TWI626770B - 發光二極體裝置 - Google Patents

Abstract

一種發光二極體裝置，包括基板、複數金屬襯墊、複數發光二極體以及第一金屬導電線。複數金屬襯墊具有的複數第一金屬襯墊載設於基板之第一表面，且複數發光二極體適於設置在部分的第一金屬襯墊上。各發光二極體具有至少一第一電極接點。由第一金屬導線電性連接之各發光二極體晶片之至少一第一電極接點係具有相同的電極接點極性。此外，另一種發光二極體裝置亦被提出。

Description

發光二極體裝置

本發明是有關於一種光電裝置，且特別是有關於一種發光二極體裝置。

由於發光二極體技術的成熟，相關的製程良率已經有極為顯著的提升，且對應的成本價格也隨之下降，因此，連帶使得採用發光二極體的實體化產品，諸如發光二極體手電筒、裝設於汽/機車上的發光二極體燈具等，在我們日常周遭的生活環境中也開始具有相當高的能見度。

在這些採用發光二極體的實體化產品中，另一個具有顯著差異的，便是採用發光二極體的資訊看板。具體而言，這類採用發光二極體的資訊看板，在早期受限於製程良率、單位成本及發光效率等因素，其僅能用以顯示單色、單行資訊，且所使用之發光二極體的顆粒體積也相當大。反之，新一代採用發光二極體的資訊看板產品，則轉變成能用以顯示彩色、多行資訊，且具有微小發光二極體顆粒的態樣。

前述新一代採用發光二極體的資訊看板產品，其於用以顯示資訊的表面上係搭載有陣列排列的複數發光二極體裝置10。詳細而言，可一併參考第1圖，各發光二極體裝置10係由一基板20及三發光二極體晶片30所構成。

如第1圖所示，於基板20的上表面係設置有一第一焊線區21、一第二焊線區22、一第三焊線區23及一固晶區24，且三發光二極體晶片30係分別為藍光晶片31、綠光晶片32及紅光晶片33。其中，固晶區24係位處於基板20之中央，第一焊線區21係位處於固晶區24之一側，而第二焊線區22與第三焊線區23則係皆位處於固晶區24相對第一焊線區21之另一側。並且，需提醒的是，在此種發光二極體裝置10的電路設計上，第一焊線區21、第二焊線區22、第三焊線區23及固晶區24等區塊間皆相隔有一特定距離，以確保彼此不會電性導通。

因此，在將三發光二極體晶片30所具有之藍光晶片31、綠光晶片32及紅光晶片33依序設置於固晶區24的上部、下部及中央部後，由於所採用的藍光晶片31與綠光晶片32為水平式發光二極體晶片，而所採用的紅光晶片33為垂直式發光二極體晶片的緣故，就基板20之上表面的配置而言，位於上部的藍光晶片31將可藉由二第一金屬導線41而分別與第一焊線區21及第二焊線區22電性導通，位於下部的綠光晶片32將藉由二第二金屬導線42而分別與第一焊線區21及第三焊線區23電性導通，而位於中央部的紅光晶片33則僅需藉由單一第三金屬導線43與第一焊線區21電性導通，藉此便得以依據外部控制器所輸入之訊號控制藍光晶片31、綠光晶片32及紅光晶片33的作動。

然而，前述在基板20之上表面設置有三個焊線區（即：第一焊線區21、第二焊線區22、第三焊線區23）與一個固晶區（即：固晶區24）的電路設計，因為各焊線區與固晶區皆會存在有一最小面積的限制，且需於各區域之間保留一特定距離，以避免各區域間的電性導通，因而使得基板20的面積大小會被限制無法小於一特定尺寸。換言之，當採用此類發光二極體的資訊看板產品，被要求提高其解析度或縮小成品尺寸時，受限於該特定尺寸，將無法滿足相關需要。

有鑑於此，如何提供一種發光二極體裝置，使其所具有之基板的電路設計，需更加微小化的基板面積，從而提高其解析度或得以縮小成品尺寸，乃為此業界亟待解決的問題。

本發明提供多種發光二極體裝置，其尺寸小。

本發明的一發光二極體裝置包括基板、複數金屬襯墊、複數發光二極體晶片以及第一金屬導線。基板具有第一表面、與第一表面相對設置之第二表面以及設置於第一表面與第二表面間之複數貫穿孔。複數金屬襯墊係具有分別載設於基板之第一表面及第二表面的複數第一金屬襯墊及複數第二金屬襯墊。載設於第一表面之複數第一金屬襯墊與載設於第二表面之複數第二金屬襯墊經由複數貫穿孔電性連通。複數發光二極體晶片各具有至少一第一電極接點及至少一第二電極接點，且複數發光二極體晶片係設置於基板之第一表面的部分複數第一金屬襯墊上。第一金屬導線係用以與各發光二極體晶片之至少一第一電極接點彼此電性連接。第一金屬導線之一端部係電性連接於位於基板之第一表面且未設置有複數發光二極體晶片之複數第一金屬襯墊的其中之一。由第一金屬導線電性連接之各發光二極體晶片之至少一第一電極接點係具有相同的電極接點極性。

本發明的另一發光二極體裝置包括基板、複數金屬襯墊以及複數發光二極體晶片。基板具有第一表面、與第一表面相對設置之第二表面以及設置於第一表面與第二表面間的複數貫穿孔。複數金屬襯墊具有分別載設於第一表面及第二表面的複數第一金屬襯墊及複數第二金屬襯墊。載設於第一表面之第一金屬襯墊與載設於第二表面之第二金屬襯墊經由貫穿孔電性連通。每一發光二極體晶片具有至少一第一電極接點及至少一第二電極接點。發光二極體晶片設置於部分的第一金屬襯墊上。發光二極體晶片的第二電極接點分別與部分的第一金屬襯墊電性連接。發光二極體晶片的第一電極接點電性連接於另一個第一金屬襯墊上。其中，至少有一個發光二極體晶片為覆晶式晶片。覆晶式晶片橫跨載有覆晶式晶片的第一金屬襯墊與所述另一個第一金屬襯墊之間的間隙，以使覆晶式晶片的第一電極接點與所述另一個第一金屬襯墊電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的基板可以是一矩形基板，複數第一金屬襯墊係可以為四第一金屬襯墊，且使四第一金屬襯墊分別排列設置於矩形基板之四周角。

