TWI859695B - 積層型濾波器 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種積層型濾波器，其具備：藉由積層複數個絕緣體層而形成之坯體；第一電感器及第二電感器；以及配置於第一電感器與第二電感器之間且接地之壁部；其中，至少第二電感器係捲繞軸於與積層複數個絕緣體層之積層方向正交之方向上延伸之縱捲繞電感器，於壁部形成有於第一電感器與第二電感器對向之對向方向上貫通之貫通部，於積層方向上，貫通部之大小比相當於一層之絕緣體層之大小大。
Description
本發明係關於一種積層型濾波器。
作為與先前之積層型濾波器有關之技術，已知有日本專利特開2010-41141號公報中記載之技術。該積層型濾波器具備一個電感器與另一個電感器，藉由除去兩者之間之接地圖案而設置開口，從而調整特性。
然，於積層型濾波器中，為了獲得高頻帶內插入特性，有時採用縱捲繞之電感器。縱捲繞之電感器以捲繞軸於與積層方向正交之方向上延伸之方式配置。縱捲繞之電感器容易與相鄰之其他電感器發生電磁耦合，各種特性有可能會降低。另一方面，於電感器之間設置有接地之壁部等之情形時，可能會妨礙縱捲繞電感器之磁通。如上所述，要求解決該等各種問題以提高積層型濾波器之性能。
本發明係為了解決上述技術問題而完成者，其目的在於提供一種能夠提高性能之積層濾波器。
本發明之一態樣之積層型濾波器具備：藉由積層複數個絕緣體層而形成之坯體；第一電感器及第二電感器；以及配置於第一電感器與第二電感器之間且接地之壁部；其中，至少第二電感器係捲繞軸於與積層複數個絕緣體層之積層方向正交之方向上延伸之縱捲繞電感器，於壁部形成有於第一電感器與第二電感器對向之對向方向上貫通之貫通部，於積層方向上，貫通部之大小比相當於一層之絕緣體層之大小大。
於該積層型濾波器中，至少第二電感器係捲繞軸於與積層複數個絕緣體層之積層方向正交之方向上延伸之縱捲繞電感器。積層型濾波器藉由使用此種縱捲繞線圈，能夠獲得高頻帶內插入損耗特性。又，積層型濾波器具備配置於第一電感器與第二電感器之間且接地之壁部。因此，能夠抑制第一電感器與第二電感器之間之電磁耦合。於此，於壁部形成有於第一電感器與第二電感器對向之對向方向上貫通之貫通部。又，於積層方向上，貫通部之大小比相當於一層之絕緣體層之大小大。由於壁部具有較大之貫通部，故能夠使縱捲繞電感器即第二電感器之磁通從貫通部通過。因此，能夠抑制第二電感器之磁通被妨礙，且能夠改善Q值。藉此，能夠提高積層型濾波器之性能。
本發明中，可為：於坯體之積層方向上之一側形成有端子電極，壁部具有比貫通部靠近積層方向上之一側之第一部分及比貫通部靠近積層方向上之另一側之第二部分，於積層方向上，第一部分比第二部分大。由於在坯體之積層方向上之一側形成有端子電極，故存在很多電極。因此，藉由增大壁部之積層方向之一側之第一部分，能夠抑制於壁部之一側與另一側之電極彼此之間產生雜散電容。
本發明中，可為：第一電感器與第二電感器係互不相同之頻帶。於該情形時，壁部能夠抑制不同頻帶之電感器彼此之耦合。
本發明中，可為：第一電感器及第二電感器中之一者為高頻帶之電感器，另一者為中頻帶之電感器。於該情形時，能夠抑制所謂之多工器中之技術問題即隔離特性之降低。
本發明中，可為：於坯體之積層方向上之一側形成有端子電極，壁部具有比貫通部更靠近積層方向上之另一側之第二部分，第二電感器具有配置於積層方向上之另一側之配線部，從對向方向觀察時，配線部與第二部分重疊。於該情形時，能夠抑制第二電感器之配線部與第一電感器之間之電磁耦合。
[發明之效果]
根據本發明，可提供一種能夠提高性能之積層濾波器。
以下，參照圖式對本發明之一態樣之積層型濾波器之較佳實施方式進行詳細說明。
首先，使用圖1～圖6說明本實施方式之積層型濾波器1(電子零件)之結構。
圖1係表示一實施方式之積層型濾波器1之立體圖。作為積層型濾波器1，例如，可例示多工器。如圖1所示，積層型濾波器1具有坯體2與端子電極3、4、6(端子)。
