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TWI739135B - 用於支援熔絲載入架構之方法及用於單晶片系統重組態及再利用的熔絲載入架構 - Google Patents

用於支援熔絲載入架構之方法及用於單晶片系統重組態及再利用的熔絲載入架構 Download PDF

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TWI739135B
TWI739135B TW108125916A TW108125916A TWI739135B TW I739135 B TWI739135 B TW I739135B TW 108125916 A TW108125916 A TW 108125916A TW 108125916 A TW108125916 A TW 108125916A TW I739135 B TWI739135 B TW I739135B
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帕文 哥帕拉布蘭
雅夏 阿倫 摩德
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美商美光科技公司
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Abstract

本發明闡述支援用於單晶片系統(SoC)重組態及再利用的熔絲載入架構之方法、系統及裝置。可基於一熔絲標頭而將修整資料自一晶粒上之熔絲載入至暫存器。舉例而言，可識別與該晶粒上之一組熔絲耦合之一組暫存器，其中該組熔絲可儲存待複製至該等暫存器之修整資料作為一熔絲載入過程之一部分。在此等情形中，可在該修整資料內識別一或多個熔絲標頭，且每一熔絲標頭可對應於包含一子組熔絲之一熔絲群組。基於一熔絲標頭內之一或多個子欄位，可判定熔絲位址與暫存器位址之間的一映射，且可基於該映射而將該修整資料自每一熔絲群組複製至一組暫存器中。

Description

用於支援熔絲載入架構之方法及用於單晶片系統重組態及再利用的熔絲載入架構
本技術領域係關於單晶片系統(SoC)重組態及再利用。
下文大體而言係關於單晶片系統(SoC)架構，且更具體而言係關於一種用於SoC重組態及再利用的熔絲載入架構。
某些電裝置(例如，積體電路)可包含一單個晶片上之一計算階層之各種組件。此等裝置可被稱為一SoC，且可包含(舉例而言)整合至一單個基板或晶粒上之一中央處理單元(CPU)或處理器、記憶體、控制器、輸入/輸出(I/O)介面、軟體等。儘管此等裝置有時可因各種嵌入式組件、軟體及核心之整合而係複雜的，但一SoC可具有一小的形式因子且可通常消耗較其他類型之積體電路少之功率。因此，SoC可用於一廣泛範圍之應用中，包含醫療裝置(諸如血壓監測裝置)、物聯網(IoT)裝置(諸如智慧型儀錶、智慧型鎖等)及個人電子裝置(諸如行動電話、平板電腦、智慧型手錶等)。
在某些情形中，可藉由載入定義SoC設計之一或多個設定之資料來實現一SoC之功能性，該資料可儲存在晶片上或在一啟動或重新啟動事件之後旋即載入。作為一實例，一SoC可運用一組「熔絲」來儲存 與一SoC設計之規格及/或要求相關之設定(例如，「修整」)。可將該等修整載入至晶片上之暫存器以提供一所期望功能性，其中可使用熔絲位址至暫存器位址之一預定義一對一映射來執行自熔絲之修整載入(例如，一「熔絲載入」)。然而，此等預定義一對一映射可抑制一SoC之再利用及重組態且限制針對不同SoC組態載入不同熔絲的靈活性。期望經改良之SoC設計。
100:單晶片系統架構
105:單晶片系統
110:熔絲載入控制器
115:處理器
120:記憶體
125:輸入/輸出控制器
130:單晶片互連
135:熔絲區塊
140:暫存器檔案
145:輸入
150:輸出
200:熔絲標頭組態
205:熔絲標頭/當前熔絲標頭
210:熔絲資料/相關聯熔絲資料
215:熔絲位址
220:暫存器位址/開始暫存器位址
225:子欄位/熔絲位址計數子欄位/初始跳過選項子欄位/一熔絲標頭識別碼子欄位/暫存器開始位址子欄位
300:熔絲群組組態
305:熔絲標頭/單個熔絲標頭/第一熔絲標頭/第二熔絲標頭
310:熔絲資料/40位元熔絲資料
315:熔絲位址/各別熔絲位址/第一熔絲位址/最後熔絲位址/第二熔絲位址/後續熔絲位址
320:暫存器位址/開始暫存器位址/各別暫存器位址/5位元暫存器位址
325:熔絲標頭群組/第一熔絲標頭群組/當前熔絲標頭群組/第二不同熔絲標頭群組/第二熔絲標頭群組
405-a:第一熔絲標頭
405-b:第二熔絲標頭
405-c:第三熔絲標頭
415-a:熔絲位址
415-b:熔絲位址
415-c:熔絲位址
420-a:第一組暫存器位址
420-b:第二組暫存器位址
420-c:第三組暫存器位址
425-a:第一熔絲標頭群組/熔絲標頭群組
425-b:第二熔絲標頭群組/熔絲標頭群組
425-c:熔絲標頭群組/第三熔絲標頭群組
500:流程圖
505:步驟
510:步驟
515:步驟
520:步驟
525:步驟
530:步驟
535:步驟
540:步驟
545:步驟
600:方塊圖
605:控制器
610:熔絲/唯讀記憶體區塊
615:暫存器檔案
620:熔絲群組管理器
625:修整資料管理器
630:熔絲計數組件
635:暫存器位址管理器
640:子欄位管理器
645:熔絲標頭管理器
700:方法
705:步驟
710:步驟
715:步驟
720:步驟
800:方法
805:步驟
810:步驟
815:步驟
820:步驟
圖1圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之一單晶片系統(SoC)架構之一實例。
圖2圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之一熔絲標頭組態之一實例。
圖3圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之一熔絲群組組態之一實例。
圖4圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之熔絲群組之一實例。
圖5圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之一流程圖之一實例。
圖6圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的熔絲載入架構之一控制器之方塊圖。
圖7及圖8圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之一方法或若干方法之實例。
本專利申請案主張於2018年8月13日提出申請的標題為「用於單晶片系統重組態及再利用的熔絲載入架構(FUSELOAD ARCHITECTURE FOR SYSTEM-ON-CHIP RECONFIGURATION AND REPURPOSING)」的Pinilla Pico等人之美國專利申請案第16/102,050號之優先權，該申請案受讓於其受讓人且其全文以引用方式明確地併入本文中。
一單晶片系統(SoC)可包括在一單個晶粒上組合多個獨立組件之一積體電路。舉例而言，一SoC可設計為具有不同複雜程度的用於各種嵌入式應用之若干組組件(包含一或多個處理器核心、記憶體區塊、快取記憶體、介面等等)。如此，一SoC可包含用於不同操作、裝置及產品之多個積體電路。在某些情形中，可將與一SoC設計之規格及/或要求相關之特定設定(例如，「修整」)載入於SoC中，其中可將此等修整預寫入至一儲存空間(例如，「熔絲」)中。然後，在一熔絲載入過程期間將該等修整自熔絲複製至一SoC之內部暫存器(諸如控制暫存器、模式暫存器或類似者)以建立一SoC設計之設定。在某些情形中，在SoC晶粒上於熔絲位址與暫存器位址之間可存在一個一對一預定義映射(例如，一硬編碼硬體映射)。舉例而言，每一熔絲位址可映射至在製造期間於硬體中設定的一預定義暫存器位址。
在某些情形中，再利用及重組態熔絲之能力可係一SoC之可期望品質。舉例而言，再利用及重組態熔絲可達成SoC架構壽命之一延長，且亦可允許晶片設計者為一既定晶粒形成新的或額外功能性。然而，熔絲與暫存器之間的預定義一對一映射可需要(舉例而言)將修整資料自各別熔絲位址之始終無變化地映射至一組對應暫存器位址，此可會阻礙晶粒 再利用及重組態。
此外，熔絲可被限制在一晶粒上(例如，熔絲之數目可影響晶粒面積且可因此在特定設計中被最小化)，且因此再利用熔絲之能力可將對晶粒之運用最大化。但藉助熔絲位址與暫存器位址之間的一靜態一對一映射，不論設計要求或組態如何皆可將修整複製至暫存器。舉例而言，在一SoC 105之一個組態中，可需要若干修整，但對於其他組態，可僅需要80次修整。若使用一對一預定義映射，則不管SoC組態如何皆可在所有情況中複製所有修整，此可導致熔絲或其他資源之一浪費，諸如處理或能量資源(例如，可能不必要地自熔絲複製修整資料，此可係無用或無效的)。
如本文中所闡述，可運用技術來消除一熔絲位址空間與一暫存器位址空間之間的一對一預定義映射。舉例而言，所闡述技術可使得能夠基於設計規格以不同設定(例如，不同修整)對同一SoC設計進行組態。可經由與自熔絲複製之修整資料包含在一起之一熔絲標頭的使用來實現此等技術。舉例而言，一熔絲標頭格式可達成熔絲位址與暫存器位址之間的一模組化及可組態映射以在將修整載入至暫存器時增大靈活性。該熔絲標頭可包含提供(舉例而言)以下各項中之一或多者之子欄位：一開始暫存器位址、一熔絲標頭識別碼(ID)、使得熔絲能夠被跳過之一指示及自其複製修整之熔絲之一計數。熔絲標頭之子欄位可使得能將修整靈活地複製至一暫存器檔案。
因此，所闡述技術可在自熔絲載入修整時增大SoC設計的靈活性，此可包含僅載入期望用於一特定設計之修整且因此避免寫入一整個暫存器檔案。此外，在一晶片損壞、製造中之缺點或缺陷、功能要求之 改變、晶粒功能性之降級或類似者之一事件中，所闡述技術可使得能夠按照一組不同修整來對暫存器進行組態(例如，無需一工程修改命令(ECO)來改變映射指標)。此外，所闡述技術可在無需一ECO之情形下使得能夠添加熔絲可載入式暫存器(例如，使得控制非熔絲可載入式暫存器能夠變成熔絲可載入式暫存器)，藉此在設計及生產一SoC時節省時間並避免額外成本。
首先可在一SoC架構之內容脈絡中闡述本發明之特徵。在熔絲標頭及熔絲載入過程之內容脈絡中進一步闡述本發明之特徵。藉由及參考與用於SoC重組態及再利用的熔絲載入架構相關之設備圖、系統圖及流程圖來圖解說明及闡述本發明之此等及其他特徵。
圖1圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之一SoC架構100之一實例。SoC架構100圖解說明一SoC 105之一實例，SoC 105可包含各種組件，包含一熔絲載入控制器110、一處理器115、記憶體120及一輸入/輸出(I/O)控制器125。此等組件中之每一者可經由一單晶片互連件130耦合。在某些實例中，SoC架構100及SoC 105可包含除本文中所闡述之彼等組件之外的額外或不同組件。
SoC架構100可達成一電子裝置(諸如一計算裝置、一行動計算裝置、一無線裝置、一圖形處理裝置或類似者)之功能。舉例而言，SoC 105可用於各種裝置中，諸如一電腦、一膝上型電腦、一平板電腦、一智慧型電話、一蜂巢式電話、一可穿戴裝置、一網際網路連接裝置、一遊戲裝置、一醫療裝置、一相機、一導航裝置、一物聯網(IoT)裝置、一視訊播放器等等。在某些情形中，SoC 105可係經組態以執行如針對一特定應用或設計所規定之各種功能之一系統之一組件。
