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TWI864143B - 樹脂組成物 - Google Patents

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TWI864143B
TWI864143B TW109136380A TW109136380A TWI864143B TW I864143 B TWI864143 B TW I864143B TW 109136380 A TW109136380 A TW 109136380A TW 109136380 A TW109136380 A TW 109136380A TW I864143 B TWI864143 B TW I864143B
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鶴井一彦
川合賢司
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日商味之素股份有限公司
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Abstract

本發明係提供可得到介電正切低,密著性優異,殘渣去除性優異硬化物的樹脂組成物;含有該樹脂組成物的樹脂薄片;具備使用該樹脂組成物所形成之絕緣層的印刷配線板;及半導體裝置。 一種樹脂組成物,其係包含(A)環氧樹脂、(B)活性酯系硬化劑、(C)具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂及(D)無機填充材。

Description

樹脂組成物
本發明係有關樹脂組成物。此外,本發明係有關含有該樹脂組成物之樹脂薄片、印刷配線板及半導體裝置。
印刷配線板之製造技術,例如在內層電路基板上藉由交互層疊絕緣層與導體層之增層方式的製造方法為人所知。絕緣層一般藉由使樹脂組成物硬化而形成。
例如,專利文獻1記載含有(A)熱硬化性樹脂、(B)熱硬化劑、及(C)改質樹脂的熱硬化性樹脂組成物。又,專利文獻2記載包含含有酸基之環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂、環氧基硬化劑及改質樹脂的活性能量線硬化性組成物。又,專利文獻3記載含有(A)環氧樹脂、(B)活性酯系硬化劑及/或氰酸酯系硬化劑、(C)具有茀結構之聚酯樹脂的硬化性樹脂組成物。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2019/131413號 [專利文獻2]國際公開第2019/044803號 [專利文獻3]日本特開2014-159512號公報
[發明所欲解決之課題]
近年,多層印刷配線板之製造時,形成絕緣層用之樹脂組成物的硬化物,要求介電正切低,與銅箔等之密著性高,此外,具有確保導通可靠性用之殘渣去除性。
本發明人檢討的結果,得知含有降低介電正切,提高密著性之材料之樹脂組成物的硬化物,確保導通可靠性用之殘渣去除性低。因此,目前無法提供介電正切低,密著性優異,及殘渣去除性優異的樹脂組成物。
本發明之課題係提供可得到介電正切低,密著性優異,殘渣去除性優異之硬化物的樹脂組成物;含有該樹脂組成物的樹脂薄片;具備使用該樹脂組成物所形成之絕緣層的印刷配線板;及半導體裝置。 [用以解決課題之手段]
本發明人為了解決前述課題而精心檢討的結果,發現藉由組合包含(A)環氧樹脂、(B)活性酯系硬化劑、(C)具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂、及(D)無機填充材的樹脂組成物,可解決前述課題,遂完成本發明。 亦即,本發明包含下述內容。
[1]一種樹脂組成物,其係包含 (A)環氧樹脂、 (B)活性酯系硬化劑、 (C)具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂、及 (D)無機填充材。 [2]如[1]之樹脂組成物,其中樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時,(C)成分之含量為0.1質量%以上10質量%以下。 [3]如[1]或[2]之樹脂組成物,其中(C)成分具有雙酚骨架。 [4]如[3]之樹脂組成物,其中(C)成分在末端具有羥基。 [5]如[1]~[4]中任一項之樹脂組成物,其中(C)成分之羥值為2mgKOH/g以上450mgKOH/g以下。 [6]如[1]~[5]中任一項之樹脂組成物,其中(C)成分在75℃之黏度為0.5Pa・s以上25Pa・s以下。 [7]如[1]~[6]中任一項之樹脂組成物,其中(C)成分之數平均分子量為500以上7000以下。 [8]如[1]~[7]中任一項之樹脂組成物,其中(B)成分包含選自二環戊二烯型活性酯系硬化劑、及萘型活性酯系硬化劑之至少1種。 [9]如[1]~[8]中任一項之樹脂組成物,其中樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之(B)成分的含量為b1,樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之(C)成分之含量為c1時,b1/c1為3以上30以下。 [10]如[1]~[9]中任一項之樹脂組成物,其中樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時,(D)成分之含量為50質量%以上。 [11]如[1]~[10]中任一項之樹脂組成物,其係再包含(E)硬化劑。 [12]如[11]之樹脂組成物,其中(E)硬化劑包含酚系硬化劑。 [13]如[1]~[12]中任一項之樹脂組成物,其係用於絕緣用途。 [14]如[1]~[13]中任一項之樹脂組成物,其係用於絕緣層形成用。 [15]如[1]~[14]中任一項之樹脂組成物,其係形成導體層用之絕緣層形成用。 [16]一種樹脂薄片,其係包含:支撐體、與設置於該支撐體上之包含如[1]~[15]中任一項之樹脂組成物的樹脂組成物層。 [17]一種印刷配線板,其係包含藉由如[1]~[15]中任一項之樹脂組成物之硬化物所形成的絕緣層。 [18]一種半導體裝置,其係包含如[17]之印刷配線板。 [發明效果]
依據本發明時,可提供可得到介電正切低,密著性優異,殘渣去除性優異之硬化物的樹脂組成物;含有該樹脂組成物之樹脂薄片;具備使用該樹脂組成物所形成之絕緣層的印刷配線板;及半導體裝置。 [實施發明之形態]
以下,顯示實施形態及例示物,詳細地說明本發明。但是本發明不限定於以下所舉之實施形態及例示物,在不超脫本發明之申請專利範圍及其均等之範圍的範圍內,可任意變更實施。
[樹脂組成物] 本發明之樹脂組成物係包含(A)環氧樹脂、(B)活性酯系硬化劑、(C)具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂、及(D)無機填充材的樹脂組成物。藉由使用這種樹脂組成物,可得到殘渣去除性優異,介電正切低,密著性優異的硬化物。
樹脂組成物係組合(A)~(D)成分,可再含有任意的成分。任意的成分,可列舉例如(E)硬化劑、(F)熱塑性樹脂、(G)硬化促進劑、及(H)其他的添加劑等。以下詳細地說明樹脂組成物所含有的各成分。
<(A)環氧樹脂> (A)環氧樹脂可列舉例如,雙二甲苯酚型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、縮水甘油基酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯結構之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含螺環環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、亞萘醚型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂等。環氧樹脂可1種類單獨使用,也可組合2種類以上使用。
樹脂組成物,較佳為包含作為(A)環氧樹脂,在1分子中具有2個以上之環氧基的環氧樹脂。就明顯得到本發明所期望效果的觀點,相對於(A)環氧樹脂之不揮發成分100質量%,在1分子中具有2個以上之環氧基之環氧樹脂的比例,較佳為50質量%以上,更佳為60質量%以上,特佳為70質量%以上。
環氧樹脂有在溫度20℃下,液狀的環氧樹脂(以下有時稱為「液狀環氧樹脂」)與、溫度20℃下,固體狀的環氧樹脂(以下有時稱為「固體狀環氧樹脂」)。樹脂組成物,其中作為(A)環氧樹脂也可僅包含液狀環氧樹脂,也可僅包含固體狀環氧樹脂,較佳為組合液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂。作為(A)環氧樹脂,藉由組合使用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂,在樹脂薄片的形態使用時,可得到充分的可撓性,或可提高樹脂組成物之硬化物的斷裂強度。
液狀環氧樹脂,較佳為1分子中具有2個以上之環氧基的液狀環氧樹脂。