在本發明的一實施例中，上述的複數發光二極體晶片之至少其中之一係為垂直式晶片。

在本發明的一實施例中，上述的複數發光二極體晶片係包括一藍光晶片、一綠光晶片以及一紅光晶片。

在本發明的一實施例中，上述的藍光晶片係具有一第一電極接點與一第二電極接點，第一電極接點與第二電極接點係為共平面，且載設有藍光晶片之第一金屬襯墊具有一第一焊線區，一第二金屬導線係用以使藍光晶片之第二電極接點與第一金屬襯墊之第一焊線區電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的綠光晶片係具有一第一電極接點與一第二電極接點，第一電極接點與第二電極接點係為共平面，且載設有綠光晶片之第一金屬襯墊具有一第二焊線區，一第三金屬導線係用以使綠光晶片之第二電極接點與第一金屬襯墊之第二焊線區電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的藍光晶片及綠光晶片分別具有一第一電極接點與一第二電極接點，各第一電極接點與各第二電極接點係為共平面，且載設有藍光晶片與綠光晶片之各第一金屬襯墊分別具有一第一焊線區及一第二焊線區，一第二金屬導線係用以使藍光晶片之第二電極接點與載設有藍光晶片之第一金屬襯墊的第一焊線區電性連接，且一第三金屬導線係用以使綠光晶片之第二電極接點與載設有綠光晶片之第一金屬襯墊的第二焊線區電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的矩形基板係具有一面積A，且面積A滿足以下關係式：A≦。

在本發明的一實施例中，上述的矩形基板係具有一面積A，且面積A滿足以下關係式：≦A≦。

在本發明的一實施例中，上述的矩形基板係具有一面積A，且面積A滿足以下關係式：≦A≦。

在本發明的一實施例中，上述的複數發光二極體晶片透過載設於基板之第二表面之複數第二金屬襯墊與外部電性連接，其中複數發光二極體晶片的電流大小可獨立控制。

在本發明的一實施例中，上述的複數第一金屬襯墊為五個第一金屬襯墊，其中四個第一金屬襯墊分別設置於基板的四處，剩餘的一個第一金屬襯墊上未設置有任何發光二極體晶片，複數發光二極體晶片為二個第一顏色晶片、一個第二顏色晶片以及一個第三顏色晶片，二個第一顏色晶片、一個第二顏色晶片以及一個第三顏色晶片分別設置於四個第一金屬襯墊上，發光顏色相同的二個第一顏色晶片的中心連成一條第一虛擬直線，發光顏色相異的第二顏色晶片以及第三顏色晶片的中心連成一條第二虛擬直線，而第一虛擬直線與第二虛擬直線交錯。

在本發明的一實施例中，上述的基板為矩形基板，四個第一金屬襯墊分別設置於矩形基板的四周角，而所述另一個第一金屬襯墊位於所述四個第一金屬襯墊的中間。

在本發明的一實施例中，上述的二個第一顏色晶片為二個紅光晶片，第二顏色晶片為一個綠光晶片、而第三顏色晶片為一個藍光晶片。

在本發明的一實施例中，上述的發光二極體晶片皆為垂直式晶片，每一垂直式晶片具有一第一電極接點、一第一半導體層、一發光層、一第二半導體層、以及與對應之一第一金屬襯墊電性連接的一第二電極接點。第一電極接點、第一半導體層、發光層、第二半導體層、第二電極接點以及對應的第一金屬襯墊沿著一直線方向依序排列。

在本發明的一實施例中，上述的複數第一金屬襯墊為五個第一金屬襯墊，其中四個第一金屬襯墊為所述部份的第一金屬襯墊且分別設置於基板的四處，剩餘的一個第一金屬襯墊為所述另一第一金屬襯墊。複數發光二極體晶片為二個第一顏色晶片、一個第二顏色晶片以及一個第三顏色晶片。二個第一顏色晶片、一個第二顏色晶片以及一個第三顏色晶片分別設置於所述四個第一金屬襯墊上。發光顏色相同的二個第一顏色晶片的中心連成一條第一虛擬直線。發光顏色相異的第二顏色晶片以及第三顏色晶片的中心連成一條第二虛擬直線。第一虛擬直線與第二虛擬直線交錯。

在本發明的一實施例中，上述的基板為一矩形基板。四個第一金屬襯墊分別設置於矩形基板的四周角，而所述另一個第一金屬襯墊位於所述四個第一金屬襯墊的中間。

在本發明的一實施例中，上述的二個第一顏色晶片為紅光晶片，第二顏色晶片為綠光晶片、第三顏色晶片為藍光晶片，其中紅光晶片為垂直式晶片，而綠光晶片以及藍色晶片為覆晶式晶片。

在本發明的一實施例中，上述的第一顏色晶片、第二顏色晶片以及第三顏色晶片皆為覆晶式晶片。

在本發明的一實施例中，上述的發光二極體裝置更包括異方向性導電膠。覆晶式晶片的第一電極接點透過異方向性導電膠電性連接至所述另一個第一金屬襯墊，且所述覆晶式晶片的第二電極接點透過異方向性導電膠電性連接至對應的一個第一金屬襯墊。

基於上述，本發明一實施例之發光二極體裝置利用同一第一金屬導線電性連接複數發光二極體晶片的第一電極接點，以縮減發光二極體裝置的尺寸。

此外，本發明另一實施例之發光二極體裝置包括至少一個覆晶式發光二極體晶片，覆晶式發光二極體晶片橫跨相鄰二個第一金屬襯墊之間的間隙，且覆晶式發光二極體晶片的第一、二電極接點分別與所述相鄰二個第一金屬襯墊電性連接。藉此，至少有一覆晶式發光二極體晶片不需使用額外的導線電性連接至對應的第一金屬襯墊，而使發光二極體裝置的尺寸得以進一步縮減。

在一實施例中，此些發光二極體晶片設置於第一表面上，並對應地與此些第一金屬襯墊電性連接。

在一實施例中，一第一金屬襯墊設置於基板之中央，而其餘此些第一金屬襯墊設置於基板的邊緣。

在一實施例中，覆晶式晶片橫跨一第一金屬襯墊與另一第一金屬襯墊之間的間隙。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

如圖2所示，本發明一實施例之發光二極體裝置100可使用於一資訊看板，其可包含一基板200、複數金屬襯墊300、複數發光二極體晶片400及一第一金屬導線510等元件。

