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TWI867065B - 基板洗淨方法、及基板洗淨裝置 - Google Patents

基板洗淨方法、及基板洗淨裝置 Download PDF

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TWI867065B
TWI867065B TW109135112A TW109135112A TWI867065B TW I867065 B TWI867065 B TW I867065B TW 109135112 A TW109135112 A TW 109135112A TW 109135112 A TW109135112 A TW 109135112A TW I867065 B TWI867065 B TW I867065B
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gas
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cluster forming
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TW202123315A (zh
Inventor
大野広基
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
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Publication date
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Abstract

本發明提供一種技術，其能夠抑制結束向基板噴射團簇形成氣體與載氣之混合氣體時基板產生缺陷之現象。 本發明之基板洗淨方法具有以下步驟：將團簇形成氣體與載氣之混合氣體供給至噴嘴，上述團簇形成氣體藉由絕熱膨脹形成團簇，上述載氣具有較上述團簇形成氣體小之分子量或原子量；藉由從上述噴嘴噴射上述混合氣體而形成上述團簇；藉由上述團簇去除附著於基板之粒子；以及從結束對上述噴嘴供給上述團簇形成氣體之時起，於設定時間內繼續對上述噴嘴供給上述載氣。

Description

基板洗淨方法、及基板洗淨裝置
本發明係關於一種基板洗淨方法、及基板洗淨裝置。
專利文獻1中所記載之基板洗淨方法具有如下步驟：藉由從噴嘴噴射三氟化氯氣體與氬氣之混合氣體而形成三氟化氯團簇；以及使所形成之團簇撞擊單晶矽之表面。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-46001號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明之一態樣提供一種技術，其能夠抑制結束向基板噴射團簇形成氣體與載氣之混合氣體時基板產生缺陷之現象。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之基板洗淨方法具有以下步驟： 將團簇形成氣體與載氣之混合氣體供給至噴嘴，上述團簇形成氣體藉由絕熱膨脹形成團簇，上述載氣具有較上述團簇形成氣體小之分子量或原子量； 藉由從上述噴嘴噴射上述混合氣體而形成上述團簇； 藉由上述團簇去除附著於基板之粒子；以及 從結束對上述噴嘴供給上述團簇形成氣體之時起，於設定時間內繼續對上述噴嘴供給上述載氣。 [發明之效果]
