TWI788241B

TWI788241B - 發光裝置

Info

Publication number: TWI788241B
Application number: TW111110109A
Authority: TW
Inventors: 林子傑
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2022-03-18
Filing date: 2022-03-18
Publication date: 2022-12-21
Also published as: CN115425018A; TW202339301A

Abstract

一種發光裝置，包括電路基板、第一發光二極體、第一量子點材料層、第一彩色濾光層以及半穿反層。第一發光二極體電性連接至電路基板。第一量子點材料層包覆第一發光二極體。第一彩色濾光層重疊於第一量子點材料層。半穿反層位於第一量子點材料層與第一彩色濾光層之間。

Description

發光裝置

本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種包括發光二極體的發光裝置。

發光二極體是一種電致發光的半導體元件，具有效率高、壽命長、不易破損、反應速度快、可靠性高等優點。隨著大量的時間與金錢的投入，發光二極體的尺寸逐年縮小，然而，要將發光二極體使用於發光裝置的畫素結構中仍有困難，尤其是在單個畫素就具有紅色子畫素、綠色子畫素及藍色子畫素的發光裝置中，單個子畫素的尺寸很小，不論是在製造符合小尺寸子畫素的發光二極體或是在轉置所述發光二極體時都有製程良率低的問題。在一些彩色發光裝置中，於單個畫素中設置相同顏色的發光二極體，接著再於發光二極體上不同顏色的量子點材料。量子點材料可以轉化發光二極體所發出的光的顏色，因此，不需要於單個畫素中設置不同顏色的發光二極體。

本發明提供一種發光裝置，能改善發光裝置發光效率不足的問題。

本發明的至少一實施例提供一種發光裝置。發光裝置包括電路基板、第一發光二極體、第一量子點材料層、第一彩色濾光層以及半穿反層。第一發光二極體電性連接至電路基板。第一量子點材料層包覆第一發光二極體。第一彩色濾光層重疊於第一量子點材料層。半穿反層位於第一量子點材料層與第一彩色濾光層之間。

圖1是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。

請參考圖1，發光裝置1包括電路基板10、第一發光二極體L1、第一量子點材料層324、第一彩色濾光層344以及半穿反層330。在本實施例中，發光裝置1還包括第二發光二極體L2、第二量子點材料層326、第二彩色濾光層346、第三發光二極體L3、第一透明覆蓋層328、第二透明覆蓋層348、擋牆結構300以及遮光層310。

第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3電性連接至電路基板10的接墊（圖1省略繪示）。第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3可為任意形式的微型發光二極體，例如垂直式發光二極體或水平式發光二極體。在一些實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3包括相同顏色的發光二極體（例如皆為藍色發光二極體），但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3包括不同顏色的發光二極體。舉例來說，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3分別包括綠色發光二極體、紅色發光二極體以及藍色發光二極體。

第一量子點材料層324包覆第一發光二極體L1。第一量子點材料層324適用於將第一發光二極體L1所發出的光轉變為具有第一波長λ ₁的光。舉例來說，第一量子點材料層324包括綠色量子點材料層，且第一量子點材料層324適用於將第一發光二極體L1發出藍光轉變為具有第一波長λ ₁的綠光。在一些實施例中，第一量子點材料層324包括有機材料以及分布於前述有機材料中的第一量子點材料顆粒。

第一彩色濾光層344重疊於第一量子點材料層324。第一彩色濾光層344適用於使第一量子點材料層324所發出的光線通過，並過濾其他顏色的光線，藉此實現高色純度及廣色域之目的。舉例來說，第一彩色濾光層344為綠色濾光層，且可以用於過濾未被第一量子點材料層324轉換成綠光的部分藍光（第一發光二極體L1所發出之藍光），藉此提升綠光的純度。

