TWI860475B - 顯示幕及顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種顯示幕及顯示裝置，所述顯示幕包括基板、若干個LED晶片及若干個承載板，基板的一表面形成有若干個焊盤結構，每個焊盤結構包括一正極焊盤及三個負極焊盤，三個負極焊盤設置於正極焊盤的一側；每個LED晶片包括紅光晶片、綠光晶片與藍光晶片；每個承載板具有正極連接端與負極連接端，正極連接端電連接正極焊盤，負極連接端電連接相對應的紅光晶片、綠光晶片或藍光晶片。本發明有利於提高顯示幕的解析度及顯示幕的良率。

Description

顯示幕及顯示裝置

本發明涉及顯示技術領域，特別是一種顯示幕及顯示裝置。

目前，市場上使用的LED顯示幕大多採用單一的R(紅光)晶片、G(綠光)晶片、B(藍光)晶片三合一封裝的LED燈珠來組裝生產，以達到全彩色的顯示目的，其中，每個LED燈珠構成LED顯示幕的一個圖元點，複數LED排列設置可實現整屏的全彩顯示。

LED顯示幕的電路板上相鄰LED燈珠之間的間距越大，則LED顯示幕的解析度越低，相反，電路板上相鄰LED燈珠之間的間距越小，則LED顯示幕的解析度越高。目前，每個LED燈珠對應電連接PCB燈板上三個正極焊盤，由於相鄰的正極焊盤之間存在使用間距，三個正極焊盤的整體面積較大，在與LED燈珠中的R晶片、G晶片、B晶片連接後，正極焊盤與LED燈珠共同形成的結構的整體尺寸較大，從而使得電路板上的圖元點的單位面積點密度值較小，進而影響LED顯示幕的解析度；並且，由於每個正極焊盤的尺寸較小，其與每個晶片之間的綁定難度較大，致使綁定良率較低。

鑒於以上內容，有必要提出一種顯示幕及顯示裝置，以解決上述問題。

本發明提出了一種顯示幕，包括：基板，所述基板的一表面形成有呈陣列狀排列的若干個焊盤結構，每個所述焊盤結構包括一正極焊盤及三個負極焊盤，三個所述負極焊盤並排設置於所述正極焊盤的一側，且三個所述負極焊 盤與所述正極焊盤的間距相同；複數LED晶片，分別與若干個所述焊盤結構一一對應設置，每個所述LED晶片包括對應設置於三個所述負極焊盤的紅光晶片、綠光晶片與藍光晶片；及複數承載板，分別與所述紅光晶片、所述綠光晶片與所述藍光晶片對應設置，每個所述承載板具有正極連接端與負極連接端，所述正極連接端電連接所述正極焊盤，所述負極連接端電連接相對應的所述紅光晶片、所述綠光晶片或所述藍光晶片。

本發明還提出了一種顯示裝置，包括：本體；及如上述的顯示幕，所述顯示幕設於所述本體上。

上述的顯示幕及顯示裝置藉由設置一正極焊盤分別與紅光晶片、綠光晶片與藍光晶片電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤與紅光晶片、綠光晶片與藍光晶片共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

100:顯示幕

10:基板

12:焊盤結構

122:正極焊盤

124:負極焊盤

20:LED晶片

22:紅光晶片

24:綠光晶片

26:藍光晶片

30:承載板

32:正極連接端

34:負極連接端

36:第一金線

38:第二金線

200:本體

300:顯示裝置

圖1為本申請第一實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖2為本申請第二實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖3為本申請第三實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖4為本申請第四實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖5為本申請第五實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖6為本申請第六實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖7為本申請第七實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖8為本申請第八實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖9為本申請第九實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖10為本申請第十實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖11為本申請第十一實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖12為本申請第十二實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖13為本申請第十三實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖14為本申請第十四實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖15為本申請第十五實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖16為本申請第十六實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖17為本申請第十七實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖18為本申請第十八實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖19為本申請第十九實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖20為本申請第二十實施例提供的顯示幕結構示意圖。

