TWI866222B

TWI866222B - 天線結構

Info

Publication number: TWI866222B
Application number: TW112118693A
Authority: TW
Inventors: 吳子民; 古光原; 賴國仁
Original assignee: 啓碁科技股份有限公司
Priority date: 2023-05-19
Filing date: 2023-05-19
Publication date: 2024-12-11
Also published as: TW202448015A

Abstract

一種天線結構，包括：一接地元件、一饋入輻射部、一第一輻射部、一第二輻射部、一第一耦合支路、一電感元件，以及一介質基板。饋入輻射部具有一饋入點。第一輻射部係耦接至饋入輻射部。第二輻射部係耦接至饋入輻射部，其中第二輻射部係與第一輻射部大致朝相反方向作延伸。第一耦合支路係經由電感元件耦接至接地元件上之一第一接地點。第一耦合支路包括一高架部份，其中高架部份係延伸跨越第一輻射部。接地元件、饋入輻射部、第一輻射部、第二輻射部、電感元件，以及第一耦合支路皆設置於介質基板之同一表面上。

Description

天線結構

本發明係關於一種天線結構，特別係關於一種寬頻帶(Wideband)之天線結構。

隨著行動通訊技術的發達，行動裝置在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍，例如：行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850 MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍，例如：Wi-Fi系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。

天線(Antenna)為無線通訊領域中不可缺少之元件。倘若用於接收或發射信號之天線其頻寬(Bandwidth)不足，則很容易造成行動裝置之通訊品質下降。因此，如何設計出小尺寸、寬頻帶之天線元件，對天線設計者而言是一項重要課題。

在較佳實施例中，本發明提出一種天線結構，包括：一接地元件；一饋入輻射部，具有一饋入點；一第一輻射部，耦接至該饋入輻射部；一第二輻射部，耦接至該饋入輻射部，其中該第二輻射部係與該第一輻射部大致朝相反方向作延伸；一電感元件；一第一耦合支路，經由該電感元件耦接至該接地元件上之一第一接地點，其中該第一耦合支路包括一高架部份，而該高架部份係延伸跨越該第一輻射部；以及一介質基板，其中該接地元件、該饋入輻射部、該第一輻射部、該第二輻射部、該電感元件，以及該第一耦合支路皆設置於該介質基板之同一表面上。

在一些實施例中，該饋入輻射部、該第一輻射部，以及該第二輻射部之組合係呈現一T字形。

在一些實施例中，該天線結構涵蓋一低頻頻帶和一高頻頻帶。

在一些實施例中，低頻頻帶係介於600MHz至960MHz之間，而該高頻頻帶係介於1100MHz至6000MHz之間。

在一些實施例中，該饋入輻射部和該第一輻射部之總長度係小於或等於該低頻頻帶之0.5倍波長。

在一些實施例中，該饋入輻射部和該第二輻射部之總長度係小於或等於該高頻頻帶之0.5倍波長。

在一些實施例中，該電感元件為一集總式電感器。

在一些實施例中，該電感元件為一分佈式電感器。

在一些實施例中，該電感元件之電感值係介於1nH至30nH之間。

在一些實施例中，該第一耦合支路之該高架部份係未與該第一輻射部有任何直接接觸。

在一些實施例中，該第一耦合支路更包括鄰近於該第一輻射部之一耦合部份。

在一些實施例中，該第一耦合支路之該耦合部份係與該第一輻射部大致互相平行。

在一些實施例中，該第一耦合支路之該耦合部份與該第一輻射部之間形成一第一耦合間隙，而該第一耦合間隙之寬度係小於或等於2mm。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一絕緣層，設置於該第一耦合支路之該高架部份與該第一輻射部之間。

在一些實施例中，該絕緣層更設置於該第一耦合支路之該高架部份與該電感元件之間。

在一些實施例中，該第一耦合支路之該耦合部份為一立體金屬板。

在一些實施例中，該立體金屬板係與該介質基板大致互相垂直。

在一些實施例中，該第一耦合支路之該高架部份係呈現一倒U字形。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一第二耦合支路，耦接至該接地元件上之一第二接地點，其中該第二耦合支路係鄰近於該第二輻射部。

在一些實施例中，該第二耦合支路與該第二輻射部之間形成一第二耦合間隙，而該第二耦合間隙之寬度係小於或等於2mm。

為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。

以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號或(且)標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例或(且)結構之間有特定的關係。

