JP2012239011A - 高周波スイッチ - Google Patents

Abstract

【課題】信号線路の特性インピーダンスを操作しても、送信時の通過および反射特性を劣化させることなく、かつ、他の回路との良好な接続性を保ちながら受信時の信号の減衰を低減させることのできる高周波スイッチを得る。
【解決手段】共通端子１と受信端子３との間に第１のトランジスタ４を設ける。共通端子１と送信端子２との間に第１の高周波信号線路６と第２の高周波信号線路７とを直列接続する。第１の高周波信号線路６と第２の高周波信号線路７との接続点に第２のトランジスタ５の一端を接続し、第２のトランジスタ５の他端を接地する。
【選択図】図１

Description

この発明は、低損失特性を有する高周波スイッチに関するものである。

従来、高周波の無線通信機器の高周波スイッチとしては、例えば特許文献１に示すように、共通端子から受信回路端子の間に直列接続された第１のトランジスタと、共通端子から送信回路端子の間に直列接続された１／４波長伝送線路と、シャント接続された第２のトランジスタを備え、これらトランジスタのオン／オフを制御回路で制御するようにしたものがあった。

この高周波スイッチでは、送信時においては全てのトランジスタをオフ状態で動作させ、送信回路端子から入力される送信信号は共通端子へと出力される。一方、受信時においては全てのトランジスタをオン状態で動作させ、共通端子から入力される受信信号は受信回路端子へと出力される。このとき、送信時の信号はトランジスタを通過することが無いため、トランジスタの非線形効果を最小限に抑えることができることに加え、トランジスタによる信号減衰も無く、比較的小さいトランジスタでスイッチを構成することができる。なお、受信時の信号は通常極めて小さいため、非線形特性の影響が問題になることはない。

特開２００４−１７２７２９号公報

しかしながら、従来の高周波スイッチには以下のような問題があった。即ち、受信時において、共通端子から入力された受信信号はオン状態の第１のトランジスタを通過して受信回路端子へと出力される。このとき、共通端子から送信回路側を見たインピーダンスは、第２のトランジスタの示すオン抵抗のため完全にオープンとは見なせないため、受信信号の送信経路側への漏れ込みが生じる。

ここで、受信信号の漏れ込みを低減するために、１／４波長伝送線路の特性インピーダンスを高くした場合、受信信号の漏れ込みは小さくなるが、送信時の送信信号は線路間の不整合により通過および反射特性が劣化してしまう。また、この不整合を補償するためには送信回路のインピーダンスを変える必要が生じるため、本スイッチと他の送信回路との接続性が悪くなるという問題があった。

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、信号線路の特性インピーダンスを操作しても、送信時の通過および反射特性を劣化させることなく、かつ、他の回路との良好な接続性を保ちながら受信時の信号の減衰を低減させることのできる高周波スイッチを得ることを目的とする。

この発明に係る高周波スイッチは、共通端子および受信端子との間に接続された第１のトランジスタと、一端が共通端子と第１のトランジスタとの間に接続された第１の高周波信号線路と、一端が第１の高周波信号線路の他端に接続され、他端がグランドに接地された第２のトランジスタと、一端が第１の高周波信号線路と第２のトランジスタとの間に接続され、他端が送信端子に接続された第２の高周波信号線路とを備えたものである。

この発明の高周波スイッチは、第１の高周波信号線路と送信端子との間に第２の高周波信号線路を設けたので、信号線路の特性インピーダンスを操作しても、送信時の通過および反射特性を劣化させることなく、かつ、他の回路との良好な接続性を保ちながら受信時の信号の減衰を低減させることができる。

この発明の実施の形態１による高周波スイッチを示す構成図である。 この発明の実施の形態１による高周波スイッチの送信時の等価回路を示す構成図である。 この発明の実施の形態１による高周波スイッチの受信時の等価回路を示す構成図である。 この発明の実施の形態２による高周波スイッチを示す構成図である。 この発明の実施の形態３による高周波スイッチを示す構成図である。 この発明の実施の形態４による高周波スイッチを示す構成図である。 この発明の実施の形態５による高周波スイッチを示す構成図である。 この発明の実施の形態５による高周波スイッチの他の例を示す構成図である。 この発明の実施の形態５による高周波スイッチのさらに他の例を示す構成図である。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による高周波スイッチを示す構成図である。
図１に示す高周波スイッチは、共通端子１、送信端子２、受信端子３、第１のトランジスタ４、第２のトランジスタ５、第１の高周波信号線路６、第２の高周波信号線路７、制御端子８を備えている。

