TWI865900B - 電子裝置以及電子裝置的製造方法 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一種電子裝置，包括第一基板以及第一遮光單元，且第一基板包括複數個子畫素。複數個子畫素的其中一者包括第一主要接墊、第一備用接墊以及第一發光單元。第一發光單元設置於第一主要接墊上。第一遮光單元與第一備用接墊在基板的俯視方向上重疊。本揭露另提供一種電子裝置的製造方法。

Description

電子裝置以及電子裝置的製造方法

本發明是有關一種電子裝置以及電子裝置的製造方法。

在製造電子裝置的過程中，用於形成電子裝置的構件中的金屬層與基板因包括的材料不同而具有不同的物理性質（例如熱膨脹係數），使得當其歷經後續的濺鍍製程或高溫製程時將使基板產生翹曲，其例如易導致電子裝置中的訊號傳輸異常，而使此電子裝置的可靠度下降。上述問題在金屬層的厚度越厚時越為明顯。增加基板的厚度雖可減少其產生的翹曲現象，但後續仍須進行將增厚的基板減薄的處理製程，進而增加製程成本。

根據本揭露的實施例，電子裝置包括第一基板，且第一基板包括複數個子畫素以及第一遮光單元。複數個子畫素的其中一者包括第一主要接墊、第一備用接墊以及第一發光單元。第一發光單元設置於第一主要接墊上。第一遮光單元與第一備用接墊在基板的俯視方向上重疊。

根據本揭露的實施例，電子裝置的製造方法包括以下步驟。首先，提供第一基板，且第一基板包括複數個子畫素。複數個子畫素的其中一者包括第一主要接墊以及第一備用接墊。接著，轉移複數個第一發光單元至複數個子畫素的第一主要接墊上。再來，檢測複數個第一發光單元。然後，轉移至少一個第二發光單元至一部份的第一備用接墊上。之後，設置複數個第一遮光單元，使複數個第一遮光單元與另一部分的第一備用接墊在第一基板的俯視方向上重疊。

透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。

本揭露中所敘述之一結構（或層別、元件、基材）位於另一結構（或層別、元件、基材）之上，可以指二結構相鄰且直接連接，或是可以指二結構相鄰而非直接連接，非直接連接是指二結構之間具有至少一中介結構（或中介層別、中介元件），一結構的下側表面相鄰或直接連接於中介結構的上側表面，另一結構的上側表面相鄰或直接連接於中介結構的下側表面，而中介結構可以是單層或多層的實體結構或非實體結構所組成，並無限制。在本揭露中，當某結構配置在其它結構「上」時，有可能是指某結構「直接」在其它結構上，或指某結構「間接」在其它結構上，即某結構和其它結構間還夾設有至少一結構。

本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感或其他非導體線段之元件其中之一與至少一導電段或電阻的組合，或至少上述二者與至少一導電段或電阻的組合。

在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以選擇性採用光學顯微鏡及/或掃描電子顯微鏡（SEM）量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。若第一值等於第二值，其隱含著第一值與第二值之間可存在著約10%的誤差；若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。

術語「大約」、「實質上」或「大體上」一般解釋為在所給定的值的20%以內的範圍，或解釋為在所給定的值的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內的範圍。

現將詳細地參考本揭露的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。

在本揭露中，電子裝置可包括顯示裝置、觸控顯示裝置、發光裝置、天線裝置、感測裝置、拼接裝置或任何適合類型的電子裝置，但不限於此。

電子裝置可包括發光二極體（light-emitting diode；LED），例如有機發光二極體（organic light-emitting diode；OLED）、微型發光二極體（micro-LED, mini-LED）、量子點（quantum dots；QDs）材料、量子點發光二極體（QLED, QDLED）、螢光（fluorescence）材料、磷光（phosphor）材料、其他適合的材料或上述之組合，但不限於此。