此外，其與空間相關用詞。例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之俯視圖。天線結構100可以套用於一行動裝置(Mobile Device)，例如：一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。在第1圖之實施例中，天線結構100包括：一接地元件(Ground Element)110、一饋入輻射部(Feeding Radiation Element)120、一第一輻射部(Radiation Element)130、一第二輻射部140、一第一耦合支路(Coupling Branch)150、一電感元件(Inductive Element)160，以及一介質基板(Dielectric Substrate)170，其中接地元件110、饋入輻射部120、第一輻射部130、第二輻射部140、第一耦合支路150，以及電感元件160皆可由金屬材質所製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。

介質基板170可以是一FR4(Flame Retardant 4)基板、一印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)，或是一軟性電路板(Flexible Printed Circuit，FPC)。接地元件110、饋入輻射部120、第一輻射部130、第二輻射部140、第一耦合支路150，以及電感元件160皆可大致設置於介質基板170之同一表面E1上。在一些實施例中，第一耦合支路150可至少有一部份並未直接接觸到介質基板170之前述表面E1。

接地元件110可由一接地銅箔(Ground Copper Foil)來實施，其可延伸至介質基板170之外，並可耦接至一系統接地面(System Ground Plane)(未顯示)。

饋入輻射部120具有一第一端121和一第二端122，其中一饋入點(Feeding Point)FP係位於饋入輻射部120之第一端121處。饋入點FP更可耦接至一信號源(未顯示)。例如，前述之信號源可為一射頻(Radio Frequency，RF)模組，其可用於激發天線結構100。第一輻射部130具有一第一端131和一第二端132，其中第一輻射部130之第一端131係耦接至饋入輻射部120之第二端122，而第一輻射部130之第二端132為一開路端(Open End)。第二輻射部140具有一第一端141和一第二端142，其中第二輻射部140之第一端141係耦接至饋入輻射部120之第二端122，而第二輻射部140之第二端142為一開路端。例如，第二輻射部140之第二端142和第一輻射部130之第二端132可大致朝相反且互相遠離之方向作延伸。在一些實施例中，饋入輻射部120、第一輻射部130，以及第二輻射部140之組合可以大致呈現一T字形。

電感元件160之形狀和種類在本發明中並不特別作限制。在一些實施例中，電感元件160可為一集總式電感器(Lumped Inductor)。在另一些實施例中，電感元件160亦可為一可變電感器(Variable Inductor)，從而能提供一可調電感值。

第一耦合支路150具有一第一端151和一第二端152，其中第一耦合支路150之第一端151係經由電感元件160耦接至接地元件110上之一第一接地點(Grounding Point)GP1，而第一耦合支路150之第二端152為一開路端。在一些實施例中，第一耦合支路150包括鄰近於第一端151處之一高架部份(Elevated Portion)154，以及鄰近於第二端152處之一耦合部份(Coupling Portion)155。第一耦合支路150之高架部份154係延伸跨越第一輻射部130，其中第一耦合支路150之高架部份154完全未與第一輻射部130有任何直接接觸。亦即，第一耦合支路150之高架部份154於介質基板170之表面E1上具有一垂直投影(Vertical Projection)，其中此垂直投影可與第一輻射部130至少部份重疊。另外，第一耦合支路150之耦合部份155係設置於介質基板170之表面E1上並鄰近於第一輻射部130，其中第一耦合支路150之耦合部份155可與第一輻射部130之間形成一第一耦合間隙(Coupling Gap)GC1。例如，第一耦合支路150之耦合部份155可與第一輻射部130大致互相平行。必須注意的是，本說明書中所謂「鄰近」或「相鄰」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如：5mm或更短)，惟亦可包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即，前述間距縮短至0)。在一些實施例中，第一耦合支路150可以大致呈現一較長L字形。

根據實際量測結果，天線結構100可涵蓋一低頻頻帶和一高頻頻帶。例如，前述之低頻頻帶可介於600MHz至960MHz之間，而前述之高頻頻帶可介於1100MHz至6000MHz之間。因此，天線結構100將至少可涵蓋LTE(Long Term Evolution)或(且)新世代5G通訊(5th Generation Mobile Network)之寬頻操作。

在一些實施例中，天線結構100之操作原理可如下列所述。饋入輻射部120和第一輻射部130可共同激發產生前述之低頻頻帶。饋入輻射部120和第二輻射部140可共同激發產生前述之高頻頻帶。另外，第一耦合支路150可由饋入輻射部120和第一輻射部130所耦合激發。根據實際量測結果，第一耦合支路150和電感元件160之加入有助於增加前述之低頻頻帶之操作頻寬(Operational Bandwidth)，還能微調前述之高頻頻帶之阻抗匹配(Impedance Matching)。

