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TWI856005B - 雷射引發前向傳送(lift)沉積設備及方法 - Google Patents

雷射引發前向傳送(lift)沉積設備及方法 Download PDF

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TWI856005B
TWI856005B TW108104444A TW108104444A TWI856005B TW I856005 B TWI856005 B TW I856005B TW 108104444 A TW108104444 A TW 108104444A TW 108104444 A TW108104444 A TW 108104444A TW I856005 B TWI856005 B TW I856005B
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葛里 澳汀諾福
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荷蘭商荷蘭Ｔｎｏ自然科學組織公司
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Abstract

本發明提供一種沉積方法，其中一施體基板與一目標基板相對而配置，該施體基板具有一表面，而該表面係面對該目標基板且具備一黏性施體材料。一光束經由該施體基板被導引至該施體材料，以便釋放該施體材料且藉此朝向該目標基板傳送該施體材料作為一噴射。在本文所提供之方法中，一輸入信號被接收，該輸入信號指定了該噴射待呈現之一形狀，藉由該噴射，該施體材料可被傳送且該光束之一能量曲線分佈相應地得到控制。另外或替代地，該光束之該能量曲線分佈可根據一圖案得到控制，該施體材料將根據該圖案沉積於該目標基板上。同樣地，本發明提供一相應之沉積設備。

Description

雷射引發前向傳送(LIFT)沉積設備及方法
本發明係關於一種沉積設備。
本發明仍進一步係關於一種沉積方法。
雷射引發前向傳送(LIFT)為新興的高解析度技術，其中施體材料自施體源基板傳送至目標基板。LIFT使得在不使用噴嘴之情況下沉積廣範圍之結構及功能材料為可能的。在此技術中，光束經導引通過施體基板至施體基板上之施體材料層。光束之輻射能量具有的效果是，一部分的施體材料被釋放且傳送至目標基板之表面。此使得以下情況成為可能：在目標基板之表面處形成諸如導電軌道或導電連接的導電元件，或填充在目標基板內部之矽穿孔(TSV)。
舉例而言，WO2011/145930提出晶片晶粒TSV處理設備，該設備經配置以用於晶片製造過程中之晶片晶粒中之TSV的處理。已知之設備專用於後一目的。應進一步注意，WO 2009/081355 A2係關於直接寫入方法。其中，光學總成經組配來導引寫入雷射及追蹤雷射。載體具有材料層及追蹤層。載體可相對於光學總成移動，使得 當材料層藉由寫入雷射激勵時，直接寫入經提供至載體下方之表面。追蹤層包括可讀資料，該資料用以控制光學總成及載體之位置中的一者。
仍應進一步注意，US 2003/178395 A1揭示用於小型結構之製造的設備，該設備包括基板、能夠產生能量或高能束之能量源、可移位地安置於在能量源與基板之間所形成之間隙中的材料載體元件、支撐於材料載體元件之背襯材料上的沉積層，及經由通訊鏈路操作性地耦接至能量源且經由通訊鏈路操作性地耦接至材料載體元件的控制單元。或者，控制單元可操作性地耦接至基板。
實際應用常常為更複雜的，因為目標基板之表面可能並非平坦的，而可具有邊緣。可能進一步需要提供具有相互不同類型之導電元件的目標基板，不僅包括目標基板表面處之電連接，而且包括呈填料之形式以形成矽穿孔(TSV)的電連接。需要更適用於此等更複雜應用之設備及方法。
