TWI860798B

TWI860798B - 天線結構

Info

Publication number: TWI860798B
Application number: TW112128374A
Authority: TW
Inventors: 洪彥銘; 黃金堂; 陳薇詩
Original assignee: 啓碁科技股份有限公司
Priority date: 2023-07-28
Filing date: 2023-07-28
Publication date: 2024-11-01
Also published as: US20250038407A1; TW202505803A

Abstract

一種天線結構，包括：一金屬腔體、一第一輻射部、一第二輻射部、一第三輻射部，以及一介質基板。金屬腔體具有一開口區域。第一輻射部具有一第一饋入點，其中第一輻射部係耦接至金屬腔體。第二輻射部具有一第二饋入點，其中第二輻射部係耦接至金屬腔體。第三輻射部係鄰近於第一輻射部和第二輻射部，其中第三輻射部係耦接至金屬腔體。介質基板係鄰近於金屬腔體之開口區域，其中第一輻射部、第二輻射部，以及第三輻射部皆設置於介質基板上。

Description

天線結構

本發明係關於一種天線結構，特別係關於一種寬頻帶(Wideband)之天線結構。

隨著行動通訊技術的發達，行動裝置在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍，例如：行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850 MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍，例如：Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。

天線(Antenna)為無線通訊領域中不可缺少之元件。倘若用於接收或發射信號之天線其操作頻寬(Operational Bandwidth)過窄，則很容易造成行動裝置之通訊品質下降。因此，如何設計出一種小尺寸、寬頻帶之天線結構，對設計者而言是一項重要課題。

在較佳實施例中，本發明提出一種天線結構，包括：一金屬腔體，具有一開口區域；一第一輻射部，具有一第一饋入點，其中該第一輻射部係耦接至該金屬腔體；一第二輻射部，具有一第二饋入點，其中該第二輻射部係耦接至該金屬腔體；一第三輻射部，鄰近於該第一輻射部和該第二輻射部，其中該第三輻射部係耦接至該金屬腔體；以及一介質基板，鄰近於該金屬腔體之該開口區域，其中該第一輻射部、該第二輻射部，以及該第三輻射部皆設置於該介質基板上。

在一些實施例中，該天線結構涵蓋一第一頻帶、一第二頻帶，以及一第三頻帶。

在一些實施例中，該第一頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間，該第二頻帶係介於5150MHz至5850MHz之間，而該第三頻帶係介於5925MHz至7125MHz之間。

在一些實施例中，該金屬腔體係呈現一無蓋空心長方體。

在一些實施例中，該金屬腔體之長度介於該第一頻帶之0.25倍至0.3倍波長之間。

在一些實施例中，該金屬腔體之寬度介於該第一頻帶之0.06倍至0.07倍波長之間。

在一些實施例中，該金屬腔體更具有一第一邊緣、一第二邊緣、一第三邊緣，以及一第四邊緣，而該開口區域係由該第一邊緣、該第二邊緣、該第三邊緣，以及該第四邊緣所包圍。

在一些實施例中，該第二輻射部係與該第一輻射部大致互相平行。

在一些實施例中，該第二輻射部之長度係大於或等於該第一輻射部之長度。

在一些實施例中，該第一輻射部之長度係小於或等於該第二頻帶之0.5倍波長。

在一些實施例中，該第二輻射部之長度係小於或等於該第二頻帶之0.5倍波長。

在一些實施例中，該第一輻射部係耦接至該金屬腔體之該第一邊緣。

在一些實施例中，該第二輻射部係耦接至該金屬腔體之該第一邊緣和該第二邊緣。

在一些實施例中，該第一輻射部、該金屬腔體之該第一邊緣，以及該第二輻射部係形成一共振路徑，而該共振路徑之長度係大致等於該第三頻帶之0.5倍波長。

在一些實施例中，該第三輻射部包括：一第一區段，耦接至該金屬腔體之該第三邊緣和該第四邊緣；一第二區段，耦接至該第一區段；以及一第三區段，耦接至該第一區段、該第二區段，以及該金屬腔體之該第二邊緣和該第三邊緣。

