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TWI850775B - 濺鍍靶材、其表面處理方法及靶材結構 - Google Patents

濺鍍靶材、其表面處理方法及靶材結構 Download PDF

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TWI850775B
TWI850775B TW111136180A TW111136180A TWI850775B TW I850775 B TWI850775 B TW I850775B TW 111136180 A TW111136180 A TW 111136180A TW 111136180 A TW111136180 A TW 111136180A TW I850775 B TWI850775 B TW I850775B
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sputtering
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roughness
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翁基祥
范嘉容
郭岱韋
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住華科技股份有限公司
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Abstract

濺鍍靶材包括工作面，工作面具有濺鍍區及粗糙區。濺鍍區具有第一表面粗糙度。粗糙區鄰接濺鍍區且具有第二表面粗糙度。第二表面粗糙度大於第一表面粗糙度，而粗糙區對應一磁力線分布之邊緣。

Description

濺鍍靶材、其表面處理方法及靶材結構
本發明是有關於一種濺鍍靶材、濺鍍靶材之表面處理方法，以及由濺鍍靶材所構成之靶材結構。
習知由濺鍍靶材濺射而出的粒子可能會有回彈至靶材或背板上的情形發生，回彈的粒子稱為「逆濺射粒子」，當逆濺射粒子回彈回靶材時，容易自靶材表面再反彈，最終可能導致逆濺射粒子落在工件上或落於環境而造成濺鍍汙染問題。
因此，本發明提出一種濺鍍靶材、其表面處理方法及靶材結構，可改善前述習知問題。
本發明一實施例提出一種濺鍍靶材。濺鍍靶材包括一工作面之一濺鍍區及工作面之一粗糙區。濺鍍區具有一第一表面粗糙度。粗糙區鄰接濺鍍區且具有一第二表面粗糙度。第二表面粗糙度大於第一表面粗糙度，而粗糙區對應於一磁力線分布之邊緣。
本發明另一實施例提出一種濺鍍靶材。濺鍍靶材包括一工作面之一濺鍍區、工作面之一第一邊緣區及工作面之一第二邊緣 區。濺鍍區具有一第一表面粗糙度。第一邊緣區鄰接濺鍍區且具有一第二表面粗糙度。第二邊緣區鄰接濺鍍區且具有一第三表面粗糙度。第二表面粗糙度大於第一表面粗糙度及第三表面粗糙度。
本發明另一實施例提出一種靶材結構。靶材結構包括一濺鍍靶材及一背板。濺鍍靶材至少包括有一工作面及一側面。工作面包括有一濺鍍區及一第一邊緣區。濺鍍區具有一第一表面粗糙度。第一邊緣區鄰接濺鍍區，第一邊緣區具有一第二表面粗糙度，其中第二表面粗糙度大於第一表面粗糙度。側面圍設於工作面之周圍，側面具有一側面粗糙度，其中側面粗糙度大於第一表面粗糙度。背板設置於濺鍍靶材之一表面，以接觸並支撐濺鍍靶材。
本發明另一實施例提出一濺鍍靶材的表面處理方法。表面處理方法包括以下步驟：提供一濺鍍靶材，濺鍍靶材具有一初始工作面；執行一第一次表面處理，表面處理濺鍍靶材之初始工作面，以形成工作面；以及，執行一第二次表面處理，以粗糙化工作面之一局部，其中此局部之表面粗糙度大於工作面之此局部以外之表面粗糙度。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
100:濺鍍機台
105:背板
105u:區域
110,110’:濺鍍靶材
110s:側面
110s1:第一子側面
110s2:第二子側面
110s3:第三子側面
110s4:第四子側面
