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TWI852215B - 射頻開關 - Google Patents

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TWI852215B
TWI852215B TW111147801A TW111147801A TWI852215B TW I852215 B TWI852215 B TW I852215B TW 111147801 A TW111147801 A TW 111147801A TW 111147801 A TW111147801 A TW 111147801A TW I852215 B TWI852215 B TW I852215B
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Taiwan
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terminal
impedance
transistor
switch path
tsh
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TW111147801A
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Inventor
黃昱翔
陳智聖
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立積電子股份有限公司
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Priority to CN202211718596.XA priority patent/CN118199596A/zh
Priority to US18/372,681 priority patent/US12525973B2/en
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Abstract

一種射頻開關，包含有訊號端、參考電壓端、及分流開關路徑。分流開關路徑包括第一電晶體及第二電晶體。第一電晶體包括第一端，耦接於訊號端；第二端；及控制端。第二電晶體包括第一端，耦接於第一電晶體的第二端；第二端，耦接於參考電壓端；及控制端。當分流開關路徑切換至第一狀態時，分流開關路徑具有第一阻抗，當分流開關路徑切換至第二狀態時，分流開關路徑具有第二阻抗，第一阻抗及第二阻抗相異。第一阻抗介於40歐姆至85歐姆之間。

Description

射頻開關
本發明關於射頻電路，特別是一種射頻電路中的射頻開關。
射頻(Radio Frequency，RF)開關能引導射頻訊號通過一或多條傳送路徑，且廣泛應用於電視、行動電話、無線通訊裝置無線網路(Wi-Fi)、藍芽及全球定位系統(global positioning system,GPS)。
然而，在相關技術中，當射頻開關截止時，射頻訊號會產生訊號反射而可能會損害訊號源，使射頻開關無法正常運作。
本發明實施例提供一種射頻開關，包含有訊號端、參考電壓端、及分流開關路徑。分流開關路徑包括第一電晶體及第二電晶體。第一電晶體包括第一端，耦接於訊號端；第二端；及控制端。第二電晶體包括第一端，耦接於第一電晶體的第二端；第二端，耦接於參考電壓端；及控制端。當分流開關路徑切換至第一狀態時，分流開關路徑具有第一阻抗，當分流開關路徑切換至第二狀態時，分流開關路徑具有第二阻抗，第一阻抗及第二阻抗相異。第一阻抗介於40歐姆至85歐姆之間。
本發明實施例另提供一種射頻開關，包含有訊號端、參考電壓端、及N個疊接電晶體。N個疊接電晶體包括第一端，耦接於訊號端；第二端，耦接於參考電壓端；及控制端。當N個疊接電晶體導通時，N個疊接電晶體具有第一 阻抗，當N個疊接電晶體截止時，N個疊接電晶體具有第二阻抗，第一阻抗及第二阻抗相異。第一阻抗和負載阻抗匹配。
1至5:射頻開關
10,12,121,122:訊號端
14,24,241,242:分流開關路徑
30,301,302:串聯開關路徑
32:天線
34:射頻電路
REF:參考電壓端
Srf:射頻訊號
Tsh(1)至Tsh(N),Tsr:電晶體
Rsh,Rsr:電阻
Vcsh,Vcsh1,Vcsh2,Vcsr,Vcsr1,Vcsr2:控制電壓
第1圖係為本發明實施例中之一種射頻開關之電路示意圖。
第2圖係為本發明實施例中之另一種射頻開關之電路示意圖。
第3圖係為本發明實施例中之另一種射頻開關之電路示意圖。
第4圖係為本發明實施例中之另一種射頻開關之電路示意圖。
第5圖係為本發明實施例中之另一種射頻開關之電路示意圖。
