TWI863707B

TWI863707B - 含金屬光阻顯影劑組成物以及包括使用所述組成物進行顯影的步驟的形成圖案的方法

Info

Publication number: TWI863707B
Application number: TW112144692A
Authority: TW
Inventors: 成太根; 文炯朗; 崔有廷; 任浣熙; 李忠憲; 宋大錫; 司空峻
Original assignee: 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司
Priority date: 2023-03-29
Filing date: 2023-11-20
Publication date: 2024-11-21
Also published as: TW202439042A; JP2024144101A; CN118732423A; KR20240146420A; US20240329537A1

Abstract

提供一種含金屬光阻顯影劑組成物以及一種包括使用所述含金屬光阻顯影劑組成物進行顯影的步驟的形成圖案的方法，所述含金屬光阻顯影劑組成物包含有機溶劑、酸化合物以及所述酸化合物的共軛鹼化合物。

Description

含金屬光阻顯影劑組成物以及包括使用所述組成物進行顯影的步驟的形成圖案的方法

[相關申請的交叉參考]

本申請主張在2023年3月29日在韓國智慧財產權局提出申請的韓國專利申請第10-2023-0041362號的優先權及權益，所述韓國專利申請的全部內容併入本文供參考。

本發明有關於一種含金屬光阻顯影劑組成物以及一種包括使用所述含金屬光阻顯影劑組成物進行顯影的步驟的形成圖案的方法。

近年來，半導體工業伴隨著臨界尺寸（critical dimension，CD）的不斷減小，且此種尺寸上的減小需要滿足對處理並圖案化出越來越小的特徵的需求的新型高性能光阻材料及圖案化方法。

傳統的化學放大（chemically amplified，CA）光阻被設計成確保高的敏感度（sensitivity），但是由於其典型的元素構成（主要是較少量的O、F及S、C）會降低在約13.5 nm波長下的吸光度（absorbance）且因而降低敏感度，因此所述光阻在極紫外（Extreme UltraViolet，EUV）曝光下可能會部分地遭受更多的困難。另外，CA光阻可能由於在小特徵大小上的粗糙度問題且部分地由於酸催化劑製程的性質而有困難，實驗證明線邊緣粗糙度（line edge roughness，LER）隨著感光速度（photospeed）的降低而提高。由於CA光阻的這些缺點及問題，在半導體工業中需要新型高性能光阻。

尤其是，有必要開發一種在微影製程（photolithography process）中確保優異的抗蝕刻性（etching resistance）及解析度且同時改善敏感度並增強CD（臨界尺寸）均勻性及線邊緣粗糙度（LER）特性的光阻。

一些實施例提供一種含金屬光阻顯影劑組成物。

一些實施例提供一種包括使用所述組成物進行顯影的步驟的形成圖案的方法。

根據一些實施例的含金屬光阻顯影劑組成物包含有機溶劑、酸化合物以及所述酸化合物的共軛鹼化合物。

以含金屬光阻顯影劑組成物的總重量%計，可以約0.01 wt%到約10 wt%的量包含酸化合物。

以含金屬光阻顯影劑組成物的總重量%計，可以約0.001 wt%到約1 wt%的量包含共軛鹼化合物。

可以約1:0.01到約1:1的重量比包含酸化合物與共軛鹼化合物。

共軛鹼化合物可衍生自銨鹽、鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽或其組合。

含金屬光阻可包含金屬化合物，所述金屬化合物包括有機錫側氧基及有機錫羧基中的至少一種。

含金屬光阻可包含由化學式1表示的金屬化合物。 [化學式1] 在化學式1中， R ¹選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C7至C30芳基烷基以及-R ^a-O-R ^b（其中R ^a是經取代或未經取代的C1至C20伸烷基，且R ^b是經取代或未經取代的C1至C20烷基）， R ²到R ⁴各自獨立地選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C7至C30芳基烷基、-OR ^c以及-OC(=O)R ^d， R ²到R ⁴中的至少一個各自獨立地選自-OR ^c或-OC(=O)R ^d， R ^c是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合，且 R ^d是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合。

R ^c及R ^d可各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20烷基。

根據一些實施例的形成圖案的方法包括：在基板上塗布含金屬光阻組成物；對所得物進行乾燥及加熱以在基板上形成含金屬光阻膜；對含金屬光阻膜進行曝光；以及使用前述含金屬光阻顯影劑組成物對含金屬光阻膜進行顯影。