第二量子點材料層326包覆第二發光二極體L2。第二量子點材料層326適用於將第二發光二極體L2所發出的光轉變為具有第二波長λ ₂的光。舉例來說，第二量子點材料層326包括紅色量子點材料層，且第二量子點材料層326適用於將第二發光二極體L2發出藍光轉變為具有第二波長λ ₂的紅光。在一些實施例中，第二量子點材料層326包括有機材料以及分布於前述有機材料中的第二量子點材料顆粒。

第二彩色濾光層346重疊於第二量子點材料層326。第二彩色濾光層346適用於使第二量子點材料層326所發出的光線通過，並過濾其他顏色的光線，藉此實現高色純度及廣色域之目的。舉例來說，第二彩色濾光層346為紅色濾光層，且可以用於過濾未被第二量子點材料層326轉換成紅光的部分藍光（第二發光二極體L2所發出之藍光），藉此提升紅光的純度。

第一透明覆蓋層328包覆第三發光二極體L3。第二透明覆蓋層348重疊於第一透明覆蓋層328。在本實施例中，第三發光二極體L3所發出之光線可以穿過第一透明覆蓋層328以及第二透明覆蓋層348。舉例來說，第三發光二極體L3所發出之藍光可以穿過第一透明覆蓋層328以及第二透明覆蓋層348。在本實施例中，第一透明覆蓋層328以及第二透明覆蓋層348並非彩色濾光層或量子點材料層，但本發明不以此為限。在其他實施例中，以藍色量子點材料層以及藍色濾光層取代第一透明覆蓋層328以及第二透明覆蓋層348，其中藍色量子點材料層包覆第三發光二極體L3，且藍色濾光層重疊於藍色量子點材料層。

半穿反層330位於第一量子點材料層324與第一彩色濾光層344之間、第二量子點材料層326與第二彩色濾光層346之間以及第一透明覆蓋層328與第二透明覆蓋層348之間。在本實施例中，半穿反層330包括第一半穿反結構334、第二半穿反結構336以及第三半穿反結構338，其中第一半穿反結構334位於第一量子點材料層324與第一彩色濾光層344之間，第二半穿反結構336位於第二量子點材料層326與第二彩色濾光層346之間，且第三半穿反結構338位於第一透明覆蓋層328與第二透明覆蓋層348之間。在一些實施例中，第一半穿反結構334、第二半穿反結構336以及第三半穿反結構338彼此分離，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一半穿反結構334、第二半穿反結構336以及第三半穿反結構338彼此相連。

在本實施例中，第一半穿反結構334、第一量子點材料層324以及第一彩色濾光層344重疊於電路基板10的第一反射層214，第二半穿反結構336、第二量子點材料層326以及第二彩色濾光層346重疊於電路基板10的第二反射層216，且第三半穿反結構338、第一透明覆蓋層328以及第二透明覆蓋層348重疊於電路基板10的第三反射層218。

在本實施例中，第一發光二極體L1發出的部分光線Lg1被第一量子點材料層324轉化為綠光後穿過第一半穿反結構334以及第一彩色濾光層344，第二發光二極體L2發出的部分光線Lr1被第二量子點材料層326轉化為紅光後穿過第二半穿反結構336以及第二彩色濾光層346。第三發光二極體L3發出的部分光線Lb1穿過第一透明覆蓋層328、第三半穿反結構338以及第二透明覆蓋層348。

在本實施例中，第一發光二極體L1發出的另一部分光線Lg2被第一半穿反結構334所反射，接著再被第一反射層214所反射，並穿過第一量子點材料層324、第一半穿反結構334以及第一彩色濾光層344。第二發光二極體L2發出的另一部分光線Lr2被第二半穿反結構336所反射，接著再被第二反射層216所反射，並穿過第二量子點材料層326、第二半穿反結構336以及第二彩色濾光層346。第三發光二極體L3發出的另一部分光線Lb2被第三半穿反結構338所反射，接著再被第三反射層218所反射，並穿過第一透明覆蓋層328、第三半穿反結構338以及第二透明覆蓋層348。

