TWI858111B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明旨在提供一種可在將複數之基板整批處理之批次式的基板處理裝置中抑制圖案崩塌的技術。本發明所揭示之基板處理裝置具備液處理槽、疏水化氣體供給部。液處理槽，儲存處理液，並將複數之基板浸漬於處理液，藉以將複數之基板進行液處理。疏水化氣體供給部，將疏水化劑之氣體供給至液處理後之複數之基板。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明關於基板處理裝置及基板處理方法。

使基板乾燥之乾燥處理，會有形成在基板的表面之電路圖案（以下僅稱作「圖案」）因液體的表面張力而崩塌之疑慮。於是，吾人提案於乾燥處理之前將基板的表面加以疏水化之技術。依據此技術，則因為利用將基板的表面加以疏水化，而使表面張力不易作用於圖案，所以可抑制圖案崩塌。

專利文獻1揭示一種技術，在將基板逐枚處理之枚葉式基板處理裝置之中，將疏水化處理液供給至基板的表面，而使基板的表面疏水化。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2014-197638號公報

[發明所欲解決之問題]

本發明提供一種在將複數之基板整批處理之批次式的基板處理裝置中，抑制圖案崩塌的技術。 [解決問題之方式]

本發明一態樣之基板處理裝置具備液處理槽、疏水化氣體供給部。液處理槽，儲存處理液，並將複數之基板浸漬於處理液，藉以將複數之基板進行液處理。疏水化氣體供給部，將疏水化劑之氣體供給至液處理後之複數之基板。 [發明之效果]

依據本發明，可在將複數之基板整批處理之批次式基板處理裝置之中，抑制圖案崩塌。

[實施發明之較佳形態]

以下，參照圖式詳細說明用以將依本發明之基板處理裝置及基板處理方法加以實施之形態（以下記載為「實施形態」）。此外，依本發明之基板處理裝置及基板處理方法不因此實施形態而受限定。又，各實施形態，可於不使處理內容矛盾之範圍下合宜組合。又，以下各實施形態之中，針對同一部位標註同一符號，省略重複說明。

又，以下顯示之實施形態之中，會有使用「固定」、「正交」、「垂直」、或者「平行」之類的表現之情形，但此等表現無須嚴密限定為「固定」、「正交」、「垂直」、或者「平行」。亦即，上述各表現係定為容許例如製造精度、設置精度等的偏差。

又，以下參照之各圖式之中，為了使說明容易理解，會有顯示規定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將Z軸正方向定為鉛直往上方向之正交座標系之情形。

（第一實施形態） ＜基板處理裝置的構成＞ 首先，參照圖1說明第一實施形態之基板處理裝置的構成。圖1係第一實施形態之基板處理裝置1的俯視圖。

如圖1所示，第一實施形態之基板處理裝置1，具備載具搬入搬出部2、批量形成部3、批量載置部4、批量搬運部5、批量處理部6、控制部7。

載具搬入搬出部2，具備載具台20、載具搬運機構21、載具積存區22、23、載具載置台24。

載具台20載置從外部搬運來的複數之載具9。載具9係將複數（例如25片）之晶圓W以水平態勢上下排列而收容之容器。載具搬運機構21，在載具台20、載具積存區22、23及載具載置台24間進行載具9之搬運。

從載置在載具載置台24之載具9起，將處理前之複數之晶圓W藉由後述基板搬運機構30搬出至批量處理部6。又，從批量處理部6藉由基板搬運機構30將已處理之複數之晶圓W搬入至載置在載具載置台24之載具9。

批量形成部3，具有基板搬運機構30，並形成批量。批量係將由一或複數之載具9所收容之晶圓W加以組合而同時處理之複數（例如50片）之晶圓W所構成。形成為一批量之複數之晶圓W，係於使彼此的板面相向之狀態下空出固定間隔而排列。

基板搬運機構30於載置在載具載置台24之載具9與批量載置部4之間搬運複數之晶圓W。

批量載置部4，具有批量搬運台40，且暫時載置（待機）藉由批量搬運部5而在批量形成部3與批量處理部6之間搬運之批量。批量搬運台40，具有：搬入側批量載置台41，載置已利用批量形成部3形成之處理前之批量；以及搬出側批量載置台42，載置已利用批量處理部6處理之批量。在搬入側批量載置台41及搬出側批量載置台42，以豎起態勢前後排列載置一批量份之複數之晶圓W。

批量搬運部5，具有批量搬運機構50，在批量載置部4與批量處理部6之間、或批量處理部6的內部進行批量的搬運。批量搬運機構50具備軌道51、移動體52、基板固持體53。

軌道51，橫跨批量載置部4及批量處理部6，而沿著X軸方向配置。移動體52，構成為可一邊固持複數之晶圓W、並一邊沿著軌道51移動。基板固持體53，設在移動體52，固持以豎起態勢而前後排列之複數之晶圓W。

批量處理部6，針對1批量份之複數之晶圓W，整批進行蝕刻處理、清洗處理、乾燥處理等。在批量處理部6，沿著軌道51排列設置二台蝕刻處理裝置60、清洗處理裝置70、基板固持體清洗處理裝置80、乾燥處理裝置90。

蝕刻處理裝置60，針對1批量份之複數之晶圓W，整批進行蝕刻處理。清洗處理裝置70，針對1批量份之複數之晶圓W，整批進行清洗處理。基板固持體清洗處理裝置80，進行基板固持體53之清洗處理。乾燥處理裝置90，針對1批量份之複數之晶圓W，整批進行乾燥處理。此外，蝕刻處理裝置60，清洗處理裝置70、基板固持體清洗處理裝置80、及乾燥處理裝置90的台數不限於圖1的例。

蝕刻處理裝置60具備蝕刻處理用之處理槽61、淋洗處理用之處理槽62、基板昇降機構63、64。

處理槽61，可收容以豎起態勢排列之1批量份之晶圓W，且儲存蝕刻處理用之化學液（以下亦稱作「蝕刻液」）。處理槽61的細節將後述。

在處理槽62，儲存淋洗處理用之處理液（去離子水等）。在基板昇降機構63、64，以豎起態勢前後排列而將形成批量之複數之晶圓W加以固持。

蝕刻處理裝置60，將批量搬運部5搬運之批量，利用基板昇降機構63固持，並浸漬於處理槽61的蝕刻液而進行蝕刻處理。蝕刻處理，例如進行1小時～3小時左右。

已在處理槽61蝕刻處理之批量，係藉由批量搬運部5而搬運至處理槽62。而且，蝕刻處理裝置60，將被搬運之批量利用基板昇降機構64固持，並浸漬於處理槽62的淋洗液，藉以進行淋洗處理。已在處理槽62淋洗處理之批量，係利用批量搬運部5而搬運至清洗處理裝置70的處理槽71。

