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TWI849991B - Amoled像素補償電路、oled顯示裝置及資訊處理裝置 - Google Patents

Amoled像素補償電路、oled顯示裝置及資訊處理裝置 Download PDF

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TWI849991B
TWI849991B TW112123259A TW112123259A TWI849991B TW I849991 B TWI849991 B TW I849991B TW 112123259 A TW112123259 A TW 112123259A TW 112123259 A TW112123259 A TW 112123259A TW I849991 B TWI849991 B TW I849991B
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Taiwan
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voltage
pmos transistor
switch
switch circuit
oled element
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高雪岭
譚仲齊
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大陸商北京歐錸德微電子技術有限公司
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Abstract

一種AMOLED像素補償電路，具有一開關電路、一PMOS電晶體、一電容組合及一OLED元件，該PMOS電晶體之源極耦接一直流供應電壓，該OLED元件之陰極耦接一負電壓，該開關電路係用以執行一開關操作程序以驅使該PMOS電晶體產生一驅動電流以使該OLED元件產生一亮度，且該開關操作程序包括：該開關電路形成一第一組態以使一參考電壓耦接該PMOS電晶體之閘極電壓及該OLED元件的陽極電壓；該開關電路形成一第二組態以使該PMOS電晶體與該電容組合連接成串聯於一共通電壓與該直流供應電壓之間的電路以採集該PMOS電晶體之閾值電壓；該開關電路形成一第三組態以使該電容組合之一端耦接一資料電壓而使其另一端呈現之電壓之成分包含該閾值電壓和該資料電壓；以及該開關電路形成一第四組態以使該PMOS電晶體和該OLED元件連接成一串聯電路以產生該驅動電流，其中，該驅動電流係由該直流供應電壓和該電容電路之該另一端之電壓的差值決定。

Description

AMOLED像素補償電路、OLED顯示裝置及資訊處理裝置
本發明係有關積體電路領域，尤指一種AMOLED像素補償電路。
一般AMOLED(active mode organic light emitting diode；主動模式有機發光二極體)顯示模組之各像素係由一像素電路構成，該像素電路包括一OLED單元及用以產生一驅動電流以驅動該OLED(organic light emitting diode；有機發光二極體)單元之一電晶體電路，該電晶體電路一般包含多個電晶體及一個儲存電容，例如7T1C(七個PMOS電晶體及一個儲存電容)架構，且係依該儲存電容所儲存的顯示資料電壓產生一定電流，及依一脈衝調變信號控制該定電流的輸出時間以決定該驅動電流的等效值，從而驅使該OLED單元呈現一預定亮度。
然而，由於製程存在變異，該些像素電路中的電晶體會有閾值電壓不均勻的情形，導致各像素之顯示亮度不均而使顯示畫面有Mura(殘痕)現象。
另外，為增加行動裝置的續航力，當其顯示的畫面為靜態畫面時，一般的AMOLED顯示模組會降低顯示掃描刷新率以節省功耗。然而，當顯示掃描刷新率降低時，該電晶體電路中的電晶體漏電流卻會讓該儲存電容的儲存電壓下降，從而影響該OLED單元的顯示亮度。
為解決上述問題，本領域亟需一種新穎的 AMOLED像素補償電路架構。