在某些實例中，SoC 105可具有與一或多個設定(被稱為「修整」)相關聯之功能性，該一或多個設定可與SoC 105之規格、要求、組態及/或效能相關。可將該等修整預寫入至「熔絲」中以供載入，該熔絲包括儲存用於SoC 105之修整資料之一儲存空間。因此，在開啟電源時，SoC 105可載入有判定SoC 105之特定設定之修整，其中將修整自熔絲載入至SoC 105之內部暫存器中可稱為「熔絲載入」或一熔絲載入過程。SoC 105可包含用於執行此等熔絲載入過程之一熔絲載入控制器110。
熔絲載入控制器110可係藉由將修整自熔絲複製至暫存器中來執行熔絲載入過程之一裝置。舉例而言，可將熔絲載入控制器110與一熔絲區塊135及一暫存器檔案140耦合。熔絲區塊135可包含SoC 105上之一組熔絲，其中可將資料儲存並保存於熔絲區塊135內之熔絲中之每一者上。在某些情形中，熔絲區塊135可係或可包含一記憶體裝置(諸如唯讀記憶體(ROM))，該記憶體裝置可儲存供熔絲載入控制器110存取之修整。此外，暫存器檔案140可包含SoC 105上之一組暫存器。暫存器檔案140內之暫存器可包含一或多個處理器暫存器，該(等)處理器暫存器可係資料暫存器、模式暫存器、控制暫存器、浮點暫存器、特殊用途暫存器或類似者之一實例。該等暫存器可用於載入用於計算、操控或其他操作之資料。此外，可(例如)經由熔絲載入控制器110將熔絲區塊135處之該組熔絲與暫存器檔案140處之該組暫存器耦合。
熔絲載入控制器110可在SoC 105上執行一熔絲載入過程之特徵。舉例而言，熔絲載入控制器110可識別熔絲區塊135內之一熔絲之一位址且可查詢經識別熔絲位址以獲得儲存於熔絲位址處之熔絲資料。在 一熔絲載入過程期間，可由熔絲載入控制器110讀取一熔絲位址，且可在熔絲載入控制器110處接收包括若干位元之一組修整資料(例如，來自熔絲區塊135之一熔絲位址之內容)。在某些實例中，修整資料可係40個位元，且可將40個位元寫入至暫存器檔案140之8個暫存器，其中將5個位元寫入至每一暫存器。然而，應注意，修整資料可包含待寫入至任何數目個暫存器之任何數目個位元(例如，基於SoC 105之一組態)。在任何情形中，可藉由熔絲載入控制器110將來自一熔絲位址之熔絲資料(例如，修整或修整資料)寫入至一暫存器位址，其中熔絲載入控制器110可首先啟用暫存器檔案140。然後熔絲載入控制器可識別將被寫入資料之一暫存器位址，且將修整複製至暫存器檔案140之經識別暫存器位址。
處理器115可經組態以控制SoC 105之至少若干部分。舉例而言，處理器115可包含一智慧型硬體裝置(例如，一個一般用途處理器、一數位信號處理器(DSP)、一特殊應用積體電路(ASIC)、一微控制器、一場可程式化閘陣列(FPGA)或其他可程式化邏輯裝置、離散閘或電晶體邏輯、離散硬體組件，或者其可係此等類型之組件之一組合)。在此等情形中，除其他實例之外，處理器115可係一中央處理單元(CPU)、一圖形處理單元(GPU)、一陣列/向量CPU之一實例。在某些情形中，處理器115可經組態以使用一記憶體控制器來操作一記憶體陣列。
在其他情形中，可將一記憶體控制器整合至處理器115中。在某些實例中，處理器115可經組態以執行儲存於一記憶體(例如，記憶體120)中之電腦可讀指令從而致使SoC 105執行各種功能(例如，支援在一晶粒上執行之熔絲載入過程之功能及任務)。在某些情形中，SoC 105可包含多個處理器115。在某些實例中，處理器115可執行本文中歸於熔絲 載入控制器110之功能或操作。此外或另一選擇係，熔絲載入控制器110可部分或完全包含於處理器115內。
記憶體120可包含隨機存取記憶體(RAM)及唯讀記憶體(ROM)。記憶體120可儲存包含在執行時致使一處理器執行本文中所闡述之各種功能之指令的電腦可讀、電腦可執行程式碼。在某些情形中，記憶體120可含有(除其他事物之外)一基本輸入/輸出系統(BIOS)，其可控制SoC 105上之基本硬體或軟體操作，諸如與周邊組件或裝置之互動。
I/O控制器125可管理SoC 105之輸入及輸出信號。舉例而言，I/O控制器可包含一輸出驅動器，其可由SoC 105之一或多個暫存器位元控制。I/O控制器125可管理未整合至SoC 105中之周邊組件。在某些情形中，I/O控制器125可表示至一外部周邊或其他裝置之一實體連接或埠。舉例而言，I/O控制器125可表示或與一數據機、一鍵盤、一滑鼠、一觸控螢幕或一類似裝置互動。在某些情形中，I/O控制器125可被實施為一處理器之一部分。一使用者可經由I/O控制器125或經由由I/O控制器125控制的硬體組件而與SoC 105互動。在某些情形中，I/O控制器125可管理處理器115與周邊組件、輸入145、輸出150或其他組件之間的資料通信。
輸入145可表示SoC 105外部之一裝置或信號，輸入145將資訊、信號或資料提供至SoC 105或其組件。輸入145可包含一使用者介面或者與其他裝置或在其他裝置之間介接。在某些情形中，輸入145可係經由一或多個周邊組件與SoC 105介接之一周邊裝置或者可由I/O控制器125管理。
輸出150可表示SoC 105外部之一裝置或信號，該裝置或信號經組態以自SoC 105或其組件中之任一者接收一輸出。輸出150之實例 可包含一顯示器、音訊揚聲器、一列印裝置或一PCB上之另一處理器等。在某些情形中，輸出150可係經由一或多個周邊組件與SoC 105介接之一周邊裝置或者可由I/O控制器125管理。
SoC 105之組件可使用單晶片互連件130來彼此進行電子通信。在某些情形中，單晶片互連件可運用各種互連方案，諸如匯流排拓撲、點對點拓撲、環形拓撲、縱橫式拓撲、樹形拓撲等。SoC架構100之組件可由經設計以執行其等功能之一般用途或特殊用途電路組成。此等組件可包含經組態以執行本文中所闡述之功能之各種電路元件，舉例而言，導線、電晶體、電容器、電感器、電阻器、放大器或其他主動元件或被動元件。
某些SoC設計可運用在一熔絲位址空間與一暫存器位址空間之間預定義之一個一對一映射。作為一說明性實例，一SoC晶粒可具有總共1500個暫存器(例如，控制暫存器、模式暫存器等)，其中每一暫存器可保存一特定數目個位元(例如，每暫存器5個位元，總共7500個位元)。在此等暫存器中，可將96個暫存器(例如，對應於480個位元)識別為待在一初始化熔絲載入期間載入之暫存器。可將96個暫存器劃分至不同暫存器群組中(例如，三個32個暫存器之群組或某些其他分群)。在某些實例中，每一群組中之暫存器可具有順序暫存器位址，暫存器之分群可或可不對應於順序暫存器位址。
舉例而言，一第一暫存器群組可包含具有位址0至31之暫存器，一第二暫存器群組可包含具有位址40至71之暫存器，且一第三暫存器群組可包含具有位址940至971之暫存器。注意，不同編號之暫存器可包含於不同暫存器群組中。一預定義一對一映射可對應於映射至一第一 組暫存器位址(例如，‘d0、‘d1、‘d2、‘d3、‘d4、‘d5、‘d6及‘d7)中之一第一熔絲位址(例如，‘d0)。類似地，另一熔絲位址(例如，‘d5)可映射至一第二組暫存器位址(例如，‘d48、‘d49、‘d50、‘d51、‘d52、‘d53、‘d54及‘d55)，以此類推。可將此一預定義映射固定於硬體中(例如，在製造時)。
然而，在使用預定義一對一映射之情況下，熔絲位址可不映射至任何其他暫存器位址。舉例而言，在上文實例中，在熔絲位址‘d5映射至第二組暫存器位址‘d48、‘d49、‘d50、‘d51、‘d52、‘d53、‘d54及‘d55之情況下，熔絲位址‘d5可不映射至一不同暫存器位址空間(例如，無需一ECO，其可係代價很大且耗時的)。換言之，一對一映射可不允許熔絲重新指派。
此外，預定義映射可要求將所有修整寫入至熔絲中(例如，一全部熔絲載入)，此可由預設執行。因此，此等組態可不提供僅載入一既定晶粒組態所需之熔絲之靈活性(例如，在製造一晶粒期間或製造一晶粒之後)。因此，可始終載入所有修整，而不是一特定晶粒組態(例如，關於一設計規格)所需之一子組修整。此外，預定義映射可不允許熔絲載入操作之可重組態性。亦即，預定義映射可不允許以一可重組態次序載入熔絲，或不允許跳過特定熔絲，且可因此會限制或禁止重組態待載入之熔絲之靈活性。
如本文中所闡述，SoC架構100可支援提供載入修整、避免熔絲位址與暫存器位址之間的一對一預定義映射之可重組態性之技術，此可增大跳過或以其他方式允許複製若干子組修整之靈活性。可經由使用一熔絲標頭來實現此等技術。
舉例而言，可由熔絲載入控制器110使用一熔絲標頭格式來達成熔絲區塊135之熔絲位址與暫存器檔案140之暫存器位址之間的一模組化及可組態映射，以增大載入修整的靈活性。熔絲標頭可係儲存於熔絲區塊135處之修整資料內之一特定數目之位元(例如，40個位元)，且可包含攜載指示熔絲載入控制器110如何執行熔絲載入之資訊之子欄位。子欄位之實例可包含一暫存器開始位址、一熔絲標頭ID、一跳過選項或一熔絲計數中之一或多者。此等熔絲標頭之子欄位可使得能將修整靈活地複製至一暫存器檔案140。
因此，所闡述技術可用於高效地再利用一晶粒上之若干熔絲，此可允許在不具有或具有最小ECO之情況下確定一產品之設計方案(taped-out)，此乃因可靈活地重組態熔絲(及熔絲位址至暫存器位址之映射)。此等技術可進一步使得能夠運用一晶粒上未使用之熔絲空間。舉例而言，熔絲標頭之使用可容納一晶粒上之額外暫存器，其中額外暫存器可經由由熔絲標頭提供的可重組態性而變得可熔絲載入的。
作為一實例，具有一靜態一對一映射之一晶粒可係具功能性的，但可不再用於一特定組態或產品。然而，仍具功能性的晶粒可具有經由熔絲標頭之使用而在熔絲位址與暫存器位址之間重新構造的一映射，藉此防止晶粒被擯棄或以其他方式變得無用。此外，所闡述技術可藉由熔絲載入控制器110及熔絲運用(例如，藉由SoC之一生產者或一消費者)來達成熔絲載入過程之額外控制及靈活性。舉例而言，可重組態性及再利用方案可將優點提供給後矽設計團隊，且可擴展至平臺設計團隊及使用者。
圖2圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之一熔絲標頭組態200之一實例。在某些實例中，在 一熔絲載入操作或過程期間，熔絲標頭組態200可由一熔絲載入控制器(諸如參考圖1所闡述之熔絲載入控制器110)運用。在某些情形中，熔絲標頭組態200可使得能夠使用熔絲位址與暫存器位址之間的一可組態映射來將修整資料自一組熔絲相干地複製至一組暫存器。
在某些情形中，一熔絲載入控制器可使用定義熔絲標頭組態200之一熔絲標頭協定，其中熔絲標頭組態200可包含一熔絲標頭205，其促進自一或多個熔絲位址215至一或多個暫存器位址220之熔絲資料210之複製。舉例而言，熔絲標頭205可與由一熔絲載入控制器讀取之熔絲資料210(例如，與一SoC之設定相關聯且儲存於熔絲位址215處之修整資料)包含在一起，且可將資訊提供至關於如何在熔絲載入期間複製修整資料之熔絲載入控制器。
可將熔絲標頭205格式化以包含儲存於一熔絲位址215處之一總數目之位元(例如，40個位元)中之一特定數目之位元(例如，25個位元)。熔絲標頭205可係自一熔絲位址215讀取之資料之第一部分。舉例而言，一熔絲標頭205可包括熔絲載入控制器在儲存於熔絲位址215處之任何其他熔絲資料210之前讀取之前25個位元。熔絲標頭205亦可包含一或多個子欄位225，其等將與可如何將熔絲位址215映射至暫存器位址220相關之資訊提供至之熔絲載入控制器。舉例而言，一或多個子欄位225可包含一熔絲位址計數(FAC)子欄位225、一初始跳過選項(ISO)子欄位225、一熔絲標頭ID(FID)子欄位225、一暫存器開始位址(RSA)子欄位225或其任一組合。