清洗處理裝置70具備清洗用之處理槽71、淋洗處理用之處理槽72、基板昇降機構73、74。在清洗用之處理槽71，儲存清洗用之化學液（以下亦稱作「清洗化學液」）。清洗化學液例如係SC-1（氨、過氧化氫及水的混合液）等。

在淋洗處理用之處理槽72，儲存淋洗處理用之處理液（去離子水等）。在基板昇降機構73、74，將1批量份之複數之晶圓W以豎起態勢前後排列而固持。

清洗處理裝置70，將批量搬運部5搬運之批量，利用基板昇降機構73固持，並浸漬於處理槽71的清洗液，藉以進行清洗處理。

已在處理槽71清洗處理之批量，係由批量搬運部5搬運至處理槽72。而且，清洗處理裝置70，將被搬運之批量利用基板昇降機構74固持，並浸漬於處理槽72的淋洗液，藉以進行淋洗處理。將已在處理槽72淋洗處理之批量，利用批量搬運部5而搬運至乾燥處理裝置90的處理槽91。

乾燥處理裝置90具備處理槽91、基板昇降機構92。將乾燥處理用之處理氣體供給至處理槽91。在基板昇降機構92將1批量份之複數之晶圓W以豎起態勢前後排列而固持。

乾燥處理裝置90，將被批量搬運部5搬運之批量，利用基板昇降機構92固持，並使用供給至處理槽91內之乾燥處理用之處理氣體，來進行乾燥處理。將已在處理槽91乾燥處理之批量，利用批量搬運部5而搬運至批量載置部4。

第一實施形態之基板處理裝置1之中，於該乾燥處理，藉由將1批量份之複數之晶圓W加以疏水化，而抑制此等複數之晶圓W的表面所形成之圖案崩塌。此點將後述。

基板固持體清洗處理裝置80，將清洗用之處理液供給至批量搬運機構50的基板固持體53，且進一步供給乾燥氣體，藉以進行基板固持體53之清洗處理。

控制部7控制基板處理裝置1的各部（載具搬入搬出部2、批量形成部3、批量載置部4、批量搬運部5、批量處理部6等）的動作。控制部7基於來自開關、或各種感測器等之信號，而控制基板處理裝置1的各部的動作。

控制部7，包含具有CPU（Central Processing Unit；中央處理器）、ROM（Read Only Memory；唯讀記憶體）、RAM（Random Access Memory；隨機存取記憶體）、輸入輸出埠等之微電腦、或各種電路，且讀出並執行由未圖示之記憶部所記憶之程式，藉以控制基板處理裝置1的動作。控制部7具有可利用電腦讀取之記憶媒體8。在記憶媒體8，儲存將基板處理裝置1所執行之各種處理加以控制之上述程式。程式，記憶於可藉由電腦讀取之記憶媒體8，且亦可由其它記憶媒體安裝至控制部7的記憶媒體8。

就可藉由電腦讀取之記憶媒體8而言，例如硬碟（HD）、軟碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）、記憶卡等。

＜蝕刻處理用的處理槽的構成＞ 其次，參照圖2說明蝕刻處理所使用之處理槽61。圖2係第一實施形態之蝕刻處理用之處理槽61的示意性剖視圖。

在處理槽61，使用預定蝕刻液，進行將形成在晶圓W上之矽氮化膜（SiN）及矽氧化膜（SiO₂ ）中之矽氮化膜加以選擇性蝕刻之蝕刻處理。該蝕刻處理之中，作為蝕刻液使用將含矽（Si）化合物添加至磷酸（H₃ PO₄ ）水溶液而調整矽濃度之溶液。

就調整蝕刻液中的矽濃度之技法而言，可使用將虛置基板浸漬於磷酸水溶液而使矽溶解之方法（seasoning；調製）、使膠質氧化矽等含矽化合物溶解於磷酸水溶液之方法。又，亦可將含矽化合物水溶液添加至磷酸水溶液而調整矽濃度。

如圖2所示，蝕刻處理用之處理槽61具備內槽101、外槽102。內槽101係上方開放之箱形的槽，且在內部儲存蝕刻液。將由複數之晶圓W形成之批量浸漬於內槽101。外槽102係上方開放，且配置在內槽101的上部周圍。從內槽101溢流之蝕刻液流入至外槽102。

處理槽61具備磷酸水溶液供給系103、矽供給系104、DIW（DeIonized Water：去離子水）供給系105。

磷酸水溶液供給系103具有磷酸水溶液供給源131、供給道132、閥133、流量調整器134。磷酸水溶液供給源131供給磷酸濃度已濃縮為期望濃度之磷酸水溶液。供給道132，連接磷酸水溶液供給源131與外槽102，並從磷酸水溶液供給源131將磷酸水溶液供給至外槽102。閥133，設在供給道132，將供給道132加以開閉。流量調整器134，設在供給道132，調整流動在供給道132之磷酸水溶液的流量。

矽供給系104具備矽供給源141、供給道142、閥143、流量調整器144。矽供給源141供給含矽化合物水溶液。供給道142，連接矽供給源141與外槽102，從矽供給源141將含矽化合物水溶液供給至外槽102。閥143，設在供給道142，將供給道142加以開閉。流量調整器144，設在供給道142，調整流動在供給道142之含矽化合物水溶液的流量。利用流量調整器144來調整含矽化合物水溶液的供給量，藉以調整蝕刻液的矽濃度。

DIW供給系105具備DIW供給源151、供給道152、閥153、流量調整器154。DIW供給系105，將DIW供給至外槽102，用以補給因加熱蝕刻液而蒸發之水分。供給道152，連接DIW供給源151與外槽102，從DIW供給源151將預定溫度的DIW供給至外槽102。閥153，設在供給道152，將供給道152加以開閉。流量調整器154，設在供給道152，調整流動在供給道152之DIW的流量。利用流量調整器154調整DIW的供給量，藉以調整蝕刻液的溫度、磷酸濃度及矽濃度。

處理槽61具備循環部106。循環部106，在內槽101與外槽102之間使蝕刻液循環。循環部106具備循環道161、複數之處理液供給噴嘴162、濾器163、加熱器164、泵165。

循環道161連接外槽102與內槽101。循環道161的一端連接至外槽102，循環道161的另一端連接至配置在內槽101的內部之複數之處理液供給噴嘴162。

濾器163、加熱器164及泵165係設在循環道161。濾器163從流動在循環道161之蝕刻液去除雜質。加熱器164，將流動在循環道161之蝕刻液，加熱成適合於蝕刻處理之溫度。泵165將外槽102內的蝕刻液發送至循環道161。從上游側起依此順序設置泵165、加熱器164及濾器163。

循環部106，將蝕刻液自外槽102起經由循環道161及複數之處理液供給噴嘴162而往內槽101內輸送。輸送至內槽101內之蝕刻液，自內槽101溢流，藉以再往外槽102流出。如上所述，蝕刻液循環在內槽101與外槽102之間。