坯體2呈長方體形狀。坯體2具有如下之外表面：相互對向之一對側面2a、2b；以連結一對側面2a、2b之間之方式延伸且相互對向之一對主面2c、2d；以及以連結一對主面2c、2d之間之方式延伸且相互對向之一對側面2e、2f。例如，於將積層型濾波器1安裝於未圖示之其他電子機器(例如，電路基板或電子零件等)時，將主面2d規定為與其他電子機器對向之面。
各個側面2a、2b之對向方向、各個主面2c、2d之對向方向、各個側面2e、2f之對向方向相互大致正交。再者，長方體形狀包括角部及稜線部被倒角之長方體之形狀、以及角部及稜線部被倒圓之長方體之形狀。有時對積層型濾波器1設定XYZ座標來進行說明。X軸方向係側面2e、2f之對向方向。Y軸方向係側面2a、2b之對向方向。Z軸方向係主面2c、2d之對向方向。側面2e配置於X軸方向之正側，側面2f配置於X軸方向之負側。側面2a配置於Y軸方向之正側，側面2b配置於Y軸方向之負側。主面2c配置於Z軸方向之正側，主面2d配置於Z軸方向之負側。
如圖4所示，坯體2例如藉由積層複數個絕緣體層7而構成。各個絕緣體層7沿Z軸方向積層。即，各個絕緣體層7之積層方向與坯體2之各個主面2c、2d之對向方向一致。以下，有時亦將各個主面2c、2d之對向方向稱為「積層方向」。各個絕緣體層7呈大致矩形形狀。於實際之坯體2中，各個絕緣體層7被一體化至不能辨別其層間之邊界(圖中用雙點鏈線表示)之程度。每一層之絕緣體層7與燒成前之一片量之陶瓷坯片對應。
各個絕緣體層7例如由含有介電材料(BaTiO
3系材料、Ba(Ti,Zr)O
3系材料、(Ba,Ca)TiO
3系材料、玻璃材料或氧化鋁材料等)之陶瓷坯片之燒結體構成。
如圖1所示，端子電極3、4、6分別配置於Z軸方向之負側(積層方向之一側)之主面2d。端子電極3配置於主面2d中之Y軸方向之負側及X軸方向之負側之角部附近。端子電極4配置於主面2d中之相對於端子電極3於X軸方向之正側相鄰之位置。端子電極6配置於主面2d中之相對於端子電極3於Y軸方向之正側相鄰之位置。端子電極3、4、6中，端子電極3為輸出端子，端子電極4、6為接地端子(Grounding terminal)。
端子電極3、4、6中之每一個(以下，有時簡稱為電極)包含導電材料(例如，Ag或Pd等)。電極由包含導電性材料(例如，Ag粉末或Pd粉末等)之導電性膏之燒結體構成。於電極之表面形成有鍍層。鍍層例如藉由電鍍而形成。鍍層具有如下結構：由鍍Cu層、鍍Ni層及鍍Sn層構成之層結構；或者，由鍍Ni層及鍍Sn層構成之層結構；等等。
圖2及圖3係表示圖1所示之坯體2之內部結構之立體圖。於圖2及圖3中省略了坯體2。圖4係沿著圖2之IV-IV線之放大剖視圖。再者，於圖4中示出坯體2，沒有省略。如圖2及圖3所示，積層型濾波器1具備第一電感器11、第二電感器12、壁部13以及連接結構14。再者，於圖2及圖3中省略了其他導體。
第一電感器11係平捲繞之電感器。平捲繞之電感器係捲繞軸CL1與Z軸方向(積層方向)平行地延伸之電感器。第一電感器11係藉由將導體部圍繞捲繞軸CL1以大致矩形環狀捲繞而構成。具體而言，第一電感器11具有邊部11A、11B、11C、11D、11E。邊部11A相對於捲繞軸C1於X軸方向之負側之位置沿Y軸方向延伸。邊部11B相對於捲繞軸C1於Y軸方向之正側之位置從邊部11A之端部向X軸方向之正側延伸。邊部11C相對於捲繞軸C1於X軸方向之正側從邊部11B之端部向Y軸方向之負側延伸。邊部11D相對於捲繞軸C1於Y軸方向之負側之位置從邊部11C之端部向X軸方向之負側延伸。邊部11F相對於捲繞軸C1於X軸方向之負側從邊部11D之端部向Y軸方向之正側延伸。