圖21為本申請實施例提供的顯示裝置的結構示意圖。

請參見圖1，本申請第一實施例提供一種顯示幕100，包括基板10、複數LED晶片20及複數承載板30。需要說明的是，為了便於理解，圖中示出了顯示幕100的部分結構。

基板10的一表面形成有呈陣列狀排列的若干個焊盤結構12，每個焊盤結構12包括一正極焊盤122及設於正極焊盤122的一側且並排設置的三個負極焊盤124，三個負極焊盤124的形狀相同。可以理解地，在其他的實施例中，三個負極焊盤124的形狀可不同，例如三個負極焊盤124均為矩形，面積依次減小或增大。相較於形狀不同的三個負極焊盤124，形狀相同的三個負極焊盤124在裝配後連接穩定性更高，發光效果更好。

基板10內集成設置有驅動電路(圖未示)，驅動電路分別與正極焊盤122與負極焊盤124電連接。可以理解地，基板10為柔性電路板(Flexible Printed Circuit，FPC)、印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)、軟硬結合電路板中的任意一種，具體可根據實際需要進行設定。在本實施例中，若干個焊盤結構12均為第一結構，第一結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的X 軸正方向的結構，即負極焊盤124設於正極焊盤122的右側，示例的，焊盤結構12的數量為四個。可以理解地，在一些實施例中，負極焊盤124與正極焊盤122的位置相對於第一結構中的負極焊盤124與正極焊盤122的位置順時針或逆時針旋轉預設角度，例如45度，135度，但不限於此。

複數LED晶片20分別與複數焊盤結構12一一對應設置，每個LED晶片20包括對應設置於三個負極焊盤124的紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26。可以理解地，紅光晶片22為R晶片，綠光晶片24為G晶片，藍光晶片26為B晶片。

複數承載板30分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26對應設置，每個承載板30設於正極焊盤122及相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26之間，且每個承載板30具有正極連接端32與負極連接端34，正極連接端32藉由第一金線36電連接正極焊盤122，負極連接端34藉由第二金線38電連接相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26，也即是說，第二金線38為三個。在本實施例中，承載板30為矽晶片。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖2，本申請的第二實施例提出了一種顯示幕100，第二實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同，焊盤結構12均為第一結構，第一結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的X軸正方向的結構。不同之處在於：承載板30具有相對的第一承載面31與第二承載面33(圖3中所示)，正極連接端32與負極連接端34均設於第一承載面31，第二承載面33的部分設 於正極焊盤122，所述第二承載面33的部分設置在相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖3，本申請的第三實施例提出了一種顯示幕100，第三實施例中的顯示幕100與第二實施例中的顯示幕100的結構大致相同，不同之處在於：第一承載面31的具有正極連接端32的部分設於正極焊盤122，第一承載面31的具有負極連接端34的部分設置在相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖4，本申請的第四實施例提出了一種顯示幕100，第四實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同，焊盤結構12均為第一結構，第一結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的X軸正方向的結構。不同之處在於：承載板30設於相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖5，本申請的第五實施例提出了一種顯示幕100，第五實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同，承載板30設於正極焊盤122及相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26之間。不同之處在於：焊盤結構12均為第二結構，第二結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的X軸負方向的結構，即負極焊盤124設於正極焊盤122的左側。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖6，本申請的第六實施例提出了一種顯示幕100，第六實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同。不同之處在於：焊盤結構12均為第二結構，第二結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的X軸負方向的結構。