作為液狀環氧樹脂,較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、縮水甘油基酯型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有酯骨架之脂環式環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、及具有丁二烯結構之環氧樹脂,更佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂。
液狀環氧樹脂之具體例,可列舉DIC公司製之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「828US」、「jER828EL」、「825」、「Epikote828EL」(雙酚A型環氧樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「jER807」、「1750」(雙酚F型環氧樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「jER152」(苯酚酚醛清漆型環氧樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「630」、「630LSD」(縮水甘油基胺型環氧樹脂);新日鐵住金化學公司製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品);nagase  chemtex公司製之「EX-721」(縮水甘油基酯型環氧樹脂);DAICEL公司製之「CELLOXID2021P」(具有酯骨架之脂環式環氧樹脂);DAICEL公司製之「PB-3600」(具有丁二烯結構之環氧樹脂);新日鐵住金化學公司製之「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-縮水甘油基環己烷型環氧樹脂)等。此等可1種類單獨使用,也可組合2種類以上使用。
固體狀環氧樹脂,較佳為在1分子中具有3個以上之環氧基的固體狀環氧樹脂,更佳為1分子中具有3個以上之環氧基之芳香族系的固體狀環氧樹脂。
固體狀環氧樹脂,較佳為雙二甲苯酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、亞萘醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂,更佳為萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂。
固體狀環氧樹脂之具體例,可列舉DIC公司製之「HP4032H」(萘型環氧樹脂);DIC公司製之「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂);DIC公司製之「N-690」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂);DIC公司製之「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂);DIC公司製之「HP-7200」(二環戊二烯型環氧樹脂);DIC公司製之「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000」(亞萘醚型環氧樹脂);日本化藥公司製之「EPPN-502H」(三苯酚型環氧樹脂);日本化藥公司製之「NC7000L」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂);日本化藥公司製之「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂);新日鐵住金化學公司製之「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂);新日鐵住金化學公司製之「ESN485」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「YX4000H」、「YX4000」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「YX4000HK」(雙二甲苯酚型環氧樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「YX8800」(蒽型環氧樹脂);大阪氣體化學公司製之「PG-100」、「CG-500」;Mitsubishi Chemical公司製之「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「YL7800」(茀型環氧樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)等。此等可1種類單獨使用,也可組合2種類以上使用。
作為(A)環氧樹脂,組合使用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂時,彼等之量比(液狀環氧樹脂:固體狀環氧樹脂)以質量比,較佳為1:0.1~1:20,更佳為1:1~1:10,特佳為1:1.5~1:5。藉由液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂的量比在此範圍,可明顯得到本發明所期望的效果。此外,通常以樹脂薄片的形態使用時,可得到適度的黏著性。又,通常以樹脂薄片的形態使用時,可得到充分的可撓性,提高操作性。此外,通常可得到具有充分的斷裂強度的硬化物。
(A)環氧樹脂之環氧當量,較佳為50g/eq.~5000g/eq.,更佳為50g/eq.~3000g/eq.,又更佳為80g/eq.~2000g/eq.,再更佳為110g/eq.~1000g/eq.。藉由在此範圍,樹脂組成物層之硬化物的交聯密度變得充分,可得到表面粗糙度小的絕緣層。環氧當量係含有1當量之環氧基之環氧樹脂的質量。此環氧當量可依據JIS K7236測定。
(A)環氧樹脂之重量平均分子量(Mw),就明顯得到本發明所期望效果的觀點,較佳為100~5000,更佳為100~4000,又更佳為200~5000。 樹脂之重量平均分子量,可藉由凝膠滲透層析(GPC)法,以聚苯乙烯換算之值測定。
(A)環氧樹脂之含量,就得到顯示良好的機械強度、絕緣可靠性之絕緣層的觀點,樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時,較佳為1質量%以上,更佳為5質量%以上,又更佳為10質量%以上。環氧樹脂之含量的上限,就明顯得到本發明所期望效果的觀點,較佳為25質量%以下,更佳為20質量%以下,特佳為15質量%以下。又,本發明中,樹脂組成物中之各成分之含量無特別明示時係樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之值。
<(B)活性酯系硬化劑> 樹脂組成物含有(B)活性酯系硬化劑。使用活性酯系硬化劑時,通常可降低介電正切,密著性優異,同時殘渣去除性差。但是本發明之樹脂組成物,藉由組合含有(C)成分,可降低介電正切,密著性優異,同時可得到殘渣去除性也優異的硬化物。(B)成分可1種類單獨使用,也可組合2種類以上使用。
(B)活性酯系硬化劑,一般較佳為使用苯酚酯類、苯硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之在1分子中具有2個以上之反應活性高之酯基的化合物。該活性酯系硬化劑,較佳為藉由羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物的縮合反應所得者。特別是就提高耐熱性的觀點,較佳為由羧酸化合物與羥基化合物所得的活性酯系硬化劑,更佳為由羧酸化合物與苯酚化合物及/或萘酚化合物所得之活性酯系硬化劑。羧酸化合物,可列舉例如苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、依康酸、苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯四甲酸等。苯酚化合物或萘酚化合物,可列舉例如氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三醇、二環戊二烯型二酚化合物、苯酚酚醛清漆等。在此,「二環戊二烯型二酚化合物」係指二環戊二烯1分子與苯酚2分子縮合所得的二酚化合物。
具體而言,(B)成分,較佳為二環戊二烯型活性酯系硬化劑、含有萘結構之萘型活性酯系硬化劑、含有苯酚酚醛清漆之乙醯化物的活性酯系硬化劑、含有苯酚酚醛清漆之苯甲醯化物的活性酯系硬化劑,其中,更佳為選自二環戊二烯型活性酯系硬化劑、及萘型活性酯系硬化劑之至少1種,又更佳為二環戊二烯型活性酯系硬化劑。二環戊二烯型活性酯系硬化劑,較佳為含有二環戊二烯型二酚結構的活性酯系硬化劑。「二環戊二烯型二酚結構」係表示由伸苯基-二伸環戊基-伸苯基所構成之2價的結構單元。