此外，循環部106，亦可利用加熱器164加熱蝕刻液，藉以將蝕刻液定為沸騰狀態。

＜乾燥處理用的處理槽的構成＞ 其次，參照圖3說明乾燥處理所用之處理槽91。圖3係第一實施形態之乾燥處理用之處理槽91的示意性剖視圖。

如圖3所示，處理槽91具備液處理槽200、乾燥處理槽300、氣體供給部400。

（關於液處理槽200） 液處理槽200具備儲存槽201、溢流槽202、密封槽203。液處理槽200，可收容呈垂直態勢（縱向的狀態）排列之1批量份之複數之晶圓W。此液處理槽200，使1批量份之複數之晶圓W浸漬在內部所儲存之處理液，藉以進行將1批量份之複數之晶圓W整批處理之液處理。在此，設定為使用DIW作為處理液。具體而言，液處理槽200，針對1批量份之複數之晶圓W，進行使用DIW之淋洗處理。

在儲存槽201設置：處理液供給部204，將處理液供給至儲存槽201；以及排液機構205，自儲存槽201排出處理液。

處理液供給部204，具備：複數（在此係二個）之噴吐部210；DIW供給系220，將DIW供給至複數之噴吐部210；以及IPA供給系230，將IPA供給至複數之噴吐部210。複數之噴吐部210配置在儲存槽201的內側底部。

DIW供給系220具備供給道221、DIW供給源222、閥223、流量調整器224。供給道221連接複數之噴吐部210與DIW供給源222。DIW供給源222將常溫之DIW供給至複數之噴吐部210。閥223設在供給道221，將供給道221加以開閉。流量調整器224設在供給道221，將流動在供給道221之DIW的流量加以調整。

IPA供給系230具備供給道231、IPA供給源232、閥23、流量調整器234。供給道231例如經由供給道221連接複數之噴吐部210與IPA供給源232。IPA供給源232將常溫的IPA供給至複數之噴吐部210。閥233設在供給道231，將供給道231加以開閉。流量調整器234設在供給道231，將流動在供給道231之IPA的流量加以調整。

排液機構205具備排液口251、排液道252、閥253。排液口251設在儲存槽201的內側底部中央。排液道252連接至排液口251。閥253設在排液道252的中途部，將排液道252加以開閉。

溢流槽202，形成在儲存槽201的上端外周部，儲存從儲存槽201溢流之處理液。密封槽203，形成在溢流槽202的上端外周部，儲存例如水等液體。可藉由使密封壁333浸漬於密封槽203所儲存之液體，而阻斷液處理槽200的內部與外部。

（關於乾燥處理槽300） 乾燥處理槽300，配置在液處理槽200的上部，具有與儲存槽201連通之內部空間。乾燥處理槽300具備本體部301、蓋部302、遮擋部303。本體部301之中，上方及下方開口。本體部301設有複數（在此二個）之排氣口311。複數之排氣口311連接至排氣道312，乾燥處理槽300內的環境氣體經由排氣口311及排氣道312而往外部排出。

蓋部302配置在本體部301的上方，本體部301的上部開口。蓋部302，構成為可藉由未圖示之移動機構昇降，且可藉由使蓋部302上昇，而將複數之晶圓W搬入至乾燥處理槽300、或從乾燥處理槽300搬出。

遮擋部303，配置在本體部301與液處理槽200之間。遮擋部303具備遮擋門331、殼體332。遮擋門331，構成為可藉由未圖示之移動機構而將殼體332的內部往水平方向（在此係X軸方向）移動，且將本體部301的下部開口加以封閉或開放。

殼體332，插設在液處理槽200與本體部301之間，並將遮擋門331收容在內部。在殼體332的上部形成與本體部301的下部開口連通之開口，且在殼體332的下部形成與儲存槽201的上方區域連通之開口。

殼體332的下部設有朝向下方突出之密封壁333。密封壁333浸漬於密封槽203所儲存之液體。藉此，可阻斷液處理槽200的內部與外部。

（關於氣體供給部400） 氣體供給部400具備：複數（在此二個）之噴吐部410，配置在乾燥處理槽300的內部；供給道415；以及加熱部420，經由供給道415而連接至噴吐部410。又，氣體供給部400具備：疏水化液供給系430，用以供給液狀之疏水化劑（以下、亦稱作「疏水化液」）；IPA供給系440，用以供給IPA；以及N₂ 供給系450，用以供給N₂ 氣體。疏水化液供給系430、IPA供給系440及N₂ 供給系450連接至加熱部420。

疏水化液供給系430具備疏水化液供給源431、供給道432、閥433。疏水化液供給源431供給疏水化液。供給道432連接加熱部420與疏水化液供給源431。閥433設在供給道432，將供給道432加以開閉。

就疏水化液而言，例如可使用矽基化劑或矽烷偶聯劑的疏水化劑。具體而言，可使用三甲氧基苯基矽烷、四乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷等作為疏水化劑。又，可將TMSDMA（三甲基矽基二甲基胺）、DMSDMA（二甲基矽基二甲基胺）、TMSDEA（三甲基矽基二乙基胺）、HMDS（六甲基二矽氮烷）、TMDS（1,1,3,3-四甲基二矽氮烷）等作為疏水化劑使用。

可利用將晶圓W的表面加以疏水化，而使殘存在晶圓W上之處理液與圖案之接觸角度接近90°。藉此，降低作用在圖案之表面張力，因此不易發生圖案崩塌。

IPA供給系440具備IPA供給源441、供給道442、閥443。IPA供給源441供給液狀的IPA。供給道442連接加熱部420與IPA供給源441。閥443設在供給道442，將供給道442加以開閉。

N₂ 供給系450具備N₂ 供給源451、供給道452、閥453。N₂ 供給源451供給非活性氣體即N₂ 氣體。供給道452連接加熱部420與N₂ 供給源451。閥453設在供給道452，將供給道452加以開閉。

當開啟閥433與閥453時，則疏水化液與N₂ 氣體供給至加熱部420。此情形下，加熱部420加熱疏水化液與N₂ 氣體之混合流體，藉以產生疏水化劑的蒸氣（以下亦稱作「疏水化氣體」）。所產生之疏水化氣體，經由供給道415而供給至噴吐部410，並從噴吐部410噴吐至乾燥處理槽300的內部。因為乾燥處理槽300係密閉，所以從噴吐部410噴吐之疏水化氣體充滿於乾燥處理槽300的內部。

另一方面，當開啟供給道442與閥453時，則IPA與N₂ 氣體供給至加熱部420。此情形下，加熱部420加熱IPA與N₂ 氣體之混合流體，藉以產生IPA的蒸氣（以下亦稱作「IPA氣體」）。所產生之IPA氣體，經由供給道415而供給至噴吐部410，並從噴吐部410噴吐至乾燥處理槽300的內部。與疏水化氣體同樣，IPA氣體亦充滿於乾燥處理槽300的內部。

