TWI840741B - 電子元件的封裝結構的製造方法 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一種電子元件的封裝結構的製造方法，包括以下步驟。首先，提供載板，其中載板包括複合結構且具有彼此相對的第一表面以及第二表面。接著，在載板的第一表面上形成抗翹曲結構。之後，在載板的第二表面上形成重佈線結構。

Description

電子元件的封裝結構的製造方法

本發明是有關於一種封裝結構的製造方法，且特別是有關於一種電子元件的封裝結構的製造方法。

在製造電子元件的過程中，由於用於形成電子元件的封裝結構的不同材料具有不同的物理性質（例如熱膨脹係數），進而導致製造出的封裝結構易產生翹曲，其應用於電子元件時將易導致此電子元件中的電路結構短路及/或訊號傳輸異常，而使得製造出的電子元件的可靠度以及電性下降。

本揭露提供一種電子元件的封裝結構的製造方法，其製造出的封裝結構應用電子元件中時，此電子元件可具有經提升的可靠度及/或電性。

根據本揭露的一些實施例提供的封裝結構的製造方法，其包括以下步驟。首先，提供載板，其中載板包括複合結構且具有彼此相對的第一表面以及第二表面。接著，在載板的第一表面上形成抗翹曲結構。之後，在載板的第二表面上形成重佈線結構。

根據本揭露的另一些實施例提供的封裝結構的製造方法，其包括以下步驟。首先，提供載板。接著，在載板上形成囊封結構，囊封結構包括半導體晶片以及囊封層且具有彼此相對的第三表面以及第四表面，其中半導體晶片靠近載板的表面上設置有連接墊，且囊封層暴露出半導體晶片，其中囊封結構的第三表面面對載板。之後，在囊封結構的第四表面上形成抗翹曲結構。再來，移除載板。然後，在囊封結構的第三表面上形成重佈線結構。

為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合附圖作詳細說明如下。

透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。

本揭露通篇說明書與後附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，「包括」、「含有」、「具有」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。因此，當本揭露的描述中使用術語「包括」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在。

本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。

當相應的構件（例如膜層或區域）被稱為「在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在俯視方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向（orientation）。

術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值20%以內的範圍，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內的範圍。

說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該（或該些）元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。

須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。

本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、其他適合的元件，或上述元件的組合，但不限於此。

在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。若第一值等於第二值，其隱含著第一值與第二值之間可存在著約10%的誤差；若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。

電子元件可具有本揭露實施例的複合層電路結構。本揭露的電子元件所適用之電子裝置可包括顯示、天線（例如液晶天線）、發光、感測、觸控、拼接、其他適合的功能、或上述功能的組合，但不以此為限。電子裝置包括可捲曲或可撓式電子裝置，但不以此為限。顯示裝置可例如包括液晶（liquid crystal）、發光二極體（light emitting diode，LED）、量子點（quantum dot，QD）、螢光（fluorescence）、磷光（phosphor）、其他適合之材料或上述之組合。發光二極體可例如包括有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）、微型發光二極體（micro-LED、mini-LED）或量子點發光二極體（QLED、QDLED），但不以此為限。電子元件可包括電晶體、電路板、晶片（chip）、管芯（die）、積體電路（integrated circuits，IC）或上述元件的組合或其他合適的電子元件，不以此為限。

以下舉例本揭露的示範性實施例，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1A至圖1C為本揭露第一實施例的電子元件的封裝結構的製造方法的局部剖面示意圖。

