理（Ｓ３２：第２上昇判定ステップ）として、後述するフォーカスリングＦＲの第２上昇処理を実行済みであるか否かを判定する。後述のとおり、第２上昇処理を実行した場合、フォーカスリングＦＲの上面は上昇の上限値に達するためである。制御部Ｃｎｔは、記憶部に記憶された後述する第２処理フラグを参照し、フォーカスリングＦＲの第２上昇処理を実行済みであるか否かを判定する。

制御部Ｃｎｔは、フォーカスリングＦＲの第２上昇処理を実行済みでないと判定された場合、判定処理（Ｓ３４：第１上昇判定ステップ）として、後述するフォーカスリングＦＲの第１上昇処理を実行済みであるか否かを判定する。後述のとおり、第１上昇処理、第２上昇処理の順に一度のみ実行可能であるからである。制御部Ｃｎｔは、記憶部に記憶された後述する第１処理フラグを参照し、フォーカスリングＦＲの第１上昇処理を実行済みであるか否かを判定する。

制御部Ｃｎｔは、判定処理（Ｓ３４）においてフォーカスリングＦＲの第１上昇処理を実行済みでないと判定された場合、フォーカスリングＦＲの第１上昇処理（Ｓ３６：第１上昇ステップ）として、高分子シート１６の温度が第１の温度範囲となるように高分子シート１６を加熱することにより、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａの高さを上昇させる。第１の温度範囲とは、側鎖が切断される温度である第１温度（１４０℃前後）を含み、主鎖が切断される温度である第２温度（２１０℃前後）を含まない範囲であり、例えば、１００℃〜２００℃の範囲、又は１２０℃〜１６０℃の範囲などである。加熱手法については、第１実施形態で説明した種々の手法を採用することができる。また、加熱保持時間は任意に設定することができる。第１上昇処理を実行することにより、側鎖が切断されることにより膨張する厚さ分、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａの高さを上昇させることができる。制御部Ｃｎｔは、第１上昇処理（Ｓ３６）の終了時において、第１上昇処理を実行したか否かを示す第１処理フラグを記憶部に記憶する。例えば、制御部Ｃｎｔは、第１上昇処理が未実行であることを示す「０」から、第１上昇処理が実行済みであることを示す「１」へ第１処理フラグを変更する。第１上昇処理（Ｓ３６）が終了すると、図７に示されるフローチャートが終了する。

制御部Ｃｎｔは、判定処理（Ｓ３４）においてフォーカスリングＦＲの第１上昇処理を実行済みであると判定された場合、フォーカスリングＦＲの第２上昇処理（Ｓ３８：第２上昇ステップ）として、高分子シート１６の温度が第２の温度範囲となるように高分子シート１６を加熱することにより、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａの高さを上昇させる。第２の温度範囲とは、第１の温度範囲よりも高い温度であり、主鎖が切断される温度である第２温度（２１０℃前後）を含む範囲である。第２の温度範囲は、例えば、１５０℃以上の範囲、１５０℃〜３００℃の範囲、又は、２００℃〜３００℃の範囲などである。加熱手法については、第１実施形態で説明した種々の手法を採用することができる。また、加熱保持時間は任意に設定することができる。第２上昇処理を実行することにより、主鎖が切断されることにより膨張する厚さ分、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａの高さをさらに上昇させることができる。制御部Ｃｎｔは、第２上昇処理（Ｓ３８）の終了時において、第２上昇処理を実行したか否かを示す第２処理フラグを記憶部に記憶する。例えば、制御部Ｃｎｔは、第２上昇処理が未実行であることを示す「０」から、第２上昇処理が実行済みであることを示す「１」へ第２処理フラグを変更する。第２上昇処理（Ｓ３８）が終了すると、図７に示されるフローチャートが終了する。

また、制御部Ｃｎｔは、判定処理（Ｓ３０）において、フォーカスリングＦＲが消耗していないと判定された場合、図７に示すフローチャートが終了する。例えば、フォーカスリングＦＲの交換メンテナンスを実行してから間もない場合、又は、上述した第１上昇処理（Ｓ３６）又は第２上昇処理（Ｓ３８）を実行してから間もない場合には、フォーカスリングＦＲが消耗していないため、図７に示されるフローチャートが終了する。

