TWI857379B - 色轉換面板與顯示器 - Google Patents
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Abstract
一種色轉換面板與顯示器。色轉換面板包括一不透光基板以及一藍寶石基板。不透光基板包含複數個第一畫素開口、複數個第二畫素開口與複數個第三畫素開口。第一畫素開口填充有紅色量子點材料,第二畫素開口填充有綠色量子點材料。藍寶石基板位於不透光基板上。藍寶石基板面對不透光基板的一第一表面,對應第一畫素開口具有複數個第一圓弧面,對應第二畫素開口具有複數個第二圓弧面,對應第三畫素開口具有複數個第三圓弧面。
Description
本發明是有關於一種面板與顯示器,且特別是有關於一種色轉換面板與顯示器。
近年來,隨著顯示器技術的成熟,能提供高對比影像的低能耗的發光元件也被應用於顯示器中。然而,畫素之間的間距不斷縮小,也導致鄰近畫素之間的串光(cross-talk)現象也影響了色純度及色域值的表現。在以單色發光二極體搭配量子點材料進行色轉換以達成彩色顯示時,等向性(isotropic)放光的量子點材料也使串光現象更為嚴重。
本發明提供一種色轉換面板與顯示器,可改善傳統技術中串光現象嚴重的問題。
本發明的色轉換面板包括一不透光基板以及一藍寶石基板。不透光基板包含複數個第一畫素開口、複數個第二畫素開口與複數個第三畫素開口。第一畫素開口填充有紅色量子點材料,第二畫素開口填充有綠色量子點材料。藍寶石基板位於不透光基板上。藍寶石基板面對不透光基板的一第一表面,對應第一畫素開口具有複數個第一圓弧面,對應第二畫素開口具有複數個第二圓弧面,對應第三畫素開口具有複數個第三圓弧面。
本發明的顯示器包括一發光畫素陣列面板以及一色轉換面板。發光畫素陣列面板具有複數個發光元件。色轉換面板配置於發光畫素陣列面板上。色轉換面板包括一不透光基板以及一藍寶石基板。不透光基板包含複數個第一畫素開口、複數個第二畫素開口與複數個第三畫素開口。第一畫素開口填充有紅色量子點材料,第二畫素開口填充有綠色量子點材料。藍寶石基板位於不透光基板上。藍寶石基板面對不透光基板的一第一表面,對應第一畫素開口具有複數個第一圓弧面,對應第二畫素開口具有複數個第二圓弧面,對應第三畫素開口具有複數個第三圓弧面。
基於上述,在本發明的色轉換面板與顯示器中,不透光基板的畫素開口可避免串光現象,且藍寶石基板的圓弧面可產生聚光效果,進而提升顯示品質。
圖1A至圖1F是依照本發明的一實施例的色轉換面板及顯示器的製程剖面示意圖。請參照圖1A,本實施例的色轉換面板及顯示器的製程中,首先提供一藍寶石基板120。接著請參照圖1B,使用蝕刻製程或其他適當方式在藍寶石基板120的第一表面S12上形成多個第一圓弧面S12A、多個第二圓弧面S12B與多個第三圓弧面S12C。為了方便說明,圓弧面的數量在此都僅繪示出以一個。
然後請參照圖1C,例如以磊晶製程或其他適當的方式在藍寶石基板120的第一表面S12上形成不透光基板110。不透光基板110的材質可以是多晶矽、金屬或其他不透光的材質,不透光指的是對可見光具有低穿透度。本實施例中,第一圓弧面的內凹面S12A、第二圓弧面S12B的內凹面與第三圓弧面S12C的內凹面朝向不透光基板110。
接著請參照圖1D,例如以離子反應蝕刻製程或其他適當的方式在不透光基板110形成多個第一畫素開口P12、多個第二畫素開口P14與多個第三畫素開口P16。為了方便說明,畫素開口的數量在此都僅繪示出以一個。每個第一畫素開口P12的位置對應一個第一圓弧面S12A,每個第二畫素開口P14的位置對應一個第二圓弧面S12B,每個第三畫素開口P16的位置對應一個第三圓弧面S12C。
接著請參照圖1E,選擇性地,在第一圓弧面S12A、第二圓弧面S12B與第三圓弧面S12C定義出的空間內形成多個高折射材質層130。高折射材質層130位於第一圓弧面S12A與第一畫素開口P12之間、第二圓弧面S12B與第二畫素開口P14之間以及第三圓弧面S12C與第三畫素開口P16之間。
