TWI868016B - 電漿處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種技術，對搭載於基板支持器上之物體高效率地供給偏壓電力。本發明之基板支持器，包含介電體部及至少一個電極。至少一個電極，為了對載置於介電體部上之物體供給偏壓電力而設置於介電體部之中。

Description

電漿處理裝置

本發明之例示實施形態，係關於一種基板支持器及電漿處理裝置。

電漿處理裝置，於基板的處理中使用。電漿處理裝置，包含腔室及基板支持器。基板支持器，具有基台及靜電吸盤，設置於腔室內。靜電吸盤，設置於基台上。靜電吸盤，將載置於其上之基板加以固持。為了從在腔室內產生的電漿將離子引入至基板，而從高頻電源對基台供給偏壓電力。

於基板支持器上，搭載邊緣環。基板，配置於靜電吸盤上，且係由邊緣環包圍之區域內。基板支持器，有藉由靜電引力固持邊緣環的情形。於下述專利文獻1～3，記載藉由靜電引力固持邊緣環之基板支持器。 [習知技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開第2002－33376號公報 專利文獻2：日本特表第2004－511901號公報 專利文獻3：日本特開第2016－122740號公報

[本發明所欲解決的問題]

本發明提供一種技術，對搭載於基板支持器上之物體高效率地供給偏壓電力。 [解決問題之技術手段]

一例示實施形態中，提供基板支持器。基板支持器，包含介電體部及至少一個電極。至少一個電極，為了對載置於介電體部上之物體供給偏壓電力而設置於介電體部之中。 [本發明之效果]

依一例示實施形態，則可對搭載於基板支持器上之物體高效率地供給偏壓電力。

以下，針對各種例示實施形態予以說明。

一例示實施形態中，提供基板支持器。基板支持器，包含介電體部及至少一個電極。至少一個電極，為了對載置於介電體部上之物體供給偏壓電力而設置於介電體部之中。此實施形態之基板支持器，將供給偏壓電力的電極，設置在將物體載置於其上的介電體部之中。因此，可將偏壓電力，對載置於基板支持器上之物體有效率地供給。

一例示實施形態中，基板支持器，亦可包含第1靜電吸盤區域及第2靜電吸盤區域。第1靜電吸盤區域，將載置於其上之基板加以固持。第2靜電吸盤區域，設置為包圍第1靜電吸盤區域，將載置於其上之邊緣環加以固持。第2靜電吸盤區域，為了在第2靜電吸盤區域與邊緣環之間產生靜電引力，且經由第2靜電吸盤區域對邊緣環供給偏壓電力，而包含設置於其中之一個以上的電極。此實施形態中，一個以上的電極，包含上述至少一個電極。

上述實施形態中，一個以上的電極，可包含為了在第2靜電吸盤區域與邊緣環之間產生靜電引力而施加電壓，且供給偏壓電力的共通電極。抑或，上述實施形態中，一個以上的電極，可包含為了在第2靜電吸盤區域與邊緣環之間產生靜電引力而施加電壓的電極、及供給偏壓電力的電極。此等一個以上的電極，設置於第2靜電吸盤區域內，故可在將邊緣環固持於第2靜電吸盤區域的狀態下，經由第2靜電吸盤區域而對邊緣環供給偏壓電力。因此，基板支持器，提供可對邊緣環獨立且穩定地供給偏壓電力的構造。

一例示實施形態中，至少一個電極，亦可為為了產生靜電引力而對其施加電壓，且對其供給偏壓電力的共通電極。此實施形態，對為了產生靜電引力而對其施加電壓的電極，供給偏壓電力。因此，可將對其供給偏壓電力的專用電極，從第2靜電吸盤區域省略。因而，第2靜電吸盤區域的構造，可成為簡易的構造。此一結果，可低成本且簡單地製作基板支持器。

一例示實施形態中，一個以上的電極，亦可包含：第1電極，為了產生靜電引力而對其施加電壓；以及第2電極，對其供給偏壓電力。此實施形態中，第2電極，係上述至少一個電極。

一例示實施形態中，第2靜電吸盤區域，亦可為雙極型靜電吸盤。亦即，一個以上的電極，亦可包含構成雙極電極的一對電極。另一例示指摘實施形態中，第2靜電吸盤區域，亦可為單極型靜電吸盤。

一例示實施形態中，第2靜電吸盤區域，可更包含上述介電體部的至少一部分。一個以上的電極，設置於介電體部的至少一部分之中。

一例示實施形態中，第1靜電吸盤區域與第2靜電吸盤區域，亦可共有上述介電體部。第1靜電吸盤區域，亦可包含吸盤電極。吸盤電極，係對其施加用於將基板往第1靜電吸盤區域吸引之電壓的電極，設置於介電體部之中。

一例示實施形態中，第1靜電吸盤區域，亦可包含第1介電體部及吸盤電極。吸盤電極，係對其施加用於將基板往第1靜電吸盤區域吸引之電壓的電極，設置於第1介電體部之中。亦可使第2靜電吸盤區域所具有的上述介電體部即第2介電體部，與第1介電體部分離。

一例示實施形態中，基板支持器，亦可更包含加熱器，設置於第2靜電吸盤區域所具有的介電體部之中。

一例示實施形態中，基板支持器，亦可更包含氣體管線，用於將熱傳氣體供給至第2靜電吸盤區域與邊緣環之間。

一例示實施形態中，第1靜電吸盤區域，亦可更包含另一電極。另一電極，係對其供給偏壓電力的電極，設置於第1靜電吸盤區域之中。依此實施形態，則成為可將經由第1靜電吸盤區域而對基板供給之偏壓電力、與經由第2靜電吸盤區域而對邊緣環供給之偏壓電力，彼此獨立地控制。