110u:工作面
110u1:濺鍍區
110u2:第一邊緣區
110u21:第一子邊緣區
110u22:第二子邊緣區
110u3:第二邊緣區
110u31:第三子邊緣區
110u32:第四子邊緣區
120:第一磁性件
125:第二磁性件
130:工件載台
140:靶材載台
M1:磁場
P1:逆濺射粒子
R1:第一表面粗糙度
R2:第二表面粗糙度
R3:第三表面粗糙度
R4:側面粗糙度
S110~130:步驟
W1:工件
第1圖繪示依照本發明一實施例之濺鍍機台的俯視圖。
第2圖繪示第1圖之濺鍍機台沿方向2-2’的剖面圖。
第3圖繪示第1圖之濺鍍機台沿方向3-3’的剖面圖。
第4圖繪示第1圖之濺鍍靶材的表面處理工方法之流程圖。
第5A圖繪示第4圖之步驟S110之濺鍍靶材的示意圖。
第5B圖繪示第4圖之步驟S130之粗糙化工作面之局部的示意圖。
請參照第1~3圖，第1圖繪示依照本發明一實施例之濺鍍機台100的俯視圖，第2圖繪示第1圖之濺鍍機台100沿方向2-2’的剖面圖，而第3圖繪示第1圖之濺鍍機台100沿方向3-3’的剖面圖。為避免圖示過於複雜，第1圖未繪示第一磁性件120、第二磁性件125、工件載台130及靶材載台140。
如第2及3圖所示，濺鍍機台100包括至少一第一磁性件120、至少一第二磁性件125、工件載台130及靶材載台140。靶材載台140可承載至少一背板(backing plate)105，濺鍍靶材(sputtering target)110配置在背板105上，以形成一靶材結構。在一實施例中，背板105設置於濺鍍靶材110之下表面，以接觸並支撐濺鍍靶材110。工件載台130可承載工件W1，工件W1例如是一產品之玻璃或基板(substrate)，產品例如是顯示面板、觸控面板、半導體晶圓或其它電子元件等。第一磁性件120及第二磁性件125配置於靶材載台140內。第一磁性件120及第二磁性件125可產生一磁場M1。第一磁性件120及第二磁性件125例如是磁鐵，其中第一磁性件120與第二磁性件125之一者例如是具有N極，而第一磁性件120與第二磁性件125之另一者例如是具有S極。
在離子濺鍍製程中，第一磁性件120與第二磁性件125 所產生磁場M1經過濺鍍靶材110。磁控濺射透過磁場M1對帶電粒子(濺鍍靶材110的離子化粒子)的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。濺鍍靶材110的離子化粒子朝工件W1飛行，以形成(濺鍍)薄膜在工件W1上。
在一實施例中，濺鍍靶材110形成為長條狀的板狀。工作面110u包括具有短邊方向及長邊方向的上表面。濺鍍靶材110的尺寸並無特別限制，短邊方向的長度例如為100毫米(mm)~2000mm，較佳為150mm~1500mm，更佳為200mm~1000mm。而且，長邊方向的長度例如為100mm~4000mm，較佳為300mm~3500mm，更佳為450mm~3000mm。另外，長邊方向的長度與短邊方向的長度既可以相同亦可以不同。背板105為短邊及長邊的長度並無特別限定長條狀的板狀。
以靶材材質來說，濺鍍靶材110的材質例如是金屬，例如是由鋁、鈦、銅、錫、銦或其組合的合金製成，或由其它的材料製成，例如氧化銦錫；另外，背板105可以使用金屬製成，例如但不限定為無氧銅或類似之材料所製成。
濺鍍靶材110包括一工作面110u。工作面110u可朝向工件W1。工作面110u包含一濺鍍區110u1及粗糙區。粗糙區包含第一邊緣區110u2及第二邊緣區(非濺鍍區)110u3，其中第一邊緣區110u2與第二邊緣區110u3圍設於濺鍍區110u1之周圍，且第一邊緣區110u2設置濺鍍區110u1之相對二側。在一實施例中，第一邊緣區110u2位於濺鍍靶材110的兩短邊，第二邊緣區110u3位於濺鍍靶材 110的兩長邊。
在一實施例中，濺鍍區110u1具有第一表面粗糙度R1，第一邊緣區110u2鄰接濺鍍區110u1且具有一第二表面粗糙度R2，而第二邊緣區110u3鄰接濺鍍區110u1且具有一第三表面粗糙度R3。在一實施例中，第二表面粗糙度R2大於第一表面粗糙度R1及第三表面粗糙度R3。由於第一邊緣區110u2提供一粗糙表面，使濺鍍靶材110與工件W1之間的逆濺射粒子P1容易附著於其上而不反彈，改善濺鍍汙染的問題。