接著請參照圖1F,在第一畫素開口P12內填入紅色量子點材料R10,在第二畫素開口P14內填入綠色量子點材料G10。此外,也可選擇性地在第三畫素開口P16內填入藍色量子點材料B10。在其他實施例中,第三畫素開口P16內也可不填入固態的材料,或者可以填入透光性較佳的高分子材料或其他適當材料等。在其他實施例中,不透光基板110的第一畫素開口P12、第二畫素開口P14與第三畫素開口P16的內壁面上,可以配置反射層(未繪出),反射層的材質為金屬或其他高反射的材質。如此,就大致完成本實施例的色轉換面板100。另外,也可選擇性地在藍寶石基板120遠離不透光基板110的一第二表面S14上配置一分佈式布拉格反射(distributed Bragg reflecting)層140。
然後,將色轉換面板100與一發光畫素陣列面板52結合,就大致完成本實施例的顯示器50。
本實施例的顯示器50包括發光畫素陣列面板52以及色轉換面板100。發光畫素陣列面板52具有多個發光元件52A。發光元件可為無機發光二極體晶片或有機發光二極體晶片,發光元件的尺寸在微米等級,發光元件的尺寸可在100微米以下,發光元件的邊長可在100微米以下,發光元件可為微發光二極體(micro LED)。色轉換面板100配置於發光畫素陣列面板52上。色轉換面板100包括不透光基板110以及藍寶石基板120。不透光基板110包含多個第一畫素開口P12、多個第二畫素開口P14與多個第三畫素開口P16。第一畫素開口P12填充有紅色量子點材料R10,第二畫素開口P14填充有綠色量子點材料G10。藍寶石基板120位於不透光基板110上。藍寶石基板120面對不透光基板110的第一表面S12,對應第一畫素開口P12具有多個第一圓弧面S12A,對應第二畫素開口P14具有多個第二圓弧面S12B,對應第三畫素開口P16具有多個第三圓弧面S12C。
在本實施例的顯示器50與色轉換面板100中,發光元件52A發出的光線例如入射第一畫素開口P12內的紅色量子點材料R10。然後,紅色量子點材料R10將光線轉換為紅光後放出。紅光通過第一圓弧面S12A時會被折射而產生聚光的效果,進而減少入射到鄰近的次畫素的紅光的量,也就是減少串光的現象。類似地,發光元件52A發出的光線例如入射第二畫素開口P14內的綠色量子點材料G10。綠色量子點材料G10放出的綠光通過第二圓弧面S12B時也會被折射而產生聚光的效果,進而減少入射到鄰近的次畫素的綠光的量。發光元件52A發出的光線例如入射第三畫素開口P16內的藍色量子點材料B10。藍色量子點材料B10放出的藍光通過第三圓弧面S12C時也會被折射而產生聚光的效果,進而減少入射到鄰近的次畫素的藍光的量。
由於採用了在不透光基板110形成的第一畫素開口P12、第二畫素開口P14與第三畫素開口P16,因此可以避免不同的色光在第一畫素開口P12、第二畫素開口P14與第三畫素開口P16之間串光。此外,第一圓弧面S12A、第二圓弧面S12B與第三圓弧面S12C也產生聚光的效果,進而減少離開第一圓弧面S12A、第二圓弧面S12B與第三圓弧面S12C的色光發生串光。並且,因為藍寶石基板120的加工較為容易,也降低了本實施例的顯示器50與色轉換面板100的製程時間與成本。
高折射材質層130的折射率例如是介於1.7與2.0之間。在本實施例中,高折射材質層130的折射率例如是介於量子點材料的折射率與藍寶石基板120的折射率之間。高折射材質層130有助於提升第一圓弧面S12A、第二圓弧面S12B與第三圓弧面S12C所產生的聚光的效果。
分佈式布拉格反射層140可以避免環境光進入顯示器50而激發量子點材料發出不符合需求的光線,且分佈式布拉格反射層140也可以避免非設計波段的光線從顯示器50向外射出。
本實施例的發光元件52A是以發出藍光為例,但本發明不以此為限。當發光元件52A發出藍光時,即使第三畫素開口P16內不填入藍色量子點材料B10,而是保持真空或僅填入氣體,或者是填入透光性較佳的高分子材料或其他適當材料等,離開第三畫素開口P16的光線仍是藍光。因此,仍可以達成彩色顯示的目的。在其他實施例,發光元件52A是以發出紫外光,第三畫素開口P16內則須填入藍色量子點材料B10,以將紫外光轉換成藍色波段的可見光。
圖2A至圖2F是依照本發明的另一實施例的色轉換面板及顯示器的製程剖面示意圖。請參照圖2F,本實施例的顯示器60及色轉換面板200與圖1F的顯示器50及色轉換面板100相似,在此主要說明兩者的差異處。並且,圖1F的實施例中應用於本實施例時不會有衝突的各種附加技術方案,也都可以應用於本實施例。
