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TWI852285B - 顯示裝置及其操作方法 - Google Patents

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TWI852285B
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余悌魁
徐雅玲
鄭聖諺
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友達光電股份有限公司
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Abstract

一種顯示裝置包含第一畫素電路、第二畫素電路、第一閘極線、第二閘極線、第一傳輸線及第二傳輸線。第一畫素電路用以依據資料信號發光，並用以依據第一閘極信號充電。第二畫素電路用以依據資料信號發光，並用以依據第二閘極信號充電。第一閘極線位於第一畫素電路及第二畫素電路之間，並用以提供第一閘極信號。第二閘極線用以提供第二閘極信號。第一傳輸線用以提供第二閘極信號至第二閘極線。第二傳輸線位於第一傳輸線及第二畫素電路之間，跨越第二閘極線，並用以提供第一閘極信號至第一閘極線。

Description

顯示裝置及其操作方法
本揭示內容是有關於一種顯示技術，特別是關於一種顯示裝置及顯示裝置的操作方法。
顯示裝置中的畫素電路依據對應的閘極信號進行發光操作。然而，傳輸閘極信號的閘極線與畫素電路及資料線之間的電容耦合將導致顯示裝置亮度異常。因此，要如何設計以解決上述問題為本領域重要之課題。
本發明實施例包含一種顯示裝置。顯示裝置包含第一畫素電路、第二畫素電路、第一閘極線、第二閘極線、第一傳輸線及第二傳輸線。第一畫素電路用以依據一資料信號發光，並用以依據一第一閘極信號充電。第二畫素電路用以依據資料信號發光，並用以依據一第二閘極信號充電。第一閘極線位於第一畫素電路及第二畫素電路之間，並用以提供第一閘極信號。第二閘極線用以提供第二閘極信號。第一傳輸線用以提供第二閘極信號至第二閘極線。第二傳輸線位於第一傳輸線及第二畫素電路之間，跨越第二閘極線，並用以提供第一閘極信號至第一閘極線。
本發明實施例包含一種顯示裝置的操作方法。操作方法包含：在一第一時刻，將一第一傳輸線上的一第一閘極信號從一第一電壓準位調整至一第二電壓準位，以維持與第一傳輸線電容耦合的一資料線的一電壓準位；在第一時刻，將一第二傳輸線上的一第二閘極信號從第二電壓準位調整至第一電壓準位，以維持與第二傳輸線電容耦合的資料線的電壓準位；在第一時刻之後，依據第二閘極信號及資料線上的一資料信號對一第一畫素電路進行充電；以及在第一時刻之前，依據第一閘極信號及資料信號對一第二畫素電路進行充電。
於本文中，當一元件被稱為「連接」或「耦接」時，可指「電性連接」或「電性耦接」。「連接」或「耦接」亦可用以表示二或多個元件間相互搭配操作或互動。此外，雖然本文中使用「第一」、「第二」、…等用語描述不同元件，該用語僅是用以區別以相同技術用語描述的元件或操作。除非上下文清楚指明，否則該用語並非特別指稱或暗示次序或順位，亦非用以限定本案。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本案所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本案的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」。「或」表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包括」及/或「包含」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
