TWI738002B - 高溫烘箱的溫度調整設備 - Google Patents

Abstract

一種高溫烘箱的溫度調整設備，包括：一烘箱，該烘箱包含一烘箱腔體、至少一進氣岐管、至少一排氣岐管、一內框套、至少一加熱元件及一腔門，該烘箱腔體內部形成一處理腔室，該烘箱腔體內壁環設該內框套，透過至少一該加熱元件對該內框套加熱，再經由該內框套以熱輻射方式對該處理腔室加熱，該腔門可垂直升降地設置於該烘箱腔體底部；及一氣體再處理裝置，該氣體再處理裝置包含一氣體回收器，利用該氣體回收器將該處理腔室內的氣體吸入該氣體再處理裝置，該吸入之氣體可直接排出該氣體再處理裝置或經再處理後流回該處理腔室。

Description

高溫烘箱的溫度調整設備

本發明係屬電子封裝的技術領域，尤指其技術上提供一高溫烘箱的溫度調整設備，藉由氣體再處理裝置中的冷卻器來冷卻由處理腔室流出的氣體，透過加熱器來加熱該氣體再處理裝置內之氣體，再利用氣體回收器將氣體送回處理腔室內，大幅度提高了氣體的加熱及冷卻效率，並達到氣體回收再利用之目的，有效降低生產成本。

近年來電子技術日新月異，利用積體電路元件所組成的電子產品，已成為現代人日常生活中不可或缺的工具。在半導體封裝的製程之中，冷卻製程與加熱製程往往扮演著重要的角色，並且經常需要在這些冷卻製程與加熱製程之間進行切換。例如，從高溫冷卻至低溫或者從高溫冷卻至低溫然後再加熱至高溫等等，其冷卻及/或加熱速率愈快，則製程效率愈高。在習知的冷卻製程中，經常係直接在處理腔室內採用氣冷式或水冷式冷卻器進行氣體冷卻，然而由於腔體的熱容量太大，致無法達到快速冷卻的效果，另，在習知的加熱製程中，經常係直接在處理腔室內採用加熱器進行氣體加熱，同樣由於腔體的熱容量太大，致無法達到快速加熱的效果，因此，為了達到快速冷卻及快速加熱的效果，習知冷卻製程往往採用直接排放高溫的氣體，然後再通入低溫的氣體，以達到快速冷卻的效果。然而，因為必須排空原本既存的高溫氣體，然後再從外部通入新的低溫氣體，因此，無法有效利用原本既存的氣體，導致氣體成本的浪費。在上述情況下，若進一步希望使製程溫度回到降溫前的溫度等級(或者甚至達到比降溫前更高的溫度等級)，則必須先將低溫氣體排空，然後再從外部通入新的高溫氣體，同樣導致氣體成本的浪費。又，在加熱製程中有部份的製程化學品會因揮發或蒸發而瀰漫於處理腔室中，當冷卻製程時，飄散在處理腔室中的氣態製程化學品發生冷凝而形成汙染物附著在腔體內壁，造成機台維護成本提高與產能降低，另，習知半導體封裝製程所使用之烘箱是以熱對流的方式加熱，這樣的加熱方式必須於烘腔內部置入一組風扇使內部 加熱的氣體產生對流，為了快速升溫以及升溫時的均溫性必須考慮加速加熱氣體的流動，如此氣體的擾動所造成對於烘烤產品的震動對許多半導體元件來說存在著難以臆測的風險，實有加以改良的必要。