根據本發明之一態樣，能夠抑制結束向基板噴射團簇形成氣體與載氣之混合氣體時基板產生缺陷之現象。
以下，參照圖式，對本發明之實施方式進行說明。再者，於各圖式中對同一或對應構成標註同一或對應符號，且有時省略說明。於以下之說明中，X軸方向、Y軸方向、Z軸方向係相互垂直之方向，X軸方向及Y軸方向係水平方向，Z軸方向係鉛直方向。又，下方意指鉛直方向下方(Z軸負方向)，上方意指鉛直方向上方(Z軸正方向)。
圖1係表示一實施方式之基板洗淨裝置之側視圖。基板洗淨裝置10藉由向基板2之主表面3噴射氣體，將附著於基板2之主表面3之粒子5(參照圖3)去除。基板2例如為矽晶圓等半導體基板。基板洗淨裝置10具備：處理容器20、基板保持部30、旋轉軸部34、旋轉驅動部36、升降驅動部38、噴嘴40、驅動部50、氣體供給部60、氣體抽吸部70、及控制部90。
處理容器20於內部具有處理基板2之空間。處理容器20之內部例如為圓柱狀空間。處理容器20具有作為基板2之搬入搬出口之閘門(未圖示)、及開閉閘門之閘閥(未圖示)。
基板保持部30配置於處理容器20之內部，具有保持基板2之基板保持面31。基板保持部30例如使基板2之要被去除粒子5之主表面3朝上，水平地保持基板2。
旋轉軸部34從基板保持部30之中央向下方延伸，鉛直地配置。旋轉軸部34之上端部配置於處理容器20之內部，旋轉軸部34之下端部配置於處理容器20之外部。
旋轉驅動部36藉由使旋轉軸部34繞鉛直軸旋轉，而使基板保持部30旋轉。旋轉驅動部36例如具有旋轉馬達、以及將旋轉馬達之旋轉驅動力傳遞至旋轉軸部34之傳遞機構。
升降驅動部38使基板保持部30升降。升降驅動部38例如包含液壓缸等。升降驅動部38經由旋轉驅動部36使基板保持部30升降，亦可不經由旋轉驅動部36使基板保持部30升降。
噴嘴40向由基板保持部30保持之基板2之主表面3噴射氣體。噴嘴40使氣體之噴射口41朝下，配置於基板保持部30之上方。
噴嘴40例如向相對於由基板保持部30保持之基板2之主表面3垂直之方向(例如鉛直方向)噴射氣體。因氣體垂直地撞擊基板2之主表面3撞擊，故可抑制事先形成於基板2之主表面3之凹凸圖案發生圖案倒塌。
驅動部50使噴嘴40於基板保持部30之徑向上移動。驅動部50使噴嘴40於基板保持部30之中心部之正上方位置與基板保持部30之外周部之正上方位置之間移動。又，驅動部50使噴嘴40向基板保持部30之徑向外側位置移動。基板保持部30之徑向外側位置係不噴射氣體時待機之待機位置。
圖2係表示一實施方式之驅動部之俯視圖。如圖2所示，驅動部50例如具有回轉臂51、以及使回轉臂51回轉之回轉驅動部52。回轉臂51水平地配置，於其頭端部以使噴嘴40之噴射口41朝下之方式保持噴嘴40。回轉驅動部52使回轉臂51以回轉軸53為中心回轉，該回轉軸53從回轉臂51之基端部向下方延伸。
再者，驅動部50亦可具有導軌及直動機構來代替回轉臂51及回轉驅動部52。導軌水平地配置，直動機構使噴嘴40沿導軌移動。
如圖1所示，驅動部50可進而具有使噴嘴40升降之升降驅動部54。升降驅動部54例如包含液壓缸等。升降驅動部54經由回轉驅動部52使噴嘴40升降，亦可不經由回轉驅動部52使噴嘴40升降。