在一些實施例中，半穿反層330包括金屬材料（例如鎂、銀、鋁或前述金屬的組合或前述金屬的合金）、有機材料、其他合適的材料或上述材料的組合。在一些實施例中，半穿反層330包括鎂與銀的合金，且鎂與銀的比例為9:1，半穿反層330的厚度約為50Å至500Å。在一些實施例中，形成半穿反層330的方法包括蒸鍍。

在本實施例中，藉由第一反射層214、第二反射層216以及第三反射層218的設置，可以減少背面漏光的問題。此外，半穿反層330可以增加光線在量子點材料層中的行進距離，藉此提升量子點材料層的光轉換效率。

在本實施例中，部份外界的光線可以穿過半穿反層330，藉此避免散射對顯示畫面造成不良影響。此外，即使外界的光線在穿過半穿反層330後被第一反射層214、第二反射層216以及第三反射層218所反射，在離開發光裝置1前還會被彩色濾光元件所吸收，因此可以減少外界的光線被反射後對顯示畫面造成的影響。

擋牆結構300環繞第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3。在本實施例中，擋牆結構300包括第一凹槽304、第二凹槽306以及第三凹槽308。第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3分別位於第一凹槽304、第二凹槽306以及第三凹槽308中。第一量子點材料層324填入第一凹槽304中。第二量子點材料層326填入第二凹槽306中。第一透明覆蓋層328填入第三凹槽308中。在本實施例中，第一量子點材料層324、第二量子點材料層326以及第一透明覆蓋層328被擋牆結構300分離。

在一些實施例中，擋牆結構300包括固化的光阻材料。在一些實施例中，擋牆結構300中包含散射顆粒或反射顆粒（例如碳或二氧化鈦）或其他材料。

遮光層310位於擋牆結構300上。遮光層310例如為黑矩陣。遮光層310包括第一開口314、第二開口316以及第三開口318。第一開口314、第二開口316以及第三開口318分別重疊於擋牆結構300的第一凹槽304、第二凹槽306以及第三凹槽308。第一彩色濾光層344重疊於第一開口314。第二彩色濾光層346重疊於第二開口316。第二透明覆蓋層348重疊於第三開口318。在本實施例中，第一彩色濾光層344、第二彩色濾光層346以及第二透明覆蓋層348被遮光層310分離，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一彩色濾光層344、第二彩色濾光層346以及第二透明覆蓋層348覆蓋遮光層310的頂面，且第一彩色濾光層344、第二彩色濾光層346以及第二透明覆蓋層348彼此接觸。

在一些實施例中，遮光層310的底面的寬度等於擋牆結構300的頂面的寬度，且遮光層310覆蓋擋牆結構300的整個頂面，但本發明不以此為限。在其他實施例中，遮光層310的底面的寬度小於擋牆結構300的頂面的寬度，且遮光層310未覆蓋擋牆結構300的部分頂面。在一些實施例中，遮光層310包括固化的光阻材料。在一些實施例中，遮光層310中包含黑色顆粒（例如碳）。在一些實施例中，遮光層310與擋牆結構300中皆包含黑色顆粒，其中遮光層310中的黑色顆粒的含量大於擋牆結構300中的黑色顆粒的含量。

圖2是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖2的發光裝置2與圖1的發光裝置1的主要差異在於：發光裝置2的半穿反層330夾在緩衝層之間。

請參考圖2，發光裝置2包括第一底緩衝層354、第二底緩衝層356、第三底緩衝層358、第一頂緩衝層364、第二頂緩衝層366以及第三頂緩衝層368。

第一底緩衝層354位於第一量子點材料層324與半穿反層330的第一半穿反結構334之間，第一頂緩衝層364位於第一彩色濾光層344與半穿反層330的第一半穿反結構334之間。換句話說，第一半穿反結構334位於第一底緩衝層354以及第一頂緩衝層364之間。