此外，電子裝置可為彩色顯示裝置或單色顯示裝置，且電子裝置的形狀可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。在本揭露中，電子裝置為舉例為矩形，且為彩色電子裝置，但不限於此。

圖1A至圖1E為本揭露一實施例的電子裝置的局部製作流程的俯視示意圖，且圖2為依據圖1E的剖線A-A’的第一實施例的剖面示意圖。另外，本流程圖僅為示例，並非用於限制電子裝置的製作步驟。

請同時參照圖1A至圖1E以及圖2，本實施例提供一種電子裝置10a的製造方法。

首先，請參照圖1A，提供基板100，其中基板100包括複數個子畫素SP，且多個子畫素SP可組成一畫素P。在一些實施例中，基板100可為線路基板。上述的線路基板可例如包括基底以及設置於此基底上的主動元件、被動元件、訊號線或其他合適的電子元件，其中基底的材料可例如是玻璃、塑膠或其組合，訊號線例如是掃描線、資料線以及電源線的組合，但本揭露不限於此。基板100的複數個子畫素SP例如可以陣列排列、交錯排列（例如pentile方式）或其他方式設置，本揭露不以此為限。在本實施例中，複數個子畫素SP的其中一者包括主要接墊MP以及備用接墊RP。主要接墊MP以及備用接墊RP例如包括金屬、金屬氧化物或者其餘合適的導電材料，以各自與基板100（線路基板）電性連接。主要接墊MP可例如包括有兩個彼此分離的接墊圖案MP1、MP2，且備用接墊RP亦可例如包括有兩個彼此分離的接墊圖案RP1、RP2。在一些實施例中，接墊圖案MP1與接墊圖案MP2沿第一方向d1排列，且接墊圖案RP1與接墊圖案RP2亦沿第一方向d1排列。另外，在一些實施例中，一個子畫素SP中的主要接墊MP與備用接墊RP沿第一方向d1排列，但本揭露不限於此。

接著，請參照圖1B，轉移複數個發光單元LE1至複數個子畫素SP的主要接墊MP上。在一些實施例中，複數個發光單元LE1可通過巨量轉移（mass transfer）的方式而設置在主要接墊MP上，但本揭露不限於此。複數個發光單元LE1例如沿第二方向d2排列，其中第二方向d2與第一方向d1正交，但本揭露不限於此。發光單元LE1可例如發出各種合適的顏色光（例如藍光）或UV光，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，發光單元LE1可包括自發光材料。舉例而言，在本實施例中，發光單元LE1可為發光二極體（light emitting diode；LED），例如包括有機發光二極體（organic light emitting diode；LED）、微型發光二極體（micro LED）、次毫米發光二極體(mini LED)或量子點發光二極體(quantum dot,QD，可例如為QLED、QDLED)，螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他適合之材料且其材料可任意排列組合，但本揭露不限於此。

在一些實施例中，一個子畫素SP中包括有一個發光單元LE1，其中三個子畫素SP可組成一個畫素P，且三個子畫素SP中包括的發光單元LE1可各自發出不同顏色的光，其例如是紅光、綠光以及藍光，但本揭露不以此為限。在其他的實施例中，每一個畫素P中包括的子畫素SP及/或發光單元LE1的數量以及其對應的發光顏色可依實際所需的設計而調整。

再來，請參照圖1C，檢測複數個發光單元LE1。在一些實施例中，可對子畫素SP中的發光單元LE1進行外觀檢查及/或電性檢查，以檢測子畫素SP是否存在壞點。舉例而言，可例如通過利用自動光學檢測（Automated Optical Inspection；AOI）來對複數個發光單元LE1進行外觀檢查，以觀察發光單元LE1是否具有損毀、刮傷、偏移等外觀瑕疵的現象；或者，可例如利用開路與短路測試（Open/Short test；O/S test）來對複數個發光單元LE1進行電性檢查，以使發光單元LE1發光來確認其發出的光的品質。在本實施例中，當檢測到至少一個子畫素SP中的發光單元LE1具有缺陷時，可將其標識為具有缺陷的發光單元LE1’。值得說明的是，子畫素SP包括有子畫素SP1以及子畫素SP2。在本實施例中，子畫素SP1定義為包括可正常運作的發光單元LE1，且子畫素SP2定義為包括具有缺陷的發光單元LE1’。