子欄位225中之每一者可包括熔絲標頭205之任何數目之位元。在某些情形中，一子欄位225可包含資訊之任一組合，其中(舉例而 言)可將包含兩個或更多個子欄位225之資料組合於同一子欄位內。舉例而言，如所圖解說明，ISO子欄位225及FID子欄位225可包含於同一子欄位225中。在某些情形中，子欄位225可以與圖2中所展示不同之一次序或配置包含於熔絲標頭205中，且為熔絲載入過程提供資訊之額外或不同子欄位225亦可包含於熔絲標頭205中。
在某些情形中，熔絲標頭205之RSA子欄位225可包含對用於熔絲載入之一開端暫存器位址220之一指示。舉例而言，由RSA子欄位225提供之值或指示可將一熔絲載入控制器指向至在熔絲載入期間將被複製有修整之一開始暫存器位址220。
FID子欄位225可包含熔絲載入控制器自一組熔絲位址215讀取之一當前熔絲標頭205(例如，來自一組一或多個熔絲標頭205)之一識別碼。FID子欄位225可提供是否將複製與一當前熔絲標頭205相關聯之熔絲資料210之一進一步指示。舉例而言，具有0之一邏輯值之一FID子欄位可指示不可複製當前熔絲標頭205及與彼熔絲標頭205相關聯之熔絲資料210。在其他情形中，具有1之一值之一FID子欄位225可向熔絲載入控制器指示將複製相關聯熔絲資料210。
ISO子欄位225可提供可在一熔絲載入過程期間跳過與一當前熔絲標頭205相關聯之修整之一指示。舉例而言，在自一第一熔絲標頭205讀取ISO子欄位225之後，熔絲載入控制器旋即可阻止自對應於第一熔絲標頭205之熔絲位址215(或若干熔絲位址215)複製修整。然後，熔絲載入控制器可繼續讀取一後續熔絲標頭205(例如，具有隨後基於一可組態熔絲載入次序複製與第一熔絲標頭205相關聯之修整之選項)。
FAC子欄位225可指示包含於一特定熔絲群組或熔絲標頭 群組(例如，與一熔絲標頭205相關聯之一組熔絲)中之熔絲或熔絲位址215之數目。在此等情形中，熔絲載入控制器可在自熔絲位址215複製修整資料時將一計數器遞增，且可基於FAC子欄位225而終止一當前熔絲標頭205之一熔絲載入過程。
圖3圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之一熔絲群組組態300之一實例。在某些實例中，在一熔絲載入操作或過程期間，熔絲群組組態300可由一熔絲載入控制器(諸如參考圖1所闡述之熔絲載入控制器110)運用。在某些情形中，熔絲群組組態300可使得能夠使用熔絲位址與暫存器位址之間的一可組態映射來將修整資料自一組熔絲相干地複製至一組暫存器。
在某些情形中，一熔絲載入控制器可使用定義熔絲群組組態300之一熔絲標頭協定。舉例而言，熔絲群組組態300可包含一熔絲標頭305，熔絲標頭305達成熔絲資料310自一或多個熔絲位址315至一或多個暫存器位址320之複製。此外，多個群組之熔絲位址315可經定義，且可包括一熔絲標頭群組325(或熔絲群組)。舉例而言，每一熔絲標頭305與熔絲標頭群組325內之一或多個熔絲位址315相關聯，且提供用於自該一或多個熔絲位址315複製熔絲資料310之資訊。如此，熔絲標頭305可專屬於每一熔絲標頭群組325且可對一暫存器位址空間之不同區域進行定址。
在某些情形中，且如下文所闡述，可由各別熔絲標頭305來分離多個熔絲標頭群組325。舉例而言，用於一組熔絲之每一熔絲標頭305可與一子組熔絲位址315相關聯，其中該子組熔絲位址315對應於一熔絲標頭群組325。在某些情形中，一單個熔絲標頭305可與一晶粒上之所 有熔絲相關聯。在其他實例中，任何數目之熔絲標頭305可用於晶粒上之不同子組之熔絲。作為一實例，一第一熔絲標頭群組325可包含一組五個熔絲位址(例如，熔絲0至熔絲4)。
熔絲標頭305可包括第一熔絲位址315(例如，熔絲0)處之一第一數目之位元(例如，25個位元)且可發信指示第一熔絲標頭群組325之開端。因此，在熔絲0處之總數目之位元(在此實例中40個位元)中，前25個位元可包括熔絲標頭305之子欄位，包含一RSA子欄位(例如，包括10個位元)、一FID子欄位(例如，包括4個位元)、一ISO子欄位(例如，包括一個位元)及一FAC子欄位(例如，包括10個位元)。如上文所提及，每一子欄位及因此熔絲標頭305可包括任何數目之位元，且本文中所闡述之實例僅出於闡述清晰而提供。
一熔絲載入控制器可使用用於將熔絲標頭群組325之修整資料複製至一組暫存器之熔絲標頭305。與上文數字實例一致，每一熔絲位址315可包含修整資料之40個位元，且一熔絲標頭可包括修整資料之40個位元中之25個位元。可將來自各別熔絲位址315之每組修整資料複製至八個5位元暫存器。熔絲載入控制器可基於熔絲標頭305(例如對比於基於熔絲位址315與暫存器位址320之間的一經硬編碼之一對一映射)自熔絲標頭305之子欄位提取映射資訊。如此，熔絲載入控制器可自包含熔絲標頭305之一第一熔絲位址315(例如，熔絲0)開始。
熔絲載入控制器可自熔絲標頭305識別一RSA子欄位。基於RSA子欄位，熔絲載入控制器可判定熔絲位址315與暫存器位址320之間的映射之一部分。舉例而言，熔絲標頭305中之RSA子欄位可指示將被複製有修整資料之一開始暫存器位址320。亦即，當熔絲載入控制器執行 熔絲載入時，可自熔絲標頭305中之RSA子欄位所指示之開始暫存器位址320(例如，暫存器0，在此情形中)開始依序複製修整。熔絲載入控制器可自熔絲標頭305識別一FID子欄位。
第一熔絲位址315處之熔絲標頭305可包含一非零FID子欄位，其可向熔絲載入控制器指示將複製一當前熔絲標頭群組325之修整資料(對比於例如具有一零值之一熔絲標頭ID子欄位，該熔絲標頭ID子欄位可指示將不複製當前熔絲標頭群組325之修整資料)。熔絲載入控制器可自熔絲標頭305識別一ISO子欄位。熔絲標頭305內之ISO子欄位可向熔絲載入控制器提供是否將跳過當前熔絲標頭群組325(例如，將不複製相關聯修整資料)之一指示。此外，熔絲載入控制器可自熔絲標頭305識別一FAC子欄位。熔絲標頭305之FAC子欄位可向熔絲載入控制器指示熔絲標頭群組325中熔絲位址315之總數目以及當前熔絲標頭群組325在何處(例如，將在熔絲標頭群組325內複製之一最後熔絲位址315(例如，熔絲4))結束。
熔絲載入控制器可基於熔絲標頭305而起始用於熔絲載入之一順序程序，其中可將在熔絲標頭305之後的前5個位元複製至一第一暫存器位址(例如，暫存器0，其可對應於由RSA子欄位指示之暫存器開始位址)中，可將一後續5個位元複製至一後續暫存器位址(例如，暫存器1)中，以此類推。一旦讀取了整個熔絲位址315(例如，熔絲0)，則可由熔絲載入控制器將熔絲位址315遞增，且在將修整資料複製至各別暫存器位址320之情況下可重複自一第二熔絲位址315(例如，熔絲1)複製熔絲資料310之程序。
在此等情形中，可依序讀取第二熔絲位址315(例如，熔絲 1)之40位元熔絲資料310，且可以八個5位元暫存器位址320(例如，依次為暫存器3、暫存器4、暫存器5、暫存器6、暫存器7、暫存器8、暫存器9及暫存器10)之遞增次序複製該等修整。然後，可再次將熔絲位址315遞增(例如，至熔絲2)，且可對相同熔絲標頭群組325內之每一後續熔絲位址315(例如，與第一熔絲標頭305相關聯且如由FAC子欄位所指示)執行一類似程序。
可重複所闡述程序直至達到由熔絲標頭305之FAC子欄位指示之熔絲位址計數為止。一旦達到熔絲位址計數，則熔絲載入控制器可繼續讀取與一第二不同熔絲標頭群組325相關聯之一第二熔絲標頭305。在某些情形中，第二熔絲標頭305可包含一非零FID子欄位。因此，熔絲載入控制器可執行基於第二熔絲標頭群組325之熔絲標頭305中之資訊將修整資料複製至暫存器位址之上述程序。熔絲載入控制器可繼續讀取熔絲標頭群組325，直至其達到熔絲標頭305係空的(例如，全零)之一熔絲位址。在此等情形中，然後可完成(例如，由熔絲載入控制器終止)熔絲載入過程。
圖4圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之熔絲群組之一實例。在某些實例中，在一熔絲載入過程期間，熔絲群組400可由一熔絲載入控制器(諸如參考圖1所闡述之熔絲載入控制器110)運用。在某些情形中，熔絲群組400可使得能夠使用熔絲位址與暫存器位址之間的一可組態映射來將修整資料自一組熔絲相干地複製至一組暫存器。舉例而言，包含於熔絲群組400之熔絲標頭內之資訊可使得能夠或不能夠在一熔絲載入過程期間跳過不同熔絲標頭群組。
如上文參考圖3所闡述，在熔絲載入期間，一熔絲標頭405可由一熔絲載入控制器使用，其中熔絲標頭405可提供用於將熔絲資料自一 或多個熔絲位址415複製至一或多個暫存器位址420之資訊。此外，可使用多個熔絲標頭405，且每一熔絲標頭405可與一熔絲標頭群組425相關聯。
舉例而言，一第一熔絲標頭405-a可對應於包含一或多個熔絲位址415-a(例如，熔絲0至熔絲4)之一第一熔絲標頭群組425-a，該一或多個熔絲位址415-a具有可用於複製至一第一組暫存器位址420-a之資料，一第二熔絲標頭405-b可對應於包含一或多個熔絲位址415-b(例如，熔絲10至熔絲14)之一第二熔絲標頭群組425-b，該一或多個熔絲位址415-b具有可用於複製至一第二組暫存器位址420-b之資料，一第三熔絲標頭405-c可對應於包含一或多個熔絲位址415-c(例如，熔絲20至熔絲24)之一第三熔絲標頭群組425-c，該一或多個熔絲位址415-c具有可用於複製至一第三組暫存器位址420-c之資料，以此類推。如此，熔絲載入控制器可根據各別熔絲標頭405之子欄位內所含有之資訊(諸如上文參考圖2及圖3所闡述)而執行每一熔絲標頭群組425之一熔絲載入。
由於可由熔絲標頭405提供熔絲位址415至暫存器位址420之映射，因此可將不同熔絲標頭群組425中之熔絲位址415映射至任一既定暫存器空間。舉例而言，在第二熔絲標頭群組425-b之實例中，可將熔絲位址415-b(例如，熔絲10至熔絲14)映射至第二組暫存器位址420-b(例如，暫存器40至暫存器74)。此外或另一選擇係，可藉由改變一或多個熔絲標頭405來修改該映射。舉例而言，可改變第二熔絲標頭405-b中之一RSA子欄位以達成對熔絲位址415至暫存器位址之映射之更新或修改。舉例而言，可將第二熔絲標頭405-b中之RSA子欄位自指示「暫存器40」改變為現在指示「暫存器80」。因此，可動態地修改映射，從而使得自一經指定暫存器位址(例如，在此實例中暫存器80)開始將熔絲位址415複製至 若干暫存器。此等技術可有益地達成用於將修整載入至一不同組暫存器之熔絲之即時(on-the-fly)重組態及再利用。
此外，可規定不同熔絲載入組態。舉例而言，可定義對應於一熔絲標頭405之一第一組態，除指示將複製5個熔絲位址415(例如，熔絲10至熔絲14)之一熔絲計數子欄位之外，該熔絲標頭405亦具有將「暫存器40」指示為一開端暫存器位址之一RSA子欄位。因此，第一組態可將修整資料自第二熔絲標頭群組425-b複製至自暫存器40至暫存器74之暫存器位址420-b中(例如，將175個位元之熔絲資料複製至35個各別5位元暫存器)。
此外，在一第二組態中，可對暫存器位址暫存器40至暫存器66進行熔絲載入。因此，一熔絲標頭405之RSA子欄位可指示暫存器位址「暫存器40」，且熔絲計數子欄位可指示將複製來自4個熔絲(例如，熔絲10至熔絲13)之熔絲資料。因此，第二組態可將第二熔絲標頭群組425-b之熔絲之內容複製至自暫存器40至暫存器66定址之暫存器中，從而避免不必要地自一熔絲(例如，在此情形中熔絲14)載入熔絲資料，且熔絲標頭405之子欄位內之經修改參數之使用可達成熔絲分配之可控制性。
