TWI853065B - 擴片裝置 - Google Patents

Abstract

[課題] 即使在連續擴張多個被加工物單元的擴張片之情況下，也能消除擴張後之被加工物單元的擴張片的鬆弛以防止晶片損傷，並且能抑制接著要擴張之被加工物單元的冷卻不良。[解決手段] 一種擴片裝置1，具備：框架保持單元20，保持被加工物單元的環狀框架；冷卻工作台30，包含抵接面31，並抵接於以框架保持單元20所保持之被加工物單元的擴張片；擴張單元40，將擴張片擴張；加熱單元50，具有熱風噴射部52，該熱風噴射部對在被加工物的外周側與環狀框架的內周緣之間的擴張片噴射熱風；以及彎曲板90，配設於被加工物與熱風噴射部52之間，且具有朝向被加工物噴出空氣的噴出口，防止從熱風噴射部52噴射的熱風進入。

Description

擴片裝置

本發明是關於一種擴片裝置。

已知有一種加工方法，對在正面形成有元件的晶圓照射雷射光線，沿著分割預定線於內部形成改質層，並將晶圓所黏貼的擴張片（切割膠膜）擴張，藉此將改質層作為斷裂基點而分割成個別的晶片。

所述晶圓是黏貼有用於將分割後的元件固定在基板等的DAF（Die Attach Film，晶粒附接膜），並且藉由將擴張片擴張而謀求將DAF分割至每一個別的晶片。此情況下，已有人提出一種方法，在分割DAF時，為了使為延展性材料的DAF的分割性提升，例如使對應於DAF之區域的擴張片接觸冷卻板而冷卻DAF（例如，參照專利文獻1）。

另一方面，亦有人提出一種方法，為了防止已擴張的擴張片因鬆弛而導致相鄰的晶片彼此接觸而損傷，在擴張後，對在被加工物的外周與框架的內周之間的擴張片噴射熱風以加熱而使擴張片收縮（例如，參照專利文獻2）。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2006－049591號公報 [專利文獻2] 日本特開2011－077482號公報

[發明所欲解決的課題] 然而，專利文獻2所揭示的方法在收縮擴張片時，若噴射熱風則會導致亦加熱到冷卻板的周圍。因此，專利文獻2所揭示的方法例如在連續擴張多個被加工物單元的擴張片時，於擴張最初的被加工物單元的擴張片並加熱收縮後，擴張下一個被加工物單元的擴張片時，會有無法充分冷卻DAF的疑慮。專利文獻2所揭示的方法，當無法充分冷卻DAF時會有無法將DAF斷裂成每一晶片的疑慮。

本發明是鑑於此問題點而完成的發明，其目的在於提供一種擴片裝置，即使在連續擴張多個被加工物單元的擴張片之情況下，也能消除擴張後之被加工物單元的擴張片的鬆弛以防止晶片損傷，並且能抑制接著要擴張之被加工物單元的冷卻不良。

[解決課題的技術手段] 為了解決所述課題並達成目的，本發明的擴片裝置是將由被加工物、黏貼在被加工物的擴張片及擴張片的外周側所黏貼之環狀框架所組成的被加工物單元的該擴張片擴張，其特徵在於具備：框架保持手段，保持被加工物單元的環狀框架；冷卻工作台，包含對應於被加工物之尺寸的抵接面，並抵接於包含以該框架保持手段所保持的該環狀框架之該被加工物單元的該擴張片；擴張手段，將黏貼於以該框架保持手段所保持的該環狀框架的該擴張片擴張；加熱手段，具有熱風噴射部，該熱風噴射部面對在被加工物的外周側與該環狀框架的內周緣之間的該擴張片並噴射熱風；以及熱風進入防止手段，配設於該被加工物與該熱風噴射部之間，且具有朝向該被加工物噴出氣體的噴出口，防止從該熱風噴射部噴射的熱風進入。

所述擴片裝置也可為，該熱風進入防止手段面對被加工物，且形成為對應於該抵接面的尺寸，並包含具有翹曲以使得從被加工物的外周側往中央側中與被加工物之間的距離變遠的彎曲面，在該彎曲面形成有該噴出口，藉此在該彎曲面與被加工物之間形成空氣聚集。