また、制御部Ｃｎｔは、第２判定処理（Ｓ３２）において、フォーカスリングＦＲの第２上昇処理（Ｓ３８）が実行済みであると判定された場合、これ以上はフォーカスリングＦＲの上面ＦＲａを上昇させることはできないので、フォーカスリングＦＲの交換メンテナンスを行う。具体的には、制御部Ｃｎｔは、処理容器１２の開処理（Ｓ４０）として、処理容器１２内にパージガスを導入して処理容器１２内を大気圧とし、処理容器１２を開放する。そして、フォーカスリングＦＲの交換処理（Ｓ４２：交換ステップ）が実行される。フォーカスリングＦＲの交換は、制御部Ｃｎｔが図示しないロボットを用いて行ってもよいし、作業員によって実行されてもよい。このように、交換処理（４２）は、第２上昇処理（Ｓ３８）を実行後において、フォーカスリングＦＲの消耗が判定されたときに実行される。交換処理（Ｓ４２）が終了すると、図４に示されるフローチャートが終了する。

以上、図７に示されるフローチャートが実行されることにより、フォーカスリングＦＲが消耗したと判定された場合、直ぐにフォーカスリングＦＲを交換するのではなく、真空環境下において、高分子シート１６の厚さが増すように高分子シート１６を第１の温度範囲で加熱することにより、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａの高さを一段階上昇させる。これにより、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａとウエハＷの上面との高さの連続性を修復する。その後の使用により、フォーカスリングＦＲが消耗したと判定された場合に、真空環境下において、高分子シート１６の厚さが増すように高分子シート１６を第２の温度範囲で加熱することにより、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａの高さをさらにもう一段階上昇させる。これにより、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａとウエハＷの上面との高さの連続性を再度修復する。このように、上昇処理宇を二段階のステップとすることにより、フォーカスリングＦＲの交換の時期をさらに先延ばしにすることができる。よって、プラズマ処理装置１０の可用性をさらに向上させることができる。

以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。

［実施例］
上述した実施形態が奏する効果を検証した結果を説明する。

（高分子シートの膨張効果）
大気圧環境下において、下部電極ＬＥ、高分子シート１６及びフォーカスリングＦＲの３層に熱を与えた。下部電極ＬＥの材料はセラミック、高分子シート１６の材料はシリコンゴム、フォーカスリングＦＲの材料は石英である。温度範囲は、１００℃〜３００℃とした。昇温時間を含む熱処理時間を１２時間とした。下部電極ＬＥ、高分子シート１６及びフォーカスリングＦＲの３層全体の厚さを測定し、初期状態との差分を上昇量として算出した。結果を図８に示す。

図８は、上昇量と高分子シート１６の温度との関係を示すグラフである。縦軸は上昇量［ｍｍ］、横軸は高分子シート１６の温度［℃］である。図８に示されるように、高分子シート１６の温度が１００℃の場合、上昇量は０ｍｍ、高分子シート１６の温度が２００℃の場合、上昇量は０．０２ｍｍ、高分子シート１６の温度が３００℃の場合、上昇量は０．０９ｍｍとなった。つまり、１００℃よりも大きい温度、少なくとも２００℃〜３００℃の範囲で高分子シート１６が膨張し、フォーカスリングＦＲの上面の上昇効果を奏することが確認された。

（高分子シートの膨張効果の主要パラメータの特定）
（プラズマ連続照射時間）
図１に示すプラズマ処理装置１０（ＲＦは、下部印加であり、一周波、１３ＭＨｚ、ＲＦパワー３０００Ｗ）を用いてプラズマを励起し、プラズマ処理時間と処理するウエハの枚数とを変更し、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａを計測して初期状態からの上昇量を算出した。条件１は、１分間のプラズマ処理とウエハの交換とを繰り返し、ウエハを１０枚処理した。条件２は、条件１において、処理するウエハの枚数を２５枚とした。条件３は、条件１において、プラズマ処理時間を３分とした。つまり、条件１と条件２とを比較すると、プラズマ連続照射時間は同一であり、プラズマ総照射時間は条件２の方が条件１よりも長い。また、条件２と条件３とを比較すると、プラズマ連続照射時間は、条件３の方が条件２よりも長く、プラズマ総照射時間はほぼ同一である。結果を図９に示す。