請參照圖1A，提供載板CP，其中載板CP包括複合結構且具有彼此相對的第一表面s1以及第二表面s2。在本實施例中，載板CP包括有第一基板CP1、第二基板CP2以及黏著層AL1，且第一基板CP1與第二基板CP2通過黏著層AL1彼此接合。詳細地說，黏著層AL1設置於第一基板CP1與第二基板CP2之間而使第一基板CP1與第二基板CP2彼此黏附，藉此具有足夠的剛性以承受後續欲進行的製程。第一基板CP1與第二基板CP2可例如是玻璃基板、矽基板、藍寶石基板或其他合適的基板。在本實施例中，第一基板CP1與第二基板CP2為玻璃基板，因此，第一基板CP1與第二基板CP2形成雙層玻璃結構（Glass on Glass；GOG）。在一些實施例中，第一基板CP1與第二基板CP2可分別具有大於或等於0.5 毫米且小於或等於1.8 毫米的厚度（0.5 毫米≦基板厚度≦1.8 毫米），但本揭露不以此為限。在一些實施例中，第一基板CP1與第二基板CP2可分別具有大於或等於3 ppm/K且小於或等於12 ppm/K的熱膨脹係數（3 ppm/K≦基板熱膨脹係數≦12 ppm/K）。其中，第一基板CP1具有的熱膨脹係數可實質與第二基板CP2具有的熱膨脹係數相同；或者第一基板CP1具有的熱膨脹係數可大於第二基板CP2具有的熱膨脹係數，本揭露不以此為限。但本揭露不以此為限。在一些實施例中，載板CP具有面板級尺寸（也就是說，載板CP的面積大於或等於50公分X50公分）。基於此，在本實施例後續欲進行的製程中可為扇出型面板級封裝（Fan out panel level package；FOPLP）的應用，其中扇出型面板級封裝即包括上述的重佈線結構先製（RDL first）製程或晶片先製（chip first）製程。在本實施例中，扇出型面板級封裝由於採用了具有面板級尺寸的載板CP，相較於晶圓級封裝而言可大幅提升產能。同時，具有面板級尺寸的載板CP具有矩形輪廓，這相較於晶圓級封裝而言也可大幅提高載板CP的利用率。因此，本實施例製造出的電子元件的封裝結構可以用於實現高產能的需求。

請參照圖1B，在載板CP的第一表面s1上形成抗翹曲結構AW。在本實施例中，抗翹曲結構AW可為包括有機材料的單層結構，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，抗翹曲結構AW可具有大於或等於0.02 毫米（mm）且小於或等於0.2毫米的厚度（0.02毫米≦厚度≦0.2毫米），但本揭露不以此為限。在一些實施例中，抗翹曲結構AW包括具有環氧基團的有機化合物，且抗翹曲結構AW具有的熱膨脹係數可大於第一基板CP1具有的熱膨脹係數。舉例而言，抗翹曲結構AW包括的具有環氧基團的有機化合物可包含雙酚A、苯、聯苯、萘等芳香基團，或抗翹曲結構AW可具有大於或等於30 ppm/K且小於或等於180 ppm/K的熱膨脹係數（30 ppm/K≦熱膨脹係數≦180ppm/K），但本揭露不以此為限。在另一些實施例中，抗翹曲結構AW可具有大於或等於30 ppm/K且小於或等於60 ppm/K的熱膨脹係數（30 ppm/K≦熱膨脹係數≦60ppm/K）。

請參照圖1C，在載板CP的第二表面s2上形成重佈線結構RDL。在一些實施例中，在載板CP的第二表面s2上形成重佈線結構RDL之前，可在載板CP的第二表面s2上選擇性地先形成離型層RL。離型層RL的設置可使後續設置於載板CP上的構件輕易地從其上被分離。離型層RL的材料可例如選用合適的有機材料，本揭露不以此為限。在本實施例中，在載板CP的第二表面s2上形成重佈線結構RDL包括進行以下步驟，但本揭露不以此為限。