根據上文所提及之需要，本發明之第一目標為提供經更好地組配以用於上文所提及的應用中之一或多者的沉積方法。
根據上文所提及之需要，本發明之第二目標為提供經更好地組配以用於上文所提及的應用中之一或多者的沉積設備。
根據第一目標，本發明提供了如請求項1所 請求的經改良設備，且根據第二目標，本發明提供了如請求項9所請求的經改良方法。
與自先前技術已知之方法及設備相反，光束不僅僅定位至施體基板中之會有施體材料從其處射出的一位置，而且另外，射束之一空間能量分佈被控制以提供施體材料之傳送作為一噴射。詳言之，此係藉由「根據規格資料而以該噴射待呈現之一形狀為基礎，來控制具有實質上非對稱空間分佈的光束」而達成，藉此增加該方法之通用性。應注意，該空間能量分佈在本文中定義為：用來傳送一部分之施體材料的輻射劑量之輻射能量分佈。該空間能量分佈係由功率密度分佈在供應劑量之時間間隔上的一積分所引起。功率密度分佈可在此時間間隔之期間內調變，但或可保持恆定。
在所請求之沉積方法中，藉由所請求之設備，光束之強度曲線分佈(intensity profile)經故意地控制來判定施體材料的多個部分自施體基板射出之方式。在經由施體基板導引光束後，一力型式(force pattern)即施加至具有一空間分佈、而該空間分佈對應於空間能量分佈的施體材料。
在射出後，所射出材料即具有一動量型式(momentum pattern)，而該動量型式對應於藉由光束引發之力型式。在光束具有相對高強度之數個位置處，與光束具有相對低強度之數個位置處相比，黏性施體材料被加速至一較高速度。結果，所射出材料在施體基板與目標基板 之間的空間之行進期間發生了變形。
在一實施例中，力型式源自於施體材料之蒸發，而該施體材料係藉由所吸收光束之輻射被加熱。在另一實施例中，此力型式源自於一中間層之材料的蒸發，而該中間層配置於基板與施體材料層之間，該中間層亦表示為動態釋放層DRL。力型式之本質進一步取決於曝露於射束之持續時間。若光輻射經提供為在相對低功率下具有相對長之持續時間的脈衝，則與光輻射經提供為在相對高功率下具有相對短之持續時間的脈衝之狀況下相比，將獲得更平滑之一空間力分佈。根據對施體材料之噴射之形狀具有最佳控制，脈衝持續時間較佳地處於皮秒範圍中，例如在10至500ps之範圍中。然而，替代性實施例係可能的，其中脈衝持續時間可為較長的，例如在具有較大表面積之施體材料有一部分將射出的狀況下。目前，良好的實驗結果係以處於ns範圍中之脈衝持續時間達成，亦即，具有約10ns之持續時間。脈衝之相對長的持續時間使施體材料自施體基板之相對大區域射出。因此，經施加以射出施體材料之脈衝的持續時間，在作為改變輻射束之大小的替代或是除了改變輻射束之大小以外，可用作控制參數以決定施體基板中之將要射出之面積的大小。亦可預期提供具有一系列相對短脈衝之脈衝序列，例如具有幾個ns之總持續時間的脈衝序列，其包含了具有幾十或幾百pc之持續時間的多個脈衝。
黏性施體材料被視為具有相對高黏度之非 固體材料，例如在1-10Pas之範圍中。在此情形下，相對高之黏度被理解為：足夠低來實現材料的所射出部分之形狀變形的黏度。另一方面，材料之黏度應為足夠高的，以避免在所射出材料自施體基板之表面移動至目標基板之表面的時間間隔中，有著材料形狀之過快改變。
實際上，施體材料之表面張力證明為僅具有次要重要性。若表面張力相對低，例如低於約20dyn/cm，那麼特別是對於較厚施體層而言，噴射可具有分化的趨勢。此可藉由以下方式來避免：使用一空間能量分佈來射出施體材料，而該空間能量分佈在圍繞其光軸的一環形區中所具有的一平均能量密度，係高於在該環形區之一內邊界內的一平均能量密度。