(B)活性酯系硬化劑之市售品,含有二環戊二烯型二酚結構的活性酯系硬化劑,可列舉「EXB9451」(DIC公司製、活性酯基當量223)、「EXB9460」(DIC公司製、活性酯基當量223)、「EXB9460S」(DIC公司製、活性酯基當量223)、「HPC-8000-65T」(DIC公司製、活性酯基當量223)、「HPC-8000H-65TM」(DIC公司製、活性酯基當量224)、「HPC―8000L-65TM」(DIC公司製、活性酯基當量220),含有萘結構之活性酯系硬化劑,可列舉「EXB-8100L-65T」(DIC公司製、活性酯基當量234)、「EXB8150-60T」(DIC公司製、活性酯基當量226)、「EXB9416-70BK」(DIC公司製、活性酯基當量274)、「PC1300-02」(AIR WATER公司製、活性酯基當量200),含有磷之活性酯系硬化劑,可列舉「EXB9401」(DIC公司製、活性酯基當量307),苯酚酚醛清漆之乙醯化物的活性酯系硬化劑,可列舉「DC808」(Mitsubishi Chemical公司製、活性酯基當量149),苯酚酚醛清漆之苯甲醯化物的活性酯系硬化劑,可列舉「YLH1026」(Mitsubishi Chemical公司製)、「YLH1030」(Mitsubishi Chemical公司製)、「YLH1048」(Mitsubishi Chemical公司製)等。
(B)活性酯系硬化劑之活性酯基當量,就可降低介電正切,及得到密著性優異之硬化物的觀點,較佳為50g/eq.~500g/eq.,更佳為50g/eq.~400g/eq.,又更佳為100g/eq.~300g/eq.。活性酯基當量係含有1當量之活性酯基之活性酯系硬化劑的質量。
(A)環氧樹脂與(B)活性酯系硬化劑的量比係以[環氧樹脂之環氧基之合計數]:[活性酯系硬化劑之活性基之合計數]之比率表示,較佳為1:0.01~1:5之範圍,更佳為1:0.3~1:3,又更佳為1:0.5~1:2。在此,「環氧樹脂之環氧基數」係指存在於樹脂組成物中之環氧樹脂之不揮發成分的質量除以環氧當量而得之值全部合計的值。又,「活性酯系硬化劑之活性基數」係指存在於樹脂組成物中之活性酯系硬化劑之不揮發成分的質量除以活性酯基當量之值全部合計的值。藉由將環氧樹脂與活性酯系硬化劑之量比設為此範圍內,可顯著得到本案發明效果。
(B)活性酯系硬化劑之含量係將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時,較佳為1質量%以上,更佳為3質量%以上,又更佳為5質量%以上。又,上限較佳為30質量%以下,更佳為20質量%以下,又更佳為15質量%以下。藉由將(B)成分之含量設為此範圍內,可降低介電正切,可得到密著性優異之硬化物。
<(C)具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂> 樹脂組成物含有作為(C)成分之(C)具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂。本發明之樹脂組成物係組合含有(B)成分及(C)成分,可降低介電正切,密著性優異,同時可得到殘渣去除性也優異的硬化物。
(C)成分就提高對銅箔等之導體層之密著性,再提高水解性的觀點,較佳為具有來自聚酯之結構及來自多元醇之結構的樹脂。此樹脂例如可使多元醇與聚羧酸反應而得。(C)成分可1種類單獨使用,也可組合2種類以上使用。又,作為(C)成分,較佳為來自聚酯之結構及來自多元醇之結構其中之一,具有芳香族結構者,顯著得到本發明效果的觀點,更佳為來自聚酯之結構及來自多元醇之結構其中之一,具有雙酚骨架者,又更佳為來自多元醇之結構,具有雙酚骨架者。芳香族結構一般定義為芳香族的化學結構,也包含多環芳香族及芳香族雜環。雙酚骨架可列舉例如,雙酚A骨架、雙酚B骨架、雙酚C骨架、雙酚AF骨架等,較佳為雙酚A骨架。
(C)成分就提高與(A)環氧樹脂之相溶性及對銅箔等之密著性的觀點,該(C)成分之分子鏈之末端具有羥基者為佳。(C)成分所含有之羥基之數,1分子中,較佳為2個以上,較佳為6個以下,更佳為4個以下,又更佳為3個以下,特佳為2個。
作為多元醇,可列舉例如乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、二乙二醇、新戊二醇、1,3-丁二醇等之脂肪族多元醇;環己烷二甲醇等之具有脂環式結構的多元醇;雙酚A及雙酚F等之雙酚骨架等具有芳香族結構的多元醇;將前述具有芳香族結構之多元醇進行了環氧烷(alkylene oxide)改性的多元醇等。其中,作為多元醇,較佳為將具有脂環式結構的多元醇、具有芳香族結構之多元醇、具有芳香族結構之多元醇進行了環氧烷改性的多元醇,更佳為將具有芳香族結構的多元醇進行環氧烷改性的多元醇。多元醇可1種單獨使用,也可組合2種類以上使用。
具有芳香族結構的多元醇之改性所使用之環氧烷,可列舉例如環氧乙烷、環氧丙烷等之碳原子數為2以上的環氧烷等。碳原子數為2以上之環氧烷之碳原子數的上限,較佳為4以下,更佳為3以下。
多元醇之數平均分子量,較佳為50以上,較佳為1500以下,更佳為1000以下,又更佳為700以下。
多元醇可使用市售品。作為市售品,可列舉例如DIC公司製之「Hyprox MDB-561」等。
作為聚羧酸,可列舉例如琥珀酸、己二酸、癸二酸、十四烷二酸等之脂肪族聚羧酸;對苯二甲酸、間苯二甲酸、苯二甲酸、萘二羧酸等之芳香族聚羧酸;彼等之酸酐或酯化物等。
聚羧酸可1種單獨使用,也可組合2種類以上使用,作為聚羧酸,包含脂肪族聚羧酸為佳。脂肪族聚羧酸之含有率係聚羧酸之全含量中,較佳為5莫耳%以上,更佳為10莫耳%以上,較佳為100莫耳%以下。
較佳的一實施形態係作為聚羧酸,組合使用脂肪族聚羧酸及芳香族聚羧酸。芳香族聚羧酸及脂肪族聚羧酸之含量比(芳香族聚羧酸/脂肪族聚羧酸)係以莫耳基準,較佳為1/99以上,更佳為30/70以上,又更佳為50/50以上,較佳為99/1以下,更佳為90/10以下,又更佳為85/15以下。藉由將芳香族聚羧酸及脂肪族聚羧酸之含量比設為此範圍內,可顯著得到本發明效果。
(C)成分在不阻礙本發明之目的之程度,也可含有碳原子數為4以上的氧化烯單元(oxyalkylene unit)。碳原子數為4以上之氧化烯單元的含有率,較佳為10質量%以下,更佳為5質量%以下,又更佳為3質量%以下,特佳為1質量%以下。
(C)成分,例如可藉由使多元醇與聚羧酸反應來製造。反應溫度,較佳為190℃以上,更佳為200℃以上,較佳為250℃以下,更佳為240℃以下。又,反應時間,較佳為1小時以上,較佳為100小時以下。
反應時,必要時可使用觸媒。作為觸媒,可列舉例如鈦酸四異丙酯、鈦酸四丁酯等之鈦系觸媒;二丁基氧化錫等之錫系觸媒;p-甲苯磺酸等之有機磺酸系觸媒等。觸媒可1種單獨使用,也可組合2種類以上使用。
觸媒之含量,就有效率地進行反應的觀點,相對於多元醇及聚羧酸之合計100質量份,較佳為0.0001質量份以上,更佳為0.0005質量份以上,較佳為0.01質量份以下,更佳為0.005質量份以下。
(C)成分之羥值,就顯著得到本發明效果的觀點,較佳為2mgKOH/g以上,更佳為4mgKOH/g以上,又更佳為6mgKOH/g以上、10mgKOH/g以上、25mgKOH/g以上、30mgKOH/g以上、或35mgKOH/g以上,較佳為450mgKOH/g以下,更佳為100mgKOH/g以下,又更佳為50mgKOH/g以下、45mgKOH/g以下、或40mgKOH/g以下。
(C)成分之75℃下的黏度,就顯著得到本發明效果的觀點,較佳為0.5Pa・s以上,更佳為1Pa・s以上,又更佳為2Pa・s以上、5Pa・s以上、或10Pa・s以上,較佳為25Pa・s以下,更佳為20Pa・s以下,又更佳為15Pa・s以下。黏度例如可使用E型黏度計測定。
(C)成分之數平均分子量,就提高與(A)環氧樹脂之相溶性及對銅箔等之密著性的觀點,較佳為500以上,更佳為1000以上,又更佳為1500以上、2000以上、或2500以上,較佳為7000以下,更佳為6000以下,又更佳為5000以下。數平均分子量係依據羥值算出的值。
(C)成分之玻璃轉移溫度,就顯著得到本發明效果的觀點,較佳為-100℃以上,更佳為-80℃以上,又更佳為-70℃以上,較佳為50℃以下,更佳為40℃以下,又更佳為30℃以下。玻璃轉移溫度係藉由DSC(示差掃描熱量測定)測定的值。
(C)成分之含量,就顯著得到本發明效果的觀點,將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時,較佳為0.1質量%以上,更佳為0.5質量%以上,又更佳為1質量%以上,較佳為10質量%以下,更佳為5質量%以下,又更佳為3質量%以下、或1.5質量%以下。
將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之(B)成分之含量為b1,將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之(C)成分之含量為c1時,b1/c1較佳為3以上,更佳為4以上,又更佳為5以上,較佳為30以下,更佳為20以下,又更佳為15以下。藉由將b1/c1設為此範圍內,可降低介電正切,密著性優異,同時可得到殘渣去除性也優異的硬化物。
<(D)無機填充材> 樹脂組成物含有(D)無機填充材。藉由使樹脂組成物含有(D)無機填充材,可降低介電正切,密著性優異,同時可得到殘渣去除性也優異的硬化物。
無機填充材之材料係使用無機化合物。無機填充材之材料例,可列舉二氧化矽、氧化鋁、玻璃、菫藍石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、水鋁石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯、及磷鎢酸鋯等。此等之中,特佳為二氧化矽。作為二氧化矽,可列舉例如非晶質二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等。又,二氧化矽,較佳為球狀二氧化矽。(D)無機填充材可1種類單獨使用,也可組合2種類以上使用。