熔絲標頭405亦可在一熔絲載入過程期間允許跳過某些熔絲標頭群組425。熔絲標頭405之ISO子欄位可提供允許熔絲載入方案跳過及/或允許(例如，不跳過)複製與熔絲標頭405相關聯之修整之特徵。藉由使用此等特徵，可經由晶粒所需之某些修整資料之相干選擇而靈活地組態晶粒，其中可複製某些修整且可不複製其他修整。作為一說明性實例，當將對一熔絲標頭群組425之熔絲進行寫入時，可將ISO子欄位(例如，包括1個位元)設定為0之一邏輯值。熔絲載入控制器可識別一非零FID及FAC子欄位，且可開始複製熔絲。然而，若熔絲載入控制器可識別設定為1之 一跳過選項位元，則即使熔絲標頭405係存在的且在一或多個子欄位內包含資料，熔絲載入控制器可基於設定為1之跳過位元而跳過對與熔絲標頭405相關聯之特定熔絲標頭群組425之修整的複製。
舉例而言，第一熔絲標頭405-a可包含對基於ISO子欄位而跳過第一熔絲標頭群組425-a之一指示。接著，該熔絲載入控制器可跳過第一熔絲標頭群組425-a，並繼續讀取第二熔絲標頭群組425-b之第二熔絲標頭405-b。然後，熔絲載入控制器可判定第二熔絲標頭405-b是否包含指示將第二熔絲標頭群組425-b載入至第二組暫存器位址420-b之資訊。此等特徵可允許熔絲載入過程中之額外靈活性。
熔絲標頭405之使用亦可達成一晶粒之可重組態性及再利用，其中可藉由熔絲載入之一靈活選擇來實現可重組態性。舉例而言，使用一第一熔絲載入組態，一SoC可經組態以載入所有熔絲標頭群組425(例如，熔絲標頭群組425-a、425-b及425-c)，在一第二熔絲載入組態中，一SoC可僅載入兩個熔絲標頭群組425(例如，熔絲標頭群組425-a及425-c)，而在一第三熔絲載入組態中，一晶粒可以一不同次序(例如，一第三熔絲標頭群組425-c在第一熔絲標頭群組425-a之前)載入熔絲標頭群組425。可藉由對初始跳過選項位元進行設定及以一所期望次序對熔絲進行寫入來實現熔絲載入組態之此可變性。在某些情形中，經由不同組態之使用，可界定可支持修整(trim-backed)(例如，熔絲可載入)之一或多個暫存器該一或多個暫存器可在一後期後矽程序期間被識別(而不是最初在一設計中並就已計劃好)。此等技術可提供根據晶粒實現特徵修改及可組態性之能力。
在熔絲載入過程期間所運用之熔絲標頭405(包含上文所闡 述之跳過/允許功能性)可進一步使得晶粒製造者、工程師及使用者能夠再利用及再分配修整，且提供對一晶粒上之熔絲之一高效運用(再運用)。此外，所闡述技術可在載入修整時提供靈活性及時間節省，且可允許根據設計要求對修整載入進行組態，同時避免在不必要時冗餘地複製修整。因此，熔絲標頭405之使用可在項目推進時達成財務及資源節省，且可進一步避免添加/重新構造一晶粒上之熔絲之設計改變(ECO)，此乃因所闡述熔絲標頭協定促進此等特徵。
圖5圖解說明根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之一流程圖500之一實例。流程圖500可圖解說明使用一熔絲標頭時之一熔絲載入過程，該熔絲標頭指示如何基於熔絲位址與暫存器位址之間的一可組態映射來載入修整。在某些情形中，可由一裝置(諸如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110)執行流程圖500之功能。
在505處，熔絲載入控制器可開始將修整載入至一組暫存器之一熔絲載入過程。舉例而言，在505處開始之熔絲載入過程可由一啟動事件(例如，在一SoC開啟電源時)或重新啟動事件觸發，或者-此外或另一選擇係-作為一後製作過程(諸如與SoC之一部署或安裝相關聯之一修整程序)之一部分。在此等情形中，熔絲載入控制器可藉由自包含一熔絲標頭之一第一熔絲位址(例如，熔絲0)讀取資料來開始熔絲載入過程。在510處，熔絲載入控制器可讀取熔絲標頭並識別熔絲標頭內之一或多個子欄位。
在515處，熔絲載入控制器可判定熔絲標頭是否是空的。舉例而言，熔絲載入控制器可判定熔絲標頭之一或多個子欄位是否包含(或填充有)非零資料。在某些情形中，熔絲載入控制器可識別熔絲標頭之 一FID子欄位包含識別與一第一熔絲標頭群組(或熔絲群組)相關聯之一當前熔絲標頭的非零資料，其中第一熔絲標頭群組可包含一晶粒上之一子組熔絲。
因此，在判定第一熔絲標頭並非空的(例如，基於包含於第一熔絲標頭中之非零資料之存在)之後，在520處，熔絲載入控制器可旋即基於包含於第一熔絲標頭中之非零資料之實質而設定一暫存器開始位址及一熔絲位址計數。在某些情形中，熔絲標頭內之子欄位可提供對暫存器開始位址及熔絲位址計數之一指示，且熔絲載入可基於每一子欄位內之指示而設定此等值。
在525處，熔絲載入控制器可基於熔絲標頭之經識別子欄位而將修整資料自一第一熔絲位址複製至一第一組暫存器，其中第一組暫存器包含具有對應於暫存器開始位址之一暫存器位址之一第一暫存器。在530處，熔絲載入控制器可基於熔絲標頭而讀取一第二熔絲位址，且可繼續基於熔絲位址計數而將修整資料自第二熔絲位址複製至一第二組暫存器。此外，在535處，熔絲載入控制器可繼續複製係第一熔絲標頭群組之一部分之熔絲位址，直至滿足(例如，達到)熔絲位址計數為止。舉例而言，在540處，在讀取每一熔絲位址之後，熔絲載入控制器可判定是否在將一計數器遞增之後已達到熔絲位址計數。若熔絲位址未得到滿足，則熔絲載入控制器可返回至530且繼續讀取額外熔絲位址，將熔絲資料自熔絲位址複製至暫存器，且再次檢查以判定是否已達到該熔絲位址計數。
在於540處已判定熔絲位址計數已得到滿足之情形中，熔絲載入控制器可返回至510並基於該判定而讀取一第二熔絲標頭。第二熔絲標頭可與一第二熔絲標頭群組(或熔絲群組)相關聯，且該熔絲標頭亦可 包含指示如何自第二熔絲標頭群組複製修整之子欄位。因此，在515處，熔絲載入控制器可再次判定第二熔絲標頭是否包含非零資料。若判定第二熔絲標頭並非空的(例如，包含非零資料)，則熔絲載入控制器可繼續在520處設定一開始暫存器位址及熔絲計數，且繼續諸如上文參考525至540所闡述而自熔絲位址載入修整。若判定第二熔絲標頭係空的(例如，第二熔絲標頭之FID子欄位或其他子欄位不包含非零資料)，則在545處，熔絲載入控制器可結束熔絲載入過程。
如上文參考圖4所闡述，熔絲載入控制器可在自熔絲標頭讀取熔絲標頭資料時執行其他功能。舉例而言，一ISO子欄位可指示可跳過一對應熔絲群組。此外或另一選擇係，熔絲載入控制器可自一熔絲標頭之子欄位判定將以何次序將修整自熔絲複製至一組暫存器。
圖6展示根據本發明之實例支援用於SoC重組態及再利用的熔絲載入架構之一控制器605之一方塊圖600。該控制器可係本文中所闡述之一熔絲載入控制器(諸如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110)之一實例。控制器605可與一熔絲/ROM區塊610及一暫存器檔案615耦合。此外，控制器可包含一熔絲群組管理器620、一修整資料管理器625、一熔絲計數組件630、一暫存器位址管理器635、一子欄位管理器640及一熔絲標頭管理器645。
在某些情形中，控制器亦可包含一處理器及記憶體，其中該記憶體可儲存包含當被執行時致使處理器執行本文中所闡述之各種功能之指令的電腦可讀、電腦可執行程式碼。舉例而言，該程式碼可包含實施本發明之特徵之指令，包含支援熔絲載入過程之指令。該程式碼可儲存於一非暫時性電腦可讀媒體(諸如系統記憶體或其他類型之記憶體)中。在某 些情形中，該程式碼可並不是由處理器直接執行，而是可致使一電腦(例如，當編譯及執行時)執行本文中所闡述之功能。此等模組中之每一者可直接或間接地彼此通信(例如，經由一或多個匯流排)。
控制器605可識別一晶粒上之一組熔絲且識別與晶粒上之該組熔絲耦合之一組暫存器，該組熔絲儲存待複製至該組暫存器之修整資料。在某些情形中，控制器605可基於修整資料內之一或多個熔絲標頭而判定該組熔絲之熔絲位址與該組暫存器之暫存器位址之間的一映射，且基於該映射而將修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器。
在某些情形中，控制器605可識別與一晶粒上之一組熔絲(每一者具有一熔絲位址)耦合之一組暫存器，該組暫存器中之每一暫存器具有一暫存器位址且該組熔絲中之每一熔絲儲存可用於被複製至該組暫存器之一組修整資料。在某些實例中，該控制器可識別一或多個熔絲標頭作為該等組修整資料之一部分，一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭對應於一或多個熔絲群組中之每一熔絲群組且指示該組熔絲之熔絲位址與該組暫存器之暫存器位址之間的一映射。在某些實例中，該控制器可基於一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而判定將使用該映射自每一熔絲群組複製至一對應組暫存器之修整資料。在某些實例中，該控制器可基於每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而將經判定修整資料自該組經識別熔絲複製至該組經識別暫存器。
熔絲/ROM區塊610可包含晶粒上之該組熔絲，且可係ROM或另一類型之記憶體裝置之一實例。暫存器檔案615可包含該組暫存器，其等可包含(舉例而言)控制暫存器、模式暫存器、資料暫存器或類似者。
熔絲群組管理器620可識別一組熔絲群組，該組熔絲群組中之每一熔絲群組分別對應於一或多個熔絲標頭中之一熔絲標頭且包含該組熔絲之一子組，其中該映射係基於該組熔絲群組。在某些情形中，熔絲群組管理器620可基於一或多個熔絲標頭中之一熔絲標頭而識別一第一熔絲群組。在某些情形中，熔絲群組管理器620可基於包含於熔絲標頭中之熔絲位址計數而識別與第一熔絲群組相關聯之若干熔絲，其中複製修整資料係基於第一熔絲群組及與第一熔絲群組相關聯之熔絲之一數目。在某些情形中，熔絲群組管理器620可基於一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭內之一跳過選項之一指示而判定是否跳過一第一熔絲群組，該第一熔絲標頭對應於該第一熔絲群組。
修整資料管理器625可將修整資料自一第一熔絲位址複製至一第一組暫存器，該第一組暫存器包含一第一暫存器，其具有對應於一暫存器開始位址之一暫存器位址。在某些實例中，修整資料管理器625可基於該熔絲位址計數而將修整資料自第二熔絲位址複製至一第二組暫存器。在某些情形中，修整資料管理器625可基於一熔絲位址計數而將修整資料自一第三熔絲位址複製至一第三組暫存器。在某些情形中，將修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器係一熔絲載入過程之一部分。
在某些情形中，修整資料管理器625可基於一熔絲標頭缺乏資料之判定而結束熔絲載入過程。在某些情形中，修整資料管理器625可基於不跳過第一熔絲群組之一判定而將修整資料自第一熔絲群組複製至第一組暫存器。此外或另一選擇係，修整資料管理器625可基於跳過第一熔絲群組之一判定而阻止自第一熔絲群組複製修整資料。在某些情形中，修整資料管理器625可根據包含於第二熔絲標頭之一或多個子欄位中之標 頭資料而自對應於第二熔絲標頭之一第二熔絲群組複製經判定修整資料。
在某些情形中，修整資料管理器625可將由一第一熔絲位址儲存之經判定修整資料之一第一部分複製至一第一暫存器位址，且將由第一熔絲位址儲存之經判定修整資料之一第二部分複製至一第二暫存器位址。在某些實例中，複製修整資料包含：基於一第一熔絲標頭內存在標頭資料而識別一第一熔絲群組；基於第一熔絲標頭之熔絲位址計數而判定與第一熔絲群組相關聯之若干熔絲位址；基於第一熔絲標頭之暫存器開始位址而判定一開始暫存器位址；及將經判定修整資料自與第一熔絲群組相關聯之若干經判定熔絲位址複製至包含開始暫存器之一第一子組暫存器，直至滿足熔絲位址計數為止。
熔絲計數組件630可判定熔絲位址計數未得到滿足。此外或另一選擇係，熔絲計數組件630可判定熔絲位址計數未得到滿足。在某些情形中，熔絲計數組件630可基於第一熔絲位址所儲存之所有經判定修整資料皆已被複製之一判定而自第一熔絲位址遞增至一第二熔絲位址(亦即，將被讀取之下一熔絲位址)。
