TWI845675B - 基板處理方法及基板處理系統 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於將藉由分離基板而薄化之基板與處理對象基板接合而再利用，藉此降低製造半導體器件的成本。 本發明之基板處理方法，係處理在表面形成有器件之處理對象基板，其包含以下步驟：在將器件基板分離而獲得的存在器件側之第一分離基板與未存在器件側之第二分離基板兩者之中，準備該第二分離基板；及將該第二分離基板再利用而與處理對象基板接合。本發明之基板處理系統，係處理在表面形成有器件之處理對象基板，其包含接合部，在將器件基板分離而獲得的存在器件側之第一分離基板與未存在器件側之第二分離基板兩者之中，將該第二分離基板再利用而與處理對象基板接合。

Description

基板處理方法及基板處理系統

本發明係關於一種基板處理方法及基板處理系統。

在專利文獻1中揭露了一種半導體裝置的製造方法。此製造方法係在將晶圓之表面固定於支撐構件的狀態下，研磨晶圓的背面，並進一步分割晶圓之後，再從晶圓剝離支撐構件，而取得複數半導體晶片。支撐構件的厚度係大於研磨後之晶圓的厚度，例如，晶圓的厚度為700μm～800μm左右，而支撐構件的厚度為1mm～2mm左右。

在專利文獻2中揭露了一種半導體晶片的製造方法。此製造方法係在將晶圓之表面貼附於支撐構件的狀態下，研磨晶圓的背面，將晶圓安裝於切割框，並進一步從晶圓剝離支撐構件之後，再分割晶圓，而製造複數半導體晶片。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2012-146892號公報 [專利文獻2]國際公開第2003/049164號公報

[發明所欲解決之問題]

依本發明之技術，係將藉由分離基板而薄化之基板與處理對象基板加以接合並再利用，藉此降低製造半導體器件的成本。 [解決問題之技術手段]

本發明之一態樣，係處理在表面形成有器件之處理對象基板的基板處理方法，其包含以下步驟：在將器件基板分離而獲得的「存在器件側之第一分離基板」及「未存在器件側之第二分離基板」兩者之中，準備該第二分離基板；及將該第二分離基板再利用而與處理對象基板接合。 [發明效果]

根據本發明，可將藉由分離基板而薄化之基板與處理對象基板接合而再利用，藉此降低製造半導體器件的成本。

在半導體器件的製程中，對於在表面形成有複數器件的半導體晶圓(以下，稱為晶圓)，係在將支撐基板貼附於表面的狀態下，薄化該晶圓，並進一步進行切割。其後，從晶圓剝離支撐基板，而製造半導體晶片(以下，稱為晶片)。

支撐基板係暫時貼附於晶圓，並在所期望之處理結束之後，從晶圓剝離。因此，就降低成本的觀點來看，係重複使用支撐基板較為理想。又，本案發明人係思及以下方式而進一步實現降低成本：在薄化晶圓時，將晶圓分離成「形成有器件之表面側晶圓」與「背面側晶圓」，並將分離後之背面側晶圓再利用為支撐基板。

又，在上述專利文獻1或專利文獻2所揭露的方法中，由於在薄化晶圓時係研磨晶圓的背面，故無法如本發明般再利用分離後之背面側晶圓。特別是，在專利文獻1中，由於支撐基板(支撐構件)的厚度係大於晶圓的厚度，因此完全不會思及再利用分離後之背面側晶圓。

依本發明之技術，係將晶圓分離而薄化，並進一步再利用分離後之晶圓。以下，參照圖面並說明作為依本實施態樣之基板處理系統的晶圓處理系統、及作為基板處理方法的晶圓處理方法。又，在本說明書及圖式中，對實質上具有相同的功能構成的元素，係藉由賦予相同的符號而省略重複說明。

首先，說明依本實施態樣之晶圓處理系統的構成。圖1係示意地顯示晶圓處理系統1之概略構成的俯視圖。

如圖2所示，在晶圓處理系統1中，係透過作為黏接層的黏接膠帶B，將作為處理對象基板(器件基板)的器件晶圓W，與作為支撐晶圓而再利用的再利用晶圓S加以接合而形成疊合晶圓T，並進行所期望之處理。以下，在器件晶圓W中，將透過黏接膠帶B與再利用晶圓S接合之面稱為表面Wa，將與表面Wa相反側的面稱為背面Wb。同樣地，在再利用晶圓S中，將透過黏接膠帶B接合於器件晶圓W之面稱為表面Sa，將與表面Sa相反側的面稱為背面Sb。

器件晶圓W例如為矽基板等半導體晶圓，其在表面Wa形成有包含複數器件的器件層(未圖示)。

再利用晶圓S係支撐器件晶圓W的晶圓，例如為矽晶圓。又，如後所述，係將從先前處理完之器件晶圓W分離出的第二分離晶圓W2再利用，而使用於再利用晶圓S。

在本發明之實施態樣的晶圓處理系統1中，係將疊合晶圓T中的器件晶圓W加以分離。在以下的說明中，係如圖3(a)所示，將分離後之表面Wa側的器件晶圓W稱為第一分離晶圓W1並作為第一分離基板，並如圖3(b)所示，將分離後之背面Wb側的器件晶圓W稱為第二分離晶圓W2並作為第二分離基板。第一分離晶圓W1具有器件層，並分割成複數晶片而製品化。第二分離晶圓W2係如後所述般再利用為再利用晶圓S。又，將第一分離晶圓W1中分離過的面稱為分離面W1a，亦即分離面W1a係表面Wa之相反側的面。又，將第二分離晶圓W2中分離過的面稱為分離面W2a，亦即分離面W2a係背面Wb之相反側的面。

又，如圖3所示，在晶圓處理系統1中，係將黏晶薄膜D(DAF：Die Attach Film)與切割膠帶P貼附於器件晶圓W(第一分離晶圓W1)，並將其固定於切割框F，以進行所期望的處理。

黏晶薄膜D係在兩面具有黏接性，並將在疊設複數第一分離晶圓W1時的該第一分離晶圓W1彼此加以接合。切割膠帶P僅單面具有黏接性，並在該單面貼附黏晶薄膜D。切割框F係將經由黏晶薄膜D而貼附於第一分離晶圓W1的切割膠帶P加以固定。