氣體供給部60將團簇形成氣體供給至噴嘴40。團簇形成氣體由噴嘴40噴射。團簇形成氣體於經事先減壓之處理容器20之內部發生絕熱膨脹，因此冷卻至冷凝溫度，形成分子或原子之集合體即團簇4。團簇形成氣體例如包含選自二氧化碳(CO2 )氣體及氬(Ar)氣中之至少1種以上之氣體。
又，氣體供給部60將載氣供給至噴嘴40。載氣具有較團簇形成氣體小之分子量或原子量。因此，載氣具有較團簇形成氣體高之冷凝溫度。因此，載氣不會形成團簇4。載氣例如包含選自氫(H2 )氣及氦(He)氣中之至少1種以上之氣體。
氣體供給部60將團簇形成氣體與載氣之混合氣體供給至噴嘴40。於本實施方式中，使用CO2 氣體作為團簇形成氣體，使用H2 氣體作為載氣。再者，團簇形成氣體與載氣之組合無特別限定。
氣體供給部60具有：共通管線L1，其下游端連接於噴嘴40；第1分支管線L2，其從共通管線L1之上游端延伸至第1供給源61；以及第2分支管線L3，其從共通管線L1之上游端延伸至第2供給源62。第1供給源61係CO2 氣體之供給源。又，第2供給源62係H2 氣體之供給源。
於共通管線L1，設置有調整對噴嘴40供給氣體時之供給壓P之壓力調整器63。壓力調整器63於控制部90之控制下，調整對噴嘴40供給氣體時之供給壓P。再者，亦可於共通管線L1之壓力調整器63之上游側進而設置氣體增壓器等升壓器。
於第1分支管線L2設置有第1開閉閥64及第1流量調整閥65。當控制部90打開第1開閉閥64時，從第1供給源61向噴嘴40供給CO2 氣體。在此期間，控制部90藉由第1流量調整閥65調整CO2 氣體之流量。當控制部90關閉第1開閉閥64時，停止從第1供給源61向噴嘴40供給CO2 氣體。
於第2分支管線L3設置有第2開閉閥66及第2流量調整閥67。當控制部90打開第2開閉閥66時，從第2供給源62向噴嘴40供給H2 氣體。在此期間，控制部90藉由第2流量調整閥67調整H2 氣體之流量。當控制部90關閉第2開閉閥66時，停止從第2供給源62向噴嘴40供給H2 氣體。
氣體抽吸部70使處理容器20之內部減壓。氣體抽吸部70例如具有：抽吸泵71，其抽吸處理容器20之內部之氣體；抽吸管線72，其從形成於處理容器20之內壁面22之抽吸口27延伸至抽吸泵71；以及壓力調整器73，其設置於抽吸管線72之中途。壓力調整器73於控制部90之控制下，調整處理容器20之內部之氣壓。
圖3係表示一實施方式之團簇之形成之剖視圖。噴嘴40例如係一般稱為拉瓦噴嘴者，具有直徑小於噴射口41及供給口42兩者之喉部43。噴嘴40於喉部43與噴射口41之間具有從喉部43起越靠近噴射口41直徑越大之錐形孔45。
噴嘴40配置於處理容器20之內部。處理容器20之內部藉由氣體抽吸部70事先減壓。供給至噴嘴40之供給口42之氣體藉由通過喉部43而加速，從噴射口41噴射。噴射之CO2 氣體於經事先減壓之處理容器20之內部發生絕熱膨脹，因此冷卻至冷凝溫度。藉此，CO2 分子彼此藉由凡得瓦爾力鍵結，形成CO2 分子之集合體即團簇4。
團簇4撞擊附著於基板2之主表面3之粒子5，吹飛粒子5。團簇4不直接撞擊粒子5而撞擊主表面3時亦可吹飛撞擊位置周邊之粒子5。再者，團簇4由於撞擊而變為高溫，因此分解分散，被氣體抽吸部70抽吸。
然，若團簇4之尺寸過小，則粒子5之去除效率過低。另一方面，若團簇4之尺寸過大，則事先形成於基板2之主表面3之凹凸圖案會倒塌。又，若團簇4之尺寸過大，則有可能使基板2之主表面3產生斑狀缺陷。