應進一步注意，施體材料之流變性質可藉由添加劑或溶劑來修改，以獲得諸如剪切增稠(shear-thickening)、剪切稀化(shear-thinning)、觸變(thixotropic)、流變增黏(rheopectic)、或賓漢塑性(Binghan plastic)行為。特別是，具有剪切稀化行為之施體材料為有利的。具有此行為之施體材料具有隨著剪切應變之速率而減小的黏度。剪切稀化施體材料保持為施體基板上之穩定層，但在沉積時為相對容易形變的(morphed)。
10:施體基板
12:施體表面
14:施體材料
14j:噴射
20:目標基板
22:目標表面
30:光束/射束
30r:環形區
30ri:內邊界
32:光軸
34:交點
100:沉積設備
105:墊片或隔片
110:施體基板載體
120:目標基板載體
130:光束產生器
131:主光源
134:第一旋轉三稜鏡/射束成形器
135:第二旋轉三稜鏡/射束成形器
138:射束導引器
140、150:定位裝置
160、300:控制器
200:另外光源/另外輔助源
210:延遲元件
220:額外組件
230:顯微鏡
240:相機
310:回饋控制單元
320:記憶體單元
DS:規格資料
S130:射束產生器控制信號
S140、S150:位置控制信號
St1、St2:觸發信號
Sfb:觀測資料
參看圖式更詳細地描述此等及其他態樣。其中：圖1示意性地展示了根據第一實施例之沉積設備， 圖1A示意性地展示了沉積設備之第二實施例的部分，圖2示意性地展示了根據第三實施例之沉積設備，圖2A更詳細地展示了此實施例之部分，圖3A及圖3AA更詳細地展示了所應用之強度曲線分佈的實例，其中圖3AA展示與施體基板重合之x-y平面中之輻射束的強度分佈且圖3A之主圖式展示沿著平行於y軸線之虛線的強度分佈，圖3B展示了在輻射束之撞擊不久之後拍攝的施體材料之噴射的圖片，圖4A至圖4G示意性地展示了在如圖4中所示之強度分佈被使用時，射出施體材料在時間上的噴射發展，圖5B展示了在一系列實驗中，使用圖5A、圖5AA之強度分佈的射出施體材料在一固定時間點的噴射形狀，圖6B展示了在一系列實驗中，使用圖6A、圖6AA之強度分佈的射出施體材料在一固定時間點的噴射形狀。
各圖式中之相似參考符號指出了相似元件，除非另外指示。
圖1示意性地展示沉積設備100之實施例，以將來自施體基板10之施體表面12的具有黏彈性性質之施體材料14沉積於目標基板20的目標表面22上。取決於應用，施體材料14可經提供為，例如，施體表面12上之幾微米至幾百微米的層。舉例而言，該層可具有幾十微米之厚度，例如40微米。
如圖1中所示之設備100包含目標基板載體120以攜載目標基板20，及施體基板載體110以攜載與目標基板20相對的施體基板10。目標基板20及施體基板10經攜載而施體表面12及目標表面22彼此面對。目標基板20可經固持於距施體基板10一距離處，其可在幾十微米達至幾毫米之範圍中，且在極限狀況下，施體基板及目標基板可甚至置放為相隔幾釐米。
施體材料為黏彈性材料，通常為膏狀材料。此等材料不會容易地分解為單獨的小滴。舉例而言，含有Cu或Ag奈米或微米粒子之高金屬負載的黏性油墨及膏，或導電黏著劑可被使用。
該設備進一步包含光束產生器130來產生光束30，光束30將經導引通過施體基板10朝向施體材料14。光束具有光軸32，光軸32在目標表面22中具有交點34。該設備包括定位裝置150來控制交點34之位置。如圖1中所示，該設備可藉由控制光束產生器130投射射束之位置而在此實施例中控制交點的位置。或者，該設備可包括定位裝置來控制目標基板之位置。在再另一實施例中，該設備可包括定位裝置150及用於目標基板之目標基板定位裝置。舉例而言，可包含目標基板定位裝置，用於交點34之位置之過程定位；以及定位裝置150，用於精細定位之目的。定位裝置150可例如為快速射束調變器，諸如電流鏡、多角鏡、聲光或電光調變器。
在所示實施例中，該設備進一步包括定位裝 置140來定位施體基板載體110。
如圖1中所示，該設備進一步包含控制器160來分別控制光束產生器130及定位裝置140、150的操作。