然後，請參照圖1D，轉移至少一個發光單元LE2至一部份的備用接墊RP上。在一些實施例中，當檢測到至少一個子畫素SP中的發光單元LE1具有缺陷時，發光單元LE2亦可通過但不限於巨量轉移的方式而設置在該些子畫素SP中的備用接墊RP上，以對其進行修補，其中發光單元LE2與具有缺陷的發光單元LE1’在第一方向d1相鄰。值得說明的是，具有缺陷的發光單元LE1’可例如是發光單元自身的出光缺陷；或主要接墊MP自身的缺陷；或者發光單元LE1與主要接墊MP之間電性連接不佳的缺陷，本揭露不以此為限。

之後，請參照圖1E，設置複數個遮光單元B1，使複數個遮光單元B1與另一部分的備用接墊RP在基板100的俯視方向n上重疊。詳細地說，在至少一個發光單元LE2轉移至一部份的備用接墊RP上之後，設置複數個遮光單元B1至未設置有發光單元LE2的備用接墊RP上。在一些實施例中，遮光單元B1與備用接墊RP接觸。在本實施例中，設置複數個遮光單元B1的方式是利用但不限於自動光學檢測以及噴墨製程進行。舉例而言，可先利用自動光學檢測裝置（未示出）對基板100拍照或執行合適的光學檢測程式以得到一張或多張影像，之後對該些影像進行影像辨識並進行標記或分類，藉此得到未設置有發光單元LE2的備用接墊RP的位置。接著，利用噴墨列印裝置（未示出）對基板100進行噴墨製程，以在未設置有發光單元LE2的備用接墊RP的位置上設置遮光單元B1，其中遮光單元B1例如覆蓋備用接墊RP。在一些實施例中，通過進行噴墨製程而形成的遮光單元B1的表面（遠離基板100的表面）例如具有圓弧形，但本揭露不以此為限。遮光單元B1例如是黑色遮光層，且遮光單元B1的材料可例如是光固化材料、熱固化材料或其組合。在本實施例中，遮光單元B1的材料包括但不限於消光黑油墨，使得其在被使用者觀看時呈現霧面黑色，藉此可減少經未設置有發光單元LE2的備用接墊RP反射的光線，以使電子裝置10a具有高環境對比度。值得說明的是，在設置複數個遮光單元B1之後，可再利用自動光學檢測來對發光單元LE2進行外觀檢查及/或例如利用開路與短路測試對發光單元LE2進行電性檢查，本揭露不以此為限。

在一些實施例中，發光單元LE1可例如具有第一電極E1、第二電極E2與磊晶層ES，如圖2所示出。磊晶層ES的遠離基板100的表面LE1_S可例如定義出發光單元LE1的出光面，且第一電極E1以及第二電極E2可例如設置在與磊晶層ES的表面LE1_S相對的表面上，以各自與主要接墊MP的接墊圖案MP1與接墊圖案MP2電性連接。在本實施例中，發光單元LE1包括覆晶式微型發光二極體，但本揭露不以此為限。在其他的實施例中，發光單元LE1可包括垂直式微型發光二極體或水準式微型發光二極體。發光單元LE2可例如與發光單元LE1相同或相似，於此不再贅述。

在一些實施例中，基板100上設置有畫素定義層PDL，如圖2所示出。畫素定義層PDL例如定義出用以設置發光單元LE1的複數個開口OP1以及接墊圖案RP1與接墊圖案RP2的複數個開口OP2，且遮光層B1可覆蓋及/或接觸接墊圖案RP1與接墊圖案RP2。畫素定義層PDL的材料可例如包括有機材料，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，畫素定義層PDL的材料可具有感光特性，藉此可利用進行圖案化製程形成。另外，在一些實施例中，畫素定義層PDL可例如具有疏水性。