在離子濺鍍製程中，濺鍍區110u1的材料離子化，因此會有材料消耗，而造成濺鍍區110u1的表面凹陷。由於第一邊緣區110u2及第二邊緣區110u3的材料未離子化或僅少數離子化，不會有材料消耗或材料消耗甚少，因此第一邊緣區110u2及第二邊緣區110u3也可稱為非濺鍍區或反濺鍍區。在另一實施例中，依據不同的磁場設置，第二邊緣區110u3可縮小設置，甚至不設置第二邊緣區110u3。在另一實施例中，第二邊緣區110u3的寬度可小於10mm。
如第1圖所示，在一實施例中，第一邊緣區110u2的位置可對應分布於磁場M1之磁力線邊緣，亦即磁力線朝向第一磁性件120與第二磁性件125方向而形成一封閉曲線，且磁力線對應形成於濺鍍區110u1，而第一邊緣區110u2與第二邊緣區110u3形成於封閉曲線之外部，因此，第一邊緣區110u2與第二邊緣區110u3與工件W1之間的逆濺射粒子P1不易受磁場M1控制。然，透過第一邊緣區110u2的表面粗糙化(第1圖以點狀剖面表示粗糙化)，使濺鍍靶材110 與工件W1之間的逆濺射粒子P1容易附著於其上，避免逆濺射粒子P1反彈而改善濺鍍汙染的問題。此外，由於逆濺射粒子P1不易回彈至第二邊緣區110u3，因此第二邊緣區110u3可不進行表面處理。在另一實施例中，亦可對第二邊緣區110u3進行表面處理。
在一實施例中，背板105也可以進行表面處理。例如，背板105鄰近第一邊緣區110u2之區域105u也可進行表面處理(第1圖以點狀剖面表示粗糙化)。區域105u的表面粗糙度可與第二表面粗糙度R2相同或相近。相似地，逆濺射粒子P1容易附著於粗糙化之區域105u上，改善濺鍍汙染的問題。
以表面處理製程來說，可對工作面110u進行至少一次表面處理。在一實施例中，本發明之表面處理為研磨處理。例如，在第一次表面處理中，可使用例如是一第一表面處理件處理整個工作面110u，包括濺鍍區110u1、第一邊緣區110u2與第二邊緣區110u3，使工作面110u具有第一表面粗糙度R1。在第二次表面處理中，可使用例如是第二表面處理件處理工作面110u之第一邊緣區110u2，使第一邊緣區110u2具有第二表面粗糙度R2。由於濺鍍區110u1、第二邊緣區110u3未執行第二次表面處理，因此濺鍍區110u1與第二邊緣區110u3保有第一次表面處理時的第一表面粗糙度R1。在一實施例中，第一表面處理件的表面粗糙度小於第二表面處理件的表面粗糙度，因此以第一表面處理件處理所獲得的第一表面粗糙度R1小於以第二表面處理件處理所獲得的第二表面粗糙度R2。
在一實施例中，作為表面處理件並無特別限定，可使用 於紙或纖維基材塗佈有研磨顆粒的表面處理件，尤其是較佳為使用思高布萊特(Scotch Brite)(3M日本(3M Japan)股份有限公司製造)或科馬隆(kenmaron)(三共理化學股份有限公司製造)等使研磨顆粒含浸於尼龍等合成纖維的不織布中的表面處理件。藉由使用不織布等氣孔率高且具有彈性的基材的表面處理件，可防止自表面處理件脫落的研磨顆粒引起的傷痕的產生，而且易於適應研磨面，從而易於抑制研磨的不均。
另外，於本發明中，表面處理件的研磨顆粒的粒度分佈及粒度號(粒度)的相關內容是依據JIS R 6001。研磨較佳為一面藉由抽吸或排氣以及吹氣(air blow)將研磨屑或脫落的研磨顆粒去除一面進行。藉此，可於不使研磨屑、脫落的研磨顆粒殘存於研磨面的情況下對濺鍍靶材110進行研磨，所以可進一步防止產生深的傷痕或研磨面的粗糙，並進一步提升工作面110u各區域的表面粗糙度的均勻性。藉由抽吸進行的研磨屑或脫落的研磨顆粒的除去，可藉由於集塵機中或集塵機附近實施或者使用帶集塵機構的研磨機來進行。
另外，除了手工作業，亦可使用安裝有表面處理件的研磨機來進行。作為研磨機較佳為使用軌道式砂磨機(Orbital sander)，但並不限定於此，亦可使用小角度砂磨機(mini angle sander)、盤式研磨機(Disc grinder)、帶式砂磨機(belt sander)等任意的研磨機。