一例示實施形態中，基板支持器，亦可更包含基台。基台，具有導電性。可對基台，供給偏壓電力。第1靜電吸盤區域及第2靜電吸盤區域，亦可設置於基台上。

其他各種例示實施形態中，提供電漿處理裝置。

一例示實施形態之電漿處理裝置，包含腔室及基板支持器。基板支持器，係上述各種例示實施形態中之任一基板支持器。基板支持器，設置於腔室內。

一例示實施形態之電漿處理裝置中，基板支持器，係上述各種例示實施形態的基板支持器中之包含第1靜電吸盤區域及第2靜電吸盤區域的任一基板支持器。電漿處理裝置，更包含直流電源及偏壓電源。直流電源，產生用於在第2靜電吸盤區域與邊緣環之間產生靜電引力的電壓。偏壓電源，產生經由第2靜電吸盤區域而對邊緣環供給之偏壓電力。

一例示實施形態之電漿處理裝置中，基板支持器，係包含設置於第1靜電吸盤區域之中的上述另一電極之基板支持器。此實施形態中，電漿處理裝置，亦可更包含另一偏壓電源，產生對另一電極供給之偏壓電力。

一例示實施形態之電漿處理裝置中，基板支持器，係包含上述基台的基板支持器。此實施形態中，電漿處理裝置，可更包含另一偏壓電源，產生對基台供給之偏壓電力。

一例示實施形態中，電漿處理裝置，包含腔室、基板支持器、直流電源、共通電氣路徑、第1電氣路徑、第2電氣路徑、及阻抗電路。基板支持器，係包含設置於第1靜電吸盤區域之中的上述另一電極之基板支持器。基板支持器，設置於腔室內。直流電源，產生用於在第2靜電吸盤區域與邊緣環之間產生靜電引力的電壓。偏壓電源，產生偏壓電力。共通電氣路徑，連接至偏壓電源。第1電氣路徑及第2電氣路徑，從共通電氣路徑分支。第1電氣路徑，係供對另一電極供給之偏壓電力所用的電氣路徑。第2電氣路徑，係供經由第2靜電吸盤區域而對邊緣環供給之偏壓電力所用的電氣路徑。阻抗電路，設置於第1電氣路徑及第2電氣路徑中之至少一方的電氣路徑上。此實施形態中，經由第2靜電吸盤區域而對邊緣環供給之偏壓電力、及對另一電極供給之偏壓電力，係將由偏壓電源產生之偏壓電力分配至第1電氣路徑及第2電氣路徑而產生。

一例示實施形態中，電漿處理裝置，包含腔室、基板支持器、直流電源、共通電氣路徑、第1電氣路徑、第2電氣路徑、及阻抗電路。基板支持器，係包含上述基台的基板支持器。基板支持器，設置於腔室內。直流電源，產生用於在第2靜電吸盤區域與邊緣環之間產生靜電引力的電壓。偏壓電源，產生偏壓電力。共通電氣路徑，連接至偏壓電源。第1電氣路徑及第2電氣路徑，從共通電氣路徑分支。第1電氣路徑，係供對基台供給之偏壓電力所用的電氣路徑。第2電氣路徑，係供經由第2靜電吸盤區域而對邊緣環供給之偏壓電力所用的電氣路徑。阻抗電路，設置於第1電氣路徑及第2電氣路徑中之至少一方的電氣路徑上。此實施形態中，經由第2靜電吸盤區域而對邊緣環供給之偏壓電力、及對基台供給之偏壓電力，係將由偏壓電源產生之偏壓電力分配至第1電氣路徑及第2電氣路徑而產生。

以下，參考圖式，針對各種例示實施形態詳細地予以說明。另，對於各圖式中相同或相當之部分，給予相同符號。

圖1為，概略顯示一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。圖1所示之電漿處理裝置1，包含腔室10。圖2為，詳細顯示一例示實施形態之電漿處理裝置的腔室內之構成的圖。如圖2所示，電漿處理裝置1，可為電容耦合型之電漿處理裝置。

腔室10，於其中提供內部空間10s。內部空間10s的中心軸線，係往鉛直方向延伸的軸線AX。一實施形態中，腔室10，包含腔室本體12。腔室本體12，具有略圓筒形狀。於腔室本體12之中，提供內部空間10s。腔室本體12，例如由鋁構成。腔室本體12電性接地。於腔室本體12之內壁面，即界定內部空間10s之壁面，形成具有電漿耐受性的膜。此膜，可為藉由陽極氧化處理而形成的膜或由氧化釔形成的膜等陶瓷製的膜。

於腔室本體12的側壁，形成通路12p。基板W，在內部空間10s與腔室10的外部之間搬運時，通過通路12p。為了將此通路12p開啟關閉，而沿著腔室本體12的側壁設置閘閥12g。

電漿處理裝置1，更包含一例示實施形態之基板支持器16。基板支持器16，在腔室10之中，支持載置於其上之基板W。基板W，具有略圓盤形狀。基板支持器16，藉由支持部17支持。支持部17，從腔室本體12的底部往上方延伸。支持部17，具有略圓筒形狀。支持部17，由石英等絕緣材料形成。

基板支持器16，包含基台18及靜電吸盤20。基台18及靜電吸盤20，設置於腔室10之中。基台18，由鋁等導電性材料形成，具有略圓盤形狀。

於基台18內，形成流路18f。流路18f，係熱交換媒體用的流路。作為熱交換媒體，例如使用液狀的冷媒。於流路18f，連接熱交換媒體之供給裝置（例如急冷器單元）。此供給裝置，設置於腔室10的外部。對流路18f，從供給裝置經由配管23a而供給熱交換媒體。供給至流路18f的熱交換媒體，經由配管23b而返回供給裝置。