承載板30具有相對的第一承載面31與第二承載面33(圖7中所示)，正極連接端32與負極連接端34均設於第一承載面31，第二承載面33的部分設於正極焊盤122，所述第二承載面33的部分設置在相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖7，本申請的第七實施例提出了一種顯示幕100，第七實施例中的顯示幕100與第六實施例中的顯示幕100的結構大致相同。不同之處在於：第一承載面31的具有正極連接端32的部分設於正極焊盤122，第一承載面31的具有負極連接端34的部分設置在相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖8，本申請的第八實施例提出了一種顯示幕100，第八實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同。不同之處在於：焊盤結構12均為第二結構，第二結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的X軸負方向的結構。承載板30設於相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與 紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖9，本申請的第九實施例提出了一種顯示幕100，第九實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同，承載板30設於正極焊盤122及相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26之間。不同之處在於：焊盤結構12均為第三結構，第三結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的Y軸正方向的結構，即負極焊盤124設於正極焊盤122的上方。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖10，本申請的第十實施例提出了一種顯示幕100，第十實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同。不同之處在於：焊盤結構12均為第三結構，第三結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的Y軸正方向的結構。承載板30具有相對的第一承載面31與第二承載面33(圖11中所示)，正極連接端32與負極連接端34均設於第一承載面31，第二承載面33的部分設於正極焊盤122，所述第二承載面33的部分設置在相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從 而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖11，本申請的第十一實施例提出了一種顯示幕100，第十一實施例中的顯示幕100與第十實施例中的顯示幕100的結構大致相同，不同之處在於：第一承載面31的具有正極連接端32的部分設於正極焊盤122，第一承載面31的具有負極連接端34的部分設置在相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖12，本申請的第十二實施例提出了一種顯示幕100，第十二實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同。不同之處在於：焊盤結構12均為第三結構，第三結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的Y軸正方向的結構。承載板30設於相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖13，本申請的第十三實施例提出了一種顯示幕100，第十三實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同，承載板30設於正極焊盤122及相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26之間。不同之處在於：焊盤結構12均為第四結構，第四結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的Y軸負方向的結構，即負極焊盤124設於正極焊盤122的下方。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖14，本申請的第十四實施例提出了一種顯示幕100，第十四實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同。不同之處在於：焊盤結構12均為第四結構，第四結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的Y軸負方向的結構。承載板30具有相對的第一承載面31與第二承載面33(圖15中所示)，正極連接端32與負極連接端34均設於第一承載面31，第二承載面33的部分設於正極焊盤122，所述第二承載面33的部分設置在相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖15，本申請的第十五實施例提出了一種顯示幕100，第十五實施例中的顯示幕100與第十四實施例中的顯示幕100的結構大致相同，不同之處在於：第一承載面31的具有正極連接端32的部分設於正極焊盤122，第一承載面31的具有負極連接端34的部分設置在相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖16，本申請的第十六實施例提出了一種顯示幕100，第十六實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同。不同之處在於：焊盤結構12均為第四結構，第四結構為複數負極焊盤124分別設於正極焊盤122的Y軸負方向的結構。承載板30設於相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖17，本申請的第十七實施例提出了一種顯示幕100，第十七實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同，承載板30設於正極焊盤122及相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26之間。 不同之處在於：焊盤結構12包括第一結構、第二結構、第三結構及第四結構中的至少兩者，例如本實施例中，焊盤結構12結構包括第一結構、第二結構、第三結構及第四結構。可以理解地，在其他實施例中，焊盤結構12還包括第一結構、第二結構、第三結構及第四結構中的任意兩者；或者焊盤結構12還包括第一結構、第二結構、第三結構及第四結構中的任意三者。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖18，本申請的第十八實施例提出了一種顯示幕100，第十八實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同。不同之處在於：焊盤結構12包括第一結構、第二結構、第三結構及第四結構中的至少兩者，例如本實施例中，焊盤結構12包括第一結構、第二結構、第三結構及第四結構。承載板30具有相對的第一承載面31與第二承載面33(圖19中所示)，正極連接端32與負極連接端34均設於第一承載面31，第二承載面33的部分設於正極焊盤122，所述第二承載面33的部分設置在相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖19，本申請的第十九實施例提出了一種顯示幕100，第十九實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同。不同之處在於：第一承載面31的具有正極連接端32的部分設於正極焊盤122，第一承載面31的具有負極連接端34的部分設置在相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖20，本申請的第二十實施例提出了一種顯示幕100，第二十實施例中的顯示幕100與第一實施例中的顯示幕100的結構大致相同。不同之處在於：焊盤結構12包括第一結構、第二結構、第三結構及第四結構中的至少兩者，例如本實施例中，焊盤結構12包括第一結構、第二結構、第三結構及第四結構。承載板30設於相對應的紅光晶片22、綠光晶片24或藍光晶片26上。