如圖1所示，晶圓處理系統1包含：接合裝置10，將器件晶圓W與再利用晶圓S加以接合；及晶圓處理裝置20，對接合後之疊合晶圓T進行所期望之處理。又，在晶圓處理系統1中的裝置構成可為任意構成，例如，接合裝置10的模組及晶圓處理裝置20的模組，亦可分別設於不同的裝置。

又，在晶圓處理系統1中，設有控制裝置30。控制裝置30例如為具備CPU及記憶體等的電腦，並具有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部中，儲存有控制晶圓處理系統1中之晶圓處理的程式。又，在程式儲存部中，亦儲存有用於控制各種處理裝置或搬運裝置等驅動系統之動作，而使晶圓處理系統1中之晶圓處理實現的程式。又，上述程式可為記錄於電腦可讀取之記錄媒體H者，亦可為從該記錄媒體H安裝至控制裝置30者。

接合裝置10具有將搬入搬出站40與處理站41一體地連接的構成。搬入搬出站40與處理站41，係從X軸負方向側朝正方向側並列配置。搬入搬出站40例如係在其與外部之間，將各自可收納複數器件晶圓W、複數再利用晶圓S、複數疊合晶圓T的晶圓匣盒Cw、Cs、Ct分別搬入搬出。處理站41具備對器件晶圓W、再利用晶圓S、疊合晶圓T施加所期望之處理的各種處理裝置。

在搬入搬出站40中，設有晶圓匣盒載置台50。在圖示的例子中，在晶圓匣盒載置台50上，係於Y軸方向上呈一列地自由載置有複數例如三個晶圓匣盒Cw、Cs、Ct。又，載置於晶圓匣盒載置台50的晶圓匣盒Cw、Cs、Ct之個數，並不限定於本實施態樣，而係可任意設定。

搬入搬出站40中，晶圓搬運區域60係在晶圓匣盒載置台50的X軸正方向側，與該晶圓匣盒載置台50鄰接設置。在晶圓搬運區域60中設有晶圓搬運裝置62，其在沿Y軸方向上延伸之搬運路徑61上移動自如。晶圓搬運裝置62係固持並搬運器件晶圓W、再利用晶圓S及疊合晶圓T，其具有兩個搬運臂63、63。各搬運臂63可在水平方向上、垂直方向上、繞著水平軸及繞著垂直軸移動自如。又，搬運臂63的構成並不限定於本實施態樣，可為任意構成。又，晶圓搬運裝置62可對於晶圓匣盒載置台50的晶圓匣盒Cw、Cs、Ct及後述黏接層形成模組70、接合模組71，搬運器件晶圓W、再利用晶圓S及疊合晶圓T。

處理站41中係在晶圓搬運區域60的X軸正方向側，於Y軸方向上並列配置有黏接層形成模組70、及作為接合部的接合模組71。又，該等模組70～71的數量或配置並不限定於本實施態樣，而係可任意設定。

在黏接層形成模組70中，係將黏接膠帶B貼附於器件晶圓W的表面Wa。又，在黏接層形成模組70中，亦可將黏接膠帶B貼附於再利用晶圓S的表面Sa。又，就黏接層形成模組70而言，係使用習知的裝置。

在接合模組71中，係將器件晶圓W與再利用晶圓S加以接合。例如，在接合模組71中，係使器件晶圓W與再利用晶圓S隔著黏接膠帶B，再將器件晶圓W與再利用晶圓S加以按壓而接合。又，就接合模組71而言，係使用習知的裝置。

晶圓處理裝置20具有將搬入搬出站80與處理站81一體地連接的構成。搬入搬出站80與處理站81，係從X軸負方向側往正方向側並列配置。搬入搬出站80例如在其與外部之間，將可分別收納複數疊合晶圓T、複數第一分離晶圓W1、複數第二分離晶圓W2的晶圓匣盒Ct、Cw1、Cw2分別搬入搬出。處理站81具備對疊合晶圓T、分離晶圓W1、W2施加所期望之處理的各種處理裝置。

又，在本實施態樣中，係各別設有晶圓匣盒Ct與晶圓匣盒Cw1，但亦可設為相同晶圓匣盒。亦即，亦可將收納處理前之疊合晶圓T的晶圓匣盒、與收納處理後之第一分離晶圓W1的晶圓匣盒共通使用。

在搬入搬出站80設有晶圓匣盒載置台90。在圖示的例子中，係在晶圓匣盒載置台90上，沿Y軸方向呈一列地自由載置複數例如三個晶圓匣盒Ct、Cw1、Cw2。又，載置於晶圓匣盒載置台90的晶圓匣盒Ct、Cw1、Cw2之個數，並不限定於本實施態樣，而係可任意設定。

在搬入搬出站80中，晶圓搬運區域100係在晶圓匣盒載置台90的X軸正方向側，與該晶圓匣盒載置台90鄰接而設置。在晶圓搬運區域100中，設有在沿Y軸方向延伸之搬運路徑101上移動自如的晶圓搬運裝置102。晶圓搬運裝置102係固持並搬運疊合晶圓T、分離晶圓W1、W2，並具有兩個搬運臂103、103。各搬運臂103係在水平方向上、垂直方向上、繞著水平軸及繞著垂直軸移動自如。又，搬運臂103的構成並不限定於本實施態樣，可為任意構成。又，晶圓搬運裝置102可對晶圓匣盒載置台90的晶圓匣盒Ct、Cw1、Cw2及後述移轉裝置110，搬運疊合晶圓T、分離晶圓W1、W2。

在搬入搬出站80中，用於傳遞疊合晶圓T、分離晶圓W1、W2的移轉裝置110，係在晶圓搬運區域100的X軸正方向側，與該晶圓搬運區域100鄰接而設置。

在處理站81中，設有晶圓搬運區域120、第一處理區塊130及第二處理區塊140。第一處理區塊130係配置於晶圓搬運區域120的Y軸正方向側，而第二處理區塊140係配置於晶圓搬運區域120的Y軸負方向側。