靜電吸盤20，設置於基台18上。基板W，在內部空間10s之中處理時，載置於靜電吸盤20上，藉由靜電吸盤20固持。此外，於基板支持器16上，搭載邊緣環ER。邊緣環ER，係具有略環狀的板。邊緣環ER，具有導電性。邊緣環ER，例如由矽或碳化矽形成。邊緣環ER，以使其中心軸線與軸線AX一致之方式，搭載於基板支持器16上。將收納於腔室10內之基板W，配置於靜電吸盤20上，且係由邊緣環ER包圍之區域內。

電漿處理裝置1，可更包含氣體供給管線25。氣體供給管線25，將來自氣體供給機構的熱傳氣體，例如He氣體，供給至靜電吸盤20（後述第1靜電吸盤區域）的頂面與基板W的背面（底面）之間的間隙。

電漿處理裝置1，可更包含外周部28及外周部29。外周部28，從腔室本體12的底部往上方延伸。外周部28，具有略圓筒形狀，沿著支持部17的外周延伸。外周部28，由導電性材料形成，具有略圓筒形狀。外周部28電性接地。於外周部28之表面，形成具有電漿耐受性的膜。此膜，可為藉由陽極氧化處理而形成的膜或由氧化釔形成的膜等陶瓷製的膜。

外周部29，設置於外周部28上。外周部29，由具有絕緣性的材料形成。外周部29，例如由石英等陶瓷形成。外周部29，具有略圓筒形狀。外周部29，沿著基台18及靜電吸盤20的外周延伸。

電漿處理裝置1，更包含上部電極30。上部電極30，設置於基板支持器16之上方。上部電極30，與構件32一同將腔室本體12的上部開口關閉。構件32，具有絕緣性。上部電極30，經由該構件32而支持在腔室本體12的上部。

上部電極30，包含頂板34及支持體36。頂板34的底面，界定內部空間10s。於頂板34，形成複數個氣體噴吐孔34a。複數個氣體噴吐孔34a，各自在板厚方向（鉛直方向）貫通頂板34。此頂板34，例如由矽形成，但並未限定於此一形態。抑或，頂板34，可具有於鋁製之構件的表面設置電漿耐受性的膜之構造。此膜，可為藉由陽極氧化處理而形成的膜或由氧化釔形成的膜等陶瓷製的膜。

支持體36，以可任意裝卸的方式支持頂板34。支持體36，例如由鋁等導電性材料形成。於支持體36之內部，設置氣體擴散室36a。複數個氣體孔36b，從氣體擴散室36a往下方延伸。複數個氣體孔36b，與複數個氣體噴吐孔34a分別連通。於支持體36，形成氣體導入埠36c。氣體導入埠36c，與氣體擴散室36a相連接。於氣體導入埠36c，連接氣體供給管38。

將氣體源群40，經由閥群41、流量控制器群42、及閥群43而連接至氣體供給管38。氣體源群40、閥群41、流量控制器群42、及閥群43，構成氣體供給部。氣體源群40，包含複數個氣體源。閥群41及閥群43，各自包含複數個閥（例如開閉閥）。流量控制器群42，包含複數個流量控制器。流量控制器群42之複數個流量控制器，各自為質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。氣體源群40之複數個氣體源，各自經由閥群41之對應的閥、流量控制器群42之對應的流量控制器、及閥群43之對應的閥，而與氣體供給管38連接。電漿處理裝置1，可將來自氣體源群40的複數個氣體源中之選出的一個以上的氣體源之氣體，以個別調整過的流量，供給至內部空間10s。

於外周部28與腔室本體12的側壁之間，設置檔板48。檔板48，例如可藉由將氧化釔等陶瓷被覆於鋁製的構件而構成。於此檔板48，形成多個貫通孔。於檔板48的下方中，將排氣管52連接至腔室本體12的底部。於此排氣管52，連接排氣裝置50。排氣裝置50，包含自動壓力控制閥等壓力控制器、及渦輪分子泵等真空泵，可將內部空間10s之中的壓力減壓。

以下，針對基板支持器16詳細地說明。如同上述，基板支持器16，包含基台18及靜電吸盤20。如圖1所示，將高頻電源61，經由匹配器62而連接至基台18。高頻電源61，係產生電漿產生用之高頻電力的電源。高頻電源61所產生之高頻電力，具有27～100MHz之範圍內的頻率，例如40MHz或60MHz的頻率。匹配器62，包含用於將高頻電源61之輸出阻抗與負載側（基台18側）之阻抗予以匹配的匹配電路。另，高頻電源61，亦可不與基台18電性連接，可經由匹配器62而連接至上部電極30。

在電漿處理裝置1，若供給來自高頻電源61之高頻電力，則於腔室10內激發氣體，由該氣體產生電漿。藉由來自產生的電漿之離子及／或自由基等化學物質，而處理基板W。

靜電吸盤20，包含第1靜電吸盤區域21及第2靜電吸盤區域22。第1靜電吸盤區域21及第2靜電吸盤區域22，設置於基台18上。在電漿處理裝置1的基板支持器16，第1靜電吸盤區域21及第2靜電吸盤區域22彼此連續，成為一體。另，在圖1，以虛線顯示第1靜電吸盤區域21與第2靜電吸盤區域22之間的邊界。

第1靜電吸盤區域21，將載置於其上（即其頂面上）之基板W加以固持。第1靜電吸盤區域21，為具有圓盤狀的區域。第1靜電吸盤區域21的中心軸線，與軸線AX略一致。第1靜電吸盤區域21，與第2靜電吸盤區域22共有介電體部20d。介電體部20d，由氮化鋁、氧化鋁等介電體形成。介電體部20d，具有略圓盤形狀。一實施形態中，第2靜電吸盤區域22中的介電體部20d之厚度，較第1靜電吸盤區域21中的介電體部20d之厚度更小。第2靜電吸盤區域22中的介電體部20d之頂面的鉛直方向中之位置，亦可較第1靜電吸盤區域21中的介電體部20d之頂面的鉛直方向中之位置更低。