首先，在載板CP的第二表面s2上形成金屬層M1。在一些實施例中，在形成金屬層M1之前，可先形成晶種層SEED1。晶種層SEED1的形成方法可例如是利用物理氣相沉積製程或化學氣相沉積製程形成，本揭露不以此為限。晶種層SEED1的材料可例如是金屬，且可例如具有單一種金屬的單層結構或具有由不同金屬形成的多個子層的複合層結構，其中該些子層彼此層疊。舉例而言，本實施例的晶種層SEED1可包括鈦層以及層疊於鈦層上的銅層，而具有複合層結構，但本揭露不以此為限。在本實施例中，形成金屬層M1可包括進行以下步驟。在載板CP的第二表面s2上形成罩幕層（mask，未示出），其中罩幕層包括暴露出部分的晶種層SEED1的多個開口，且後續在該些開口中例如利用電鍍製程以通過使晶種層SEED1成長而形成金屬層M1。基於此，金屬層M1的材料可例如與晶種層SEED1的材料相同，但不以此為限。在本實施例中，金屬層M1的材料包括銅。另外，在一些實施例中，金屬層M1可具有大於或等於0.002 毫米且小於或等於0.005 毫米的厚度（0.002 毫米≦厚度≦0.005 毫米），但本揭露不以此為限。當金屬層M1為銅層時，可例如具有大於或等於20 ppm/K且小於或等於30 ppm/K的熱膨脹係數（20 ppm/K≦熱膨脹係數≦30ppm/K）。

接著，在載板CP的第二表面s2上形成絕緣層IL1，其中絕緣層IL1包括暴露出部分的金屬層M1的開口OP1。絕緣層IL1的形成方法可例如包括進行以下步驟。首先，在載板CP的第二表面s2上形成覆蓋金屬層M1的絕緣材料層（未示出），其中絕緣材料層可例如是利用化學氣相沉積製程或其餘合適的製程形成，本揭露不以此為限。接著，對絕緣材料層進行圖案化製程，以形成具有多個開口OP1的絕緣層IL1，其中該些開口OP1暴露出部分的金屬層M1。絕緣層IL1的材料可例如是有機材料、氧化物、氮化物、磷矽酸鹽玻璃、硼磷矽酸鹽玻璃或其組合，本揭露不以此為限。在本實施例中，絕緣層IL1的材料為聚醯亞胺或環氧樹脂。另外，在一些實施例中，絕緣層IL1可具有大於或等於0.01 毫米且小於或等於0.1 毫米的厚度（0.01毫米≦厚度≦0.1毫米），但本揭露不以此為限。在絕緣層IL1的材料為聚醯亞胺的情況下，絕緣層IL1可例如具有大於或等於30 ppm/K且小於或等於60 ppm/K的熱膨脹係數（30ppm/K≦熱膨脹係數≦60ppm/K）；或者絕緣層IL1可例如具有大於或等於30 ppm/K且小於或等於35 ppm/K的熱膨脹係數（30ppm/K≦熱膨脹係數≦35ppm/K）。在絕緣層IL1的材料為環氧樹脂的情況下，絕緣層IL1可例如具有大於或等於10 ppm/K且小於或等於40 ppm/K的熱膨脹係數（10ppm/K≦熱膨脹係數≦40ppm/K）；或者絕緣層IL1可例如具有大於或等於15 ppm/K且小於或等於20 ppm/K的熱膨脹係數（15ppm/K≦熱膨脹係數≦20ppm/K）。

在本實施例中，可重複地進行上述形成金屬層以及絕緣層的步驟的循環，而形成如圖1C所示出的重佈線結構RDL，其中重佈線結構RDL可做為電子元件的佈線層以提供所需的導電傳輸路徑。舉例而言，如圖1C所示，重佈線結構RDL可包括有晶種層SEED1、金屬層M1、具有多個開口OP1的絕緣層IL1、晶種層SEED2、金屬層M2、具有多個開口OP2的絕緣層IL2、晶種層SEED3、金屬層M3、具有多個開口OP3的絕緣層IL3、晶種層SEED4、金屬層M4以及絕緣層IL4，但本揭露不以此為限。值得說明的是，本實施例的封裝結構10的製造方法雖然是以上述方法為例進行說明；然而，本揭露的封裝結構的形成方法並不以此為限。舉例而言，在形成重佈線結構RDL之後，可繼續進行形成半導體晶片的製程，即，本實施例的封裝結構10的製造方法為一種重佈線結構先製（RDL first）製程。另外，本揭露實施例的封裝結構10雖以應用於面板級封裝中為例，然而本揭露並不以此為限。本揭露的封裝結構也可應用於各種半導體裝置及/或半導體製造製程中。