在一些實施例中，天線結構100之元件尺寸和元件參數可如下列所述。饋入輻射部120和第一輻射部130之總長度L1可小於或等於天線結構100之低頻頻帶之0.5倍波長(λ/2)。饋入輻射部120和第二輻射部140之總長度L2可小於或等於天線結構100之高頻頻帶之0.5倍波長(λ/2)。第一耦合間隙GC1之寬度可以小於或等於2mm。電感元件160之電感值可介於1nH至30nH之間。天線結構100之整體長度LT可以小於或等於100mm。天線結構100之整體寬度WT可以小於或等於10mm。以上元件尺寸和元件參數之範圍係根據多次實驗結果而求出，其有助於最佳化天線結構100之操作頻寬和阻抗匹配。

以下實施例將介紹天線結構100之不同組態及細部結構特徵。必須理解的是，這些圖式和敘述僅為舉例，而非用於限制本發明之範圍。

第2A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構200之立體圖。第2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構200之剖面圖。請一併參考第2A、2B圖，其係與前述之第1圖類似。在第2A、2B圖之實施例中，天線結構200更包括一絕緣層(Insulation Layer)256，其可設置於第一耦合支路150之高架部份154與第一輻射部130之間。例如，絕緣層256可藉由一絕緣油墨(Insulation Ink)、一絕緣薄膜(Insulation Film)，或是一絕緣背膠(Insulation Back Adhesive)來實施。大致而言，絕緣層256可用於將第一耦合支路150之高架部份154與第一輻射部130彼此分隔開。例如，絕緣層256之厚度H1可僅大於或等於0.01mm，以達成微縮整體天線尺寸之功效。另外，藉由改變絕緣層256之厚度H1，還可調整第一耦合支路150和第一輻射部130之間之耦合量(Coupling Amount)。在一些實施例中，天線結構200更包括一第一焊錫元件(Soldering Element)257和一第二焊錫元件258，其係分別耦接至第一耦合支路150之高架部份154之兩末端處。詳細而言，在第一耦合支路150當中，高架部份154之一端可經由第一焊錫元件257耦接至耦合部份155，而高架部份154之另一端則可經由第二焊錫元件258耦接至電感元件160之一末端161處。在一些實施例中，絕緣層256亦可設置於第一耦合支路150之高架部份154與電感元件160之間。例如，絕緣層256可位於第一焊錫元件257和第二焊錫元件258之間，其中絕緣層256、第一焊錫元件257，以及第二焊錫元件258三者皆可設置於同一平面上。然而，本發明並不僅限於此。在另一些實施例中，第一焊錫元件257和第二焊錫元件258亦可由第一耦合支路150之高架部份154之二末端延伸元件所取代，以達成一體成型之設計。第2A、2B圖之天線結構200之其餘特徵皆與第1圖之天線結構100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第3A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構300之立體圖。第3B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構300之剖面圖。請一併參考第3A、3B圖，其係與前述之第2A、2B圖類似。在第3A、3B圖之實施例中，天線結構300之一第一耦合支路350包括一高架部份354、一耦合部份355，以及一支撐部份(Supporting Portion)359，其中第一耦合支路350之耦合部份355主要可藉由一立體金屬板(Metal Plate)來實施。例如，前述之立體金屬板可與介質基板170大致互相垂直，其可用於提升第一耦合支路350和第一輻射部130之間之耦合量。另外，在第一耦合支路350當中，支撐部份359可設置於介質基板170上，而耦合部份355可經由第一焊錫元件257耦接至支撐部份359，以強化第一耦合支路350之穩固度。然而，本發明並不僅限於此。在另一些實施例中，前述之支撐部份359和第一焊錫元件257皆為選用元件(Optional Element)，其亦可由第一耦合支路350當中移除。第3A、3B圖之天線結構300之其餘特徵皆與第2A、2B圖之天線結構200類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第4A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構400之立體圖。第4B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構400之剖面圖。請一併參考第4A、4B圖，其係與前述之第1圖類似。在第4A、4B圖之實施例中，天線結構400之一第一耦合支路450包括一高架部份454和一耦合部份455，其中第一耦合支路450之高架部份454可以大致呈現一倒U字形，而第一耦合支路450之耦合部份455則主要可藉由一立體金屬板來實施。如第4B圖所示，第一耦合支路450之高架部份454於第一輻射部130上之內部最大高度H2可大於或等於0.3mm。另外，如第4A圖所示，第一耦合支路450之耦合部份455則可直接接觸到介質基板170之表面E1。在此設計下，即使天線結構400未使用任何絕緣層，第一耦合支路450之高架部份454也不會對第一輻射部130之輻射性能造成太多負面影響。第4A、4B圖之天線結構400之其餘特徵皆與第1圖之天線結構100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構500之俯視圖。第5圖與第1圖類似。在第5圖之實施例中，天線結構500之一電感元件560可為一分佈式電感器(Distributed Inductor)。例如，電感元件560可以大致呈現一螺旋形，其可視為一圓形線圈。詳細而言，電感元件560具有一第一端561和一第二端562，其中電感元件560之第一端561係耦接至接地元件110上之第一接地點GP1，而電感元件560之第二端562係耦接至第一耦合支路150之高架部份154。因此，第一耦合支路150亦可經由電感元件560耦接至接地元件110。第5圖之天線結構500之其餘特徵皆與第1圖之天線結構100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構600之俯視圖。第6圖與第5圖類似。在第6圖之實施例中，天線結構600更包括一絕緣層656，其可覆蓋住第一輻射部130之至少一部份，並可覆蓋住整個電感元件560。例如，絕緣層656可藉由一絕緣油墨、一絕緣薄膜，或是一絕緣背膠來實施。絕緣層656可用於將第一耦合支路150之高架部份154與第一輻射部130和電感元件560彼此分隔開。例如，第一耦合支路150之高架部份154可位於絕緣層656之上方，而第一輻射部130和電感元件560則皆可位於絕緣層656之下方。另外，絕緣層656還可具有一些開孔，因此由第一耦合支路150之耦合部份155起經過其高架部份154再至電感元件560仍可形成一電流路徑(Current Path)。第6圖之天線結構600之其餘特徵皆與第5圖之天線結構500類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第7A圖係顯示根據本發明一實施例所述之電感元件761之俯視圖。第7B圖係顯示根據本發明一實施例所述之電感元件762之俯視圖。第7C圖係顯示根據本發明一實施例所述之電感元件763之俯視圖。必須理解的是，除了前述之圓形線圈以外，本發明之各個電感元件之形狀亦可依據不同需求而進行改變。例如：一正方形線圈，一六邊形線圈，或是一八邊形線圈亦可應用於本發明之任一實施例當中。