請同時參考圖2及圖3，基板200具有一第一表面210、與第一表面210相對設置之一第二表面220以及設置於第一表面210與第二表面220間之複數貫穿孔230。複數金屬襯墊300則係具有分別載設於基板200之第一表面210及第二表面220的複數第一金屬襯墊310及複數第二金屬襯墊320，其中，載設於第一表面210之複數第一金屬襯墊310與載設於第二表面220之複數第二金屬襯墊320適可經由複數貫穿孔230而彼此電性連通。

每一發光二極體晶片400具有至少一第一電極接點及至少一第二電極接點，且複數發光二極體晶片400係設置在位於第一表面210上的部分第一金屬襯墊310上。在圖2、圖3的實施例中，複數發光二極體晶片400的至少一個係採用垂直式發光二極體晶片，而除此之外的其他發光二極體晶片400則是採用水平式發光二極體晶，但本發明不限於此。

第一金屬導線510係用以與複數發光二極體晶片400之至少一第一電極接點彼此電性連接，使第一金屬導線510之一端部510a係電性連接於位於基板200之第一表面210且未設置有任何發光二極體晶片400之複數第一金屬襯墊310的其中之一。換言之，第一金屬導線510可與第一表面210上設置有第一金屬襯墊310的區域電性連接，且由第一金屬導線510電性連接之每一發光二極體晶片400的至少一第一電極接點係具有相同的電極接點極性。

需額外說明的是，本發明一實施例之複數發光二極體晶片400可透過載設於基板200之第二表面220上的複數第二金屬襯墊320與外部環境或控制器進行電性連接，且複數發光二極體晶片400的電流大小皆可獨立控制，以因應不同的顯示需求。

詳細而言，於本發明之一較佳實施例中，發光二極體裝置100的基板200係為一矩形基板，複數第一金屬襯墊310係為四個第一金屬襯墊310，且四個第一金屬襯墊310分別排列設置於基板200的四周角。此外，複數發光二極體晶片400係包括一藍光晶片410、一綠光晶片420及一紅光晶片430，且使藍光晶片410、綠光晶片420為水平式發光二極體晶片，而紅光晶片430係為垂直式發光二極體晶片。

承前所述，於本實施例中，發光二極體裝置100所具有之藍光晶片410係具有一第一電極接點412與一第二電極接點414，而綠光晶片420係相應地具有一第一電極接點422與一第二電極接點424。在本實施例中，藍光晶片410與綠光晶片420皆採用水平式發光二極體晶片，藍光晶片410之第一電極接點412、第二電極接點414實質上係為共平面，且綠光晶片420之第一電極接點422、第二電極接點424亦實質上為共平面。

另一方面，紅光晶片430係採用垂直式發光二極體晶片，當紅光晶片430設置於基板200之第一表面210的第一金屬襯墊310時，如圖2所示，僅會顯露出一第一電極接點432。

用以載設有藍光晶片410與綠光晶片420之二個第一金屬襯墊310分別具有一第一焊線區312及一第二焊線區314；亦即，第一焊線區312係對應隸屬於載設有藍光晶片410的第一金屬襯墊310，而第二焊線區314係對應隸屬於載設有綠光晶片420的第一金屬襯墊310。

如此一來，透過前述之設置，一第二金屬導線520便可用以使藍光晶片410上之第二電極接點414與載設有藍光晶片410之第一金屬襯墊310上的第一焊線區312電性連接，而一第三金屬導線530便可用以使綠光晶片420之第二電極接點424與載設有綠光晶片420之第一金屬襯墊310上的第二焊線區314電性連接。

綜上所述，於前述本發明之發光二極體裝置100之一較佳實施例中，如圖2所示，透過將基板200限定為一矩形基板，以及將複數發光二極體晶片400限定為三發光二極體晶片400，並使其分別為一藍光晶片410、一綠光晶片420及一紅光晶片430後，當設置四個第一金屬襯墊310分別排列於基板200之四周角，同時將藍光晶片410、綠光晶片420分別載設於右上角、左下角之二第一金屬襯墊310以及將紅光晶片430載設於右下角之第一金屬襯墊310後，便可透過單一條的第一金屬導線510，依右上、右下、左下之順序，依序電性連接藍光晶片410之第一電極接點412、紅光晶片430之第一電極接點432及綠光晶片420之第一電極接點422，而使第一金屬導線510的端部最終結束於左上角的第一金屬襯墊310後，達到使藍光晶片410之第一電極接點412、紅光晶片430之第一電極接點432及綠光晶片420之第一電極接點422係具有相同電極接點極性（即：皆為正極或皆為負極）之效果。

此際，因載設於第一表面210之第一金屬襯墊310可經由貫穿孔230與載設於第二表面220之第二金屬襯墊320彼此電性連通，使當所採用之藍光晶片410為水平式發光二極體晶片時，在有藍光晶片410的第一金屬襯墊310上設有第一焊線區312，並利用第二金屬導線520使藍光晶片410的第二電極接點414與第一焊線區312電性連接，從而使第二電極接點414電性連通至第二表面220之第二金屬襯墊320，便得以完成導通藍光晶片410之第一電極接點412與第二電極接點414之目的。基於相同理由，當所採用之綠光晶片420為水平式發光二極體晶片時，在有綠光晶片420的第一金屬襯墊310上設有第二焊線區314，並利用第三金屬導線530使綠光晶片420的第二電極接點424與第二焊線區314電性連接，從而使第二電極接點424電性連通至第二表面220之另一第二金屬襯墊320，便得以完成導通綠光晶片420之第一電極接點422與第二電極接點424之目的。紅光晶片430因為是垂直式發光二極體晶片，故相對於第一電極接點432之一第二電極接點（圖未示出），原本就與設置於第二表面220之又一第二金屬襯墊320處於一電性連接狀態，而無須另外進行導通作業。

於本領域具通常知識者亦可輕易推知，本發明之發光二極體裝置100除具有上述態樣外，亦可進行其他變化。

舉例而言，可於具有藍光晶片410的第一金屬襯墊310上設置第一焊線區312，並利用第二金屬導線520達到使藍光晶片410上之第二電極接點414與第一焊線區312電性連接，而不進一步限定綠光晶片420之第二電極接點424的電性連接方式，也無損於透過單一條的第一金屬導線510達到使藍光晶片410之第一電極接點412、紅光晶片430之第一電極接點432及綠光晶片420之第一電極接點422具有相同電極接點極性之效果。