[發明功效] 本申請的發明可發揮以下效果：即使在連續擴張多個被加工物單元的擴張片之情況下，也能消除擴張後之被加工物單元的擴張片的鬆弛以防止晶片損傷，並且能抑制接著要擴張之被加工物單元的冷卻不良。

關於用以實施本發明的方式（實施方式），一邊參照圖式一邊詳細地說明。本發明並非被記載於以下的實施方式之內容所限定者。此外，記載於以下的構成要素包含本領域具有通常知識者能想到者、實質上相同者。進一步，可將記載於以下的構成適當組合。此外，在不脫離本發明的主旨的範圍可進行各種省略、取代或變更。

[實施方式1] 根據圖式說明本發明之實施方式1的擴片裝置。圖1為表示實施方式1之擴片裝置的加工對象之被加工物單元的一例的立體圖。圖2為示意性地表示實施方式1之擴片裝置的構成例的剖面圖。圖3為示意性地表示圖2所示之擴片裝置的彎曲板等的剖面圖。

實施方式1的擴片裝置為將圖1所示之加工物單元200的被加工物201分割成個別的晶片202的裝置。在實施方式1中，加工對象的被加工物單元200為如圖1所示，具備：被加工物201；擴張片210，黏貼於被加工物201；及環狀框架211，黏貼有擴張片210的外周側。

被加工物201是將矽、藍寶石、砷化鎵或碳化矽（SiC）等作為基板203之圓板狀的半導體晶圓或光元件晶圓等的晶圓。被加工物201為如圖1所示，在以正面204之彼此交叉的多條分割預定線205所劃分的各區域分別形成有元件206。被加工物201是在正面204背側的背面207黏貼有擴張片210，且在擴張片210的外周黏貼有環狀框架211，並從背面207側沿著分割預定線205照射對基板203具有穿透性之波長的雷射光線，而在基板203的內部形成沿著分割預定線205之作為分割起點的改質層208。

被加工物201是將改質層208作為分割起點而沿著分割預定線205分割成個別的晶片202。晶片202具備基板203的一部分及形成於基板203之正面的元件206。

另外，改質層208是指其密度、折射率、機械強度及其它的物理特性成為與周圍不同之狀態的區域，可以舉例有熔融處理區域、裂痕區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域及混合所述區域的區域等。

擴張片210形成為直徑比被加工物201的外徑還大的圓板狀，其由具有伸縮性的樹脂所構成，且具有加熱會收縮的熱收縮性。

此外，在實施方式1中，被加工物單元200在被加工物201的基板203的背面207與擴張片210之間黏貼有圓板狀的DAF（Die Attach Film）212。DAF212是用於將晶片202固定在其他的晶片或是基板等的晶粒接合用的接著膜。在實施方式1中，DAF212是形成為直徑比被加工物201的外徑還大且比環狀框架211的內徑還小的圓板狀。DAF212被分割至每一個別的晶片。在分割後的晶片202中，DAF是被黏貼於晶片202之基板203的背面207。

實施方式1的擴片裝置1是將被加工物單元200的擴張片210擴張，並在將被加工物201分割成個別的晶片202的同時，將DAF212分割至每一晶片202的裝置。擴片裝置1為如圖2所示，具備：腔室10；框架保持單元20，為框架保持手段；冷卻工作台30；擴張單元40，為擴張手段；加熱單元50，為加熱手段；及控制單元100，為控制手段。

腔室10形成為箱狀，並容納有框架保持單元20、冷卻工作台30、擴張單元40以及為加熱手段的加熱單元50。腔室10在側壁11設置有開口12，通過開口12取出放入被加工物單元200。另外，開口12藉由開關門13進行開關。

框架保持單元20是保持並固定被加工物單元200的環狀框架211者。框架保持單元20具備框架載置板21及框架按壓板22。框架載置板21形成為內徑比環狀框架211的內徑再小一點且比被加工物201及DAF212的外徑還大，並且外徑比環狀框架211的外徑再大一點的圓環狀，上表面23為與水平方向平行且平坦地形成。框架載置板21是在上表面23載置被加工物單元200的環狀框架211。