是以，針對上述習知半導體封裝因製程切換所存在之問題點，如何開發一種更具理想實用性並兼顧經濟效益之溫度調整設備，實為相關業者積極研發突破之目標及方向。

有鑑於此，發明人本於多年從事相關產品之製造開發與設計經驗，針對上述之目標，詳加設計與審慎評估後，終得一確具實用性之本發明。

習知半導體封裝在製程切換時由於腔體的熱容量太大無法達到快速冷卻及快速加熱的效果，為了提升冷卻及加熱的效果，冷卻製程時往往採用直接排放高溫的氣體，然後再通入低溫的氣體，導致氣體成本的浪費，加熱製程時為了使溫度能夠快速達到降溫前的溫度等級，必須先將低溫氣體排空，然後再從外部通入新的高溫氣體，同樣導致氣體成本的浪費，另，習知半導體封裝製程所使用之烘箱是以熱對流的方式加熱，為了快速升溫以及升溫時的均溫性必須考慮加速加熱氣體的流動，這樣氣體的擾動所造成對於烘烤產品的震動對許多半導體元件來說存在著難以臆測的風險，實有加以改良的必要。

為改善上述之問題，本發明第一實施例係提供一種高溫烘箱的溫度調整設備，包括：一烘箱，該烘箱包含一烘箱腔體、至少一進氣岐管、至少一排氣岐管、一內框套、至少一加熱元件及一腔門，該烘箱腔體內部形成一處理腔室，該處理腔室一側裝設至少一該進氣岐管，另一側裝設至少一該排氣岐管，至少一該進氣岐管外周貫設複數個進氣孔，至少一該排氣岐管外周貫設複數個排氣孔，該烘箱腔體內壁環設該內框套，該內框套內部形成一環狀的容置空間，該容置空間內設置至少一該加熱元件，透過至少一該加熱元件對該內框套加熱，再經由該內框套以熱輻射方式對該處理腔室加熱，該腔門可垂直升降地設置於該烘箱腔體底部，該腔門內表面設置一處理框架，該處理框架上可放置待處理 標的物，該待處理標的物可以是半導體晶片。

一氣體再處理裝置，該處理腔室內的氣體流入該氣體再處理裝置，藉由該氣體再處理裝置處理該氣體。該氣體再處理裝置包含一冷卻器、一加熱器以及一氣體回收器，藉由該冷卻器來冷卻該氣體再處理裝置內之氣體。藉由該加熱器來加熱經由該氣體再處理裝置流回該處理腔室之氣體。利用該氣體回收器將該處理腔室內的氣體吸入該氣體再處理裝置，該吸入之氣體可直接排出該氣體再處理裝置或經再處理後流回該處理腔室，該氣體回收器為一風扇。

前述，至少一該加熱元件係為加熱套或加熱棒。

前述，在至少一該進氣岐管內的氣體，經由各該進氣孔噴出，擾動該處理腔室內的氣體，並藉由至少一該排氣岐管將該處理腔室內的氣體排出而形成熱對流，促進該處理腔室內部的溫度調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性。

本發明第二實施例係提供一種高溫烘箱的溫度調整設備，包括：一烘箱，該烘箱包含一烘箱腔體、至少一進氣岐管、至少一排氣岐管、至少一加熱套及一腔門，該烘箱腔體內部形成一處理腔室，該處理腔室一側裝設至少一該進氣岐管，另一側裝設至少一該排氣岐管，至少一該進氣岐管外周貫設複數個進氣孔，至少一該排氣岐管外周貫設複數個排氣孔，該烘箱腔體外壁環設至少一該加熱套，至少一該加熱套對該烘箱腔體外壁加熱，再經由該烘箱腔體以熱輻射方式對該處理腔室加熱，該腔門可垂直升降地設置於該烘箱腔體底部，該腔門內表面設置一處理框架，該處理框架上可放置待處理標的物，該待處理標的物可以是半導體晶片。

一氣體再處理裝置，該處理腔室內的氣體流入該氣體再處理裝置，藉由該氣體再處理裝置處理該氣體。該氣體再處理裝置包含一冷卻器、一加熱器以及一氣體回收器，藉由該冷卻器來冷卻該氣體再處理裝置內之氣體。藉由該加熱器來加熱經由該氣體再處理裝置流回該處理腔室之氣體。利用該氣體回收器將該處理腔室內的氣體吸入該氣體再處理裝置，該吸入之氣體可直接排出該氣體再處理裝置或經再處理後流回該處理腔室，該氣體回收器為一風扇。