根據一些實施例的含金屬光阻顯影劑組成物可通過防止由曝光過程期間消耗的酸或從光阻中排出的酸引起的暫態pH不平衡（instantaneous pH imbalance）並使暫態pH不平衡穩定化來改善CD（臨界尺寸）均勻性。

在下文中，將參照附圖詳細闡述本發明的實施例。在本發明的以下說明中，為了闡明本發明，將不再對眾所周知的功能或構造予以贅述。

為了清楚地說明本發明，省略了說明及關係，且在本發明通篇中，相同或相似的配置元件由相同的附圖標記表示。此外，由於圖式中所示的每種配置的大小及厚度是為更好的理解及易於說明而任意示出，因此本發明未必僅限於此。

在圖式中，為清晰起見，誇大了層、膜、面板、區等的厚度。在圖式中，為清晰起見，誇大了層或區的一部分的厚度等。應理解，當稱一元件（例如層、膜、區或基板）位於另一元件“上（on）”時，所述元件可直接位於所述另一元件上，或者還可存在中間元件。

在本發明中，“經取代”是指氫原子被氘、鹵素基、羥基、氨基、經取代或未經取代的C1至C30胺基、硝基、經取代或未經取代的C1至C40矽烷基、C1至C30烷基、C1至C10鹵代烷基、C1至C10烷基矽烷基、C3至C30環烷基、C6至C30芳基、C1至C20烷氧基或氰基代替。“未經取代”是指氫原子保持為氫原子，而未被另一取代基代替。

在本發明中，除非另有定義，否則用語“烷基”意指直鏈或支鏈脂族烴基。烷基可為不包含任何雙鍵或三鍵的“飽和烷基”。

烷基可為C1至C20烷基。更具體來說，烷基可為C1至C10烷基或C1至C6烷基。舉例來說，C1至C4烷基意指烷基鏈包含1個至4個碳原子，且可選自甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基及叔丁基。

烷基的具體實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基等。

在本發明中，除非另有定義，否則用語“環烷基”是指單價環狀脂族烴基。

在本發明中，除非另有定義，否則用語“烯基”是直鏈或支鏈脂族烴基，且是指包含一或多個雙鍵的脂族不飽和烯基。

在本發明中，除非另有定義，否則用語“炔基”是直鏈或支鏈脂族烴基，且是指包含一或多個三鍵的不飽和炔基。

在本發明中，“芳基”意指其中環狀取代基的所有元素皆具有p-軌道（p-orbital）的取代基，且這些p-軌道形成共軛。“芳基”可包括單環、多環或稠環（即，共用相鄰碳原子對的環）官能基。

在下文中，闡述根據一些實施例的含金屬光阻顯影劑組成物。

根據一些實施例的含金屬光阻顯影劑組成物包括有機溶劑、酸化合物以及所述酸化合物的共軛鹼化合物。

以含金屬光阻顯影劑組成物的總重量%計，可在以上範圍內以約0.01 wt%到約5 wt%（例如約0.05 wt%到約5 wt%，例如約0.1 wt%到約5 wt%）包含酸化合物。

可以約0.001 wt%到約1 wt%的量包含共軛鹼化合物。

可在以上範圍內以約0.001 wt%到約0.5 wt%（例如約0.01 wt%到約0.5 wt%，例如約0.05 wt%到約0.5 wt%）包含共軛鹼化合物。

在所述組成物中，可能由於在顯影期間消耗的酸或從光阻中排出的酸而在顯影期間出現暫態pH不平衡。通過添加共軛鹼以形成相似的緩衝系統（buffer system），可降低由pH不平衡引起的不穩定性。因此，由於由pH不平衡引起的不穩定性降低，可能發生CD偏差的問題得以解決，且CD分佈及線邊緣粗糙度（LER）可降低。

可以約1:0.01到約1:1的重量比包含酸化合物與共軛鹼化合物。

在以上範圍內，可以約1:0.03到約1:1（例如約1:0.05到約1:1）的重量比包含酸化合物與共軛鹼化合物。

當酸化合物與共軛鹼化合物的混合比處於以上範圍內時，即使形成緩衝系統並出現pH不平衡，也可能不會出現快速的pH變化，這是因為酸-鹼處於平衡狀態，且當組成物穩定化時，可能導致現有CD偏差的問題減少，且可確保CD分佈及LER的穩定結果。

根據一些實施例的共軛鹼化合物可衍生自銨鹽、鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽或其組合。