在晶圓搬運區域120中，設有在沿X軸方向延伸之搬運路徑121上移動自如的晶圓搬運裝置122。晶圓搬運裝置122係固持並搬運疊合晶圓T、分離晶圓W1、W2，並具有兩個搬運臂123、123。各搬運臂123係在水平方向上、在垂直方向上、繞著水平軸及繞著垂直軸移動自如。又，搬運臂123的構成並不限定於本實施態樣，可為任意構成。又，晶圓搬運裝置122可對移轉裝置110、第一處理區塊130及第二處理區塊140的各處理模組，搬運疊合晶圓T、分離晶圓W1、W2。

在第一處理區塊130中，係在X軸方向上並列配置有改質模組131、作為分離部的分離模組132、作為研磨部的研磨模組133、翻轉模組134、清洗模組135及作為蝕刻部的蝕刻模組136。又，該等模組131～136的數量或配置並不限定於本實施態樣，而係可任意設定。

在改質模組131中，係對器件晶圓W的內部照射雷射光，以形成改質層。就雷射光而言，係使用對器件晶圓W具有穿透性之波長的雷射光。改質層係沿著第一分離晶圓W1的分離面W1a與第二分離晶圓W2的分離面W2a而形成。又，改質模組131的構成可為任意構成。

在分離模組132中，係以藉由改質模組131所形成之改質層為基點，將器件晶圓W分離成第一分離晶圓W1及第二分離晶圓W2。例如，在分離模組132中，係在分別以夾頭(未圖示)吸附固持第一分離晶圓W1及第二分離晶圓W2的狀態下，例如插入由楔形構成的刀片(未圖示)，並以分離面W1a、W2a為邊界將第一分離晶圓W1與第二分離晶圓W2分開。其後，使夾頭分離，而分離第一分離晶圓W1與第二分離晶圓W2。又，分離模組132的構成可為任意構成。

在研磨模組133中，係將第一分離晶圓W1的分離面W1a或是第二分離晶圓W2的分離面W2a加以研磨。又，就研磨模組133而言，係使用習知的裝置。

在翻轉模組134中，係使藉由分離模組132分離後之第一分離晶圓W1或是第二分離晶圓W2的表面及背面翻轉。又，就翻轉模組134而言，係使用習知的裝置。

在清洗模組135中，係將第一分離晶圓W1的分離面W1a或是第二分離晶圓W2的分離面W2a加以刷擦清洗。又，就清洗模組135而言，係使用習知的裝置。

在蝕刻模組136中，係將第一分離晶圓W1的分離面W1a或是第二分離晶圓W2的分離面W2a加以蝕刻。又，就蝕刻模組136而言，係使用習知的裝置。

在第二處理區塊140中，係於X軸方向上並列配置有作為貼附部的貼附模組141、作為切割部的切割模組142、作為固定部的固定模組143、作為剝離部的剝離模組144及黏接層去除模組145。又，該等模組141～145的數量或配置並不限定於本實施態樣，而係可任意設定。

在貼附模組141中，係進行將黏晶薄膜D貼附於第一分離晶圓W1之分離面W1a的貼裝處理。又，就貼附模組141而言，係使用習知的裝置。

在切割模組142中，係使用雷射光，而切割黏晶薄膜D或是第一分離晶圓W1。切割黏晶薄膜D所使用的雷射光、與切割第一分離晶圓W1所使用的雷射光，其規格有所不同。切割模組142的構成可為任意構成，例如亦可從相同雷射頭照射不同的雷射光，或是亦可從不同的雷射頭分別照射不同的雷射光。

在固定模組143中，係進行將切割膠帶P貼附於被再利用晶圓S所支撐的第一分離晶圓W1，並將該第一分離晶圓W1固定於切割框F的貼裝處理。又，就固定模組143而言，係使用習知的裝置。

在剝離模組144中，係從第一分離晶圓W1剝離再利用晶圓S。又，就剝離模組144而言，係使用習知的裝置。

在黏接層去除模組145中，係將殘存於第一分離晶圓W1之表面Wa的黏接膠帶B剝離並去除。又，就黏接層去除模組145而言，係使用習知的裝置。

接著，說明在如以上構成之晶圓處理系統1中所進行的依第一實施態樣之晶圓處理。圖4係顯示依第一實施態樣之晶圓處理之主要製程的流程圖。圖5係示意地顯示依第一實施態樣之晶圓處理之各製程的說明圖。圖6係示意地顯示依第一實施態樣之晶圓處理之一部分製程之側面觀察的說明圖。

首先，在接合裝置10中，將分別收納有複數圖5(a)所示之器件晶圓W及再利用晶圓S的晶圓匣盒Cw、Cs，載置於搬入搬出站40的晶圓匣盒載置台50。

接著，藉由晶圓搬運裝置62取出晶圓匣盒Cw內的器件晶圓W，並搬運至黏接層形成模組70。在黏接層形成模組70中，係將黏接膠帶B貼附於器件晶圓W的表面Wa。

接著，藉由晶圓搬運裝置62將器件晶圓W搬運至接合模組71。接著，亦藉由晶圓搬運裝置62取出晶圓匣盒Cs內的再利用晶圓S，並搬運至接合模組71。在接合模組71中，係如圖5(b)所示，使器件晶圓W與再利用晶圓S隔著黏接膠帶B，再將器件晶圓W與再利用晶圓S加以按壓而接合(圖4的步驟A1)。

接著，藉由晶圓搬運裝置62，將器件晶圓W與再利用晶圓S接合而成的疊合晶圓T，搬運至晶圓匣盒載置台50的晶圓匣盒Ct。如此一來，在接合裝置10中的一連串之接合處理便結束。

其後，將收納有複數疊合晶圓T的晶圓匣盒Ct從搬入搬出站40搬出，並搬運至晶圓處理裝置20。在晶圓處理裝置20中，晶圓匣盒Ct係被載置於搬入搬出站80的晶圓匣盒載置台90。

接著，藉由晶圓搬運裝置102將晶圓匣盒Ct內的疊合晶圓T取出，並搬運至移轉裝置110。接著，藉由晶圓搬運裝置122，將移轉裝置110的疊合晶圓T取出，並搬運至改質模組131。在改質模組131中，係如圖5(c)所示，對器件晶圓W的內部照射雷射光，以形成改質層M(圖4的步驟A2)。