由於在形成重佈線結構RDL的過程中會歷經加熱製程，且重佈線結構RDL包括的金屬層（例如包括金屬層M1、金屬層M2、金屬層M3以及金屬層M4）以及絕緣層（例如包括絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3以及絕緣層IL4）具有的熱膨脹係數皆大於第一基板CP1及/或第二基板CP2的熱膨脹係數，因此，在載板CP的第二表面s2設置重佈線結構RDL後會使得載板CP的邊緣具有朝向面對重佈線結構RDL的方向翹曲的趨勢。為了解決此技術問題，本實施例先行在載板CP的與第二表面s2相對的第一表面s1上設置抗翹曲結構AW，且抗翹曲結構AW具有的熱膨脹係數亦大於載板CP的熱膨脹係數，因此，在載板CP的第一表面s1設置抗翹曲結構AW後會使得載板CP的邊緣具有朝向面對抗翹曲結構AW的方向翹曲的趨勢。基於此，本實施例通過抗翹曲結構AW的設置可降低封裝結構10因重佈線結構RDL與載板CP各自具有的熱膨脹係數不同而於溫度變化時產生的翹曲現象，而使包括此封裝結構10的電子元件提升可靠度及/或電性。例如，若使抗翹曲結構AW具有的熱膨脹係數實質與重佈線結構RDL具有的熱膨脹係數相同（例如與金屬層以及絕緣層各自具有的熱膨脹係數的平均值相同），則封裝結構10可能不產生翹曲。

圖2A至圖2D為本揭露第二實施例的電子元件的封裝結構的製造方法的局部剖面示意圖。須說明的是，圖2A至圖2D的部分實施例可沿用圖1A至圖1C的實施例的結構標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的結構，並且省略相同技術內容的說明。

請參照圖2A，提供載板CP，其中載板CP包括複合結構且具有彼此相對的第一表面s1以及第二表面s2。在此，提供載板CP的步驟大致類似圖1A示出的步驟，於此不再贅述。

請參照圖2B，在載板CP的第一表面s1上形成抗翹曲結構AW。在此，在載板CP的第一表面s1上形成抗翹曲結構AW的步驟大致類似圖1B示出的步驟，於此不再贅述。

請參照圖2C，在載板CP的第二表面s2上形成囊封結構（encapsulation structure）E1。基於此，本實施例的封裝結構的製作方法與前述的封裝結構10的製作方法的主要差異在於：在載板CP的第二表面s2上形成重佈線結構RDL之前，更包括進行成囊封結構E1的步驟。在一些實施例中，囊封結構E1具有的第三表面s3面對載板CP的第二表面s2，且囊封結構E1具有的第四表面s4遠離載板CP的第二表面s2。在本實施例中，在載板CP的第二表面s2上形成囊封結構E1包括進行以下步驟，但本揭露不以此為限。

首先，在載板CP的第二表面s2上設置半導體晶片100。半導體晶片100可例如包括經封裝的半導體晶粒，本揭露不以此為限。舉例而言，半導體晶片100可包括應用專用積體電路晶片、類比晶片、數位晶片、電壓調節器晶片、感測器晶片或記憶體晶片等半導體晶片。在一些實施例中，半導體晶片100與載板CP的第二表面s2之間可形成有晶片黏著膜DAL，以使半導體晶片100可貼合於載板CP的第二表面s2上。晶片黏著膜DAL的材料可例如包括有機材料、無機材料或其餘合適的黏著材料，但本揭露不以此為限。在本實施例中，半導體晶片100是以面朝上（face up）的方式配置，也就是說，在一些實施例中，在半導體晶片100遠離載板CP的表面上設置有連接墊102，以用於與後續欲設置的重佈線結構RDL電性連接。