請參照圖2A,本實施例的色轉換面板及顯示器的製程中,首先提供相結合的藍寶石基板220與氮化鎵層150A。接著請參照圖2B,使用蝕刻製程或其他適當方式在藍寶石基板220的第一表面S22上形成多個第一圓弧面S22A、多個第二圓弧面S22B與多個第三圓弧面S22C。為了方便說明,圓弧面的數量在此都僅繪示出以一個。然後請參照圖2C,例如以磊晶製程或其他適當的方式在藍寶石基板220的第一表面S22上形成不透光基板110。不透光基板110的材質可以是多晶矽、金屬或其他不透光的材質。
接著請參照圖2D,例如以離子反應蝕刻製程或其他適當的方式在不透光基板110形成多個第一畫素開口P12、多個第二畫素開口P14與多個第三畫素開口P16。為了方便說明,畫素開口的數量在此都僅繪示出以一個。每個第一畫素開口P12的位置對應一個第一圓弧面S22A,每個第二畫素開口P14的位置對應一個第二圓弧面S22B,每個第三畫素開口P16的位置對應一個第三圓弧面S22C。
接著請參照圖2E,選擇性地,在第一畫素開口P12及第一圓弧面S22A定義出的空間內填入紅色量子點材料R10,在第二畫素開口P14及第二圓弧面S22B定義出的空間內填入綠色量子點材料G10。此外,也可選擇性地在第三畫素開口P16及第三圓弧面S22C定義出的空間內填入藍色量子點材料B10。在其他實施例中,第三畫素開口P16及第三圓弧面S22C定義出的空間內也可不填入固態的材料,或者可以填入透光性較佳的高分子材料或其他適當材料等。如此,就大致完成本實施例的色轉換面板200,標示於圖2F。
接著請參照圖2F,然後,將色轉換面板200與發光畫素陣列面板52結合,就大致完成本實施例的顯示器60。此外,還將氮化鎵層150A圖案化,以在藍寶石基板220遠離不透光基板110的表面上形成多個超透鏡(meta lens)150,對應第一畫素開口P12、第二畫素開口P14與第三畫素開口P16設置。超透鏡150是利用微結構的組合產生光學元件的效果。在此,超透鏡150用於對通過的光線產生聚光的效果,以進一步緩解串光現象。超透鏡150的材質為氮化鎵。
由於採用了在不透光基板110形成的第一畫素開口P12、第二畫素開口P14與第三畫素開口P16,因此可以避免不同的色光在第一畫素開口P12、第二畫素開口P14與第三畫素開口P16之間串光。此外,第一圓弧面S22A、第二圓弧面S22B與第三圓弧面S22C也產生聚光的效果,進而減少離開第一圓弧面S22A、第二圓弧面S22B與第三圓弧面S22C的色光發生串光。並且,因為藍寶石基板220的加工較為容易,也降低了本實施例的顯示器60與色轉換面板200的製程時間與成本。
在本實施例中,第一圓弧面S22A的弧度、第二圓弧面S22B的弧度與第三圓弧面S22C的弧度彼此不同。由於通過第一圓弧面S22A、第二圓弧面S22B與第三圓弧面S22C的色光的波段不同,所以可以藉由弧度的調整來使不同的色光都能各自得到最佳的折射角度而緩解串光現象。
圖3至圖7是依照本發明的另外五種實施例的色轉換面板及顯示器的剖面示意圖。
請參照圖3,本實施例的顯示器70A及色轉換面板300A與圖1F的顯示器50及色轉換面板100相似,在此主要說明兩者的差異處。並且,前面各實施例中應用於本實施例時不會有衝突的各種附加技術方案,也都可以應用於本實施例。本實施例的發光畫素陣列面板82更具有一隔光矩陣BM10,該BM10隔光矩陣具有多個透光開口P20A,對應發光元件82A。也就是,每個發光元件82A位於一個透光開口P20A內。因此,可以進一步緩解相鄰的發光元件82A之間的串光現象。此外,本實施例的發光元件82A朝向色轉換面板300A的一面為一圓弧面,以使發光元件82A發出的光線較不發散,也可以進一步緩解相鄰的發光元件82A之間的串光現象。
請參照圖4A,本實施例的顯示器70B1及色轉換面板300B1與圖1F的顯示器50及色轉換面板100相似,在此主要說明兩者的差異處。並且,前面各實施例中應用於本實施例時不會有衝突的各種附加技術方案,也都可以應用於本實施例。本實施例的色轉換面板300B1更包括一隔光矩陣BM20,配置於不透光基板110與藍寶石基板120之間。隔光矩陣BM20具有多個透光開口P20B,對應第一畫素開口P12、第二畫素開口P14與第三畫素開口P16。也就是,紅色量子點材料R10填入第一畫素開口P12、透光開口P20B及第一圓弧面S12A定義出的空間,綠色量子點材料G10填入第二畫素開口P14、透光開口P20B及第二圓弧面S12B定義出的空間,藍色量子點材料B10填入第三畫素開口P16、透光開口P20B及第三圓弧面S12C定義出的空間。隔光矩陣BM20可以進一步緩解第一畫素開口P12、第二畫素開口P14與第三畫素開口P16之間的串光現象。分佈式布拉格反射層140位於藍寶石基板120遠離不透光基板110的表面上,分佈式布拉格反射層140位於藍寶石基板120與超透鏡150之間。