在一實施例中，第一表面處理件例如是不織布或其類似品，而第二表面處理件例如是砂紙或其類似品。
以製程來說，第一次表面處理例如是拋光研磨處理，而第二次表面處理例如是銼削研磨處理。
以表面粗糙度數值來說，第一表面粗糙度R1例如是介於0.8微米~2.0微米之範圍(含端點值)之中心線平均粗糙度(arithmetic mean deviation,Ra)，例如是0.8、0.9、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2.0等。第二表面粗糙度R2例如是介於2.5微米~4.2微米之範圍(含端點值)的中心線平均粗糙度，例如是2.5、2.6、2.7、2.8、2.9、3.0、3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6、3.7、3.8、3.9、4.0、4.1、4.2等。以表面粗糙度的比例來說，第一表面粗糙度R1與第二表面粗糙度R2的比值例如是介於1/2~1/4之間，然亦可更大或更小。
以面積比例來說，第一邊緣區110u2與第二邊緣區110u3的總和占工作面110u一第一比例，第一比例例如是介於5.6%~12.7%之間的範圍(包含端點值)，而第一邊緣區110u2占工作面110u一第二比例，第二比例例如是介於0.75%~1.5%之間的範圍(包含端點值)，然本發明實施例不受此限。
在另一實施例中，可進行三次表面處理。例如，在第一次表面處理中，可使用例如是以一第一表面處理件處理整個工作面110u，包括濺鍍區110u1、第一邊緣區110u2與第二邊緣區110u3，使工作面110u具有第一表面粗糙度R1。在第二次表面處理中，可使用例如是第二表面處理件處理工作面110u之第一邊緣區110u2與第二邊緣區110u3。在第三次表面處理中，可使用例如是第三表面處理 件處理工作面110u之第一邊緣區110u2。在此實施例中，第一表面處理件的表面粗糙度小於第二表面處理件的表面粗糙度，且第二表面處理件的表面粗糙度小於第三表面處理件的表面粗糙度，因此濺鍍區110u1的表面粗糙度R1小於第二邊緣區110u3的表面粗糙度R3，且第二邊緣區110u3的表面粗糙度R3小於第一邊緣區110u2的表面粗糙度R2。
在此實施例中，第一表面粗糙度R1例如是介於0.8微米~1.3微米之範圍(含端點值)之中心線平均粗糙度(arithmetic mean deviation,Ra)，例如是0.8、0.9、1.0、1.1、1.2、1.3等。第二表面粗糙度R2例如是介於2.5微米~4.2微米之範圍(含端點值)的中心線平均粗糙度，例如是2.5、2.6、2.7、2.8、2.9、3.0、3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6、3.7、3.8、3.9、4.0、4.1、4.2等。第三表面粗糙度R3大於第一表面粗糙度R1。第三表面粗糙度R3例如是介於1.4微米~2.0微米之範圍(含端點值)之中心線平均粗糙度(arithmetic mean deviation,Ra)，例如是1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2.0等。
如第1~3圖所示，工作面110u例如是濺鍍靶材110中朝向+Z軸向的整個上表面。第一邊緣區110u2為工作面110u之整個邊緣區的一局部，且第二邊緣區110u3為工作面110u之整個邊緣區的另一局部。第一邊緣區110u2與第二邊緣區110u3可定義工作面110u之整個邊緣區，其封閉地環繞濺鍍區110u1，然本發明實施例不受此限。在一實施例中，如第5B圖所示，工作面110u例如是長條形，濺鍍區110u1位於中央，第一邊緣區110u2位於短邊的兩端，第二邊 緣區110u3位於長邊的兩側邊，且由兩個端部的第一邊緣區110u2及兩個側緣的第二邊緣區110u3交替鄰接包圍整個濺鍍區110u1。