共通端子１は、送受信の共通端子であり、図示しない送受信アンテナ等が接続される。送信端子２は、共通端子１を介して送信する送信データの入力端子である。受信端子３は、共通端子１を介して受信する受信データの出力端子である。第１のトランジスタ４は、共通端子１にソースを、受信端子３にドレインを、また、ゲートに高抵抗を介して制御端子８を接続してなる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。第２のトランジスタ５は、ソースを接地し、第１の高周波信号線路６と第２の高周波信号線路７との接続点にドレインを、ゲートに高抵抗を介して制御端子８を接続してなる電界効果トランジスタである。第１の高周波信号線路６は、その一端が共通端子１に接続され他端に第２の高周波信号線路７が接続される伝送線路であり、第２の高周波信号線路７は、一端が第１の高周波信号線路６に接続され、他端が送信端子２に接続される伝送線路である。制御端子８は、第１及び第２のトランジスタ４、５に対して制御電圧を印加するための端子である。

また、第１及び第２のトランジスタ４、５に印加する電圧は、ピンチオフ電圧以上の電圧を印加することによりこれら第１及び第２のトランジスタ４、５のドレイン−ソース間をオン状態とし、ピンチオフ電圧以下の電圧を印加することにより、これらトランジスタのドレイン−ソース間をオフ状態とする。なお、オン状態の電界効果トランジスタは抵抗、オフ状態の電界効果トランジスタは容量としてみなすことができる。ここで、これらの抵抗および容量を電界効果トランジスタのオン抵抗およびオフ容量と呼ぶことにする。

次に、実施の形態１に係る高周波スイッチの動作について図面を参照しながら説明する。
図２は、本実施の形態１に係る高周波スイッチの送信時の等価回路を示す。制御端子８からはピンチオフ電圧以下の電圧を印加し、第１及び第２のトランジスタ４、５はオフ状態とする。
このとき、電界効果トランジスタの示すオフ容量は所要周波数において十分小さいとすると、共通端子１から受信端子３側を見たインピーダンスはほぼオープンとみなすことができる。このとき、送信端子２から入力された信号は第１及び第２の高周波信号線路６、７を通過し共通端子１へと出力される。

図３は、本実施の形態１に係る高周波スイッチの受信時の等価回路を示す。制御端子８からはピンチオフ電圧以上の電圧を印加し、第１及び第２のトランジスタ４、５は共にオン状態とする。
このとき、電界効果トランジスタの示すオン抵抗は十分に小さいとする。共通端子１から送信端子２側の経路は第２のトランジスタ５によってショートされ、さらに、第１の高周波信号線路６の電気長を受信信号の中心周波数において１／４波長に設定することで、第２の高周波信号線路７の特性によらずほぼオープンと見なすことができる。よって、共通端子１から入力された信号は第１のトランジスタ４を通過し受信端子３へと出力される。

ここで、電界効果トランジスタのオン抵抗のため、共通端子１からみた送信側のインピーダンスは理想的なオープンとはならず、信号の漏れ込みが生じ、受信信号の損失が増大する。
本高周波スイッチの基本構成として、高周波信号線路の特性インピーダンスを系のインピーダンスと同じ（例えばＺ_０＝５０Ω）として考えると、この漏れ込みによる損失への影響を低減させるためには、第１の高周波信号線路６の特性インピーダンスを高くすればよい。

一方で、送信時には第１の高周波信号線路６のインピーダンスが変化すると、通過及び反射特性が劣化してしまう。そこで、第２の高周波信号線路７の特性インピーダンス及び電気長を適切に設定することにより、第１の高周波信号線路６の特性インピーダンスが変化したことによる影響を補償することができる。すなわち、従来の構成では第１の高周波信号線路６の特性インピーダンスを自由に設定してしまうと、受信信号が低損失になる代わりに送信信号の損失が大きくなってしまう。そこで、本実施の形態では新たに第２の高周波信号線路７を接続することで、送信信号の損失が大きくなった分を補正することができる。ここで、第２の高周波信号線路７の線路定数（電気長、線路インピーダンス）は第１の高周波信号線路６とは独立に決めることができるものとする。なお、第２の高周波信号線路７を接続したことによる受信信号への影響はほとんどない。

また、トランジスタが理想的なスイッチング特性を有する場合、第２の高周波信号線路７の特性インピーダンスは、第１の高周波信号線路６と同じ値とし、二つの線路を合わせた総電気長が送信信号の中心周波数において１／２波長となるように設定すればよい。