在步驟A2中，係如圖6(a)所示，形成周緣改質層M1與內部面改質層M2作為改質層M。周緣改質層M1係形成為圓環狀，並在邊緣修整中作為去除周緣部We時的基點。邊緣修整係在如後述般將器件晶圓W分離之後，用於防止器件晶圓W之周緣部We成為尖銳之形狀(所謂的刀刃形狀)的處理。又，內部面改質層M2係作為用於分離而薄化器件晶圓W的基點。內部面改質層M2係以沿著器件晶圓W的面方向，從中心部延伸至周緣改質層M1的方式形成。

接著，藉由晶圓搬運裝置102將疊合晶圓T搬運至分離模組132。在分離模組132中，係如圖5(d)所示，將疊合晶圓T中的器件晶圓W分離成第一分離晶圓W1與第二分離晶圓W2(圖4的步驟A3)。

在步驟A3中，係如圖6(b)所示，以周緣改質層M1及內部面改質層M2為基點，將器件晶圓W分離成第一分離晶圓W1與第二分離晶圓W2。此時，周緣部We係依附在第二分離晶圓W2而成為一體，並從第一分離晶圓W1去除周緣部We。

藉由分離模組132所分離而出的第一分離晶圓W1與第二分離晶圓W2，係進行後續之各別的處理。

第二分離晶圓W2係藉由晶圓搬運裝置122搬運至翻轉模組134。在翻轉模組134中，係將第二分離晶圓W2的表面及背面加以翻轉(圖4的步驟A4)。亦即，在翻轉模組134中，第二分離晶圓W2的分離面W2a會被朝向上方。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第二分離晶圓W2搬運至清洗模組135。在清洗模組135中，係將第二分離晶圓W2的分離面W2a加以刷擦清洗(圖4的步驟A5)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第二分離晶圓W2搬運至蝕刻模組136。在蝕刻模組136中，係如圖5(e)所示，藉由蝕刻液將第二分離晶圓W2的分離面W2a加以濕蝕刻(圖4的步驟A6)。藉由此蝕刻，去除殘存於分離面W2a的周緣改質層M1與內部面改質層M2。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第二分離晶圓W2搬運至研磨模組133。在研磨模組133中，係如圖5(f)所示，將第二分離晶圓W2的分離面W2a加以研磨(圖4的步驟A7)。如圖6(c)所示，藉由此研磨，去除在分離面W2a之外周部中突出的周緣部。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第二分離晶圓W2搬運至清洗模組135。在清洗模組135中，將第二分離晶圓W2的分離面W2a加以刷擦清洗(圖4的步驟A8)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第二分離晶圓W2搬運至蝕刻模組136。在蝕刻模組136中，係如圖5(g)所示，藉由蝕刻液將第二分離晶圓W2的分離面W2a加以濕蝕刻(圖4的步驟A9)。藉由此蝕刻，去除殘存於分離面W2a的研磨痕跡。

其後，實施完所有處理的第二分離晶圓W2，係由晶圓搬運裝置122搬運至移轉裝置110，並進一步由晶圓搬運裝置102搬運至晶圓匣盒載置台90的晶圓匣盒Cw2。

又，實施完以上處理的第二分離晶圓W2，例如具有400μm～700μm的厚度。因此，第二分離晶圓W2係作為下一個欲進行處理之器件晶圓W的再利用晶圓S而再利用。亦即，如圖5(a)及(b)所示，第二分離晶圓W2係與下一個欲進行處理之器件晶圓W接合，並作為支撐晶圓而發揮功能。

在如上述般對第二分離晶圓W2進行步驟A4～A9的同時，係並行地對第一分離晶圓W1進行所期望的處理。

第一分離晶圓W1係藉由晶圓搬運裝置122搬運至研磨模組133。在研磨模組133中，係如圖5(h)所示，將第一分離晶圓W1的分離面W1a加以研磨(圖4的步驟A10)。如圖6(d)所示，藉由此研磨，將第一分離晶圓W1薄化至所期望的厚度。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至清洗模組135。在清洗模組135中，係將第一分離晶圓W1的分離面W1a加以刷擦清洗(圖4的步驟A11)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至蝕刻模組136。在蝕刻模組136中，係如圖5(i)所示，藉由蝕刻液將第一分離晶圓W1的分離面W1a加以濕蝕刻(圖4的步驟A12)。藉由此蝕刻，去除殘存於分離面W1a的周緣改質層M1、內部面改質層M2及研磨痕跡。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至貼附模組141。在貼附模組141中，係如圖5(j)所示，將黏晶薄膜D貼附於第一分離晶圓W1的分離面W1a(圖4的步驟A13)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至切割模組142。在切割模組142中，係如圖5(k)所示，對黏晶薄膜D照射雷射光，以切割該黏晶薄膜D(圖4的步驟A14)。

接著，在同一個切割模組142中，如圖5(l)所示，對第一分離晶圓W1照射雷射光，以切割該第一分離晶圓W1(圖4的步驟A15)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至固定模組143。在固定模組143中，係如圖5(m)所示，對已貼附於第一分離晶圓W1之表面Wa的黏晶薄膜D，進一步貼附切割膠帶P。又，第一分離晶圓W1經由切割膠帶P而固定於切割框F(圖4的步驟A16)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至翻轉模組134。在翻轉模組134中，係將第一分離晶圓W1(疊合晶圓T)的表面及背面加以翻轉(圖4的步驟A17)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至剝離模組144。在剝離模組144中，係如圖5(n)所示，從第一分離晶圓W1剝離再利用晶圓S(圖4的步驟A18)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至黏接層去除模組145。在黏接層去除模組145中，係如圖5(o)所示，從第一分離晶圓W1的表面Wa去除黏接膠帶B(圖4的步驟A19)。

其後，實施完所有處理的第一分離晶圓W1，係藉由晶圓搬運裝置122搬運至移轉裝置110，並進一步藉由晶圓搬運裝置102搬運至晶圓匣盒載置台90的晶圓匣盒Cw1。此時，在晶圓匣盒Ct為空盒的情況下，亦可將第一分離晶圓W1搬運至晶圓匣盒Ct。如此一來，在晶圓處理系統1中的一連串的晶圓處理便結束。