接著，在載板CP的第二表面s2上形成囊封層（encapsulation layer）200，其中囊封層200暴露出部分的連接墊102。囊封層200的形成方法可例如包括進行以下步驟。首先，在載板CP的第二表面s2上形成環繞且覆蓋半導體晶片100的囊封材料層（未示出），其中囊封材料層可例如是利用模壓成型製程或其餘合適的製程形成，本揭露不以此為限。接著，對囊封材料層進行平坦化製程（例如，透過研磨）直至暴露出連接墊102，以形成囊封層200。囊封層200的材料可例如是有機材料或其餘合適的材料，本揭露不以此為限。在本實施例中，囊封層200的材料可為環氧樹脂，但不限於此。另外，在一些實施例中，囊封層200可具有大於或等於0.1 毫米且小於或等於0.2 毫米的厚度（0.1毫米≦厚度≦0.2毫米），但本揭露不以此為限。基於此，囊封層200可例如具有大於或等於40 ppm/K且小於或等於60 ppm/K的熱膨脹係數（40ppm/K≦熱膨脹係數≦60ppm/K）；或者囊封層200可例如具有大於或等於40 ppm/K且小於或等於45 ppm/K的熱膨脹係數（40ppm/K≦熱膨脹係數≦45ppm/K）。

請參照圖2D，在載板CP的第二表面s2（更具體的說，是在囊封結構E1的第四表面s4）上形成重佈線結構RDL。在此，形成重佈線結構RDL的步驟大致類似圖1C示出的步驟，於此不再贅述。此處值得一提的是，本實施例的封裝結構20的製造方法為一種晶片先製（chip first）製程。在一些實施例中，於重佈線結構RDL上可形成多個導電端子300。導電端子300可例如是設置於重佈線結構RDL的金屬層M3上並與其電性連接，因此，導電端子300可通過重佈線結構RDL而與半導體晶片100電性連接。導電端子300可例如是通過植球製程（ball placement process）與回焊製程（reflow process）來形成，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，導電端子300可為如圖2D所示出的焊球；或者可設置為導電柱或導電栓塞等形態，本揭露不以此為限。

與前述實施例類似，本實施例通過抗翹曲結構AW的設置可降低封裝結構20因重佈線結構RDL及/或囊封結構E1與載板CP各自具有的熱膨脹係數不同而於溫度變化時產生的翹曲，而使包括此封裝結構20的電子元件提升可靠度及/或電性。

圖3A至圖3E為本揭露第三實施例的電子元件的封裝結構的製造方法的局部剖面示意圖。須說明的是，圖3A至圖3E的部分實施例可沿用圖1A至圖1C的實施例的結構標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的結構，並且省略相同技術內容的說明。

請參照圖3A，提供載板CP’，其中載板CP’包括單層結構且具有彼此相對的第一表面s1以及第二表面s2。在本實施例中，載板CP’在後續的製程中會被移除，因此，載板CP’可不一定須包括複合結構而具有足夠的剛性，但本揭露不以此為限。載板CP’可例如是玻璃載板、矽載板、藍寶石載板或其他合適的載板。在本實施例中，載板CP’為玻璃載板。在一些實施例中，載板CP’可具有大於或等於0.5 毫米且小於或等於1.8 毫米的厚度（0.5毫米≦載板厚度≦1.8毫米），但本揭露不以此為限。在一些實施例中，載板CP’具有大於或等於3 ppm/K且小於或等於12 ppm/K的熱膨脹係數（3ppm/K≦熱膨脹係數≦12ppm/K）。在一些實施例中，載板CP’具有面板級尺寸。基於此，在本實施例後續欲進行的製程中可例如為將晶片設置在具有面板級尺寸的載板CP’上，即，本實施例示出的封裝結構的製造方法可例如用於晶片先製製程應用。在本實施例中，扇出型面板級封裝由於採用了具有面板級尺寸的載板CP’，因此，本實施例製造出的電子元件的封裝結構亦可以用於實現高產能的需求。

請參照圖3B，在載板CP’上形成囊封結構E2。在一些實施例中，囊封結構E2包括半導體晶片100以及囊封層200且具有彼此相對的第三表面s3以及第四表面s4。舉例而言，囊封結構E2具有的第三表面s3面對載板CP’的第二表面s2，且囊封結構E2具有的第四表面s4遠離載板CP’的第二表面s2。在本實施例中，在載板CP’的第二表面s2上形成囊封結構E2包括進行以下步驟，但本揭露不以此為限。