前述，在至少一該進氣岐管內的氣體，經由各該進氣孔噴 出，擾動該處理腔室內的氣體，並藉由至少一該排氣岐管將該處理腔室內的氣體排出而形成熱對流，促進該處理腔室內部的溫度調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性。

本發明第三實施例係提供一種高溫烘箱的溫度調整設備，包括：一烘箱，該烘箱包含一烘箱腔體、至少一進氣岐管、至少一排氣岐管、至少一加熱元件及一腔門，該烘箱腔體內部形成一處理腔室，該處理腔室一側裝設至少一該進氣岐管，另一側裝設至少一該排氣岐管，至少一該進氣岐管外周貫設複數個進氣孔，至少一該排氣岐管外周貫設複數個排氣孔，至少一該加熱元件設置於該烘箱腔體內壁與至少一該進氣岐管旁側間，氣體在至少一該進氣岐管內，經由各該進氣孔噴出，讓至少一該加熱元件以熱對流方式對該處理腔室加熱，該腔門可垂直升降地設置於該烘箱腔體底部，該腔門內表面設置一處理框架，該處理框架上可放置待處理標的物，該待處理標的物可以是半導體晶片。

一氣體再處理裝置，該處理腔室內的氣體流入該氣體再處理裝置，藉由該氣體再處理裝置處理該氣體。該氣體再處理裝置包含一冷卻器、一加熱器以及一氣體回收器，藉由該冷卻器來冷卻該氣體再處理裝置內之氣體。藉由該加熱器來加熱經由該氣體再處理裝置流回該處理腔室之氣體。利用該氣體回收器將該處理腔室內的氣體吸入該氣體再處理裝置，該吸入之氣體可直接排出該氣體再處理裝置或經再處理後流回該處理腔室，該氣體回收器為一風扇。

前述，至少一該加熱元件係為加熱套或加熱棒。

前述，該高溫烘箱的溫度調整設備更包含一氣體輸送單元，該氣體輸送單元包含一氣體輸入管路、一氣體排出管路、一氣體回收管路及一氣體排放管路，該氣體輸入管路一端連接至少一該進氣岐管，另一端連接一氣體源或連結該氣體回收管路，該氣體源係為一空氣壓縮機或廠務氣體管路，該氣體源將一預定壓力的氣體經由該氣體輸入管路輸入該處理腔室，該氣體排出管路一端連接至少一該排氣岐管，另一端連接該氣體再處理裝置，該氣體回收管路一端連接該氣體輸入管路，抑或直接連結至少一該進氣岐管，另一端連接該氣體再處理裝置，該氣體排放管路一端連接該氣體再處理裝置，藉由排放該氣體再處理裝置內之氣體至外界。

前述，各該進氣孔呈等間距排列設置。

前述，各該排氣孔呈等間距排列設置。

前述，該腔門係以氣壓式、液壓式或馬達驅動方式開啟、關閉。

前述，該氣體再處理裝置更包含至少一過濾器，透過至少一該過濾器過濾流出該處理腔室的氣體。

前述，該氣體再處理裝置更包含一觸媒轉換器，在加熱此氣體期間藉由該觸媒轉換器處理該氣體。

前述，當該處理腔室的製程需求溫度較高時，可在該氣體離開該氣體再處理裝置之後並且返回到該處理腔室內之前，於該氣體回收管路設置一加熱器及一觸媒轉換器，以進一步加熱及/或處理離開氣體再處理裝置的氣體，俾能縮短在該處理腔室內加熱氣體的時間及/或利用催化反應將此氣體進行進一步淨化。