本發明之一目的在於提供一種AMOLED像素補償電路，其可在顯示一幀畫面的過程中先快速均一化各OLED像素的電流源電晶體的源-閘極電壓，從而極小化電流源電晶體之源-閘極寄生電容之遲滯電壓對顯示畫面所造成的短期殘影。
本發明之另一目的在於提供一種AMOLED像素補償電路，其可補償電流源電晶體之閾值電壓以極小化因製程偏差及供應電壓的電壓降所帶來的顯示不均及Mura現象。
本發明之另一目的在於揭露一種AMOLED像素補償電路，其可延長驅動電壓的保持時間以支持低畫面刷新率。
本發明之另一目的在於揭露一種OLED顯示裝置，其可藉由前述的AMOLED像素補償電路極小化顯示畫面的短期殘影。
本發明之另一目的在於揭露一種OLED顯示裝置，其可藉由前述的AMOLED像素補償電路極小化因製程偏差及供應電壓的電壓降所帶來的顯示不均及Mura現象，以及延長驅動電壓的保持時間以支持低畫面刷新率。
本發明之另一目的在於揭露一種OLED顯示裝置，其可藉由前述的AMOLED像素補償電路提供亮度均勻的畫面顯示效果。
本發明之又一目的在於揭露一種資訊處理裝置，其可藉由前述的AMOLED像素補償電路優化顯示效果及支持低畫面刷新率。
為達到前述目的，一種AMOLED像素補償電路乃被提出，其具有一開關電路、一PMOS電晶體、一電容組合及一OLED元件，該PMOS電晶體之源極耦接一直流供應電壓，該OLED元件之陰極耦接一負電壓，該開關電路係用以執行一開關操作程序以驅使該PMOS電晶體產生一驅動電流以使該OLED元件產生一亮度，且該開關操作程序包括： 該開關電路形成一第一組態以使一參考電壓耦接該PMOS電晶體之閘極電壓及該OLED元件的陽極電壓； 該開關電路形成一第二組態以使該PMOS電晶體與該電容組合連接成串聯於一共通電壓與該直流供應電壓之間的電路以採集該PMOS電晶體之閾值電壓； 該開關電路形成一第三組態以使該電容組合之一端耦接一資料電壓而使其另一端呈現之電壓之成分包含該閾值電壓和該資料電壓；以及 該開關電路形成一第四組態以使該PMOS電晶體和該OLED元件連接成一串聯電路以產生該驅動電流，其中，該驅動電流係由該直流供應電壓和該電容電路之該另一端之電壓的差值決定。
在一實施例中，該開關電路和該PMOS電晶體係由低温多晶氧化物製程製造而成。
在一實施例中，該開關電路中之任一電晶體係由PMOS電晶體、NMOS電晶體和CMOS電晶體所組成群組所選擇的一種電晶體。
為達到前述目的，本發明進一步提出一種OLED顯示裝置，其具有一AMOLED面板，該AMOLED面板具有如前述之AMOLED像素補償電路。
為達到前述目的，本發明進一步提出一種資訊處理裝置，其具有一中央處理單元及如前述之OLED顯示裝置，該中央處理單元係用以與該OLED顯示裝置通信。
在可能的實施例中，所述之資訊處理裝置可為一攜帶型電腦、一智慧型手機或一車用電腦。
為使  貴審查委員能進一步瞭解本創作之結構、特徵、目的、與其優點，茲附以圖式及較佳具體實施例之詳細說明如後。
本發明的原理在於：
(一)利用一開關電路在顯示一幀畫面的初始化期間均一化各OLED像素的電流源電晶體的源-閘極電壓以極小化各電流源電晶體之源-閘極寄生電容之遲滯電壓的差異，從而有效降低顯示畫面的短期殘影現象；
(二)利用該開關電路採集包含一正供應電壓、一資料電壓及一電流源電晶體之閾值電壓之一線性組合電壓，並將該線性組合電壓預存在一儲存電容上；
(三)利用該開關電路驅使該儲存電容的電壓驅動該電流源電晶體以產生與所述正供應電壓及閾值電壓無關之一驅動電流；以及
(四)利用氧化物半導體製程製造之開關電路提供低漏電流以延長該驅動電壓的電壓保持時間。
依此，本發明即可有效降低顯示畫面的短期殘影現象、極小化閾值電壓及正供應電壓對驅動電流的影響而優化OLED面板的顯示效果，且可支持低畫面刷新率。
請參照圖1，其繪示本發明之AMOLED像素補償電路之一實施例之電路圖。如圖1所示，一AMOLED像素補償電路100具有一第一開關111、一第二開關112、一第三開關113、一第四開關114、一第五開關115、一PMOS電晶體120、一導通時間調變開關121、一第一電容131、一第二電容132以及一OLED元件140，其中，PMOS電晶體120和該些開關可由LTPO(low temperature polycrystalline oxide；低温多晶氧化物)製程製造而成。