如第2圖所示，第一邊緣區110u2包含第一子邊緣區110u21及第二子邊緣區110u22，第一子邊緣區110u21及第二子邊緣區110u22分別位於或鄰接濺鍍區110u1之相對二側。如第3圖所示，第二邊緣區110u3包含第三子邊緣區110u31及第四子邊緣區110u32，第三子邊緣區110u31及第四子邊緣區110u32分別位於或鄰接濺鍍區110u1之另相對二側。雖然第2~3圖未繪示，然第一子邊緣區110u21與第三子邊緣區110u31與第四子邊緣區110u32連接，而第二子邊緣區110u22亦與第三子邊緣區110u31及第四子邊緣區110u32連接。
如第2~3圖所示，濺鍍靶材110更包括一側面110s，側面110s定義濺鍍靶材110的整個側邊界面。側面110s圍設於工作面110u之周圍。請一併參考如第5B圖所示，側面110s包含相對之第一子側面110s1與第二子側面110s2以及相對之第三子側面110s3與第四子側面110s4，其中第一子側面110s1及第二子側面110s2鄰接第一邊緣區110u2，而第三子側面110s3與第四子側面110s4鄰接第二邊緣區110u3。側面110s具有一側面區，側面區例如是整個側面110s的至少一部分。例如，側面區可以位於第一子側面110s1、第二子側面110s2、第三子側面110s3與第四子側面110s4中至少一者的至少一部分。在一實施例中，側面區可以是整個側面110s。側面區具有一側面粗糙度R4。側面粗糙度R4大於第一表面粗糙度R1及/或第三表面粗糙度R3。側面粗糙度R4例如是介於2.5微米~4.2微米之中 心線平均粗糙度，例如是2.5、2.6、2.7、2.8、2.9、3.0、3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6、3.7、3.8、3.9、4.0、4.1、4.2等。在一實施例中，側面粗糙度R4可於前述第二次表面處理中完成。
請參照第4及5A~5B圖，第4圖繪示第1圖之濺鍍靶材110的表面處理工方法之流程圖，第5A圖繪示第4圖之步驟S110之濺鍍靶材110’的示意圖，而第5B圖繪示第4圖之步驟S130之粗糙化工作面110u之局部的示意圖。
在步驟S110中，如第5A圖所示，提供一濺鍍靶材110’，濺鍍靶材110’具有一初始工作面110u’。濺鍍靶材110’例如是採用將一金屬錠經過壓延製程後成為一壓延板，之後再進行所需尺寸之切削作業所形成。濺鍍靶材110’的初始工作面110u’尚未進行表面處理，初始工作面110u’之初始表面粗糙度R1’例如是小於1微米。
在步驟S120中，執行第一次表面處理，表面處理濺鍍靶材110的初始工作面110u’，以形成工作面110u。例如，可使用第一表面處理件處理初始工作面110u’之至少一部分，以形成工作面110u。工作面110u例如是具有介於0.8微米~2.0微米之範圍(含端點值)之中心線平均粗糙度。第一表面處理例如是拋光研磨處理，而第一表面處理件例如是不織布或其類似品。
在步驟S130中，執行第二次表面處理，粗糙化已經過第一次表面處理之工作面110u之一局部，此局部之表面粗糙度大於工作面110u之局部以外的表面粗糙度，例如是介於2.5微米~4.2微米之範圍。第二表面處理例如是銼削研磨處理，而第二表面處理件例如是 砂紙或其類似品。在一實施例中，前述局部例如是第2圖之工作面110u之一部分(例如，第一邊緣區110u2)及/或側面110s之至少一部分，或者，前述局部例如是對應磁力線分布之邊緣之處。
綜上，本發明實施例提出一種濺鍍靶材。濺鍍靶材具有一工作面。工作面的一局部的表面粗糙度相較於工作面之其它部位的表面粗糙度大，因此容易捕捉逆濺射粒子，改善濺鍍汙染問題。前述局部例如是工作面之一部分及/或側面之至少一部分，或者，前述局部例如是對應磁力線分布之邊緣之處。在一實施例中，工作面包含粗糙區(前述「局部」)、濺鍍區及非濺鍍區，粗糙區對應分布於工作面之相對二側，或鄰接濺鍍區之相對二側。在一實施例中，非濺鍍區分別連接濺鍍區與粗糙區。在一實施例中，非濺鍍區之表面粗糙度小於粗糙區之表面粗糙度。在一實施例中，濺鍍靶材可具有一側面，側面之表面粗糙度大於濺鍍區之表面粗糙度。在一實施例中，粗糙區接續環設於濺鍍區周圍。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
105:背板
105u:區域