以下將以圖式揭露本案之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本案。也就是說，在本揭示內容部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1圖為根據本案之一實施例所繪示之顯示裝置100的示意圖。如第1圖所示，顯示裝置100包含邊緣區域110、130及發光區域120。邊緣區域130、發光區域120及邊緣區域110在Y方向上依序排列。發光區域120在Y方向上具有長度L11。
在一些實施例中，顯示裝置100更包含各種電路，例如發光電路及控制電路。控制電路用以產生資料信號(例如第2圖所示之資料信號DT1及DT2)。發光電路用以依據資料信號發光。在一些實施例中，發光電路位於發光區域120，且控制電路位於邊緣區域110及/或130。在一些實施例中，位於邊緣區域110或130的電路不發光。
第2圖為根據本案之一實施例所繪示之第1圖所示的顯示裝置100的進一步細節的示意圖。如第2圖所示，顯示裝置100包含閘極線HG1~HG4、傳輸線VG2、VG3、資料線LDT1、LDT2、參考電壓線LVS1、LVS2、通孔結構VS2、VS3、源極結構SS1~SS8及畫素電路B1~B4、R1~R4。
如第2圖所示，閘極線HG1~HG4的每一者在X方向上延伸，且閘極線HG1~HG4在Y方向上依序排列。在一些實施例中，X方向垂直於Y方向。
如第2圖所示，傳輸線VG2在Y方向上延伸，並跨越閘極線HG3及HG4。傳輸線VG3在Y方向上延伸，並跨越閘極線HG4。參考電壓線LVS1在Y方向上延伸，並跨越閘極線HG1。參考電壓線LVS2在Y方向上延伸，並跨越閘極線HG1及HG2。
在一些實施例中，參考電壓線LVS1及LVS2用以提供參考電壓信號VSS至畫素電路B1~B4及R1~R4的至少一者。在一些實施例中，參考電壓信號VSS具有固定的電壓值，使得參考電壓線LVS1及LVS2和其他元件不產生電容耦合。
如第2圖所示，通孔結構VS2位於閘極線HG2上方，並用以耦接閘極線HG2及傳輸線VG2，使得閘極線HG2及傳輸線VG2具有相同的電壓準位。通孔結構VS3位於閘極線HG3上方，並用以耦接閘極線HG3及傳輸線VG3，使得閘極線HG3及傳輸線VG3具有相同的電壓準位。
如第2圖所示，在Y方向上，畫素電路B1~B4依序排列，且畫素電路R1~R4依序排列。畫素電路B2及R2的每一者位於閘極線HG1及HG2之間。畫素電路B3及R3的每一者位於閘極線HG2及HG3之間。畫素電路B4及R4的每一者位於閘極線HG3及HG4之間。
如第2圖所示，源極結構SS1耦接閘極線HG1及畫素電路B1的每一者。源極結構SS2耦接閘極線HG2及畫素電路B2的每一者。源極結構SS3耦接閘極線HG3及畫素電路B3的每一者。源極結構SS4耦接閘極線HG4及畫素電路B4的每一者。源極結構SS5耦接閘極線HG1及畫素電路R1的每一者。源極結構SS6耦接閘極線HG2及畫素電路R2的每一者。源極結構SS7耦接閘極線HG3及畫素電路R3的每一者。源極結構SS8耦接閘極線HG4及畫素電路R4的每一者。
如第2圖所示，資料線LDT1包含資料線部分LDP1~LDP4及汲極結構DS1~DS4。汲極結構DS1~DS4分別位於閘極線HG1~HG4之上。在X方向上，資料線部分LDP1~LDP4的每一者位於兩行畫素電路之間。舉例來說，在第2圖所示的實施例中，資料線部分LDP1~LDP4的每一者位於包含畫素電路B1~B4的一行畫素電路及包含畫素電路R1~R4的另一行畫素電路之間。
如第2圖所示，資料線部分LDP1及LDP2的每一者在Y方向上延伸，並跨越閘極線HG1~HG4的每一者。在X方向上，資料線部分LDP1、傳輸線VG2、VG3及資料線部分LDP2依序排列。在一些實施例中，傳輸線VG2與資料線部分LDP1之間的距離小於傳輸線VG2與資料線部分LDP2之間的距離，且傳輸線VG3與資料線部分LDP2之間的距離小於傳輸線VG3與資料線部分LDP1之間的距離。
如第2圖所示，資料線部分LDP3及LDP4的每一者在X方向上延伸。資料線部分LDP3用以耦接資料線部分LDP1及LDP2的一端，且資料線部分LDP4用以耦接資料線部分LDP1及LDP2的另一端。在Y方向上，閘極線HG1~HG4的每一者位於資料線部分LDP3及LDP4之間。