前述，該氣體夾雜氣態製程化學品流入各該排氣孔，經由至少一排氣岐管流出該處理腔室外。

前述，當該腔門開啟時同步將該處理框架移出該處理腔室外，可輕易地放置、取出標的物，該腔門關閉時同步將該處理框架移入該處理腔室內，有效節省人力作業成本。

本發明之高溫烘箱的溫度調整設備，藉由加熱器來加熱經由該氣體再處理裝置流回該處理腔室之氣體，縮短在處理腔室內加熱氣體的時間，有效提升氣體的加熱效率；利用氣體回收器將該處理腔室內的氣體吸入該氣體再處理裝置，該吸入之氣體經再處理後流回該處理腔室，達到氣體回收再利用之目的，有效降低生產成本；處理腔室內的氣體夾雜氣態製程化學品在製程完成後經由氣體排出管路流入該氣體再處理裝置，透過至少一該過濾器濾除氣體中的製程化學品汙染物，可避免氣體回收再利用時處理腔室遭受汙染；處理腔室內的氣體流入氣體再處理裝置，藉由冷卻器來冷卻該氣體，相較於直接在較高溫該處理腔室內進行氣體冷卻，且又無烘箱腔體熱容量太大的影響，可有效提升氣體的冷卻效率；氣體經由各該進氣孔噴出，擾動處理腔室內的氣體，形成熱對流，促進處理腔室內部的溫度調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性。

有關本發明所採用之技術、手段及其功效，茲舉數較佳實施例並配合圖式詳細說明於後，相信本發明上述之目的、構造及特徵，當可由之得一深入而具體的瞭解。

2:烘箱

5:氣體輸送單元

6:氣體再處理裝置

20:烘箱腔體

21:進氣岐管

211:進氣孔

22:排氣岐管

221:排氣孔

23:內框套

231:容置空間

24:加熱元件

24a:加熱套

25:腔門

27:處理腔室

28:處理框架

51:氣體輸入管路

52:氣體排出管路

53:氣體回收管路

54:氣體排放管路

55:氣體源

61:冷卻器

62:過濾器

63:加熱器

64:觸媒轉換器

65:氣體回收器

66:加熱器

67:觸媒轉換器

第1圖係本發明之第一實施例之高溫烘箱的溫度調整設備示意圖。

第2圖係本發明之第一實施例之烘箱構造示意圖。

第3圖係本發明之第二實施例之高溫烘箱的溫度調整設備示意圖。

第4圖係本發明之第二實施例之烘箱構造示意圖。

第5圖係本發明之第三實施例之高溫烘箱的溫度調整設備示意圖。

第6圖係本發明之第三實施例之烘箱構造示意圖。

參閱第1及第2圖所示，本發明第一實施例係提供一種高溫烘箱的溫度調整設備，包括：一烘箱2，該烘箱2包含一烘箱腔體20、至少一進氣岐管21、至少一排氣岐管22、一內框套23、至少一加熱元件24及一腔門25，該烘箱腔體20內部形成一處理腔室27，該處理腔室27一側裝設至少一該進氣岐管21，另一側裝設至少一該排氣岐管22，至少一該進氣岐管21外周貫設複數個進氣孔211，各該進氣孔211呈等間距排列設置，至少一該排氣岐管22外周貫設複數個排氣孔221，各該排氣孔221呈等間距排列設置，該烘箱腔體20內壁環設該內框套23，該內框套23內部形成一環狀的容置空間231，該容置空間231設置至少一該加熱元件24，至少一該加熱元件24係為加熱套或加熱棒，透過至少一該加熱元件24對該內框套23加熱，再經由該內框套23以熱輻射方式對該處理腔室27加熱，使該處理腔室27籠罩在高溫及高壓的工作環境中，該處理腔室27內之工作溫度介於攝氏20度(室溫)至攝氏1500度的範圍，工作壓力變化範圍介於1大氣壓(atm)至100大氣壓(atm)之間，在至少一該進氣岐管21內的氣體，經由各該進氣孔211面對該烘箱腔體20內壁噴出，擾動該處理腔室27內的氣體，並藉由至少一該排氣岐管22上面對該烘箱腔體20內壁的各該排氣孔221，將該處理腔室內的氣體排出而形成熱對流，促進該處理腔室27內部的溫度 調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性，該腔門25可垂直升降地設置於該烘箱腔體20底部，該腔門25係以氣壓式、液壓式或馬達驅動方式開啟、關閉，該腔門25內表面設置一處理框架28，該處理框架28上可放置待處理標的物，該待處理標的物可以是半導體晶片。