在沉積設備100之操作狀態中，控制器160經組配來接收規格資料DS，該規格資料DS指定施體材料在目標表面22上之所要空間分佈。規格資料DS可例如自記憶體單元擷取，或經由通訊通道而自主機處理器擷取。規格資料可指定施體材料在目標基板20上之所要分佈，例如呈目標基板上之導電軌道的形式，作為電連接功能元件，該等元件作為填料來形成矽穿孔(TSV)。
在操作狀態中，控制器160產生了位置控制信號S140、S150以控制定位裝置140、150，及產生了射束產生器控制信號S130以根據規格資料DS所指定之空間分佈去控制光束產生器130的操作。回應於射束產生器控制信號S130，光束產生器130產生光束30。當光束30撞擊於施體基板上時，該光束使施體材料作為一噴射14j，而自施體表面12朝向目標表面22上之取決於位置控制信號S150的一位置傳送。
光束產生器130經進一步組配來產生光束30，而具有可控制之空間能量分佈之光束30使一部分的施體材料射出。此外，控制器160經組配來根據所接收之規格資料DS產生射束產生器控制信號S130，以控制空間能量分佈。
在實施例中，控制器160經組配來發出射束 產生器控制信號S130，射束產生器控制信號S130使光束產生器130產生了具有空間能量分佈之光束，該空間能量分佈在圍繞該光束之光軸的一環形區30r中所具有的一平均能量密度，係高於在該環形區之一內邊界30ri內的一平均能量密度。以此方式，達成了下述事項：與用高斯或均勻形狀射束之操作的狀況相比，射出材料更好地聚在一起。舉例而言，環形圖案可具有在1/10至1/5之範圍中的寬度/直徑比率，且直徑可為約50至500微米。舉例而言，輻射束環具有大約150微米之直徑及大約20微米的寬度。因此，在該實例中，輻射能量密度在具有110微米之直徑的內區域中為相對低的。
雷射注量/能量中之可導致穩定之好噴射的設定，係取決於層厚度。較厚之層通常需要更多能量，但允許更長且更穩定的噴射。若極高解析度為需要的，則施體層之較小厚度為推薦的，且因此，較低之雷射能量應被施加。雷射能量在此處定義為：用以自施體表面釋放一部分之施體材料的總能量。
或者或另外，控制器160可經組配來發出射束產生器控制信號S130，射束產生器控制信號S130使光束產生器130產生了具有實質上非對稱空間分佈之光束30。藉此，在目標基板上之邊緣處的施體材料之經改良覆蓋，係得以達成。在環形能量分佈中，環形射束例如在例如10至90度之角度部分中具有增大的強度，例如在約50度之區內。
圖1A展示替代性實施例之部分，其中施體基板10藉由墊片或隔片105相對於目標基板20維持於固定位置處。
圖2示意性地展示一總成，該總成包含沉積設備之實施例，及用於監視沉積設備之操作狀態中之沉積製程的監視設備。圖2A更詳細地展示沉積設備之一部分。
在所示實施例中，沉積設備之光束產生器包含主光源131來產生相干光輻射之射束，及射束成形器。在所示實施例中，主光源131為類型AVIA-335-4500之雷射。在此實例中，如圖2A中更詳細地展示，射束成形器包括第一旋轉三稜鏡134及第二旋轉三稜鏡135。射束成形器134、135係藉由來自控制器300之信號S130控制。控制器以自記憶體單元320所擷取之規格資料DS為基礎來控制設備。回應於控制信號130，沿著第一與第二旋轉三稜鏡之間的光學路徑之距離經設定來按比例縮放環形射束的大小。此外，非對稱強度曲線分佈可藉由移位旋轉三稜鏡中之一者來獲得，例如在遠離光軸之方向上移位第二旋轉三稜鏡。可提供額外光學元件，諸如射束導引器138及將射束聚焦於施體基板10上之一或多個其他光學元件。
或者，可提供另一類型之射束成形器，諸如數位微鏡裝置(DMD)。在再其他實施例中，射束成形器可整合於光源中，例如在充當光源的雷射之空腔內部。