在一些變化例中，資料線LDT1也可以不包含資料線部分LDP4。在上述變化例中，資料線部分LDP1及LDP2僅藉由資料線部分LDP3彼此耦接。
請參照第2圖及第1圖，在一些實施例中，資料線部分LDP3及LDP4分別位於邊緣區域110及130。資料線部分LDP1及LDP2的每一者的一端位於邊緣區域110，且資料線部分LDP1及LDP2的每一者的另一端位於邊緣區域130。資料線部分LDP1及LDP2的每一者在Y方向的長度大於長度L11。
如第2圖所示，資料線LDT2包含資料線部分LDP5及汲極結構DS5~DS8。汲極結構DS5~DS8分別位於閘極線HG1~HG4之上。資料線部分LDP5在Y方向上延伸，並跨越閘極線HG1~HG4的每一者。
在一些實施例中，閘極線HG1~HG4、汲極結構DS1~DS8及源極結構SS1~SS8用以操作為對應的電晶體。如第2圖所示，閘極線HG1、汲極結構DS1及源極結構SS1對應電晶體T1。閘極線HG2、汲極結構DS2及源極結構SS2對應電晶體T2。閘極線HG3、汲極結構DS3及源極結構SS3對應電晶體T3。閘極線HG4、汲極結構DS4及源極結構SS4對應電晶體T4。閘極線HG1、汲極結構DS5及源極結構SS5對應電晶體T5。閘極線HG2、汲極結構DS6及源極結構SS6對應電晶體T6。閘極線HG3、汲極結構DS7及源極結構SS7對應電晶體T7。閘極線HG4、汲極結構DS8及源極結構SS8對應電晶體T8。
在一些實施例中，傳輸線VG2用以通過通孔結構VS2將閘極信號SG2傳輸至閘極線HG2。傳輸線VG3用以通過通孔結構VS3將閘極信號SG3傳輸至閘極線HG3。在一些實施例中，閘極線HG1用以從不同於傳輸線VG2及VG3的傳輸線接收閘極信號SG1。閘極線HG4用以從不同於傳輸線VG2及VG3的傳輸線接收閘極信號SG4。
在一些實施例中，資料線LDT1及LDT2分別用以接收資料信號DT1及DT2。電晶體T1用以依據閘極信號SG1將資料信號DT1提供至畫素電路B1。電晶體T2用以依據閘極信號SG2將資料信號DT1提供至畫素電路B2。電晶體T3用以依據閘極信號SG3將資料信號DT1提供至畫素電路B3。電晶體T4用以依據閘極信號SG4將資料信號DT1提供至畫素電路B4。畫素電路B1~B4的每一者依據資料信號DT1發光。
在一些實施例中，資料線LDT1與傳輸線VG2及VG3的每一者具有電容耦合，使得資料信號DT1的電壓準位受到閘極信號SG2及/或SG3的電壓準位變化影響。
在一些實施例中，電晶體T5用以依據閘極信號SG1將資料信號DT2提供至畫素電路R1。電晶體T6用以依據閘極信號SG2將資料信號DT2提供至畫素電路R2。電晶體T7用以依據閘極信號SG3將資料信號DT2提供至畫素電路R3。電晶體T8用以依據閘極信號SG4將資料信號DT2提供至畫素電路R4。畫素電路R1~R4的每一者依據資料信號DT2發光。
第3圖為根據本案之一實施例所繪示之第1圖所示之顯示裝置100的操作的時序圖300。如第3圖所示，時序圖300包括依序且連續排列的期間P31~P34。期間P31在時刻M31開始，且在時刻M32結束。期間P32在時刻M32開始，且在時刻M33結束。期間P33在時刻M33開始，且在時刻M34結束。期間P34在時刻M34開始，且在時刻M35結束。
如第3圖所示，在期間P31~P34，閘極信號SG1~SG4在電壓準位VH及VL之間變化。資料信號DT1分別在期間P31~P34大約具有電壓準位VD1~VD4。在一些實施例中，電壓準位VH大於電壓準位VL。請參照第2圖及第3圖，對於電晶體T1~T8的每一者而言，電壓準位VL係禁能電壓準位，且電壓準位VH係致能電壓準位。換言之，電晶體T1~T8的每一者依據電壓準位VL關閉，且依據電壓準位VH導通。
在時刻M31，閘極信號SG1從電壓準位VL改變至電壓準位VH，使得畫素電路B1開始充電。在一些實施例中，用以傳輸閘極信號SG1至閘極線SG1的傳輸線距離畫素電路B1~B4及資料線LDT1的距離較遠，例如在X方向上相隔兩個或更多個畫素電路的寬度，使得閘極信號SG1的電壓準位變化不會藉由電容耦合影響到畫素電路B1~B4及資料線LDT1的電壓準位。對應地，在時刻M31，畫素電路B1~B4及資料線LDT1的電壓準位維持不變。