在一些實施例中，基板100上設置有填充層FL，如圖2所示出。填充層FL例如設置於由畫素定義層PDL定義出的開口OP1中，且例如鄰近於或圍繞於發光單元LE1設置。填充層FL可例如用於固定或保護發光單元LE1。在一些實施例中，填充層FL的上表面（遠離基板100的表面）與基板100之間在俯視方向n的最大距離可例如小於發光單元LE1的表面LE1_S（遠離基板100的表面）與基板100之間在俯視方向n的最大距離，如圖2所示出，但本揭露不以此為限。在其他的實施例中，填充層FL與基板100之間的最大距離可例如大於或等於發光單元LE1的表面LE1_S與基板100之間的最大距離。在一些實施例中，填充層FL可包括透明材料、非透明材料或上述之組合，且具有遮光的特性。舉例而言，填充層FL的材料可包括環氧樹脂、壓克力、其他合適的材料或上述之組合。

值得說明的是，本實施例的電子裝置10a的製造方法雖然是以上述方法為例進行說明，然而本揭露的電子裝置10a的製造方法並不以此為限，可根據需求刪除上述部分的步驟，或加入其他步驟。另外，上述步驟可根據需求調整順序。

圖3為本揭露一實施例的電子裝置的局部俯視示意圖。須說明的是，圖3的實施例可沿用圖1E的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。

請參照圖3，本實施例的電子裝置10b與前述的電子裝置10a的主要差異在於：電子裝置10b還包括有至少一個遮光單元B2。詳細地說，除了設置複數個遮光單元B1之外，還可包括設置至少一個遮光單元B2，使遮光單元B2與具有缺陷的發光單元LE1’在基板100的俯視方向n上重疊，藉此減少可能經具有缺陷的發光單元LE1’反射的光線，以使電子裝置10b具有高環境對比度。遮光單元B2與遮光單元B1包括的材料及其形成方法可例如相同或相似，於此不再贅述。

圖4為依據圖1E的剖線A-A’的第二實施例的剖面示意圖。須說明的是，圖4的實施例可沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。

請參照圖4，本實施例的電子裝置10c與前述的電子裝置10a的主要差異在於：遮光單元B1’為紅色濾光層、綠色濾光層以及藍色濾光層中的至少兩者的組合。詳細地說，遮光單元B1’可由紅色濾光層、綠色濾光層以及藍色濾光層中的至少兩者的堆疊結構形成，使得遮光單元B1’亦可達到前述遮光單元B1所達到的效果，即，本實施例的電子裝置10c亦具有高環境對比度、高出光效率及/或廣色域的顯示畫面。值得說明的是，圖4雖示出遮光單元B1’由紅色濾光層B11’、綠色濾光層B12’以及藍色濾光層B13’中的三層堆疊結構形成，且其中紅色濾光層B11’與接墊圖案RP1及接墊圖案RP2接觸，但本揭露不以此為限。

圖5為依據圖1E的剖線A-A’的第三實施例的剖面示意圖。須說明的是，圖5的實施例可沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。

請參照圖5，本實施例的電子裝置10d與前述的電子裝置10a的主要差異在於：電子裝置10d包括有彩色濾光層CF1。詳細地說，彩色濾光層CF1設置於發光單元LE1的表面LE1_S（發光單元LE1的出光面）上，且在基板100的俯視方向n上與發光單元LE1至少部分地重疊，藉此可調整或轉換由發光單元LE1發出的光的顏色。彩色濾光層CF1可例如包括紅色濾光層、綠色濾光層、藍色濾光層或其它合適顏色的濾光層，但本揭露不以此為限。舉例而言，發光單元LE1可發出藍光，且彩色濾光層CF1為綠色濾光層，但本揭露不以此為限。