請參照圖4B,本實施例的顯示器70B2及色轉換面板300B2與圖4A的顯示器70B1及色轉換面板300B1相似,在此主要說明兩者的差異處。並且,前面各實施例中應用於本實施例時不會有衝突的各種附加技術方案,也都可以應用於本實施例。本實施例的色轉換面板300B2的分佈式布拉格反射層140A對應於第三畫素開口P16可具有開口142,讓通過第三圓弧面S12C的藍光可不經過分佈式布拉格反射層140A。
在未繪示的實施例中,分佈式布拉格反射層140A不具有開口142,但在對應於第三畫素開口P16的部分可具有減薄設計,讓通過第三圓弧面S12C的藍光所經過的分佈式布拉格反射層140A的厚度較薄。在另一未繪示的實施例中,分佈式布拉格反射層140A可被圖案化,只對應於第一畫素開口P12和第二畫素開口P14設置,而沒有對應第一畫素開口P12和第二畫素開口P14的位置則沒有設置分佈式布拉格反射層140A。在另一未繪示的實施例中,分佈式布拉格反射層140A可被圖案化,使分佈式布拉格反射層140A覆蓋於第一畫素開口P12與第二畫素開口P14之上,而不覆蓋於第三畫素開口P16之上。
請參照圖5,本實施例的顯示器70C及色轉換面板300C與圖1F的顯示器50及色轉換面板100相似,在此主要說明兩者的差異處。並且,前面各實施例中應用於本實施例時不會有衝突的各種附加技術方案,也都可以應用於本實施例。本實施例的顯示器70C更包括一隔光矩陣BM30,配置於發光畫素陣列面板52與色轉換面板300C之間。隔光矩陣BM30具有多個透光開口P20C,對應第一畫素開口P12、第二畫素開口P14與第三畫素開口P16。也就是,各個發光元件52A產生的光先通過對應的透光開口P20C後才進入對應的第一畫素開口P12、第二畫素開口P14與第三畫素開口P16。隔光矩陣BM30可以進一步緩解相鄰的發光元件52A之間的串光現象。
請參照圖6,本實施例的顯示器70D及色轉換面板300D與圖1F的顯示器50及色轉換面板100相似,在此主要說明兩者的差異處。並且,前面各實施例中應用於本實施例時不會有衝突的各種附加技術方案,也都可以應用於本實施例。本實施例的色轉換面板300D更包括多個微透鏡160,位於藍寶石基板120遠離不透光基板110的第二表面S24上,對應第一畫素開口P12、第二畫素開口P14與第三畫素開口P16設置。微透鏡160用於對通過的光線產生聚光的效果,以進一步緩解串光現象。可透過圖案化圖2E的氮化鎵層150A以形成多個微透鏡160。微透鏡160的材質為氮化鎵。在其他實施例,在藍寶石基板120遠離不透光基板110的表面上可具有分佈式布拉格反射層,分佈式布拉格反射層140位於藍寶石基板120與微透鏡160之間。
請參照圖7,本實施例的顯示器70E及色轉換面板300E與圖1F的顯示器50及色轉換面板100相似,在此主要說明兩者的差異處。並且,前面各實施例中應用於本實施例時不會有衝突的各種附加技術方案,也都可以應用於本實施例。本實施例的藍寶石基板320的第一圓弧面S32A的內凹面、第二圓弧面S32B的內凹面與第三圓弧面S32C的內凹面背向不透光基板110A。此外,不透光基板110A的第一畫素開口P12A、第二畫素開口P14A與第三畫素開口P16A的內壁上,可以配置反射層112A,反射層的材質為金屬或其他高反射的材質,以進一步降低當光經過量子點材料時因為色轉換造成的光發散現象。在其他實施例,反射層112也可以僅配置在第一畫素開口P12A和第二畫素開口P14A的內壁面上。
綜上所述,在本發明的色轉換面板與顯示器中,不透光基板的畫素開口可避免串光現象,且藍寶石基板的圓弧面可產生聚光效果,進而提升顯示品質。
50,60,70A,70B1,70B2,70C,70D,70E:顯示器
52,82:發光畫素陣列面板
52A,82A:發光元件
100,200,300A,300B1,300B2,300C,300D,300E:色轉換面板
110,110A:不透光基板
112A:金屬層
120,220,320:藍寶石基板
130:高折射材質層
140,140A:分佈式布拉格反射層
142:開口
150:超透鏡
150A:氮化鎵層
160:微透鏡
P12,P12A:第一畫素開口
P14,P14A:第二畫素開口