此外，框架載置板21藉由擴張單元40的升降用汽缸42而設置為升降自如。框架載置板21安裝在升降用汽缸42之桿體45的前端，藉由桿體45伸縮而在腔室10內升降。另外，在實施方式1中，框架載置板21藉由升降用汽缸42，其圖2所示之上表面23從與開口12的下緣在水平方向大致並排的位置上升。

框架按壓板22形成為內徑比框架載置板21的內徑還小且比被加工物201及DAF212的外徑還大，並且外徑比環狀框架211的外徑再大一點的圓環狀，下表面24為與水平方向平行且平坦地形成。框架按壓板22設置在與框架載置板21成為同軸的位置，且在實施方式1中，配置於比框架載置板21還上方。在實施方式1中，框架按壓板22是下表面24配置於與開口12在水平方向大致並排的位置，且與位於下方的框架載置板21隔開間隔而配置。在實施方式1中，框架按壓板22在腔室10內是藉由滑動支撐構件25而被支撐為升降自如。在實施方式1中，框架按壓板22其圖2所示的下表面24藉由滑動支撐構件25而被支撐為可從配置於與開口12在水平方向大致並排位置的位置上升。

框架保持單元20是在藉由升降用汽缸42而定位於下方的框架載置板21的上表面23載置通過開口12而被插入腔室10內的被加工物單元200之環狀框架211。框架保持單元20是藉由升降用汽缸42使在上表面23載置有環狀框架211的框架載置板21上升，以將環狀框架211及擴張片210的外周側夾在框架載置板21與框架按壓板22之間，並於保持環狀框架211的同時，框架載置板21及框架按壓板22會從夾住環狀框架211及擴張片210的外周側之位置上升。此外，在實施方式1中，框架保持單元20在遍及框架按壓板22之下表面24的全周安裝有將與擴張片210之間密封的密封構件26。

此外，在實施方式1中，在框架保持單元20的框架按壓板22的下表面24之密封構件26的內周側設置有壓縮空氣吹出口63，該壓縮空氣吹出口63是透過設置於框架按壓板22之內部的供給路60、渦流管64及開關閥61而從壓縮空氣供給源62供給壓縮空氣。壓縮空氣吹出口63是遍及框架按壓板22的全周而設置。

冷卻工作台30包含對應於被加工物201之尺寸的抵接面31，且為與包含以框架保持單元20保持的環狀框架211之被加工物單元200的擴張片210抵接者。冷卻工作台30具備：厚的圓板狀之工作台本體32；冷卻單元33，冷卻工作台本體32；及工作台升降單元34。

工作台本體32在實施方式1中是由鋁合金所構成，外徑形成為比框架按壓板22之内徑還小，且被配置在框架按壓板22之內周的與框架按壓板22成為同軸的位置。工作台本體32的下表面是外徑與被加工物201之尺寸的外徑相對應的抵接面31。在實施方式1中，工作台本體32的外徑與DAF212的外徑相等，藉此為下表面的抵接面31之外徑會與為被加工物201之尺寸的外徑相對應。工作台本體32的抵接面31是隔著由框架保持單元20保持住環狀框架211的被加工物單元200之擴張片210及DAF212而與被加工物201的背面207對向。

此外，在工作台本台32的抵接面31有開孔多個吸引孔35，該吸引孔35透過設置在工作台本體32內的吸引路70及開關閥71而與噴射器等的吸引源72連接。工作台本體32是藉由吸引孔35透過吸引路70及開關閥71被吸引源72吸引，而可將被加工物201的背面207側隔著擴張片210及DAF212吸引保持在抵接面31。

在實施方式1中，冷卻單元33被設置在工作台本體32之上表面的中央部，是冷卻工作台本體32及抵接面31者。在實施方式1中，冷卻單元33雖然是可冷卻工作台本體32的活塞冷卻器，但在本發明中則不限定為活塞冷卻器。