第1靜電吸盤區域21，包含電極21a（吸盤電極）。電極21a，係膜狀的電極，設置於第1靜電吸盤區域21中的介電體部20d之中。將直流電源55，經由開關56而與電極21a連接。若對電極21a施加來自直流電源55之直流電壓，則在第1靜電吸盤區域21與基板W之間產生靜電引力。藉由產生之靜電引力，將基板W往第1靜電吸盤區域21吸引，藉由第1靜電吸盤區域21加以固持。

第1靜電吸盤區域21，亦可更包含電極21c。電極21c，係膜狀的電極，設置於第1靜電吸盤區域21中的介電體部20d之中。另，電極21a，於鉛直方向中，可在較電極21c更往第1靜電吸盤區域21的頂面附近延伸。將偏壓電源63，經由匹配器64及濾波器65而與電極21c連接。另，偏壓電源63，亦可經由匹配器64及濾波器65，而與基台18電性連接。此一情況，第1靜電吸盤區域21，亦可不具有電極21c。

偏壓電源63，產生用於從在腔室10內產生的電漿將離子引入至基板W之偏壓電力。偏壓電源63所產生之偏壓電力，可具有周期性。一實施形態中，偏壓電源63所產生之偏壓電力，為高頻電力。此一情況，偏壓電源63所產生之偏壓電力，具有較高頻電源61所產生之高頻電力的頻率更低的頻率。偏壓電源63所產生之偏壓電力的頻率，為400kHz～13.56MHz之範圍內的頻率，例如為400kHz。

匹配器64，連接在偏壓電源63與電極21c之間。匹配器64，將偏壓電源63之輸出阻抗與負載側（電極21c側）之阻抗予以匹配。濾波器65，連接在匹配器64與電極21c之間。濾波器65，係將高頻電源61所產生之高頻電力切斷或減少的電濾波器。濾波器65，阻止高頻電源61所產生之高頻電力流入至偏壓電源63，或減少流入至偏壓電源63之高頻電力。

另一實施形態中，偏壓電源63所產生之偏壓電力，亦可為周期性地產生之脈波狀的高頻電力。亦即，亦可交互地切換來自偏壓電源63的對於電極21c之高頻電力的供給及供給停止。更另一實施形態中，偏壓電源63，亦可對電極21c周期性地施加脈波狀的負極性之直流電壓，以作為偏壓電力。此一情況中，偏壓電源63，可將脈波狀的負極性之直流電壓，例如在規定的周期以400kHz等頻率周期性地產生。脈波狀的負極性之直流電壓的位準，亦可在對電極21c施加該脈波狀的負極性之直流電壓的期間內改變。

第1靜電吸盤區域21，亦可更包含加熱器21h。加熱器21h，設置於第1靜電吸盤區域21中的介電體部20d之中。另，電極21a及電極21c，於鉛直方向中，可在較加熱器21h更往第1靜電吸盤區域21的頂面附近延伸。加熱器21h，可為電阻加熱元件。於加熱器21h，連接加熱器控制器68。加熱器控制器68，對加熱器21h供給電力。加熱器控制器68，控制對加熱器21h供給之電力的位準。另，第1靜電吸盤區域21，亦可包含複數個加熱器。

第1靜電吸盤區域21，亦可更包含氣體供給管線25的一部分。氣體供給管線25，如同上述，係為了將熱傳氣體，例如He氣體，供給至第1靜電吸盤區域21與基板W的背面之間的間隙而設置之氣體管線。氣體供給管線25，連接至熱傳氣體的氣體源，即氣體供給機構。

第2靜電吸盤區域22，設置為包圍第1靜電吸盤區域21。第2靜電吸盤區域22，為略環狀的區域。第2靜電吸盤區域22的中心軸線，與軸線AX略一致。第2靜電吸盤區域22，將載置於其上（即其頂面上）之邊緣環ER加以固持。第2靜電吸盤區域22，與第1靜電吸盤區域21共有介電體部20d。

第2靜電吸盤區域22，包含一個以上的電極。一個以上的電極，為了在邊緣環ER與第2靜電吸盤區域22之間產生靜電引力，且經由第2靜電吸盤區域22對邊緣環ER供給偏壓電力，而設置於第2靜電吸盤區域22之中。一個以上的電極，在第2靜電吸盤區域22中設置於介電體部20d之中。

一實施形態中，第2靜電吸盤區域22，包含第1電極及第2電極。第1電極，係為了產生靜電引力而對其施加電壓的電極。第2電極，係對其供給偏壓電力的電極。

一實施形態中，第2靜電吸盤區域22，構成雙極型靜電吸盤。亦即，第2靜電吸盤區域22，包含構成雙極電極之一對電極。具體而言，在電漿處理裝置1的基板支持器16，第2靜電吸盤區域22，作為構成雙極電極之一對第1電極，包含電極22a及電極22b。電極22a及電極22b，各自為膜狀的電極。電極22a及電極22b，亦可於鉛直方向中在略相同之高度位置延伸。

將直流電源71，經由開關72及濾波器73而與電極22a連接。濾波器73，係將高頻電力及偏壓電力切斷或減少的電濾波器。濾波器73，阻止高頻電力及偏壓電力流入至直流電源71，或減少流入至直流電源71之高頻電力及偏壓電力。

將直流電源74，經由開關75及濾波器76而與電極22b連接。濾波器76，係將高頻電力及偏壓電力切斷或減少的電濾波器。濾波器76，阻止高頻電力及偏壓電力流入至直流電源74，或減少流入至直流電源74之高頻電力及偏壓電力。