P16,P16A:第三畫素開口
R10:紅色量子點材料
G10:綠色量子點材料
B10:藍色量子點材料
S12,S22:第一表面
S14,S24:第二表面
S12A,S22A,S32A:第一圓弧面
S12B,S22B,S32B:第二圓弧面
S12C,S22C,S32C:第三圓弧面
P20A,P20B,P20C:透光開口
BM10,BM20,BM30:隔光矩陣
圖1A至圖1F是依照本發明的一實施例的色轉換面板及顯示器的製程剖面示意圖。
圖2A至圖2F是依照本發明的另一實施例的色轉換面板及顯示器的製程剖面示意圖。
圖3至圖7是依照本發明的另外六種實施例的色轉換面板及顯示器的剖面示意圖。
50:顯示器
52:發光畫素陣列面板
52A:發光元件
100:色轉換面板
110:不透光基板
120:藍寶石基板
130:高折射材質層
140:分佈式布拉格反射層
P12:第一畫素開口
P14:第二畫素開口
P16:第三畫素開口
R10:紅色量子點材料
G10:綠色量子點材料
B10:藍色量子點材料
S12:第一表面
S14:第二表面
S12A:第一圓弧面
S12B:第二圓弧面
S12C:第三圓弧面
Claims (20)
- 一種色轉換面板,包括:一不透光基板,該不透光基板包含複數個第一畫素開口、複數個第二畫素開口與複數個第三畫素開口,其中該些第一畫素開口填充有紅色量子點材料,該些第二畫素開口填充有綠色量子點材料;以及一藍寶石基板,位於該不透光基板上,其中該藍寶石基板面對該不透光基板的一第一表面,對應該些第一畫素開口具有複數個第一圓弧面,對應該些第二畫素開口具有複數個第二圓弧面,對應該些第三畫素開口具有複數個第三圓弧面。
- 如請求項1所述的色轉換面板,更包括複數個超透鏡(metalens),位於該藍寶石基板遠離該不透光基板的一第二表面,對應該些第一畫素開口、該些第二畫素開口與該些第三畫素開口設置。
- 如請求項1所述的色轉換面板,更包括複數個微透鏡(micro lens),位於該藍寶石基板遠離該不透光基板的一第二表面上,對應該些第一畫素開口、該些第二畫素開口與該些第三畫素開口設置。
- 如請求項1所述的色轉換面板,更包括一分佈式布拉格反射層,配置於該藍寶石基板的該第二表面上。
- 如請求項1所述的色轉換面板,其中該些第一圓弧面的弧度與該些第二圓弧面的弧度不相同。
- 如請求項1所述的色轉換面板,更包含複數個高折射材質層,位於該些第一圓弧面與該些第一畫素開口之間、該些第二圓弧面與該些第二畫素開口之間以及該些第三圓弧面與該些第三畫素開口之間,該些高折射材質層的折射率介於1.7與2.0之間。
- 如請求項1所述的色轉換面板,其中該些第一圓弧面的內凹面、該些第二圓弧面的內凹面與該些第三圓弧面的內凹面朝向該不透光基板。
- 如請求項1所述的色轉換面板,其中該些第一圓弧面的內凹面、該些第二圓弧面的內凹面與該些第三圓弧面的內凹面背向該不透光基板。
- 如請求項1所述的色轉換面板,更包括一隔光矩陣,配置於該不透光基板與該藍寶石基板之間,其中該隔光矩陣具有複數個透光開口,對應該些第一畫素開口、該些第二畫素開口與該些第三畫素開口。
- 一種顯示器,包括:一發光畫素陣列面板,具有複數個發光元件;一色轉換面板,配置於該發光畫素陣列面板上,且包括:一不透光基板,該不透光基板包含複數個第一畫素開口、複數個第二畫素開口與複數個第三畫素開口,其中該些第一畫素開口填充有紅色量子點材料,該些第二畫素開口填充有綠色量子點材料;以及一藍寶石基板,位於該不透光基板上,其中該藍寶石基 板面對該不透光基板的一第一表面,對應該些第一畫素開口具有複數個第一圓弧面,對應該些第二畫素開口具有複數個第二圓弧面,對應該些第三畫素開口具有複數個第三圓弧面。
- 如請求項10所述的顯示器,其中該色轉換面板更包括複數個超透鏡,位於該藍寶石基板遠離該不透光基板的一第二表面上,對應該些第一畫素開口、該些第二畫素開口與該些第三畫素開口設置。
- 如請求項10所述的顯示器,其中該色轉換面板更包括複數個微透鏡,位於該藍寶石基板遠離該不透光基板的一第二表面上,對應該些第一畫素開口、該些第二畫素開口與該些第三畫素開口設置。
- 如請求項10所述的顯示器,其中該色轉換面板更包括一分佈式布拉格反射層,配置於該藍寶石基板的該第二表面上。
- 如請求項10所述的顯示器,其中該色轉換面板更包含複數個高折射材質層,位於該些第一圓弧面與該些第一畫素開口之間、該些第二圓弧面與該些第二畫素開口之間以及該些第三圓弧面與該些第三畫素開口之間,該些高折射材質層的折射率介於1.7與2.0之間。