在所示實施例中，監視設備經提供作為一種影相術配置，其包含輻射之另外光源200、具有顯微鏡230 及相機240之顯微相機配置。另外光源200產生輔助射束，該輔助射束經由包括了朝向該顯微相機配置之噴射之軌跡的環境而根據一光學路徑被導引。藉此，該光學路徑在橫向於將要射出之噴射之軌跡的方向上延伸。替代性監視設備可被考慮，其中噴射係用反射成像來觀測。
控制器300經提供，其在用觸發信號St2啟動主光源131之前用觸發信號St1啟動另外光源200。另外光源200可與光學路徑中之延遲元件210合作來監視在時間上之不同點的噴射。或者或另外，一可控制延遲可藉由「選擇介於數個時間點之間、而在該等時間點上有觸發信號St1、St2發出的時間間隔」來達成。又，可使用視訊相機，其以信號St1觸發後即記錄單一循環中之噴射的完整發展。在所示實施例中，監視設備包括額外組件220來調節輔助射束。在此狀況下，螢光元件將另外輔助源200所發出之UV輻射轉換為可見輻射。或者，呈現可見光譜中之輻射的替代性輔助輻射源可被使用，或適用於UV成像的顯微相機配置可被使用。額外組件220可進一步包括如透鏡之元件。
在圖2中所示之實施例中，設備包含回饋控制單元310，來根據觀測資料Sfb調適控制器300對所接收規格資料DS的回應。在所示實施例中，觀測資料Sfb為自相機240所獲得之噴射觀測資料，所傳送施體材料之噴射的發展藉由相機240被觀測到。
或者或另外，可包括一目標監視設備以提供 目標觀測資料，該目標觀測資料指出了作為觀測資料的在目標表面上之經沉積施體材料的所觀測性質。
實驗係使用具有高金屬負載之黏性銀奈米粒子油墨來執行。特定言之，所使用之油墨具有約35dyn/cm之表面張力、約70% ww之金屬負載，及約6Pa的靜力黏度。
圖3A及圖3AA更詳細地展示所應用之強度曲線分佈的實例。詳言之，圖3AA展示與施體基板重合之x-y平面中之輻射束的強度分佈，且圖3A之主圖式展示沿著平行於y軸線之虛線的強度分佈。強度係以W/cm2表達且y位置係以mm表示。圖3B更詳細地展示在射束30撞擊於施體材料上不久之後的噴射14j。應注意，在此狀況下，如將通常發生之狀況，空間強度分佈在施加輻射脈衝之時間間隔中不改變。因此，能量分佈簡單地為強度分佈與時間間隔之持續時間的乘積。
在圖3AA中，可見光束之強度分佈為實質上環形的。在所示實例中，輻射束環具有大約150微米之直徑及大約20微米的寬度。如圖3A之主部分中進一步展示，非對稱係存在的，原因在於環束在一定界於自y軸線約-25度至約25度之間的角度部分中，具有增大的強度。在圖3A、圖3AA中所示之實例中，增大之強度的此區中的最大強度為約150W/cm2。在剩餘部分中，環中之最大值在50至60W/cm2之範圍中。
在射出後，所射出材料之噴射14j即具有對 應於藉由光束引發之力型式的動量型式，且如圖3B中可見，所射出材料之噴射根據此動量型式而形變。因此，如下文之實例中進一步說明，噴射可藉由產生具有非對稱能量分佈之光束而在特定方向上可控制地導引，原因在於射束之能量在對應於該特定方向的一側處為相對高的。此為令人驚訝的，發現在噴墨沉積方法中控制方向為極複雜的。其中，材料之表面張力的效應，具有與最初射出材料之動量型式(慣性)之效應相同的數量級。因為材料之表面張力的效應有著在遠離最高強度之側的方向上導引所射出材料的趨勢，且此等效應具有相當的強度，所以其中之方向控制為複雜的。可期望的是，歸因於盛行於LIFT處理中之小尺寸，在本申請案中，慣性之效應為甚至更小的，藉此使方向控制為不可能的。然而，如上文所觀測，在光束之能量分佈的非對稱與噴射之方向之間，發現了一個清楚的關係，而所射出材料之表面張力在此製程中僅具有次要重要性。
圖4A至圖4G示意性地展示了由於曝露於具有如圖4中所示之強度曲線分佈的輻射束，因而有射出黏性施體材料之噴射的後續發展階段。圖4A至圖4G為在曝露發生之時間點之後，分別於5μs、10μs、15μs、20μs、25μs、30μs、35μs拍攝的顯微照片圖。顯微照片圖係用圖2中呈現之配置獲得。如在圖4A至圖4G之此序列中可見，施體材料可自施體表面之相對表面區域射出且可控制地導引至目標上的相對小的表面區域。藉此，亦可能使施 體材料傳送作為長的噴射，從而在施體基板與目標基板之間的橋接達到幾個cm之距離。此實現了廣範圍之應用，範圍自薄組件及相對厚組件的面朝上整合(face-up integration)，乃至於保形印刷(conformal printing)。