圖6為依據圖1E的剖線A-A’的第四實施例的剖面示意圖。須說明的是，圖6的實施例可沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。

請參照圖6，本實施例的電子裝置10e與前述的電子裝置10d的主要差異在於：電子裝置10e包括有彩色濾光層CF2，且彩色濾光層CF2設置於備用接墊RP與遮光單元B1之間。詳細地說，在進行前述的設置複數個遮光單元B1的步驟之前，彩色濾光層CF2可與前述的彩色濾光層CF1在同一個製程中形成，使得彩色濾光層CF2設置於由畫素定義層PDL定義出的開口OP2中，因此，彩色濾光層CF2可例如至少部分地覆蓋及/或接觸位於開口OP2中的備用接墊RP。在複數個遮光單元B1形成之後，設置在開口OP2中的遮光單元B1在基板100的俯視方向n上例如與彩色濾光層CF2重疊。

圖7為依據圖1E的剖線A-A’的第五實施例的剖面示意圖。須說明的是，圖7的實施例可沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。

請參照圖7，本實施例的電子裝置10f與前述的電子裝置10a的主要差異在於：電子裝置10f還包括有對向基板200。詳細地說，本實施例提供對向基板200，其中對向基板200與基板100相對地設置。在一些實施例中，在對向基板200面向基板100的表面上設置有遮光圖案層BM以及彩色濾光層CF1、CF2。遮光圖案層BM例如鄰近於或環繞於彩色濾光層CF1、CF2。在一些實施例中，遮光圖案層BM具有多個開口BM_OP1、BM_OP2而形成網格結構，但本揭露不以此為限。遮光圖案層BM的材料可例如包括黑色樹脂、黑色光阻、金屬或其組合，本揭露不以此為限。在一些實施例中，彩色濾光層CF1與彩色濾光層CF2各自設置於遮光圖案層BM的開口BM_OP1與開口BM_OP2中。在一些實施例中，遮光圖案層BM的開口BM_OP1與開口BM_OP2在基板100的俯視方向n上各自與由畫素定義層PDL定義的開口OP1與開口OP2至少部分地重疊。另外，在本實施例中，在基板100與對向基板200之間還設置有黏著層AL。黏著層AL的材料可包括光學透明樹脂（optical clear resin；OCR）或光學透明膠（optical clear adhesive；OCA），例如包括丙烯酸系樹脂、矽氧樹脂、環氧樹脂或其他適合的材料或上述材料的組合，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，黏著層AL除了具有使基板100與對向基板200之間彼此黏著的功能外，還可具有阻水氧特性、保護特性或其他特性，本揭露不以此為限。

圖8為依據圖1E的剖線A-A’的第六實施例的剖面示意圖。須說明的是，圖8的實施例可沿用圖7的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。

請參照圖8，本實施例的電子裝置10g與前述的電子裝置10f的主要差異在於：電子裝置10g還包括有波長轉換層WT1、波長轉換層WT2以及擋牆層BANK。與遮光圖案層BM相似，擋牆層BANK具有複數個開口，例如開口BK_OP1與開口BK_OP2。且擋牆層BANK的開口BK_OP1與開口BK_OP2可分別與遮光圖案層BM的開口BM_OP1與開口BM_OP2對應。波長轉換層WT1例如設置於彩色濾光層CF1與發光單元LE1之間。詳細地說，在本實施例中，波長轉換層WT1設置於擋牆層BANK的開口BK_OP1中，彩色濾光層CF1設置於波長轉換層WT1與對向基板200之間，且在基板100的俯視方向n上，波長轉換層WT1可與彩色濾光層CF1重疊。在一些實施例中，波長轉換層WT1的材料可包括量子點材料、磷光材料、螢光材料、其它合適的波長轉換材料或上述之組合。換句話說，波長轉換層WT1可將發光單元LE1發出的光轉換成具有另一波長的光。在一些實施例中，波長轉換層WT所轉換的波長範圍可大致對應於彩色濾光層CF1的顏色。舉例而言，在基板100的俯視方向n上，紅色波長轉換層與紅色濾光層可重疊，綠色波長轉換層與綠色濾光層可重疊，藍色波長轉換層與藍色濾光層可重疊，但本揭露不以此為限。波長轉換層WT2例如設置於擋牆層BANK的開口BK_OP2中，彩色濾光層CF2設置於波長轉換層WT2與對向基板200之間，且在基板100的俯視方向n上，波長轉換層WT2可與彩色濾光層CF2重疊。波長轉換層WT2可例如與波長轉換層WT1相同或相似，於此不再贅述。值得說明的是，在其他的實施例中，可不設置有波長轉換層WT2。