在一些實施例中，該第一區段和該第二區段之總長度係大致等於該第一頻帶之0.25倍波長。

在一些實施例中，該第一區段和該第二區段之總長度係大致等於該金屬腔體之該第二邊緣和該第四邊緣之間距之3倍。

在一些實施例中，該第二區段和該第一輻射部之間形成一第一耦合間隙，該第三區段和該第一輻射部之間形成一第二耦合間隙，該第三區段和該第二輻射部之間形成一第三耦合間隙，而該第二區段和該金屬腔體之該第四邊緣之間形成一第四耦合間隙。

在一些實施例中，該第一耦合間隙之寬度係介於0.8mm至1.2mm之間，該第二耦合間隙之寬度係介於0.6mm至0.8mm之間，該第三耦合間隙之寬度係介於0.4mm至0.6mm之間，而該第四耦合間隙之寬度係介於0.2mm至1.2mm之間。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一金屬部，耦接至該金屬腔體之該第一邊緣和該第四邊緣。

為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。

以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。

此外，其與空間相關用詞。例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構(Antenna Structure)100之前視圖。第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之立體圖。請一併參考第1、2圖。天線結構100可應用於一電子裝置當中，例如：一桌上型電腦(Desktop Computer)。如第1、2圖所示，天線結構100至少包括：一金屬腔體(Metal Cavity)110、一第一輻射部(Radiation Element)120、一第二輻射部130、一第三輻射部140，以及一介質基板(Dielectric Substrate)180，其中第一輻射部120、第二輻射部130，以及第三輻射部140皆可用金屬材質製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。

金屬腔體110可以大致呈現一無蓋空心長方體，但亦不僅限於此。詳細而言，金屬腔體110具有一第一邊緣111、一第二邊緣112、一第三邊緣113、一第四邊緣114，以及一開口區域(Opening Region)115，其中第三邊緣113可與第一邊緣111彼此相對並大致互相平行，而第四邊緣114可與第二邊緣112彼此相對並大致互相平行。另外，前述之開口區域115則可由金屬腔體110之第一邊緣111、第二邊緣112、第三邊緣113，以及第四邊緣114所完全包圍。

例如，介質基板180可為一FR4(Flame Retardant 4)基板、一印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)，或是一軟性電路板(Flexible Printed Circuit，FPC)。介質基板180係鄰近於金屬腔體110之開口區域115，其中第一輻射部120、第二輻射部130，以及第三輻射部140皆可設置於介質基板180之同一表面上。例如，第一輻射部120、第二輻射部130，以及第三輻射部140皆可位於金屬腔體110之開口區域115之內，並皆可由金屬腔體110之第一邊緣111、第二邊緣112、第三邊緣113，以及第四邊緣114所包圍。在另一些實施例中，介質基板180可與金屬腔體110之開口區域115兩者互相切齊。抑或，介質基板180之面積可略大於金屬腔體110之開口區域115之面積，使得介質基板180可將金屬腔體110之開口區域115完全覆蓋住。

第一輻射部120具有一第一端121和一第二端122，其中一第一饋入點(Feeding Point)FP1係鄰近於第一輻射部120之第一端121處，而第一輻射部120之第二端122係耦接至金屬腔體110之第一邊緣111。第一饋入點FP1更可耦接至一信號源(Signal Source)199之一正極(Positive Electrode)。例如，信號源199可為一射頻(Radio Frequency，RF)模組，其可用於激發天線結構100。必須注意的是，本說明書中所謂「靠近」或「鄰近」一詞可指對應之二元件間距小於一臨界距離(例如：10mm或更短)，但通常不包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即，前述間距縮短至0)。在一些實施例中，第一輻射部120可以大致呈現一直條形，但亦不僅限於此。

第二輻射部130具有一第一端131和一第二端132，並更具有一第一側邊133和一第二側邊134，其中第二輻射部130之第一端131為一開路端(Open End)，第二輻射部130之第二端132係耦接至金屬腔體110之第一邊緣111，第二輻射部130之第一側邊133係耦接至金屬腔體110之第二邊緣112，而一第二饋入點FP2係位於第二輻射部130之第二側邊134處。第二饋入點FP2更可耦接至信號源199之一負極(Negative Electrode)。另外，第二輻射部130之長度L2可以大於第一輻射部120之長度L1。在一些實施例中，第一輻射部120、金屬腔體110之第一邊緣111，以及第二輻射部130可形成一共振路徑(Resonant Path)LC。例如，前述之共振路徑LC可大致呈現一迴圈形狀，其起點和終點可分別鄰近於第一饋入點FP1處和第二饋入點FP2處，但亦不僅限於此。在一些實施例中，第二輻射部130可以大致呈現另一直條形，其可與第一輻射部120大致互相平行，但亦不僅限於此。