第一開關111之通道係耦接於一第一節點A與一第二節點B之間，且第一開關111係由一第一開關信號SW1控制其通道之導通與斷開。
第二開關112之通道係耦接於一第三節點C與一第四節點D之間，且第二開關112係由一第二開關信號SW2控制其通道之導通與斷開。
第三開關113之通道係耦接於一資料電壓V DATA與第三節點C之間，且第三開關113係由一第三開關信號SW3控制其通道之導通與斷開。
第四開關114之通道係耦接於第四節點D與一共通電壓V COM之間，且第四開關114係由第一開關信號SW1控制其通道之導通與斷開。
第五開關115之通道係耦接於第五節點E與一參考電壓V REF之間，且第五開關115係由第一開關信號SW1控制其通道之導通與斷開。
PMOS電晶體120具有一源極、一閘極和一汲極，該源極耦接一直流供應電壓ELVDD，該閘極耦接第一節點A，且該汲極耦接第二節點B，且PMOS電晶體120係用以藉由該汲極輸出一驅動電流至OLED元件140。
導通時間調變開關121係耦接於第二節點B與第五節點E之間，且導通時間調變開關121係依一PWM信號EM控制其導通時間。
第一電容131係耦接於第三節點C與第一節點A之間，且第二電容132係耦接於第四節點D與一第六節點F之間。第一電容131和第二電容132係用以形成一串聯電路以儲存資料電壓V DATA和採集PMOS電晶體120之閾值電壓。
OLED元件140係耦接於第五節點E與一負直流電壓ELVSS之間，且係依該驅動電流產生對應的亮度。
於操作時，AMOLED像素補償電路100依序執行以下步驟：
(一)第一階段：使(第一開關111、第二開關112、第三開關113、第四開關114、第五開關115、導通時間調變開關121)對應呈現(導通、導通、斷開、導通、導通、導通)，其情形請參照圖2a，以使第一節點A之電壓為V REF、第二節點B之電壓為V REF、第三節點C之電壓為V COM、第四節點D之電壓為V COM、第五節點E之電壓為V REF、第六節點F之電壓為第一開關信號SW1之邏輯0電壓，從而以一相對穩定的電壓初始化PMOS電晶體120之閘極電壓及OLED元件140的陽極電壓，以極小化PMOS電晶體120之源-閘極寄生電容之遲滯電壓(亦即，消除前一幀顯示電壓的殘留值)的影響而有效降低顯示畫面的短期殘影現象；
(二)第二階段：使(第一開關111、第二開關112、第三開關113、第四開關114、第五開關115、導通時間調變開關121)對應呈現(導通、導通、斷開、導通、導通、斷開) ，其情形請參照圖2b，以使第一節點A之電壓為(ELVDD+V th)、第二節點B之電壓為(ELVDD+ V th)、第三節點C之電壓為V COM、第四節點D之電壓為V COM、第五節點E之電壓為V REF、第六節點F之電壓為第一開關信號SW1之邏輯0電壓，其中，V th為PMOS電晶體120之閾值電壓；
(三)第三階段：使(第一開關111、第二開關112、第三開關113、第四開關114、第五開關115、導通時間調變開關121)對應呈現(斷開、導通、斷開、斷開、斷開、斷開) ，其情形請參照圖2c，以使第一節點A之電壓為(ELVDD+V th+(V H-V L)*C2/(C1+C2))、第三節點C之電壓為(V COM+(V H-V L)*C2/(C1+C2))、第四節點D之電壓為(V COM+(V H-V L)*C2/(C1+C2))、第六節點F之電壓為V H，其中，V H為第一開關信號SW1之邏輯1電壓；
(四)第四階段：使(第一開關111、第二開關112、第三開關113、第四開關114、第五開關115、導通時間調變開關121)對應呈現(斷開、斷開、導通、斷開、斷開、斷開) ，其情形請參照圖2d，以使第一節點A之電壓為(ELVDD+V th+V DATA- V COM)、第三節點C之電壓為V DATA、第四節點D之電壓為(V COM+(V H-V L)*C2/(C1+C2))、第六節點F之電壓為V H；以及