暫存器位址管理器635可基於包含於該組子欄位中之暫存器開始位址而判定用於自該組熔絲複製修整資料之一開端暫存器位址。在某些情形中，暫存器位址管理器635可基於第一熔絲標頭填充有標頭資料而設定暫存器開始位址及一熔絲位址計數。
子欄位管理器640可識別一或多個熔絲標頭中之每一者內之一組子欄位，其中該組子欄位包含一熔絲位址計數、或一跳過選項、或一熔絲標頭ID、或一暫存器開始位址、或其任一組合，其中該映射係基於該組子欄位。在某些情形中，子欄位管理器640可基於第一熔絲標頭填充 有標頭資料而設定一暫存器開始位址及一熔絲位址計數。在某些情形中，子欄位管理器640可基於標頭資料而讀取第二熔絲位址。
在某些實例中，子欄位管理器640可基於判定是否觸發跳過選項以及一熔絲位址計數、或一熔絲標頭ID、或一暫存器開始位址、或其一組合中之一或多者而判定用於將修整資料自該組經識別熔絲複製至該組經識別暫存器之一熔絲載入次序。在某些實例中，子欄位管理器640可根據每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而判定一熔絲位址計數、或一跳過選項、或一熔絲標頭ID、或一暫存器開始位址、或其任一組合，其中複製經判定修整資料係基於該熔絲位址計數、或該跳過選項、或該熔絲標頭ID、或該暫存器開始位址、或其任一組合。
熔絲標頭管理器645可識別一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭且判定該第一熔絲標頭是否填充有標頭資料，其中複製修整資料係基於判定該第一熔絲標頭是否填充有標頭資料。在某些情形中，熔絲標頭管理器645可基於判定熔絲位址計數已得到滿足而讀取一或多個熔絲標頭中之一第二熔絲標頭。在某些情形中，熔絲標頭管理器645可判定第一熔絲標頭缺乏標頭資料。在某些實例中，熔絲標頭管理器645可讀取一或多個熔絲標頭中之一第二熔絲標頭，該第二熔絲標頭對應於一第二熔絲群組。在某些情形中，熔絲標頭管理器645可在讀取包含修整資料之熔絲群組之一剩餘部分之前讀取對應於一熔絲群組之一熔絲標頭。
在某些實例中，熔絲標頭管理器645可：判定一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭指示將跳過對應於第一熔絲標頭之一第一熔絲群組；基於將跳過第一熔絲群組之指示而識別一或多個熔絲標頭中之一第二熔絲標頭；及判定第二熔絲標頭包含具有標頭資料之一或多個子欄位。 在某些情形中，熔絲標頭管理器645可判定一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭係空的，且基於第一熔絲標頭而阻止讀取繼第一熔絲標頭之後之熔絲標頭。
圖7展示根據本發明之實例圖解說明支援用於SoC重組態及再利用的一熔絲載入架構之一方法700之一流程圖。方法700之操作可由如本文中所闡述之一控制器或其組件實施。舉例而言，可由如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110或如參考圖6所闡述之一控制器605執行方法700之操作。
在705處，控制器可識別一晶粒上之一組熔絲。舉例而言，一晶粒可包含用於儲存用於對晶粒之功能性進行組態之資訊之多個熔絲。在某些實例中，可由如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110或如參考圖6所闡述之一控制器605執行705之操作之特徵。可根據參考圖1至圖5所闡述之技術執行705之操作。
在710處，控制器可識別與晶粒上之該組熔絲耦合之一組暫存器，該組熔絲儲存待複製至該組暫存器之修整資料。在某些實例中，可由如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110或如參考圖6所闡述之一控制器605執行710之操作之特徵。可根據參考圖1至圖5所闡述之技術執行710之操作。
在715處，控制器可基於修整資料內之一或多個熔絲標頭而判定該組熔絲之熔絲位址與該組暫存器之暫存器位址之間的一映射。在某些實例中，可由如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110或如參考圖6所闡述之一控制器605執行715之操作之特徵。可根據參考圖1至圖5所闡述之技術執行715之操作。
在720處，控制器可基於該映射而將修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器。在某些實例中，可由如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110或如參考圖6所闡述之一控制器605執行720之操作之特徵。可根據參考圖1至圖5所闡述之技術執行720之操作。
在某些實例中，如本文中所闡述之一設備可執行一方法或若干方法，諸如方法700。該設備可包含用於識別一晶粒上之一組熔絲且識別與該晶粒上之該組熔絲耦合之一組暫存器之特徵、構件或指令(例如，儲存可由一處理器執行之指令之一非暫時性電腦可讀媒體)，該組熔絲儲存待複製至該組暫存器之修整資料。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含操作、特徵、構件或指令，其等基於修整資料內之一或多個熔絲標頭而判定該組熔絲之熔絲位址與該組暫存器之暫存器位址之間的一映射。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於該映射而將修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器的操作、特徵、構件或指令。
本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於識別一組熔絲群組之操作、特徵、構件或指令，該組熔絲群組中之每一熔絲群組分別對應於一或多個熔絲標頭之一熔絲標頭且包含該組熔絲之一子組，其中該映射係基於該組熔絲群組。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於識別一或多個熔絲標頭中之每一者內之一組子欄位之操作、特徵、構件或指令，其中該組子欄位包含一熔絲位址計數、或一跳過選項、或一熔絲標頭ID、或一暫存器開始位址、或其任一組合，其中該映射係基 於該組子欄位。
本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含操作、特徵、構件或指令，該等操作、特徵、構件或指令用於基於包含該組子欄位中之暫存器開始位址而判定用於自該組熔絲複製修整資料之一開端暫存器位址。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於一或多個熔絲標頭中之一熔絲標頭而識別一第一熔絲群組之操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含操作、特徵、構件或指令，該等操作、特徵、構件或指令用於基於包含於熔絲標頭中之熔絲位址計數而識別與第一熔絲群組相關聯之熔絲之一數目，其中複製修整資料係基於第一熔絲群組及與第一熔絲群組相關聯之熔絲之數目。
本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於識別一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭之操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於判定第一熔絲標頭是否填充有標頭資料之操作、特徵、構件或指令，其中複製修整資料係基於判定第一熔絲標頭是否填充有標頭資料。
本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於第一熔絲標頭填充有標頭資料而設定一暫存器開始位址及一熔絲位址計數的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於將修整資料自一第一熔絲位址複製至一第一組暫存器的操作、特徵、 構件或指令，該第一組暫存器包含具有對應於暫存器開始位址之一暫存器位址之一第一暫存器。
本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於標頭資料而讀取一第二熔絲位址的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於熔絲位址計數將修整資料自第二熔絲位址複製至一第二組暫存器的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於判定熔絲位址計數未得到滿足的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於熔絲位址計數將修整資料自一第三熔絲位址複製一第三組暫存器的操作、特徵、構件或指令。
本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於判定熔絲位址計數已得到滿足的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於判定熔絲位址計數已得到滿足而讀取一或多個熔絲標頭中之一第二熔絲標頭的操作、特徵、構件或指令。在本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例中，將修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器可係熔絲載入過程之一部分。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於判定第一熔絲標頭缺乏標頭資料的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於該判定而結束該熔絲載入過程的操作、特徵、構 件或指令。
本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭內之一跳過選項之一指示而判定是否跳過一第一熔絲群組的操作、特徵、構件或指令，該第一熔絲標頭對應於該第一熔絲群組。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於不跳過第一熔絲群組之一判定而將修整資料自第一熔絲群組複製至一第一組暫存器的操作、特徵、構件或指令。
本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於跳過第一熔絲群組之一判定而阻止自第一熔絲群組複製修整資料的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於讀取一或多個熔絲標頭中之一第二熔絲標頭的操作、特徵、構件或指令，該第二熔絲標頭對應於一第二熔絲群組。
本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含操作、特徵、構件或指令，該等操作、特徵、構件或指令用於基於判定是否觸發跳過選項以及一熔絲位址計數、或一熔絲標頭ID、或一暫存器開始位址、或其一組合中之一或多者而判定用於將修整資料自該組經識別熔絲複製至該組經識別暫存器之一熔絲載入次序。本文中所闡述之方法700、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於在讀取包含修整資料之熔絲群組之一剩餘部分之前讀取對應於一熔絲群組之一熔絲標頭的操作、特徵、構件或指令。