第1圖係為本發明實施例中之一種射頻開關1之電路示意圖。射頻開關1可設於射頻訊號Srf的傳送路徑或接收路徑。
射頻開關1包含有訊號端10、參考電壓端REF、分流(shunt)開關路徑14、及訊號端12。分流開關路徑14耦接於訊號端10及12及參考電壓端REF。訊號端10可耦接於天線及射頻電路中之一者，訊號端12可耦接於天線及射頻電路中之另一者。參考電壓端REF可提供參考電壓，例如0V。當分流開關路徑14截止時，分流開關路徑14可切斷訊號端10及參考電壓端REF之間的耦接以將射頻訊號Srf在訊號端10及訊號端12之間傳送；當分流開關路徑14導通時，分流開關路徑14可建立訊號端10及參考電壓端REF之間的耦接以將射頻訊號Srf引導至參考電壓端REF。本發明之射頻開關1可在射頻開關1截止時使分流開關路徑14提供實質上等於負載電阻之等效電阻，將射頻訊號Srf完全引導至參考電壓端REF而不產 生訊號反射，進而保護訊號源不受訊號反射影響。負載電阻可為天線或射頻電路的等效電阻，例如介於40歐姆至85歐姆之間。
分流開關路徑14可包括電晶體Tsh(1)至Tsh(N)，電晶體Tsh(1)至Tsh(N)可依序疊接，N為大於1的正整數。舉例而言，若N=2，分流開關路徑14包括電晶體Tsh(1)及電晶體Tsh(2)。電晶體Tsh(1)包括第一端，耦接於訊號端10及12；第二端；及控制端，用以接收控制訊號Vcsh。電晶體Tsh(2)包括第一端，耦接於電晶體Tsh(1)的第二端；第二端，耦接於參考電壓端REF；及控制端，用以接收控制訊號Vcsh。在一些實施例中，電晶體Tsh(2)的第二端可直接連接參考電壓端REF。
電晶體Tsh(1)至Tsh(N)可包括第一端，耦接於訊號端10及12；第二端，耦接於參考電壓端REF；及控制端，用以接收控制訊號Vcsh。每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的電晶體尺寸可相等或相異，且電晶體數量N可由射頻訊號Srf的功率決定。射頻訊號Srf的功率越大，則需要配置越多個電晶體，以在傳送或接收射頻訊號Srf時提供足夠的隔絕能力。於導通時每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)可視為一導通電阻；於截止時每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)可視為一截止電容。每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的導通電阻可相同或相異。在一些實施例中，當電晶體Tsh(1)至Tsh(N)導通時，每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)可具有相同阻抗。在另一些實施例中，當電晶體Tsh(1)至Tsh(N)導通時，每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)中的至少二個電晶體可具有至少二個相異阻抗。電晶體Tsh(1)至Tsh(N)可為N型金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)。在一些實施例中，電晶體Tsh(1)至Tsh(N)亦可為P型MOSFETs或其他種類的電晶體。
在本實施例中，每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的電晶體尺寸可皆相等。控制訊號Vcsh可用以將分流開關路徑14切換至導通狀態(第一狀態)或截止狀態(第二狀態)。例如，當控制訊號Vcsh為高電壓(例如2.5V)時，電晶體Tsh(1)至Tsh(N)皆會導通以將分流開關路徑14切換至導通狀態，此時每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)可等效為相同的導通電阻，電晶體Tsh(1)至Tsh(N)可等效為N個疊接的導通電阻以使分流開關路徑14具有第一阻抗(例如50歐姆)。當控制訊號Vcsh為低電壓(例如-2.5V)時，電晶體Tsh(1)至Tsh(N)皆會截止以將分流開關路徑14切換至截止狀態，此時每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)可等效為相同的截止電容，電晶體Tsh(1)至Tsh(N)可等效為N個疊接的截止電容以使分流開關路徑14具有第二阻抗。