工作台升降單元34是以未圖示的馬達、藉由馬達而旋轉的滾珠螺桿等所構成，並使工作台本體32及冷卻單元33在腔室10內升降。

此外，在實施方式1中，冷卻工作台30的工作台本體32及冷卻單元33是被工作台蓋36所覆蓋。工作台蓋36是將工作台本體32保冷的構件，在實施方式中，其與工作台本體32及冷卻單元33同軸地配置並一體地具備：圓筒狀的大徑圓筒部37，與工作台本體32的外周面隔開間隔而覆蓋於外周面；環狀的圓環部38，外緣連接於大徑圓筒部37且與工作台本體32的上表面隔開間隔而覆蓋於上表面；及圓筒狀的小徑圓筒部39，連接於圓環部38的內緣且與冷卻單元33的外周面隔開間隔而覆蓋於外周面。工作台蓋36藉由升降單元34而與工作台本體32及冷卻單元33一體地升降。

另外，實施方式1是在冷卻工作台30與工作台蓋36之間，透過供給路80、開關閥81而從壓縮空氣供給源82供給壓縮空氣。

擴張單元40是將黏貼在以框架保持單元20保持之環狀框架211的擴張片210擴張者。擴張單元40具備：擴張鼓輪41，固定於腔室10；及升降用汽缸42，使框架載置板21升降。

擴張鼓輪41具備圓筒狀的鼓輪部43。鼓輪部43形成為內徑比工作台蓋36之大徑圓筒部37的外徑還大，外徑比框架按壓板22的內徑還小。鼓輪部43被配置在工作台本體32之大徑圓筒部37的外周側且在框架按壓板22的內周側，並且與框架保持單元20及冷卻工作台30同軸地配置。在擴張鼓輪41的下端安裝有圓柱狀的滾動構件44，該滾動構件44被設置在與位於下方之框架按壓板22的下表面24同一平面上且設置為繞著軸心旋轉自如。

加熱單元50是將在被加工物單元200之被加工物201的外周側與環狀框架211的內周緣之間的擴張片210加熱並收縮者，該被加工物單元200被以框架保持單元20保持且擴張片210已被擴張。加熱單元50具備：加熱板51、多個熱風噴射部52及擋板53。

加熱板51形成為外徑與框架按壓板22的內徑相等的圓板狀，其配置在框架載置板21的內周側且與框架保持單元20及冷卻單元33同軸地配置。加熱板51是上表面與水平方向平行且配置在比位於下方之框架載置板21的下表面還下方的位置。加熱板51藉由安裝於腔室10的加熱板旋轉用馬達54而繞著軸心旋轉。

多個熱風噴射部52為面對在以框架保持單元20保持且擴張片210已被擴張的被加工物單元200之被加工物201的外周側與環狀框架211的內周緣之間的擴張片210，並噴射熱風300（圖7所示）者。多個熱風噴射部52在加熱板51的上表面之外緣部於圓周方向等間隔地設置，且面對在以框架保持單元20保持且擴張片210已被擴張的被加工物單元200之被加工物201的外周側與環狀框架211的內周緣之間的擴張片210。

熱風噴射部52具備：在上部設有開口的有底筒狀的噴射部本體521；線圈加熱器522，為容納在噴射部本體521內的加熱部；及空氣供給源525，透過供給路523及開關閥524而在噴射部本體521內供給空氣。線圈加熱器522是關閉開關藉此被供給來自直流電源的電力以發熱。熱風噴射部52是打開開關閥524且空氣供給源525往噴射部本體521供給空氣，所供給的空氣藉由線圈加熱器522加熱並從開口部噴射熱風300。

擋板53形成為外徑比框架載置板21的內徑還小一點的圓盤狀，其在熱風噴射部52的上方且與框架保持單元20及冷卻單元30同軸地配置在框架載置板21之內周側。擋板53是藉由安裝在加熱板51的擋板旋轉用馬達55而繞著軸心旋轉。此外，擋板53在外緣部設置有可使熱風噴射部52露出的開口部56。

如此，實施方式1的擴片裝置1是在以框架保持單元20保持之被加工物單元200的上方配置冷卻工作台30，且在被加工物單元200的下方配置加熱單元50。

控制單元100分別控制擴片裝置1的構成要素，為使針對被加工物200的加工動作在擴片裝置1上實施者。另外，控制單元100是具有以下裝置的電腦，所述裝置為：運算處理裝置，具有如CPU（central processing unit，中央處理單元）般的微處理器；記憶裝置，具有如ROM（read only memory，唯讀記憶體）或RAM（random access memory，隨機存取記憶體）般的記憶體；及輸入輸出介面裝置。控制單元100的運算處理裝置依據記憶於記憶裝置的電腦程式實施運算處理，並透過輸入輸出介面裝置將用於控制擴片裝置1的控制訊號輸出至擴片裝置1的構成要素。