第三輻射部140可以大致呈現一不規則形，其可同時鄰近於第一輻射部120和第二輻射部130，但亦不僅限於此。在一些實施例中，第三輻射部140包括彼此互相耦接之一第一區段(Segment)150、一第二區段160，以及一第三區段170，其可詳如下列所述。

第一區段150可以大致呈現一矩形，但亦不僅限於此。第一區段150係耦接至金屬腔體110之第三邊緣113和第四邊緣114。亦即，第一區段150可位於金屬腔體110之開口區域115之一角落處。在另一些實施例中，第一區段150亦可僅耦接至金屬腔體110之第三邊緣113，但並未直接接觸到金屬腔體110之第四邊緣114。

第二區段160可以大致呈現一直條形，其可與第一輻射部120大致互相平行，但亦不僅限於此。詳細而言，第二區段160具有一第一端161和一第二端162，其中第二區段160之第一端161係耦接至第一區段150，而第二區段160之第二端162為一開路端。例如，第二區段160之第二端162和第一輻射部120之第一端121兩者可大致朝相反且互相遠離之方向作延伸。

第三區段170可以大致呈現一L字形，但亦不僅限於此。第三區段170係耦接至第一區段150、第二區段160，以及金屬腔體110之第二邊緣112和第三邊緣113。在一些實施例中，第三區段170包括一第一部份174和一第二部份，其可彼此互相耦接。在一些實施例中，第一部分174的長度可大於等於第二部分175的長度。

在一些實施例中，第二區段160和第一輻射部120之間可形成一第一耦合間隙(Coupling Gap)GC1，第三區段170之第一部份174和第一輻射部120之間可形成一第二耦合間隙GC2，第三區段170之第一部份174和第二輻射部130之間可形成一第三耦合間隙GC3，而第二區段160和金屬腔體110之第四邊緣114之間可形成一第四耦合間隙GC4。

第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表電壓駐波比。根據第3圖之量測結果，天線結構100可涵蓋一第一頻帶(Frequency Band)FB1、一第二頻帶FB2，以及一第三頻帶FB3。例如，第一頻帶FB1可介於2400MHz至2500MHz之間，第二頻帶FB2可介於5150MHz至5850MHz之間，而第三頻帶FB3可介於5925MHz至7125MHz之間。因此，天線結構100將至少可支援傳統WLAN(Wireless Local Area Network)和新世代Wi-Fi 6E之寬頻操作。

在一些實施例中，天線結構100之操作原理可如下列所述。第三輻射部140可由第一輻射部120所耦合激發，以產生前述之第一頻帶FB1。第一輻射部120、第二輻射部130，以及第三輻射部140可共同激發產生前述之第二頻帶FB2。共振路徑LC則可激發產生前述之第三頻帶FB3。根據實際量測結果，第一耦合間隙GC1、第二耦合間隙GC2、第三耦合間隙GC3，以及第四耦合間隙GC4可用於微調前述之第一頻帶FB1和第二頻帶FB2之阻抗匹配(Impedance Matching)。另外，金屬腔體110之加入則可消除天線結構100之背向輻射(Back Radiation)，從而能增強天線結構100之輻射增益(Radiation Gain)。