又或者，亦可於具有綠光晶片420之第一金屬襯墊310上設置第二焊線區314，並利用第三金屬導線530達到使綠光晶片420之第二電極接點424與第二焊線區314電性連接之功效，而不去進一步限定藍光晶片410之第二電極接點414的電性連接方式，同樣也無損於透過單一條的第一金屬導線510，達到使藍光晶片410之第一電極接點412、紅光晶片430之第一電極接點432及綠光晶片420之第一電極接點422具有相同電極接點極性之效果。

並且，除本發明之較佳實施例所例示，利用單一第一金屬導線510，依右上、右下、左下之順序，依序電性連接藍光晶片410之第一電極接點412、紅光晶片430之第一電極接點432及綠光晶片420之第一電極接點422之方式外，亦可存在將藍光晶片410、紅光晶片430及綠光晶片420以右下、左下、左上等順時針方式之變化，依序設置於基板200之四周角進行配置。又或者，將藍光晶片410、紅光晶片430及綠光晶片420以左上、左下、右下等逆時針方式之變化，依序設置於基板200之四周角進行配置，也皆可視為本發明之其他實施態樣。

承上所述，本發明一實施例之發光二極體裝置100的基板200適可具有一面積A，且面積A滿足以下關係式：A≦。而於一實施例中，面積A係滿足：≦A≦之關係式。並且，於上述之較佳實施例中，面積A係滿足：≦A≦之關係式。

圖4為本發明另一實施例之發光二極體裝置的上視示意圖。圖5為根據圖4之剖線a-a’、b-b’、c-c’、d-d’、e-e’所繪的發光二極體裝置的剖面示意圖。請參照圖4及圖5，發光二極體裝置600包括基板610、複數金屬襯墊620R、620B、620R、620G、620C、複數發光二極體晶片630R、630B、630R、630G以及第一金屬導線640（繪示於圖4）。基板610具有第一表面610a、與第一表面610a相對設置之第二表面610b（標示於圖5）以及設置於第一表面610a與第二表面610b間之複數貫穿孔610c（繪示於圖5）。詳言之，如圖5所示，本實施例的基板610包括具有多個貫孔610e的絕緣基底610d。每一貫孔610e貫穿第一、二表面610a、610b。一導電材料填入絕緣基底610d的多個貫孔610e，進而形成複數貫穿孔610c。

如圖4所示，複數金屬襯墊620R、620B、620R、620G、620C彼此隔開。如圖5所示，複數金屬襯墊620R、620B、620R、620G、620C具有載設於第一表面610a的複數第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1、620C1與載設於第二表面610b的複數第二金屬襯墊620R2、620B2、620R2、620G2、620C2。每一金屬襯墊620R、620B、620R、620G、620C的第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1、620C1透過對應的一個貫穿孔610c與對應的一個第二金屬襯墊620R2、620B2、620R2、620G2、620C2電性連通。在本實施例中，金屬襯墊620R、620B、620R、620G、620C的材質例如為銅，但本發明不限於此，在其他實施例中，金屬襯墊620R、620B、620R、620G、620C的材質亦可為其他適當材料。

如圖4及圖5所示，每一發光二極體晶片630R、630B、630R、630G具有至少一第一電極接點632及至少一第二電極接點639（繪示於圖5）。發光二極體晶片630R、630B、630R、630G分別設置於部分的第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1上。與圖2及圖3之實施例不同的是，如圖5所示，在本實施例中，每一發光二極體晶片630R、630B、630R、630G可選擇性地皆為垂直式晶片。詳言之，每一發光二極體晶片630R、630B、630R、630G具有第一電極接點632、第一半導體層634、發光層636、第二半導體層638以及與對應一個第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1電性連接的一個第二電極接點639。同一個發光二極體晶片630R、630B、630R、630G的第一電極接點632、第一半導體層634、發光層636、第二半導體層638、第二電極接點639以及對應的一個第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1沿著一直線方向d1依序排列。直線方向d1例如為與第一表面610a之法線方向相反的方向。每一發光二極體晶片630R、630B、630R、630G的第二電極接點639可利用一導電膠G（例如：銀膠）固定並電性連接至對應的一個第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1。需說明的是，本發明並不限制所有的發光二極體晶片630R、630B、630R、630G必須皆為垂直式晶片，發光二極體裝置所採用之發光二極體晶片的型式可依實際的需求而定。

如圖4所示，第一金屬導線640用以與每一發光二極體晶片630R、630B、630R、630G的第一電極接點632電性連接。換言之，第一金屬導線640的主體串接起所有發光二極體晶片630R、630B、630R、630G的第一電極接點632，而使所有發光二極體晶片630R、630B、630R、630G的第一電極接點632具有相同的電位。第一金屬導線640的一端部640a電性連接至其上未設置有任何發光二極體晶片第一金屬襯墊620C1。

如圖4及圖5所示，在本實施例中，第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1、620C1彼此分離，第二金屬襯墊620R2、620B2、620R2、620G2、620C2彼此分離，第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1、620C1分別與第二金屬襯墊620R2、620B2、620R2、620G2、620C2電性連通。外部可透過第二金屬襯墊620R2、620B2、620R2、620G2將驅動訊號傳遞至發光二極體晶片630R、630B、630R、630G的第二電極接點639，並透過第二金屬襯墊620C2將相同的共用訊號傳遞至發光二極體晶片630R、630B、630R、630G的第一電極接點632，進而使發光二極體晶片630R、630B、630R、630G的電流大小可獨立控制。

如圖4所示，在本實施例中，多個第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1、620C1為五個第一金屬襯墊，其中四個第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1分別設置於基板610的四處，剩餘的一個第一金屬襯墊610C上未設置有任何發光二極體晶片。發光二極體晶片630R、630B、630R、630G包括二個第一顏色晶片（例如：二個發光二極體晶片630R）、一個第二顏色晶片（例如：發光二極體晶片630G）以及一個第三顏色晶片（例如：發光二極體晶片630B）。發光二極體晶片630R、630B、630R、630G分別設置於四個第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1上。發光顏色相同的二個發光二極體晶片630R的中心連成一條第一虛擬直線。發光顏色相異的發光二極體晶片630B、630G的中心連成一條第二虛擬直線。第一虛擬直線與第二虛擬直線交錯。更進一步地說，任意相鄰二個發光二極體晶片630R、630B（630R、630G）的中心之間的距離可相等。換言之，任意三個發光二極體晶片630R、630B、630G（630R、630R、630B；或630R、630R、630G）的中心可連接成一等腰直角三角形，但本發明不以此為限。