よって、本実施の形態１では、第１及び第２の高周波信号線路６、７の特性インピーダンス及び電気長を適切に設定することで、送信時の通過および反射特性に与える影響を少なく、受信時の信号の減衰を低減できる。

また、送信端子２を含めて、共通端子１や受信端子３の電源インピーダンスは全て同じとして設計できるため、他のマイクロ波回路との接続性が問題とならない。すなわち、一般的なマイクロ波回路は５０Ωで設計されているため、電源インピーダンスが５０Ωで統一されていればそのまま接続できるため他のマイクロ波回路との接続性を良好とすることができる。

以上説明したように、実施の形態１の高周波スイッチによれば、共通端子および受信端子との間に接続された第１のトランジスタと、一端が共通端子と第１のトランジスタとの間に接続された第１の高周波信号線路と、一端が第１の高周波信号線路の他端に接続され、他端がグランドに接地された第２のトランジスタと、一端が第１の高周波信号線路と第２のトランジスタとの間に接続され、他端が送信端子に接続された第２の高周波信号線路とを備えたので、信号線路の特性インピーダンスを操作しても、送信時の通過および反射特性を劣化させることなく、かつ、他の回路との良好な接続性を保ちながら受信時の信号の減衰を低減させることができる。

実施の形態２．
図４は、この発明の実施の形態２に係る高周波スイッチの構成図である。実施の形態２の高周波スイッチは、共通端子１、送信端子２、受信端子３、第１及び第２のトランジスタ４及び５、第１及び第２の高周波信号線路６及び７、制御端子８、第３のトランジスタ９、制御端子１０を備えている。ここで、共通端子１〜制御端子８は、図１〜図３に示した実施の形態１の構成と同様であるため、ここでの説明は省略する。第３のトランジスタ９は、第１及び第２のトランジスタ４、５と同様に電界効果トランジスタからなり、ソースを接地し、ドレインを受信端子３に接続し、ゲートには高抵抗を介して制御端子１０が接続されている。制御端子１０は、第３のトランジスタ９に対して制御電圧を印加するための端子である。

次に、実施の形態２に係る高周波スイッチの動作について説明する。
制御端子８からはピンチオフ電圧以下の電圧を印加し、第１及び第２のトランジスタ４、５はオフ状態とする。一方、制御端子１０からはピンチオフ電圧以上の電圧を印加し、第３のトランジスタ９はオン状態とする。
このとき、電界効果トランジスタの示すオフ容量は所要周波数において十分小さく、さらにオン抵抗も十分に小さいとすると、共通端子１から受信端子３側を見たインピーダンスはほぼオープンとみなすことができる。このとき、送信端子２から入力された信号は第１及び第２の高周波信号線路６、７を通過し、共通端子１へと出力される。

また、実施の形態２では第３のトランジスタ９が存在するため、共通端子１と受信端子３間を遮断した状態における共通端子１と受信端子３間の遮断量（アイソレーション）を大きくすることができる。

次に、受信時の動作について説明する。制御端子８からはピンチオフ電圧以上の電圧を印加し、第１及び第２のトランジスタ４、５をオン状態とする。一方、制御端子１０からはピンチオフ電圧以下の電圧を印加し、第３のトランジスタ９はオフ状態とする。
このとき、電界効果トランジスタの示すオフ容量は所要周波数において十分小さく、さらにオン抵抗も十分に小さいとする。共通端子１から送信端子２側の経路は第２のトランジスタ５によってショートされ、さらに第１の高周波信号線路６の電気長を受信信号の中心周波数において１／４波長に設定することで、第２の高周波信号線路７の特性によらず、ほぼオープンと見なすことができる。また、第３のトランジスタ９もオフ状態となるため、共通端子１から入力された信号は第１のトランジスタ４を通過し受信端子３へと出力される。

ここで、電界効果トランジスタのオン抵抗のため、共通端子１からみた送信側のインピーダンスは理想的なオープンとはならず、信号の漏れ込みが生じ、受信信号の損失を増大させてしまう。この場合の対処として、第１及び第２の高周波信号線路６、７の特性インピーダンスを適切な値に設定することは実施の形態１と同様であるため、ここでの説明は省略する。