(五)第五階段：使(第一開關111、第二開關112、第三開關113、第四開關114、第五開關115、導通時間調變開關121)對應呈現(斷開、斷開、斷開、斷開、斷開、導通) ，其情形請參照圖2e，以使第一節點A之電壓為(ELVDD+V th+V DATA- V COM)、第三節點C之電壓為V DATA、第四節點D之電壓為(V COM+(V H-V L)*C2/(C1+C2))、第六節點F之電壓為V H，以及該驅動電流可流過OLED元件140而使OLED元件140發光，且該驅動電流與PMOS電晶體120之閾值電壓無關。該驅動電流可用以下的公式表示：
，其中，I OLED代表該驅動電流，W代表通道寬度，C OX代表以氧化層介質電容， 代表載子移動率，L代表通道長度。依此，該驅動電流即可與閾值電壓V th及直流供應電壓ELVDD無關，從而提供亮度均勻的畫面顯示效果。
請參照圖2f，其繪示圖1之AMOLED像素補償電路100之一工作時序圖，其中，第一開關111、第二開關112、第三開關113、第四開關114、第五開關115和導通時間調變開關121均為PMOS電晶體。如圖2f所示，T1代表第一階段，T2代表第二階段，T3代表第三階段，T4代表第四階段，以及T5代表第五階段。
在T1中，EM為低電位(邏輯0)，SW1為低電位(邏輯0)，SW2為低電位(邏輯0)，SW3為高電位(邏輯1)，致使(第一開關111、第二開關112、第三開關113、第四開關114、第五開關115、導通時間調變開關121)對應呈現(導通、導通、斷開、導通、導通、導通)。
在T2中，EM為高電位，SW1為低電位，SW2為低電位，SW3為高電位，致使(第一開關111、第二開關112、第三開關113、第四開關114、第五開關115、導通時間調變開關121)對應呈現(導通、導通、斷開、導通、導通、斷開)。
在T3中，EM為高電位，SW1為高電位，SW2為低電位，SW3為高電位，致使(第一開關111、第二開關112、第三開關113、第四開關114、第五開關115、導通時間調變開關121)對應呈現(斷開、導通、斷開、斷開、斷開、斷開)。
在T4中，EM為高電位，SW1為高電位，SW2為高電位，SW3為低電位，致使(第一開關111、第二開關112、第三開關113、第四開關114、第五開關115、導通時間調變開關121)對應呈現(斷開、斷開、導通、斷開、斷開、斷開)。
在T5中，EM為低電位，SW1為高電位，SW2為高電位，SW3為高電位，致使(第一開關111、第二開關112、第三開關113、第四開關114、第五開關115、導通時間調變開關121)對應呈現(斷開、斷開、斷開、斷開、斷開、導通)。
另外，為延長PMOS電晶體120之閘極電壓的儲存時間，可以一NMOS電晶體實現第一開關111。
請參照圖2g，其繪示本發明之AMOLED像素補償電路之另一實施例之電路圖。如圖2g所示，一AMOLED像素補償電路100a具有一NMOS電晶體111a、一第二開關112a、一第三開關113a、一第四開關114a、一第五開關115a、一PMOS電晶體120a、一導通時間調變開關121a、一第一電容131a、一第二電容132a以及一OLED元件140a，其中，PMOS電晶體120a和該些開關可由LTPO(low temperature polycrystalline oxide；低温多晶氧化物)製程製造而成。
NMOS電晶體111a之通道係耦接於一第一節點A與一第二節點B之間，且NMOS電晶體111a係由一第四開關信號SW4控制其通道之導通與斷開。
第二開關112a之通道係耦接於一第三節點C與一第四節點D之間，且第二開關112a係由一第二開關信號SW2控制其通道之導通與斷開。
第三開關113a之通道係耦接於一資料電壓V DATA與第三節點C之間，且第三開關113a係由一第三開關信號SW3控制其通道之導通與斷開。
第四開關114a之通道係耦接於第四節點D與一共通電壓V COM之間，且第四開關114a係由第一開關信號SW1控制其通道之導通與斷開。
第五開關115a之通道係耦接於第五節點E與一參考電壓V REF之間，且第五開關115a係由第一開關信號SW1控制其通道之導通與斷開。