110:濺鍍靶材
110s:側面
110s1:第一子側面
110s2:第二子側面
110s3:第三子側面
110s4:第四子側面
110u:工作面
110u1:濺鍍區
110u2:第一邊緣區
110u21:第一子邊緣區
110u22:第二子邊緣區
110u3:第二邊緣區
110u31:第三子邊緣區
110u32:第四子邊緣區
W1:工件

Claims (11)

  1. 一種濺鍍靶材，包括：一工作面之一濺鍍區，具有一第一表面粗糙度；該工作面之一粗糙區，其中該粗糙區包括：一第一邊緣區，具有一第二表面粗糙度；以及一第二邊緣區，具有一第三表面粗糙度；其中，該工作面係該濺鍍靶材之一上表面，該第一邊緣區與該第二邊緣區連接成一封閉環形環環繞該濺鍍區，該第一邊緣區為該封閉環形的一部分，而該第二邊緣區為該封閉環形的其餘部分，且該第二表面粗糙度大於該第一表面粗糙度及該第三表面粗糙度，且該第三表面粗糙度大於該第一表面粗糙度；其中，該第一邊緣區之面積占該工作面之面積的比例介於0.75%~1.5%之間。
  2. 如請求項1所述之濺鍍靶材，其中該第一邊緣區與該第二邊緣區接續環設於該濺鍍區周圍。
  3. 如請求項1所述之濺鍍靶材，其中該第一表面粗糙度為介於0.8微米~2.0微米之中心線平均粗糙度及/或該第二表面粗糙度為介於2.5微米~4.2微米之中心線平均粗糙度。
  4. 如請求項1所述之濺鍍靶材，其中該濺鍍靶材進一步包括有一具有一側面粗糙度之側面，該側面粗糙度大於該第一表面粗糙度及/或該第三表面粗糙度。
  5. 如請求項4所述之濺鍍靶材，其中該側面粗糙度為介於2.5微米~4.2微米之中心線平均粗糙度。
  6. 如請求項1所述之濺鍍靶材，其中該第一邊緣區與該第二邊緣區之面積總和占該工作面之面積的比例介於5.6%~12.7%之間。
  7. 一種靶材結構，至少包括有：一濺鍍靶材，至少包括有：一工作面，該工作面係該濺鍍靶材之一上表面，且包括有：一濺鍍區，具有一第一表面粗糙度：及一第一邊緣區，具有一第二表面粗糙度，其中該第二表面粗糙度大於該第一表面粗糙度；及一第二邊緣區，該第二邊緣區具有一第三表面粗糙度，其中該第二表面粗糙度大於該第三表面粗糙度，且該第一邊緣區與該第二邊緣區連接成一封閉環形環環繞該濺鍍區，該第一邊緣區為該封閉環形的一部分，而該第二邊緣區為該封閉環形的其餘部分；以及一側面，圍設於該工作面之周圍，該側面具有一側面粗糙度，其中該側面粗糙度大於該第一表面粗糙度；以及一背板，設置於該濺鍍靶材之一表面，以接觸並支撐該濺鍍靶材；其中，該第一邊緣區之面積占該工作面之面積的比例介於0.75%~1.5%之間，且該第三表面粗糙度大於該第一表面粗糙度。
  8. 一種濺鍍靶材的表面處理方法，包括：提供一濺鍍靶材，其中該濺鍍靶材具有一初始工作面，該初始工作面係該濺鍍靶材之一上表面，該初始工作面具有一濺鍍區、一第一邊緣區及一第二邊緣區，該第一邊緣區與該第二邊緣區連接成一封閉環形環環繞該濺鍍區，該第一邊緣區為該封閉環形的一部分，而該第二邊緣區為該封閉環形的其餘部分；執行一第一次表面處理，表面處理該濺鍍靶材之該初始工作面，以形成一工作面，該工作面之該濺鍍區具有一第一表面粗糙度；以及執行一第二次表面處理，以粗糙化已經過第一次表面處理之該工作面之該第一邊緣區及該第二邊緣區，該第二邊緣區具有一第三表面粗糙度；執行一第三次表面處理，以粗糙化已經過第二次表面處理之該工作面之該第一邊緣區，該第一邊緣區具有一第二表面粗糙度；其中，該第二表面粗糙度大於該第一表面粗糙度及該第三表面粗糙度，而該第一邊緣區之面積占該工作面之面積的比例介於0.75%~1.5%之間，且該第三表面粗糙度大於該第一表面粗糙度。
  9. 如請求項8所述之表面處理方法，其中該第一次表面處理為拋光研磨處理及/或該第二次表面處理為銼削研磨處理。
  10. 如請求項8所述之表面處理方法，其中該第一次表面處理以不織布完成，而該第二次表面處理以砂紙完成。
  11. 如請求項8所述之表面處理方法，其中該第二次表面處理進一步粗糙化一環設於該工作面周圍之側面。
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