圖8展示根據本發明之實例圖解說明支援用於SoC重組態及 再利用的一熔絲載入架構之一方法800之一流程圖。方法800之操作可由如本文中所闡述之一控制器或其組件實施。舉例而言，可由如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110或如參考圖6所闡述之一控制器605執行方法800之操作。
在805處，控制器可識別與一晶粒上之一組熔絲耦合之一組暫存器，每一熔絲具有一熔絲位址，該組暫存器中之每一暫存器具有一暫存器位址且該組熔絲中之每一熔絲儲存可用於被複製至該組暫存器之一組修整資料。在某些實例中，可由如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110或如參考圖6所闡述之一控制器605執行805之操作之特徵。可根據參考圖1至圖5所闡述之技術執行805之操作。
在810處，控制器可識別作為若干組修整資料之一部分的一或多個熔絲標頭，一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭對應於一或多個熔絲群組中之一熔絲群組且指示該組熔絲之熔絲位址與該組暫存器之暫存器位址之間的一映射。在某些實例中，可由如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110或如參考圖6所闡述之一控制器605執行810之操作之特徵。可根據參考圖1至圖5所闡述之技術執行810之操作。
在815處，控制器可基於一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而判定將使用該映射自每一熔絲群組複製至一對應組暫存器之修整資料。在某些實例中，可由如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110或如參考圖6所闡述之一控制器605執行815之操作之特徵。可根據參考圖1至圖5所闡述之技術執行815之操作。
在820處，控制器可基於每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而將經判定修整資料自該組經識別熔絲複製至該組經識別暫存器。在某 些實例中，可由如參考圖1所闡述之一熔絲載入控制器110或如參考圖6所闡述之一控制器605執行820之操作之特徵。可根據參考圖1至圖5所闡述之技術執行820之操作。
在某些實例中，如本文中所闡述之一設備可執行一方法或若干方法，諸如方法800。該設備可包含用於識別與一晶粒上之一組熔絲耦合之一組暫存器的特徵、構件或指令(例如，儲存可由一處理器執行之指令之一非暫時性電腦可讀媒體)，每一熔絲具有一熔絲位址，該組暫存器中之每一暫存器具有一暫存器位址且該組熔絲中之每一熔絲儲存可用於複製至該組暫存器之一組修整資料。本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含識別作為若干組修整資料之一部分之一或多個熔絲標頭的操作、特徵、構件或指令，一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭對應於一或多個熔絲群組中之一熔絲群組且指示該組熔絲之熔絲位址與該組暫存器之暫存器位址之間的一映射。
本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含操作、特徵、構件或指令，該等操作、特徵、構件或指令用於基於一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而判定將使用該映射自每一熔絲群組複製至一對應組暫存器之修整資料。本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而將經判定修整資料自該組經識別熔絲複製至該組經識別暫存器的操作、特徵、構件或指令。
本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於根據每一熔絲標頭內之一或多個子欄位判定 一熔絲位址計數、或一跳過選項或一熔絲標頭ID、或一暫存器開始位址、或其任一組合的操作、特徵、構件或指令，其中複製經判定修整資料係基於該熔絲位址計數、或該跳過選項、或該熔絲標頭ID、或該暫存器開始位址、或其任一組合。本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於一第一熔絲標頭內存在標頭資料而識別一第一熔絲群組的操作、特徵、構件或指令。
本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於第一熔絲標頭之熔絲位址計數而判定與第一熔絲群組相關聯之熔絲位址的數目的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於第一熔絲標頭之暫存器開始位址而判定一開始暫存器位址的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含操作、特徵、構件或指令，該等操作、特徵、構件或指令用於將經判定修整資料自與第一熔絲群組相關聯之經判定數目個熔絲位址複製至包含開始暫存器之一第一子組暫存器，直至熔絲位址計數得到滿足為止。
本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於判定一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭指示將跳過對應於第一熔絲標頭之一第一熔絲群組的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於將跳過第一熔絲群組之指示而識別一或多個熔絲標頭中之一第二熔絲標頭的操作、特徵、構件或指令。
本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體 之某些實例可進一步包含用於判定第二熔絲標頭包含具有標頭資料之一或多個子欄位的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於根據包含於第二熔絲標頭之一或多個子欄位中之標頭資料而自對應於第二熔絲標頭之一第二熔絲群組複製經判定修整資料的操作、特徵、構件或指令。
本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於判定一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭為空的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於第一熔絲標頭而阻止讀取繼第一熔絲標頭之後之熔絲標頭的操作、特徵、構件或指令。
本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於將由一第一熔絲位址儲存之經判定修整資料之一第一部分複製至一第一暫存器位址的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於將由第一熔絲位址儲存之經判定修整資料之一第二部分複製至一第二暫存器位址的操作、特徵、構件或指令。本文中所闡述之方法800、設備及非暫時性電腦可讀媒體之某些實例可進一步包含用於基於第一熔絲位址所儲存之所有經判定修整資料皆已被複製之一判定而自第一熔絲位址遞增至一第二熔絲位址(亦即，將被讀取之下一熔絲位址)的操作、特徵、構件或指令。
應注意，上文所闡述之方法(例如，方法700、800)闡述可能的實施方案，並且可重新配置或以其他方式修改操作及步驟且其他實施方案係可能的。此外，可組合方法中之兩者或更多者之態樣。
在某些實例中，一控制器(例如，一SoC或一SoC之一部分)可執行本文中所闡述之功能之態樣。該控制器可包含：一處理器；記憶體，其與該處理器電子通信；及指令，其等儲存於該記憶體中且可由該處理器執行以致使該控制器：識別一晶粒上之一組熔絲；識別與該晶粒上之該組熔絲耦合之一組暫存器，該組熔絲儲存待複製至該組暫存器之修整資料；至少部分地基於修整資料內之一或多個熔絲標頭而判定該組熔絲之熔絲位址與該組暫存器之暫存器位址之間的一映射；至少部分地基於該映射而將修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器。
在某些實例中，該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器識別複數個熔絲群組，該複數個熔絲群組中之每一熔絲群組分別對應於一或多個熔絲標頭中之一熔絲標頭且包括晶粒上之一子組熔絲，其中該映射係至少部分地基於該複數個熔絲群組。
在某些實例中，該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器識別一或多個熔絲標頭中之每一者內之一組子欄位，其中該組子欄位包括一熔絲位址計數、或一跳過選項、或一熔絲標頭識別碼(ID)、或一暫存器開始位址、或其一組合，其中該映射係至少部分地基於該組子欄位。
在某些實例中，該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器至少部分地基於包含於該組子欄位中之暫存器開始位址而判定用於自該組熔絲複製修整資料之一開端暫存器位址。
在某些實例中，該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器至少部分地基於一或多個熔絲標頭中之一熔絲標頭而識別一第一熔絲群組，及至少部分地基於包含於該熔絲標頭中之熔絲位址計數而識別 與第一熔絲群組相關聯之熔絲之一數目，其中複製修整資料係至少部分地基於第一熔絲群組及與第一熔絲群組相關聯之若干熔絲。
在某些實例中，一控制器(例如，一SoC或一SoC之一部分)可執行本文中所闡述之功能之態樣。該控制器可包含：一處理器；記憶體，其與該處理器電子通信；及指令，其等儲存於該記憶體中且可由該處理器執行以致使該控制器：識別與一晶粒上之一組熔絲耦合之一組暫存器，每一熔絲具有一熔絲位址，該組暫存器中之每一暫存器具有一暫存器位址，其中該組熔絲中之每一熔絲儲存可用於複製至該組暫存器之一組修整資料，識別作為該等組修整資料之一部分之一或多個熔絲標頭，一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭分別對應於一或多個熔絲群組中之一熔絲群組，其中一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭指示該組熔絲之熔絲位址與該組暫存器之暫存器位址之間的一映射；至少部分地基於一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而判定將使用該映射自每一熔絲群組複製至一對應組暫存器之修整資料；及至少部分地基於每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而將經判定修整資料自該組經識別熔絲複製至該組經識別暫存器。
在某些實例中，該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器根據每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而判定一熔絲位址計數、或一跳過選項、或一熔絲標頭識別碼(ID)、或一暫存器開始位址、或其任一組合，其中複製經判定修整資料係至少部分地基於該熔絲位址計數、或該跳過選項、或該熔絲標頭ID、或該暫存器開始位址、或其任一組合。