更進一步地說，在本實施例中，基板610可選擇為矩形基板。四個第一金屬襯墊620R1、620R1、620G1、620B1可分別設置於基板610的四周角，而未設置有任何發光二極體晶片的第一金屬襯墊620C1可位於四個第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1的中間。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，亦可根據實際需求將基板610設計為其他形狀，並以其他適當方式將第一金屬襯墊620R1、620B1、620R1、620G1、620C1設置在基板610上。

在本實施例中，二個發光二極體晶片630R例如為二個紅光晶片，發光二極體晶片630G例如為綠光晶片、而發光二極體晶片630B例如為藍光晶片，但本發明不限於此，在其他實施例中，發光二極體晶片630R、630B、630R、630G的發光顏色亦可為其他類型的顏色排列組合。值得一提的是，在圖4的實施例中，發光二極體晶片630R、630B、630R、630G皆為垂直式發光二極體晶片，垂直式發光二極體晶片的尺寸比水平式發光二極體晶片的尺寸小，因此，圖4之發光二極體裝置600的尺寸能夠較圖2之發光二極體裝置100的尺寸更進一步縮減。

若將多個發光二極體裝置600陣列排列於一驅動電路板（未繪示）上，則所述驅動電路板與多個發光二極體裝置600可構成一顯示器（例如：資訊看板）。每一發光二極體裝置600至少利用『同一條第一金屬導線640電性連接複數發光二極體晶片630R、630B、630R、630G的第一電極接點632』的方式可實現小尺寸的發光二極體裝置，進而使所述顯示器具有高解析度。更進一步地說，當多個發光二極體裝置600排成一陣列時，相鄰二個發光二極體裝置600中最接近的二個發光二極體晶片中心之間的距離等於同一發光二極體裝置600內相鄰二個發光二極體晶片中心之間的距離。舉例而言，當多個發光二極體裝置600排成一陣列時，第一、二發光二極體裝置600相鄰，第一發光二極體裝置600位於右側，第二發光二極體裝置600位於左側；此時，第一發光二極體裝置600左上角之發光二極體晶片630R的中心與第二發光二極體裝置600右上角之發光二極體晶片630G的中心之間的距離可等於第一發光二極體裝置600左上角之發光二極體晶片630R的中心與第一發光二極體裝置600右上角之發光二極體晶片630G的中心之間的距離，但本發明不以此為限。

此外，上述包括驅動電路板以及陣列排列之多個發光二極體裝置600的顯示器可選擇性地採用『虛擬像素』的概念，以提高使用者實際感受到的解析度。舉例而言，當多個發光二極體裝置600排成一陣列時，第一、二發光二極體裝置600相鄰，第一發光二極體裝置600位於右側，第二發光二極體裝置600位於左側；此時，第一發光二極體裝置600本身的四個發光二極體晶片630R、630B、630R、630G可形成一實體像素，而搭配上適當的驅動方式，第一發光二極體裝置600左上角與左下角之發光二極體晶片630R、630B和第二發光二極體裝置600右上角與右下角之發光二極體晶片630G、630R可構成一虛擬像素，從而使用者實際感受到的解析度可提高。

需說明的是，本發明並不限制發光二極體裝置600必需包括四個發光二極體晶片630R、630B、630R、630G，發光二極體裝置600包括的複數發光二極體晶片的數量及其發光顏色均可視實際需求而定。舉例而言，在其他實施例中，發光二極體裝置600亦可省略其中一個發光二極體晶片630R的設置，而所述發光二極體裝置亦在本發明所欲保護的範疇內。再者，本發明亦不限制發光二極體裝置600僅能應用在具備『虛擬像素』概念的顯示器中，本發明的發光二極體裝置亦能應用在一般的顯示器中。

圖6為本發明又一實施例之發光二極體裝置的上視示意圖。圖7為根據圖6之剖線a-a’、b-b’、c-c’、d-d’、e-e’所繪的發光二極體裝置的剖面示意圖。請參照圖6及圖7，發光二極體裝置700包括基板710、複數金屬襯墊720R、720B、720R、720G、720C以及複數發光二極體晶片730R、730B、730R、730G。基板710具有第一表面710a、與第一表面710a相對設置之第二表面710b（標示於圖7）以及設置於第一表面710a與第二表面710b間之複數貫穿孔710c（繪示於圖7）。詳言之，如圖7所示，在本實施例中，基板710包括具有多個貫孔710e的絕緣基底710d。每一貫孔710e貫穿第一、二表面710a、710b。一導電材料填入絕緣基底710d的多個貫孔710e，進而形成複數貫穿孔710c。

如圖6及圖7所示，複數金屬襯墊720R、720B、720R、720G、720C彼此隔開。如圖7所示，複數金屬襯墊720R、720B、720R、720G、720C具有載設於第一表面710a的複數第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1、720C1與載設於第二表面710b的複數第二金屬襯墊720R2、720B2、720R2、720G2、720C2。每一金屬襯墊720R、720B、720R、720G、720C的第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1、720C1透過對應的一個貫穿孔710c與對應的一個第二金屬襯墊720R2、720B2、720R2、720G2、720C2電性連通。在本實施例中，金屬襯墊720R、720B、720R、720G、720C的材質例如為銅，但本發明不限於此，在其他實施例中，金屬襯墊720R、720B、720R、720G、720C的材質亦可為其他適當材料。

如圖6及圖7所示，每一發光二極體晶片730R、730B、730R、730G具有至少一第一電極接點732及至少一第二電極接點734（繪示於圖7）。發光二極體晶片730R、730B、730R、730G分別設置於部分的第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1上。如圖7所示，發光二極體晶片730R、730B、730R、730G的第二電極接點734分別與部分的第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1電性連接。另一方面，如圖6及圖7所示，發光二極體晶片730R、730B、730R、730G的第一電極接點732電性連接於部分第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1之外的另一個第一金屬襯墊720C1。