(D)無機填充材之市售品,可列舉例如電化化學工業公司製之「UFP-30」;NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS公司製之「SP60-05」、「SP507-05」;admatechs公司製之「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」;Denka公司製之「UFP-30」;德山公司製之「SilFileNSS-3N」、「SilFileNSS-4N」、「SilFileNSS-5N」;admatechs公司製之「SC2500SQ」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」;等。
(D)無機填充材之平均粒徑,就明顯得到本發明所期望效果的觀點,較佳為0.01μm以上,更佳為0.05μm以上,特佳為0.1μm以上,較佳為5μm以下,更佳為2μm以下,又更佳為1μm以下。
(D)無機填充材之平均粒徑,可藉由依據Mie散射理論之雷射繞射・散射法測定。具體而言,藉由雷射繞射散射式粒徑分布測定裝置,以體積基準製作無機填充材之粒徑分布,由可以平均粒徑測定其中值粒徑。測定樣品可使用以小玻璃瓶秤取無機填充材100mg、甲基乙基酮10g,藉由超音波分散10分鐘者。將測定樣品使用雷射繞射式粒徑分布測定裝置,使用光源波長為藍色及紅色,以液流電池方式測定(D)無機填充材之體積基準之粒徑分布,由所得之粒徑分布以中值粒徑,算出平均粒徑。雷射繞射式粒徑分布測定裝置,可列舉例如堀場製作所公司製「LA-960」等。
(D)無機填充材之比表面積,就明顯得到本發明所期望效果的觀點,較佳為1m2 /g以上,更佳為2m2 /g以上,特佳為3m2 /g以上。上限無特別限定,較佳為60m2 /g以下、50m2 /g以下或40m2 /g以下。比表面積係依據BET法,使用比表面積測定裝置(MOUNTECH 公司製Macsorb HM-1210),使試料表面吸附氮氣,使用BET多點法算出比表面積而得。
(D)無機填充材,就提高耐濕性及分散性的觀點,經表面處理劑處理較佳。表面處理劑,可列舉例如含氟之矽烷偶合劑、胺基矽烷系偶合劑、環氧基矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、烷氧基矽烷、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等。又,表面處理劑可1種類單獨使用,也可任意組合2種類以上使用。
表面處理劑之市售品,可列舉例如信越化學工業公司製「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業公司製「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM-4803」(長鏈環氧基型矽烷偶合劑)、信越化學工業公司製「KBM-7103」(3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷)等。
藉由表面處理劑之表面處理的程度,就提高無機填充材之分散性的觀點,收納於特定之範圍內較佳。具體而言,無機填充材100質量份,經0.2質量份~5質量份之表面處理劑表面處理較佳,更佳為以0.2質量份~3質量份進行表面處理,又更佳為以0.3質量份~2質量份進行表面處理。
藉由表面處理劑之表面處理的程度,可藉由無機填充材之每單位表面積中之碳量來評價。無機填充材之每單位表面積中之碳量,就提高無機填充材之分散性的觀點,較佳為0.02mg/m2 以上,更佳為0.1mg/m2 以上,又更佳為0.2mg/m2 以上。此外,就抑制樹脂清漆之熔融黏度及薄片形態下之熔融黏度上昇的觀點,較佳為1mg/m2 以下,更佳為0.8mg/m2 以下,又更佳為0.5mg/m2 以下。
無機填充材之每單位表面積中之碳量,可將表面處理後之無機填充材藉由溶劑(例如,甲基乙基酮(MEK))洗淨處理後測定。具體而言,將作為溶劑之充分量的MEK加入於經表面處理劑表面處理的無機填充材,在25℃下進行超音波洗淨5分鐘。去除上澄液,使固體成分乾燥後,使用碳分析計,可測定無機填充材之每單位表面積中的碳量。碳分析計可使用堀場製作所公司製「EMIA-320V」等。
無機填充材之含量,就顯著得到本發明效果的觀點,將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時,較佳為50質量%以上,更佳為60質量%以上,又更佳為70質量%以上,較佳為90質量%以下,更佳為80質量%以下,又更佳為75質量%以下。
<(E)硬化劑> 樹脂組成物除上述成分以外,也可含有作為任意成分之(E)硬化劑。(B)活性酯系硬化劑不包含於(E)硬化劑。作為(E)硬化劑,可列舉例如酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、苯並噁嗪系硬化劑、氰酸酯系硬化劑、及碳二亞胺系硬化劑等。其中,就提高絕緣可靠性的觀點,(E)硬化劑,較佳為酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、氰酸酯系硬化劑、及碳二亞胺系硬化劑之任一種以上,更佳為酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之任一者,又更佳為包含酚系硬化劑。(E)硬化劑可1種單獨使用或可併用2種以上。
酚系硬化劑及萘酚系硬化劑,就耐熱性及耐水性的觀點,較佳為具有酚醛清漆結構之酚系硬化劑、或具有酚醛清漆結構之萘酚系硬化劑。又,就與導體層之密著性的觀點,較佳為含氮酚系硬化劑,更佳為含有三嗪骨架之酚系硬化劑。
酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例,可列舉例如明和化成公司製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥公司製之「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鐵住金化學公司製之「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN-495V」、「SN375」、「SN395」、DIC公司製之「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA3018-50P」、「EXB-9500」等。
苯並噁嗪系硬化劑之具體例,可列舉昭和高分子公司製之「HFB2006M」、四國化成工業公司製之「P-d」、「F-a」。
氰酸酯系硬化劑,可列舉例如雙酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯、寡(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、及雙(4-氰酸酯苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂、苯酚酚醛清漆及甲酚醛清漆等所衍生之多官能氰酸酯樹脂,此等氰酸酯樹脂一部分進行三嗪化的預聚物等。氰酸酯系硬化劑之具體例,可列舉Lonza Japan公司製之「PT30」及「PT60」(苯酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂)、「ULL-950S」(多官能氰酸酯樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯一部分或全部進行三嗪化之三聚物的預聚物)等。
碳二亞胺系硬化劑之具體例,可列舉Nisshinbo Chemical公司製之「V-03」、「V-07」等。
含有作為(E)成分之硬化劑時,環氧樹脂與(B)活性酯系硬化劑及(E)硬化劑之量比係以[環氧樹脂之環氧基之合計數]:[(B)活性酯系硬化劑及(E)硬化劑之活性基之合計數]之比率,較佳為1:0.01~1:5之範圍,更佳為1:0.3~1:3,又更佳為1:0.5~1:2。在此,「環氧樹脂之環氧基數」係指存在於樹脂組成物中之環氧樹脂之不揮發成分的質量除以環氧當量而得之值全部合計的值。又,「(B)活性酯系硬化劑及(E)硬化劑之活性基數」係指存在於樹脂組成物中之活性酯系硬化劑及硬化劑之不揮發成分的質量除以活性基當量而得之值全部合計的值。(B)成分及(E)成分,藉由將與環氧樹脂之量比設為此範圍內,可顯著得到本發明效果。
含有作為(E)成分之硬化劑時,環氧樹脂與所有之(E)硬化劑之量比係以[環氧樹脂之環氧基之合計數]:[(E)硬化劑之活性基之合計數]的比率,較佳為1:0.01~1:1之範圍,更佳為1:0.03~1:0.5,又更佳為1:0.05~1:0.1。在此,「(E)硬化劑之活性基數」係指存在於樹脂組成物中之(E)硬化劑之不揮發成分的質量除以活性基當量而得之值全部合計的值。將作為(E)成分之環氧樹脂與硬化劑之量比設為此範圍內,可顯著得到本發明效果。
(E)硬化劑之含量,就明顯得到本發明所期望效果的觀點,將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時,較佳為0.1質量%以上,又更佳為0.2質量%以上,更佳為0.3質量%以上。上限較佳為5質量%以下,更佳為3質量%以下,又更佳為1質量%以下。