在一些實施例中，天線結構100之元件尺寸可如下列所述。金屬腔體110之長度LT可介於天線結構100之第一頻帶FB1之0.25倍至0.3倍波長之間(0.25λ～0.3λ)。金屬腔體110之寬度WT可介於天線結構100之第一頻帶FB1之0.06倍至0.07倍波長之間(0.06λ～0.07λ)。金屬腔體110之深度HT可介於天線結構100之第一頻帶FB1之0.07倍至0.08倍波長之間(0.07λ～0.08λ)。第一輻射部120之長度L1可小於或等於天線結構100之第二頻帶FB2之0.5倍波長(0.5λ)。第二輻射部130之長度L2可小於或等於天線結構100之第二頻帶FB2之0.5倍波長(0.5λ)。共振路徑LC之長度可大致等於天線結構100之第三頻帶FB3之0.5倍波長(0.5λ)。在第三輻射部140中，第一區段150和第二區段160之總長度L3可大致等於天線結構100之第一頻帶FB1之0.25倍波長(0.25λ)。另外，第一區段150和第二區段160之總長度L3還可大致等於金屬腔體110之第二邊緣112和第四邊緣114之間距D1之3倍(亦即， )。抑或，前述之總長度L3亦可大致等於金屬腔體110之寬度WT之3倍(亦即， )。換言之，前述之間距D1亦可大致等於天線結構100之第一頻帶FB1之1/12倍波長(λ/12)。第一耦合間隙GC1之寬度可介於0.8mm至1.2mm之間。第二耦合間隙GC2之寬度可介於0.6mm至0.8mm之間。第三耦合間隙GC3之寬度可介於0.4mm至0.6mm之間。第四耦合間隙GC4之寬度可介於0.2mm至1.2mm之間。以上元件尺寸之範圍係根據多次實驗結果而得出，其有助於最佳化天線結構100之輻射增益、阻抗匹配，以及操作頻寬(Operational Bandwidth)。

第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構400之前視圖。第4圖和第1、2圖相似。在第4圖之實施例中，天線結構400更包括一金屬部(Metal Element)490，其可設置於介質基板180上。金屬部490係耦接至金屬腔體110之第一邊緣111和第四邊緣114，其中金屬部490更可與前述之第一輻射部120、第二輻射部130，以及第三輻射部140皆互相分離。例如，金屬部490可作為一連接元件(Connection Element)，其加入有助於降低天線結構400之組裝困難度。在一些實施例中，金屬部490可以大致呈現一正方形或一矩形，但亦不僅限於此。第4圖之天線結構400之其餘特徵皆與第1、2圖之天線結構100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構500之前視圖。第5圖和第4圖相似。在第5圖之實施例中，天線結構500之一第二輻射部530係與其第一輻射部120兩者大致具有相等之長度。根據實際量測結果，此種等長之設計方式有助於進一步微調天線結構500之第二頻帶FB2之阻抗匹配。第5圖之天線結構500之其餘特徵皆與第4圖之天線結構400類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

本發明提出一種新穎之天線結構。與傳統設計相比，本發明至少具有小尺寸、寬頻帶、高輻射增益，以及可操作於不同環境等優勢，故其很適合應用於各種各式之通訊裝置當中。

值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件形狀，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之天線結構並不僅限於第1-5圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-5圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之天線結構當中。

在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。

本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100,400,500:天線結構 110:金屬腔體 111:金屬腔體之第一邊緣 112:金屬腔體之第二邊緣 113:金屬腔體之第三邊緣 114:金屬腔體之第四邊緣 115:金屬腔體之開口區域 120:第一輻射部 121:第一輻射部之第一端 122:第一輻射部之第二端 130,530:第二輻射部 131:第二輻射部之第一端 132:第二輻射部之第二端 133:第二輻射部之第一側邊 134:第二輻射部之第二側邊 140:第三輻射部 150:第一區段 160:第二區段 161:第二區段之第一端 162:第二區段之第二端 170:第三區段 174:第三區段之第一部份 175:第三區段之第二部份 180:介質基板 199:信號源 490:金屬部 D1:間距 FB1:第一頻帶 FB2:第二頻帶 FB3:第三頻帶 FP1:第一饋入點 FP2:第二饋入點 GC1:第一耦合間隙 GC2:第二耦合間隙 GC3:第三耦合間隙 GC4:第四耦合間隙 HT:深度 L1,L2,L3,LT:長度 LC:共振路徑 WT:寬度

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之前視圖。第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之立體圖。第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之電壓駐波比圖。第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之前視圖。第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之前視圖。