根據一些實施例的含金屬光阻顯影劑組成物中所包含的有機溶劑的實例可包括醚、醇、二醇醚、芳族烴化合物、酮及酯中的至少一種，但並非僅限於此。舉例來說，有機溶劑可包括乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙酸甲基賽路蘇、乙酸乙基賽路蘇、二乙二醇甲基醚、二乙二醇乙基醚、丙二醇、丙二醇甲基醚（propyleneglycolmethylether，PGME）、丙二醇甲基醚乙酸酯（propyleneglycolmethyletheracetate，PGMEA）、丙二醇乙基醚、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、丙二醇丁基醚、丙二醇丁基醚乙酸酯、乙醇、丙醇、異丙醇、異丁醇、4-甲基-2-戊烯醇（或稱為甲基異丁基甲醇（methyl isobutyl carbinol，MIBC））、己醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、乙二醇、丙二醇、庚酮、碳酸伸丙酯、碳酸伸丁酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、丙酸2-羥基乙酯、丙酸2-羥基-2-甲基乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、丁酸2-羥基-3-甲基甲酯、丙酸3-甲氧基甲酯、丙酸3-甲氧基乙酯、丙酸3-乙氧基乙酯、丙酸3-乙氧基甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、γ-丁內酯、2-羥基異丁酸甲酯、甲氧基苯、乙酸正丁酯、乙酸1-甲氧基-2-丙酯、甲氧基乙氧基丙酸酯、乙氧基乙氧基丙酸酯或其組合，但並非僅限於此。

當包含稍後將要闡述的其他添加劑時，除所述組分以外，還可包含餘量的有機溶劑。

根據一些實施例的含金屬光阻顯影劑組成物還可包含選自表面活性劑、分散劑、吸濕劑（moisture absorbent）及偶聯劑（coupling agent）的至少一種其他添加劑。

含金屬光阻組成物（其可與上述含金屬光阻顯影劑組成物一起使用）可包含金屬化合物，所述金屬化合物包括有機錫側氧基及有機錫羧基中的至少一種。

舉例來說，含金屬光阻可包含由化學式1表示的金屬化合物。 [化學式1] 在化學式1中， R ¹選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C7至C30芳基烷基以及-R ^a-O-R ^b（其中R ^a是經取代或未經取代的C1至C20伸烷基，且R ^b是經取代或未經取代的C1至C20烷基）， R ²到R ⁴各自獨立地選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C7至C30芳基烷基、-OR ^c以及-OC(=O)R ^d， R ²到R ⁴中的至少一個各自獨立地選自-OR ^c或-OC(=O)R ^d， R ^c是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合，且 R ^d是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合。

R ^c及R ^d可各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20烷基。

同時，根據一些實施例，一種形成圖案的方法包括使用前述含金屬光阻顯影劑組成物的顯影的步驟。舉例來說，所製造的圖案可為負型光阻圖案（negative-type photoresist pattern）。

更具體來說，使用含金屬光阻組成物來形成圖案可包括：通過旋轉塗布（spin coating）、狹縫塗布（slit coating）、噴墨印刷等在上面形成有薄膜的基板上塗布含金屬光阻組成物；以及對所塗布的含金屬光阻組成物進行乾燥以形成光阻膜。所述含金屬光阻組成物可包括錫系化合物，且舉例來說，所述錫系化合物可包括烷基錫側氧基、烷基錫羧基及烷基錫羥基中的至少一種。

隨後，用於從含金屬光阻中移除邊珠（edge bead）的組成物可沿著基板的邊緣進行塗布。

接下來，實行對上面形成有含金屬光阻膜的基板進行加熱的第一熱處理製程。第一熱處理製程可在約80℃到約120℃的溫度下實行。在此製程中，溶劑蒸發，且含金屬光阻膜可更牢固地黏合到基板。

並且選擇性地對光阻膜進行曝光。

舉例來說，可在曝光製程中使用的光的實例可不僅包括例如i線（i-line）（波長365 nm）、KrF准分子雷射（波長為248 nm）、ArF准分子雷射（波長為193 nm）等具有短波長的光，而且還可包括具有例如極紫外線（EUV，波長為13.5 nm）、電子束（electron beam，E-beam）等高能量波長的光。

更具體來說，根據一些實施例的用於曝光的光可為具有約5 nm到約150 nm的波長範圍的短波長光以及例如極紫外線（EUV，波長13.5 nm）、電子束（E-beam）等具有高能量波長的光。