藉由以上製程，製造晶片C。又，在晶圓處理系統1的外部，係如圖5(p)所示，將晶片C進行晶粒黏著。

根據以上第一實施態樣，係將器件晶圓W分離成第一分離晶圓W1與第二分離晶圓W2。又，將第一分離晶圓W1分割成作為製品的晶片C。另一方面，將第二分離晶圓W2與下一個欲進行處理的器件晶圓W接合，以作為再利用晶圓S而再利用。又，這般將第二分離晶圓W2再利用的再利用晶圓S，可對於其後的器件晶圓W之處理重複使用。

此處，以往在器件晶圓W的支撐構件中，係使用了例如BG膠帶或支撐晶圓(並非再利用晶圓，而係另外新準備的支撐晶圓)。此情況下，需要用於準備支撐構件的成本。關於此點，由於在第一實施態樣中，係將第二分離晶圓W2再利用而作為器件晶圓W的再利用晶圓S，因此可降低成本。

又，根據第一實施態樣，由於係在將器件晶圓W與再利用晶圓S接合之後，對器件晶圓W進行所期望的處理，因此可穩定地進行該等處理。又，即使係對於薄化後之狀態的器件晶圓W(第一分離晶圓W1)，亦可進行蝕刻等所期望的處理。

又，根據第一實施態樣，由於在步驟A3將器件晶圓W分離成第一分離晶圓W1與第二分離晶圓W2之後，在步驟A10中研磨第一分離晶圓W1的分離面W1a，因此可減少該研磨中的研磨量。亦即，可簡化分離面W1a的研磨。又，當在步驟A12中係將第一分離晶圓W1蝕刻至所期望之厚度時，亦可省略此步驟A10中的研磨。

又，在上述第一實施態樣中，係進行步驟A2～A3而將器件晶圓W分離成第一分離晶圓W1與第二分離晶圓W2，但亦可係研磨器件晶圓W的背面Wb。此情況下，係進行步驟A10以代替圖4所示之步驟A2～A3，並進一步進行後續的步驟A11～A19。又，因為係將器件晶圓W進行研磨，故省略步驟A4～A9。再者，在晶圓處理系統1中，亦可省略改質模組131與分離模組132。

接著，說明依第二實施態樣的晶圓處理。圖7係顯示依第二實施態樣之晶圓處理之主要製程的流程圖。圖8係示意地顯示依第二實施態樣之晶圓處理的各製程的說明圖。又，在依第二實施態樣的晶圓處理中，亦使用圖1所示之晶圓處理系統1。

在第二實施態樣的晶圓處理中，係依序進行與第一實施態樣之晶圓處理的步驟A1～A9相同的圖7之步驟B1～B9。亦即，依序進行：圖8(a)及(b)所示之步驟B1中的接合器件晶圓W與再利用晶圓S、圖8(c)所示之步驟B2中的對器件晶圓W形成改質層M(周緣改質層M1與內部面改質層M2)、及圖8(d)所示之步驟B3中的分離器件晶圓W。

又，對於分離後之第二分離晶圓W2，進行步驟B4～B9。亦即，依序進行：步驟B4中的第二分離晶圓W2之翻轉、步驟B5中的刷擦清洗分離面W2a、及圖8(e)所示之步驟B6中的蝕刻分離面W2a。接著，依序進行：圖8(f)所示之步驟B7中的研磨分離面W2a、步驟B8中的刷擦清洗分離面W2a、及圖8(g)所示之步驟B9中的蝕刻分離面W2a。又，實施完所有處理的第二分離晶圓W2，係被搬運至晶圓匣盒Cw2。

又，由於上述步驟B1～B9係分別與第一實施態樣的步驟A1～A9相同，故省略其說明。又，第二實施態樣之晶圓處理與第一實施之晶圓處理的不同點係指：以下說明中進行「分離後之第一分離晶圓W1的處理」的時序，具體而言進行「第一分離晶圓W1之切割」的時序，有所不同。

第一分離晶圓W1係藉由晶圓搬運裝置122搬運至研磨模組133。在研磨模組133中，係如圖8(h)所示，將第一分離晶圓W1的分離面W1a加以研磨(圖7的步驟B10)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至切割模組142。在切割模組142中，係如圖8(i)所示，對第一分離晶圓W1照射雷射光，以切割該第一分離晶圓W1(圖7的步驟B11)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至蝕刻模組136。在蝕刻模組136中，係如圖8(j)所示，藉由蝕刻液將第一分離晶圓W1的分離面W1a加以濕蝕刻(圖7的步驟B12)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至貼附模組141。在貼附模組141中，係如圖8(k)所示，將黏晶薄膜D貼附於第一分離晶圓W1的分離面W1a(圖7的步驟B13)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至切割模組142。在切割模組142中，係如圖8(l)所示，對黏晶薄膜D照射雷射光，以切割該黏晶薄膜D(圖7的步驟B14)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至固定模組143。在固定模組143中，係如圖8(m)所示，對已貼附於第一分離晶圓W1之表面Wa的黏晶薄膜D，進一步貼附切割膠帶P。又，第一分離晶圓W1係經由切割膠帶P而固定於切割框F(圖7的步驟B15)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至翻轉模組134。在翻轉模組134中，係將第一分離晶圓W1(疊合晶圓T)的表面及背面加以翻轉(圖7的步驟B16)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至剝離模組144。在剝離模組144中，係如圖8(n)所示，從第一分離晶圓W1剝離再利用晶圓S(圖7的步驟B17)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至黏接層去除模組145。在黏接層去除模組145中，係如圖8(o)所示，從第一分離晶圓W1的表面Wa去除黏接膠帶B(圖7的步驟B18)。

其後，實施完所有處理的第一分離晶圓W1，係被搬運至晶圓匣盒Cw1。藉由以上製程，製造晶片C。又，在晶圓處理系統1的外部，係如圖8(p)所示，將晶片C進行晶粒黏著。