電晶體數量N與每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的電晶體尺寸可成正相關，即當電晶體數量N越大時每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的電晶體尺寸越大。若每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的通道長度相同，則電晶體尺寸可以每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的總通道寬度表示。例如，若當N=10，每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的總通道寬度可為1毫米(millimeter，mm)以使每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的導通電阻等於5歐姆，藉以產生50歐姆的第一阻抗。而當N=20，每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的總通道寬度可增至2mm以使每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的導通電阻等於2.5歐姆，藉以維持50歐姆的第一阻抗。電晶體的總通道寬度(total width)可為指節寬度(finger width)及指節數量(finger number)的乘積。例如，每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的指節寬度可為10微米，指節數量為100，因此每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的總通道寬度可為1mm(=(10*10^-6)*100)。在另一例子中，每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的指節寬度可為10微米，指節數量為200，因此每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的總通道寬度可為2mm(=(10*10^-6)*200)。
在一些實施例中，分流開關路徑14的狀態及阻抗可如表1所示：
Figure 111147801-A0305-02-0007-1
如表1所示，當分流開關路徑14切換至導通狀態時，電晶體Tsh(1)至Tsh(N)接收2.5V以導通，使分流開關路徑14具有50歐姆的第一阻抗。當分流開關路徑14切換至截止狀態時，電晶體Tsh(1)至Tsh(N)接收-2.5V以截止，使分流開關路徑14具有1/jw(Coff/(N))歐姆的第二阻抗，其中w為射頻訊號Srf的頻率，Coff為每個電晶體Tsh(1)至Tsh(N)截止時的等效電容值，N為電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的電晶體數量。第一阻抗(50歐姆)及第二阻抗(1/jw(Coff/(N))歐姆)相異，且第一阻抗和負載阻抗匹配。
雖然表1的實施例顯示第一阻抗為50歐姆，熟習此技藝者亦可依據實際需求改變電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的電晶體尺寸以將第一阻抗調整為其他合適的阻值。大致而言，第一阻抗可介於40歐姆至85歐姆之間以和負載阻抗達成阻抗匹配。當分流開關路徑14切換至導通狀態時，由於射頻訊號Srf會經由與負載電阻匹配的第一阻抗被引導至參考電壓端REF，因此不會產生訊號反射而損害訊號源。
雖然表1顯示-2.5V的控制訊號Vcsh用於截止電晶體Tsh(1)至Tsh(N)，熟習此技藝者亦可使用其他小於-2.5V的控制訊號Vcsh來截止電晶體Tsh(1)至Tsh(N)。此外，雖然表1顯示2.5V的控制訊號Vcsh用於導通電晶體Tsh(1)至Tsh(N)，熟習此技藝者亦可使用其他大於2.5V的控制訊號Vcsh來導通電晶體 Tsh(1)至Tsh(N)。在一些實施例中，熟習此技藝者亦可藉由改變控制電壓Vcsh而調整電晶體Tsh(1)至Tsh(N)的導通電阻阻值。
射頻開關1可於截止時使分流開關路徑14提供實質上等於負載電阻之等效電阻，藉以保護訊號源不受訊號反射損害同時不增加電路面積。
第2圖係為本發明實施例中之另一種射頻開關2之電路示意圖。射頻開關2及射頻開關1的差異在於分流開關路徑24可另包含有N個電阻Rsh，每個電阻Rsh耦接於相應電晶體Tsh(n)的第一端及第二端，n係為從1至N中之一正整數。每個電阻Rsh的電阻值可相等，且可介於10K歐姆至50K歐姆之間。例如每個電阻Rsh的電阻值可為10K歐姆。電阻Rsh可於電晶體Tsh(n)截止時固定電晶體Tsh(n)的第一端及第二端的電壓，例如將電晶體Tsh(n)的第一端及第二端的電壓固定於0V。射頻開關2的運作方式和射頻開關1相似，在此不再贅述。