因此，要調整團簇4之尺寸。例如可藉由對噴嘴40供給氣體時之供給壓P、團簇形成氣體與載氣之流量比、及處理容器20之內部之氣壓等調整團簇4之尺寸。對噴嘴40供給氣體時之供給壓P例如為0.5 MPa～5 MPa，較佳為0.5 MPa～0.9 MPa。團簇形成氣體與載氣之流量比例如為10：90～90：10。流量意指於0℃、大氣壓下測定之正常流量。噴嘴40之溫度例如為-50℃～-10℃。處理容器20之內部之氣壓例如為5 Pa～120 Pa。
控制部90例如包含電腦，具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)91、及記憶體等記憶媒體92。於記憶媒體92中儲存程式，該程式控制基板洗淨裝置10中執行之各種處理。控制部90藉由使CPU91執行記憶於記憶媒體92中之程式，而控制基板洗淨裝置10之動作。又，控制部90具備輸入介面93、及輸出介面94。控制部90藉由輸入介面93接收來自外部之信號，藉由輸出介面94向外部發送信號。
相關程式亦可為記憶於可藉由電腦讀取之記憶媒體中、自該記憶媒體安裝於控制部90之記憶媒體92中者。作為可藉由電腦讀取之記憶媒體，例如可列舉：硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。再者，程式亦可經由網際網路從伺服器下載，而安裝於控制部90之記憶媒體92中。
圖4係以功能區塊之形式表示一實施方式之控制部之構成要素之圖。圖4中所圖示之各功能區塊僅為概念上之表現，物理上並非必須完全按圖示構成。對於各功能區塊之全部或一部分，能夠以任意單位按功能概念或物理概念加以分散、合併而構成。對於利用各功能區塊進行之各處理功能，其全部或任意一部分可利用藉由CPU執行之程式來實現，或者可作為利用佈線邏輯而構建之硬體來實現。
如圖4所示，控制部90具備：氣體供給控制部95、加熱器控制部96、冷媒供給控制部97、及相對位置控制部98。氣體供給控制部95控制氣體供給部60。氣體供給部60將團簇形成氣體及載氣供給至噴嘴40。加熱器控制部96控制加熱器80。加熱器80加熱噴嘴40。加熱器80例如為配置於噴嘴40之內部之電熱線。冷媒供給控制部97控制冷媒供給部81。冷媒供給部81藉由將冷媒供給至噴嘴40而調節噴嘴40之溫度。於噴嘴40之周圍形成有供冷媒流動之流路。冷媒可為氣體、液體之任一者。當冷媒供給控制部97禁止將冷媒供給至噴嘴40時，即便不加熱噴嘴40，噴嘴40之溫度亦會自然上升。相對位置控制部98控制驅動部50。驅動部50使噴嘴40與基板保持部30之相對位置於從噴嘴40向基板2噴射氣體之位置與從噴嘴40向基板2以外噴射氣體之位置之間移動。
圖5係表示一實施方式之基板洗淨方法之流程圖。圖5所示之各步驟於控制部90之控制下實施。
基板洗淨方法具有將基板2搬入處理容器20之內部之步驟S101。於該步驟S101中，未圖示之搬送裝置從處理容器20之外部將基板2搬入處理容器20之內部，將搬入之基板2配置於基板保持部30之基板保持面31。基板保持部30使基板2之主表面3朝上，水平地保持基板2。
基板洗淨方法具有將團簇形成氣體與載氣之混合氣體供給至噴嘴40之步驟S102。於該步驟S102中，氣體供給部60將混合氣體供給至噴嘴40。團簇形成氣體例如為CO2 氣體，載氣例如為H2 氣體。載氣抑制噴嘴40之內部之團簇形成氣體液化，並將對噴嘴40供給氣體時供給壓P提高至所需氣壓。
若供給壓P過低，則團簇形成氣體之絕熱膨脹、即團簇形成氣體之加速不充分，團簇4不會成長至足夠去除粒子5之大小。另一方面，若僅藉由團簇形成氣體將供給壓P提高至所需氣壓，則團簇形成氣體之氣壓會超過飽和蒸氣壓，團簇形成氣體於噴嘴40之內部液化。