控制單元100與未圖示的顯示單元及未圖示的輸入單元連接，該顯示單元是由顯示加工動作之狀態或影像等的液晶顯示裝置等所構成，該輸入單元是在操作員將加工內容資訊等登錄時使用。輸入單元是由設置於顯示單元的觸控面板及鍵盤等的外部輸入裝置的至少一者所構成。

此外，擴片裝置1具備為熱風侵入防止手段的彎曲板90。彎曲板90配設在被保持於框架保持單元20之被加工物單元200的被加工物201與多個熱風噴射部52之間，並具有朝向被加工物201且噴出氣體之空氣的圖3所示的噴出口91，為抑制從熱風噴射部52噴射之熱風的侵入的構件。彎曲板90形成為外徑與冷卻工作台30之工作台本體32的抵接面31大致相等的圓板狀，與框架保持單元20及冷卻工作台33同軸地配置，並且安裝在擋板53的上表面。

彎曲板90藉由被安裝在擋板53的上表面，而面對被保持於框架保持單元20之被加工物單元200的被加工物201。彎曲板90是外徑與冷卻工作台30之工作台本體32的抵接面31大致相等，藉此形成為對應於抵接面31的尺寸。此外，彎曲板90是外徑與冷卻工作台30之工作台本體32的抵接面31的外徑大致相等，藉此配置為比加熱板51上之熱風噴射部52在擋板53的內周側。

在實施方式1中，彎曲板90的厚度不變，並且形成為具有翹曲以使得從被框架保持單元20保持的被加工物單元200之被加工物201的外周側往中央側中與被加工物201的距離變遠。因此，彎曲板90的上表面為具有翹曲以使得從被框架保持單元20保持的被加工物單元200之被加工物201的外周側往中央側中與被加工物201的距離變遠的彎曲面92。如此，彎曲板90包含彎曲面92。

在實施方式1中，噴出口91如圖3所示，設置於彎曲板90的中央，透過供給源93及開關閥94而從空氣供給源95供給空氣。從空氣供給源95供給且從噴出口91噴出的空氣因為彎曲板90的彎曲面92以所述方式彎曲，所以會在彎曲面92與被加工物201之間聚集，而抑制從熱風噴射部52噴射的熱風300侵入彎曲面92與被加工物201之間。

接著，本說明書要說明所述擴片裝置1的加工動作。圖4為示意性地表示在圖2所示之擴片裝置的框架載置板載置有被加工物單元之環狀框架的狀態的剖面圖。圖5為示意性地表示圖4所示之擴片裝置的框架保持單元將環狀框架固定後之狀態的剖面圖。圖6為示意性地表示使圖5所示之框架載置板上升並將擴張片擴張後之狀態的剖面圖。圖7為示意性地表示將圖6所示之擴張片加熱、收縮之狀態的剖面圖。

所述構成的擴片裝置1是當控制單元100登錄有加工內容資訊，並接收加工開始指示後開始加工動作。在加工動作中，擴片裝置1是讓框架載置板21下降，並將冷卻工作台30之工作台本體32的抵接面31定位在比框架按壓板22之下表面24更上方的位置。擴片裝置1關閉開關閥61、71、81、94、524，且以冷卻單元33冷卻工作台本體32，並關閉開關而將來自直流電源的電力供給至線圈加熱器522，在已將線圈發熱器522發熱的狀態下，藉由開關門13打開開口12。擴片裝置1是通過開口12而讓被加工物被插入腔室10內，如圖4所示，在框架載置板21的上表面23載置有被插入腔室10內的被加工物單元200的環狀框架211。

擴片裝置1藉由開關門13關閉開口12，且打開開關閥61、81而從壓縮空氣吹出口63吹出壓縮空氣，並且在工作台本體32及冷卻單元33與工作台蓋36之間供給來自壓縮空氣供給源82的壓縮空氣。擴片裝置1將升降用汽缸42的桿體45伸長，讓框架載置板21上升的同時，藉由工作台升降單元34讓冷卻工作台30的工作台本體32等下降。