図９は、上昇量とプラズマ連続照射時間及びプラズマ総照射時間との関係を示すグラフである。縦軸は上昇量［ｍｍ］である。条件１では上昇量が０．０２８ｍｍ、条件２では上昇量が０．０２８ｍｍ、条件３では上昇量が０．０３５ｍｍとなった。条件１と条件２との結果を比較すると、プラズマ総照射時間は、高分子シート１６の膨張効果に大きく影響しないことが確認された。条件２と条件３とを比較すると、プラズマ連続照射時間が長い方が、高分子シート１６の膨張効果が増加することが確認された。プラズマ連続照射時間が長いほど、高分子シート１６の最高到達温度は上昇する。つまり、図９に示す結果により、高分子シート１６の最高到達温度が高分子シート１６の膨張効果の主要なパラメータであることが確認された。

（ＲＦパワー）
図１に示すプラズマ処理装置１０（ＲＦは、下部印加であり、一周波、１３ＭＨｚ）においてＲＦパワーの大きさを変更してプラズマを励起し、１０分間のプラズマ処理とウエハの交換とを繰り返し、ウエハを２５枚処理し、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａを計測して初期状態からの上昇量を算出した。条件４はＲＦパワーを３０００Ｗとした。条件５はＲＦパワーを４０００Ｗとした。結果を図１０に示す。

図１０は、上昇量とＲＦパワーとの関係を示すグラフである。縦軸は上昇量［ｍｍ］である。条件４では上昇量が０．０４５ｍｍ、条件５では上昇量が０．１０５ｍｍとなった。条件４と条件５とを比較すると、ＲＦパワーが大きい方が、高分子シート１６の膨張効果が増加することが確認された。ＲＦパワーが大きいほど、高分子シート１６の最高到達温度は上昇する。図１０に示す結果により、高分子シート１６の最高到達温度が高分子シート１６の膨張効果の主要なパラメータであることが確認された。

（処理時間）
図９において、プラズマ総照射時間は、高分子シート１６の膨張効果に大きく影響しないことが確認された。これは高分子シート１６の膨張量に上限値が存在することを示唆している。この点を確認すべく、以下条件でフォーカスリングＦＲの上面ＦＲａの上昇量を確認した。図１に示すプラズマ処理装置１０（ＲＦは、下部印加であり、一周波、１３ＭＨｚ、ＲＦパワー３０００Ｗ）を用いてプラズマを励起し、１０分間のプラズマ処理にて処理するウエハの枚数を変更し、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａを計測して初期状態からの上昇量を算出した。条件６は処理するウエハ枚数を１枚、条件７は処理するウエハ枚数を２枚、条件８は処理するウエハ枚数を２５枚とした。つまり、条件６、条件７、条件８の順で処理時間が長い。結果を図１１に示す。

図１１は、上昇量と処理時間との関係を示すグラフである。縦軸は上昇量［ｍｍ］である。条件６では上昇量が０．０９５ｍｍ、条件７では上昇量が０．０９５ｍｍ、条件８では上昇量が０．１０５ｍｍとなった。このように、高分子シート１６の上昇量は、ＲＦパワー４０００Ｗで１０分間プラズマ処理することにより飽和することが確認された。つまり、図１１に示す結果により、高分子シート１６の膨張量に上限値が存在することが確認された。

以上から、高分子シート１６の膨張効果の主要パラメータは、高分子シート１６の最高到達温度であり、膨張量に上限値が存在することが確認された。

（エッチングレートの回復確認）
高分子シート１６を膨張させることによって、悪化したエッチングレートが回復するか否かを検証した。図１に示すプラズマ処理装置１０（ＲＦは、下部印加であり、一周波、１３ＭＨｚ、ＲＦパワー１５０Ｗを用いてプラズマを励起して有機膜をエッチングし、エッチングレートのウエハ面内分布を測定した。以下のように条件を変更した。新品のフォーカスリングＦＲを用いた場合のエッチングレートのウエハ面内分布を測定した。条件９として、０．６ｍｍ消耗したフォーカスリングＦＲを用いた場合のエッチングレートのウエハ面内分布を測定した。条件１０として、０．６ｍｍ消耗したフォーカスリングＦＲに対して図１に示すプラズマ処理装置１０（ＲＦは、下部印加であり、一周波、１３ＭＨｚ、ＲＦパワー３０００Ｗ）を用いてプラズマを励起し、１０分間のプラズマ処理とウエハの交換とを繰り返し、ウエハを１０枚処理した後に、当該フォーカスリングＦＲを用いた場合のエッチングレートのウエハ面内分布を測定した。条件１１として、条件１０のウエハ処理枚数を２５枚とした。条件１２として、条件１０のウエハ処理枚数を５０枚とした。結果を図１２に示す。