直流電源71及直流電源74，各自對電極22a及電極22b施加直流電壓，俾於電極22a與電極22b之間產生電位差。另，電極22a及電極22b各自之設定電位，為正電位、負電位、及0V中之任一者皆可。例如，亦可將電極22a之電位設定為正電位，將電極22b之電位設定為負電位。此外，電極22a與電極22b之間的電位差，亦可使用單一直流電源形成，而非二個直流電源。

若於電極22a與電極22b之間產生電位差，則在第2靜電吸盤區域22與邊緣環ER之間產生靜電引力。以產生的靜電引力將邊緣環ER往第2靜電吸盤區域22吸引，藉由第2靜電吸盤區域22加以固持。

第2靜電吸盤區域22，作為第2電極，更包含電極22c。電極22c，係膜狀的電極，設置於第2靜電吸盤區域22中的介電體部20d之中。另，電極22a及電極22b，於鉛直方向中，可在較電極22c更往第2靜電吸盤區域22的頂面附近延伸。將偏壓電源81，經由匹配器82及濾波器83而與電極22c連接。

偏壓電源81，係產生偏壓電力的電源。偏壓電源81所產生之偏壓電力，可為與係偏壓電源63所產生之偏壓電力的高頻電力具有相同頻率的高頻電力。抑或，偏壓電源81，作為偏壓電力，亦可與偏壓電源63同樣地，周期性地產生脈波狀的負極性之直流電壓。匹配器82，將偏壓電源81之輸出阻抗與負載側（電極22c側）之阻抗予以匹配。濾波器83，連接在匹配器82與電極22c之間。濾波器83，係將高頻電源61所產生之高頻電力切斷或減少的電濾波器。濾波器83，阻止高頻電源61所產生之高頻電力流入至偏壓電源81，或減少流入至偏壓電源81之高頻電力。

第2靜電吸盤區域22，亦可更包含加熱器22h。加熱器22h，設置於第2靜電吸盤區域22中的介電體部20d之中。另，電極22a、電極22b、及電極22c，於鉛直方向中，可在較加熱器22h更往第2靜電吸盤區域22的頂面附近延伸。加熱器22h，可為電阻加熱元件。於加熱器22h，連接加熱器控制器85。加熱器控制器85，對加熱器22h供給電力。加熱器控制器85，控制對加熱器22h供給之電力的位準。另，第2靜電吸盤區域22，亦可包含複數個加熱器。此外，加熱器21h與加熱器22h，亦可將電力，從相同且單一的加熱器控制器供給。

第2靜電吸盤區域22，亦可更包含氣體管線22g。氣體管線22g，係為了將熱傳氣體，例如He氣體，供給至第2靜電吸盤區域22與邊緣環ER之間而設置的氣體管線。氣體管線22g，連接至熱傳氣體的氣體源，即氣體供給機構86。

一實施形態中，如圖2所示，電漿處理裝置1，亦可更包含控制部MC。控制部MC，係包含處理器、儲存裝置、輸入裝置、顯示裝置等之電腦，控制電漿處理裝置1的各部。具體而言，控制部MC，實行儲存在儲存裝置之控制程式，依據儲存在該儲存裝置之配方資料，控制電漿處理裝置1的各部。藉由控制部MC所進行之控制，於電漿處理裝置1中實行由配方資料指定的製程。

在電漿處理裝置1的基板支持器16，將電極22a、電極22b、及電極22c，設置於第2靜電吸盤區域22內。因此，可在將邊緣環ER固持於第2靜電吸盤區域22的狀態下，經由第2靜電吸盤區域22而對邊緣環ER供給偏壓電力。因此，電漿處理裝置1的基板支持器16，提供可對邊緣環ER獨立且穩定地供給偏壓電力的構造。

此外，在電漿處理裝置1的基板支持器16，第1靜電吸盤區域21包含電極21c，第2靜電吸盤區域22包含電極22c。對電極21c及電極22c，個別地供給偏壓電力。因此，成為可將經由第1靜電吸盤區域21而對基板W供給之偏壓電力、與經由第2靜電吸盤區域22而對邊緣環ER供給之偏壓電力，彼此獨立地控制。

以下，參考圖3。圖3為，概略顯示另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。以下，從電漿處理裝置1與電漿處理裝置1B的相異點之觀點，說明圖3所示之電漿處理裝置1B。

在電漿處理裝置1B，為了在第2靜電吸盤區域22與邊緣環ER之間產生靜電引力而施加電壓的電極、與供給偏壓電力的電極，係共通電極。具體而言，在電漿處理裝置1B，將偏壓電源81，經由匹配器82及濾波器83，而與電極22a及電極22b雙方連接。在電漿處理裝置1B，將來自偏壓電源81之偏壓電力，分配至電極22a及電極22b。

偏壓電源81，亦可經由阻隔電容器87而與電極22a連接。此外，偏壓電源81，亦可經由阻隔電容器88而與電極22b連接。阻隔電容器87及阻隔電容器88，阻止直流電流流入至偏壓電源81，或減少流入至偏壓電源81之直流電流。

在電漿處理裝置1B的基板支持器16，對為了產生靜電引力而施加電壓的電極22a及電極22b，供給偏壓電力。因此，可將對其供給偏壓電力的專用電極22c，從第2靜電吸盤區域22省略。因而，第2靜電吸盤區域22的構造，可成為簡易的構造。此一結果，可低成本且簡單地製作電漿處理裝置1B的基板支持器16。