一氣體輸送單元5，該氣體輸送單元5包含一氣體輸入管路51、一氣體排出管路52、一氣體回收管路53及一氣體排放管路54，該氣體輸入管路51一端連接至少一該進氣岐管21，另一端連接一氣體源55或連結該氣體回收管路53，該氣體源55係為一空氣壓縮機或廠務氣體管路，該氣體源55將一預定壓力的氣體經由該氣體輸入管路51輸入該處理腔室27，該氣體排出管路52一端連接至少一該排氣岐管22，該氣體回收管路53一端連接該氣體輸入管路51，抑或直接連結至少一該進氣岐管21。

一氣體再處理裝置6，該氣體再處理裝置6包含一冷卻器61、至少一過濾器62、一加熱器63、一觸媒轉換器64以及一氣體回收器65，該氣體排出管路52另一端連接該氣體再處理裝置6，該處理腔室27內的氣體可經由氣體排出管路52流入該氣體再處理裝置6，藉由該冷卻器61來冷卻該氣體，透過至少一該過濾器62過濾流出該處理腔室27的氣體。藉由該加熱器63來加熱經由該氣體再處理裝置6流回該處理腔室27之氣體，並在加熱此氣體期間藉由該觸媒轉換器64處理該氣體，例如透過觸媒轉換器64利用催化反應將此氣體進行淨化(例如，將此氣體中的CO、HC、NOx等等成分轉換為對人體無害的氣體，如CO2、H2O、N2、O2等等)。觸媒轉換器64可例如含有銠、鉑、鈀等等的金屬以作為催化劑。觸媒轉換器64可為二元觸媒轉換器、三元觸媒轉換器或二元觸媒轉換器與三元觸媒轉換器的組合。該氣體回收管路53另一端連接該氣體再處理裝置6，利用該氣體回收器65將該處理腔室27內的氣體吸入該氣體再處理裝置6，該吸入之氣體可直接排出該氣體再處理裝置6或經再處理後流回該處理腔室27，該氣體回收器65為一風扇。

參閱第3及第4圖所示(其中和第一實施例相同的元件使用相同的元件符號)，本發明第二實施例係提供一種高溫烘箱的溫度調整設備，包括：一烘箱2，該烘箱2包含一烘箱腔體20、至少一進氣岐管21、至少一排氣岐管22、至少一加熱套24a及一腔門25，該烘箱腔體20內部形 成一處理腔室27，該處理腔室27一側裝設至少一該進氣岐管21，另一側裝設至少一該排氣岐管22，至少一該進氣岐管21外周貫設複數個進氣孔211，各該進氣孔211呈等間距排列設置，至少一該排氣岐管22外周貫設複數個排氣孔221，各該排氣孔221呈等間距排列設置，該烘箱腔體20外壁環設至少一該加熱套24a，至少一該加熱套24a對該烘箱腔體20外壁加熱，再經由該烘箱腔體20以熱輻射方式對該處理腔室27加熱，使該處理腔室27籠罩在高溫及高壓的工作環境中，該處理腔室27內之工作溫度介於攝氏20度(室溫)至攝氏1500度的範圍，工作壓力變化範圍介於1大氣壓(atm)至100大氣壓(atm)之間，在至少一該進氣岐管21內的氣體，經由各該進氣孔211面對該烘箱腔體20內壁噴出，擾動該處理腔室27內的氣體，並藉由至少一該排氣岐管22上面對該烘箱腔體20內壁的各該排氣孔221，將該處理腔室內的氣體排出而形成熱對流，促進該處理腔室27內部的溫度調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性，該腔門25可垂直升降地設置於該烘箱腔體20底部，該腔門25係以氣壓式、液壓式或馬達驅動方式開啟、關閉，該腔門25內表面設置一處理框架28，該處理框架28上可放置待處理標的物，該待處理標的物可以是半導體晶片。