図１２は、エッチングレートの回復を確認した結果である。縦軸はエッチングレートの勾配であり、横軸はウエハ中心からの距離［ｍｍ］である。エッチングレートの勾配は、新品のフォーカスリングＦＲのエッチングレートを基準とした差分を示している。横軸においてウエハ中心からの距離１４８ｍｍはウエハの外縁である。

新品のフォーカスリングＦＲのエッチングレートの勾配は、ウエハ中心からの距離１４５ｍｍからウエハの外縁に向かうに従って減少した。条件９の場合、つまり、消耗したフォーカスリングＦＲのエッチングレートの勾配は、ウエハ中心からの距離１４５ｍｍからウエハの外縁に向かうに従って増加した。条件１０〜１２の場合、つまり、消耗したフォーカスリングＦＲに上昇処理を行った場合のエッチングレートの勾配は、ウエハ中心からの距離１４５ｍｍからウエハの外縁に向かうに従ってほぼ一定値を示した。これにより、上昇処理をすることにより、フォーカスリングＦＲの上面ＦＲａが上昇し、条件９と比べて新品に近いエッチングレートになっていること（回復したこと）が確認された。

１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、１６…高分子シート、２２…直流電源、３０…上部電極、３４…電極板、６２…第１の高周波電源、６４…第２の高周波電源、７０…直流電源、ＰＤ…載置台、ＥＳＣ…静電チャック、ＬＥ…下部電極、Ｗ…ウエハ、ＦＲ…フォーカスリング。

Claims (5)

1. 下部電極に高分子シートを介して貼り付けられたフォーカスリングを交換するプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって、
   前記フォーカスリングが消耗したか否かを判定する交換判定ステップと、
   前記高分子シートの厚さが増すように前記高分子シートを加熱することにより、前記フォーカスリングの上面の高さを上昇させる上昇ステップと、
   前記フォーカスリングを交換する交換ステップと、
   を有し、
   前記上昇ステップは、前記交換判定ステップにて前記フォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行され、
   前記交換ステップは、前記上昇ステップの実行後に前記交換判定ステップにて前記フォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行される、
   プラズマ処理装置のメンテナンス方法。
2. 前記高分子シートは、シリコンゴムを含み、
   前記上昇ステップにおいては、前記高分子シートの温度が２００℃〜３００℃となるように前記高分子シートを加熱する請求項１に記載のプラズマ処理装置のメンテナンス方法。
3. 前記上昇ステップは、
   前記高分子シートの温度が第１の温度範囲となるように前記高分子シートを加熱することにより、前記フォーカスリングの上面の高さを上昇させる第１上昇ステップと、
   前記高分子シートの温度が第１の温度範囲よりも高い第２の温度範囲となるように前記高分子シートを加熱することにより、前記フォーカスリングの上面の高さを上昇させる第２上昇ステップと、
   を含み、
   前記第１上昇ステップは、前記交換判定ステップにて前記フォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行され、
   前記第２上昇ステップは、前記第１上昇ステップの実行後において前記交換判定ステップにて前記フォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行され、
   前記交換ステップは、前記第２上昇ステップの実行後に前記交換判定ステップにて前記フォーカスリングが消耗したと判定された場合に実行される、
   請求項１に記載のプラズマ処理装置のメンテナンス方法。
4. 前記上昇ステップでは、プラズマの熱によって前記高分子シートを加熱する請求項１〜３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置のメンテナンス方法。
5. 前記上昇ステップでは、ヒータの熱によって前記高分子シートを加熱する請求項１〜３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置のメンテナンス方法。

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