在期間P31，閘極信號SG1具有電壓準位VH，使得電晶體T1及T5的每一者導通。此時，畫素電路B1依據具有資料電壓準位VD1的資料信號DT1充電，且畫素電路R1依據資料信號DT2充電。
在時刻M32，閘極信號SG1從電壓準位VH改變至電壓準位VL，且閘極信號SG2從電壓準位VL改變至電壓準位VH，使得畫素電路B1停止充電且畫素電路B2開始充電。在時刻M32之後，畫素電路B1依據資料電壓準位VD1進行發光。
在一些實施例中，在時刻M32，傳輸線VG2的電壓準位被閘極信號SG2拉高，且藉由電容耦合影響資料線部分LDP1的電壓準位，使得畫素電路B1的電壓準位被拉高。
在期間P32，閘極信號SG2具有電壓準位VH，使得電晶體T2及T6的每一者導通。此時，畫素電路B2依據具有資料電壓準位VD2的資料信號DT1充電，且畫素電路R2依據資料信號DT2充電。
在時刻M33，閘極信號SG2從電壓準位VH改變至電壓準位VL，且閘極信號SG3從電壓準位VL改變至電壓準位VH，使得畫素電路B2停止充電且畫素電路B3開始充電。此時，傳輸線VG2的電壓準位被閘極信號SG2拉低，且藉由電容耦合拉低資料線部分LDP1的電壓準位。另一方面，傳輸線VG3的電壓準位被閘極信號SG3拉高，且藉由電容耦合拉高資料線部分LDP2的電壓準位。對應地，閘極信號SG2的拉低及閘極信號SG3的拉高在資料線LDT1上互相抵銷，使得資料線LDT1維持在電壓準位VD2。此時，耦接資料線LDT1的畫素電路B2的電壓準位亦維持不變。在時刻M33之後，畫素電路B2依據資料電壓準位VD2進行發光。
在期間P33，閘極信號SG3具有電壓準位VH，使得電晶體T3及T7的每一者導通。此時，畫素電路B3依據具有資料電壓準位VD3的資料信號DT1充電，且畫素電路R3依據資料信號DT2充電。
在時刻M34，閘極信號SG3從電壓準位VH改變至電壓準位VL，且閘極信號SG4從電壓準位VL改變至電壓準位VH，使得畫素電路B3停止充電且畫素電路B4開始充電。此時，傳輸線VG3不會與畫素電路B3及B4的每一者發生電容耦合，使得畫素電路B3維持在資料電壓準位VD3，且畫素電路B4在時刻M34之後充電時受到的影響較小。在時刻M34之後，畫素電路B3依據資料電壓準位VD3發光。
在一些實施例中，在時刻M34，傳輸線VG3不會與畫素電路B3及B4的每一者電容耦合是因為傳輸線VG3與畫素電路B3及B4的每一者之間的距離較遠。舉例來說，傳輸線VG3與畫素電路B3之間的距離大於傳輸線VG2與畫素電路B3之間的距離。對應地，傳輸線VG3與畫素電路B3之間的電容耦合小於傳輸線VG2與畫素電路B3之間的電容耦合。
在一些作法中，在顯示裝置中，提供閘極信號的傳輸線的排列方式不佳，使得傳輸線與畫素電路之間的距離較小。對應地，在畫素電路進行充電操作時，傳輸線與畫素電路之間的電容耦合及傳輸線與資料線之間的電容耦合同時發生，使得畫素電路的電壓準位被嚴重下拉。如此一來，顯示裝置會發生亮度異常的問題。
相較於上述作法，在本揭示內容的一些實施例中，在X方向上，畫素電路B4、資料線部分LDP1及傳輸線VG2、VG3依序排列，使得傳輸線VG3與畫素電路B4的距離較遠。如此一來，畫素電路B4的電壓準位不會被傳輸線VG3的電壓準位變化影響。對應地，顯示裝置100的亮度異常減少。
如第3圖所示，在期間P34，閘極信號SG4具有電壓準位VH，使得電晶體T4及T8的每一者導通。此時，畫素電路B4依據具有資料電壓準位VD4的資料信號DT1充電，且畫素電路R4依據資料信號DT2充電。
在時刻M35，閘極信號SG4從電壓準位VH改變至電壓準位VL，使得畫素電路B4停止充電。在時刻M35之後，畫素電路B4依據資料電壓準位VD4發光。
第4圖為根據本案之一實施例所繪示之顯示裝置400的示意圖。如第4圖所示，顯示裝置400包含閘極線HG42、HG43、傳輸線VG42、VG43、資料線LDT4及畫素電路行RC1、GC1、BC1、RC2、GC2、BC2。