第3圖係為本發明實施例中之另一種射頻開關3之電路示意圖。射頻開關3及射頻開關2的差異在於射頻開關3另包含串聯開關路徑30。串聯開關路徑30包含第一端，耦接於訊號端10，及第二端，耦接於訊號端12。訊號端10可耦接於天線32，且訊號端12可耦接於射頻電路34。射頻電路34可為匹配電路、功率放大器、或其他電路。當串聯開關路徑30導通時，串聯開關路徑30可建立訊號端10及訊號端12之間的耦接以將射頻訊號Srf在訊號端10及訊號端12之間傳送；當串聯開關路徑30截止時，串聯開關路徑30可切斷訊號端10及訊號端12之間的耦接以禁止將射頻訊號Srf在訊號端10及訊號端12之間傳送。天線32的等效電阻及射頻電路34的等效電阻可為實質上相等。串聯開關路徑30可包含並聯之電晶體Tsr及電阻Rsr。電晶體Tsr包含第一端，耦接於訊號端10、第二端，耦接於 分流開關路徑24及訊號端12、及控制端，用以接收控制電壓Vcsr，藉以控制電晶體Tsr。電阻Rsh包含第一端，耦接於電晶體Tsr的第一端、及第二端，耦接於電晶體Tsr的第二端。電晶體Tsr可為N型MOSFET或其他種類的電晶體。雖然第3圖顯示串聯開關路徑30僅包含1個電晶體Tsr及1個電阻Rsr，在其他實施例中，串聯開關路徑30亦可包含M個電晶體Tsr及M個電阻Rsr，M個電晶體Tsr可依序疊接，且每個電阻Rsr可耦接於相應疊接電晶體Tsr的第一端及第二端，M為正整數。射頻開關3的運作方式和射頻開關2相似，在此不再贅述。
第4圖係為本發明實施例中之另一種射頻開關4之電路示意圖。射頻開關4及射頻開關3的差異在於訊號端10可耦接於射頻電路34，且訊號端12可耦接於天線32。射頻開關4的運作方式和射頻開關3相似，在此不再贅述。
第5圖係為本發明實施例中之另一種射頻開關5之電路示意圖。射頻開關5係為單軸雙切(single-pole double-throw，SPDT)開關。射頻開關5及射頻開關4的差異在於射頻開關5包含串聯開關路徑301及302、分流開關路徑241及242、及訊號端121及122。分流開關路徑241及242中的複數個疊接電晶體Tsh的電晶體種類及電晶體尺寸可相同。分流開關路徑241可包括第一電晶體Tsh及第二電晶體Tsh。第一電晶體Tsh包括第一端，耦接於訊號端121，且透過串聯開關路徑301間接耦接於訊號端10；第二端；及控制端，用以接收控制訊號Vcsh1。第二電晶體Tsh包括第一端，耦接於電晶體第一電晶體Tsh的第二端；第二端，耦接於參考電壓端REF；及控制端，用以接收控制訊號Vcsh1。分流開關路徑242可包括第三電晶體Tsh及第四電晶體Tsh。第三電晶體Tsh包括第一端，耦接於訊號端122，且透過串聯開關路徑302間接耦接於訊號端10；第二端；及控制端，用以接收控制訊號Vcsh2。第四電晶體Tsh包括第一端，耦接於電晶體第三電晶 體Tsh的第二端；第二端，耦接於參考電壓端REF；及控制端，用以接收控制訊號Vcsh2。當分流開關路徑241路徑切換至導通狀態(第一狀態)時，分流開關路徑241具有第一阻抗，當分流開關路徑241切換至截止狀態(第二狀態)時，分流開關路徑241具有第二阻抗。當分流開關路徑242路徑切換至導通狀態(第一狀態)時，分流開關路徑242具有第一阻抗，當分流開關路徑242切換至截止狀態(第二狀態)時，分流開關路徑242具有第二阻抗。第一阻抗和負載阻抗匹配，且第一阻抗及第二阻抗相異。串聯開關路徑301及302的電路設置及運作方式和串聯開關路徑30相似，分流開關路徑241及242的電路設置及運作方式和分流開關路徑24相似，在此不再贅述。射頻開關5可接收控制電壓Vcsh1、Vcsr1、Vcsh2、Vcsr2以於訊號端10與訊號端121及122中之一者之間形成通路以傳送或接收射頻訊號Srf。當射頻開關5於訊號端10與訊號端121之間形成通路時，串聯開關路徑301導通，分流開關路徑241截止，串聯開關路徑302截止，及分流開關路徑242導通。當射頻開關5於訊號端10與訊號端122之間形成通路時，串聯開關路徑301截止，分流開關路徑241導通，串聯開關路徑302導通，及分流開關路徑242截止。
射頻開關1至5可於截止時提供實質上等於負載電阻之等效電阻，藉以保護訊號源不受訊號反射損害同時不增加電路面積。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1:射頻開關
10,12:訊號端
14:分流開關路徑
REF:參考電壓端
Srf:射頻訊號
Tsh(1)至Tsh(N):電晶體
Vcsh:控制電壓

Claims (12)