PMOS電晶體120a具有一源極、一閘極和一汲極，該源極耦接一直流供應電壓ELVDD，該閘極耦接第一節點A，且該汲極耦接第二節點B，且PMOS電晶體120a係用以藉由該汲極輸出一驅動電流至OLED元件140a。
導通時間調變開關121a係耦接於第二節點B與第五節點E之間，且導通時間調變開關121a係依一PWM信號EM控制其導通時間。
第一電容131a係耦接於第三節點C與第一節點A之間，且第二電容132a係耦接於第四節點D與一第六節點F之間。第一電容131a和第二電容132a係用以形成一串聯電路以儲存資料電壓V DATA和採集PMOS電晶體120a之閾值電壓。
OLED元件140a係耦接於第五節點E與一負直流電壓ELVSS之間，且係依該驅動電流產生對應的亮度。
AMOLED像素補償電路100a之工作時序請參照圖2h，其中，第二開關112a、第三開關113a、第四開關114a、第五開關115a和導通時間調變開關121a均為PMOS電晶體。如圖2h所示，T1代表第一階段，T2代表第二階段，T3代表第三階段，T4代表第四階段，以及T5代表第五階段。
在T1中，EM為低電位(邏輯0)，SW1為低電位(邏輯0)，SW2為低電位(邏輯0)，SW3為高電位(邏輯1)，SW4為高電位(邏輯1)，致使(NMOS電晶體111a、第二開關112a、第三開關113a、第四開關114a、第五開關115a、導通時間調變開關121a)對應呈現(導通、導通、斷開、導通、導通、導通)。
在T2中，EM為高電位，SW1為低電位，SW2為低電位，SW3為高電位，SW4為高電位，致使(NMOS電晶體111a、第二開關112a、第三開關113a、第四開關114a、第五開關115a、導通時間調變開關121a)對應呈現(導通、導通、斷開、導通、導通、斷開)。
在T3中，EM為高電位，SW1為高電位，SW2為低電位，SW3為高電位，SW4為低電位，致使(NMOS電晶體111a、第二開關112a、第三開關113a、第四開關114a、第五開關115a、導通時間調變開關121a)對應呈現(斷開、導通、斷開、斷開、斷開、斷開)。
在T4中，EM為高電位，SW1為高電位，SW2為高電位，SW3為低電位，SW4為低電位，致使(NMOS電晶體111a、第二開關112a、第三開關113a、第四開關114a、第五開關115a、導通時間調變開關121a)對應呈現(斷開、斷開、導通、斷開、斷開、斷開)。
在T5中，EM為低電位，SW1為高電位，SW2為高電位，SW3為高電位，SW4為低電位，致使(NMOS電晶體111a、第二開關112a、第三開關113a、第四開關114a、第五開關115a、導通時間調變開關121a)對應呈現(斷開、斷開、斷開、斷開、斷開、導通)。
由上述的說明可知，本發明揭露了一種AMOLED像素補償電路，其具有一開關電路、一PMOS電晶體、一電容組合及一OLED元件，該PMOS電晶體之源極耦接一直流供應電壓，該OLED元件之陰極耦接一負電壓，該開關電路係用以執行一開關操作程序以驅使該PMOS電晶體產生一驅動電流以使該OLED元件產生一亮度，且該開關操作程序包括：該開關電路形成一第一組態以使一參考電壓耦接該PMOS電晶體之閘極電壓及該OLED元件的陽極電壓；該開關電路形成一第二組態以使該PMOS電晶體與該電容組合連接成串聯於一共通電壓與該直流供應電壓之間的電路以採集該PMOS電晶體之閾值電壓；該開關電路形成一第三組態以使該電容組合之一端耦接一資料電壓而使其另一端呈現之電壓之成分包含該閾值電壓和該資料電壓；以及該開關電路形成一第四組態以使該PMOS電晶體和該OLED元件連接成一串聯電路以產生該驅動電流，其中，該驅動電流係由該直流供應電壓和該電容電路之該另一端之電壓的差值決定。
在可能的實施例中，該開關電路和該PMOS電晶體可由低温多晶氧化物製程製造而成。另外，該開關電路中之任一電晶體可為PMOS電晶體、NMOS電晶體或CMOS電晶體。
依上述的說明，本發明進一步提出一種OLED顯示裝置。請參照圖3，其繪示本發明之OLED顯示裝置之一實施例之方塊圖。如圖3所示，一OLED顯示裝置200具有一驅動電路210及一AMOLED面板220，AMOLED面板220具有多個AMOLED像素補償電路221，其中，AMOLED像素補償電路221係由AMOLED像素補償電路100實現，驅動電路210係用以使各AMOLED像素補償電路221依前述的工作時序點亮OLED元件。