邊部11A、11B、11C由形成於相同絕緣體層7(參照圖4)上之導體圖案18構成。邊部11D、11E由形成於比導體圖案18靠近Z軸方向之正側之絕緣體層7之導體圖案19構成。導體圖案18於邊部11C之Y軸方向之負側之端部經由通孔導體與導體圖案19之邊部11D之X軸方向之正側之端部連接。第一電感器11具有於Z軸方向上對向之相同形狀之一對導體圖案18與相同形狀之一對導體圖案19。一對導體圖案18彼此於兩端部經由通孔導體電性連接。一對導體圖案19彼此於兩端部經由通孔導體電性連接。
第一電感器11於邊部11A之Y軸方向之負側之端部經由柱部16與連接結構14電性連接。第一電感器11於邊部11E之Y軸方向之正側之端部經由柱部17與連接結構14電性連接。柱部16、17從第一電感器11之端部向Z軸方向之負側延伸。柱部16、17係藉由將貫通各個絕緣體層7(參照圖4)之通孔導體於Z軸方向上連續地連接而構成。
第二電感器12係縱捲繞之電感器。縱捲繞之電感器係捲繞軸CL2於與Z軸方向(積層方向)正交之方向上延伸之電感器。於本實施方式中，捲繞軸CL2與X軸方向平行地延伸。第二電感器12係藉由圍繞捲繞軸CL2將導體部捲繞成門型而構成。具體而言，第二電感器12具備配線部20與柱部21、22。再者，對於縱捲繞電感器之匝數沒有特別之限定，亦可設為兩周以上。
配線部20相對於捲繞軸CL2於Z軸方向之正側之位置沿Y軸方向延伸。配線部20由形成於絕緣體層7(參照圖4)上之導體圖案23構成。配線部20具有於Z軸方向上對向之相同形狀之一對導體圖案23。一對導體圖案23彼此於兩端部經由通孔導體電性連接。
柱部21相對於捲繞軸CL2於Y軸方向之負側之位置沿Z軸方向延伸。柱部21將配線部20之Y軸方向之負側之端部與連接結構14電性連接。柱部21係從配線部20之Y軸方向之負側之端部朝向Z軸方向之負側延伸之零件。柱部22相對於捲繞軸CL2於Y軸方向之正側之位置沿Z軸方向延伸。柱部22將配線部20之Y軸方向之正側之端部與連接結構14電性連接。柱部22係從配線部20之Y軸方向之正側之端部朝向Z軸方向之負側延伸之零件。
於此，第一電感器11與第二電感器12係互不相同之頻帶。於本實施方式中，第一電感器11及第二電感器中之一者為高頻帶之電感器，另一者為中頻帶之電感器。高頻帶之電感器係與5150～7125 MHz之頻帶對應之電感器。中頻帶之電感器係與2400～2500 MHz之頻帶對應之電感器。再者，於本實施方式中，第一電感器11為中頻帶之電感器，第二電感器12為高頻帶之電感器，但是對其沒有特別之限定。又，第一電感器11及第二電感器12亦可為相同頻帶之電感器。
壁部13係配置於第一電感器11與第二電感器12之間且接地之零件。壁部13將第一電感器11與第二電感器12對向之X軸方向設為厚度方向，與YZ平面平行地擴展。壁部13具備柱部26、27與壁板零件28。
柱部26於壁部13之Y軸方向之負側之端部沿Z軸方向延伸。柱部26於Z軸方向之負側之端部與連接結構14電性連接。柱部27於壁部13之Y軸方向之正側之端部沿Z軸方向延伸。柱部27於Z軸方向之負側之端部與連接結構14電性連接。
壁板零件28於柱部26與柱部27之間沿Y軸方向延伸。壁板零件28由形成於絕緣體層7(參照圖4)上之導體圖案29構成。壁板零件28具有於Z軸方向上對向之相同形狀之複數個導體圖案29。複數個導體圖案29彼此於兩端部經由柱部26、27電性連接。
於壁部13形成有於第一電感器11與第二電感器12對向之對向方向即X軸方向上貫通之貫通部30。貫通部30係藉由於壁板零件28中之Z軸方向之一部分區域省略導體圖案29而形成。壁部13具有：比貫通部30靠近Z軸方向(積層方向)上之負側(一側)之第一部分31；以及比貫通部30靠近Z軸方向(積層方向)上之正側(另一側)之第二部分32。於Z軸方向上，第一部分31比第二部分大。
貫通部30之Z軸方向上之緣部相當於第一部分31中之Z軸方向之最正側之導體圖案29與第二部分32中之Z軸方向之最負側之導體圖案29。貫通部30之Y軸方向上之緣部相當於柱部26與柱部27。