（關於基板昇降機構92） 基板昇降機構92具備：固持體921；軸桿922，將固持體921加以支持；以及移動機構923，使軸桿922昇降。固持體921將1批量份之複數之晶圓W呈垂直態勢、並且於水平方向（在此係Y軸方向）以固定間隔排列之狀態進行固持。軸桿922，沿著鉛直方向延伸，且在下部支持固持體921。將軸桿922設置成呈可滑動插穿蓋部302的上部之未圖示之開口。

移動機構923例如具備馬達、滾珠螺桿、氣缸等，使軸桿922沿著鉛直方向移動。移動機構923使軸桿922昇降，藉以使軸桿922所支持之固持體921昇降。藉此，可使固持體921所固持之複數之晶圓W移動在儲存槽201與乾燥處理槽300之間。

＜基板處理裝置的具體動作＞ 其次，參照圖4～圖13說明第一實施形態之基板處理裝置1的具體動作。圖4係將第一實施形態之基板處理裝置1所執行之處理的順序的一例加以顯示之流程圖。圖5係將乾燥處理的順序的一例加以顯示之流程圖。又，圖6顯示搬入處理的動作例，圖7顯示淋洗處理的動作例，圖8及圖9顯示取代處理的動作例。又，圖10顯示移動處理的動作例，圖11顯示疏水化氣體供給處理的動作例，圖12顯示IPA氣體供給處理的動作例，圖13顯示搬出處理的動作例。

如圖4所示，基板處理裝置1之中，首先在蝕刻處理裝置60進行蝕刻處理（步驟S101）。具體而言，批量搬運機構50的基板固持體53接收形成在批量搬運台40之批量，且批量搬運機構50的移動體52將上述接收之批量搬運至蝕刻處理裝置60的處理槽61前。其後，基板昇降機構63接收被搬運之批量，並使所接收之批量浸漬於處理槽61所儲存之蝕刻液。

其後，基板固持體53接收批量，且移動體52將前述接收之批量搬運至處理槽62前。而且，基板昇降機構64接收被搬運之批量，並將所接收之批量浸漬於處理槽62所儲存之淋洗液（DIW）。

接著，基板處理裝置1之中，在清洗處理裝置70進行清洗處理（步驟S102）。具體而言，批量搬運機構50的基板固持體53接收蝕刻處理後之批量，且批量搬運機構50的移動體52將前述接收之批量搬運至清洗處理裝置70的處理槽71前。其後，基板昇降機構73接收被搬運之批量，並將所接收之批量浸漬於處理槽71所儲存之清洗液。

其後，基板固持體53接收批量，且移動體52將前述接收之批量搬運至處理槽72前。而且，基板昇降機構74接收被搬運之批量，並將所接收之批量浸漬於處理槽72所儲存之淋洗液（DIW）。

接著，基板處理裝置1之中，在乾燥處理裝置90進行乾燥處理（步驟S103）。

首先，在乾燥處理裝置90，進行將批量搬入至儲存槽201之搬入處理（步驟S201）。具體而言，基板昇降機構92的固持體921，從批量搬運機構50的基板固持體53接收批量（參照圖6）。其後，乾燥處理裝置90，使用未圖示之移動機構而使蓋部302下降，且一併使用移動機構923而使軸桿922下降。藉此，乾燥處理槽300的本體部301的上部開口由蓋部302所封堵，而使乾燥處理槽300成為密閉狀態。

接著，在乾燥處理裝置90，進行淋洗處理（步驟S202）。具體而言，乾燥處理裝置90使用移動機構923而使軸桿922下降，藉以使批量浸漬於儲存槽201所儲存之DIW（參照圖7）。藉此，將1批量份之複數之晶圓W藉由DIW而進行淋洗處理。

具體而言，乾燥處理裝置90，藉由開啟排液機構205的閥253（參照圖3），而將儲存槽201所儲存之DIW自排液口251排出（參照圖8）。其後，乾燥處理裝置90，藉由開啟IPA供給系230的閥233，而自噴吐部210噴吐IPA，將IPA儲存在儲存槽201。藉此，將配置在儲存槽201之批量，浸漬於IPA。而且，淋洗處理之中附著於複數之晶圓W之DIW係由IPA所取代（參照圖9）。

如上所述，第一實施形態之基板處理裝置1之中，於疏水化氣體供給處理之前，將附著於複數之晶圓W之DIW由IPA所取代。

本案發明人，在下述情形下進行將形成在晶圓W的表面之圖案的崩塌率加以比較之實驗：將疏水化氣體（TMDMA的氣體）供給至附著有DIW之晶圓W之情形；以及將同樣的疏水化氣體供給至已由IPA取代晶圓W上的DIW之情形。其結果，前者的圖案崩塌率係34.2％，相對於此，後者的圖案崩塌率係0.5％。由此結果，相較於不進行取代處理之情形，顯然可利用進行由IPA取代附著於晶圓W之DIW之取代處理，而合宜抑制圖案崩塌。此外，就利用取代成IPA而使圖案崩塌率降低之理由之一而言，吾人認為因為利用取代成IPA所以抑制：疏水化氣體由於與水接觸而失去活性、因此導致晶圓W的疏水化不充份。

在此，說明下述情形之例：進行DIW所成之淋洗處理後，排出儲存槽201內的DIW，並且將IPA儲存在儲存槽201而進行取代處理。不限於此，乾燥處理裝置90例如亦可係儲存槽201儲存有DIW之狀態、或一邊從儲存槽201排出DIW一邊將IPA儲存在儲存槽201。亦即，DIW所成之淋洗處理與IPA所成之取代處理亦可局部重複進行。又，乾燥處理裝置90，亦可先將IPA與DIW之混合液預先儲存至儲存槽201，並使批量浸漬於混合液。乾燥處理裝置90，只要至少使批量浸漬於IPA濃度係90％以上的處理液即可。

又，基板處理裝置1，非須在乾燥處理裝置90的液處理槽200進行淋洗處理。亦即，乾燥處理裝置90，亦可預先將IPA儲存在儲存槽201，並使批量浸漬於前述IPA，藉以不進行淋洗處理，而進行取代處理。此外，此情形下，在清洗處理裝置70之清洗處理之中，附著在晶圓W之DIW係由IPA所取代。

又，在此，使用IPA來進行取代處理，但取代處理亦可使用IPA以外之有機溶劑。具體而言，就取代處理所使用之有機溶劑而言，宜使用具有親水基及疏水基之兩親媒性的有機溶劑。就如此有機溶劑而言，例如於IPA以外列舉乙醇或丙酮等。