在一些實施例中，畫素電路行RC1及RC2用以發紅色光，畫素電路行GC1及GC2用以發綠色光，且畫素電路行BC1及BC2用以發藍色光。在各種實施例中，畫素電路行RC1、GC1、BC1、RC2、GC2及BC2可以發出各種顏色的光。
如第4圖所示，閘極線HG42及HG43的每一者在X方向上延伸，且閘極線HG42及HG43在Y方向上依序排列。傳輸線VG42在Y方向上延伸，並耦接至閘極線HG42。傳輸線VG43在Y方向上延伸，並耦接至閘極線HG43。
如第4圖所示，傳輸線VG42用以接收閘極信號SG42，並將閘極信號SG42傳輸至閘極線HG42。傳輸線VG43用以接收閘極信號SG43，並將閘極信號SG43傳輸至閘極線HG43。資料線LDT4用以接收資料信號DT4。
如第4圖所示，資料線LDT4包含資料線部分LDP41~LDP44。在X方向上，資料線部分LDP41~LDP44的每一者位於畫素電路行BC1及RC2之間。資料線部分LDP41及LDP42的每一者在Y方向上延伸。在X方向上，資料線部分LDP41、傳輸線VG42、VG43及資料線部分LDP42依序排列。
如第4圖所示，資料線部分LDP43及LDP44的每一者在X方向上延伸。資料線部分LDP43用以耦接資料線部分LDP41及LDP42的一端，且資料線部分LDP44用以耦接資料線部分LDP41及LDP42的另一端。在Y方向上，畫素電路行RC1、GC1、BC1、RC2、GC2及BC2位於資料線部分LDP43及LDP44之間。
請參照第4圖及第1圖，在一些實施例中，資料線部分LDP43及LDP44分別位於邊緣區域110及130。資料線部分LDP41及LDP42的每一者的一端位於邊緣區域110，且資料線部分LDP41及LDP42的每一者的另一端位於邊緣區域130。資料線部分LDP41及LDP42的每一者在Y方向的長度大於長度L11。
如第4圖所示，畫素電路行BC1包含畫素電路B41~B417。在Y方向上，畫素電路B41~B417依序排列。畫素電路B41~B417的每一者耦接資料線部分LDP41。畫素電路B47及B412分別耦接閘極線HG42及HG43。
請參照第4圖及第2圖，顯示裝置400是顯示裝置100的一種變化例。閘極線HG42、HG43、傳輸線VG42、VG43及資料線LDT4分別對應閘極線HG2、HG3、傳輸線VG2、VG3及資料線LDT1。資料線部分LDP41~LDP44分別對應LDP1~LDP4。閘極信號SG42、SG43及資料信號DT4分別對應閘極信號SG2、SG3及資料信號DT1。畫素電路B47及B412分別對應畫素電路B2及B3。因此，部分敘述不再重複說明。
第5圖為根據本案之一實施例所繪示之第4圖所示之顯示裝置400的操作的時序圖500。如第5圖所示，時序圖500包括依序且連續排列的期間P51~P54。期間P51在時刻M51開始。期間P52在時刻M52結束，且期間P53在時刻M52開始。期間P54在時刻M53結束。
在時刻M51之前，畫素電路B41~B46對應的閘極線(圖未示)依序從電壓準位VL改變至電壓準位VH。在時刻M51，閘極信號SG42從電壓準位VL改變至電壓準位VH。在一些實施例中，由於傳輸線VG42及資料線部分LDP41之間的電容耦合，在時刻M51，資料信號DT4被稍微拉高。
在期間P51~P52，閘極信號SG42具有電壓準位VH。在期間P51，畫素電路B43~B46依序依據資料信號DT4充電並且依序開始發光。在期間P52，畫素電路B47依據資料信號DT4充電。在一些實施例中，期間P51被稱為畫素電路B47的預充電(pre-charge)期間，且期間P52被稱為畫素電路B47的主要充電(main-charge)期間。
在時刻M52之前，畫素電路B48~B411對應的閘極線(圖未示)依序從電壓準位VL改變至電壓準位VH。在時刻M52，閘極信號SG42從電壓準位VH改變至電壓準位VL，且閘極信號SG43從電壓準位VL改變至電壓準位VH。此時，傳輸線VG42的電壓準位被閘極信號SG42拉低，且藉由電容耦合影響資料線部分LDP41的電壓準位。另一方面，傳輸線VG43的電壓準位被閘極信號SG43拉高，且藉由電容耦合影響資料線部分LDP42的電壓準位。對應地，閘極信號SG42的拉低及閘極信號SG43的拉高在資料線LDT4上互相抵銷，使得資料線LDT4的電壓準為維持不變。此時，耦接資料線LDT4的畫素電路B47的電壓準位亦維持不變。在時刻M52之後，畫素電路B47開始發光。