此外，在電漿處理裝置1B的基板支持器16，可將供給偏壓電力的電極22a及電極22b各自與邊緣環ER之間的距離縮短。因此，電極22a及電極22b各自與邊緣環ER之間的靜電電容變大。因而，對電極22a及電極22b供給而與邊緣環ER耦合之偏壓電力增加。另一方面，對電極22a及電極22b供給而供給至基板W之偏壓電力減少。因而，供給至邊緣環ER之偏壓電力的獨立控制性變高。

以下，參考圖4。圖4為，概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。以下，從電漿處理裝置1B與電漿處理裝置1C的相異點之觀點，說明圖4所示之電漿處理裝置1C。

在電漿處理裝置1C，將偏壓電源63，經由匹配器64而與基台18連接。在電漿處理裝置1C，將來自偏壓電源63之偏壓電力、及來自偏壓電源81之偏壓電力，經由第2靜電吸盤區域22而對邊緣環ER供給。因此，可減少從偏壓電源81供給之偏壓電力。

以下，參考圖5。圖5為，概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。以下，從電漿處理裝置1C與電漿處理裝置1D的相異點之觀點，說明圖5所示之電漿處理裝置1D。

電漿處理裝置1D，更包含高頻電源91。高頻電源91，經由匹配器92、濾波器83、及阻隔電容器87，而與電極22a相連接。此外，高頻電源91，經由匹配器92、濾波器83、及阻隔電容器88，而與電極22b連接。高頻電源91，產生與高頻電源61所產生之高頻電源的頻率具有相同頻率之高頻電力。在電漿處理裝置1D，來自高頻電源91之高頻電力，經由第2靜電吸盤區域22及邊緣環ER而與電漿耦合。此一結果，可將邊緣環的上方區域之電漿的密度，對基板W的上方區域之電漿的密度獨立地控制。

另，於電漿處理裝置1D中，在第2靜電吸盤區域22包含電極22c之情況，高頻電源91及偏壓電源81，亦可與電極22c連接。

以下，參考圖6。圖6為，概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。以下，從電漿處理裝置1C與電漿處理裝置1E的相異點之觀點，說明圖6所示之電漿處理裝置1E。

電漿處理裝置1E，包含共通電氣路徑100、第1電氣路徑101、及第2電氣路徑102。共通電氣路徑100，連接至高頻電源61及偏壓電源63。第1電氣路徑101及第2電氣路徑102，從共通電氣路徑100分支。第1電氣路徑101，連接至基台18。第2電氣路徑102，經由阻隔電容器87而與電極22a連接。此外，第2電氣路徑102，經由阻隔電容器88而與電極22b連接。在電漿處理裝置1E，將來自高頻電源61之高頻電力、及來自偏壓電源63之偏壓電力，分配至基台18、電極22a、及電極22b。因此，電漿處理裝置1E，並未包含偏壓電源81、匹配器82、及濾波器83。

於第2電氣路徑102上，設置阻抗電路103。阻抗電路103，可包含可變阻抗元件。作為可變阻抗元件，例示可變電容器。藉由調整阻抗電路103之阻抗，而可調整相對於從偏壓電源63對基台18供給之偏壓電力，從偏壓電源63對電極22a及電極22b供給之偏壓電力的比率。此外，藉由調整阻抗電路103之阻抗，而可調整相對於從高頻電源61對基台18供給之高頻電力，從高頻電源61對電極22a及電極22b供給之高頻電力的比率。此一電漿處理裝置1E，相較於電漿處理裝置1C，可減少偏壓電源之個數。因此，可較低價地提供電漿處理裝置1E。

另，亦可於第1電氣路徑101上，設置與阻抗電路103同樣之阻抗電路。於第1電氣路徑101上設置阻抗電路的情況，阻抗電路103可設置於第2電氣路徑102上，亦可不設置。

此外，於電漿處理裝置1E中，在第2靜電吸盤區域22包含電極22c之情況，亦可將高頻電源61及偏壓電源63，經由第2電氣路徑102而與電極22c連接。

以下，參考圖7。圖7為概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。以下，從電漿處理裝置1D與電漿處理裝置1F的相異點之觀點，說明圖7所示之電漿處理裝置1F。

在電漿處理裝置1F的基板支持器16，第1靜電吸盤區域21，包含第1介電體部21d；第2靜電吸盤區域22，包含第2介電體部22d。第1介電體部21d及第2介電體部22d，分別由氮化鋁、氧化鋁等介電體形成。

第1介電體部21d，具有略圓盤形狀。第1介電體部21d的中心軸線，與軸線AX略一致。於第1介電體部21d之中，設置電極21a及加熱器21h。

第2介電體部22d，以包圍第1介電體部21d之方式延伸。第2介電體部22d，係略環狀的板。第2介電體部22d的中心軸線，與軸線AX略一致。於第2介電體部22d之中，設置電極22a、電極22b、及加熱器22h。一實施形態中，第2介電體部22d之厚度，較第1介電體部21d之厚度更小。第2介電體部22d之頂面的鉛直方向中之位置，亦可較第1介電體部21d之頂面的鉛直方向中之位置更低。

在電漿處理裝置1F的基板支持器16，使第1介電體部21d及第2介電體部22d彼此分離。亦即，於第1介電體部21d與第2介電體部22d之間，存在間隙。

此外，在電漿處理裝置1F的基板支持器16，將基台18分離為第1部分181及第2部分182。亦即，於第1部分181與第2部分182之間，存在間隙。將高頻電源61及偏壓電源63，與第1部分181電性連接。第1部分181，支持設置於其上之第1靜電吸盤區域21。第2部分182，支持設置於其上之第2靜電吸盤區域22。

另，於電漿處理裝置1F的基板支持器16之第1介電體部21d之中設置電極21c的情況，亦可將高頻電源61及偏壓電源63，與電極21c連接。

以下，參考圖8。圖8為，概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。以下，從電漿處理裝置1E與電漿處理裝置1G的相異點之觀點，說明圖8所示之電漿處理裝置1G。