當步驟S203的取代處理結束時，則在乾燥處理裝置90，進行移動處理（步驟S204）。具體而言，基板昇降機構92，使用移動機構923而使軸桿922上昇，藉以將由固持體921固持之批量從儲存槽201拉上來（參照圖10）。藉此，將批量配置在乾燥處理槽300內。

接著，在乾燥處理裝置90，進行疏水化氣體供給處理（步驟S205）。具體而言，首先，乾燥處理裝置90，使遮擋門331移動至將乾燥處理槽300的本體部301的下部開口加以封閉之位置。藉此，乾燥處理槽300成為由蓋部302及遮擋門331所密閉之狀態（參照圖11）。其後，乾燥處理裝置90，自噴吐部410噴吐已加熱之疏水化氣體（蒸氣）。

疏水化氣體，充滿在乾燥處理槽300內，並接觸於常溫的晶圓W，藉以在晶圓W的表面凝結而附著在晶圓W。藉此，殘留在晶圓W之IPA由疏水化劑（液體）所取代，使晶圓W的表面疏水化。利用使晶圓W的表面疏水化，而抑制晶圓W的表面所形成之圖案崩塌。

接著，在乾燥處理裝置90，進行IPA氣體供給處理（步驟S206）。具體而言，乾燥處理裝置90，停止來自噴吐部410之疏水化氣體之噴吐，並自噴吐部410噴吐已加熱之IPA氣體（蒸氣）（參照圖12）。藉此，殘留在晶圓W之疏水化劑（液體）由IPA所取代，且IPA揮發，藉以使晶圓W乾燥。

如上所述，可利用使殘留在晶圓W之疏水化劑由表面自由能小之IPA所取代，而進一步抑制圖案崩塌。又，可使殘留在晶圓W之疏水化劑由IPA所取代，藉以將源於疏水化劑之雜質利用IPA從晶圓W的表面沖洗而去，因此可降低殘存於乾燥處理後之晶圓W的微粒的量。

此外，乾燥處理裝置90，非須進行IPA氣體供給處理。此情形下，乾燥處理裝置90，亦可取代IPA氣體供給處理，而藉由自噴吐部410噴吐N₂ 氣體來使晶圓W乾燥。N₂ 氣體宜由加熱部420加熱。

接著，在乾燥處理裝置90，進行搬出處理（步驟S207）。具體而言，乾燥處理裝置90，使蓋部302及基板昇降機構92上昇（參照圖13）。而且，乾燥處理裝置90，將乾燥處理後之批量移交至批量搬運機構50的基板固持體53。

（第二實施形態） 其次，參照圖14說明第二實施形態之乾燥處理裝置。圖14係第二實施形態之乾燥處理用的處理槽的示意性剖視圖。又，圖15顯示第二實施形態之取代處理的動作例。

如圖14所示，第二實施形態之處理槽91A具備處理液供給部204A。處理液供給部204A具備上述複數之噴吐部210，且另外具備複數之噴吐部240。複數之噴吐部210配置在儲存槽201的內部，相對於此，複數之噴吐部240配置在儲存槽201的上方。複數之噴吐部210連接至DIW供給系220，複數之噴吐部240連接至IPA供給系230。

如上所述，第二實施形態之處理槽91A構成為從配置在儲存槽201的內部之複數之噴吐部210噴吐DIW、並從配置在儲存槽201的上方之複數之噴吐部240噴吐IPA。

在複數之噴吐部240，例如使用噴霧用噴嘴晶片。複數之噴吐部240，朝向儲存槽201的內部，將IPA呈噴淋狀噴吐（噴霧）。

此外，複數之噴吐部240，至少配置在比複數之噴吐部210更上方即可，無須配置在儲存槽201的外部。

如圖15所示，第二實施形態之乾燥處理裝置90，於使附著在晶圓W之DIW由IPA所取代之取代處理之中，從複數之噴吐部240將IPA呈噴淋狀噴吐至配置在儲存槽201內之複數之晶圓W。

如上所述，非將IPA儲存至儲存槽201，而由噴霧供給至晶圓W，可藉以抑制取代處理中之IPA的消耗量。

（第三實施形態） 上述第一、第二實施形態之中，說明在乾燥處理裝置90所行之乾燥處理時進行晶圓W的疏水化之情形的例，但將晶圓W疏水化之時機，不限定於乾燥處理時。

例如，基板處理裝置1，亦可在蝕刻處理裝置60所行之蝕刻處理時進行晶圓W的疏水化。圖16係第三實施形態之蝕刻處理用的處理槽的示意性剖視圖。

如圖16所示，第三實施形態之處理槽61B具備疏水化液供給系107。疏水化液供給系107具備疏水化液供給源171、供給道172、閥173、流量調整器174。疏水化液供給源171，供給疏水化液。供給道172，連接疏水化液供給源171與外槽102，從疏水化液供給源171將疏水化液供給至外槽102。閥173，設在供給道172，將供給道172加以開閉。流量調整器174，設在供給道172，將往外槽102供給之疏水化液的流量加以調整。

如上所述，依據第三實施形態之基板處理裝置，則可藉由將疏水化液供給系107設在處理槽61B，而例如於複數之晶圓W的蝕刻處理中，一併進行複數之晶圓W之疏水化處理。

例如，處理槽61B亦可將混合有疏水化液之蝕刻液儲存在內槽101。亦即，處理槽61B，亦可使用混合有疏水化液之蝕刻液，而自蝕刻處理開始時起，使疏水化處理開始。又，處理槽61B，亦可使蝕刻液先儲存在內槽101，並於蝕刻處理開始後，開始從疏水化液供給系107將疏水化液供給往內槽101。此情形下，可利用逐漸提昇內槽101內之疏水化液的濃度，而從蝕刻處理逐漸轉移成疏水化處理。

如上所述，疏水化處理，亦可在蝕刻處理用之處理槽61B進行。藉此，例如，不僅可抑制乾燥處理裝置90中之乾燥處理後之圖案崩塌，亦可抑制從蝕刻處理裝置60往清洗處理裝置70搬運時、或從清洗處理裝置70往乾燥處理裝置90搬運時之圖案崩塌。

又，疏水化處理，亦可在具有與上述蝕刻處理用之處理槽61同樣構成之清洗處理用之處理槽71來進行。清洗處理用之處理槽71具備清洗化學液供給部來取代磷酸水溶液供給系103、矽供給系104及DIW供給系105。清洗化學液供給部具備清洗化學液供給源、供給道、閥、流量調整器。清洗化學液供給源，例如供給SC1作為清洗化學液。供給道，連接清洗化學液供給源與外槽，從清洗化學液供給源將磷酸水溶液供給至外槽。閥，設在供給道，將供給道加以開閉。流量調整器，設在供給道，調整往外槽供給之清洗化學液的流量。