如圖6及圖7所示，在發光二極體裝置700的發光二極體晶片730R、730B、730R、730G中，至少有一個發光二極體晶片（例如：發光二極體晶片730B、730G）為覆晶式（flip chip）晶片。每一覆晶式晶片（例如：發光二極體晶片730B、730G）包括第一半導體層736、第二半導體層738、位於第一半導體層736與第二半導體層738之間的發光層739、第一電極接點732以及第二電極接點734，其中第一電極接點732以及第二電極接點734位於發光層739的同一側且面向基板710之第一表面710a。在本實施例中，可有二個發光二極體晶片730B、730G為覆晶式晶片，而其餘的發光二極體晶片730R可為垂直式晶片。垂直式的每一發光二極體晶片730R具有沿著一直線方向d2依序排列之第一電極接點732、第一半導體層736、發光層739、第二半導體層738以及第二電極接點734，其中直線方向d2例如為與第一表面710a之法線方向相反的方向。需說明的是，本發明並不限制發光二極體裝置必需包括二個覆晶式晶片以及二個垂直式晶片；在其他實施例中，亦可有大於或等於一個且非二個的發光二極體晶片為覆晶式晶片，而其餘發光二極體晶片可依實際需求選用覆晶式晶片或非覆晶式晶片（例如：水平式晶片、垂直式晶片等）。

如圖7所示，在本實施例中，覆晶式發光二極體晶片730B、730G的第一電極接點732可透過導電膠ACF與第一金屬襯墊720C1電性連接，而覆晶式發光二極體晶片730B、730G的第二電極接點734可透過導電膠ACF與對應的第一金屬襯墊720B1、720G1電性連接。在本實施例中，導電膠ACF可為異方向性導電膠，以避免每一覆晶式發光二極體晶片730B、730G的第一、二電極接點732、734短路。然而，本發明不限於此，若製程能力許可，在其他實施例中，每一覆晶式發光二極體晶片730B（730G）的第一、二電極接點732、734亦利用彼此分開的二個普通導電膠（例如：銀膠）分別與對應的二個第一金屬襯墊720C1、720B1（720C1、720G1）電性連接。

如圖7所示，在本實施例中，每一垂直式發光二極體晶片730R的第二電極接點734可透過導電膠G電性連接至對應的一個第一金屬襯墊720R1上。導電膠G可為普通導電膠（例如：銀膠）或異方向性導電膠，本發明並不特別限制導電膠G的種類。如圖6所示，每一垂直式發光二極體晶片730R的第一電極接點732可透過對應的一條導線742電性連接至第一金屬襯墊720C1。

如圖6及圖7所示，在本實施例中，第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1、720C1彼此分離，第二金屬襯墊720R2、720B2、720R2、720G2、720C2彼此分離，第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1、720C1分別與第二金屬襯墊720R2、720B2、720R2、720G2、720C2電性連通。外部可透過第二金屬襯墊720R2、720B2、720R2、720G2將驅動訊號傳遞至發光二極體晶片730R、730B、730R、730G的第二電極接點734，並透過第二金屬襯墊720C2將相同的共用訊號傳遞至發光二極體晶片730R、730B、730R、730G的第一電極接點732，進而使發光二極體晶片730R、730B、730R、730G的電流大小可獨立控制。

如圖6所示，在本實施例中，複數第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1、720C1為五個第一金屬襯墊，其中四個第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1分別設置於基板710的四處，剩餘的一個第一金屬襯墊710C的正上方未設有任何完整的發光二極體晶片。發光二極體晶片730R、730B、730R、730G包括二個第一顏色晶片（例如：二個發光二極體晶片730R）、一個第二顏色晶片（例如：發光二極體晶片730G）以及一個第三顏色晶片（例如：發光二極體晶片730B）。二個發光二極體晶片730R、發光二極體晶片730G以及發光二極體晶片730B分別設置在四個第一金屬襯墊720R1、720R1、720G1、720B1上。發光顏色相同的二個發光二極體晶片730R的中心連成一條第一虛擬直線。發光顏色相異的發光二極體晶片730G、730B的中心連成一條第二虛擬直線。第一虛擬直線與第二虛擬直線交錯。更進一步地說，任意相鄰二個發光二極體晶片730R、730B（730R、730G）的中心之間的距離可相等。換言之，任意三個發光二極體晶片730R、730B、730G（730R、730R、730B；或730R、730R、730G）的中心可連接成一等腰直角三角形，但本發明不以此為限。

更進一步地說，在本實施例中，基板710可選擇性地為矩形基板。四個第一金屬襯墊720R1、720R1、720G1、720B1可分別設置於基板710的四周角，而第一金屬襯墊720C1可位於四個第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1的中間。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，亦可根據實際需求將基板710設計為其他形狀，並以其他適當方式將第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1、710C1設置在基板710上。

在本實施例中，二個發光二極體晶片730R例如為二個紅光晶片，發光二極體晶片730G例如為綠光晶片、而發光二極體晶片730B例如為藍光晶片，但本發明不限於此，在其他實施例中，發光二極體晶片730R、730B、730R、730G的發光顏色亦可為其他類型的顏色排列組合。值得注意的是，如圖6及圖7所示，至少一覆晶式晶片（例如：發光二極體晶片730G、730B）橫跨載有覆晶式晶片的第一金屬襯墊720G1、720B1與第一金屬襯墊720C1之間的間隙g1、g2，以使覆晶式晶片（例如：發光二極體晶片730G、730B）的第一電極接點732與第一金屬襯墊720C1電性連接。藉此，至少一有一發光二極體晶片730B（730G）不需使用額外導線來電性連接至對應第一金屬襯墊720C1、720B1（720C1、720G1），從而發光二極體裝置700可具有相當小的尺寸。