將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之(B)成分之含量為b1,將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之(C)成分之含量為c1,將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之(E)成分之含量為e1時,b1/(c1+e1),較佳為1以上,更佳為2以上,又更佳為3以上,較佳為30以下,更佳為20以下,又更佳為15以下。藉由將b1/(c1+e1)設為此範圍內,可得到可降低介電正切,同時殘渣去除性及密著性優異之硬化物。
<(F)熱塑性樹脂> 樹脂組成物除上述成分以外,也可含有作為任意成分之(F)熱塑性樹脂。
作為(F)成分之熱塑性樹脂,可列舉例如苯氧基樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、聚烯烴樹脂、聚丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酯樹脂等。其中,就明顯得到本發明所期望效果的觀點,較佳為苯氧基樹脂。又,熱塑性樹脂,可1種類單獨使用,或組合2種類以上使用。
苯氧基樹脂,可列舉例如具有選自由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、茀骨架、二環戊二烯骨架、降莰烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架、及三甲基環己烷骨架所構成群組之中1種類以上之骨架的苯氧基樹脂。苯氧基樹脂之末端,可為酚性羥基、環氧基等之任一的官能基。
苯氧基樹脂之具體例,可列舉Mitsubishi Chemical公司製之「1256」及「4250」(均為含有雙酚A骨架之苯氧基樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「YX8100」(含有雙酚S骨架之苯氧基樹脂);Mitsubishi Chemical公司製之「YX6954」(含有雙酚苯乙酮骨架之苯氧基樹脂);新日鐵住金化學公司製之「FX280」及「FX293」;Mitsubishi Chemical公司製之「YL7500BH30」、「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」;等。
聚乙烯醇縮乙醛樹脂,可列舉例如聚乙烯醇縮甲醛樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂,較佳為聚乙烯醇縮丁醛樹脂。聚乙烯醇縮乙醛樹脂之具體例,可列舉電氣化學工業公司製之「Denka Butyral4000-2」、「Denka Butyral5000-A」、「Denka Butyral6000-C」、「Denka Butyral6000-EP」;積水化學工業公司製之S-Lec BH系列、BX系列(例如BX-5Z)、KS系列(例如KS-1)、BL系列、BM系列;等。
聚醯亞胺樹脂之具體例,可列舉新日本理化公司製之「RikacoatSN20」及「RikacoatPN20」。聚醯亞胺樹脂之具體例,可列舉使2官能性羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四元酸酐反應所得之線狀聚醯亞胺(日本特開2006-37083號公報記載的聚醯亞胺)、含有聚矽氧烷骨架之聚醯亞胺(日本特開2002-12667號公報及日本特開2000-319386號公報等所記載的聚醯亞胺)等之改性聚醯亞胺。
聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例,可列舉東洋紡公司製之「VylomaxHR11NN」及「VylomaxHR16NN」。聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例,可列舉日立化成公司製之「KS9100」、「KS9300」(含有聚矽氧烷骨架之聚醯胺醯亞胺)等之改性聚醯胺醯亞胺。
聚醚碸樹脂之具體例,可列舉住友化學公司製之「PES5003P」等。
聚苯醚樹脂之具體例,可列舉三菱氣體化學公司製之寡聚伸苯醚・苯乙烯樹脂「OPE-2St 1200」等。
聚碸樹脂之具體例,可列舉Solvay Advanced Polymers公司製之聚碸「P1700」、「P3500」等。
(F)熱塑性樹脂之重量平均分子量(Mw),就明顯得到本發明所期望效果的觀點,較佳為8,000以上,更佳為10,000以上,特佳為20,000以上,較佳為70,000以下,更佳為60,000以下,特佳為50,000以下。
(F)熱塑性樹脂之含量,就明顯得到本發明所期望效果的觀點,將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時,較佳為0.1質量%以上,更佳為0.2質量%以上,又更佳為0.3質量%以上,較佳為5質量%以下,更佳為3質量%以下,又更佳為1質量%以下。
<(G)硬化促進劑> 樹脂組成物除上述成分以外,也可含再有作為任意成分之(G)硬化促進劑。
硬化促進劑,可列舉例如磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等。其中,較佳為磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑,更佳為胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑。硬化促進劑可1種類單獨使用,也可組合2種類以上使用。
磷系硬化促進劑,可列舉例如三苯基膦、鏻硼酸鹽化合物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、正丁基鏻四苯基硼酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫代氰酸鹽、四苯基鏻硫代氰酸鹽、丁基三苯基鏻硫代氰酸鹽等,較佳為三苯基膦、四丁基鏻癸酸鹽。
胺系硬化促進劑,可列舉例如三乙基胺、三丁基胺等之三烷基胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6,-三(二甲基胺基甲基)苯酚、1,8-二氮雙環(5,4,0)-十一碳烯等,較佳為4-二甲基胺基吡啶、1,8-二氮雙環(5,4,0)-十一碳烯。
咪唑系硬化促進劑,可列舉例如2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯並[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加合物,較佳為2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑。
咪唑系硬化促進劑,可使用市售品,可列舉例如Mitsubishi Chemical公司製之「P200-H50」等。
胍系硬化促進劑,可列舉例如雙氰胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍等,較佳為雙氰胺、1,5,7-三氮雙環[4.4.0]癸-5-烯。
金屬系硬化促進劑,可列舉例如鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等之金屬之有機金屬錯合物或有機金屬鹽。有機金屬錯合物之具體例,可列舉乙醯丙酮鈷(II)、乙醯丙酮鈷(III)等之有機鈷錯合物、乙醯丙酮銅(II)等之有機銅錯合物、乙醯丙酮鋅(II)等之有機鋅錯合物、乙醯丙酮鐵(III)等之有機鐵錯合物、乙醯丙酮鎳(II)等之有機鎳錯合物、乙醯丙酮錳(II)等之有機錳錯合物等。有機金屬鹽,可列舉例如辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。
(G)硬化促進劑之含量,就明顯得到本發明所期望效果的觀點,將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時,較佳為0.01質量%以上,更佳為0.03質量%以上,又更佳為0.05質量%以上,較佳為0.3質量%以下,更佳為0.2質量%以下,又更佳為0.1質量%以下。
<(H)其他的添加劑> 樹脂組成物除上述成分以外,也可含再有作為任意成分之其他的添加劑。這種添加劑,可列舉例如有機填充材;增黏劑、消泡劑、平坦劑、密著性賦予劑等之樹脂添加劑;等。此等之添加劑可1種類單獨使用,也可組合2種類以上使用。
<樹脂組成物之物性、用途> 將樹脂組成物以100℃熱硬化30分鐘,再以170℃熱硬化30分鐘的硬化物,顯示殘渣去除性優異的特性。因此,前述硬化物形成導通孔時,形成導通孔底部之最大殘渣長未達5μm的絕緣層。殘渣去除性可以後述實施例所記載的方法測定。
將樹脂組成物以190℃熱硬化90分鐘的硬化物,顯示介電正切低的特性。因此,前述硬化物形成介電正切低的絕緣層。介電正切,較佳為0.013以下,更佳為0.011以下、0.009以下。此外,介電正切之下限值無特別限定,可為0.001以上等。前述介電正切之評價可依據後述實施例所記載的方法測定。
將樹脂組成物以100℃熱硬化30分鐘,以170℃熱硬化30分鐘,再以200℃熱硬化90分鐘的硬化物,顯示與銅箔之間之密著性(剝離強度)優異的特性。因此,前述硬化物,形成與銅箔之密著性優異的絕緣層。與銅箔之密著性,較佳為0.5kgf/cm以上,更佳為0.6kgf/cm以上,又更佳為0.7kgf/cm以上。此外,密著性之上限值無特別限定,可為5kgf/cm以下等。前述密著性之評價,可依據後述實施例所記載的方法測定。