第二底緩衝層356位於第二量子點材料層326與半穿反層330的第二半穿反結構336之間，第二頂緩衝層366位於第二彩色濾光層346與半穿反層330的第二半穿反結構336之間。換句話說，第二半穿反結構336位於第二底緩衝層356以及第二頂緩衝層366之間。

第三底緩衝層358位於第三量子點材料層328與半穿反層330的第三半穿反結構338之間，第三頂緩衝層368位於第三彩色濾光層348與半穿反層330的第三半穿反結構338之間。換句話說，第三半穿反結構338位於第三底緩衝層358以及第三頂緩衝層368之間。

在本實施例中，第一底緩衝層354、第二底緩衝層356以及第三底緩衝層358彼此分離，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一底緩衝層354、第二底緩衝層356、第三底緩衝層358彼此相連。在本實施例中，第一頂緩衝層364、第二頂緩衝層366以及第三頂緩衝層368彼此分離，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一頂緩衝層364、第二頂緩衝層366以及第三頂緩衝層368彼此相連。

在一些實施例中，第一底緩衝層354、第二底緩衝層356、第三底緩衝層358、第一頂緩衝層364、第二頂緩衝層366以及第三頂緩衝層368為透明無機層，其材料例如包括含氫或不含氫的氮化矽層、氧化矽層、氮氧化矽層或其他合適的材料。

在本實施例中，緩衝層可以增加半穿反層對量子點材料層以及彩色濾光層之間的附著性，藉此減少出現剝離問題的機率。

圖3是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖3的發光裝置3與圖1的發光裝置1的主要差異在於：發光裝置3的第一半穿反結構334、第二半穿反結構336以及第三半穿反結構338彼此相連。

請參考圖3，遮光層310例如形成於半穿反層330以及擋牆結構300上。部分半穿反層330位於擋牆結構300以及遮光層310之間。

圖4是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖4的發光裝置4與圖1的發光裝置1的主要差異在於：發光裝置4的第一彩色濾光層344、第二彩色濾光層346以及第二透明覆蓋層348覆蓋遮光層310的頂面，且第一彩色濾光層344、第二彩色濾光層346以及第二透明覆蓋層348彼此接觸。

請參考圖4，遮光層310的底面的寬度小於擋牆結構300的頂面的寬度，且遮光層310未覆蓋擋牆結構300的部分頂面。第一彩色濾光層344、第二彩色濾光層346以及第二透明覆蓋層348包覆遮光層310的側面與遮光層310的頂面。

圖5是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖5，發光裝置5的電路基板10包括基板100、第一絕緣層110、第二絕緣層120、第三絕緣層130、第四絕緣層140、第五絕緣層150、多個主動元件200、第一反射層214、第二反射層216、第三反射層218、第一連接層224、第二連接層226以及第三連接層228、多個第一接墊P1以及多個第二接墊P2。

基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料）或是其他可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在載板B2上覆蓋一層絕緣層（未繪示），以避免短路問題。

第一絕緣層110形成於基板100上。多個主動元件200形成於第一絕緣層110上。主動元件200包括通道層202、閘極204、源極208與汲極206。閘極204重疊於通道層202，且閘極204與通道層202之間夾有第二絕緣層120。第三絕緣層130覆蓋閘極204，且源極208與汲極206位於第三絕緣層130上，且分別電性連接至通道層202。

雖然在本實施例中，主動元件200是以頂部閘極型的薄膜電晶體為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，主動元件200也可以是底部閘極型或其他類型的薄膜電晶體。