  1. 一種射頻開關，包括：一第一訊號端；一參考電壓端；及一第一分流開關路徑，包括：一第一電晶體，包括一第一端，耦接於該第一訊號端；一第二端；及一控制端，接收一第一控制電壓；及一第二電晶體，包括一第一端，耦接於該第一電晶體的該第二端；一第二端，耦接於該參考電壓端；及一控制端，接收該第一控制電壓；其中：當該第一分流開關路徑切換至一第一狀態時，該第一分流開關路徑依據不同的該第一控制電壓以使該第一電晶體及該第二電晶體的等效阻抗產生不同的第一阻抗，其中依據不同的該第一控制電壓以調整該第一分流開關路徑的導通程度來產生不同的第一阻抗，使該第一阻抗和一負載阻抗匹配，其中一射頻訊號只經由該第一分流開關路徑傳送至該參考電壓端；當該第一分流開關路徑切換至一第二狀態時，該第一分流開關路徑具有一第二阻抗，其中該第一電晶體及該第二電晶體的等效阻抗可為截止電容，該第一阻抗及該第二阻抗相異；及該第一阻抗介於40歐姆至85歐姆之間。
  2. 如請求項1所述之射頻開關，另包括一串聯開關路徑，耦接於該第一訊號端及一射頻電路。
  3. 如請求項1所述之射頻開關，其中該第一訊號端耦接於一天線。
  4. 如請求項1所述之射頻開關，其中，該第二電晶體的該第二端直接連接該參考電壓端。
  5. 如請求項1所述之射頻開關，其中，該第一阻抗和一負載阻抗匹配。
  6. 如請求項1所述之射頻開關，其中：當該第一分流開關路徑切換至該第一狀態時，該第一分流開關路徑導通；及當該第一分流開關路徑切換至該第二狀態時，該第一分流開關路徑截止。
  7. 如請求項6所述之射頻開關，其中，該第一阻抗為50歐姆。
  8. 如請求項1所述之射頻開關，其中，該第一分流開關路徑另包括：一第一電阻，耦接於該第一電晶體之該第一端及該第二端；及一第二電阻，耦接於該第二電晶體之該第一端及該第二端。
  9. 如請求項1所述之射頻開關，另包括：一第二訊號端，耦接於該第一電晶體的該第一端；一第三訊號端；及一第二分流開關路徑，包括： 一第三電晶體，包括一第一端，透過該串聯開關路徑間接耦接於該第一訊號端及耦接於該第三訊號端；一第二端；及一控制端；及一第四電晶體，包括一第一端，耦接於該第三電晶體的該第二端；一第二端，耦接於該參考電壓端；及一控制端；其中當該第二分流開關路徑切換至該第一狀態時，該第二分流開關路徑具有該第一阻抗，當該第二分流開關路徑切換至該第二狀態時，該第二分流開關路徑具有該第二阻抗。
  10. 一種射頻開關，包括：一第一訊號端，耦接至一負載，該負載具有一負載阻抗；一參考電壓端；及N個疊接電晶體，包括一第一端，耦接於該第一訊號端；一第二端，耦接於該參考電壓端；及一控制端，接收一控制電壓，N係為大於1的一正整數；其中：當該N個疊接電晶體導通時，該N個疊接電晶體依據不同的該控制電壓以使該N個疊接電晶體的等效阻抗產生不同的第一阻抗，其中依據不同的該控制電壓以調整該N個疊接電晶體的導通程度來產生不同的第一阻抗，使該第一阻抗和一負載阻抗匹配，其中一射頻訊號只經由該N個疊接電晶體傳送至該參考電壓端；當該N個疊接電晶體截止時，該N個疊接電晶體具有一第二阻抗，其中該N個疊接電晶體的等效阻抗可為截止電容，該第一阻抗及該第二阻抗相異；及該第一阻抗和該負載阻抗匹配。
  11. 如請求項10所述之射頻開關，其中，當該N個疊接電晶體導通 時，該N個疊接電晶體具有一相同阻抗。
  12. 如請求項10所述之射頻開關，其中，當該N個疊接電晶體導通時，該N個疊接電晶體中的至少二個電晶體具有至少二個相異阻抗。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653697B2 (en) * 2001-03-27 2003-11-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High frequency switch circuit and communications terminal using the same
WO2011149596A1 (en) * 2010-05-26 2011-12-01 Skyworks Solutions, Inc. High isolation switch with notch filter
CN108736866A (zh) * 2017-04-24 2018-11-02 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种cmos soi射频开关电路
US10291223B2 (en) * 2015-07-28 2019-05-14 Psemi Corporation RF switch with bypass topology
CN109936355A (zh) * 2018-02-28 2019-06-25 恩智浦美国有限公司 Rf开关、集成电路和装置及其制造方法
CN113285697A (zh) * 2021-05-31 2021-08-20 电子科技大学 一种匹配可重构的超宽带单刀多掷射频开关
CN113595542A (zh) * 2021-09-30 2021-11-02 成都明夷电子科技有限公司 一种单刀双掷射频开关