如圖5A、圖5AA、圖5B及圖6A、圖6AA及圖6B中所示，噴射之形狀，及藉此沉積施體材料之圖案可藉由能量分佈可再生地控制。
作為第一實例，圖5A、圖5AA再次展示了如在圖3A、圖3AA中之能量分佈，其重複施加在一系列實驗(a)至(f)中。對於此等實驗中之每一者，圖5B展示了在曝露於光束之後35μs之時間點所觀測到的施體材料之噴射。如在此等系列之顯微照片中可見，噴射之形狀的任何變化幾乎不可見。
作為第二實例，圖6A、圖6AA展示了使用圖3A、圖3AA之相同表示及比例的另一能量分佈，其亦重複地施加於一系列實驗(a)至(f)中。對於此等實驗中之每一者，圖6B展示了在曝露於光束之後35μs之時間點所觀測到的施體材料之噴射。如在此等系列之顯微照片中可見，噴射之極崎嶇形狀被精確地再生。
概述之，在如所請求之裝置的操作中，沉積方法被執行。其中，施體基板10配置為與目標基板20相對。施體基板10具有具備黏性施體材料14的面對目標基板20之表面12。施體材料14，特別是在一升高溫度下，具有黏彈性性質。使施體基板10及目標基板20如此配置，產生 了光束30，且經由施體基板10導引至施體材料14，以便釋放施體材料及朝向目標基板傳送施體材料而作為一噴射14j。在所請求之方法中，一輸入信號被接收，該輸入信號指定了該噴射待呈現之形狀，施體材料可在該噴射中被傳送，且光束之能量曲線分佈係基於所指定之形狀來控制。或者或另外，光束之能量曲線分佈可基於針對一圖案、而施體材料將以該圖案沉積於目標基板上的規格來控制。
儘管本發明已在圖式及前述描述中詳細地說明及描述，但此說明及描述將被視為說明性或示範性而非限制性的；本發明不限於所揭示之實施例。詳言之，除非自上下文清楚，否則在單獨論述之各種實施例中處理的各種實施例之態樣被認為以相關性與實際可能性之任何組合變化來揭示，且本發明之範疇延伸至此等組合。對所揭示實施例之其他變化可被理解，且藉由熟習此項技術者在實踐所請求之發明時、自圖式之研究、揭示內容及所附申請專利範圍來理解。在申請專利範圍中，詞「包含」不排除其他元件或步驟，且不定冠詞「一」不排除多個。單一單元可實現在申請專利範圍中敘述之若干項目的功能。某些措施以相互不同之附屬請求項來敘述的這一事實，並不表示此等措施之組合不可加以利用。申請專利範圍中之任何參考符號不應解釋為限制範疇。
10‧‧‧施體基板
12‧‧‧施體表面
14‧‧‧施體材料
14j‧‧‧噴射
20‧‧‧目標基板
22‧‧‧目標表面
30‧‧‧光束/射束
32‧‧‧光軸
34‧‧‧交點
100‧‧‧沉積設備
110‧‧‧施體基板載體
120‧‧‧目標基板載體
130‧‧‧光束產生器
140、150‧‧‧定位裝置
160‧‧‧控制器
DS‧‧‧規格資料
S130‧‧‧射束產生器控制信號
S140、S150‧‧‧位置控制信號

Claims (11)

  1. 一種沉積設備(100)，其將來自一施體基板(10)之一施體表面(12)的具有黏性性質之施體材料(14)沉積於一目標基板(20)的一目標表面(22)上，該設備包含：攜載該目標基板(20)之一目標基板載體(120)及攜載該施體基板(10)之一施體基板載體(110)，該施體基板與該目標基板(20)相對而該施體表面(12)及該目標表面(22)彼此面對；一光束產生器(130)，其產生一光束(30)，該光束將被導引通過該施體基板(10)朝向該施體材料(14)，該光束具有一光軸(32)，該光軸在該目標表面(22)中具有一交點(34)；一定位裝置(150)，其控制該交點(34