針對此處理槽71，可利用設置上述疏水化液供給系107，來與清洗處理一併進行疏水化處理。

（第四實施形態） 基板處理裝置1，亦可在具備蝕刻處理裝置或清洗處理裝置之淋洗處理用之處理槽，進行疏水化處理。針對此特徵，將具備蝕刻處理裝置之淋洗處理用之處理槽為例說明。圖17係第四實施形態之淋洗處理用的處理槽的示意性剖視圖。

如圖17所示，第四實施形態之淋洗處理用之處理槽62C具備內槽601、外槽602。又，處理槽62C具備處理液供給部603。

處理液供給部603具備複數之噴吐部610、DIW供給系620、IPA供給系630、疏水化液供給系640。

DIW供給系620具備DIW供給源621、供給道622、閥623、流量調整器624。DIW供給源621供給DIW。供給道622，連接DIW供給源621與複數之噴吐部610，自DIW供給源621將DIW供給至複數之噴吐部610。閥623，設在供給道622，將供給道622加以開閉。流量調整器624，設在供給道622，將流動在供給道622之DIW的流量加以調整。

IPA供給系630具備IPA供給源631、供給道632、閥633、流量調整器634。IPA供給源631供給IPA。供給道632，連接IPA供給源631與複數之噴吐部610，從IPA供給源631將IPA供給至複數之噴吐部610。閥633，設在供給道632，將供給道632加以開閉。流量調整器634，設在供給道632，將流動在供給道632之IPA的流量加以調整。

疏水化液供給系640具備疏水化液供給源641、供給道642、閥643、流量調整器644。疏水化液供給源641供給疏水化液。供給道642，連接疏水化液供給源641與複數之噴吐部610，從疏水化液供給源641將疏水化液供給至複數之噴吐部610。閥643，設在供給道642，將供給道642加以開閉。流量調整器644，設在供給道642，將流動在供給道642之疏水化液的流量加以調整。

此處理槽62C之中，例如DIW、IPA及疏水化液之混合液儲存在內槽601。此情形下，可藉由將複數之晶圓W浸漬於該混合液，而將淋洗處理與疏水化處理併行進行。在此，不僅含有DIW及疏水化液、且亦含有IPA之理由，係因為疏水化液不易溶於DIW。亦即，可藉由添加對疏水化液及DIW雙方具有親和性之IPA，而促進疏水化液溶入DIW。

處理槽62C之中，亦可於使用DIW、IPA及疏水化液之混合液來進行複數之晶圓W的淋洗處理及疏水化處理之後，使用DIW來再次進行複數之晶圓W的淋洗處理。此情形下，例如於從處理槽62C的未圖示之排液口排出混合液之後，藉由將由DIW供給系620供給之DIW儲存至內槽601，而使複數之晶圓W浸漬於DIW即可。

圖18係第四實施形態之變形例之淋洗處理用的處理槽的示意性剖視圖。如圖18所示，變形例之處理槽62D具備處理液供給部603D、604。

處理液供給部604，具備配置在內槽601的內側底部之複數之噴吐部610、DIW供給系620D，且從複數之噴吐部610噴吐DIW供給系620D所供給之DIW，藉以將DIW儲存在內槽601。此外，DIW供給系620D的構成係與DIW供給系620的構成同樣。

處理液供給部603D具備複數之噴吐部650、DIW供給系620、IPA供給系630、疏水化液供給系640。DIW供給系620、IPA供給系630及疏水化液供給系640連接至複數之噴吐部650，分別將DIW、IPA及疏水化液供給至複數之噴吐部650。複數之噴吐部650，配置在內槽601的上方，且將DIW、IPA及疏水化液之混合液朝向內槽601的內部呈噴淋狀噴吐。

變形例之處理槽62D之中，例如使用內槽601所儲存之DIW而進行淋洗處理之後，從未圖示之排液口排出DIW。其後，變形例之處理槽62D之中，從複數之噴吐部650將DIW、IPA及疏水化液之混合液呈噴淋狀噴吐，藉以將疏水化液供給至淋洗處理後之複數之晶圓W。

如上所述，處理槽62D亦可利用將DIW、IPA及疏水化液之混合液呈噴淋狀噴吐，而將複數之晶圓W疏水化。

（其它實施形態） 上述第一、第二實施形態之中，說明在乾燥處理裝置90將疏水化劑的氣體供給至複數之晶圓W之情形的例，但乾燥處理裝置90亦可將疏水化劑的液體供給至複數之晶圓W。此情形下，例如亦可在處理液供給部204設置與疏水化液供給系430同樣的供給系，而將DIW、IPA及疏水化液之混合液儲存至儲存槽201。藉此，可與淋洗處理併行進行疏水化處理。

上述各實施形態之中，說明在蝕刻處理裝置60、清洗處理裝置70及乾燥處理裝置90進行疏水化處理之情形的例。不限於此，基板處理裝置1亦可有別於蝕刻處理裝置60、清洗處理裝置70及乾燥處理裝置90，而具備被用以進行疏水化處理之專用之處理槽。

如同上述，實施形態之基板處理裝置（就一例而言，基板處理裝置1）具備液處理槽（就一例而言，處理槽61、62、71、72、91）、疏水化氣體供給部（就一例而言，噴吐部410、IPA供給系440及N₂ 供給系450）。液處理槽，儲存處理液（就一例而言，DIW、IPA、蝕刻液、清洗液等），並藉由將複數之基板（就一例而言，晶圓W）浸漬於處理液，而處理複數之基板。疏水化氣體供給部，將疏水化劑之氣體（就一例而言，疏水化氣體）供給至液處理後之複數之基板。藉此，可在將複數之基板加以整批處理之批次式的基板處理裝置，抑制圖案崩塌。

實施形態之基板處理裝置亦可更具備乾燥處理槽（就一例而言，乾燥處理槽300）、移動機構（就一例而言，移動機構923）。乾燥處理槽，配置在液處理槽（就一例而言，液處理槽200）的上部，進行複數之基板的乾燥處理。移動機構，將複數之基板從液處理槽拉上來而使其往乾燥處理槽移動。此情形下，疏水化氣體供給部亦可將疏水化劑的氣體供給至乾燥處理槽的內部。可利用使疏水化氣體充滿在乾燥處理槽內，而使疏水化劑效率良好附著至基板。

實施形態之基板處理裝置，亦可更具備：有機溶劑供給部（就一例而言，噴吐部410、疏水化液供給系430及N₂ 供給系450），將有機溶劑的蒸氣（就一例而言，IPA氣體）供給至乾燥處理槽的內部。

可由表面自由能小之有機溶劑取代殘留在基板之疏水化劑，藉以進一步抑制圖案崩塌。又，可由有機溶劑取代殘留在基板之疏水化劑，藉以利用有機溶劑而將源於疏水化劑之雜質從基板的表面沖洗而去，因此能降低殘存於乾燥處理後的基板之微粒的量。