本發明之樹脂組成物,可形成可降低介電正切,密著性優異,同時殘渣去除性也優異的絕緣層。因此,本發明之樹脂組成物,適合作為絕緣用途之樹脂組成物使用。具體而言,可適合作為形成於絕緣層上之導體層(包含再配線層)形成用之該絕緣層形成用的樹脂組成物(形成導體層用之絕緣層形成用樹脂組成物)使用。
又,後述多層印刷配線板中,適合作為形成多層印刷配線板之絕緣層用的樹脂組成物(多層印刷配線板之絕緣層形成用樹脂組成物)、形成印刷配線板之層間絕緣層用之樹脂組成物(印刷配線板之層間絕緣層形成用樹脂組成物)使用。
又,例如經過以下(1)~(6)步驟,製造半導體晶片封裝時,本發明之樹脂組成物,適合作為形成再配線層用之絕緣層之再配線形成層用的樹脂組成物(再配線形成層形成用之樹脂組成物)、及半導體晶片封裝用之樹脂組成物(半導體晶片封裝用之樹脂組成物)使用。半導體晶片封裝製造時,可再於密封層上形成再配線層。 (1)將暫時固定薄膜積層於基材的步驟, (2)將半導體晶片暫時固定於暫時固定薄膜上的步驟, (3)半導體晶片上形成密封層的步驟, (4)將基材及暫時固定薄膜自半導體晶片剝離的步驟, (5)在剝離了半導體晶片之基材及暫時固定薄膜之面,形成作為絕緣層之再配線形成層的步驟,及 (6)再配線形成層上,形成作為導體層之再配線層的步驟。
又,本發明之樹脂組成物,可形成零件埋入性良好的絕緣層,故也適合使用於印刷配線板為零件內藏電路板的情形。
[樹脂薄片] 本發明之樹脂薄片,包含支撐體與設置於該支撐體上,以本發明之樹脂組成物所形成的樹脂組成物層。
樹脂組成物層之厚度,就印刷配線板之薄型化、及該樹脂組成物之硬化物為薄膜,也可提供絕緣性優異之硬化物的觀點,較佳為50μm以下,更佳為40μm以下,又更佳為30μm以下。樹脂組成物層之厚度之下限,無特別限定,通常可為5μm以上、10μm以上等。
作為支撐體,可列舉例如由塑膠材料所構成之薄膜、金屬箔、脫模紙,較佳為由塑膠材料所構成之薄膜、金屬箔。
作為支撐體,使用由塑膠材料所成之薄膜時,作為塑膠材料,可列舉例如聚對苯二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PEN」)等之聚酯;聚碳酸酯(以下有時簡稱為「PC」);聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯酸聚合物;環狀聚烯烴;三乙醯基纖維素(TAC);聚醚硫化物(PES);聚醚酮;聚醯亞胺;等。其中,較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯,特佳為廉價之聚對苯二甲酸乙二酯。
作為支撐體使用金屬箔時,作為金屬箔,可列舉例如銅箔、鋁箔等,其中,較佳為銅箔。銅箔可使用由銅之單金屬所成之箔,也可使用銅與其他之金屬(例如,錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)之合金所構成之箔。
支撐體在與樹脂組成物層接合之面,可施予消光處理、電暈處理、抗靜電處理等之處理。
又,作為支撐體,可使用與樹脂組成物層接合之面具有脫模層之附脫模層的支撐體。附脫模層的支撐體之脫模層所使用的脫模劑,可列舉例如選自由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂、及聚矽氧樹脂所成群之1種以上的脫模劑。附脫模層的支撐體,可使用市售品,可列舉例如具有以醇酸樹脂系脫模劑為主成分之脫模層的PET薄膜,可列舉Lintec公司製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」;東麗公司製之「lumirror T60」;帝人公司製之「Purex」;unitika公司製之「unipeel」;等。
支撐體之厚度,無特別限定,較佳為5μm~75μm之範圍,更佳為10μm~60μm之範圍。又,使用附脫模層的支撐體時,附脫模層之支撐體全體的厚度在上述範圍內較佳。
一實施形態中,樹脂薄片必要時,可再含有其他的層。此其他的層,可列舉例如設置於未與樹脂組成物層之支撐體接合之面(亦即,與支撐體相反側之面)之依據支撐體的保護薄膜等。保護薄膜之厚度無特別限定,例如為1μm~40μm。藉由積層保護薄膜,可抑制對樹脂組成物層之表面之汙垢等之附著或受傷。
樹脂薄片例如調製將樹脂組成物溶解於有機溶劑之樹脂清漆,使用模塗佈機等塗佈此樹脂清漆,塗佈於支撐體上,經乾燥形成樹脂組成物層可製造樹脂薄片。
有機溶劑,可列舉例如丙酮、甲基乙基酮(MEK)及環己酮等之酮類;乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖素乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類;溶纖素及丁基卡必醇等之卡必醇類;甲苯及二甲苯等之芳香族烴類;二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯烷酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑可1種單獨使用,也可組合2種以上使用。
乾燥可藉由加熱、吹熱風等之習知的方法來實施。乾燥條件無特別限定,使乾燥至樹脂組成物層中之有機溶劑之含量成為10質量%以下,較佳為成為5質量%以下。也因樹脂清漆中之有機溶劑的沸點而異,例如使用包含30質量%~60質量%之有機溶劑之樹脂清漆時,藉由在50℃~150℃下使乾燥3分鐘~10分鐘,可形成樹脂組成物層。
樹脂薄片可捲繞成捲筒狀保存。樹脂薄片具有保護薄膜時,可藉由剝離保護薄膜來使用。
[印刷配線板] 本發明之印刷配線板,包含藉由本發明之樹脂組成物之硬化物所形成之絕緣層。
印刷配線板,例如使用上述樹脂薄片,藉由包含下述(I)及(II)之步驟的方法來製造。 (I)使樹脂薄片之樹脂組成物層與內層基板接合以積層於內層基板上的步驟 (II)使樹脂組成物層熱硬化,形成絕緣層的步驟
步驟(I)使用的「內層基板」係成為印刷配線板之基板的構件,可列舉例如玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等。又,該基板之單面或兩面也可具有導體層,此導體層也可被圖型加工。在基板之單面或兩面形成有導體層(電路)的內層基板有時稱為「內層電路基板」。又,製造印刷配線板時,進一步形成絕緣層及/或導體層之中間製造物也包含於本發明所謂的「內層基板」中。印刷配線板為零件內藏電路板時,也可使用內藏有零件的內層基板。
內層基板與樹脂薄片之積層,例如,可藉由自支撐體側,將樹脂薄片加熱壓接於內層基板來進行。將樹脂薄片加熱壓接於內層基板的構件(以下也稱為「加熱壓接構件」),可列舉例如被加熱之金屬板(SUS鏡板等)或金屬輥(SUS輥)等。又,並非將加熱壓接構件直接壓製於樹脂薄片,而是樹脂薄片充分地追隨內層基板之表面凹凸,經由耐熱橡膠等之彈性材進行壓製為佳。
內層基板與樹脂薄片之積層,可藉由真空積層法實施。真空積層法中,加熱壓接溫度,較佳為60℃~160℃,更佳為80℃~140℃之範圍,加熱壓接壓力,較佳為0.098MPa~1.77MPa,更佳為0.29MPa~1.47MPa之範圍,加熱壓接時間,較佳為20秒鐘~400秒鐘,更佳為30秒鐘~300秒鐘之範圍。積層較佳為壓力26.7hPa以下之減壓條件下實施。
積層可藉由市售之真空積層機進行。市售之真空積層機,可列舉例如,名機製作所公司製之真空加壓式積層機、nikko-materials公司製之真空塗佈機、分批式真空加壓積層機等。
積層後,在常壓下(大氣壓下),例如,藉由將加熱壓接構件自支撐體側進行壓製,也可進行經積層之樹脂薄片之平滑化處理。平滑化處理之壓製條件,可為與上述積層之加熱壓接條件相同的條件。平滑化處理,可藉由市售之積層機進行。又,積層與平滑化處理,也可使用上述市售之真空積層機,連續地進行的。
支撐體可在步驟(I)與步驟(II)之間去除,也可在步驟(II)之後去除。
步驟(II)中,將樹脂組成物層熱硬化形成絕緣層。樹脂組成物層之熱硬化條件無特別限定,形成印刷配線板之絕緣層時,可使用通常採用的條件。
例如,樹脂組成物層之熱硬化條件係因樹脂組成物之種類等而異,硬化溫度較佳為120℃~240℃,更佳為150℃~220℃,又更佳為170℃~210℃。硬化時間較佳為5分鐘~120分鐘,更佳為10分鐘~100分鐘,又更佳為15分鐘~100分鐘。
使樹脂組成物層熱硬化之前,也可將樹脂組成物層以低於硬化溫度的溫度進行預備加熱。例如,使樹脂組成物層熱硬化之前,通常以50℃以上、未達120℃(較佳為60℃以上115℃以下、更佳為70℃以上110℃以下)的溫度,將樹脂組成物層預備加熱5分鐘以上(較佳為5分鐘~150分鐘、更佳為15分鐘~120分鐘、又更佳為15分鐘~100分鐘)。
製造印刷配線板時,亦可進一步實施(III)於絕緣層開孔的步驟、(IV)對絕緣層進行粗化處理的步驟、及(V)形成導體層的步驟。此等步驟(III)至步驟(V)可依照印刷配線板之製造所用之熟悉該項技藝者公知之各種方法來實施。又,於步驟(II)後去除支撐體時,該支撐體之去除,可於步驟(II)與步驟(III)之間、步驟(III)與步驟(IV)之間、或步驟(IV)與步驟(V)之間實施。又,必要時,重複實施步驟(II)~步驟(V)之絕緣層及導體層之形成,也可形成多層配線板。