第8圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構800之俯視圖。第8圖與第5圖類似。在第8圖之實施例中，天線結構800更包括一第二耦合支路890，其可由金屬材質所製成。第二耦合支路890可以大致呈現一L字形。詳細而言，第二耦合支路890具有一第一端891和一第二端892，其中第二耦合支路890之第一端891係耦接至接地元件110上之一第二接地點GP2，而第二耦合支路890之第二端892為一開路端。第二接地點GP2可與前述之第一接地點GP1相異。例如，若第一接地點GP1位於饋入輻射部120之一側，則第二接地點GP2將可位於饋入輻射部120之相對另一側。第二耦合支路890之第二端892、第一耦合支路150之第二端152，以及第一輻射部130之第二端132，此三者皆可大致朝相同方向作延伸。另外，第二耦合支路890係鄰近於第二輻射部140而設置，其中第二耦合支路890可與第二輻射部140之間還可形成一第二耦合間隙GC2。例如，第二耦合間隙GC2之寬度可以小於或等於2mm。根據實際量測結果，第二耦合支路890之加入有助於增加天線結構800之高頻頻帶之操作頻寬。第8圖之天線結構800之其餘特徵皆與第5圖之天線結構500類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

本發明提出一種新穎之天線結構。與傳統設計相比，本發明至少具有小尺寸、寬頻帶、單層電路板，以及低製造成本等優勢，故其很適合應用於各種各式之行動通訊裝置當中。

值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件形狀、元件參數，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之天線結構並不僅限於第1-8圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-8圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之天線結構當中。

在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。

本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100,200,300,400,500,600,800:天線結構 110:接地元件 120:饋入輻射部 121:饋入輻射部之第一端 122:饋入輻射部之第二端 130:第一輻射部 131:第一輻射部之第一端 132:第一輻射部之第二端 140:第二輻射部 141:第二輻射部之第一端 142:第二輻射部之第二端 150,350,450:第一耦合支路 151:第一耦合支路之第一端 152:第一耦合支路之第二端 154,354,454:第一耦合支路之高架部份 155,355,455:第一耦合支路之耦合部份 160,560,761,762,763:電感元件 161:電感元件之末端 170:介質基板 256,656:絕緣層 257:第一焊錫元件 258:第二焊錫元件 359:第一耦合支路之支撐部份 561:電感元件之第一端 562:電感元件之第二端 890:第二耦合支路 891:第二耦合支路之第一端 892:第二耦合支路之第二端 E1:介質基板之表面 FP:饋入點 GC1:第一耦合間隙 GC2:第二耦合間隙 GP1:第一接地點 GP2:第二接地點 H1:厚度 H2:高度 L1,L2,LT:長度 WT:寬度