實施形態之基板處理裝置，亦可具備：處理液供給部（就一例而言，處理液供給部204），將處理液供給至液處理槽。此情形下，處理液供給部，亦可具備：有機溶劑供給系（就一例而言，IPA供給系230），供給有機溶劑（就一例而言，IPA）。可利用有機溶劑取代附著在基板之水，而合宜抑制圖案崩塌。

處理液供給部，亦可更具備：水供給系（就一例而言，DIW供給系220），供給水（就一例而言，DIW）。此情形下，處理液供給部，亦可更具備：噴吐部（就一例而言，噴吐部210），配置在液處理槽的內部，連接至有機溶劑供給系及水供給系。藉此，例如可先將水與有機溶劑之混合液儲存在液處理槽，並使複數之基板浸漬於該混合液，藉以使有機溶劑附著至複數之基板。又，可先將水儲存至液處理槽，並使複數之基板浸漬於水後，從液處理槽排出水，且其後，將有機溶劑儲存至液處理槽，而使複數之基板浸漬於有機溶劑。

處理液供給部，亦可具備有機溶劑噴吐部（就一例而言，噴吐部240）、水噴吐部（就一例而言，噴吐部210）。有機溶劑噴吐部，連接至有機溶劑供給系，將有機溶劑噴吐至液處理槽的內部。水噴吐部，連接至水供給系，將水噴吐至液處理槽的內部。

有機溶劑噴吐部，亦配置在比水噴吐部更上方，亦可將有機溶劑朝向液處理槽的內部呈噴淋狀噴吐。可利用將有機溶劑呈噴淋狀噴吐而供給至複數之基板，而抑制有機溶劑的消耗量。

實施形態之基板處理裝置，亦可具備處理液供給部（就一例而言，磷酸水溶液供給系103、矽供給系104、DIW供給系105、循環部106及疏水化液供給系107）。處理液供給部，將處理液供給至液處理槽（就一例而言，內槽101）。此情形下，處理液供給部，亦可具備：化學液供給系（就一例而言，磷酸水溶液供給系103、矽供給系104及DIW供給系105），供給用於複數之基板之化學液處理之化學液（就一例而言，蝕刻液）；以及疏水化液供給系（就一例而言，疏水化液供給系107），供給疏水化劑的液體。在進行化學液處理之處理槽之中，亦進行複數之基板之疏水化，可藉以例如抑制將複數之基板從進行化學液處理之處理槽往其它處理槽之搬運時之圖案崩塌。

實施形態之基板處理裝置，亦可具備處理液供給部（就一例而言，處理液供給部603、603D）。處理液供給部，將處理液供給至液處理槽（就一例而言，處理槽62、62D）。此情形下，處理液供給部，亦可具備：水供給系（就一例而言，DIW供給系620、620D），供給複數之基板之淋洗處理所用之水；以及疏水化液供給系（就一例而言，疏水化液供給系640），供給疏水化劑的液體。在進行淋洗處理之處理槽之中，亦進行複數之基板之疏水化，可藉以例如抑制將複數之基板從進行淋洗處理之處理槽往其它處理槽搬運時之圖案崩塌。

處理液供給部，亦可更具備：有機溶劑供給系（就一例而言，IPA供給系630），供給有機溶劑（就一例而言，IPA）。可利用加入對疏水化劑及水雙方具有親和性之有機溶劑，而促進疏水化劑溶入水。

當知悉本說明書所揭示之實施形態在全部態樣係例示、非限制。實際上，上述實施形態能利用多樣形態具體實現。又，上述實施形態，亦可不脫離附加之發明申請專利範圍及其主旨，而以各樣形態進行省略、取代、變更。

101:內槽 102:外槽 103:磷酸水溶液供給系 104:矽供給系 105:DIW供給系 106:循環部 107:疏水化液供給系 131:磷酸水溶液供給源 132:供給道 133:閥 134:流量調整器 141:矽供給源 142:供給道 143:閥 144:流量調整器 151:DIW供給源 152:供給道 153:閥 154:流量調整器 161:循環道 162:處理液供給噴嘴 163:濾器 164:加熱器 165:泵 171:疏水化液供給源 172:供給道 173:閥 174:流量調整器 2:載具搬入搬出部 20:載具台 200:液處理槽 201:儲存槽 202:溢流槽 203:密封槽 204,204A:處理液供給部 205:排液機構 21:載具搬運機構 210:噴吐部 220:DIW供給系 221:供給道 222:DIW供給源 223:閥 224:流量調整器 22,23:載具積存區 23:閥 230:IPA供給系 231:供給道 232:IPA供給源 233:閥 234:流量調整器 24:載具載置台 240:噴吐部 251:排液口 252:排液道 253:閥 3:批量形成部 30:基板搬運機構 300:乾燥處理槽 301:本體部 302:蓋部 303:遮擋部 311:排氣口 312:排氣道 331:遮擋門 332:殼體 333:密封壁 4:批量載置部 40:批量搬運台 400:氣體供給部 41:搬入側批量載置台 410:噴吐部 415:供給道 42:搬出側批量載置台 420:加熱部 430:疏水化液供給系 431:疏水化液供給源 432:供給道 433:閥 440:IPA供給系 441:IPA供給源 442:供給道 443:閥 450:N₂ 供給系 451:N₂ 供給源 452:供給道 453:閥 50:批量搬運機構 51:軌道 52:移動體 53:基板固持體 6:批量處理部 60:蝕刻處理裝置 601:內槽 602:外槽 603,603D,604:處理液供給部 61,61B:處理槽 610:噴吐部 620,620D:DIW供給系 621:DIW供給源 622:供給道 623:閥 624:流量調整器 62,62C,62D:處理槽 63:基板昇降機構 630:IPA供給系 631:IPA供給源 632:供給道 633:閥 634:流量調整器 63,64:基板昇降機構 640:疏水化液供給系 641:疏水化液供給源 642:供給道 643:閥 644:流量調整器 650:噴吐部 7:控制部 70:清洗處理裝置 71,72:處理槽 73,74:基板昇降機構 8:記憶媒體 80:清洗處理裝置 9:載具 90:乾燥處理裝置 91,91A:處理槽 92:基板昇降機構 921:固持體 922:軸桿 923:移動機構 SC-1,SC1:清洗化學液 W:晶圓

圖1係第一實施形態之基板處理裝置的俯視圖。 圖2係第一實施形態之蝕刻處理用的處理槽的示意性剖視圖。 圖3係第一實施形態之乾燥處理用的處理槽的示意性剖視圖。 圖4係將第一實施形態之基板處理裝置所執行之處理的順序的一例加以顯示之流程圖。 圖5係將乾燥處理的順序的一例加以顯示之流程圖。 圖6顯示搬入處理的動作例。 圖7顯示淋洗處理的動作例。 圖8顯示取代處理的動作例。 圖9顯示取代處理的動作例。 圖10顯示移動處理的動作例。 圖11顯示疏水化氣體供給處理的動作例。 圖12顯示IPA（異丙醇）氣體供給處理的動作例。 圖13顯示搬出處理的動作例。 圖14係第二實施形態之乾燥處理用的處理槽的示意性剖視圖。 圖15顯示第二實施形態之取代處理的動作例。 圖16係第三實施形態之蝕刻處理用的處理槽的示意性剖視圖。 圖17係第四實施形態之淋洗處理用的處理槽的示意性剖視圖。 圖18係第四實施形態中之變形例之淋洗處理用的處理槽的示意性剖視圖。