首先，在載板CP’的第二表面s2上設置半導體晶片100。半導體晶片100可例如包括經封裝的半導體晶粒，本揭露不以此為限。舉例而言，半導體晶片100可包括應用專用積體電路晶片、類比晶片、數位晶片、電壓調節器晶片、感測器晶片或記憶體晶片等半導體晶片。另外，在一些實施例中，在半導體晶片100靠近載板CP’的第二表面s2上設置有連接墊102，以用於與後續欲設置的重佈線結構RDL電性連接。在一些實施例中，半導體晶片100與載板CP’的第二表面s2之間可形成有黏著層AL2，以使半導體晶片100可貼合於載板CP’的第二表面s2上，但本揭露不以此為限。即，在本實施例中，半導體晶片100是以面朝下（face down）的方式配置，但本揭露不以此為限。黏著層AL2的材料可例如包括熱解材料（Thermal release material）、有機材料、無機材料或其餘合適的黏著材料，本揭露不以此為限。

接著，在載板CP’的第二表面s2上形成囊封層200，其中囊封層200暴露出部分的半導體晶片100。囊封層200的形成方法可例如包括進行以下步驟。首先，在載板CP的第二表面s2上形成覆蓋且環繞半導體晶片100的囊封材料層，其中囊封材料層可例如是利用模壓成型製程或其餘合適的製程形成，本揭露不以此為限。接著，對囊封材料層進行平坦化製程直至暴露出半導體晶片100，以形成囊封層200。囊封層200的材料可例如是有機材料或其餘合適的材料，本揭露不以此為限。在本實施例中，囊封層200的材料可為環氧樹脂。另外，在一些實施例中，囊封層200可具有大於或等於0.1 毫米且小於或等於0.2 毫米的厚度（0.1毫米≦厚度≦0.2毫米），但本揭露不以此為限。基於此，囊封層200可例如具有大於或等於40 ppm/K且小於或等於60 ppm/K的熱膨脹係數（40ppm/K≦熱膨脹係數≦60ppm/K）；或者囊封層200可例如具有大於或等於40 ppm/K且小於或等於45 ppm/K的熱膨脹係數（40ppm/K≦熱膨脹係數≦45ppm/K）。

請參照圖3C，在囊封結構E2的第四表面s4上形成抗翹曲結構AW。在此，在囊封結構E2的第四表面s4上形成抗翹曲結構AW的步驟大致類似圖1B示出的步驟，於此不再贅述。

請參照圖3D，移除載板CP’。在本實施例中，在移除載板CP’的同時亦移除黏著層AL2。移除載板CP’可例如進行合適的剝離製程，本揭露不以此為限。在本實施例中，在移除載板CP’之後，囊封層200的第三表面s3暴露出連接墊102。

請參照圖3E，在囊封結構E2的第三表面s3上形成重佈線結構RDL。在此，在囊封結構E2的第三表面s3上形成重佈線結構RDL的步驟大致類似圖1C示出的步驟，於此不再贅述。此處值得一提的是，本實施例的封裝結構30的製造方法為一種晶片先製（chip first）製程。

另外，上述實施例的封裝結構10、封裝結構20與封裝結構30可在後續的製程中例如與積體電路晶片及/或印刷電路板等電子元件進行接合，但本揭露不以此為限。上述接合的方式可例如通過在重佈線結構RDL與電子元件之間設置有接合墊，但本揭露不以此為限。

綜上所述，本揭露的一些實施例提供的封裝結構的製造方法通過在載板的與設置有重佈線結構及/或囊封結構的表面相對的表面上設置有抗翹曲結構，其可降低封裝結構因重佈線結構及/或囊封結構與載板各自具有的熱膨脹係數不同而抑制於溫度變化時產生的翹曲，而使包括此封裝結構的電子元件提升可靠度及/或電性。

最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本揭露的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本揭露進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的範圍。各實施例間的特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。