第四絕緣層140位於第三絕緣層130、源極208與汲極206上。第一反射層214、第二反射層216以及第三反射層218、第一連接層224、第二連接層226以及第三連接層228位於第四絕緣層140上。在一些實施例中，第一反射層214、第二反射層216以及第三反射層218、第一連接層224、第二連接層226以及第三連接層228屬於相同導電層。在一些實施例中，第一反射層214、第二反射層216、第三反射層218、第一連接層224、第二連接層226以及第三連接層228的材料包括金屬。在一些實施例中，第一反射層214、第二反射層216以及第三反射層218為浮置（Floating），但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一反射層214、第二反射層216以及第三反射層218分別連接第一連接層224、第二連接層226以及第三連接層228。

第五絕緣層150位於第四絕緣層140、第一反射層214、第二反射層216、第三反射層218、第一連接層224、第二連接層226以及第三連接層228上。多個第一接墊P1以及多個第二接墊P2位於第五絕緣層150上。在一些實施例中，第一接墊P1以及第二接墊P2的材料包括透明導電材料，例如銦錫氧化物。

多個第一接墊P1透過第一連接層224、第二連接層226以及第三連接層228而分別電性連接至對應的主動元件200。

第一發光二極體L1、第二發光二極體L2以及第三發光二極體L3分別電性連接至對應的第一接墊P1以及對應的第二接墊P2。

在本實施例中，第一反射層214與第一半穿反結構334之間具有第一共振腔，第一共振腔的厚度H1為nλ ₁/2，其中λ ₁為第一量子點材料層324所發出的光的波長，且n為1至100的正整數。在一些實施例中，λ ₁為485 nm至588 nm。

第二反射層216與第二半穿反結構336之間具有第二共振腔，第二共振腔的厚度H2為mλ ₂/2，其中λ ₂為第二量子點材料層326所發出的光的波長，且m為1至100的正整數。在一些實施例中，λ ₂為589 nm至780 nm。

在本實施例中，第三反射層218與第三半穿反結構338之間的距離H3、第一共振腔的厚度H1以及第二共振腔的厚度H2彼此不同。在本實施例中，藉由調整共振腔的厚度可增強發光裝置5發出的光線的強度，並能提高光線的色純度。

圖6是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖6，第一反射層214、第二反射層216、第三反射層218、第一連接層224、第二連接層226以及第三連接層228作為電路基板10的接墊，且位於電路基板10的表面。

在本實施例中，第一發光二極體L1電性連接至第一反射層214以及第一連接層224，第二發光二極體L2電性連接至第二反射層216以及第二連接層226，且第三發光二極體L3電性連接至第三反射層218以及第三連接層228。

綜上所述，在使用發光裝置時，外界的光線可以穿過半穿反層，藉此避免光線散射對顯示畫面造成不良影響。此外，即使外界的光線在穿過半穿反層後被反射層所反射，在離開發光裝置前還會被彩色濾光元件所吸收，因此可以減少外界的光線被反射後對顯示畫面造成的影響。此外，半穿反層的設置可以增加光線在量子點材料層中的行進距離，藉此提升量子點材料層的光轉換效率。

1 ,2 ,3, 4, 5, 6:發光裝置 10:電路基板 100:基板 110:第一絕緣層 120:第二絕緣層 130:第三絕緣層 140:第四絕緣層 150:第五絕緣層 200:主動元件 202:通道層 204:閘極 206:汲極 208:源極 214:第一反射層 216:第二反射層 218:第三反射層 224:第一連接層 226:第二連接層 228:第三連接層 300:擋牆結構 304:第一凹槽 306:第二凹槽 308:第三凹槽 310:遮光層 314:第一開口 316:第二開口 318:第三開口 324:第一量子點材料層 326:第二量子點材料層 328:第一透明覆蓋層 330:半穿反層 334:第一半穿反結構 336:第二半穿反結構 338:第三半穿反結構 344:第一彩色濾光層 346:第二彩色濾光層 348:第二透明覆蓋層 354:第一底緩衝層 356:第二底緩衝層 358:第三底緩衝層 364:第一頂緩衝層 366:第二頂緩衝層 368:第三頂緩衝層 H1, H2:厚度 H3:距離 L1:第一發光二極體 L2:第二發光二極體 L3:第三發光二極體 Lb1, Lb2, Lg1, Lg2, Lr1, Lr2:光線 P1:第一接墊 P2:第二接墊