擴片裝置1為如圖5所示，在位於下方的框架按壓板22與框架載置板21之間夾住並保持環狀框架211及擴張片210之外周側，並且將抵接面31定位於與密封構件26的下表面同一平面上，以靠近黏貼在擴張片210的DAF212。

擴片裝置1在讓框架載置板21進一步上升並且在擴張片210接觸抵接面31的時間點，藉由工作台升降單元34讓冷卻工作台30的工作台本體32等上升。另外，當擴張片210接觸抵接面31，則DAF212透過擴張片210及工作台本體32而被冷卻單元33冷卻。

擴片裝置1中，框架按壓板22是被從環狀框架211及框架載置板21等按壓上升，框架按壓板22的下表面24上升至比滾動構件44的下端更上方，且藉由工作台升降單元34將冷卻工作台30的工作台本體32的抵接面31定位於與滾動構件44的下端同一平面上。如此，如圖6所示，框架保持單元20所保持之被加工物單元200的擴張片210抵接於滾動構件44，而將擴張片210往面方向擴張。擴張的結果，擴張片210中伸力放射狀地作用。

如此，當在黏貼於被加工物201之背面207的擴張片拉伸力放射狀地作用時，則因為被加工物201沿著分割預定線205形成有改質層208，所以會以改質層208作為基準點，沿著分割預定線205分割成個別的晶片202。此外，黏貼在被加工物201之背面207的DAF212，在被加工物201被分割成個別的晶片202時，從擴張片210作用之擴張方向的力集中至晶片202之間，而被分割至每一個別的晶片202。擴片裝置1是當升降用汽缸42的桿體45完成伸長，則開啟開關閥71，在冷卻工作台30之工作台本體32的抵接面31隔著擴張片210吸引保持被加工物201即分割成個別的晶片202。

擴片裝置1是縮短升降用汽缸42的桿體45，讓框架載置板21與框架按壓板22一起下降的同時，藉由工作台升降單元34讓冷卻工作台30的工作台本體32等與框架載置板21一起下降。擴片裝置1是如圖7所示，關閉開關閥61而停止從壓縮空氣吹出口63吹出的壓縮空氣，並打開開關閥94，在彎曲板90的彎曲面92與被冷卻工作台30之工作台本體32的抵接面31所吸引保持的被加工物201之間供給空氣。進一步，擴片裝置1是打開開關閥524，一邊從熱風噴射部52噴射熱風300一邊以加熱板旋轉用馬達54旋轉加熱板51。

然後，擴片裝置1是在下降框架載置板21等的同時，擴張片210從滾動構件44遠離，因此在從被加工物201的外周側到環狀框架211的內周緣之間的擴張片210被暫時擴張而產生的鬆弛部，遍及全周地吹附熱風300，而加熱收縮鬆弛部。

另外，擴片裝置1是在加熱收縮從被加工物201的外周側到環狀框架211的內周緣之間的擴張片210時，在彎曲板90與被加工物201之間從空氣供給源95供給空氣。因此，藉由彎曲板90包含所述的彎曲面92，且在彎曲面92形成有噴出口91，而在彎曲面92與被加工物201之間形成聚集從空氣供給源95所供給之空氣的空氣聚集301。擴片裝置1是藉由形成空氣聚集301抑制熱風300往空氣聚集301的侵入，即抑制由熱風300加熱被加工物201及冷卻工作台30之工作台本體32的抵接面31。如此，彎曲板90會抑制從熱風噴射部52所噴射之熱風300侵入彎曲板90與被加工物201之間。

擴片裝置1是當升降用汽缸42的桿體45完成縮短後，關閉開關閥71、81、94、524，且以開關門13打開開口12，將被加工物201被分割成個別的晶片202且DAF212被分割至每一個別的晶片202的被加工物單元200搬出至腔室10外。被加工物201被分割成個別的晶片202且DAF212被分割至每一個別的晶片202的被加工物單元200，是在將擴張片210擴張後，在被吸引保持於冷卻工作台30之工作台本體32的抵接面31的狀態下加熱收縮擴張片210，因此可抑制被分割後之晶片202彼此摩擦。此外，擴片裝置1重複圖4到圖7所示的步驟，依序連續進行多個被加工物單元200，將被加工物201分割成個別的晶片202，並將DAF分割至每一個別的晶片202。