在電漿處理裝置1G的基板支持器16，與電漿處理裝置1F的基板支持器16同樣地，使第1靜電吸盤區域21包含第1介電體部21d，第2靜電吸盤區域22包含第2介電體部22d。然則，在電漿處理裝置1G的基板支持器16，其基台18，與電漿處理裝置1F的基板支持器16之基台18不同，並未分離為二個部分（第1部分181及第2部分182）。於電漿處理裝置1G的基板支持器16之基台18，亦可形成溝18g。溝18g，於基台18的頂面中開口。溝18g的底部，位於溝18g的上端開口與基台18的底面之間。溝18g，在第1靜電吸盤區域21於其上延伸之基台18的區域、與第2靜電吸盤區域22於其上延伸之基台18的區域之間延伸。

以下，參考圖9。圖9為，概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。以下，從電漿處理裝置1E與電漿處理裝置1H的相異點之觀點，說明圖9所示之電漿處理裝置1H。

在電漿處理裝置1H，第1電氣路徑101，連接至電極21a。第1電氣路徑101，包含電容器110。電容器110，可為固定電容器或可變電容器。電容器110，可阻止直流電流流入至偏壓電源63，或減少流入至偏壓電源63之直流電流。此外，電容器110，可調整在各電極22a及電極22b與電極21a之間的高頻電力及偏壓電力各自之分配比率。

此外，在電漿處理裝置1H，亦可將濾波器112，在直流電源55與電極21a之間連接。濾波器112，係將高頻電源61所產生之高頻電力及偏壓電源63所產生之偏壓電力切斷或減少的電濾波器。濾波器112，阻止高頻電源61所產生之高頻電力及偏壓電源63所產生之偏壓電力流入至直流電源55，或減少流入至直流電源55之高頻電力及偏壓電力。

以下，參考圖10。圖10為，概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。以下，圖10所示之電漿處理裝置1J，在將高頻電源61與基台18電性連接的點，與電漿處理裝置1H不同。電漿處理裝置1J的其他構成，和電漿處理裝置1H之對應的構成相同。

以下，參考圖11。圖11為，概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。以下，圖11所示之電漿處理裝置1K，在將偏壓電源63，與加熱器21h及加熱器22h電性連接的點，與電漿處理裝置1J不同。電漿處理裝置1H的其他構成，和電漿處理裝置1J之對應的構成相同。

以下，參考圖12（a）、圖12（b）、及圖12（c）。圖12（a）為，顯示第1靜電吸盤區域之另一例的部分放大圖；圖12（b）及圖12（c），分別為顯示第2靜電吸盤區域之另一例的部分放大圖。如圖12（a）所示，於上述各種實施形態之基板支持器16的第1靜電吸盤區域21中，電極21a與電極21c各自之高度方向的位置，亦可彼此相同。此外，如圖12（b）及圖12（c）所示，於上述各種實施形態之基板支持器16的第2靜電吸盤區域22中，電極22a、電極22b、及電極22c各自之高度方向的位置，亦可彼此相同。如圖12（b）所示，電極22c，亦可於水平方向中，設置在電極22a與電極22b之間。抑或，如圖12（c）所示，電極22b，亦可於水平方向中，設置在電極22a與電極22c之間。另，於包含圖12（b）及圖12（c）所示之第2靜電吸盤區域22的基板支持器16中，第1靜電吸盤區域21的電極21c，亦可在與電極22c相同之高度方向的位置延伸。

以上，雖針對各種例示實施形態予以說明，但並未限定於上述例示實施形態，亦可進行各式各樣的追加、省略、置換、及變更。此外，可組合不同實施形態之要素，形成其他實施形態。

例如，基板支持器16，可僅包含上述第1靜電吸盤區域21與第2靜電吸盤區域22中的一方，亦可包含其等雙方。亦即，基板支持器16，包含介電體部與至少一個電極即可。至少一個電極，為了對載置於介電體部上之物體供給偏壓電力而設置於介電體部之中。物體，係基板W或邊緣環ER中的至少一方。至少一個電極，亦可僅包含第1靜電吸盤區域21中設置於介電體部之中的電極。抑或，至少一個電極，亦可僅包含第2靜電吸盤區域22中設置於介電體部之中的電極。抑或，至少一個電極，亦可包含第1靜電吸盤區域21中設置於介電體部之中的電極、及第2靜電吸盤區域22中設置於介電體部之中的電極雙方。作為在第1靜電吸盤區域21中設置於介電體部之中的電極，例示電極21a、電極21c、或加熱器21h等電極。作為在第2靜電吸盤區域22中設置於介電體部之中的電極，例示電極22a、電極22b、電極22c、或加熱器22h等電極。

此外，第2靜電吸盤區域22，亦可為單極型靜電吸盤。亦即，第2靜電吸盤區域22，亦可具有為了產生靜電引力而施加單一電壓之一個以上的電極，而非構成雙極電極的一對電極。

此外，電漿處理裝置1E、1H各自的第1靜電吸盤區域21、第2靜電吸盤區域22、及基台18，亦可與電漿處理裝置1F的第1靜電吸盤區域21、第2靜電吸盤區域22、及基台18同樣地構成。

此外，電漿處理裝置1、1B、1C、1D、1E、1H、1J、1K各自的第1靜電吸盤區域21、第2靜電吸盤區域22、及基台18，亦可與電漿處理裝置1G的第1靜電吸盤區域21、第2靜電吸盤區域22、及基台18同樣地構成。

此外，包含上述各種實施形態的基板支持器16之電漿處理裝置，亦可為任意類型之電漿處理裝置。此等電漿處理裝置，例如為電感耦合型之電漿處理裝置、電子迴旋共振（ECR）電漿處理裝置、或藉由微波等表面波產生電漿之電漿處理裝置。