在期間P53~P54，閘極信號SG43具有電壓準位VH。在期間P53，畫素電路B48~B411依序依據資料信號DT4充電並且依序開始發光。在期間P54，畫素電路B412依據資料信號DT4充電。在一些實施例中，期間P53被稱為畫素電路B412的預充電期間，且期間P54被稱為畫素電路B412的主要充電期間。
在時刻M53，閘極信號SG43從電壓準位VH改變至電壓準位VL。在一些實施例中，由於傳輸線VG43及資料線部分LDP42之間的電容耦合，在時刻M53，資料信號DT4被稍微拉低。在時刻M53之後，畫素電路B412開始發光。
第6圖為根據本案之一實施例所繪示之顯示裝置600的示意圖。請參照第2圖及第6圖，顯示裝置600是顯示裝置200的一種變化例。顯示裝置600的部份元件沿用顯示裝置200的標號方式。為簡潔起見，討論將集中在顯示裝置600不同於顯示裝置200的部份而非相同之處。
請參照第2圖及第6圖，相較於顯示裝置200，顯示裝置600包含傳輸線VG62及VG63而非傳輸線VG2及VG3。傳輸線VG62及VG63分別是傳輸線VG2及VG3的變化例。因此，部分細節不再重複說明。
如第6圖所示，傳輸線VG62及VG63的每一者在Y方向上延伸，並跨越閘極線HG1~HG4。資料線部分LDP1、傳輸線VG62、VG63及資料線部分LDP2在X方向上依序排列。傳輸線VG62用以將閘極信號SG2傳輸至閘極線HG2。傳輸線VG63用以將閘極信號SG3傳輸至閘極線HG3。
請參照第3圖及第6圖，在一些實施例中，顯示裝置600依據時序圖300進行操作。在時刻M33，傳輸線VG62的電壓準位被閘極信號SG2拉低，且藉由電容耦合影響資料線部分LDP1的電壓準位。另一方面，傳輸線VG63的電壓準位被閘極信號SG3拉高，且藉由電容耦合影響資料線部分LDP2的電壓準位。對應地，閘極信號SG2的拉低及閘極信號SG3的拉高在資料線LDT1上互相抵銷，使得資料線LDT1維持在電壓準位VD2。
在一些實施例中，傳輸線VG62及VG63的長度越長，傳輸線VG62及VG63與資料線LDT1之間的電容耦合強度越大。對應地，傳輸線VG62及VG63可以更快地影響資料線LDT1，使得資料線LDT1更穩定地維持在電壓準位VD2。
第7圖為根據本案之一實施例所繪示之顯示裝置700的示意圖。請參照第2圖及第7圖，顯示裝置700是顯示裝置200的一種變化例。顯示裝置700的部份元件沿用顯示裝置200的標號方式。為簡潔起見，討論將集中在顯示裝置700不同於顯示裝置200的部份而非相同之處。
請參照第2圖及第7圖，相較於顯示裝置200，顯示裝置700更包含資料線部分LDP7。如第7圖所示，資料線部分LDP7在Y方向上延伸，並跨越閘極線HG1~HG4。資料線部分LDP1、傳輸線VG2、資料線部分LDP7、傳輸線VG3及資料線部分LDP2在X方向上依序排列。資料線部分LDP7的一端耦接資料線部分LDP3，且資料線部分LDP7的另一端耦接資料線部分LDP4。在一些實施例中，資料線部分LDP7包含於資料線LDT1。
在一些實施例中，資料線部分LDP7與傳輸線VG2及VG3的每一者電容耦合。請參照第3圖及第7圖，在一些實施例中，顯示裝置700依據時序圖300進行操作。在時刻M33，回應於閘極信號SG2拉低，傳輸線VG2拉低資料線部分LDP7的電壓準位，且回應於閘極信號SG3拉高，傳輸線VG3拉高資料線部分LDP7的電壓準位。對應地，閘極信號SG2的拉低及閘極信號SG3的拉高在資料線部分LDP7上互相抵銷，使得資料線LDT1的電壓準為維持不變。
第8圖為根據本案之一實施例所繪示之顯示裝置800的示意圖。請參照第2圖及第8圖，顯示裝置800是顯示裝置200的一種變化例。顯示裝置800的部份元件沿用顯示裝置200的標號方式。為簡潔起見，討論將集中在顯示裝置800不同於顯示裝置200的部份而非相同之處。