更進一步地說，若將多個發光二極體裝置700陣列排列於一驅動電路板（未繪示）上，則所述驅動電路與多個發光二極體裝置700可構成一顯示器（例如：資訊看板）。每一發光二極體裝置700利用『至少一覆晶式晶片（例如：發光二極體晶片730G、730B）橫跨載有覆晶式晶片的第一金屬襯墊720G1、720B1與另一第一金屬襯墊720C1之間的間隙g1、g2』的方式可實現小尺寸的發光二極體裝置700，進而使所述顯示器具有高解析度。更進一步地說，當多個發光二極體裝置700排成一陣列時，相鄰二個發光二極體裝置700中最接近的二個發光二極體晶片中心之間的距離等於同一發光二極體裝置700內相鄰二個發光二極體晶片中心之間的距離。舉例而言，當多個發光二極體裝置700排成一陣列時，第一、二發光二極體裝置700相鄰，第一發光二極體裝置700位於右側，第二發光二極體裝置700位於左側；此時，第一發光二極體裝置700左上角之發光二極體晶片730R的中心與第二發光二極體裝置700右上角之發光二極體晶片730G的中心之間的距離可等於第一發光二極體裝置700左上角之發光二極體晶片730R的中心與第一發光二極體裝置700右上角之發光二極體晶片730G的中心之間的距離，但本發明不以此為限。

此外，上述包括驅動電路板以及陣列排列之多個發光二極體裝置700的顯示器可選擇性地採用『虛擬像素』的概念，以提高使用者實際感受到的解析度。舉例而言，當多個發光二極體裝置700排成一陣列時，第一、二發光二極體裝置700相鄰，第一發光二極體裝置700位於右側，第二發光二極體裝置700位於左側；此時，第一發光二極體裝置700本身的四個發光二極體晶片730R、730B、730R、730G可形成一實體像素，而搭配上適當的驅動方式，第一發光二極體裝置700左上角與左下角之發光二極體晶片730R、730B和第二發光二極體裝置700右上角與右下角之發光二極體晶片730G、730R可構成一虛擬像素，從而使用者實際感受到的解析度可提高。

此外，需說明的是，本發明並不限制發光二極體裝置700必需包括四個發光二極體晶片730R、730B、730R、730G，發光二極體裝置700包括的複數發光二極體晶片的數量及其發光顏色均可視實際需求而定。舉例而言，在其他實施例中，發光二極體裝置700亦可省略其中一個發光二極體晶片730R的設置，而所述發光二極體裝置亦在本發明所欲保護的範疇內。再者，本發明亦不限制發光二極體裝置700僅能應用在具備『虛擬像素』概念的顯示器中，本發明的發光二極體裝置亦能應用在一般的顯示器中。

圖8本發明再一實施例之發光二極體裝置的上視示意圖。圖9根據圖8之剖線a-a’、b-b’、c-c’、d-d’、e-e’所繪的發光二極體裝置的剖面示意圖。圖8的發光二極體裝置700’與圖6的發光二極體裝置700類似，因此相同或相對應的元件以相同或相對應的標號表示。圖8的發光二極體裝置700’與圖6的發光二極體裝置700的主要差異在於：發光二極體裝置700’的發光二極體晶片730R’的型式與發光二極體裝置700的發光二極體晶片730R的型式不同，而發光二極體裝置700’可省略發光二極體裝置700之導線742的設置，以下就此差異處做說明二者相同處便不再重述。

請參照圖8及圖9，發光二極體裝置700’包括基板710、複數金屬襯墊720R、720B、720R、720G、720C以及複數發光二極體晶片730R’730B、730R’、730G。基板710具有第一表面710a、與第一表面710a相對設置之第二表面710b以及設置於第一表面710a與第二表面710b間的複數貫穿孔710c。複數金屬襯墊720R、720B、720R、720G、720C具有分別載設於第一表面710a及第二表面710b的複數第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1、720C1及複數第二金屬襯墊720R2、720B2、720R2、720G2、720C2。載設於第一表面710a之第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1、720C1及與載設於第二表面710b之第二金屬襯墊720R2、720B2、720R2、720G2、720C2經由貫穿孔710c電性連通。每一發光二極體晶片730R、730B、730R、730G具有至少一第一電極接點732及至少一第二電極接點734。發光二極體晶片730R、730B、730R、730G分別設置於部分的第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1上。發光二極體晶片730R、730B、730R、730G的第二電極接點734分別與部分的第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1電性連接。發光二極體晶片730R、730B、730R、730G的第一電極接點732電性連接於部分第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1之外的另一第一金屬襯墊720C1上。

與圖6及圖7之實施例不同的是，在圖8及圖9的實施例中，除了發光二極體晶片730G、730B之外，發光二極體晶片730R’亦為覆晶式晶片，用以將發光二極體晶片730R’之第一、二電極接點732、734連接到第一金屬襯墊720R1、720C1的導電膠ACF可選用異方向性導電膠。簡言之，在圖8及圖9的實施例中，所有發光二極體晶片730R’730B、730R’、730G可皆為覆晶式晶片。發光二極體晶片730R’、730B、730R’、730G橫跨載有覆晶式晶片的第一金屬襯墊720R1、720B1、720R1、720G1與另一第一金屬襯墊720C1之間的間隙g1、g2、g3，以使發光二極體晶片730R’、730B、730R’、730G的第一電極接點732與第一金屬襯墊720C1電性連接。發光二極體裝置700’具有與發光二極體裝置700類似的功效及優點，於此便不再重述。此外，類似地，省略發光二極體裝置700’其中一個發光二極體晶片730R’的發光二極體裝置亦在本發明所欲保護的範疇內，且發光二極體裝置700’亦能應用在具備或不具備『虛擬像素』概念的顯示器中，本領域具有通常知識者根據前述說明應可實現之，於此便不再次詳加闡述。