步驟(III)為於絕緣層開孔的步驟,藉由開孔,可於絕緣層形成導通孔(via hole)、通孔(through hole)等之孔。步驟(III)可依照絕緣層之形成所使用的樹脂組成物之組成等,例如使用鑽頭、雷射、電漿等來實施。孔之尺寸或形狀,可依印刷配線板之設計來適當決定。
步驟(IV)為對絕緣層進行粗化處理的步驟。通常此步驟(IV)中,也去除殘渣。粗化處理之順序及條件無特別限定,可採用形成印刷配線板之絕緣層時,通常使用之公知順序、條件。例如可依以膨潤液之膨潤處理、以氧化劑之粗化處理、以中和液之中和處理順序實施,將絕緣層進行粗化處理。粗化處理所使用的膨潤液無特別限定,可列舉鹼溶液、界面活性劑溶液等,較佳為鹼溶液,該鹼溶液更佳為氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液。市售之膨潤液,可列舉例如atotech Japan公司製之「Swelling Dip Securiganth P」、「Swelling Dip Securiganth SBU」等。藉由膨潤液之膨潤處理,無特別限定,例如可藉由將絕緣層於30℃~90℃之膨潤液中浸漬1分鐘~20分鐘來進行膨潤處理。就將絕緣層之樹脂的膨潤抑制在適度水準的觀點,較佳為使絕緣層於40℃~80℃之膨潤液中浸漬5分鐘~15分鐘。粗化處理所使用的氧化劑,無特別限定,可列舉例如於氫氧化鈉之水溶液中溶解有過錳酸鉀或過錳酸鈉的鹼性過錳酸溶液。藉由鹼性過錳酸溶液等之氧化劑的粗化處理,較佳為將絕緣層於加熱至60℃~100℃之氧化劑溶液中浸漬10分鐘~30分鐘來進行。又,鹼性過錳酸溶液中之過錳酸鹽的濃度較佳為5質量%~10質量%。市售之氧化劑可列舉例如Atotech Japan(股)製之「Concentrate Compact CP」、「Dosing Solution Securiganth P」等之鹼性過錳酸溶液。又,粗化處理所使用的中和液係以酸性水溶液為佳,市售品可列舉例如,atotech Japan公司製之「Reduction solution Securiganth P」。以中和液之處理,可藉由將以氧化劑進行了粗化處理的處理面於30℃~80℃之中和液中浸漬5分鐘~30分鐘來進行。由作業性等的觀點,較佳為將以氧化劑進行了粗化處理的對象物,於40℃~70℃之中和液中浸漬5分鐘~20分鐘的方法。
一實施形態中,粗化處理後之絕緣層表面的算術平均粗糙度(Ra),較佳為400nm以下,更佳為350nm以下,又更佳為300nm以下。下限無特別限定,較佳可為0.5nm以上,更佳可為1nm以上等。又,粗化處理後之絕緣層表面的均方根粗糙度(Rq),較佳為400nm以下,更佳為350nm以下,又更佳為300nm以下。下限無特別限定,較佳可為0.5nm以上,更佳可為1nm以上等。絕緣層表面之算術平均粗糙度(Ra)及均方根粗糙度(Rq),可使用非接觸型表面粗糙度計測定。
步驟(V)係形成導體層的步驟,在絕緣層上形成導體層。導體層所使用之導體材料無特別限定。較佳之實施形態中,導體層含有選自由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所構成群組之1種以上的金屬。導體層可為單金屬層,也可為合金層,合金層可列舉例如選自上述群之2種以上的金屬合金(例如,鎳・鉻合金、銅・鎳合金及銅・鈦合金)所形成的層。其中,就導體層形成之泛用性、成本、圖型化之容易性等的觀點,較佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層、或鎳・鉻合金、銅・鎳合金、銅・鈦合金之合金層,更佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層、或鎳・鉻合金之合金層,又更佳為銅之單金屬層。
導體層可具有單層構造,亦可由不同種類之金屬或合金所成之單金屬層或合金層積層了2層以上的多層構造。導體層為多層構造時,與絕緣層接觸之層,較佳為鉻、鋅或鈦之單金屬層,或鎳・鉻合金之合金層。
導體層之厚度係因所期望之印刷配線板之設計而異,一般為3μm~35μm,較佳為5μm~30μm。
一實施形態中,導體層可藉由鍍敷而形成。例如,藉由半加成法、全加成法等之以往公知的技術鍍敷於絕緣層之表面,可形成具有所期望之配線圖型的導體層,就製造之簡便性的觀點,藉由半加成法而形成為佳。以下表示藉由半加成法形成導體層之例。
首先,於絕緣層之表面,藉由無電電鍍(Electroless plating)形成電鍍晶種層(plating seed layer)。接著,於形成之電鍍晶種層上,形成對應於所期望之配線圖型,使電鍍晶種層之一部分露出的遮罩圖型。露出之電鍍晶種層上,藉由電鍍形成金屬層後,去除遮罩圖型。然後,藉由蝕刻等而去除不要的電鍍晶種層,可形成具有所期望之配線圖型的導體層。
[半導體裝置] 本發明之半導體裝置係包含本發明之印刷配線板。本發明之半導體裝置可使用本發明之印刷配線板製造。
半導體裝置可列舉電氣製品(例如,電腦、行動電話、數位相機及電視等)及提供交通工具(例如摩托車、汽車、電車、船舶及飛機等)等之各種半導體裝置。
本發明之半導體裝置可藉由例如於印刷配線板之導通處安裝零件(半導體晶片)來製造。「導通處」係指「在印刷配線板之傳達電氣信號之處」,該處可為表面,亦可為埋入處皆無妨。又,半導體晶片係以半導體作為材料之電氣電路元件時,即無特別限定。
製造半導體裝置時之半導體晶片的安裝方法,只要是半導體晶片能有效地發揮功能時,即無特別限定,具體而言,可列舉引線接合安裝方法、覆晶安裝方法、以無凸塊增層(BBUL)之安裝方法、以各向異性導電薄膜(ACF)之安裝方法、以非導電性薄膜(NCF)之安裝方法等。在此,「以無凸塊增層(BBUL)之安裝方法」係指「將半導體晶片直接埋入於印刷配線板之凹部,使半導體晶片與印刷配線板上之配線連接的安裝方法」。
[實施例]
以下,藉由舉實施例具體說明本發明。但本發明並不限定於以下的實施例。又,在以下說明中,表示量的「份」及「%」在無另外明示時,分別表示「質量份」及「質量%」。又,以下說明之操作,在無另外明示時,表示在常溫常壓的環境下進行。
<合成例1:具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂A之合成> 在反應裝置中,投入雙酚A型乙二醇醚(Hyprox MDB-561、DIC公司製)779.1質量份、間苯二甲酸132.9質量份及癸二酸40.4質量份,開始昇溫及攪拌。 接著,將內溫昇溫至230℃後,投入四異丙基鈦酸酯0.10質量份,230℃下反應24小時,合成具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂A。所得之具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂A之羥值為36.9mgKOH/g,數平均分子量為3040,玻璃轉移溫度為-14℃,75℃的黏度為9Pa・s。
<合成例2:聚酯多元醇樹脂B之合成> 在反應裝置中,投入乙二醇395.6質量份及己二酸838.8質量份,開始昇溫及攪拌。 接著,將內溫昇溫至220℃後,投入四異丙基鈦酸酯0.03質量份,220℃下反應24小時,合成聚酯多元醇樹脂B。所得之聚酯多元醇樹脂B之羥值為56.2mgKOH/g,數平均分子量為2000,75℃之黏度為0.6Pa・s,未顯示玻璃轉移溫度。
<實施例1> 使雙酚型環氧樹脂(NIPPON STEEL Chemical & Material公司製「ZX1059」)20份與聯苯型環氧樹脂(日本化藥製「NC3000L」)40份溶解於MEK(甲基乙基酮)20份。其中加入經胺系烷氧基矽烷化合物(信越化學工業製「KBM573」)表面處理的球形二氧化矽(平均粒徑0.77μm、admatechs公司製「SO-C2」)330份、活性酯系硬化劑(DIC公司製「HPC-8000-65T」、固體成分60質量%之甲苯溶液)90份、含有三嗪之甲酚醛清漆樹脂(DIC製「LA-3018-50P」、固體成分50質量%之甲氧基丙醇溶液)5份、苯氧基樹脂(Mitsubishi Chemical公司製「YX7553BH30」、固體成分30質量%之MEK・環己酮溶液)5份、合成例1所得之聚酯多元醇樹脂A 5份、4-二甲基胺基吡啶(和光純藥工業公司製、簡稱「DMAP」)0.1份,使用高速旋轉混合機進行均勻地分散,製作樹脂清漆。
作為支撐體,準備具備脫模層之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(琳得科公司製「AL5」、厚度38μm)。此支撐體之脫模層上均勻地塗佈前述樹脂清漆,使乾燥後之樹脂組成物層的厚度成為40μm。然後,將樹脂清漆以80℃~100℃(平均90℃)乾燥4分鐘,得到包含支撐體及樹脂組成物層的樹脂薄片。
<實施例2> 實施例1中,除了將聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製、NC3000L)40份改成萘酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學公司製、ESN475V)40份,活性酯系硬化劑(DIC公司製、HPC-8000-65T)之量由90份改為85份。 以上事項以外與實施例1同樣製作樹脂組成物2。
<實施例3> 實施例1中,除了將活性酯系硬化劑(DIC公司製、HPC-8000-65T)90份改成活性酯系硬化劑(DIC公司製、HPC-8150-62T)95份。 以上事項以外與實施例1同樣製作樹脂組成物3。
<實施例4> 實施例1中,除了將活性酯系硬化劑(DIC公司製、HPC-8000-65T)90份改成活性酯系硬化劑(DIC公司製、HPC-8000L-65TM)90份。 以上事項以外與實施例1同樣製作樹脂組成物4。