10、20、30:封裝結構 100:半導體晶片 102:連接墊 200:囊封層 300:導電端子 AL1、AL2:黏著層 AW:抗翹曲結構 CP、CP’:載板 CP1:第一基板 CP2:第二基板 DAL:晶片黏著膜 E1、E2:囊封結構 IL1、IL2、IL3、IL4:絕緣層 M1、M2、M3、M4:金屬層 OP1、OP2、OP3:開口 RDL:重佈線結構 RL:離型層 s1:第一表面 s2:第二表面 s3:第三表面 s4:第四表面 SEED1、SEED2、SEED3、SEED4:晶種層

圖1A至圖1C為本揭露第一實施例的電子元件的封裝結構的製造方法的局部剖面示意圖。 圖2A至圖2D為本揭露第二實施例的電子元件的封裝結構的製造方法的局部剖面示意圖。 圖3A至圖3E為本揭露第三實施例的電子元件的封裝結構的製造方法的局部剖面示意圖。

10:封裝結構

AL1:黏著層

AW:抗翹曲結構

CP:載板

CP1:第一基板

CP2:第二基板

IL1、IL2、IL3、IL4:絕緣層

M1、M2、M3、M4:金屬層

OP1、OP2、OP3:開口

RDL:重佈線結構

RL:離型層

s1:第一表面

s2:第二表面

SEED1、SEED2、SEED3、SEED4:晶種層

Claims (9)

1. 一種電子元件的封裝結構的製造方法，包括：提供載板，其中所述載板包括複合結構且具有彼此相對的第一表面以及第二表面；在所述載板的所述第一表面上形成抗翹曲結構；以及在所述載板的所述第二表面上形成重佈線結構，其中在所述載板的所述第二表面上形成所述重佈線結構之前，更包括進行以下步驟：在所述載板的所述第二表面上形成半導體晶片，其中所述半導體晶片遠離所述載板的表面上設置有連接墊；以及在所述載板的所述第二表面上形成囊封層，其中所述囊封層暴露出所述連接墊，且所述半導體晶片通過所述連接墊與所述重佈線結構電性連接。
2. 如請求項1所述的電子元件的封裝結構的製造方法，其中所述載板包含第一基板、第二基板以及黏著層，其中所述第一基板與所述第二基板通過所述黏著層彼此接合。
3. 如請求項2所述的電子元件的封裝結構的製造方法，其中所述抗翹曲結構具有的熱膨脹係數大於所述第一基板具有的熱膨脹係數。
4. 如請求項3所述的電子元件的封裝結構的製造方法，其中所述抗翹曲結構具有的熱膨脹係數大於或等於30ppm/K 且小於或等於180ppm/K，且所述第一基板具有的熱膨脹係數大於或等於3ppm/K且小於或等於12ppm/K。
5. 如請求項1所述的電子元件的封裝結構的製造方法，其中所述抗翹曲結構包括具有環氧基團的有機化合物。
6. 如請求項1所述的電子元件的封裝結構的製造方法，其中在所述載板的所述第二表面上形成所述重佈線結構包括進行以下步驟：在所述載板的所述第二表面上形成金屬層；以及在所述載板的所述第二表面上形成絕緣層，其中所述絕緣層包括暴露出部分的所述金屬層的開口。
7. 一種電子元件的封裝結構的製造方法，包括：提供載板；在所述載板上形成囊封結構，所述囊封結構包括半導體晶片以及囊封層且具有彼此相對的第三表面以及第四表面，其中所述半導體晶片靠近所述載板的表面上設置有連接墊，且所述囊封層暴露出所述半導體晶片，其中所述囊封結構的所述第三表面面對所述載板；在所述囊封結構的所述第四表面上形成抗翹曲結構；移除所述載板；以及在所述囊封結構的所述第三表面上形成重佈線結構。
8. 如請求項7所述的電子元件的封裝結構的製造方法，其中所述抗翹曲結構具有的熱膨脹係數大於或等於30ppm/K 且小於或等於180ppm/K，且所述載板具有的熱膨脹係數大於或等於3ppm/K且小於或等於12ppm/K。
9. 如請求項7所述的電子元件的封裝結構的製造方法，其中所述抗翹曲結構包括具有環氧基團的有機化合物。

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