一氣體輸送單元5，該氣體輸送單元5包含一氣體輸入管路51、一氣體排出管路52、一氣體回收管路53及一氣體排放管路54，該氣體輸入管路51一端連接至少一該進氣岐管21，另一端連接一氣體源55或連結該氣體回收管路53，該氣體源55係為一空氣壓縮機或廠務氣體管路，該氣體源55將一預定壓力的氣體經由該氣體輸入管路51輸入該處理腔室27，該氣體排出管路52一端連接至少一該排氣岐管22，該氣體回收管路53一端連接該氣體輸入管路51，抑或直接連結至少一該進氣岐管21。

一氣體再處理裝置6，該氣體再處理裝置6包含一冷卻器61、至少一過濾器62、一加熱器63、一觸媒轉換器64以及一氣體回收器65，該氣體排出管路52另一端連接該氣體再處理裝置6，該處理腔室27內的氣體可經由氣體排出管路52流入該氣體再處理裝置6，藉由該冷卻器61來冷卻該氣體，透過至少一該過濾器62過濾流出該處理腔室27的氣體。藉由該加熱器63來加熱經由該氣體再處理裝置6流回該處理腔室27之氣體，並在加熱此氣體期間藉由該觸媒轉換器64處理該氣體。該氣體回收管路53 另一端連接該氣體再處理裝置6，利用該氣體回收器65將該處理腔室27內的氣體吸入該氣體再處理裝置6，該吸入之氣體可直接排出該氣體再處理裝置6或經再處理後流回該處理腔室27，該氣體回收器65為一風扇。

參閱第5及第6圖所示(其中和第一實施例相同的元件使用相同的元件符號)，本發明第三實施例係提供一種高溫烘箱的溫度調整設備，包括：一烘箱2，該烘箱2包含一烘箱腔體20、至少一進氣岐管21、至少一排氣岐管22、至少一加熱元件24及一腔門25，該烘箱腔體20內部形成一處理腔室27，該處理腔室27一側裝設至少一該進氣岐管21，另一側裝設至少一該排氣岐管22，至少一該進氣岐管21外周貫設複數個進氣孔211，各該進氣孔211呈等間距排列設置，至少一該排氣岐管22外周貫設複數個排氣孔221，各該排氣孔221呈等間距排列設置，至少一該加熱元件24設置於該烘箱腔體20內壁與至少一該進氣岐管21旁側間，氣體在至少一該進氣岐管21內，經由各該進氣孔211面對該烘箱腔體20內壁噴出，讓至少一該加熱元件24以熱對流方式對該處理腔室27加熱，使該處理腔室27籠罩在高溫及高壓的工作環境中，該處理腔室27內之工作溫度介於攝氏20度(室溫)至攝氏1500度的範圍，工作壓力變化範圍介於1大氣壓(atm)至100大氣壓(atm)之間，該腔門25可垂直升降地設置於該烘箱腔體20底部，該腔門25係以氣壓式、液壓式或馬達驅動方式開啟、關閉，該腔門25內表面設置一處理框架28，該處理框架28上可放置待處理標的物，該待處理標的物可以是半導體晶片。

一氣體輸送單元5，該氣體輸送單元5包含一氣體輸入管路51、一氣體排出管路52、一氣體回收管路53及一氣體排放管路54，該氣體輸入管路51一端連接至少一該進氣岐管21，另一端連接一氣體源55或連結該氣體回收管路53，該氣體源55係為一空氣壓縮機或廠務氣體管路，該氣體源55將一預定壓力的氣體經由該氣體輸入管路51輸入該處理腔室27，該氣體排出管路52一端連接至少一該排氣岐管22，該氣體回收管路53一端連接該氣體輸入管路51，抑或直接連結至少一該進氣岐管21。