在以上的第二實施態樣中，亦可享有與第一實施態樣相同的效果。

又，在上述第二實施態樣中，係進行步驟B2～B3而將器件晶圓W分離成第一分離晶圓W1與第二分離晶圓W2，但亦可與第一實施態樣相同，係研磨器件晶圓W的背面Wb。此情況下，係進行步驟B10以代替圖7所示之步驟B2～B3，並進一步進行後續的步驟B11～B18。又，因為係將器件晶圓W進行研磨，故省略步驟B4～B9。

接著，說明依第三實施態樣的晶圓處理。在上述第一實施態樣及第二實施態樣的晶圓處理中，係在將「已和再利用晶圓S接合之器件晶圓W」分離後，進行第一分離晶圓W1的切割，但在第三實施態樣中，係對接合前的器件晶圓W進行切割。

又，在進行第三實施態樣的晶圓處理時，係使用圖9所示之切割裝置150。切割裝置150係設於圖1所示之晶圓處理系統1。又，切割裝置150的動作係由控制裝置30加以控制。

如圖9所示，切割裝置150具有將搬入搬出站160與處理站161一體地連接的構成。搬入搬出站160與處理站161係從X軸負方向側朝正方向側並列配置。搬入搬出站160例如在其與外部之間，分別將可收納複數器件晶圓W之晶圓匣盒Cw搬入搬出。處理站161具備對器件晶圓W實施所期望之處理的各種處理裝置。

在搬入搬出站160中，設有晶圓匣盒載置台170。在圖示的例子中，係在晶圓匣盒載置台170上，於Y軸方向上呈一列地自由載置有複數例如三個晶圓匣盒Cw。又，載置於晶圓匣盒載置台170的晶圓匣盒Cw之個數，並不限定於本實施態樣，而係可任意設定。

在搬入搬出站160中，晶圓搬運區域180係在晶圓匣盒載置台170的X軸正方向側中，與該晶圓匣盒載置台170鄰接而設置。在晶圓搬運區域180中，設有在沿Y軸方向延伸之搬運路徑181上移動自如的晶圓搬運裝置182。晶圓搬運裝置182係固持並搬運器件晶圓W，其具有兩個搬運臂183、183。各搬運臂183係在水平方向上、垂直方向上、繞著水平軸及繞著垂直軸移動自如。又，搬運臂183的構成並不限定於本實施態樣，可為任意構成。又，晶圓搬運裝置182可對晶圓匣盒載置台170的晶圓匣盒Cw、及後述保護層形成模組190、切割模組191、保護層去除模組192，搬運器件晶圓W。

在處理站161中，作為保護層形成部的保護層形成模組190、作為切割部的切割模組191、及作為保護層去除部的保護層去除模組192，係在晶圓搬運區域180的X軸正方向側，於Y軸方向上並列配置。又，該等模組190～192的數量或配置並不限定於本實施態樣，而係可任意設定。

在保護層形成模組190中，係將保護劑旋轉塗布於器件晶圓W的表面Wa，而形成作為保護層的保護膜。又，就保護層形成模組190而言，係使用習知的裝置。

在切割模組191中，係使用雷射光切割器件晶圓W。又，切割模組191的構成與上述切割模組142的構成相同，係使用習知的裝置。

在保護層去除模組192中，係從器件晶圓W的表面Wa去除保護膜，並旋轉清洗表面Wa。又，就保護層去除模組192而言，係使用習知的裝置。

接著，說明在如以上所述般構成之晶圓處理系統1中所進行之依第三實施態樣的晶圓處理。圖10係顯示依第三實施態樣之晶圓處理之主要製程的流程圖。圖11及圖12係示意地顯示依第三實施態樣之晶圓處理之各製程的說明圖。又，圖11係顯示到分離器件晶圓W為止的晶圓處理，圖12係顯示分離器件晶圓W後的晶圓處理。

首先，在切割裝置150中，係將收納有複數圖11(a)所示之器件晶圓W的晶圓匣盒Cw，載置於搬入搬出站160的晶圓匣盒載置台170。

接著，藉由晶圓搬運裝置182取出晶圓匣盒Cw內的器件晶圓W，並搬運至保護層形成模組190。在保護層形成模組190中，係如圖11(b)所示，將保護劑旋轉塗布至器件晶圓W的表面Wa，以形成保護膜L(圖10的步驟C1)。

接著，藉由晶圓搬運裝置182將器件晶圓W搬運至切割模組191。在切割模組191中，係如圖11(c)所示，對器件晶圓W照射雷射光，以切割該器件晶圓W(圖10的步驟C2)。在此切割之際，係藉由保護膜L，保護形成於器件晶圓W的器件層。

接著，藉由晶圓搬運裝置182將器件晶圓W搬運至保護層去除模組192。在保護層去除模組192中，係如圖11(d)所示，將保護膜L的溶劑供給至器件晶圓W的表面Wa，以去除該保護膜L(圖10的步驟C3)。

接著，藉由晶圓搬運裝置182將器件晶圓W搬運至晶圓匣盒載置台170的晶圓匣盒Cw。如此一來，在切割裝置150中之一連串的切割處理便結束。

其後，將收納有複數器件晶圓W的晶圓匣盒Cw從搬入搬出站160搬出，並搬運至接合裝置10。在接合裝置10中，晶圓匣盒Cw係被載置於搬入搬出站40的晶圓匣盒載置台50。又，在接合裝置10中，收納有複數圖11(e)所示之再利用晶圓S的晶圓匣盒Cs，亦被載置於搬入搬出站40的晶圓匣盒載置台50。

在接合裝置10中，係於黏接層形成模組70中將黏接膠帶B貼附於器件晶圓W之表面Wa後，如圖11(f)所示，於接合模組71中，使器件晶圓W與再利用晶圓S隔著黏接膠帶B，再將器件晶圓W與再利用晶圓S加以按壓而接合(圖10的步驟C4)。又，由於步驟C4係與第一實施態樣的步驟A1相同樣，故省略其說明。

其後，將收納有複數疊合晶圓T的晶圓匣盒Ct從搬入搬出站40搬出，並搬運至晶圓處理裝置20。在晶圓處理裝置20中，係依序進行與第一實施態樣之晶圓處理的步驟A2～A9相同的圖10之步驟C5～C12。亦即，依序執行：圖11(g)所示之步驟C5中的對器件晶圓W形成改質層M(周緣改質層M1與內部面改質層M2)、及圖11(h)所示之步驟C6中的分離器件晶圓W。