在某些實例中，該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器：判定一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭指示將跳過對應於 第一熔絲標頭之一第一熔絲群組；至少部分地基於將跳過第一熔絲群組之指示而識別一或多個熔絲標頭中之一第二熔絲標頭；判定第二熔絲標頭包含具有標頭資料之一或多個子欄位；及根據包含於第二熔絲標頭之一或多個子欄位中之標頭資料而自對應於第二熔絲標頭之一第二熔絲群組複製經判定修整資料。
在某些實例中，該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器判定一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭係空的，且至少部分地基於第一熔絲標頭而阻止讀取繼第一熔絲標頭之後之熔絲標頭。
在某些實例中，該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器：將由一第一熔絲位址儲存之經判定修整資料之一第一部分複製至一第一暫存器位址；將由第一熔絲位址儲存之經判定修整資料之一第二部分複製至一第二暫存器位址；及至少部分地基於由第一熔絲位址儲存之經判定修整資料中之所有資料皆已被複製之一判定而自第一熔絲位址遞增至一第二熔絲位址(亦即，將被讀取之下一熔絲位址)。
可使用各種不同技術及技法中之任一者來表示本文中所闡述之資訊及信號。舉例而言，可在上述說明通篇提及之資料、指令、命令、資訊、信號、位元、符號及晶片可由電壓、電流、電磁波、磁場或粒子、光場或粒子或者其任一組合表示。某些圖式可將信號圖解說明為一單個信號；然而，熟習此項技術者將理解，該信號可表示一信號匯流排，其中該匯流排可具有各種位元寬度。
術語「電子通信」、「導電接觸」、「連接」及「耦合」可係指組件之間的支援信號在組件之間流動的一關係。若組件之間存在可在任何時間支援信號在組件之間流動之任何導電路徑，則認為該等組件彼 此進行電子通信(或導電接觸或連接或耦合)。在任何既定時間，基於包含經連接組件之裝置之操作，彼此電子通信(或導電接觸或連接或耦合)之組件之間的導電路徑可係一開路或一閉路。經連接組件之間的導電路徑可係組件之間的一直接導電路徑，或者經連接組件之間的導電路徑可係包含中間組件(諸如切換器、電晶體或其他組件)之一間接導電路徑。在某些情形中，可舉例而言使用一或多個中間組件(諸如切換器或電晶體)來將經連接組件之間的信號流動中斷一段時間。
術語「耦合」係指自組件之間的一開路關係移動至組件之間的一閉路關係之狀況，在開路關係中，目前不能夠經由一導電路徑在組件之間傳達信號，在閉路關係中，能夠經由導電路徑在組件之間傳達信號。當一組件(諸如一控制器)將其他組件耦合在一起時，該組件起始允許信號經由先前不准許信號流動之一導電路徑在其他組件之間流動的一改變。
術語「隔離」係指組件之間的信號目前不能在該組件之間流動的一關係。若在組件之間存在一開路，則該等組件彼此隔離。舉例而言，被定位於兩個組件之間的一切換器分離之該等組件在該切換器斷開時彼此隔離。當一控制器隔離兩個組件時，該控制器影響使用先前准許信號流動的一導電路徑來防止信號在組件之間流動的一改變。
本文中所論述之裝置可形成於一半導體基板上，諸如矽、鍺、矽鍺合金、砷化鎵、氮化鎵等。在某些情形中，該基板係一半導體晶圓。在其他情形中，該基板可係一絕緣體上矽(SOI)基板，諸如玻璃上矽(SOG)或藍寶石上矽(SOP)或者另一基板上的半導體材料之磊晶層。可經由使用各種化學物種(包含但不限於磷、硼或砷)摻雜來控制基板或基板 之子區域之導電性。可在基板之初始形成或生長期間藉由離子植入或藉由任何其他摻雜手段來執行摻雜。
本文中所論述之一切換組件或一電晶體可表示一場效應電晶體(FET)且包括包含一源極、汲極及閘極的一個三端子裝置。該等端子可經由導電材料(例如，金屬)連接至其他電子元件。該源極及汲極可係導電的且可包括一重摻雜(例如，退化)之半導體區域。該源極及汲極可由一輕摻雜之半導體區域或通道分離。若該通道係n型的(例如，大多數載子係信號)，則該FET可稱為一n型FET。若該通道係p型的(例如，大多數載子係電洞)，則該FET可稱為一p型FET。該通道可由一種絕緣閘極氧化物封蓋。可藉由將一電壓施加至閘極來控制該通道導電性。舉例而言，將一正電壓或負電壓分別施加至一n型FET或一p型FET可使該通道變得導電。當將大於或等於電晶體之臨限值電壓之一電壓施加至電晶體閘極時，可「接通」或「啟動」一電晶體。當將小於電晶體之臨限值電壓之一電壓施加至電晶體閘極時，可「關斷」或「撤銷啟動」該電晶體。
本文中所敘述之說明結合隨附圖式闡述實例性組態且並不表示可經實施或在本申請專利範圍之範疇內之所有實例。本文中所使用之術語「例示性」意指「用作一實例、例項或圖解說明」，並非「較佳」或「優於其他實例」。詳細說明包含具體細節以提供對所闡述技術之一理解。然而，可在無此等具體細節之情形下實踐此等技術。在某些例項中，以方塊圖形式展示眾所周知的結構及裝置以避免模糊所闡述實例之概念。
在附圖中，類似組件或特徵可具有相同參考標籤。此外，可藉由在參考標籤後接著一破折號及在類似組件當中進行區分之一第二標籤來區分同一類型之各個組件。若在說明書中僅使用第一參考標籤，則說 明可適用於具有相同第一參考標籤之類似組件中之任一者而不考慮第二參考標籤。
可使用各種不同技術及技法中之任一者來表示本文中所闡述之資訊及信號。舉例而言，可在上述說明通篇提及之資料、指令、命令、資訊、信號、位元、符號及晶片可由電壓、電流、電磁波、磁場或粒子、光場或粒子或者其任一組合表示。
可藉助一個一般用途處理器、一DSP、一ASIC、一FPGA或其他可程式化邏輯裝置、離散閘或電晶體邏輯、離散硬體組件或經設計以執行本文中所闡述之功能之其任一組合來實施或執行結合本文中之揭示而闡述之各種說明性區塊及模組。一個一般用途處理器可係一微處理器，但在替代方案中，處理器可係任何習用處理器、控制器、微控制器或狀態機。一處理器亦可實施為計算裝置之一組合(例如，一DSP與一微處理器、多個微處理器、結合一DSP核心之一或多個微處理器或任何其他此類組態之一組合)。
可以硬體、由一處理器執行之軟體、韌體或其任一組合來實施本文中所闡述之功能。若以由一處理器執行之軟體實施，則該等功能可作為一或多個指令或程式碼儲存於一電腦可讀媒體上或經由一電腦可讀媒體傳輸。其他實例及實施方案係在本發明及隨附申請專利範圍之範疇內。舉例而言，由於軟體之本質，可使用由一處理器執行之軟體、硬體、韌體、硬連線或此等中之任一者之組合來實施上文所闡述之功能。實施功能之特徵亦可實體上位於各種位置處(包含散佈式)，使得在不同實體位置處實施功能之部分。此外，如本文中所使用，包含在申請專利範圍中，一項目清單中所使用之「或」(舉例而言，以諸如「......中之至少一者(at least one of)」或「......中之一或多者(one or more of)」等一片語開頭之一項目清單)指示一包含性清單，使得舉例而言，A、B或C中之至少一者之一清單意指A或B或C、或AB或AC或BC、或ABC(亦即，A及B及C)。此外，如本文中所使用，片語「基於」不應視為對一組封閉條件之一參考。舉例而言，在不背離本發明之範疇之情形下，闡述為「基於條件A」之一例示性步驟可係基於一條件A及一條件B兩者。換言之，如本文中所使用，片語「基於」應視與片語「至少部分地基於」具有相同之含義。
電腦可讀媒體包含非暫時性電腦儲存媒體及通信媒體兩者，通信媒體包含促進一電腦程式自一個地方轉移至另一地方之任一媒體。一非暫時性儲存媒體可係可由一個一般用途或特殊用途之電腦存取之任一可用媒體。舉例而言，且並非限制性，非暫時性電腦可讀媒體可包括RAM、ROM、電子可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)、壓縮光碟(CD)ROM或其他光碟儲存裝置、磁碟儲存裝置或其他磁性儲存裝置、或者任何其他非暫時性媒體，上述非暫時性媒體可用於以指令或資料結構之形式攜載或儲存所期望程式碼構件且可由一個一般用途或特殊用途電腦或者一個一般用途或特殊用途處理器存取。此外，任一連接皆被適當地稱為一電腦可讀媒體。舉例而言，若使用一同軸纜線、光纖纜線、雙絞線、數位用戶線(DSL)或諸如紅外線、無線電及微波之無線技術來自一網站、伺服器或其他遠端源傳輸軟體，則該同軸纜線、光纖纜線、雙絞線、數位用戶線(DSL)或諸如紅外線、無線電及微波之無線技術係包含於對媒體之定義中。如本文中所使用，磁碟及光碟包含CD、雷射光碟、光學光碟、數位多功能光碟(DVD)、軟碟及藍光碟，其中磁碟通常以磁性方式再現資料，而光碟藉助雷射以光學方式再現資料。以上組合亦包含於電腦可讀媒 體之範疇內。
提供本文中之說明以使得熟習此項技術者能夠製作或使用本發明。熟習此項技術者將易於明瞭對本發明之各種修改，且在不背離本發明之範疇之情況下，本文中所定義之泛用原理可應用於其他變化形式。因此，本發明並不限於本文中所闡述之實例及設計，而是將符合與本文中所揭示之原理及新穎特徵一致之最寬泛範疇。
200:熔絲標頭組態
205:熔絲標頭/當前熔絲標頭
210:熔絲資料/相關聯熔絲資料
215:熔絲位址
220:暫存器位址/開始暫存器位址
225:子欄位/熔絲位址計數子欄位/初始跳過選項子欄位/一熔絲標頭識別碼子欄位/暫存器開始位址子欄位

Claims (35)

  1. 一種用於支援一熔絲載入架構之方法，其包括：識別一晶粒上之一組熔絲；識別與該晶粒上之該組熔絲耦合之一組暫存器，該組熔絲儲存待複製至該組暫存器之修整資料；至少部分地基於該修整資料內之一或多個熔絲標頭而判定該組熔絲之熔絲位址與該組暫存器之暫存器位址之間的一映射，其中該一或多個熔絲標頭之每一熔絲標頭包括複數個熔絲位址及複數個暫存器位址之資訊；及至少部分地基於該映射而將修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括：識別複數個熔絲群組，該複數個熔絲群組中之每一熔絲群組分別對應於該一或多個熔絲標頭中之一熔絲標頭且包括該組熔絲中之一子組，其中該映射係至少部分地基於該複數個熔絲群組。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包括：識別該一或多個熔絲標頭中之每一者內之一組子欄位，其中該組子欄位包括一熔絲位址計數、或一跳過選項、或一熔絲標頭識別碼(ID)、或一暫存器開始位址、或其任一組合，其中該映射係至少部分地基於該組子欄位。
  4. 如請求項3之方法，其進一步包括：至少部分地基於包含於該組子欄位中之該暫存器開始位址而判定用於自該組熔絲複製該修整資料之一開端暫存器位址。
  5. 如請求項3之方法，其進一步包括：至少部分地基於該一或多個熔絲標頭中之一熔絲標頭而識別一第一熔絲群組；及至少部分地基於包含於該熔絲標頭中之該熔絲位址計數而識別與該第一熔絲群組相關聯之熔絲之一數目，其中複製該修整資料係至少部分地基於該第一熔絲群組及與該第一熔絲群組相關聯之熔絲之該數目。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包括：識別該一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭；及判定該第一熔絲標頭是否填充有標頭資料，其中複製該修整資料係至少部分地基於判定該第一熔絲標頭是否填充有該標頭資料。
  7. 如請求項6之方法，其進一步包括：至少部分地基於該第一熔絲標頭填充有該標頭資料而設定一暫存器開始位址及一熔絲位址計數；及將該修整資料自一第一熔絲位址複製至一第一組暫存器，該第一組暫存器包含具有對應於該暫存器開始位址之一暫存器位址的一第一暫存器。