依上述的說明，本發明進一步提出一種資訊處理裝置。請參照圖4，其繪示本發明之資訊處理裝置之一實施例之方塊圖。如圖4所示，一資訊處理裝置300具有一中央處理單元310及一OLED顯示裝置320，其中，中央處理單元310係用以與OLED顯示裝置320通信，OLED顯示裝置320係由OLED顯示裝置200實現。
另外，資訊處理裝置300可為一攜帶型電腦、一智慧型手機或一車用電腦。
藉由前述所揭露的設計，本發明乃具有以下的優點：
一、本發明之AMOLED像素補償電路可在顯示一幀畫面的過程中先快速均一化各OLED像素的電流源電晶體的源-閘極電壓，從而極小化電流源電晶體之源-閘極寄生電容之遲滯電壓對顯示畫面所造成的短期殘影。
二、本發明之AMOLED像素補償電路可補償電流源電晶體之閾值電壓以極小化因製程偏差及供應電壓的電壓降所帶來的顯示不均及Mura現象。
三、本發明之AMOLED像素補償電路可延長驅動電壓的保持時間以支持低畫面刷新率。
四、本發明之OLED顯示裝置可藉由前述的AMOLED像素補償電路極小化顯示畫面的短期殘影。
五、本發明之OLED顯示裝置可藉由前述的AMOLED像素補償電路極小化因製程偏差及供應電壓的電壓降所帶來的顯示不均及Mura現象，以及延長驅動電壓的保持時間以支持低畫面刷新率。
六、本發明之資訊處理裝置可藉由前述的AMOLED像素補償電路優化顯示效果及支持低畫面刷新率。
本發明所揭示者，乃較佳實施例之一種，舉凡局部之變更或修飾而源於本發明之技術思想而為熟習該項技藝知人所易於推知者，俱不脫本發明之專利權範疇。
綜上所陳，本案無論目的、手段與功效，皆顯示其迥異於習知技術，且其首先發明合於實用，確實符合發明之專利要件，懇請　貴審查委員明察，並早日賜予專利俾嘉惠社會，是為至禱。
100:AMOLED像素補償電路
111:第一開關
112:第二開關
113:第三開關
114:第四開關
115:第五開關
120:PMOS電晶體
121:導通時間調變開關
131:第一電容
132:第二電容
140:OLED元件
100a:AMOLED像素補償電路
111a:NMOS電晶體
112a:第二開關
113a:第三開關
114a:第四開關
115a:第五開關
120a:PMOS電晶體
121a:導通時間調變開關
131a:第一電容
132a:第二電容
140a:OLED元件
200:OLED顯示裝置
210:驅動電路
220:AMOLED面板
221:AMOLED像素補償電路
300:資訊處理裝置
310:中央處理單元
320:OLED顯示裝置
圖1繪示本發明之AMOLED像素補償電路之一實施例之電路圖。 圖2a繪示圖1之AMOLED像素補償電路操作於一第一階段之等效電路圖。 圖2b繪示圖1之AMOLED像素補償電路操作於一第二階段之等效電路圖。 圖2c繪示圖1之AMOLED像素補償電路操作於一第三階段之等效電路圖。 圖2d繪示圖1之AMOLED像素補償電路操作於一第四階段之等效電路圖。 圖2e繪示圖1之AMOLED像素補償電路操作於一第五階段之等效電路圖。 圖2f繪示圖1之AMOLED像素補償電路之一工作時序圖。 圖2g繪示本發明之AMOLED像素補償電路之另一實施例之電路圖。 圖2h繪示圖2g之AMOLED像素補償電路之一工作時序圖。 圖3繪示本發明之OLED顯示裝置之一實施例之方塊圖。 圖4繪示本發明之資訊處理裝置之一實施例之方塊圖。
100:AMOLED像素補償電路
111:第一開關
112:第二開關
113:第三開關
114:第四開關
115:第五開關
120:PMOS電晶體
121:導通時間調變開關
131:第一電容
132:第二電容
140:OLED元件

Claims (10)