又，對分離後的第二分離晶圓W2，進行步驟C7～C12。亦即，依序進行：步驟C7中的翻轉第二分離晶圓W2、步驟C8中的刷擦清洗分離面W2a、及圖12(i)所示之步驟C9中的蝕刻分離面W2a。接著，依序進行：圖12(j)所示之步驟C10中的研磨分離面W2a、步驟C11中的刷擦清洗分離面W2a、及圖12(k)所示之步驟C12中的蝕刻分離面W2a。又，實施完所有處理的第二分離晶圓W2，係被搬運至晶圓匣盒Cw2。

又，如上所述，由於步驟C5～C12係分別與第一實施態樣的步驟A2～A9相同，故省略其說明。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至研磨模組133。在研磨模組133中，係如圖12(l)所示，將第一分離晶圓W1的分離面W1a加以研磨(圖10的步驟C13)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至蝕刻模組136。在蝕刻模組136中，係如圖12(m)所示，藉由蝕刻液將第一分離晶圓W1的分離面W1a加以濕蝕刻(圖10的步驟C14)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至貼附模組141。在貼附模組141中，係如圖12(n)所示，將黏晶薄膜D貼附於第一分離晶圓W1的分離面W1a(圖10的步驟C15)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至切割模組142。在切割模組142中，係如圖12(o)所示，對黏晶薄膜D照射雷射光，以切割該黏晶薄膜D(圖10的步驟C16)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至固定模組143。在固定模組143中，係如圖12(p)所示，對已貼附於第一分離晶圓W1之表面Wa的黏晶薄膜D，進一步貼附切割膠帶P。又，第一分離晶圓W1係經由切割膠帶P而固定於切割框F(圖10的步驟C17)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至翻轉模組134。在翻轉模組134中，係將第一分離晶圓W1(疊合晶圓T)的表面及背面加以翻轉(圖10的步驟C18)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至剝離模組144。在剝離模組144中，係如圖12(q)所示，從第一分離晶圓W1剝離再利用晶圓S(圖10的步驟C19)。

接著，藉由晶圓搬運裝置122將第一分離晶圓W1搬運至黏接層去除模組145。在黏接層去除模組145中，係如圖12(r)所示，從第一分離晶圓W1的表面Wa去除黏接膠帶B(圖10的步驟C20)。

其後，實施完所有處理的第一分離晶圓W1，係被搬運至晶圓匣盒Cw1。藉由以上製程，製造晶片C。又，在晶圓處理系統1的外部，係如圖12(s)所示，將晶片C進行晶粒黏著。

在以上的第三實施態樣中，亦享有與第一實施態樣相同的效果。

又，在上述第三實施態樣中，係進行步驟C5～C6而將器件晶圓W分離成第一分離晶圓W1與第二分離晶圓W2，但亦可與第一及第二實施態樣相同，係研磨器件晶圓W的背面Wb。此情況下，係進行步驟C13以代替圖10所示之步驟C5～C6，並進一步進行後續的步驟C14～C20。又，因為係將器件晶圓W進行研磨，故省略步驟C7～C12。

在以上的第一～第三實施態樣中，如圖6所示，在將器件晶圓W分離之際，周緣部We係依附在第二分離晶圓W2而成為一體，但將器件晶圓W分離的方法並不限定於此。

例如，如圖13(a)所示，在器件晶圓W的內部中，將周緣改質層M1形成至器件晶圓W的外緣部為止。如此一來，如圖13(b)所示，在將器件晶圓W分離之際，係將第一分離晶圓W1、第二分離晶圓W2及周緣部We各別地分離。即使在此情況下，亦可將圖13(c)所示之第二分離晶圓W2再利用，並可從圖13(d)所示之第一分離晶圓W1製造晶片C。

在以上的第一～第三實施態樣中，係使用黏接膠帶B作為將器件晶圓W與再利用晶圓S加以接合的黏接層，但例如亦可使用黏接劑。

此情況下，在黏接層形成模組70中，係將黏接劑旋轉塗布於器件晶圓W的表面Wa。又，就黏接層形成模組70而言，係使用習知的裝置。

又，在黏接層去除模組145中，係將殘存於第一分離晶圓W1之表面Wa的黏接劑去除，並旋轉清洗表面Wa。又，就黏接層去除模組145而言，係使用習知的裝置。

在以上的第一～第三實施態樣中，於晶圓處理系統1進行完所期望之處理的第二分離晶圓W2，係作為與器件晶圓W接合的再利用晶圓S而再利用，但再利用的對象並不限定於此。例如，在所期望之處理後的第二分離晶圓W2之厚度為700μm的情況，亦可作為器件晶圓W的基板而再利用。

又，在以上的第一～第三實施態樣中，係將作為處理對象基板的器件晶圓W分離成第一分離晶圓W1與第二分離晶圓W2，並將該第二分離晶圓W2作為再利用晶圓S而再利用。關於此點，再利用晶圓S亦可係從作為其他器件基板的器件晶圓分離出的晶圓。例如，在搬運至晶圓處理系統1前所進行的前處理中，有薄化器件晶圓的處理。在此薄化處理中，係將器件晶圓分離成「形成有器件的第一分離晶圓」與「未形成有器件的第二分離晶圓」。亦可將如此分離出的第二分離晶圓作為本實施態樣的再利用晶圓S而再利用。