  8. 如請求項7之方法，其進一步包括：至少部分地基於該標頭資料而讀取一第二熔絲位址；及至少部分地基於該熔絲位址計數而將該修整資料自該第二熔絲位址複製至一第二組暫存器。
  9. 如請求項7之方法，其進一步包括：判定該熔絲位址計數未得到滿足；及至少部分地基於該熔絲位址計數而將該修整資料自一第三熔絲位址複製至一第三組暫存器。
  10. 如請求項7之方法，其進一步包括：判定該熔絲位址計數已得到滿足；及至少部分地基於判定該熔絲位址計數已得到滿足而讀取該一或多個熔絲標頭中之一第二熔絲標頭。
  11. 如請求項6之方法，其中將該修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器係一熔絲載入過程之一部分，該方法進一步包括：判定該第一熔絲標頭缺乏標頭資料；及至少部分地基於該第一熔絲標頭缺乏標頭資料而結束該熔絲載入過程。
  12. 如請求項1之方法，其進一步包括： 至少部分地基於該一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭內之一跳過選項之一指示而判定是否跳過一第一熔絲群組，該第一熔絲標頭對應於該第一熔絲群組。
  13. 如請求項12之方法，其進一步包括：至少部分地基於不跳過該第一熔絲群組之一判定而將該修整資料自該第一熔絲群組複製至一第一組暫存器。
  14. 如請求項12之方法，其進一步包括：至少部分地基於跳過該第一熔絲群組之一判定而阻止自該第一熔絲群組複製該修整資料；及讀取該一或多個熔絲標頭中之一第二熔絲標頭，該第二熔絲標頭對應於一第二熔絲群組。
  15. 如請求項12之方法，其進一步包括：至少部分地基於判定是否觸發該跳過選項以及一熔絲位址計數、或一熔絲標頭識別碼(ID)、或一暫存器開始位址或其一組合中之一或多者而判定用於將該修整資料自該組經識別熔絲複製至該組經識別暫存器之一熔絲載入次序。
  16. 如請求項1之方法，其進一步包括：在讀取包括修整資料之該熔絲群組之一剩餘部分之前讀取對應於一熔絲群組之一熔絲標頭。
  17. 一種用於支援一熔絲載入架構之方法，其包括：識別與一晶粒上之一組熔絲耦合之一組暫存器，該組熔絲各自具有一熔絲位址，該組暫存器中之每一暫存器具有一暫存器位址，且該組熔絲中之每一熔絲儲存可用於被複製至該組暫存器之一組修整資料；識別作為該等組修整資料之一部分的一或多個熔絲標頭，該一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭對應於一或多個熔絲群組中之一熔絲群組且指示該組熔絲之複數個熔絲位址與該組暫存器之複數個暫存器位址之間的一映射；至少部分地基於該一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而判定將使用該映射自每一熔絲群組複製至一對應組暫存器之修整資料；及至少部分地基於每一熔絲標頭內之該一或多個子欄位而將該經判定修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包括：根據每一熔絲標頭內之該一或多個子欄位而判定一熔絲位址計數、或一跳過選項、或一熔絲標頭識別碼(ID)、或一暫存器開始位址、或其任一組合，其中複製該經判定修整資料係至少部分地基於該熔絲位址計數、或該跳過選項、或該熔絲標頭ID、或該暫存器開始位址、或其任一組合。
  19. 如請求項18之方法，其中複製該經判定修整資料包括：至少部分地基於一第一熔絲標頭內存在標頭資料而識別一第一熔絲 群組；至少部分地基於該第一熔絲標頭之該熔絲位址計數而判定與該第一熔絲群組相關聯之熔絲位址之一數目；至少部分地基於該第一熔絲標頭之該暫存器開始位址而判定一開始暫存器位址；及將該經判定修整資料自與該第一熔絲群組相關聯之該經判定數目個熔絲位址複製至包含該開始暫存器位址之一第一子組之暫存器，直至該熔絲位址計數得到滿足為止。
  20. 如請求項17之方法，其進一步包括：判定該一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭指示將跳過對應於該第一熔絲標頭之一第一熔絲群組；至少部分地基於將跳過該第一熔絲群組之該指示而識別該一或多個熔絲標頭中之一第二熔絲標頭；判定該第二熔絲標頭包含具有標頭資料之該一或多個子欄位；及根據包含於該第二熔絲標頭之該一或多個子欄位中之該標頭資料而自對應於該第二熔絲標頭之一第二熔絲群組複製該經判定修整資料。
  21. 如請求項17之方法，其進一步包括：判定該一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭係空的；及至少部分地基於該第一熔絲標頭而阻止讀取繼該第一熔絲標頭之後之熔絲標頭。
  22. 如請求項17之方法，其中複製該經判定修整資料包括：將由一第一熔絲位址儲存之該經判定修整資料之一第一部分複製至一第一暫存器位址；將由該第一熔絲位址儲存之該經判定修整資料之一第二部分複製至一第二暫存器位址；及至少部分地基於由該第一熔絲位址儲存之所有該經判定修整資料已得到複製之一判定而自該第一熔絲位址遞增至一第二熔絲位址，亦即將被讀取之一下一熔絲位址。
  23. 一種控制器，其包括：一處理器；記憶體，其與該處理器電子通信；及指令，其等儲存於該記憶體中且可由該處理器執行以致使該控制器：識別一晶粒上之一組熔絲；識別與該晶粒上之該組熔絲耦合之一組暫存器，該組熔絲儲存待被複製至該組暫存器之修整資料；至少部分地基於該修整資料內之一或多個熔絲標頭而判定該組熔絲之熔絲位址與該組暫存器之暫存器位址之間的一映射，其中該一或多個熔絲標頭之每一熔絲標頭包括複數個熔絲位址及複數個暫存器位址之資訊；及至少部分地基於該映射而將修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器。
  24. 如請求項23之控制器，其中該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器：識別複數個熔絲群組，該複數個熔絲群組中之每一熔絲群組分別對應於該一或多個熔絲標頭中之一熔絲標頭且包括該晶粒上之一子組熔絲，其中該映射係至少部分地基於該複數個熔絲群組。
  25. 如請求項23之控制器，其中該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器：識別該一或多個熔絲標頭中之每一者內之一組子欄位，其中該組子欄位包括一熔絲位址計數、或一跳過選項、或一熔絲標頭識別碼(ID)、或一暫存器開始位址、或其任一組合，其中該映射係至少部分地基於該組子欄位。
  26. 如請求項25之控制器，其中該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器：至少部分地基於包含於該組子欄位中之該暫存器開始位址而判定用於自該組熔絲複製該修整資料之一開端暫存器位址。
  27. 如請求項25之控制器，其中該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器：至少部分地基於該一或多個熔絲標頭中之一熔絲標頭而識別一第一熔絲群組；及 至少部分地基於包含於該熔絲標頭中之該熔絲位址計數而識別與該第一熔絲群組相關聯之熔絲之一數目，其中複製該修整資料係至少部分地基於該第一熔絲群組及與該第一熔絲群組相關聯之熔絲之該數目。
  28. 一種控制器，其包括：一處理器；記憶體，其與該處理器電子通信；及指令，其等儲存於該記憶體中且可由該處理器執行以致使該控制器：識別與一晶粒上之一組熔絲耦合之一組暫存器，該組熔絲各自具有一熔絲位址，該組暫存器中之每一暫存器具有一暫存器位址，其中該組熔絲中之每一熔絲經組態以儲存可用於被複製至該組暫存器之一組修整資料；識別作為該等組修整資料之一部分的一或多個熔絲標頭，該一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭分別對應於一或多個熔絲群組中之一熔絲群組，其中該一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭經組態以指示該組熔絲之複數個熔絲位址與該組暫存器之複數個暫存器位址之間的一映射；至少部分地基於該一或多個熔絲標頭中之每一熔絲標頭內之一或多個子欄位而判定將使用該映射自每一熔絲群組複製至一對應組暫存器之修整資料；及至少部分地基於每一熔絲標頭內之該一或多個子欄位而將該經判定修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器。
  29. 如請求項28之控制器，其中該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器：根據每一熔絲標頭內之該一或多個子欄位而判定一熔絲位址計數、或一跳過選項、或一熔絲標頭識別碼(ID)、或一暫存器開始位址、或其任一組合，其中複製該經判定修整資料係至少部分地基於該熔絲位址計數、或該跳過選項、或該熔絲標頭ID、或該暫存器開始位址、或其任一組合。
  30. 如請求項28之控制器，其中該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器：判定該一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭指示將跳過對應於該第一熔絲標頭之一第一熔絲群組；至少部分地基於將跳過該第一熔絲群組之該指示而識別該一或多個熔絲標頭中之一第二熔絲標頭；判定該第二熔絲標頭包含具有標頭資料之該一或多個子欄位；及根據包含於該第二熔絲標頭之該一或多個子欄位中之該標頭資料而自對應於該第二熔絲標頭之一第二熔絲群組複製該經判定修整資料。
  31. 如請求項28之控制器，其中該等指令可進一步由該處理器執行以致使該控制器：判定該一或多個熔絲標頭中之一第一熔絲標頭係空的；及至少部分地基於該第一熔絲標頭而阻止讀取繼該第一熔絲標頭之後之熔絲標頭。
  32. 如請求項28之控制器，其中複製該經判定修整資料之該等指令可由該處理器執行以致使該控制器：將由一第一熔絲位址儲存之該經判定修整資料之一第一部分複製至一第一暫存器位址；將由該第一熔絲位址儲存之該經判定修整資料之一第二部分複製至一第二暫存器位址；及至少部分地基於由該第一熔絲位址儲存之所有該經判定修整資料已得到複製之一判定而自該第一熔絲位址遞增至一第二熔絲位址，亦即將被讀取之一下一熔絲位址。
  33. 一種儲存程式碼的非暫時性電腦可讀媒體，該程式碼包括可由一處理器執行以進行以下操作之指令：識別一晶粒上之一組熔絲；識別與該晶粒上之該組熔絲耦合之一組暫存器，該組熔絲儲存待複製至該組暫存器之修整資料；至少部分地基於該修整資料內之一或多個熔絲標頭而判定該組熔絲之熔絲位址與該組暫存器之暫存器位址之間的一映射，其中該一或多個熔絲標頭之每一熔絲標頭包括複數個熔絲位址及複數個暫存器位址之資訊；及至少部分地基於該映射將修整資料自該組熔絲複製至該組經識別暫存器。
  34. 如請求項33之非暫時性電腦可讀媒體，其中該等指令可進一步經執 行以：識別複數個熔絲群組，該複數個熔絲群組中之每一熔絲群組分別對應於該一或多個熔絲標頭中之一熔絲標頭且包括該晶粒上之該組熔絲中之一子組，其中該映射係至少部分地基於該複數個熔絲群組。
  35. 如請求項33之非暫時性電腦可讀媒體，其中該等指令可進一步經執行以：識別該一或多個熔絲標頭中之每一者內之一組子欄位，其中該組子欄位包括一熔絲位址計數、或一跳過選項、或一熔絲標頭識別碼(ID)、或一暫存器開始位址、或其任一組合，其中該映射係至少部分地基於該組子欄位。
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