載氣藉由降低團簇形成氣體之分壓，而抑制團簇形成氣體於噴嘴40之內部液化。又，載氣藉由將對噴嘴40供給氣體時之供給壓P提高至所需氣壓，可使團簇形成氣體充分加速，從而可使團簇4成長至足夠去除粒子5之大小。
氣體供給部60將混合氣體供給至噴嘴40，同時，氣體抽吸部70抽吸處理容器20之內部之氣體，使處理容器20之內部之氣壓保持固定。
基板洗淨方法具有藉由從噴嘴40噴射混合氣體而形成團簇4之步驟S103。混合氣體中所包含之CO2 氣體於經事先減壓之處理容器20之內部發生絕熱膨脹，因此冷卻至冷凝溫度。藉此，CO2 分子彼此藉由凡得瓦爾力鍵結，形成CO2 分子之集合體即團簇4。
基板洗淨方法具有藉由團簇4去除基板2之主表面3所附著之粒子5之步驟S104。團簇4撞擊粒子5，將粒子5吹飛。團簇4不直接撞擊粒子5而撞擊主表面3時亦可將撞擊位置周邊之粒子5吹飛。
一面改變團簇4撞擊基板2之主表面3撞擊之位置，一面反覆進行上述步驟S102～步驟S104。例如一面讓旋轉驅動部36使基板保持部30旋轉，一面讓驅動部50使噴嘴40於基板2之徑向上移動，藉此改變撞擊之位置。可使團簇4撞擊基板2之主表面3之整體，從而可洗淨基板2之主表面3之整體。
再者，於本實施方式中，藉由使基板保持部30旋轉並且使噴嘴40於基板2之徑向上移動，而改變團簇4撞擊基板2之主表面3撞擊之位置，但本發明之技術不限定於此。例如，亦可於固定噴嘴40之狀態下，使基板保持部30於X軸方向及Y軸方向上移動。
於上述步驟S102～步驟S104之後，結束對噴嘴40供給團簇形成氣體(步驟S105)，以及結束對噴嘴40供給載氣(步驟S107)。
基板洗淨方法具有結束對噴嘴40供給團簇形成氣體之步驟S105。於該步驟S105中，氣體供給控制部95關閉第1開閉閥64，結束對噴嘴40供給團簇形成氣體。此時，氣體供給控制部95不關閉第2開閉閥66，保持打開第2開閉閥66。
基板洗淨方法具有步驟S106，該步驟S106係從結束對噴嘴40供給團簇形成氣體時起，於設定時間Δt內繼續對噴嘴40供給載氣。於該步驟S106中，氣體供給控制部95保持打開第2開閉閥66，將載氣持續供給至噴嘴40。可將殘留於噴嘴40之內部之團簇形成氣體置換為載氣。藉由實驗等事先決定設定時間Δt，如下所述，使團簇形成氣體不會於噴嘴40之內部液化，換言之，使團簇形成氣體之分壓充分低於飽和蒸氣壓。
基板洗淨方法具有結束對噴嘴40供給載氣之步驟S107。於該步驟S107中，氣體供給控制部95關閉第2開閉閥66，結束對噴嘴40供給載氣。氣體供給控制部95於將殘留於噴嘴40之內部之團簇形成氣體置換為載氣之後，結束對噴嘴40供給載氣。
基板洗淨方法具有將基板2從處理容器20之內部搬出至處理容器20之外部之步驟S108。於該步驟S108中，基板保持部30解除基板2之保持，未圖示之搬送裝置從基板保持部30接收基板2，將所接收之基板2從處理容器20之內部搬出至處理容器20之外部。其後，本次處理結束。
先前，同時結束對噴嘴40供給團簇形成氣體(步驟S105)、及對噴嘴40供給載氣(步驟S107)。此為導致基板2之主表面3產生斑狀缺陷之一個原因。
若同時結束團簇形成氣體之供給(步驟S105)、及結束載氣之供給(步驟S107)，則載氣會較團簇形成氣體先從噴嘴40排出。其原因在於，載氣之分子量或原子量小於團簇形成氣體之分子量或原子量。