在形成光阻圖案的步驟中，可形成負型圖案。

光阻膜的曝光區具有與光阻膜的未曝光區的溶解度不同的溶解度，此乃因聚合物是通過交聯反應（例如有機金屬化合物之間的縮合）而形成。

然後，對基板實行第二熱處理製程。第二熱處理製程可在約90℃到約200℃的溫度下實行。通過實行第二熱處理製程，光阻膜的曝光區變得難以溶解於顯影劑溶液中。

具體來說，通過使用前述光阻顯影劑來溶解並然後移除與未曝光區對應的光阻膜，可完成與負型色調圖像（negative-type tone image）對應的光阻圖案。

如上所述，通過不僅曝光於具有例如i線（波長為365 nm）、KrF准分子雷射（波長為248 nm）、ArF准分子雷射（波長為193 nm）的短波長的光、而且還曝光於具有例如EUV（極紫外線；波長為13.5 nm）和電子束（E-beam）的高能量的光而形成的光阻圖案可具有約5 nm到約100 nm的厚度寬度（thickness width）。舉例來說，光阻圖案可被形成為具有約5 nm到約90 nm、約5 nm到約80 nm、約5 nm到約70 nm、約5 nm到約60 nm、約5 nm到約50 nm、約5 nm到約40 nm、約5 nm到約30 nm或約5 nm到約20 nm的厚度寬度。

另一方面，光阻圖案所具有的節距（pitch）的半節距（half-pitch）可小於或等於約50 nm，例如小於或等於約40 nm、例如小於或等於約30 nm、例如小於或等於約20 nm、例如小於或等於約15 nm，且光阻圖案所具有的線寬粗糙度（line width roughness）可小於或等於約10 nm、小於或等於約5 nm、小於或等於約3 nm或者小於或等於約2 nm。

在下文中，參照圖式詳細闡述形成圖案的方法。

圖1到圖3是按次序示出製程順序以闡釋形成圖案的方法的剖視圖。

參照圖1，對在基板100上的經曝光的光阻膜進行顯影以形成光阻圖案130P。

在示例性實施例中，可對經曝光的光阻膜進行顯影以移除光阻膜的未曝光區，且可形成包括光阻膜的曝光區的光阻圖案130P。光阻圖案130P可包括多個開口OP。

在示例性實施例中，可通過負色調顯影（negative-tone development，NTD）製程實行對光阻膜的顯影。在本文中，根據一些實施例的含金屬光阻顯影劑組成物可用作顯影劑組成物。

參照圖2，使用光阻圖案130P來處理圖1所示所得物中的特徵層110。

舉例來說，通過以下各種製程來處理特徵層110：蝕刻通過光阻圖案130P的開口OP而暴露出的特徵層110、將雜質離子注入至特徵層110中、經由開口OP在特徵層110上形成附加膜、經由開口OP使特徵層110的一部分變形及類似製程。圖2示出通過蝕刻通過開口OP而暴露出的特徵層110來處理特徵圖案110P的示例性製程。

參照圖3，在圖2所示所得物中，移除保留在特徵圖案110P上的光阻圖案130P。為了移除光阻圖案130P，可使用灰化及剝離製程（ashing and stripping process）。

在下文中，將通過與前述含金屬光阻顯影劑組成物的製備相關的實例更詳細地闡述本發明。然而，本發明的技術特徵不受以下實例所限制。

含金屬光阻顯影劑組成物的製備

根據表1中所示的每種成分在聚丙烯（polypropylene，PP）瓶中對有機溶劑（PGMEA）與添加劑進行混合，且然後在室溫（25℃）下搖動直到完全溶解為止。隨後，通過孔徑（pore size）為1 μm的聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）篩檢程式對所獲得的溶液進行過濾，從而獲得顯影溶液組成物。

（表1）

	有機溶劑（wt%）	添加劑	標準差
含量（wt%）	組成物
酸化合物	共軛鹼化合物	混合重量比（酸:共軛鹼）
實例1	96.7	3.3	乙酸	銨鹽	1:0.1	5
實例2	97.8	2.2	乙醇酸	銨鹽	1:0.1	6
實例3	99.8	0.2	硫酸	銨鹽	1:0.1	3
實例4	99.8	0.2	膦酸	銨鹽	1:0.1	5
實例5	99.8	0.2	甲基膦酸	銨鹽	1:0.1	4
實例6	99.7	0.3	乙烯基膦酸	銨鹽	1:0.5	3
實例7	98.9	1.1	甲酸	鈉鹽	1:0.1	2
實例8	96.8	3.2	丙酸	鈉鹽	1:0.07	5
實例9	97.9	2.1	琥珀酸	鈉鹽	1:0.05	3
實例10	96.7	3.3	乙酸	鉀鹽	1:0.1	3
實例11	96.8	3.2	丙酸	鉀鹽	1:0.07	4
實例12	96	4	琥珀酸	鉀鹽	1:1	5
實例13	99.7	0.3	乙烯基膦酸	鈉鹽	1:0.3	2
實例14	99.8	0.2	乙烯基膦酸	鈉鹽	1:0.2	3
實例15	99.7	0.3	乙烯基膦酸	鈉鹽	1:0.5	1
比較例1	97	3	乙酸	-	-	12
比較例2	98	2	乙醇酸	10
比較例3	99.9	0.1	硫酸	14
比較例4	99.8	0.2	膦酸	12
比較例5	99.8	0.2	甲基膦酸	10
比較例6	99.8	0.2	乙烯基膦酸	11