以上説明したように、実施の形態２の高周波スイッチによれば、共通端子および受信端子との間に接続された第１のトランジスタと、一端が共通端子と第１のトランジスタとの間に接続された第１の高周波信号線路と、一端が第１の高周波信号線路の他端に接続され、他端がグランドに接地された第２のトランジスタと、一端が第１の高周波信号線路と第２のトランジスタとの間に接続され、他端が送信端子に接続された第２の高周波信号線路と、一端が第１のトランジスタと受信端子との間に接続され、他端がグランドに接地された第３のトランジスタとを備えたので、実施の形態１と同様の効果を有すると共に、さらに共通端子と受信端子間のアイソレーションを大きくすることができる。

実施の形態３．
図５は、この発明の実施の形態３に係る高周波スイッチの構成図である。実施の形態３の高周波スイッチは、共通端子１、送信端子２、受信端子３、第２のトランジスタ５、第１の高周波信号線路６、第２の高周波信号線路７、制御端子８、第３のトランジスタ９、制御端子１０、第３の高周波信号線路１１を備えている。ここで、共通端子１〜制御端子１０は、図４に示した実施の形態２の構成と同様であるため、対応する部分に同一符号を付してその説明を省略する。第３の高周波信号線路１１は、共通端子１と受信端子３との間に接続された伝送線路であり、この第３の高周波信号線路１１と受信端子３との接続点に第３のトランジスタ９のドレインが接続されている。

次に、実施の形態３の高周波スイッチの動作について説明する。
先ず、送信時の動作について説明する。制御端子８からはピンチオフ電圧以下の電圧を印加し、第２のトランジスタ５はオフ状態とする。一方、制御端子１０からはピンチオフ電圧以上の電圧を印加し、第３のトランジスタ９はオン状態とする。
このとき、電界効果トランジスタの示すオフ容量は所要周波数において十分小さく、さらにオン抵抗も十分に小さいとする。また、第１の高周波信号線路６の電気長を信号の中心周波数において１／４波長に設定することで、共通端子１から受信端子側を見たインピーダンスはほぼオープンとみなすことができる。
このとき、送信端子２から入力された信号は第１及び第２の高周波信号線路６、７を通過し、共通端子１へと出力される。

次に、受信時の動作について説明する。制御端子８からはピンチオフ電圧以上の電圧を印加し、第２のトランジスタ５はオン状態となる。一方、制御端子１０からはピンチオフ電圧以下の電圧を印加し、第３のトランジスタ９はオフ状態となる。
このとき、電界効果トランジスタの示すオフ容量は所要周波数において十分小さく、さらにオン抵抗も十分に小さいとする。共通端子１から送信端子２側の経路は第２のトランジスタ５によってショートされ、さらに第１の高周波信号線路６の電気長を受信信号の中心周波数において１／４波長に設定することで、第２の高周波信号線路７の特性によらずほぼオープンと見なすことができる。また、第３のトランジスタ９もオフ状態となるため、共通端子１から入力された信号は第３の高周波信号線路１１を通過し受信端子３へと出力される。

ここで、電界効果トランジスタのオン抵抗のため、共通端子からみた送信側のインピーダンスは理想的なオープンとはならず、信号の漏れ込みが生じ、受信信号の損失が増大する。この場合の対処として、第１及び第２の高周波信号線路６、７の特性インピーダンスを適切な値に設定することは実施の形態１、２と同様であるため、ここでの説明は省略する。

以上説明したように、実施の形態３の高周波スイッチによれば、一端が共通端子に接続された第１の高周波信号線路と、一端が第１の高周波信号線路の他端に接続され、他端がグランドに接地された第２のトランジスタと、一端が第１の高周波信号線路と第２のトランジスタとの間に接続され、他端が送信端子に接続された第２の高周波信号線路と、共通端子および受信端子との間に接続された第３の高周波信号線路と、一端が受信端子と第３の高周波信号線路との間に接続され、他端がグランドに接地された第３のトランジスタとを備えたので、実施の形態１と同様の効果を有すると共に、共通端子と受信端子間に電界効果トランジスタを直列に接続しないため、受信信号を低損失とすることができる。

実施の形態４．
図６は、この発明の実施の形態４に係る高周波スイッチの構成図である。
本実施の形態４は、上述した実施の形態２において、第１及び第２のトランジスタ４、５のそれぞれを、二つのトランジスタを用いた直列回路に置き換え、第３のトランジスタ９は、二つのトランジスタを用いた並列回路に置き換えた構成である。すなわち、実施の形態４の高周波スイッチは、共通端子１、送信端子２、受信端子３、第１の直列回路４０、第２の直列回路５０、並列回路９０、第１の高周波信号線路６、第２の高周波信号線路７、制御端子８、制御端子１０を備えている。