因載氣較團簇形成氣體先從噴嘴40釋出，故團簇形成氣體占噴嘴40之內部空間之比率變高。其結果為，團簇形成氣體、或不可避免地包含於團簇形成氣體中之雜質會於噴嘴40之內部空間液化。
當液化之氣體從噴嘴40噴出時，會附著於基板2之主表面3。該附著物即為斑狀缺陷。再者，亦存在如下問題：若團簇形成氣體或其雜質於噴嘴40之內部液化，則會形成巨大之團簇4，導致基板2之主表面3之凹凸圖案倒塌。
本實施方式之基板洗淨方法於結束團簇形成氣體之供給(步驟S105)之後，再結束載氣之供給(步驟S107)。即，本實施方式之基板洗淨方法具有步驟S106，該步驟S106係從團簇形成氣體之供給結束起，於設定時間Δt內繼續對噴嘴40供給載氣。
根據本實施方式，於將殘留於噴嘴40之內部之團簇形成氣體置換為載氣之後，結束對噴嘴40供給載氣。其結果為，可抑制基板2之主表面3產生斑狀缺陷。又，可抑制基板2之主表面3之凹凸圖案倒塌。
圖6係表示一實施方式之基板洗淨裝置之動作時點之圖。例如，氣體供給控制部95於時刻t0開始將團簇形成氣體與載氣雙方供給至噴嘴40。
氣體供給控制部95從時刻t0至時刻t1，將團簇形成氣體與載氣雙方供給至噴嘴40。氣體供給控制部95從時刻t0至時刻t1，以第1流量FR1將載氣供給至噴嘴40。
又，加熱器控制部96從時刻t0至時刻t1，禁止利用加熱器80加熱噴嘴40。藉此，可將噴嘴40冷卻至團簇形成氣體之冷凝溫度附近，可輔助團簇4之形成。
冷媒供給控制部97從時刻t0至時刻t1，將冷媒供給至噴嘴40。藉此，可將噴嘴40冷卻至團簇形成氣體之冷凝溫度附近，可輔助團簇4之形成。
其後，氣體供給控制部95於時刻t1結束對噴嘴40供給團簇形成氣體。繼而，氣體供給控制部95從時刻t1至時刻t2，繼續對噴嘴40供給載氣。從時刻t1到時刻t2之時間為設定時間Δt。
氣體供給控制部95從時刻t1至時刻t2，以大於第1流量FR1之第2流量FR2(FR2＞FR1)將載氣供給至噴嘴40。可將殘留於噴嘴40之內部之團簇形成氣體迅速地置換為載氣。
再者，將載氣之流量從第1流量FR1切換至第2流量FR2之時點可不為時刻t1，亦可為即將到達時刻t1之前或時刻t1之後。氣體供給控制部95於設定時間Δt中以第2流量FR2將載氣供給至噴嘴40即可。可將殘留於噴嘴40之內部之團簇形成氣體迅速地置換為載氣。
加熱器控制部96從時刻t1至時刻t2，利用加熱器80加熱噴嘴40。因熱供給至噴嘴40，故噴嘴40之溫度變為高溫。其結果為，可抑制團簇形成氣體或其雜質於噴嘴40之內部液化。
再者，開始噴嘴40之加熱之時點可不為時刻t1，亦可為即將到達時刻t1之前或時刻t1之後。加熱器控制部96於設定時間Δt中利用加熱器80加熱噴嘴40即可。因熱供給至噴嘴40，故噴嘴40之溫度變為高溫。其結果為，可抑制團簇形成氣體或其雜質於噴嘴40之內部液化。
冷媒供給控制部97從時刻t1至時刻t2，禁止將冷媒供給至噴嘴40。因冷媒不供給至噴嘴40，故噴嘴40之溫度變為高溫。其結果為，可抑制團簇形成氣體或其雜質於噴嘴40之內部液化。
再者，結束供給冷媒之時點可不為時刻t1，亦可為即將到達時刻t1之前或時刻t1之後。冷媒供給控制部97於設定時間Δt中禁止將冷媒供給至噴嘴40即可。因冷媒不供給至噴嘴40，故即便不加熱噴嘴40，噴嘴40之溫度自然地變為高溫。其結果為，可抑制團簇形成氣體或其雜質於噴嘴40之內部液化。