一氣體再處理裝置6，該氣體再處理裝置6包含一冷卻器61、至少一過濾器62、一加熱器63、一觸媒轉換器64以及一氣體回收器65，該氣體排出管路52另一端連接該氣體再處理裝置6，該處理腔室27內 的氣體可經由氣體排出管路52流入該氣體再處理裝置6，藉由該冷卻器61來冷卻該氣體，透過至少一該過濾器62過濾流出該處理腔室27的氣體。藉由該加熱器63來加熱經由該氣體再處理裝置6流回該處理腔室27之氣體，並在加熱此氣體期間藉由該觸媒轉換器64處理該氣體。該氣體回收管路53另一端連接該氣體再處理裝置6，利用該氣體回收器65將該處理腔室27內的氣體吸入該氣體再處理裝置6，該吸入之氣體可直接排出該氣體再處理裝置6或經再處理後流回該處理腔室27，該氣體回收器65為一風扇。

前述，該氣體排放管路54一端連接該氣體再處理裝置6，藉由排放該氣體再處理裝置6內之氣體至外界。

前述，當該處理腔室27的製程需求溫度較高時，可在該氣體離開該氣體再處理裝置6之後並且返回到該處理腔室27內之前，於該氣體回收管路53設置一加熱器66及一觸媒轉換器67，以進一步加熱及/或處理離開氣體再處理裝置6的氣體，俾能縮短在該處理腔室27內加熱氣體的時間及/或利用催化反應將此氣體進行進一步淨化。

前述，該氣體夾雜氣態製程化學品流入各該排氣孔221，經由至少一排氣岐管22流出該處理腔室27外。

前述，當該腔門25開啟時同步將該處理框架28移出該處理腔室27外，可輕易地放置、取出標的物，該腔門25關閉時同步將該處理框架28移入該處理腔室27內，有效節省人力作業成本。

本發明之高溫烘箱的溫度調整設備，藉由加熱器63來加熱經由該氣體再處理裝置6流回該處理腔室27之氣體，縮短在該處理腔室27內加熱氣體的時間，有效提升氣體的加熱效率。

本發明之高溫烘箱的溫度調整設備，利用氣體回收器65將該處理腔室27內的氣體吸入該氣體再處理裝置6，該吸入之氣體經再處理後流回該處理腔室27，達到氣體回收再利用之目的，有效降低生產成本。

本發明之高溫烘箱的溫度調整設備，該處理腔室27內的氣體夾雜氣態製程化學品在製程完成後經由氣體排出管路52流入該氣體再處理裝置6，透過至少一該過濾器62濾除氣體中的製程化學品汙染物，可避免氣體回收再利用時該處理腔室27遭受汙染。

本發明之高溫烘箱的溫度調整設備，該處理腔室27內的氣 體可經由氣體排出管路52流入該氣體再處理裝置6，藉由該冷卻器61來冷卻該氣體，相較於直接在較高溫的該處理腔室27內進行氣體冷卻，且又無烘箱腔體20熱容量太大的影響，可有效提升氣體的冷卻效率。

本發明之高溫烘箱的溫度調整設備，該氣體經由各該進氣孔211噴出，擾動該處理腔室27內的氣體，形成熱對流，促進該處理腔室27內部的溫度調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性。

本發明之高溫烘箱的溫度調整設備，提供熱輻射加熱方式來解決習知烘箱的問題，但因熱輻射所產生的熱與熱源距離的四次方呈反比而有加熱不均勻的問題，因而本發明更進一步如上所述導入了高壓氣體輔之以微量熱對流的解決方案。

前文係針對本發明之較佳實施例為本發明之技術特徵進行具體之說明；惟，熟悉此項技術之人士當可在不脫離本發明之精神與原則下對本發明進行變更與修改，而該等變更與修改，皆應涵蓋於如下申請專利範圍所界定之範疇中。

2:烘箱

5:氣體輸送單元

6:氣體再處理裝置

20:烘箱腔體

21:進氣岐管

211:進氣孔

22:排氣岐管

221:排氣孔

23:內框套

231:容置空間

24:加熱元件

25:腔門

27:處理腔室

28:處理框架

51:氣體輸入管路

52:氣體排出管路

53:氣體回收管路

54:氣體排放管路

55:氣體源

61:冷卻器

62:過濾器

63:加熱器

64:觸媒轉換器

65:氣體回收器

66:加熱器

67:觸媒轉換器

Claims (16)