連接結構14係用於將第一電感器11、第二電感器12及壁部13電性連接於端子電極3、4、6之結構。又，連接結構14亦為形成複數個電容器之結構。連接結構14具有複數個板狀之內部電極。與第一電感器11連接之柱部16之下端部與內部電極41直接連接。於內部電極41之Z軸方向之負側設置有內部電極42A。於內部電極41之Z軸方向之正側設置有內部電極42B。內部電極42A藉由通孔導體與端子電極3直接連接。內部電極42B藉由通孔導體與內部電極42A直接連接。
與第一電感器11連接之柱部17之下端部與內部電極43A直接連接。於內部電極43A之Z軸方向之負側設置有內部電極43B。內部電極43B藉由通孔導體與內部電極43A及端子電極6直接連接。於內部電極41、42B之間設置有內部電極45A。又，於內部電極43A、43B之間設置有內部電極45B。內部電極45B藉由通孔導體與內部電極45A直接連接。又，內部電極43B與從壁部13之Z軸方向之負側起第三個導體圖案29成為一體。又，內部電極43C從壁部13之Z軸方向之負側起第一個導體圖案29延伸。內部電極43C藉由通孔導體與端子電極4直接連接。
第二電感器12之柱部21之下端部與內部電極44A直接連接。內部電極44A相對於內部電極43C於Z軸方向之正側相對。第二電感器12之柱部22之下端部與內部電極44B直接連接。內部電極44B相對於內部電極44A於Z軸方向之正側相對。
其次，參照圖4～圖6更詳細地說明第一電感器11、第二電感器12及壁部13之位置關係。圖5係從X軸方向觀察壁部13之概略圖。圖6係從Z軸方向之正側觀察第一電感器11、第二電感器12及壁部13之俯視圖。
如圖4所示，壁部13之壁板零件28由設置於每個絕緣體層7上之導體圖案29構成。因此，導體圖案29彼此於Z軸方向上相隔，形成有間隙。但是，由於積層型濾波器1係處理高頻之零件，故對第一電感器11及第二電感器12而言，壁板零件28係將兩者電磁性地切斷之結構。
與之相對，於Z軸方向上，貫通部30之大小比相當於一層之絕緣體層7之大小大。如圖5所示，貫通部30之Z軸方向之大小L1比第一電感器11之大小及第二電感器12之配線部20之大小大。從X軸方向觀察時，貫通部30被設定成與第二電感器12之捲繞軸CL2重疊之位置與大小。雖然沒有特別之限定，貫通部30之Z軸方向之大小L1可被設定為0.1～0.5 mm之程度。
從X軸方向觀察時，第二電感器12之配線部20與壁部13之第二部分32重疊。從X軸方向觀察時，第二電感器12之配線部20之整個區域與壁部13之第二部分32重疊。又，從X軸方向觀察時，第一電感器11與壁部13之第二部分32重疊。從X軸方向觀察時，第一電感器11之整個區域與壁部13之第二部分32重疊。第二電感器12之柱部21配置於比壁部13之Y軸方向之負側之端部更靠近正側之位置。從X軸方向觀察時，第二電感器12之柱部21配置於與壁部13之柱部26重疊之位置。從X軸方向觀察時，第二電感器12之柱部22配置於壁部13之中央位置附近。
如圖6所示，第一電感器11之邊部11C配置於在X軸方向之負側與壁部13相隔之位置。第二電感器12之配線部20配置於在X軸方向之正側與壁部13相隔之位置。第一電感器11之邊部11C配置於比第二電感器12之配線部20更靠近壁部13之位置。
其次，對本實施方式之積層型濾波器1之作用、效果進行說明。
於該積層型濾波器1中，至少第二電感器12係捲繞軸CL2於與積層複數個絕緣體層7之積層方向正交之方向上延伸之縱捲繞電感器。積層型濾波器1藉由使用此種縱捲繞線圈，能夠獲得高頻帶內插入損耗特性。又，積層型濾波器1具備配置於第一電感器11與第二電感器12之間且接地之壁部13。因此，能夠抑制第一電感器11與第二電感器12之間之電磁耦合。於此，於壁部13形成有於第一電感器11與第二電感器12對向之對向方向上貫通之貫通部30。又，於積層方向上，貫通部30之大小比相當於一層之絕緣體層7之大小大。由於壁部13具有較大之貫通部30，故能夠使縱捲繞電感器即第二電感器12之磁通從貫通部30通過。因此，能夠抑制第二電感器12之磁通被妨礙，且能夠改善Q值。藉此，能夠提高積層型濾波器1之性能。