ここで、共通端子１〜受信端子３の構成は、上記実施の形態１〜３と同様である。第１の直列回路４０は、実施の形態２における第１のトランジスタ４に対応する位置に設けられた二つの電界効果トランジスタの直列回路である。また、第２の直列回路５０は、実施の形態２における第２のトランジスタ５に対応する位置に設けられた二つの電界効果トランジスタの直列回路である。さらに、並列回路９０は、実施の形態２における第３のトランジスタ９の位置に設けられた二つの電界効果トランジスタの並列回路である。第１及び第２の高周波信号線路６、７は、それぞれ実施の形態１〜３の第１及び第２の高周波信号線路６、７と同様であり、これら第１及び第２の高周波信号線路６、７の接続点に第２の直列回路５０のドレイン側が接続されている。制御端子８は、高抵抗を介して第１の直列回路４０及び第２の直列回路５０における各トランジスタのゲートに制御電圧を印加するための制御端子であり、制御端子１０は、高抵抗を介して並列回路９０の各トランジスタのゲートに制御電圧を印加するための制御端子である。

本実施の形態４における送信時の動作について説明する。制御端子８からはピンチオフ電圧以下の電圧を印加し、第１の直列回路４０及び第２の直列回路５０におけるそれぞれのトランジスタはオフ状態とする。一方、制御端子１０からはピンチオフ電圧以上の電圧を印加し、並列回路９０における二つのトランジスタはオン状態とする。
このとき、送信信号の電力に応じて第１の直列回路４０及び第２の直列回路５０には電圧が印加され、並列回路９０には電流が流れる。第１の直列回路４０及び第２の直列回路５０は、複数のトランジスタの直列回路であるので、トランジスタ一つあたりに印加される電圧は低減され、また、並列回路９０は複数のトランジスタの並列回路であるのでトランジスタ一つあたりに流れる電流は低減される。

従って、本実施の形態４によれば、送信信号によってトランジスタ一つあたりに印加される電圧および流れる電流が低減されるため、耐電力の向上を実現することができる。
また、本実施の形態４では、第１の直列回路４０及び第２の直列回路５０は多段に直列接続した構成を示したが、トランジスタのゲート構造をデュアルゲート、トリプルゲートといったマルチゲート構造とした場合でも同様の効果を得ることができる。また、並列回路９０においても、複数のトランジスタを並列接続した構成のマルチゲート構造のトランジスタで構成してもよい。

以上説明したように、実施の形態４の高周波スイッチによれば、第１のトランジスタを複数のトランジスタの直列回路とし、または、複数のトランジスタが直列接続された構成のマルチゲート構造のトランジスタとしたので、耐電力の向上を図ることができる。

また、実施の形態４の高周波スイッチによれば、第２のトランジスタを複数のトランジスタの直列回路とし、または、複数のトランジスタが直列接続された構成のマルチゲート構造のトランジスタとしたので、耐電力の向上を図ることができる。

また、実施の形態４の高周波スイッチによれば、第３のトランジスタを複数のトランジスタの並列回路とし、または、複数のトランジスタが並列接続された構成のマルチゲート構造のトランジスタとしたので、耐電力の向上を図ることができる。

実施の形態５．
図７は、この発明の実施の形態５に係る高周波スイッチの構成図である。
本実施の形態５は、上述した実施の形態１〜４におけるいずれかの高周波スイッチを複数組み合わせ、任意の高周波スイッチの共通端子を他の高周波スイッチの送信端子または受信端子に接続したものである。図７に示す例では、高周波スイッチ回路１０１、１０２、１０３の三つを組み合わせている。高周波スイッチ回路１０１は、実施の形態４の図６に示した高周波スイッチであり、高周波スイッチ回路１０２、１０３は、それぞれ実施の形態２の図４に示した高周波スイッチである。

このような三つの高周波スイッチ回路を用いて、高周波スイッチ回路１０２の共通端子を、高周波スイッチ回路１０１の送信端子に接続し、高周波スイッチ回路１０３の共通端子を高周波スイッチ回路１０１の受信端子に接続している。なお、送信端子２ａと受信端子３ａは、高周波スイッチ回路１０２の送信端子と受信端子、送信端子２ｂと受信端子３ｂは、高周波スイッチ回路１０３の送信端子と受信端子をそれぞれ示している。