相對位置控制部98從時刻t1至時刻t2，使噴嘴40與基板2之相對位置處於從噴嘴40向基板2噴射氣體之位置。假定從時刻t1至時刻t2，使噴嘴40與基板2之相對位置處於從噴嘴40向基板2以外噴射氣體之位置，則氣體會撞擊處理容器20之內壁面。其結果為，使附著於處理容器20之內壁面之沈積物剝離。存在剝離之沈積物揚起而附著於基板2之主表面3之情況。
於本實施方式中，相對位置控制部98從時刻t1至時刻t2，使噴嘴40與基板2之相對位置處於從噴嘴40向基板2噴射氣體之位置。從噴嘴40噴射之氣體藉由撞擊基板2而流速降低。撞擊處理容器20之內壁面之氣體流速較小。因此，可抑制附著於處理容器20之內壁面之沈積物剝離，可抑制沈積物附著於基板2之主表面3。
圖7係表示實施例之洗淨後基板污染狀況之圖。圖8係表示先前例之洗淨後基板污染狀況之圖。於圖7及圖8中，黑點表示缺陷之位置。
於圖7所示之實施例中，從時刻t0至時刻t1，對噴嘴40供給混合氣體時之供給壓P為0.9 MPa，團簇形成氣體與載氣之流量比為25：75，噴嘴40之溫度為-40℃，處理容器20之內部之氣壓例如為100 Pa，噴嘴40與基板2之間隔為60 mm。團簇形成氣體為CO2 氣體，載氣為H2 氣體。又，設定時間Δt為30秒。
再者，於圖7所示之實施例中，從時刻t1至時刻t2，不實施圖6所示之載氣之流量增加、加熱器80之加熱、及冷媒之停止。即，於圖7所示之實施例中，從時刻t0至時刻t2，載氣之流量固定，加熱器80不加熱噴嘴40，冷媒供給部81繼續將冷媒供給至噴嘴40。
於圖8所示之先前例中，同時結束團簇形成氣體之供給與載氣之供給，除此以外與圖7所示之實施例同樣地進行了基板之洗淨。
由圖7與圖8之比較明確可知，藉由從結束供給團簇形成氣體起，於設定時間Δt內繼續對噴嘴40供給載氣，可抑制基板2之主表面3產生斑狀缺陷。
以上，對本發明之基板洗淨方法及基板洗淨裝置之實施方式進行了說明，但本發明並不限定於上述實施方式等。可於申請專利範圍所記載之範疇內進行各種變更、修正、置換、附加、刪除、及組合。其等當然同樣屬於本發明之技術範圍。
上述實施方式之基板2為矽晶圓，亦可為碳化矽基板、藍寶石基板、玻璃基板等。
2:基板 3:主表面 4:團簇 5:粒子 10:基板洗淨裝置 20:處理容器 22:內壁面 27:抽吸口 30:基板保持部 31:基板保持面 34:旋轉軸部 36:旋轉驅動部 38:升降驅動部 40:噴嘴 41:噴射口 42:供給口 43:喉部 45:錐形孔 50:驅動部 51:回轉臂 52:回轉驅動部 53:回轉軸 54:升降驅動部 60:氣體供給部 61:第1供給源 62:第2供給源 63:壓力調整器 64:第1開閉閥 65:第1流量調整閥 66:第2開閉閥 67:第2流量調整閥 70:氣體抽吸部 71:抽吸泵 72:抽吸管線 73:壓力調整器 80:加熱器 81:冷媒供給部 90:控制部 91:CPU 92:記憶媒體 93:輸入介面 94:輸出介面 95:氣體供給控制部 96:加熱器控制部 97:冷媒供給控制部 98:相對位置控制部 L1:共通管線 L2:第1分支管線 L3:第2分支管線
圖1係表示一實施方式之基板洗淨裝置之側視圖。 圖2係表示一實施方式之噴嘴移動機構之俯視圖。 圖3係表示一實施方式之團簇之形成之剖視圖。 圖4係以功能區塊之形式表示一實施方式之控制部之構成要素之圖。 圖5係表示一實施方式之基板洗淨方法之流程圖。 圖6係表示一實施方式之基板洗淨裝置之動作時點之圖。 圖7係表示實施例之洗淨後基板污染狀況之圖。 圖8係表示先前例之洗淨後基板污染狀況之圖。

Claims (12)