200:液處理槽

201:儲存槽

202:溢流槽

203:密封槽

204:處理液供給部

205:排液機構

210:噴吐部

220:DIW供給系

221:供給道

222:DIW供給源

223:閥

224:流量調整器

230:IPA供給系

231:供給道

232:IPA供給源

233:閥

234:流量調整器

251:排液口

252:排液道

253:閥

300:乾燥處理槽

301:本體部

302:蓋部

303:遮擋部

311:排氣口

312:排氣道

331:遮擋門

332:殼體

333:密封壁

400:氣體供給部

410:噴吐部

415:供給道

420:加熱部

430:疏水化液供給系

431:疏水化液供給源

432:供給道

433:閥

440:IPA供給系

441:IPA供給源

442:供給道

443:閥

450:N₂供給系

451:N₂供給源

452:供給道

453:閥

91:處理槽

92:基板昇降機構

921:固持體

922:軸桿

923:移動機構

W:晶圓

Claims (14)

1. 一種基板處理裝置，具備：液處理槽，用以儲存處理液，藉由將複數之基板浸漬於該處理液，而對該複數之基板進行液處理；疏水化氣體供給部，將疏水化劑的氣體供給至該液處理後的該複數之基板；以及處理液供給部，將該處理液供給至該液處理槽；其中該處理液供給部具備：有機溶劑供給部，供給有機溶劑至該液處理槽，該處理液供給部將由該有機溶劑供給部所供給的該有機溶劑供給至該液處理槽，且該液處理槽具備儲存槽、溢流槽、以及密封槽，該溢流槽形成在該儲存槽的上端外周部，且該密封槽形成在該溢流槽的上端外周部。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，該處理液供給部，更具備：水供給部，供給水至該液處理槽。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，該處理液供給部，更具備：噴吐部，配置在該液處理槽的內部，且連接至該有機溶劑供給部及該水供給部。
4. 如請求項2之基板處理裝置，其中， 該處理液供給部，更具備：有機溶劑噴吐部，連接至該有機溶劑供給部，將該有機溶劑噴吐至該液處理槽的內部；以及水噴吐部，連接至該水供給部，將該水噴吐至該液處理槽的內部。
5. 如請求項4之基板處理裝置，其中，該有機溶劑噴吐部，配置在比該水噴吐部更上方，且將該有機溶劑朝向該液處理槽的內部呈噴淋狀噴吐。
6. 如請求項1之基板處理裝置，更具備：乾燥處理槽，配置在該液處理槽的上部，進行該複數之基板之乾燥處理；以及移動結構，將該複數之基板從該液處理槽拉上來而往該乾燥處理槽移動，其中該疏水化氣體供給部將該疏水化劑的氣體供給至該乾燥處理槽的內部。
7. 如請求項6之基板處理裝置，更具備：有機溶劑供給部，將有機溶劑的蒸氣供給至該乾燥處理槽的內部。
8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，該處理液供給部具備：化學液供給部，將該複數之基板之化學液處理所用之化學液供給至該液處理槽；以及疏水化液供給部，將該疏水化劑的液體供給至該液處理槽。
9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，該處理液供給部具備：水供給部，將該複數之基板之淋洗處理所用之水供給至該液處理槽；以及疏水化液供給部，將該疏水化劑之液體供給至該液處理槽。
10. 一種基板處理裝置，具備：液處理槽，用以儲存處理液，藉由將複數之基板浸漬於該處理液，而對該複數之基板進行液處理；處理液供給部，將該處理液供給至該液處理槽；疏水化氣體供給部，將疏水化劑的氣體供給至該複數之基板；以及控制部，控制該處理液供給部及該疏水化氣體供給部；其中該處理液供給部，具備：有機溶劑供給部，供給有機溶劑至該液處理槽；且該控制部，控制該處理液供給部，將由該有機溶劑供給部所供給之該有機溶劑，供給至該液處理槽，藉以將該有機溶劑供給至配置在該液處理槽的該複數之基板，然後，控制該疏水化氣體供給部，而將該疏水化劑的氣體供給至該複數之基板；其中該液處理槽具備儲存槽、溢流槽、以及密封槽，該溢流槽形成在該儲存槽的上端外周部，且該密封槽形成在該溢流槽的上端外周部。
11. 如請求項10之基板處理裝置，其中，具備： 乾燥處理槽，配置在該液處理槽的上部，進行該複數之基板之乾燥處理；移動結構，將該複數之基板從該液處理槽拉上來而往該乾燥處理槽移動；以及有機溶劑供給部，將有機溶劑的蒸氣供給至該乾燥處理槽的內部；其中該疏水化氣體供給部，將該疏水化劑的氣體供給至該乾燥處理槽的內部，且該控制部，將該有機溶劑供給至配置在該液處理槽的該複數之基板，然後控制該移動結構，而將該複數之基板從該液處理槽拉上來，其後，控制該疏水化氣體供給部，而將該疏水化劑的氣體供給至該乾燥處理槽的內部，其後，控制該有機溶劑供給部，而將該有機溶劑的蒸氣供給至該乾燥處理槽的內部。
12. 一種基板處理方法，包括：液處理程序，使複數之基板浸漬於液處理槽所儲存之處理液，藉以對該複數之基板進行液處理；疏水化劑氣體供給程序，在該液處理程序之後，將疏水化劑的氣體供給至該複數之基板；處理液供給程序，將該處理液供給至該液處理槽；以及有機溶劑供給程序，將有機溶劑供給至該液處理槽，其中該有機溶劑供給程序包括將該有機溶劑供給至配置在該液處理槽的該複數之基板，其中該液處理槽具備儲存槽、溢流槽、以及密封槽，該溢流槽形成在該儲存槽的上端外周部，且該密封槽形成在該溢流槽的上端外周部。
13. 如請求項12之基板處理方法，更包括：取代程序，於該疏水化劑氣體供給程序之前，將因該液處理程序而附著在該複數之基板之作為該處理液的水，取代成有機溶劑，其中該液處理程序將作為該處理液的水儲存在該液處理槽，藉以使該複數之基板浸漬於該液處理槽所儲存之該水。
14. 如請求項13之基板處理方法，其中，該取代程序將該有機溶劑呈噴淋狀噴吐至因該液處理程序而附著有該水的該複數之基板。

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