CN115021737A (zh) * 2022-05-06 2022-09-06 夏芯微电子(上海)有限公司 射频开关电路及电子通信设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573755B2 (en) * 2001-06-28 2003-06-03 Intel Corporation Symmetric differential domino “AND gate”
US7084823B2 (en) * 2003-02-26 2006-08-01 Skycross, Inc. Integrated front end antenna
TWM355469U (en) 2008-11-26 2009-04-21 Bcom Electronics Inc Multi-band-integrated vehicle antenna module in flexible-printed type
US20130029614A1 (en) * 2011-07-29 2013-01-31 Samsung Electro-Mechanics Company Systems, Methods, and Apparatuses for Negative-Charge-Pump-Based Antenna Switch Controllers Utilizing Battery Supplies
US10320381B2 (en) * 2015-03-27 2019-06-11 Integrated Device Technology, Inc. Reduced VSWR switching
US10211830B2 (en) * 2017-04-28 2019-02-19 Qualcomm Incorporated Shunt termination path
KR102348686B1 (ko) 2017-08-04 2022-01-06 삼성전기주식회사 션트 및 바이어스 복합형의 고주파 스위치 장치
US11223103B2 (en) * 2018-01-26 2022-01-11 Huawei Technologies Co., Ltd. Antenna device and MIMO antenna arrays for electronic device
TWI693742B (zh) 2018-11-05 2020-05-11 財團法人工業技術研究院 天線模組及包含此天線模組之環場偵測雷達
US10673412B1 (en) 2019-05-08 2020-06-02 Semiconductor Components Industries, Llc Radio frequency switch
TWI790052B (zh) 2021-12-17 2023-01-11 立積電子股份有限公司 射頻開關

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653697B2 (en) * 2001-03-27 2003-11-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High frequency switch circuit and communications terminal using the same
WO2011149596A1 (en) * 2010-05-26 2011-12-01 Skyworks Solutions, Inc. High isolation switch with notch filter
US10291223B2 (en) * 2015-07-28 2019-05-14 Psemi Corporation RF switch with bypass topology
CN108736866A (zh) * 2017-04-24 2018-11-02 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种cmos soi射频开关电路
CN109936355A (zh) * 2018-02-28 2019-06-25 恩智浦美国有限公司 Rf开关、集成电路和装置及其制造方法
CN113285697A (zh) * 2021-05-31 2021-08-20 电子科技大学 一种匹配可重构的超宽带单刀多掷射频开关
CN113595542A (zh) * 2021-09-30 2021-11-02 成都明夷电子科技有限公司 一种单刀双掷射频开关
CN115021737A (zh) * 2022-05-06 2022-09-06 夏芯微电子(上海)有限公司 射频开关电路及电子通信设备

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