圖1是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。圖2是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。圖3是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。圖4是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。圖5是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。圖6是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。

1:發光裝置

10:電路基板

214:第一反射層

216:第二反射層

218:第三反射層

300:擋牆結構

304:第一凹槽

306:第二凹槽

308:第三凹槽

310:遮光層

314:第一開口

316:第二開口

318:第三開口

324:第一量子點材料層

326:第二量子點材料層

328:第一透明覆蓋層

330:半穿反層

334:第一半穿反結構

336:第二半穿反結構

338:第三半穿反結構

344:第一彩色濾光層

346:第二彩色濾光層

348:第二透明覆蓋層

L1:第一發光二極體

L2:第二發光二極體

L3:第三發光二極體

Lb1,Lb2,Lg1,Lg2,Lr1,Lr2:光線

Claims

一種發光裝置，包括：一電路基板；一第一發光二極體，電性連接至該電路基板；一第一量子點材料層，包覆該第一發光二極體；一第一彩色濾光層，重疊於該第一量子點材料層；一半穿反層，位於該第一量子點材料層與該第一彩色濾光層之間；以及一擋牆結構，環繞該第一發光二極體，其中該第一量子點材料層填入該擋牆結構的一第一凹槽中；以及一遮光層，位於該擋牆結構上，其中該第一彩色濾光層重疊於該遮光層的一第一開口。
如請求項1所述的發光裝置，更包括：一第二發光二極體，電性連接至該電路基板；一第二量子點材料層，包覆該第二發光二極體，其中該第一量子點材料層與該第二量子點材料層分別包括綠色量子點材料層與紅色量子點材料層；一第二彩色濾光層，重疊於該第二量子點材料層，其中該第一彩色濾光層與該第二彩色濾光層分別包括綠色濾光層與紅色濾光層，其中該半穿反層包括一第一半穿反結構以及一第二半穿反結構，該第一半穿反結構位於該第一量子點材料層與該第一彩色濾光層之間，且該第二半穿反結構位於該第二量子點材料層與該第二彩色濾光層之間。
如請求項2所述的發光裝置，更包括：一第三發光二極體，電性連接至該電路基板；一第一透明覆蓋層，包覆該第三發光二極體；一第二透明覆蓋層，重疊於該第一透明覆蓋層，其中該半穿反層更包括一第三半穿反結構，該第三半穿反結構位於該第一透明覆蓋層與該第二透明覆蓋層之間。
如請求項3所述的發光裝置，其中該第一半穿反結構、該第二半穿反結構以及該第三半穿反結構彼此分離。
如請求項3所述的發光裝置，其中該第一半穿反結構、該第二半穿反結構以及該第三半穿反結構彼此相連。
如請求項2所述的發光裝置，其中該電路基板包括：一第一反射層，重疊於該第一量子點材料層，其中該第一反射層與該第一半穿反結構之間具有一第一共振腔，該第一共振腔的厚度為nλ₁/2，其中λ₁為該第一量子點材料層所發出的光的波長，且n為1至100的正整數；以及一第二反射層，重疊於該第二量子點材料層，其中該第二反射層與該第二半穿反結構之間具有一第二共振腔，該第二共振腔的厚度為mλ₂/2，其中λ₂為該第二量子點材料層所發出的光的波長，且m為1至100的正整數。
如請求項1所述的發光裝置，其中該半穿反層包括金屬材料或有機材料。
如請求項1所述的發光裝置，更包括：一第一底緩衝層，位於該第一量子點材料層與該半穿反層之間；以及一第一頂緩衝層，位於該第一彩色濾光層與該半穿反層之間。
如請求項1所述的發光裝置，其中部分該半穿反層位於該擋牆結構與該遮光層之間。