於坯體2之積層方向上之一側形成有端子電極3、4、6，壁部13具有比貫通部30靠近積層方向上之一側之第一部分31以及比貫通部30靠近積層方向上之另一側之第二部分32。於積層方向上，第一部分31可比第二部分32大。由於於坯體2之積層方向上之一側形成有端子電極3、4、6，故存在很多電極。因此，藉由增大壁部13之積層方向之一側之第一部分31，能夠抑制於壁部13之一側與另一側之電極彼此之間產生雜散電容。
第一電感器11與第二電感器12可為互不相同之頻帶。於該情形時，壁部13能夠抑制不同頻帶之電感器彼此之耦合。
本發明中，可為，第一電感器11及第二電感器12中之一者為高頻帶之電感器而另一者為中頻帶之電感器。於該情形時，能夠抑制所謂之多工器中之技術問題即隔離特性之降低。
於坯體2之積層方向上之一側形成有端子電極3、4、6，壁部13具有比貫通部30靠近積層方向上之另一側之第二部分32，第二電感器12具有配置於積層方向上之另一側之配線部20，從對向方向觀察時，配線部20可與第二部分32重疊。於該情形時，能夠抑制第二電感器12之配線部20與第一電感器11之間之電磁耦合。
其次，參照圖7～圖12對實施例與比較例進行說明。作為比較例1，如圖7所示，準備了不具有壁部之積層型濾波器。作為比較例2，如圖8所示，準備了具有未形成開口部之壁部113之積層型濾波器。再者，比較例1、2之壁部以外之結構與實施例相同。準備了圖2所示之積層型濾波器作為實施例。將測定該等積層型濾波器之特性之結果於圖9～圖12中表示。圖9(a)表示比較例1之測定結果，圖9(b)表示比較例2之測定結果，圖9(c)表示實施例之測定結果。再者，圖9～圖11之縱軸為分貝(dB)，橫軸為頻率(GHz)。圖9表示「S31」之衰減(Attenuation)特性，圖10表示「S41」之衰減特性。於圖9(a)及圖10(a)之比較例1中被虛線包圍之部分形成有峰，如圖9(b)、圖9(c)及圖10(b)、圖10之(c)所示，於具有壁部之比較例2及實施例中未形成峰。又，圖11表示「S43」之隔離(Isolation)特性。如圖11(a)、圖11(b)、圖11(c)所示，相對於比較例1，於具有壁部之比較例2及實施例中，2400～2500 MHz及5150～7125 MHz之隔離特性得到了改善。圖12表示插入損耗特性之模擬結果。如圖12所示，插入損耗特性最好的是比較例1，但是，如上所述，比較例1之隔離特性差。比較例2中，雖然藉由設置壁部使得隔離特性得到改善，但是，其插入損耗特性呈現劣化。與之相對，於實施例中，不僅能夠使隔離特性得到改善，還能夠抑制插入損耗特性之劣化。
本發明不限於上述之實施方式。
例如，於上述實施方式中，將一個電感器設為平捲繞電感器，將另一個電感器設為縱捲繞電感器，但是，亦可顛倒兩者之配置。又，亦可將兩者都設為縱捲繞電感器。又，對於電感器之數量沒有限定，亦可設置三個以上之電感器。於該情形時，可於各個電感器之間設置壁部。
1:積層型濾波器
2:坯體
2a,2b:一對側面
2c,2d:一對主面
2e,2f:一對側面
3:端子電極
4:端子電極
6:端子電極
7:絕緣體層
11:第一電感器
11A:邊部
11B:邊部
11C:邊部
11D:邊部
11E:邊部
12:第二電感器
13:壁部
14:連接結構
16:柱部
17:柱部
18:導體圖案
19:導體圖案
20:配線部
21:柱部
22:柱部
23:導體圖案
26:柱部
27:柱部
28:壁板零件
29:導體圖案
30:貫通部
31:第一部分
32:第二部分
41:內部電極
42A:內部電極
42B:內部電極