含金屬光阻組成物的製備

將具有化學式C表示的單元結構的有機金屬化合物以1 wt%的濃度溶解在4-甲基-2-戊醇中，且然後利用0.1 μm PTFE注射器篩檢程式進行過濾，從而製備含金屬光阻組成物。 [化學式C]

評價 1 ： CD 測量

通過在用於製造圖案晶圓的塗布-曝光-顯影製程期間注射所述顯影溶液中的每一種顯影溶液對所述顯影溶液進行評價。當所述製程完成時，將上面形成有線/間距（line/space）CD圖案的圖案晶圓轉移到臨界尺寸-掃描電子顯微鏡（critical dimension-scanning electron microscope，CD-SEM）測量裝置，以測量CD（臨界尺寸）大小。在CD-SEM圖像中的10個點處測量CD大小，從中計算出平均值及標準差（standard deviation，std），且標準差（std）示出在表1中。

參照表1，當施加根據實例1到實例15的含金屬光阻顯影劑組成物時，與當施加根據比較例1到比較例6的含金屬光阻顯影劑組成物時相比，實現了優異的分佈特性。

在上文中，已闡述並說明本發明的某些實施例，然而，對於所屬領域中的普通技術人員來說顯而易見，本發明並非僅限於所闡述的實施例，且可在不背離本發明的精神及範圍的情況下進行各種修改及變換。因此，經修改或經變換的實施例本身可不與本發明的技術思想及方面分開理解，且經修改的實施例處於本發明的申請專利的範圍內。

100:基板 110:特徵層 110P:特徵圖案 130P:光阻圖案 OP:開口

100:基板 110:特徵層 130P:光阻圖案 OP:開口

Claims

一種含金屬光阻顯影劑組成物，包括：有機溶劑，酸化合物，以及所述酸化合物的共軛鹼化合物，其中以1：0.01到1：1的重量比包含所述酸化合物與所述共軛鹼化合物。
如請求項1所述的含金屬光阻顯影劑組成物，其中以所述含金屬光阻顯影劑組成物的總重量%計，以0.01重量%到10重量%的量包含所述酸化合物。
如請求項1所述的含金屬光阻顯影劑組成物，其中以所述含金屬光阻顯影劑組成物的總重量%計，以0.001重量%到1重量%的量包含所述共軛鹼化合物。
如請求項1所述的含金屬光阻顯影劑組成物，其中所述共軛鹼化合物衍生自銨鹽、鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽或其組合。
如請求項1所述的含金屬光阻顯影劑組成物，其中所述含金屬光阻包含金屬化合物，所述金屬化合物包括有機錫側氧基及有機錫羧基中的至少一種。
如請求項5所述的含金屬光阻顯影劑組成物，其中所述金屬化合物由化學式1表示：[化學式1]
其中，在化學式1中，R¹選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C7至C30芳基烷基以及-R^a-O-R^b，其中R^a是經取代或未經取代的C1至C20伸烷基，且R^b是經取代或未經取代的C1至C20烷基，R²到R⁴各自獨立地選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C7至C30芳基烷基、-OR^c以及-OC(=O)R^d，R²到R⁴中的至少一個各自獨立地選自-OR^c或-OC(=O)R^d，R^c是經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合，且 R^d是氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或者其組合。
如請求項6所述的含金屬光阻顯影劑組成物，其中R^c及R^d各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20烷基。
一種形成圖案的方法，包括：在基板上塗布含金屬光阻組成物；對所得物進行乾燥及加熱以在所述基板上形成含金屬光阻膜；對所述含金屬光阻膜進行曝光；以及使用如請求項1至7中任一項所述的含金屬光阻顯影劑組成物對所述含金屬光阻膜進行顯影。