圖9為依據圖1E的剖線A-A’的第七實施例的剖面示意圖。須說明的是，圖9的實施例可沿用圖7的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。

請參照圖9，本實施例的電子裝置10h與前述的電子裝置10f的主要差異在於：遮光單元B1是設置於對向基板200上。詳細地說，遮光單元B1例如設置在黏著層AL與對向基板200之間，且在基板100的俯視方向n上至少與未設置有發光單元的備用接墊RP重疊。如圖9所示，遮光單元B1可和彩色濾光層CF2及/或遮光圖案層BM部分接觸，但本揭露不限於此。

圖10為依據圖3的剖線B-B’的第一實施例的剖面示意圖。

請參照圖10，本實施例的電子裝置10i示出了子畫素SP2中具有缺陷的發光單元LE1’設置於主要接墊MP上，且可正常運作的發光單元LE2設置於備用接墊RP上。如前述實施例所述，當檢測到至少一個子畫素SP中的發光單元LE1具有缺陷時，可將發光單元LE2轉移至該些子畫素SP中，其中發光單元LE2與具有缺陷的發光單元LE1’在第一方向d1相鄰。在本實施例中，彩色濾光層CF1與彩色濾光層CF2可各自形成在具有缺陷的發光單元LE1’的表面LE1’_S以及發光單元LE2的表面LE2_S上，遮光單元B2覆蓋及/或接觸彩色濾光層CF1並與具有缺陷的發光單元LE1’在基板100的俯視方向n上重疊。從另一個角度來看，彩色濾光層CF1設置於遮光單元B2與具有缺陷的發光單元LE1’之間。

圖11為依據圖3的剖線B-B’的第二實施例的剖面示意圖。須說明的是，圖11的實施例可沿用圖7以及圖10的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。

請參照圖11，本實施例的電子裝置10j與前述的電子裝置10i的主要差異在於：電子裝置10j還包括有對向基板200，且彩色濾光層CF1、CF2以及遮光單元B2設置於對向基板200上。詳細地說，本實施例提供對向基板200，其中對向基板200與基板100相對地設置。在一些實施例中，在對向基板200面向基板100的表面上設置有遮光圖案層BM以及彩色濾光層CF1、CF2。遮光單元B2例如設置於對向基板200與具有缺陷的發光單元LE1’之間，且遮光單元B2接觸彩色濾光層CF1並與具有缺陷的發光單元LE1’在基板100的俯視方向n上重疊。另外，在本實施例中，在基板100與對向基板200之間還設置有黏著層AL。

圖12為依據圖3的剖線B-B’的第三實施例的剖面示意圖。須說明的是，圖12的實施例可沿用圖11的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。

請參照圖12，本實施例的電子裝置10k與前述的電子裝置10j的主要差異在於：遮光單元B2設置於基板100上。詳細地說，遮光單元B2接觸具有缺陷的發光單元LE1’的表面LE1’_S，且與具有缺陷的發光單元LE1’在基板100的俯視方向n上重疊。