<實施例5> 實施例3中,除了將具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂A之量由5份改為10份,將無機填充材(admatechs公司製、SO-C2)之量由330份改為340份。 以上事項以外與實施例3同樣製作樹脂組成物5。
<實施例6> 實施例3中,除了將具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂A之量由5份改為2.5份。 以上事項以外與實施例3同樣製作樹脂組成物6。
<實施例7> 實施例3中,除了將活性酯系硬化劑(DIC公司製、HPC-8150-62T)之量由95份改為60份,無機填充材(admatechs公司製、SO-C2)之量由330份改為270份,聚酯多元醇樹脂A之量由5份改為4份。 以上事項以外與實施例3同樣製作樹脂組成物7。
<比較例1> 實施例1中,除了將具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂A 5份改為聚酯多元醇樹脂B 5份。 以上事項以外與實施例1同樣製作樹脂組成物8。
<比較例2> 實施例1中,除了將具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂A 5份改為具有丁二烯結構之環氧樹脂(DAICEL公司製、PB3600)5份。 以上事項以外與實施例1同樣製作樹脂組成物9。
<比較例3> 實施例1中,除了未使用具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂A 5份。 以上事項以外與實施例1同樣製作樹脂組成物10。
<殘渣去除性之評價> (1)內裝基板之基底處理: 作為內層基板,準備在表面具有銅箔之玻璃布基材環氧樹脂兩面貼銅積層板(銅箔之厚度18μm、基板之厚度0.8mm、panasonic公司製「R1515A」)。將此內層基板之表面的銅箔使用微蝕刻劑(MEC公司製「CZ8101」),以銅蝕刻量1μm進行蝕刻,進行粗化處理。然後,以190℃乾燥30分鐘。
(2)樹脂薄片之積層・硬化: 使用分批式真空加壓積層機(nikko-materials公司製、二段式(2 stage)增層積層機「CVP700」),將上述實施例及比較例所得之樹脂薄片,使樹脂組成物層與前述內層基板接合的方式,積層於內層基板的兩面。此積層係減壓30秒鐘後,氣壓設為13hPa以下後,在溫度100℃、壓力0.74MPa下,壓接30秒鐘來實施。 接著,將積層後的樹脂薄片在大氣壓下,100℃、壓力0.5MPa下熱壓60秒鐘進行平滑化。再將此投入100℃的烤箱中,加熱30分鐘,接著,移至170℃的烤箱中加熱30分鐘。
(3)導通孔形成: 使用Viamechanics公司製CO2 雷射加工機(LK-2K212/2C),在頻率2000Hz下,脈衝寬3μ秒、輸出0.95W、shot數3之條件下,將絕緣層進行加工,形成絕緣層表面之頂部徑(直徑)為50μm、絕緣層底面之直徑為50μm的導通孔。然後,將支撐體剝離,得到電路基板。
(4)粗化處理: 將電路基板於膨潤液atotech Japan公司製之Swelling Dip Securiganth P中,60℃浸漬10分鐘。接著,於粗化液atotech Japan公司製之Concentrate Compact P(KMnO4 :60g/L、NaOH:40g/L之水溶液)中,80℃浸漬25分鐘。最後,於中和液atotech Japan公司製之Reduction solution Securiganth P中,40℃浸漬5分鐘。
(5)殘渣去除性之評價(導通孔底部之殘渣評價): 以掃描電子顯微鏡(SEM)觀察導通孔之底部的周圍,由所得之圖像測定由導通孔底部之牆面之最大殘渣長,並以下的基準評價。 ○:最大殘渣長未達5μm ×:最大殘渣長為5μm以上
<介電正切之測定> 將上述實施例及比較例所得之樹脂薄片藉由以190℃的烤箱硬化90分鐘,剝離支撐體,得到硬化物。將該硬化物切成長度80mm、寬2mm,作為評價樣品。對於此評價樣品,藉由使用Agilent Technologies(Agilent Technologies)公司製HP8362B裝置之共振腔微擾法,在測定頻率5.8GHz、測定溫度23℃下測定介電正切。對2支的試驗片測定,算出平均值。
<銅箔密著性(剝離強度)之測定> (密著評價用基板之製作) 作為內層基板,準備在表面具有銅箔之玻璃布基材環氧樹脂兩面貼銅積層板(銅箔之厚度18μm、基板之厚度0.8mm、panasonic公司製「R1515A」)。將此內層基板之表面的銅箔全部蝕刻去除。然後,以190℃乾燥30分鐘。
將上述實施例及比較例所得之樹脂薄片使用分批式真空加壓積層機(nikko-materials公司製、二段式增層積層機「CVP700」),使樹脂組成物層與前述內層基板接合的方式,積層於內層基板的兩面。此積層係減壓30秒鐘後,氣壓設為13hPa以下後,在溫度100℃、壓力0.74MPa下,壓接30秒鐘來實施。
接著,將積層後的樹脂薄片在大氣壓下,100℃、壓力0.5MPa下熱壓60秒鐘進行平滑化。然後,剝離支撐體,得到包含依樹脂組成物層、內層基板及樹脂組成物層之順序的「中間複層體I」。
另外,準備具有光澤面的銅箔(厚度35μm、三井金屬公司製「3EC-III」)。使用微蝕刻劑(MEC公司製「CZ8101」)將此銅箔的光澤面以銅蝕刻量1μm進行蝕刻,進行粗化處理。此所得之銅箔稱為「粗化銅箔」。
將此粗化銅箔使該粗化銅箔之經粗化處理的面與中間複層體I之樹脂組成物層接合的方式,積層於中間複層體I的兩面。此積層係與對前述內層基板之樹脂薄片之積層相同條件下進行。藉此,得到依序包含粗化銅箔、樹脂組成物層、內層基板、樹脂組成物層及粗化銅箔的「中間複層體II」。
將此中間複層體II投入100℃的烤箱中,加熱30分鐘,接著移至170℃的烤箱中,加熱30分鐘。接著,自烤箱中,室溫環境下取出中間複層體II後,再投入200℃的烤箱中,追加90分鐘加熱。藉此,進行樹脂組成物層之熱硬化,得到依序包含粗化銅箔、作為樹脂組成物層之硬化物的絕緣層、內層基板、作為樹脂組成物層之硬化物的絕緣層及粗化銅箔的「評價基板A」。此評價基板A中,粗化銅箔相當於導體層。
(銅箔密著性(剝離強度)之測定) 使用前述評價基板A,測定粗化銅箔與絕緣層之剝離強度。此剝離強度之測定係依據JIS C6481進行。具體而言,藉由下述操作,測定剝離強度。
在評價基板A之粗化銅箔上,切割圍繞寬10mm、長度100mm的矩形部分。將此矩形部分之一端剝離,以抓具(T.S.E公司製、Autocom型試驗機「AC-50C-SL」)抓住。將前述矩形部分之長度35mm的範圍以垂直方向剝離,此剝離時之荷重(kgf/cm)作為剝離強度來測定。前述剝離係在室溫中,以50mm/分鐘的速度進行。
實施例1~7中,即使不含(E)成分~(G)成分的情形,雖程度上差異,但是確認歸納於與上述實施例同樣的結果。

Claims (17)

  1. 一種樹脂組成物,其係包含(A)環氧樹脂、(B)活性酯系硬化劑、(C)具有芳香族結構之聚酯多元醇樹脂、及(D)無機填充材,其中樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之(B)成分的含量為b1,樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之(C)成分之含量為c1時,b1/c1為3以上30以下。
  2. 如請求項1之樹脂組成物,其中樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時,(C)成分之含量為0.1質量%以上10質量%以下。
  3. 如請求項1之樹脂組成物,其中(C)成分具有雙酚骨架。
  4. 如請求項3之樹脂組成物,其中(C)成分在末端具有羥基。
  5. 如請求項1之樹脂組成物,其中(C)成分之羥值為2mgKOH/g以上450mgKOH/g以下。
  6. 如請求項1之樹脂組成物,其中(C)成分在75℃之黏度為0.5Pa.s以上25Pa.s以下。
  7. 如請求項1之樹脂組成物,其中(C)成分之數平均分子量為500以上7000以下。
  8. 如請求項1之樹脂組成物,其中(B)成分包含選自二環戊二烯型活性酯系硬化劑、及萘型活性酯系 硬化劑之至少1種。
  9. 如請求項1之樹脂組成物,其中樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時,(D)成分之含量為50質量%以上。
  10. 如請求項1之樹脂組成物,其係再包含(E)硬化劑。
  11. 如請求項10之樹脂組成物,其中(E)硬化劑包含酚系硬化劑。
  12. 如請求項1之樹脂組成物,其係用於絕緣用途。
  13. 如請求項1之樹脂組成物,其係用於絕緣層形成用。
  14. 如請求項1之樹脂組成物,其係形成導體層用之絕緣層形成用。
  15. 一種樹脂薄片,其係包含:支撐體、與設置於該支撐體上之包含如請求項1~14中任一項之樹脂組成物的樹脂組成物層。
  16. 一種印刷配線板,其係包含藉由如請求項1~14中任一項之樹脂組成物之硬化物所形成的絕緣層。
  17. 一種半導體裝置,其係包含如請求項16之印刷配線板。
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