100:天線結構

110:金屬腔體

111:金屬腔體之第一邊緣

112:金屬腔體之第二邊緣

113:金屬腔體之第三邊緣

114:金屬腔體之第四邊緣

115:金屬腔體之開口區域

120:第一輻射部

121:第一輻射部之第一端

122:第一輻射部之第二端

130:第二輻射部

131:第二輻射部之第一端

132:第二輻射部之第二端

133:第二輻射部之第一側邊

134:第二輻射部之第二側邊

140:第三輻射部

150:第一區段

160:第二區段

161:第二區段之第一端

162:第二區段之第二端

170:第三區段

174:第三區段之第一部份

175:第三區段之第二部份

180:介質基板

199:信號源

D1:間距

FP1:第一饋入點

FP2:第二饋入點

GC1:第一耦合間隙

GC2:第二耦合間隙

GC3:第三耦合間隙

GC4:第四耦合間隙

L1,L2,L3,LT:長度

LC:共振路徑

WT:寬度

Claims

一種天線結構，包括：一金屬腔體，具有一開口區域；一第一輻射部，具有一第一饋入點，其中該第一輻射部係耦接至該金屬腔體；一第二輻射部，具有一第二饋入點，其中該第二輻射部係耦接至該金屬腔體；一第三輻射部，鄰近於該第一輻射部和該第二輻射部，其中該第三輻射部係耦接至該金屬腔體；以及一介質基板，鄰近於該金屬腔體之該開口區域，其中該第一輻射部、該第二輻射部，以及該第三輻射部皆設置於該介質基板上；其中該天線結構涵蓋一第一頻帶、一第二頻帶，以及一第三頻帶；其中該金屬腔體係呈現一無蓋空心長方體；其中該金屬腔體之長度介於該第一頻帶之0.25倍至0.3倍波長之間。
如請求項1所述之天線結構，其中該第一頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間，該第二頻帶係介於5150MHz至5850MHz之間，而該第三頻帶係介於5925MHz至7125MHz之間。
如請求項1所述之天線結構，其中該金屬腔體之寬度介於該第一頻帶之0.06倍至0.07倍波長之間。
如請求項1所述之天線結構，其中該金屬腔體更具有一第一邊緣、一第二邊緣、一第三邊緣，以及一第四邊緣，而該開口區域係由該第一邊緣、該第二邊緣、該第三邊緣，以及該第四邊緣所包圍。
如請求項1所述之天線結構，其中該第二輻射部係與該第一輻射部大致互相平行。
如請求項1所述之天線結構，其中該第二輻射部之長度係大於或等於該第一輻射部之長度。
如請求項1所述之天線結構，其中該第一輻射部之長度係小於或等於該第二頻帶之0.5倍波長。
如請求項1所述之天線結構，其中該第二輻射部之長度係小於或等於該第二頻帶之0.5倍波長。
如請求項4所述之天線結構，其中該第一輻射部係耦接至該金屬腔體之該第一邊緣。
如請求項4所述之天線結構，其中該第二輻射部係耦接至該金屬腔體之該第一邊緣和該第二邊緣。
如請求項4所述之天線結構，其中該第一輻射部、該金屬腔體之該第一邊緣，以及該第二輻射部係形成一共振路徑，而該共振路徑之長度係大致等於該第三頻帶之0.5倍波長。
如請求項4所述之天線結構，其中該第三輻射部包括：一第一區段，耦接至該金屬腔體之該第三邊緣和該第四邊緣；一第二區段，耦接至該第一區段；以及一第三區段，耦接至該第一區段、該第二區段，以及該金屬腔體之該第二邊緣和該第三邊緣。
如請求項12所述之天線結構，其中該第一區段和該第二區段之總長度係大致等於該第一頻帶之0.25倍波長。
如請求項12所述之天線結構，其中該第一區段和該第二區段之總長度係大致等於該金屬腔體之該第二邊緣和該第四邊緣之間距之3倍。
如請求項12所述之天線結構，其中該第二區段和該第一輻射部之間形成一第一耦合間隙，該第三區段和該第一輻射部之間形成一第二耦合間隙，該第三區段和該第二輻射部之間形成一第三耦合間隙，而該第二區段和該金屬腔體之該第四邊緣之間形成一第四耦合間隙。
如請求項15所述之天線結構，其中該第一耦合間隙之寬度係介於0.8mm至1.2mm之間，該第二耦合間隙之寬度係介於0.6mm至0.8mm之間，該第三耦合間隙之寬度係介於0.4mm至0.6mm之間，而該第四耦合間隙之寬度係介於0.2mm至1.2mm之間。
如請求項4所述之天線結構，更包括：一金屬部，耦接至該金屬腔體之該第一邊緣和該第四邊緣。