  1. 一種AMOLED像素補償電路，其具有一開關電路、一PMOS電晶體、一電容組合及一OLED元件，該PMOS電晶體之源極耦接一直流供應電壓，該OLED元件之陰極耦接一負直流電壓，該開關電路係用以執行一開關操作程序以驅使該PMOS電晶體產生一驅動電流以使該OLED元件產生一亮度，且該開關操作程序包括：該開關電路形成一第一組態以使一參考電壓耦接該PMOS電晶體之閘極電壓及該OLED元件的陽極電壓；該開關電路形成一第二組態以使該PMOS電晶體與該電容組合連接成串聯於一共通電壓與該直流供應電壓之間的電路以採集該PMOS電晶體之閾值電壓；該開關電路形成一第三組態以使該電容組合之一端耦接一資料電壓而使其另一端呈現之電壓之成分包含該閾值電壓和該資料電壓；以及該開關電路形成一第四組態以使該PMOS電晶體和該OLED元件連接成一串聯電路以產生該驅動電流，其中，該驅動電流係由該資料電壓和該共通電壓的差值決定。
  2. 如請求項1所述之AMOLED像素補償電路，其中，該開關電路和該PMOS電晶體係由低温多晶氧化物製程製造而成。
  3. 如請求項2所述之AMOLED像素補償電路，其中，該開關電路中之任一電晶體係由PMOS電晶體、NMOS電晶體和CMOS電晶體所組成群組所選擇的一種電晶體。
  4. 一種OLED顯示裝置，具有一AMOLED面板，該AMOLED面板具有多個AMOLED像素補償電路，各所述AMOLED像素補償電路均具有一開關電路、一PMOS電晶體、一電容組合及一OLED元件，該PMOS電晶體之源極耦接一直流供應電壓，該OLED元件之陰極耦接一負直流電壓，該開關電路係用以執行一開關操作程序以驅使該PMOS電晶體產生一驅動電流以使該OLED元件產生一亮度，且該開關操作程序包括：該開關電路形成一第一組態以使一參考電壓耦接該PMOS電晶體之閘極電壓及該OLED元件的陽極電壓；該開關電路形成一第二組態以使該PMOS電晶體與該電容組合連接成串聯於一共通電壓與該直流供應電壓之間的電路以採集該PMOS電晶體之閾值電壓；該開關電路形成一第三組態以使該電容組合之一端耦接一資料電壓而使其另一端呈現之電壓之成分包含該閾值電壓和該資料電壓；以及該開關電路形成一第四組態以使該PMOS電晶體和該OLED元件連接成一串聯電路以產生該驅動電流，其中，該驅動電流係由該資料電壓和該共通電壓的差值決定。
  5. 如請求項4所述之OLED顯示裝置，其中，該開關電路和該PMOS電晶體係由低温多晶氧化物製程製造而成。
  6. 如請求項5所述之OLED顯示裝置，其中，該開關電路中之任一電晶體係由PMOS電晶體、NMOS電晶體和CMOS電晶體所組成群組所選擇的一種電晶體。
  7. 一種資訊處理裝置，其具有一中央處理單元及一OLED顯示裝置，該中央處理單元係用以與該OLED顯示裝置通信，該OLED顯示裝置具有一AMOLED面板，該AMOLED面板具有多個AMOLED像素補償電路，各所述AMOLED像素補償電路均具有一開關電路、一PMOS電晶體、一電容組合及一OLED元件，該PMOS電晶體之源極耦接一直流供應電壓，該OLED元件之陰極耦接一負直流電壓，該開關電路係用以執行一開關操作程序以驅使該PMOS電晶體產生一驅動電流以使該OLED元件產生一亮度，且該開關操作程序包括：該開關電路形成一第一組態以使一參考電壓耦接該PMOS電晶體之閘極電壓及該OLED元件的陽極電壓；該開關電路形成一第二組態以使該PMOS電晶體與該電容組合連接成串聯於一共通電壓與該直流供應電壓之間的電路以採集該PMOS電晶體之閾值電壓；該開關電路形成一第三組態以使該電容組合之一端耦接一資料電壓而使其另一端呈現之電壓之成分包含該閾值電壓和該資料電壓；以及該開關電路形成一第四組態以使該PMOS電晶體和該OLED元件連接成一串聯電路以產生該驅動電流，其中，該驅動電流係由該資料電壓和該共通電壓的差值決定。
  8. 如請求項7所述之資訊處理裝置，其中，該開關電路和該PMOS電晶體係由低温多晶氧化物製程製造而成。
  9. 如請求項8所述之資訊處理裝置，其中，該開關電路中之任一電晶體係由PMOS電晶體、NMOS電晶體和CMOS電晶體所組成群組所選擇的一種電晶體。
  10. 如請求項7至9中任一項所述之資訊處理裝置，其係由一攜帶型電腦、一智慧型手機和一車用電腦所組成群組所選擇的一種裝置。
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