- 如請求項10所述的顯示器,其中該些第一圓弧面的內凹面、該些第二圓弧面的內凹面與該些第三圓弧面的內凹面朝向該不透光基板。
- 如請求項10所述的顯示器,其中該些第一圓弧面的內凹面、該些第二圓弧面的內凹面與該些第三圓弧面的內凹面背向該不透光基板。
- 如請求項10所述的顯示器,其中該色轉換面板更包括一隔光矩陣,配置於該不透光基板與該藍寶石基板之間,該隔光矩陣具有複數個透光開口,對應該些第一畫素開口、該些第二畫素開口與該些第三畫素開口。
- 如請求項10所述的顯示器,更包括一隔光矩陣,配置於該發光畫素陣列面板與該色轉換面板之間,其中該隔光矩陣具有複數個透光開口,對應該些第一畫素開口、該些第二畫素開口與該些第三畫素開口。
- 如請求項10所述的顯示器,其中該發光畫素陣列面板更具有一隔光矩陣,該隔光矩陣具有複數個透光開口,對應該些發光元件,該些發光元件位於該些透光開口內。
- 如請求項10所述的顯示器,其中該些發光元件朝向該色轉換面板的一面為一圓弧面。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111141246A TWI857379B (zh) | 2022-10-28 | 2022-10-28 | 色轉換面板與顯示器 |
| JP2022198658A JP7523199B2 (ja) | 2022-10-28 | 2022-12-13 | 色変換パネル及びディスプレイ装置 |
| US18/082,540 US12477871B2 (en) | 2022-10-28 | 2022-12-15 | Color conversion panel and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111141246A TWI857379B (zh) | 2022-10-28 | 2022-10-28 | 色轉換面板與顯示器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202418577A TW202418577A (zh) | 2024-05-01 |
| TWI857379B true TWI857379B (zh) | 2024-10-01 |
Family
ID=90834409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111141246A TWI857379B (zh) | 2022-10-28 | 2022-10-28 | 色轉換面板與顯示器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12477871B2 (zh) |
| JP (1) | JP7523199B2 (zh) |
| TW (1) | TWI857379B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190252579A1 (en) * | 2016-06-30 | 2019-08-15 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting element and method for manufacturing same |
| TW202122833A (zh) * | 2019-10-03 | 2021-06-16 | 美商瑞爾D斯帕克有限責任公司 | 具被動式光學奈米結構的照明設備 |
| TW202132871A (zh) * | 2020-02-21 | 2021-09-01 | 群創光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
| CN113782561A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-10 | 厦门大学 | 一种高亮度高可靠性的Micro-LED显示装置 |
| US20220158038A1 (en) * | 2020-11-18 | 2022-05-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627317A (ja) * | 1992-01-08 | 1994-02-04 | Nippon Steel Corp | カラーフィルタの製造方法 |