)之一位置；一控制器(160)，其控制該光束產生器(130)之操作，且控制該定位裝置(150)，其中在該沉積設備(100)之一操作狀態中，該控制器(160)經組配來接收規格資料(DS)，而該規格資料指定了施體材料在該目標表面(22)上之一所要空間分佈，其中該控制器(160)產生一位置控制信號(S140、S150)以控制該定位裝置，及產生一射束產生器控制信號(S130)以根據該所要空間分佈去控制該光束產生器之操作，且其中該光束產生器(130)回應於該射束產生器控制信號而產生該光束(30)，以使施體材料自該施體表面(12)朝向該目標表面 (22)上之取決於該位置控制信號(S140、S150)的一位置傳送；其中該光束產生器(130)經進一步組配來以一可控制之空間能量分佈去產生該光束(30)以射出施體材料的一部分，且其中該控制器(160)經組配來根據所接收之該規格資料(DS)去產生該射束產生器控制信號(S130)以控制該空間能量分佈，其特徵在於，該光束產生器(130)經組配來產生一光束，而該光束導致該施體材料作為一噴射被傳送，該控制器(160)經組配來根據該規格資料而以該噴射待呈現之一形狀為基礎，來控制該光束產生器(130)以產生出具有一實質上非對稱空間分佈的該光束。
  2. 如請求項1之沉積設備，其中該控制器(160)經組配來發出一射束產生器控制信號(S130)，該射束產生器控制信號使該光束產生器(130)產生出具有一空間能量分佈之該光束，而該空間能量分佈在圍繞該光束之光軸的一環形區(30r)中所具有的一平均能量密度，係高於在該環形區之一內邊界(30ri)內的一平均能量密度。
  3. 如請求項1至2中任一項之沉積設備，其中該光束產生器包含一光輻射源(131)及一射束成形器(134、135)。
  4. 如請求項3之沉積設備，其中該射束成形器包括成對的一第一旋轉三稜鏡(134)及一第二旋轉三稜鏡(135)。
  5. 如請求項1或2之沉積設備，其進一步 包含一回饋控制單元(310)，該回饋控制單元根據觀測資料來調適該控制器(300)對於所接收之該規格資料的一回應。
  6. 如請求項5之沉積設備，其進一步包含：提供噴射觀測資料之一噴射監視設備，該噴射觀測資料指出了作為觀測資料的經傳送施體材料之該噴射的一觀測到的發展。
  7. 如請求項5之沉積設備，其進一步包含：提供目標觀測資料之一目標監視設備，該目標觀測資料指出了作為觀測資料的在該目標表面上之經沉積施體材料的所觀測性質。
  8. 一種沉積方法，其包含以下步驟：與一目標基板相對而配置一施體基板，該施體基板具有一表面，而該表面係面對該目標基板且具備一黏性施體材料，該施體材料在一升高溫度下具有黏彈性性質，產生一光束，且經由該施體基板將該光束導引至該施體材料，以便釋放該施體材料且朝向該目標基板傳送該施體材料，接收一輸入信號，且基於該輸入信號來控制該光束之一能量曲線分佈；其特徵為：產生該光束以傳送該施體材料作為一噴射，該光束根據該輸入信號中之一規格而基於該噴射待呈現之一形狀，可控制地被產生而具有一實質上非對稱空間分佈。
  9. 如請求項8之沉積方法，其中該施體材 料為一剪切稀化物質。
  10. 如請求項8或9之沉積方法，其進一步包含：獲得噴射觀測資料，該噴射觀測資料指出了經傳送施體材料之該噴射的一觀測到的發展；及基於該輸入信號所指定的該噴射之一形狀、與該噴射觀測資料所指出的該噴射之一形狀之間的一差異，來控制該光束之一強度曲線分佈。
  11. 如請求項8或9之沉積方法，其進一步包含：獲得目標觀測資料，該目標觀測資料指出了該目標基板的一目標表面上之經沉積施體材料的所觀測性質；及基於該輸入信號所指定的經沉積材料之一圖案、與該目標觀測資料所指出的經沉積材料之一圖案之間的一差異，來控制該光束之一強度曲線分佈。
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