圖13為本揭露一實施例的電子裝置的俯視示意圖。

請參照圖13，其示出了電子裝置20包括有畫素群組PG，其中畫素群組PG包括有陣列排列的多個畫素P，但畫素P的排列方式並不以圖13所示的方式為限。在本實施例中，畫素群組PG的大部分（例如大於及等於畫素P總數量的90%）的畫素P中的發光單元可正常運作（發光單元LE1）。另外，在本實施例中，畫素群組PG的少部分（例如小於及等於畫素P總數量的10%）的畫素P中的至少一發光單元被檢測到具有缺陷（具有缺陷的發光單元LE1’），因此該些畫素P中設置有發光單元LE2以取代具有缺陷的發光單元LE1’，而該些畫素P中的發光單元LE1與發光單元LE2在第二方向d2上錯位排列。

根據上述，本揭露的一些實施例的電子裝置包括有在基板的俯視方向上與備用接墊重疊的遮光單元B1和/或與具有缺陷的發光單元LE1’重疊的遮光單元B2，因此，可減少經備用接墊和/或與具有缺陷的發光單元LE1’反射的光線，以使電子裝置具有高環境對比度。在本揭露的另一些實施例中，遮光單元的材料可選用或添加具有高反射率及/或低穿透率的材料，以使電子裝置可具有高出光效率及/或廣色域的顯示畫面。在本揭露的又一些實施例中，遮光單元可在基板的俯視方向上與具有缺陷的發光單元重疊，以達到上述提及的效果。

最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本揭露的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本揭露進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的範圍。各實施例間的特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。

10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h、10i、10j、10k、20:電子裝置 100:基板 200:對向基板 A-A’、B-B’:剖線 AL:黏著層 B1、B1’、B2:遮光單元 B11’:紅色濾光層 B12’:綠色濾光層 B13’:藍色濾光層 BANK:擋牆層 BK_OP1、BK_OP2、BM_OP1、BM_OP2、OP1、OP2:開口 BM:遮光圖案層 CF1、CF2、CF3:彩色濾光層 d1:第一方向 d2:第二方向 E1:第一電極 E2:第二電極 ES:磊晶層 FL:填充層 LE1、LE2:發光單元 LE1’:具有缺陷的發光單元 LE1_S、LE1’_S、LE2_S:表面 MP:主要接墊 MP1、MP2、RP1、RP2:接墊圖案 n:俯視方向 P:畫素 PDL:畫素定義層 PG:畫素群組 RP:備用接墊 SP、SP1、SP2:子畫素 WT1、WT2:波長轉換層

包含附圖以便進一步理解本揭露，且附圖併入本說明書中並構成本說明書的一部分。附圖說明本揭露的實施例，並與描述一起用於解釋本揭露的原理。 圖1A至圖1E為本揭露一實施例的電子裝置的局部製作流程的俯視示意圖。 圖2為依據圖1E的剖線A-A’的第一實施例的剖面示意圖。 圖3為本揭露一實施例的電子裝置的局部俯視示意圖。 圖4為依據圖1E的剖線A-A’的第二實施例的剖面示意圖。 圖5為依據圖1E的剖線A-A’的第三實施例的剖面示意圖。 圖6為依據圖1E的剖線A-A’的第四實施例的剖面示意圖。 圖7為依據圖1E的剖線A-A’的第五實施例的剖面示意圖。 圖8為依據圖1E的剖線A-A’的第六實施例的剖面示意圖。 圖9為依據圖1E的剖線A-A’的第七實施例的剖面示意圖。 圖10為依據圖3的剖線B-B’的第一實施例的剖面示意圖。 圖11為依據圖3的剖線B-B’的第二實施例的剖面示意圖。 圖12為依據圖3的剖線B-B’的第三實施例的剖面示意圖。 圖13為本揭露一實施例的電子裝置的俯視示意圖。