| JP3925341B2 (ja) | 2002-07-30 | 2007-06-06 | 豊田合成株式会社 | 結晶成長基板及び半導体発光素子の製造方法 |
| JP2006165041A (ja) | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Toshiba Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
| EP2356701A2 (en) | 2008-11-13 | 2011-08-17 | 3M Innovative Properties Company | Electrically pixelated luminescent device incorporating optical elements |
| US20110031516A1 (en) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer |
| US8771577B2 (en) | 2010-02-16 | 2014-07-08 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting device with molded wavelength converting layer |
| KR101011757B1 (ko) | 2010-04-09 | 2011-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| US8508830B1 (en) | 2011-05-13 | 2013-08-13 | Google Inc. | Quantum dot near-to-eye display |
| TWI726849B (zh) | 2015-09-03 | 2021-05-11 | 迎輝科技股份有限公司 | 光學膜,具有該光學膜的發光裝置,及具有該發光裝置的顯示器 |
| JP2017175004A (ja) | 2016-03-24 | 2017-09-28 | ソニー株式会社 | チップサイズパッケージ、製造方法、電子機器、および内視鏡 |
| KR102399464B1 (ko) | 2017-06-27 | 2022-05-19 | 주식회사 루멘스 | 엘이디 패널 |
| TWI827564B (zh) | 2017-11-17 | 2024-01-01 | 美商康寧公司 | 量子點顯示器以及製造量子點顯示器的方法 |
| US10748879B2 (en) | 2018-02-28 | 2020-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image display device and display |
| JP2019179111A (ja) | 2018-03-30 | 2019-10-17 | Jsr株式会社 | 表示素子用積層体、及び隔壁形成用組成物 |
| US11990574B2 (en) | 2019-03-08 | 2024-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device |
| JP7075437B2 (ja) | 2019-04-23 | 2022-05-25 | シャープ株式会社 | 画像表示素子 |
| US11588137B2 (en) | 2019-06-05 | 2023-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, display device, input/output device, and data processing device |
| JP7484457B2 (ja) | 2019-06-12 | 2024-05-16 | 東レ株式会社 | マイクロledディスプレイ装置 |
| JP7282620B2 (ja) | 2019-07-04 | 2023-05-29 | シャープ福山レーザー株式会社 | 画像表示素子 |