吾人應瞭解到，本次揭露的實施態樣其所有的內容僅為例示並非限制。上述實施態樣只要不脫離附加的申請專利範圍及其主旨，亦可以各式各樣的形態進行省略、替換及變更。

1:晶圓處理系統 10:接合裝置 20:晶圓處理裝置 30:控制裝置 40,80,160:搬入搬出站 41,81,161:處理站 50,90,170:晶圓匣盒載置台 60,100,120,180:晶圓搬運區域 61,101,121,181:搬運路徑 62,102,122,182:晶圓搬運裝置 63,103,123,183:搬運臂 70:黏接層形成模組 71:接合模組 110:移轉裝置 130:第一處理區塊 131:改質模組 132:分離模組 133:研磨模組 134:翻轉模組 135:清洗模組 136:蝕刻模組 140:第二處理區塊 141:貼附模組 142,191:切割模組 143:固定模組 144:剝離模組 145:黏接層去除模組 150:切割裝置 190:保護層形成模組 192:保護層去除模組 A1~A19,B1~B18,C1~C20:步驟 B:黏接膠帶 Cs,Ct,Cw,Cw1,Cw2:晶圓匣盒 D:黏晶薄膜 F:切割框 H:記錄媒體 L:保護膜 M:改質層 M1:周緣改質層 M2:內部面改質層 P:切割膠帶 S:再利用晶圓 Sa,Wa:表面 Sb,Wb:背面 T:疊合晶圓 W:器件晶圓 W1:第一分離晶圓 W1a,W2a:分離面 W2:第二分離晶圓 We:周緣部

圖1係示意地顯示依本發明之實施態樣之晶圓處理系統之概略構成的俯視圖。 圖2係顯示疊合晶圓之概略構成的側視圖。 圖3(a)、(b)係顯示第一分離晶圓與第二分離晶圓之概略的側視圖。 圖4係顯示依第一實施態樣之晶圓處理之主要製程的流程圖。 圖5(a)～(p)係示意地顯示依第一實施態樣之晶圓處理之各製程的說明圖。 圖6(a)～(d)係示意地顯示依第一實施態樣之晶圓處理之一部分製程之側面觀察的說明圖。 圖7係顯示依第二實施態樣之晶圓處理之主要製程的流程圖。 圖8(a)～(p)係示意地顯示依第二實施態樣之晶圓處理之各製程的說明圖。 圖9係示意地顯示依其他實施態樣之切割裝置之概略構成的俯視圖。 圖10係顯示依第三實施態樣之晶圓處理之主要製程的流程圖。 圖11(a)～(h)係示意地顯示依第三實施態樣之晶圓處理之各製程的說明圖。 圖12(i)～(s)係示意地顯示依第三實施態樣之晶圓處理之各製程的說明圖。 圖13(a)～(d)係示意地顯示依其他實施態樣之晶圓處理之一部分製程之側面觀察的說明圖。

A1~A19:步驟

Claims (15)

1. 一種基板處理方法，係處理在表面形成有器件的處理對象基板，其包含以下步驟：在從一片器件基板分離出的存在器件側之第一分離基板、及未存在器件側之第二分離基板兩者之中，準備該第二分離基板；及將該第二分離基板再利用，而與處理對象基板接合。
2. 如請求項1所述之基板處理方法，其中，將該處理對象基板作為該器件基板而使用；該基板處理方法更包含以下步驟：將該處理對象基板，分離成表面側的第一分離基板與背面側的第二分離基板。
3. 如請求項2所述之基板處理方法，更包含以下步驟：將從該處理對象基板分離出之該第二分離基板的分離面加以研磨；及將該研磨後之該第二分離基板的分離面加以蝕刻。
4. 如請求項2或3所述之基板處理方法，更包含以下步驟：將從該處理對象基板分離出之該第一分離基板的分離面加以蝕刻；將該蝕刻後之該第一分離基板加以切割；將該切割後之該第一分離基板固定於切割框；及 從固定於該切割框之該第一分離基板剝離該第二分離基板。
5. 如請求項4所述之基板處理方法，更包含以下步驟：將黏晶薄膜貼附於接該蝕刻後之該第一分離基板的分離面；及將該黏晶薄膜加以切割。
6. 如請求項4所述之基板處理方法，更包含以下步驟：將黏晶薄膜貼附於該切割後之第一分離基板的分離面；及將該黏晶薄膜加以切割。
7. 如請求項1所述之基板處理方法，更包含以下步驟：在與該第二分離基板接合前的該處理對象基板之表面形成保護層；將形成有該保護層的該處理對象基板加以切割；從該切割後之該處理對象基板去除該保護層；將該第二分離基板再利用並接合於去除了該保護層之該處理對象基板；將該處理對象基板分離成表面側的第一分離基板與背面側的第二分離基板；將從該處理對象基板分離出之該第一分離基板的分離面加以蝕刻；將該蝕刻後之該第一分離基板固定於切割框；及從固定於該切割框之該第一分離基板剝離該第二分離基板。
8. 如請求項7所述之基板處理方法，更包含以下步驟： 將黏晶薄膜貼附於該蝕刻後之第一分離基板的分離面；及將該黏晶薄膜加以切割。
9. 如請求項1所述之基板處理方法，更包含以下步驟：將與該第二分離基板接合後之該處理對象基板加以研磨；將該研磨後之該處理對象基板的研磨面加以蝕刻；將該蝕刻後之該處理對象基板加以切割；將該切割後之該處理對象基板固定於切割框；從固定於該切割框之該處理對象基板剝離該第二分離基板。
10. 一種基板處理系統，係處理在表面形成有器件的處理對象基板，其包含：接合部，在從一片器件基板分離出的存在器件側之第一分離基板、與未存在器件側之第二分離基板兩者之中，將該第二分離基板再利用而與處理對象基板接合。
11. 如請求項10所述之基板處理系統，其中將該處理對象基板作為該器件基板而使用；該基板處理系統更包含：分離部，將該處理對象基板分離成表面側的第一分離基板與背面側的第二分離基板。
12. 如請求項10或11所述之基板處理系統，更包含： 研磨部，將該第二分離基板的分離面加以研磨；及蝕刻部，將該第二分離基板的分離面加以蝕刻。
13. 如請求項10或11所述之基板處理系統，更包含：切割部，將該第一分離基板加以切割；固定部，將該第一分離基板固定於切割框；及剝離部，從該第一分離基板剝離該第二分離基板。
14. 如請求項10或11所述之基板處理系統，更包含：貼附部，將黏晶薄膜貼附於該第一分離基板的分離面。
15. 如請求項10或11所述之基板處理系統，更包含：保護層形成部，在與該第二分離基板接合前之該處理對象基板的表面，形成保護層；及保護層去除部，從該處理對象基板去除該保護層。

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