如以上說明，實施方式1的擴片裝置1具備為熱風進入防止手段的彎曲板90，其抑制從熱風噴射部52噴射之熱風300侵入彎曲板90與被加工物201之間。因此，擴片裝置1可抑制熱風300進入以冷卻工作台30冷卻被加工物201之區域，亦即工作台本體32與彎曲板90之間，而抑制此區域間的空氣溫度上升；並能夠冷卻黏貼在下一個被加工物201的背面207之DAF212，而抑制在將擴張片210擴張時的被加工物201及DAF212的冷卻不良。其結果，擴片裝置1可發揮以下效果：即使在連續擴張多個被加工物單元200之擴張片210的情況下，也能消除擴張後的被加工物單元200之擴張片210的鬆弛以防止晶片202的損傷，並且能抑制接著要擴張之被加工物單元200的冷卻不良，並抑制產生分割不良的情形。

此外，實施方式1的擴片裝置1是彎曲板90包含彎曲面92，且在彎曲面92形成噴出空氣的噴出口91，並在彎曲面92與被加工物201之間形成空氣聚集301，因此可抑制熱風300侵入彎曲面92與被加工物201之間。

此外，實施方式1的擴片裝置1是在加熱收縮擴張片210時，打開開關閥81，而在冷卻工作台30的工作台本體32及冷卻單元33與工作台蓋36之間供給從壓縮空氣供給源82所供給的壓縮空氣，因此，從壓縮空氣供給源82所供給的壓縮空氣成為在所述空氣聚集301的外周流動，而可抑制熱風300侵入空氣聚集301。

[變形例] 根據圖式說明本發明的實施方式1之變形例的擴片裝置。圖8為示意性地表示實施方式1的變形例之擴片裝置的構成例的剖面圖。另外，在圖8中對與實施方式1相同部分標註同一符號並省略說明。

實施方式1的變形例的擴片裝置1-1是在以框架保持單元20所保持之被加工物單元200的下方配置不具備工作台蓋36的冷卻工作台30及擴張鼓輪41-1，且在被加工物單元200的上方配置加熱單元50，藉由固定框架按壓板22，擴張鼓輪41-1被安裝在鼓輪用汽缸46之伸縮的桿體47並與冷卻工作台30一起上升至比框架載置板21的上表面23更上方，而將擴張片210擴張，除此之外，構成與實施方式1的擴片裝置1相同。另外，圖8省略腔室10。

因為變形例的擴片裝置1具配為熱風進入防止手段的彎曲板90，所以可抑制熱風300進入工作台本體32與彎曲板90之間而讓此區域間的空氣溫度上升的情形，且與實施方式1相同，可發揮以下效果：即使在連續擴張多個被加工物單元200之擴張片210的情況下，也能消除擴張後的被加工物單元200之擴張片210的鬆弛以防止晶片202的損傷，並且能抑制接著要擴張之被加工物單元200的冷卻不良，並抑制產生分割不良的情形。

另外，本發明並非限定於上述實施方式者。亦即，可在不脫離本發明之主旨的範圍進行各種變形並實施。另外，在實施方式1中，雖然將框架保持單元20的框架按壓板22設置為升降自如，但在本發明中，也可將框架保持單元20的框架按壓板22固定在腔室10。

此外，在實施方式1中，雖然說明了在被加工物201沿著分割預定線205形成作為分割起點的改成層208的例子，但在本發明中並不限定於改質層208。在本發明中，可於擴片裝置1的擴張前，對被加工物201實施切割加工或雷射燒蝕加工而沿著分割預定線205分割成個別的晶片202，也可對被加工物201實施切割加工或雷射燒蝕加工而沿著分割預定線205從正面204形成凹的加工槽。此外，在實施方式1中，雖然被加工物單元200具備被加工物201及DAF212，但本發明不限定於此，也可具備被加工物201及DAF212的其中一者而不具備另一者。