上述的顯示幕100藉由設置一正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

請參見圖21，本申請的實施例提出了一種顯示裝置300，包括本體200及上述的顯示幕100，顯示幕100設於本體200上。

上述顯示裝置300中的正極焊盤122分別與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26電連接，相對於習知技術的三個正極焊盤122，本申請僅設置一個正極焊盤122的整體面積，本申請僅設置一個正極焊盤122，其面積更小，形成難度低，且正極焊盤122與紅光晶片22、綠光晶片24與藍光晶片26共同形成的結構的整體尺寸較小，從而使得基板10上圖元點的單位面積點密度值相對較大，進而提高LED顯示幕的解析度；並且，由於正極焊盤122的尺寸較大，其與每個晶片之間的綁定難度較小，從而使得綁定良率較高，有利於提高顯示幕的良率。

綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，舉凡熟悉本案技藝之人士，在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之如申請專利範圍內。

100:顯示幕

10:基板

12:焊盤結構

122:正極焊盤

124:負極焊盤

20:LED晶片

22:紅光晶片

24:綠光晶片

26:藍光晶片

30:承載板

32:正極連接端

34:負極連接端

36:第一金線

38:第二金線

Claims (9)

1. 一種顯示幕，其改良在於，包括：基板，所述基板的一表面形成有呈陣列狀排列的若干個焊盤結構，所述基板內集成設置有驅動電路，每個所述焊盤結構包括一正極焊盤及三個負極焊盤，所述驅動電路分別與所述正極焊盤與所述負極焊盤電連接，三個所述負極焊盤並排設置於所述正極焊盤的一側，且三個所述負極焊盤與所述正極焊盤的間距相同；複數LED晶片，分別與若干個所述焊盤結構一一對應設置，每個所述LED晶片包括對應設置於三個所述負極焊盤的紅光晶片、綠光晶片與藍光晶片；及複數承載板，分別與所述紅光晶片、所述綠光晶片與所述藍光晶片對應設置，每個所述承載板具有正極連接端與負極連接端，所述正極連接端電連接所述正極焊盤，所述負極連接端電連接相對應的所述紅光晶片、所述綠光晶片或所述藍光晶片。
2. 如請求項1所述之顯示幕，其中，若干個所述焊盤結構包括第一結構、第二結構、第三結構及第四結構中的至少一者，所述第一結構為複數所述負極焊盤分別設於所述正極焊盤X軸正方向的結構，所述第二結構為複數所述負極焊盤分別設於所述正極焊盤X軸負方向的結構，所述第三結構為複數所述負極焊盤分別設於所述正極焊盤Y軸正方向的結構，所述第四結構為複數所述負極焊盤分別設於所述正極焊盤Y軸負方向的結構。
3. 如請求項2所述之顯示幕，其中，所述承載板設置於相對應的所述紅光晶片、所述綠光晶片或所述藍光晶片上。
4. 如請求項2所述之顯示幕，其中，所述承載板設於所述正極焊盤及相對應的所述紅光晶片、所述綠光晶片或所述藍光晶片之間。
5. 如請求項2所述之顯示幕，其中，所述承載板具有相對的第一承載面與第二承載面，所述正極連接端與所述負極連接端均設於所述第一承載面， 所述第二承載面的部分設於所述正極焊盤，所述第二承載面的部分設置在相對應的所述紅光晶片、所述綠光晶片或所述藍光晶片上；或者，所述第一承載面的具有所述正極連接端的部分設於所述正極焊盤，所述第一承載面的具有負極連接端的部分設置在相對應的所述紅光晶片、所述綠光晶片或所述藍光晶片上。
6. 如請求項1所述之顯示幕，其中，所述正極連接端藉由第一金線電連接所述正極焊盤，所述負極連接端藉由第二金線電連接相對應的所述紅光晶片、所述綠光晶片或所述藍光晶片。
7. 如請求項1所述之顯示幕，其中，所述承載板為矽晶片。
8. 如請求項7所述之顯示幕，其中，所述基板為電路板。
9. 一種顯示裝置，其改良在於，包括：本體；及如請求項1-8任意一項所述的顯示幕，所述顯示幕設於所述本體上。

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