このように構成された高周波スイッチは、共通端子と送受信端子との経路が四つになり、各高周波スイッチ回路のトランジスタを各高周波スイッチの制御端子から電圧制御することで信号経路をスイッチ一つの場合と同様にそれぞれ切替えることができる。また、これ以外にも、図８に示すように、実施の形態１の高周波スイッチからなる高周波スイッチ回路１０４の送信端子に実施の形態２の高周波スイッチからなる高周波スイッチ回路１０５の共通端子を接続した構成や、図９に示すように、実施の形態１の高周波スイッチからなる高周波スイッチ回路１０６の送信端子に実施の形態２の高周波スイッチからなる高周波スイッチ回路１０７を、また、受信端子に実施の形態３の高周波スイッチからなる高周波スイッチ回路１０８を接続し、高周波スイッチ回路１０７の送信端子に実施の形態２の高周波スイッチからなる高周波スイッチ回路１０９の共通端子を接続した構成といったように、接続する高周波スイッチの個数や種類は種々選択が可能である。なお、図８及び図９において、送信端子２ｄ，２ｆ，２ｇは、高周波スイッチ回路１０５，１０８，１０９の送信端子、受信端子３ｃ〜３ｇは、高周波スイッチ回路１０４，１０５，１０７〜１０９の受信端子である。

以上説明したように、実施の形態５の高周波スイッチによれば、実施の形態１から実施の形態４のうちのいずれかの高周波スイッチを複数用い、任意の高周波スイッチの共通端子を、他の高周波スイッチの送信端子または受信端子に接続したので、実施の形態１から実施の形態４のうちのいずれかの効果に加えて、より多くの経路を選択できる高周波スイッチを得ることができる。

なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

１ 共通端子、２，２ａ〜２ｇ 送信端子、３，３ａ〜３ｇ 受信端子、４ 第１のトランジスタ、５ 第２のトランジスタ、６ 第１の高周波信号線路、７ 第２の高周波信号線路、８，１０ 制御端子、９ 第３のトランジスタ、１１ 第３の高周波信号線路、４０ 第１の直列回路、５０ 第２の直列回路、９０ 並列回路、１０１〜１０９ 高周波スイッチ回路。

Claims (7)

1. 共通端子および受信端子との間に接続された第１のトランジスタと、
   一端が前記共通端子と前記第１のトランジスタとの間に接続された第１の高周波信号線路と、
   一端が前記第１の高周波信号線路の他端に接続され、他端がグランドに接地された第２のトランジスタと、
   一端が前記第１の高周波信号線路と前記第２のトランジスタとの間に接続され、他端が送信端子に接続された第２の高周波信号線路とを備えたことを特徴とする高周波スイッチ。
2. 共通端子および受信端子との間に接続された第１のトランジスタと、
   一端が前記共通端子と前記第１のトランジスタとの間に接続された第１の高周波信号線路と、
   一端が前記第１の高周波信号線路の他端に接続され、他端がグランドに接地された第２のトランジスタと、
   一端が前記第１の高周波信号線路と前記第２のトランジスタとの間に接続され、他端が送信端子に接続された第２の高周波信号線路と、
   一端が前記第１のトランジスタと前記受信端子との間に接続され、他端がグランドに接地された第３のトランジスタとを備えたことを特徴とする高周波スイッチ。
3. 一端が共通端子に接続された第１の高周波信号線路と、
   一端が前記第１の高周波信号線路の他端に接続され、他端がグランドに接地された第２のトランジスタと、
   一端が前記第１の高周波信号線路と前記第２のトランジスタとの間に接続され、他端が送信端子に接続された第２の高周波信号線路と、
   前記共通端子および受信端子との間に接続された第３の高周波信号線路と、
   一端が前記受信端子と前記第３の高周波信号線路との間に接続され、他端がグランドに接地された第３のトランジスタとを備えたことを特徴とする高周波スイッチ。
4. 第１のトランジスタを複数のトランジスタの直列回路とし、または、複数のトランジスタが直列接続された構成のマルチゲート構造のトランジスタとしたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の高周波スイッチ。
5. 第２のトランジスタを複数のトランジスタの直列回路とし、または、複数のトランジスタが直列接続された構成のマルチゲート構造のトランジスタとしたことを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の高周波スイッチ。
6. 第３のトランジスタを複数のトランジスタの並列回路とし、または、複数のトランジスタが並列接続された構成のマルチゲート構造のトランジスタとしたことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の高周波スイッチ。
7. 請求項１から請求項６のうちのいずれかに記載の高周波スイッチを複数用い、
   任意の高周波スイッチの共通端子を、他の高周波スイッチの送信端子または受信端子に接続したことを特徴とする高周波スイッチ。

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