從以上說明內容來看，應理解本發明揭露之各種實施形態，係以說明為目的而在本說明書中闡述，可不脫離本發明揭露之範圍及主旨地進行各種變更。因此，本說明書所揭露之各種實施形態的意旨並不在於限定，而本發明真正的範圍與主旨，係依添附之發明申請專利範圍所示。

1,1A,1B,1C,1D,1E,1F,1G,1H,1J,1K:電漿處理裝置 10:腔室 10s:內部空間 12:腔室本體 12g:閘閥 12p:通路 16:基板支持器 17:支持部 18:基台 18f:流路 18g:溝 20:靜電吸盤 20d:介電體部 21:第1靜電吸盤區域 21a,21c,22a,22b,22c:電極 21d:第1介電體部 21h,22h:加熱器 22:第2靜電吸盤區域 22d:第2介電體部 22g:氣體管線 23a,23b:配管 25:氣體供給管線 28:外周部 29:外周部 30:上部電極 32:構件 34:頂板 34a:氣體噴吐孔 36:支持體 36a:氣體擴散室 36b:氣體孔 36c:氣體導入埠 38:氣體供給管 40:氣體源群 41:閥群 42:流量控制器群 43:閥群 48:檔板 50:排氣裝置 52:排氣管 55,71,74:直流電源 61,91:高頻電源 62,64,82,92:匹配器 63,81:偏壓電源 65,73,76,83,112:濾波器 68,85:加熱器控制器 56,72,75:開關 86:氣體供給機構 87,88:阻隔電容器 100:共通電氣路徑 101:第1電氣路徑 102:第2電氣路徑 103:阻抗電路 110:電容器 181:第1部分 182:第2部分 AX:軸線 ER:邊緣環 MC:控制部 W:基板

圖1係概略顯示一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。 圖2係詳細顯示一例示實施形態之電漿處理裝置的腔室內之構成的圖。 圖3係概略顯示另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。 圖4係概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。 圖5係概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。 圖6係概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。 圖7係概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。 圖8係概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。 圖9係概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。 圖10係概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。 圖11係概略顯示更另一例示實施形態之電漿處理裝置的圖。 圖12（a）係顯示第1靜電吸盤區域之另一例的部分放大圖；圖12（b）及圖12（c）分別為顯示第2靜電吸盤區域之另一例的部分放大圖。

1:電漿處理裝置 10:腔室 10s:內部空間 16:基板支持器 18:基台 20:靜電吸盤 20d:介電體部 21:第1靜電吸盤區域 21a,21c,22a,22b,22c:電極 21h,22h:加熱器 22:第2靜電吸盤區域 22g:氣體管線 55,71,74:直流電源 61:高頻電源 62,64,82:匹配器 63,81:偏壓電源 65,73,76,83:濾波器 68,85:加熱器控制器 56,72,75:開關 86:氣體供給機構 ER:邊緣環 W:基板

Claims (13)

1. 一種電漿處理裝置，包含： 腔室； 基板支持器，設置於該腔室中，該基板支持器包含： 第1靜電吸盤區域，將載置於其上之基板加以固持；以及 第2靜電吸盤區域，包圍著該第1靜電吸盤區域，該第2靜電吸盤區域將載置於其上之邊緣環加以固持，該第2靜電吸盤區域包括一或更多邊緣吸盤電極以及一邊緣偏壓電極，該一或更多邊緣吸盤電極在該第2靜電吸盤區域中係位於該邊緣偏壓電極上方；以及 電壓脈波產生器，電性連接至該邊緣偏壓電極並用以產生脈波直流電壓。
2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中， 該脈波直流電壓具有負極性。
3. 如請求項2之電漿處理裝置，其中， 該第2靜電吸盤區域包含雙極型靜電吸盤。
4. 如請求項2之電漿處理裝置，其中， 該第2靜電吸盤區域更包含介電體部；並且 該一或更多邊緣吸盤電極以及該邊緣偏壓電極係位於該介電體部之中。
5. 如請求項4之電漿處理裝置，其中， 該第1靜電吸盤區域與該第2靜電吸盤區域共同包含該介電體部；並且 該第1靜電吸盤區域包含位於該介電體部中之中央吸盤電極。
6. 如請求項4之電漿處理裝置，其中， 該介電體部包含第1介電體部與第2介電體部； 該第1靜電吸盤區域包含: 該第1介電體部，以及 中央吸盤電極，位於該第1介電體部中；並且 該第2靜電吸盤區域包含該第2介電體部。
7. 如請求項4之電漿處理裝置，更包含: 加熱器，位於該第2靜電吸盤區域中所包含之該介電體部中。
8. 如請求項1至7中任一項之電漿處理裝置，更包含: 氣體管線，用於將熱傳氣體供給至該第2靜電吸盤區域與該邊緣環之間。
9. 如請求項1至7中任一項之電漿處理裝置，更包含: 基台，具有導電性，其中 該第1靜電吸盤區域及該第2靜電吸盤區域係設置於該基台上。
10. 如請求項6之電漿處理裝置，其中， 該第2介電體部具有比該第1介電體部更薄的厚度。
11. 如請求項9之電漿處理裝置，其中， 該第1靜電吸盤區域包含第1介電體部， 該第2靜電吸盤區域包含第2介電體部，並且 該第1介電體部藉由延伸至該基台中之溝而與該第2介電體部分離。
12. 如請求項11之電漿處理裝置，其中， 該第2介電體部具有比該第1介電體部更薄的厚度。
13. 如請求項11之電漿處理裝置，其中， 該溝具有底部，該底部係介於該基台的頂面與該基台的底面之間。

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