綜上所述，本發明一實施例之發光二極體裝置利用同一條第一金屬導線電性連接複數發光二極體的第一電極接點，以縮減發光二極體裝置的尺寸。

此外，本發明另一實施例之發光二極體裝置包括至少一個覆晶式發光二極體晶片，覆晶式發光二極體晶片橫跨相鄰二個第一金屬襯墊之間的間隙，且覆晶式發光二極體晶片的第一、二電極接點分別與所述相鄰二個第一金屬襯墊電性連接。藉此，至少有一覆晶式發光二極體晶片不需使用額外的導線電性連接至對應的第一金屬襯墊，而使發光二極體裝置的尺寸得以進一步縮減。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧發光二極體裝置
20‧‧‧基板
21‧‧‧第一焊線區
22‧‧‧第二焊線區
23‧‧‧第三焊線區
24‧‧‧固晶區
30‧‧‧發光二極體晶片
31‧‧‧藍光晶片
32‧‧‧綠光晶片
33‧‧‧紅光晶片
41‧‧‧第一金屬導線
42‧‧‧第二金屬導線
43‧‧‧第三金屬導線
100‧‧‧發光二極體裝置
200‧‧‧基板
210‧‧‧第一表面
220‧‧‧第二表面
230‧‧‧貫穿孔
300‧‧‧金屬襯墊
310‧‧‧第一金屬襯墊
312‧‧‧第一焊線區
314‧‧‧第二焊線區
320‧‧‧第二金屬襯墊
400‧‧‧發光二極體晶片
410‧‧‧藍光晶片
412‧‧‧第一電極接點
414‧‧‧第二電極接點
420‧‧‧綠光晶片
422‧‧‧第一電極接點
424‧‧‧第二電極接點
430‧‧‧紅光晶片
432‧‧‧第一電極接點
510‧‧‧第一金屬導線
510a‧‧‧端部
520‧‧‧第二金屬導線
530‧‧‧第三金屬導線
600‧‧‧發光二極體裝置
610‧‧‧基板
610a‧‧‧第一表面
610b‧‧‧第二表面
610c‧‧‧貫穿孔
610d‧‧‧絕緣基底
610e‧‧‧貫孔
620R、620G、620B、620C‧‧‧金屬襯墊
620R1、620G1、620B1、620C1‧‧‧第一金屬襯墊
620R2、620G2、620B2、620C2‧‧‧第二金屬襯墊
630R、630G、630B‧‧‧發光二極體晶片
632‧‧‧第一電極接點
634‧‧‧第一半導體層
636‧‧‧發光層
638‧‧‧第二半導體層
639‧‧‧第二電極接點
640‧‧‧第一金屬導線
640a‧‧‧端部
700、700’‧‧‧發光二極體裝置
710‧‧‧基板
710a‧‧‧第一表面
710b‧‧‧第二表面
710c‧‧‧貫穿孔
710d‧‧‧絕緣基底
710e‧‧‧貫孔
720R、720G、720B、720C‧‧‧金屬襯墊
720R1、720G1、720B1、720C1‧‧‧第一金屬襯墊
720R2、720G2、720B2、720C2‧‧‧第二金屬襯墊
730R、730R’、730G、730B‧‧‧發光二極體晶片
732‧‧‧第一電極接點
734‧‧‧第二電極接點
736‧‧‧第一半導體層
738‧‧‧第二半導體層
739‧‧‧發光層
742‧‧‧導線
a-a’、b-b’、c-c’、d-d’、e-e’‧‧‧剖線
d1、d2‧‧‧直線方向
G、ACF‧‧‧導電膠
g1、g2、g3‧‧‧間隙

圖1為先前技術之發光二極體裝置的上視示意圖。 圖2為本發明一實施例之發光二極體裝置的上視示意圖。 圖3為本發明一實施例之發光二極體裝置的側視示意圖。 圖4為本發明另一實施例之發光二極體裝置的上視示意圖。 圖5為根據圖4之剖線a-a’、b-b’、c-c’、d-d’、e-e’所繪的發光二極體裝置的剖面示意圖。 圖6為本發明又一實施例之發光二極體裝置的上視示意圖。 圖7為根據圖6之剖線a-a’、b-b’、c-c’、d-d’、e-e’所繪的發光二極體裝置的剖面示意圖。 圖8本發明再一實施例之發光二極體裝置的上視示意圖。 圖9根據圖8之剖線a-a’、b-b’、c-c’、d-d’、e-e’所繪的發光二極體裝置的剖面示意圖。

Claims (9)

1. 一種發光二極體裝置，包括：一基板，具有一第一表面、與該第一表面相對設置之一第二表面以及設置於該第一表面與該第二表面間的複數貫穿孔；複數金屬襯墊，具有分別載設於該第一表面及該第二表面的複數第一金屬襯墊及複數第二金屬襯墊，且載設於該第一表面之該些第一金屬襯墊與載設於該第二表面之該些第二金屬襯墊經由該些貫穿孔電性連通；以及複數發光二極體晶片，設置於該第一表面上，並對應地與該些第一金屬襯墊電性連接，每一發光二極體晶片具有至少一第一電極接點及至少一第二電極接點，該些發光二極體晶片的第二電極接點分別與一部分的該些第一金屬襯墊電性連接，該些發光二極體晶片的第一電極接點電性連接於該部分的該些第一金屬襯墊之外的另一第一金屬襯墊；其中至少有一該發光二極體晶片為一覆晶式晶片，該覆晶式晶片橫跨一該第一金屬襯墊與另一該第一金屬襯墊之間的間隙；其中該些第一金屬襯墊包括五個第一金屬襯墊，其中四個第一金屬襯墊為一部份的該些第一金屬襯墊且分別排列設置於該基板的四處，剩餘的一個第一金屬襯墊為該另一第一金屬襯墊；其中該些發光二極體晶片包括二個第一顏色晶片、一個第二顏色晶片及一個第三顏色晶片，發光顏色相同的該二個第一顏色晶片連成一第一虛擬直線，發光顏色相異的該第二顏色晶片以及 該第三顏色晶片連成一第二虛擬直線，而該第一虛擬直線與該第二虛擬直線交錯。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置，其中該基板為一矩形基板，該四個第一金屬襯墊分別設置於該矩形基板的四周角，而該另一第一金屬襯墊位於該四個第一金屬襯墊的中間。
3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置，其中該一第一金屬襯墊設置於該基板之中央，而其餘該些第一金屬襯墊設置於該基板的邊緣。
4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置，其中該二個第一顏色晶片為二紅光晶片，該第二顏色晶片為一綠光晶片、而該第三顏色晶片為一藍光晶片。
5. 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體裝置，其中該二紅光晶片為一垂直式晶片，而該綠光晶片以及該藍色晶片為兩該覆晶式晶片。
6. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置，其中該些第一顏色晶片、該第二顏色晶片以及該第三顏色晶片皆為該覆晶式晶片。
7. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置，更包括一異方向性導電膠，該覆晶式晶片的一第一電極接點透過該異方向性導電膠電性連接至該另一第一金屬襯墊，且該覆晶式晶片的 一第二電極接點透過該異方向性導電膠電性連接至對應的一該第一金屬襯墊。
8. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置，其中該些發光二極體晶片透過載設於該基板之該第二表面的該些第二金屬襯墊與外部電性連接。
9. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置，其中該些發光二極體晶片的電流大小可獨立控制。