43A:內部電極
43B:內部電極
43C:內部電極
44A:內部電極
44B:內部電極
45A:內部電極
45B:內部電極
113:壁部
CL1:捲繞軸
CL2:捲繞軸
L1:貫通部之Z軸方向之大小
X:方向
Y:方向
Z:方向
圖1係表示一實施方式之積層型濾波器之立體圖。
圖2係表示圖1所示之坯體之內部結構之立體圖。
圖3係表示圖1所示之坯體之內部結構之立體圖。
圖4係沿著圖2之IV-IV線之放大剖視圖。
圖5係從X軸方向觀察壁部之概略圖。
圖6係從Z軸方向之正側觀察第一電感器、第二電感器及壁部之俯視圖。
圖7係表示比較例之積層型濾波器之內部結構之立體圖。
圖8係表示比較例之積層型濾波器之內部結構之立體圖。
圖9(a)表示比較例1之測定結果，圖9(b)表示比較例2之測定結果，圖9(c)表示實施例之測定結果。
圖10(a)表示比較例1之測定結果，圖10(b)表示比較例2之測定結果，圖10(c)表示實施例之測定結果。
圖11(a)表示比較例1之測定結果，圖11(b)表示比較例2之測定結果，圖11(c)表示實施例之測定結果。
圖12表示比較例1、比較例2及實施例之模擬結果。
1:積層型濾波器
3:端子電極
4:端子電極
6:端子電極
11:第一電感器
11A:邊部
11B:邊部
11C:邊部
11D:邊部
11E:邊部
12:第二電感器
13:壁部
14:連接結構
16:柱部
17:柱部
18:導體圖案
19:導體圖案
20:配線部
21:柱部
22:柱部
23:導體圖案
26:柱部
27:柱部
28:壁板零件
29:導體圖案
30:貫通部
31:第一部分
32:第二部分
41:內部電極
42A:內部電極
42B:內部電極
43A:內部電極
43B:內部電極
43C:內部電極
44A:內部電極
44B:內部電極
45A:內部電極
45B:內部電極
CL1:捲繞軸
CL2:捲繞軸
X:方向
Y:方向
Z:方向
Claims (9)
- 一種積層型濾波器，其具備：藉由積層複數個絕緣體層而形成之坯體；第一電感器及第二電感器；以及配置於上述第一電感器與上述第二電感器之間且接地之壁部；至少上述第二電感器係捲繞軸於與積層複數個上述絕緣體層之積層方向正交之方向上延伸之縱捲繞電感器，於上述壁部形成有於上述第一電感器與上述第二電感器對向之對向方向上貫通之貫通部，於上述積層方向上，上述貫通部之大小比相當於一層之上述絕緣體層之大小大。
- 如請求項1之積層型濾波器，其中於上述坯體之上述積層方向上之一側形成有端子電極，上述壁部具有比上述貫通部靠近上述積層方向上之一側之第一部分及比上述貫通部靠近上述積層方向上之另一側之第二部分，於上述積層方向上，上述第一部分比上述第二部分大。
- 如請求項1之積層型濾波器，其中上述第一電感器與上述第二電感器係互不相同之頻帶。
- 如請求項2之積層型濾波器，其中上述第一電感器與上述第二電感器 係互不相同之頻帶。
- 如請求項1之積層型濾波器，其中上述第一電感器及上述第二電感器中之一者為高頻帶之電感器，另一者為中頻帶之電感器。
- 如請求項2之積層型濾波器，其中上述第一電感器及上述第二電感器中之一者為高頻帶之電感器，另一者為中頻帶之電感器。
- 如請求項3之積層型濾波器，其中上述第一電感器及上述第二電感器中之一者為高頻帶之電感器，另一者為中頻帶之電感器。
- 如請求項4之積層型濾波器，其中上述第一電感器及上述第二電感器中之一者為高頻帶之電感器，另一者為中頻帶之電感器。
- 如請求項1至8中任一項之積層型濾波器，其中於上述坯體之上述積層方向上之一側形成有端子電極，上述壁部具有比上述貫通部靠近上述積層方向上之另一側之第二部分，上述第二電感器具有配置於上述積層方向上之另一側之配線部，從上述對向方向觀察時，上述配線部與上述第二部分重疊。
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