  1. 一種基板洗淨方法，其具有以下步驟：將團簇形成氣體與載氣之混合氣體供給至噴嘴，上述團簇形成氣體藉由絕熱膨脹形成團簇，上述載氣具有較上述團簇形成氣體小之分子量或原子量；藉由從上述噴嘴噴射上述混合氣體而形成上述團簇；藉由上述團簇去除附著於基板之粒子；以及從結束對上述噴嘴供給上述團簇形成氣體之時起，於設定時間內繼續對上述噴嘴供給上述載氣。
  2. 如請求項1之基板洗淨方法，其中將上述混合氣體供給至上述噴嘴之步驟包含以下步驟：以第1流量將上述載氣供給至上述噴嘴；以及於上述設定時間中，以大於上述第1流量之第2流量將上述載氣供給至上述噴嘴。
  3. 如請求項1或2之基板洗淨方法，其於將上述混合氣體供給至上述噴嘴之步驟中，具有禁止利用加熱器加熱上述噴嘴之步驟；且具有於上述設定時間中，利用加熱器加熱上述噴嘴之步驟。
  4. 如請求項1或2之基板洗淨方法，其於將上述混合氣體供給至上述噴嘴之步驟中，具有：將冷媒供給至上述噴嘴之步驟；及 於上述設定時間中，禁止將上述冷媒供給至上述噴嘴之步驟。
  5. 如請求項1或2之基板洗淨方法，其具有以下步驟：於上述設定時間內，使上述噴嘴與上述基板之相對位置處於自上述噴嘴向上述基板噴射氣體之位置。
  6. 如請求項1或2之基板洗淨方法，其中上述團簇形成氣體包含選自二氧化碳氣體及氬氣中之1種以上之氣體，上述載氣包含選自氫氣及氦氣中之1種以上之氣體。
  7. 一種基板洗淨裝置，其具備：基板保持部，其保持基板；噴嘴，其對由上述基板保持部保持之上述基板噴射氣體；氣體供給部，其將團簇形成氣體及載氣供給至上述噴嘴，上述團簇形成氣體藉由從上述噴嘴被噴出而發生絕熱膨脹，形成團簇，上述載氣具有較上述團簇形成氣體小之分子量或原子量；以及氣體供給控制部，其控制上述氣體供給部；上述氣體供給控制部將上述團簇形成氣體與上述載氣之混合氣體供給至上述噴嘴，從結束對上述噴嘴供給上述團簇形成氣體之時起，於設定時間內繼續對上述噴嘴供給上述載氣。
  8. 如請求項7之基板洗淨裝置，其中上述氣體供給控制部於將上述混合氣體供給至上述噴嘴之步驟中，以第1流量將上述載氣 供給至上述噴嘴，於上述設定時間中，以大於上述第1流量之第2流量將上述載氣供給至上述噴嘴。
  9. 如請求項7或8之基板洗淨裝置，其具備：加熱器，其加熱上述噴嘴；以及加熱器控制部，其控制上述加熱器；上述加熱器控制部於將上述混合氣體供給至上述噴嘴之步驟中，禁止利用上述加熱器加熱上述噴嘴，於上述設定時間中，利用上述加熱器加熱上述噴嘴。
  10. 如請求項7或8之基板洗淨裝置，其具備：冷媒供給部，其藉由將冷媒供給至上述噴嘴，調節上述噴嘴之溫度；以及冷媒供給控制部，其控制上述冷媒供給部；上述冷媒供給控制部於將上述混合氣體供給至上述噴嘴之步驟中，將上述冷媒供給至上述噴嘴，於上述設定時間中，禁止將上述冷媒供給至上述噴嘴。
  11. 如請求項7或8之基板洗淨裝置，其具備：驅動部，其使上述噴嘴與上述基板保持部相對移動；以及 相對位置控制部，其控制上述驅動部；上述相對位置控制部於上述設定時間內，使上述噴嘴與上述基板保持部之相對位置處於從上述噴嘴向由上述基板保持部保持之上述基板噴射氣體之位置。
  12. 如請求項7或8之基板洗淨裝置，其中上述團簇形成氣體包含選自二氧化碳氣體及氬氣中之1種以上之氣體，上述載氣包含選自氫氣及氦氣中之1種以上之氣體。
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