1:擴片裝置 20:框架保持裝置（框架保持手段） 30:冷卻工作台 31:抵接面 40:擴張單元（擴張手段） 50:加熱單元（加熱手段） 52:熱風噴射部 90:彎曲板（熱風進入防止手段） 92:噴出口 92:彎曲面 200:被加工物單元 201:被加工物 210:擴張片 211:環狀框架 300:熱風 301:空氣聚集

圖1為表示實施方式1之擴片裝置的加工對象之被加工物單元的一例的立體圖。 圖2為示意性地表示實施方式1之擴片裝置的構成例的剖面圖。 圖3為示意性地表示圖2所示之擴片裝置的彎曲板等的剖面圖。 圖4為示意性地表示在圖2所示之擴片裝置的框架載置板載置有被加工物單元之環狀框架的狀態的剖面圖。 圖5為示意性地表示圖4所示之擴片裝置的框架保持單元將環狀框架固定後之狀態的剖面圖。 圖6為示意性地表示使圖5所示之框架載置板上升並將擴張片擴張後之狀態的剖面圖。 圖7為示意性地表示將圖6所示之擴張片加熱、收縮之狀態的剖面圖。 圖8為示意性地表示實施方式1的變形例之擴片裝置的構成例的剖面圖。

1:擴片裝置

10:腔室

11:側壁

12:開口

13:開關門

20:框架保持單元(框架保持手段)

21:框架載置板

22:框架按壓板

23:框架載置板的上表面

24:框架按壓板的下表面

25:滑動支撐構件

26:密封構件

30:冷卻工作台

31:抵接面

32:工作台本體

33:冷卻單元

34:工作台升降單元

35:吸引孔

36:工作台蓋

37:大徑圓筒部

38:圓環部

39:小徑圓筒部

40:擴張單元(擴張手段)

41:擴張鼓輪

42:升降用汽缸

43:鼓輪部

44:滾動構件

45:桿體

50:加熱單元(加熱手段)

51:加熱板

52:熱風噴射部

521:噴射部本體

522:線圈加熱器

523:供給路

524:開關閥

525:空氣供給源

53:擋板

54:加熱板旋轉用馬達

55:擋板旋轉用馬達

56:開口部

60:供給路

61:開關閥

62:壓縮空氣供給源

63:壓縮空氣吹出口

64:渦流管

70:吸引路

71:開關閥

72:吸引源

80:供給路

81:開關閥

82:壓縮空氣供給源

90:彎曲板(熱風進入防止手段)

92:彎曲面

100:控制單元

Claims (3)

1. 一種擴片裝置，將由被加工物、黏貼在被加工物的擴張片及擴張片的外周側所黏貼之環狀框架所組成的被加工物單元的該擴張片擴張，其具備：框架保持手段，保持被加工物單元的環狀框架；冷卻工作台，包含對應於被加工物之尺寸的抵接面，並抵接於包含以該框架保持手段所保持的該環狀框架之該被加工物單元的該擴張片；擴張手段，將黏貼於以該框架保持手段所保持的該環狀框架的該擴張片擴張；加熱手段，具有熱風噴射部，該熱風噴射部面對在被加工物的外周側與該環狀框架的內周緣之間的該擴張片並噴射熱風；熱風進入防止手段，配設於該被加工物與該熱風噴射部之間，且具有朝向該被加工物噴出氣體的噴出口，防止從該熱風噴射部噴射的熱風進入，以及工作台蓋，覆蓋該冷卻工作台的外周，且該加熱手段對在該被加工物的外周側與該環狀框架的內周緣之間的該擴張片噴射熱風之際，從與該冷卻工作台之間吹出壓縮空氣。
2. 如請求項1所述之擴片裝置，其中，在一邊以該冷卻工作台冷卻該被加工物與該擴張片之間的接著膜，一邊以該擴張手段擴張該擴張片之際，該工作台蓋從與該冷卻工作台之間吹出該壓縮空氣，且該框架保持手段從遍及全周而設置之吹出口吹出壓縮空氣。
3. 如請求項1或2所述之擴片裝置，其中，該熱風進入防止手段面對被加工物，且形成為對應於該抵接面的尺寸，並包含具有翹曲以使得從被加工物的外周側往中央側中與被加工物之間的距離變遠的彎曲面，在該彎曲面形成有該噴出口，藉此在該彎曲面與被加工物之間形成空氣聚集。