請參照第2圖及第8圖，相較於顯示裝置200，顯示裝置800更包含傳輸線VG81、通孔結構VS81及參考電壓線LVS81。如第8圖所示，傳輸線VG81在Y方向上延伸，跨越閘極線HG2~HG4。在X方向上，傳輸線VG2、VG81及VG3依序排列。通孔結構VS81位於閘極線HG1上方，並耦接閘極線HG1及傳輸線VG81。參考電壓線LVS81位於參考電壓線LVS1及LVS2之間。
在一些實施例中，傳輸線VG81用以接收閘極信號SG1，並用以通過通孔結構VS81將閘極信號SG1傳輸至閘極線HG1。參考電壓線LVS81用以提供參考電壓信號VSS。
請參照第3圖及第8圖，在一些實施例中，顯示裝置800依據時序圖300進行操作。如第8圖所示，傳輸線VG81位於傳輸線VG2及VG3之間。相較於傳輸線VG2及VG3，傳輸線VG81與資料線LDT1、畫素電路B1~B4及R1~R4的距離較遠。對應地，在顯示裝置800進行操作時，傳輸線VG81的電壓準位變化不影響資料線LDT1、畫素電路B1~B4及R1~R4。
請參照第2圖及第8圖，顯示裝置800可以以較大的尺寸實施，且顯示裝置200可以以較小的尺寸實施。舉例來說，顯示裝置800對應75吋或85吋的螢幕，且顯示裝置200對應65吋的螢幕。
雖然本揭示內容已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭示內容，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭示內容的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭示內容的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、400、600、700、800: 顯示裝置 110、130: 邊緣區域 120: 發光區域 X、Y: 方向 L11: 長度 HG1~HG4、HG42、HG43: 閘極線 VG2、VG3、VG42、VG43、VG62、VG63、VG81: 傳輸線 LDT1、LDT2、LDT4: 資料線 LVS1、LVS2、LVS81: 參考電壓線 VS2、VS3、VS81: 通孔結構 SS1~SS8: 源極結構 B1~B4、R1~R4、B41~B417: 畫素電路 VSS: 參考電壓信號 LDP1~LDP5、LDP7、LDP41~LDP44: 資料線部分 DS1~DS8: 汲極結構 T1~T8: 電晶體 SG1~SG4、SG42、SG43: 閘極信號 DT1、DT2、DT4: 資料信號 300、500: 時序圖 P31~P34、P51~P54: 期間 M31~M35、M51~M53: 時刻 VH、VL、VD1~VD4: 電壓準位 RC1、GC1、BC1、RC2、GC2、BC2: 畫素電路行
第1圖為根據本案之一實施例所繪示之顯示裝置的示意圖。 第2圖為根據本案之一實施例所繪示之第1圖所示之顯示裝置的進一步細節的示意圖。 第3圖為根據本案之一實施例所繪示之第1圖所示之顯示裝置的操作的時序圖。 第4圖為根據本案之一實施例所繪示之顯示裝置的示意圖。 第5圖為根據本案之一實施例所繪示之第4圖所示之顯示裝置的操作的時序圖。 第6圖為根據本案之一實施例所繪示之顯示裝置的示意圖。 第7圖為根據本案之一實施例所繪示之顯示裝置的示意圖。 第8圖為根據本案之一實施例所繪示之顯示裝置的示意圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100: 顯示裝置 X、Y: 方向 HG1~HG4: 閘極線 VG2、VG3: 傳輸線 LDT1、LDT2: 資料線 LVS1、LVS2: 參考電壓線 VS2、VS3: 通孔結構 SS1~SS8: 源極結構 B1~B4、R1~R4: 畫素電路 VSS: 參考電壓信號 LDP1~LDP5: 資料線部分 DS1~DS8: 汲極結構 T1~T8: 電晶體 SG1~SG4: 閘極信號 DT1、DT2: 資料信號