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。第2A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之立體圖。第2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之剖面圖。第3A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之立體圖。第3B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之剖面圖。第4A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之立體圖。第4B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之剖面圖。第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。第7A圖係顯示根據本發明一實施例所述之電感元件之俯視圖。第7B圖係顯示根據本發明一實施例所述之電感元件之俯視圖。第7C圖係顯示根據本發明一實施例所述之電感元件之俯視圖。第8圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。

100:天線結構 110:接地元件 120:饋入輻射部 121:饋入輻射部之第一端 122:饋入輻射部之第二端 130:第一輻射部 131:第一輻射部之第一端 132:第一輻射部之第二端 140:第二輻射部 141:第二輻射部之第一端 142:第二輻射部之第二端 150:第一耦合支路 151:第一耦合支路之第一端 152:第一耦合支路之第二端 154:第一耦合支路之高架部份 155:第一耦合支路之耦合部份 160:電感元件 170:介質基板 E1:介質基板之表面 FP:饋入點 GC1:第一耦合間隙 GP1:第一接地點 L1,L2,LT:長度 WT:寬度

Claims

一種天線結構，包括：一接地元件；一饋入輻射部，具有一饋入點；一第一輻射部，耦接至該饋入輻射部；一第二輻射部，耦接至該饋入輻射部，其中該第二輻射部係與該第一輻射部大致朝相反方向作延伸；一電感元件；一第一耦合支路，經由該電感元件耦接至該接地元件上之一第一接地點，其中該第一耦合支路包括一高架部份，而該高架部份係延伸跨越該第一輻射部；以及一介質基板，其中該接地元件、該饋入輻射部、該第一輻射部、該第二輻射部、該電感元件，以及該第一耦合支路皆設置於該介質基板之同一表面上；其中該第一耦合支路之該高架部份於該介質基板之該表面上具有一垂直投影，而該垂直投影係與該第一輻射部至少部份重疊。
如請求項1所述之天線結構，其中該饋入輻射部、該第一輻射部，以及該第二輻射部之組合係呈現一T字形。
如請求項1所述之天線結構，其中該天線結構涵蓋一低頻頻帶和一高頻頻帶。
如請求項3所述之天線結構，其中低頻頻帶係介於600MHz至960MHz之間，而該高頻頻帶係介於1100MHz至 6000MHz之間。
如請求項3所述之天線結構，其中該饋入輻射部和該第一輻射部之總長度係小於或等於該低頻頻帶之0.5倍波長。
如請求項3所述之天線結構，其中該饋入輻射部和該第二輻射部之總長度係小於或等於該高頻頻帶之0.5倍波長。
如請求項1所述之天線結構，其中該電感元件為一集總式電感器。
如請求項1所述之天線結構，其中該電感元件為一分佈式電感器。
如請求項1所述之天線結構，其中該電感元件之電感值係介於1nH至30nH之間。
如請求項1所述之天線結構，其中該第一耦合支路之該高架部份係未與該第一輻射部有任何直接接觸。
如請求項1所述之天線結構，其中該第一耦合支路更包括鄰近於該第一輻射部之一耦合部份。
如請求項11所述之天線結構，其中該第一耦合支路之該耦合部份係與該第一輻射部大致互相平行。
如請求項11所述之天線結構，其中該第一耦合支路之該耦合部份與該第一輻射部之間形成一第一耦合間隙，而該第一耦合間隙之寬度係小於或等於2mm。
如請求項1所述之天線結構，更包括：一絕緣層，設置於該第一耦合支路之該高架部份與該第一輻射部之間。
如請求項14項所之天線結構，其中該絕緣層更設置於該第一耦合支路之該高架部份與該電感元件之間。
如請求項11所述之天線結構，其中該第一耦合支路之該耦合部份係為一立體金屬板。
如請求項16所述之天線結構，其中該立體金屬板係與該介質基板大致互相垂直。
如請求項1所述之天線結構，其中該第一耦合支路之該高架部份係呈現一倒U字形。
如請求項1所述之天線結構，更包括：一第二耦合支路，耦接至該接地元件上之一第二接地點，其中該第二耦合支路係鄰近於該第二輻射部。
如請求項19所述之天線結構，其中該第二耦合支路與該第二輻射部之間形成一第二耦合間隙，而該第二耦合間隙之寬度係小於或等於2mm。