| KR102817715B1 (ko) | 2019-12-19 | 2025-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 |
| JP7618962B2 (ja) | 2020-03-05 | 2025-01-22 | Toppanホールディングス株式会社 | カラーフィルタ基板及び表示装置 |
| CN111490061A (zh) | 2020-06-01 | 2020-08-04 | 深圳市奥视微科技有限公司 | 一种防串扰Micro-LED显示屏及其制造方法 |
| CN111627951B (zh) | 2020-06-10 | 2024-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
| CN111710770B (zh) | 2020-06-29 | 2021-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
| CN111769109B (zh) | 2020-06-30 | 2022-02-18 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| JP2022118915A (ja) | 2021-02-03 | 2022-08-16 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタおよび表示装置 |
| CN113178513B (zh) | 2021-04-29 | 2023-01-03 | 上海天马微电子有限公司 | 一种发光器件、显示面板和显示装置 |
| CN216053106U (zh) | 2021-07-01 | 2022-03-15 | 北京极豪科技有限公司 | 一种指纹识别模组及电子设备 |
-
2022
- 2022-10-28 TW TW111141246A patent/TWI857379B/zh active
- 2022-12-13 JP JP2022198658A patent/JP7523199B2/ja active Active
- 2022-12-15 US US18/082,540 patent/US12477871B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190252579A1 (en) * | 2016-06-30 | 2019-08-15 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting element and method for manufacturing same |
| TW202122833A (zh) * | 2019-10-03 | 2021-06-16 | 美商瑞爾D斯帕克有限責任公司 | 具被動式光學奈米結構的照明設備 |
| TW202132871A (zh) * | 2020-02-21 | 2021-09-01 | 群創光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
| US20220158038A1 (en) * | 2020-11-18 | 2022-05-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN113782561A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-10 | 厦门大学 | 一种高亮度高可靠性的Micro-LED显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7523199B2 (ja) | 2024-07-26 |
| JP2024064922A (ja) | 2024-05-14 |
| TW202418577A (zh) | 2024-05-01 |
| US12477871B2 (en) | 2025-11-18 |
| US20240145641A1 (en) | 2024-05-02 |
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