100:基板

A-A’:剖線

B1:遮光單元

d1:第一方向

d2:第二方向

E1:第一電極

E2:第二電極

ES:磊晶層

FL:填充層

LE1:發光單元

LE1_S:表面

MP1、MP2、RP1、RP2:接墊圖案

n:俯視方向

OP1、OP2:開口

PDL:畫素定義層

Claims (19)

1. 一種電子裝置，包括：第一基板，包括複數個子畫素，所述複數個子畫素的其中一者包括：第一主要接墊；第一備用接墊；以及第一發光單元，設置於所述第一主要接墊上；以及第一遮光單元，與所述第一備用接墊以及具有缺陷的所述第一發光單元在所述第一基板的俯視方向上重疊，且所述第一遮光單元在所述第一基板的所述俯視方向上覆蓋具有缺陷的所述第一發光單元。
2. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一遮光單元設置於所述第一基板上。
3. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一遮光單元與所述第一備用接墊接觸。
4. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一遮光單元為黑色遮光層。
5. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一遮光單元為紅色濾光層、綠色濾光層以及藍色濾光層中的至少兩者的組合。
6. 如請求項1所述的電子裝置，其更包括第二基板，所述第二基板與所述第一基板相對設置。
7. 如請求項6所述的電子裝置，其中所述第二基板包括彩色濾光層。
8. 如請求項7所述的電子裝置，其更包括波長轉換層，所述波長轉換層位於所述彩色濾光層與所述第一發光單元之間。
9. 如請求項6所述的電子裝置，其中所述第一遮光單元設置於所述第二基板上。
10. 如請求項7所述的電子裝置，其中所述彩色濾光層設置於所述第一備用接墊與所述第一遮光單元之間。
11. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述複數個子畫素的其中另一者包括：第二主要接墊；第二備用接墊；第二發光單元，設置於所述第二備用接墊上；以及第三發光單元，設置於所述第二主要接墊上，且所述第三發光單元具有缺陷。
12. 如請求項11所述的電子裝置，其更包括第二遮光單元，所述第二遮光單元與所述第三發光單元在所述第一基板的所述俯視方向上重疊。
13. 一種電子裝置的製造方法，包括：提供第一基板，所述第一基板包括複數個子畫素，且所述複數個子畫素的其中一者包括：第一主要接墊；以及 第一備用接墊；轉移複數個第一發光單元至所述複數個子畫素的所述第一主要接墊上；檢測所述複數個第一發光單元；轉移至少一個第二發光單元至一部份的所述複數個子畫素的所述第一備用接墊上；以及設置複數個第一遮光單元，使所述複數個第一遮光單元的一部分與另一部分的所述複數個子畫素的所述第一備用接墊在所述第一基板的俯視方向上重疊，且所述複數個第一遮光單元的另一部分在所述第一基板的所述俯視方向上覆蓋具有缺陷的所述第一發光單元。
14. 如請求項13所述的電子裝置的製造方法，其中所述複數個第一遮光單元的所述一部分設置於所述第一基板上。
15. 如請求項13所述的電子裝置的製造方法，其更包括提供第二基板，所述第二基板與所述第一基板相對設置，且所述複數個第一遮光單元的所述一部分設置於所述第二基板上。
16. 如請求項13所述的電子裝置的製造方法，其中所述第二發光單元與具有缺陷的所述第一發光單元相鄰。
17. 如請求項13所述的電子裝置的製造方法，其更包括提供第二基板，所述第二基板與所述第一基板相對設置，且所述複數個第一遮光單元的所述另一部分設置於所述第二基板上。
18. 如請求項13所述的電子裝置的製造方法，其更包括提供第二基板，所述第二基板與所述第一基板相對設置，且所述複數個第一遮光單元的所述另一部分設置於所述第二基板與具有缺陷的所述第一發光單元之間。
19. 如請求項13所述的電子裝置的製造方法，其更包括提供彩色濾光層，且所述彩色濾光層設置於所述複數個第一遮光單元的所述另一部分與具有缺陷的所述第一發光單元之間。

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