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置，包含：一第一畫素電路，用以依據一資料信號發光，並用以依據一第一閘極信號充電；一第二畫素電路，用以依據該資料信號發光，並用以依據一第二閘極信號充電；一第一閘極線，位於該第一畫素電路及該第二畫素電路之間，並用以提供該第一閘極信號；一第二閘極線，用以提供該第二閘極信號；一第一傳輸線，用以提供該第二閘極信號至該第二閘極線；以及一第二傳輸線，位於該第一傳輸線及該第二畫素電路之間，跨越該第二閘極線，並用以提供該第一閘極信號至該第一閘極線。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含用以傳輸該資料信號的一資料線，該資料線包含：一第一資料線部分，跨越該第一閘極線及該第二閘極線的每一者；以及一第二資料線部分，跨越該第一閘極線及該第二閘極線的每一者，其中該第一資料線部分、該第二傳輸線、該第一傳輸線及該第二資料線部分依序排列。
  3. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該資料線更包含：一第三資料線部分，用以耦接該第一資料線部分的一第一端及該第二資料線部分的一第一端；以及一第四資料線部分，用以耦接該第一資料線部分的一第二端及該第二資料線部分的一第二端，其中該第一閘極線及該第二閘極線的每一者位於該第三資料線部分及該第四資料線部分之間。
  4. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該資料線更包含：一第三資料線部分，該第三資料線部分的一第一端耦接該第一資料線部分，及該第三資料線部分的一第二端耦接該第二資料線部分，並位於該第一傳輸線及該第二傳輸線之間。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：一第三畫素電路，用以依據該資料信號發光，並用以依據一第三閘極信號充電；以及一第三傳輸線，位於該第一傳輸線及該第二傳輸線之間，跨越該第一閘極線及該第二閘極線的每一者，並用以提供該第三閘極信號至該第三畫素電路，其中該第一畫素電路位於該第三畫素電路及該第二畫 素電路之間。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一傳輸線跨越該第一閘極線及第二閘極線的每一者，且該第二傳輸線更跨越該第一閘極線。
  7. 一種顯示裝置的操作方法，包含：在一第一時刻，將一第一傳輸線上的一第一閘極信號從一第一電壓準位調整至一第二電壓準位，以維持與該第一傳輸線電容耦合的一資料線的一電壓準位；在該第一時刻，將一第二傳輸線上的一第二閘極信號從該第二電壓準位調整至該第一電壓準位，以維持與該第二傳輸線電容耦合的該資料線的該電壓準位；在該第一時刻之後，依據該第二閘極信號及該資料線上的一資料信號對一第一畫素電路進行充電；以及在該第一時刻之前，依據該第一閘極信號及該資料信號對一第二畫素電路進行充電。
  8. 如請求項7所述之操作方法，更包含：在該第一時刻，藉由該第一傳輸線拉低該資料線的一第一資料線部分的一電壓準位；以及在該第一時刻，藉由該第二傳輸線拉高該資料線的一第二資料線部分的一電壓準位，其中該第一資料線部分、該第一傳輸線、該第二傳輸 線及該第二資料線部分依序排列。
  9. 如請求項7所述之操作方法，更包含：在該第一時刻，藉由該第一傳輸線拉低該資料線的一資料線部分的一電壓準位；以及在該第一時刻，藉由該第二傳輸線拉高該資料線的該資料線部分的該電壓準位，其中該資料線部分位於該第一傳輸線及該第二傳輸線之間。
  10. 如請求項7所述之操作方法，更包含：在該第一時刻之前的一第二時刻，將一第三傳輸線上的一第三閘極信號從該第一電壓準位調整至該第二電壓準位；以及在該第二時刻之前，依據該第三閘極信號及該資料信號對一第三畫素電路進行充電，其中該第三傳輸線位於該第一傳輸線及該第二傳輸線之間，以及該第二畫素電路位於該第一畫素電路及該第三畫素電路之間。
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