1. 一種高溫烘箱的溫度調整設備，包括：一烘箱，該烘箱包含一烘箱腔體、至少一進氣岐管、至少一排氣岐管、一內框套及至少一加熱元件，該烘箱腔體內部形成一處理腔室，該處理腔室一側裝設至少一該進氣岐管，另一側裝設至少一該排氣岐管，至少一該進氣岐管外周貫設複數個進氣孔，至少一該排氣岐管外周貫設複數個排氣孔，該烘箱腔體內壁環設該內框套，該內框套內部形成一環狀的容置空間，該容置空間內設置至少一該加熱元件，透過至少一該加熱元件對該內框套加熱，再經由該內框套以熱輻射方式對該處理腔室加熱，使該處理腔室籠罩在高溫及高壓的工作環境中，在至少一該進氣岐管內的氣體，經由各該進氣孔面對該烘箱腔體內壁噴出，擾動該處理腔室內的氣體，並藉由至少一該排氣岐管上面對該烘箱腔體內壁的各該排氣孔，將該處理腔室內的氣體排出而形成熱對流；及一氣體再處理裝置，該處理腔室內的氣體流入該氣體再處理裝置，藉由該氣體再處理裝置處理該氣體。
2. 一種高溫烘箱的溫度調整設備，包括：一烘箱，該烘箱包含一烘箱腔體、至少一進氣岐管、至少一排氣岐管及至少一加熱套，該烘箱腔體內部形成一處理腔室，該處理腔室一側裝設至少一該進氣岐管，另一側裝設至少一該排氣岐管，至少一該進氣岐管外周貫設複數個進氣孔，至少一該排氣岐管外周貫設複數個排氣孔，該烘箱腔體外壁環設至少一該加熱套，至少一該加熱套對該烘箱腔體外壁加熱，再經由該烘箱腔體以熱輻射方式對該處理腔室加熱，使該處理腔室籠罩在高溫及高壓的工作環境中，在至少一該進氣岐管內的氣體，經由各該進氣孔面對該烘箱腔體內壁噴出，擾動該處理腔室內的氣體，並 藉由至少一該排氣岐管上面對該烘箱腔體內壁的各該排氣孔，將該處理腔室內的氣體排出而形成熱對流；及一氣體再處理裝置，該處理腔室內的氣體流入該氣體再處理裝置，藉由該氣體再處理裝置處理該氣體。
3. 一種高溫烘箱的溫度調整設備，包括：一烘箱，該烘箱包含一烘箱腔體、至少一進氣岐管、至少一排氣岐管及至少一加熱元件，該烘箱腔體內部形成一處理腔室，該處理腔室一側裝設至少一該進氣岐管，另一側裝設至少一該排氣岐管，至少一該進氣岐管外周貫設複數個進氣孔，至少一該排氣岐管外周貫設複數個排氣孔，至少一該加熱元件設置於該烘箱腔體內壁與至少一該進氣岐管旁側間，氣體在至少一該進氣岐管內，經由各該進氣孔面對該烘箱腔體內壁噴出，讓至少一該加熱元件以熱對流方式對該處理腔室加熱，使該處理腔室籠罩在高溫及高壓的工作環境中；及一氣體再處理裝置，該處理腔室內的氣體流入該氣體再處理裝置，藉由該氣體再處理裝置處理該氣體。
4. 如申請專利範圍第1或3項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中至少一該加熱元件係為加熱套、加熱板、加熱絲或加熱棒。
5. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，更包含一氣體輸送單元，該氣體輸送單元包含一氣體輸入管路、一氣體排出管路及一氣體回收管路，該氣體輸入管路一端連接至少一該進氣岐管，另一端連接一氣體源或連結該氣體回收管路，該氣體源將一預定壓力的氣體經由該氣體輸入管路輸入該處理腔室，該氣體排出管路一端連接至少一該排氣岐管，另一端連接該氣體再處理裝置，該氣體回收管路一端 連接該氣體輸入管路或直接連結至少一該進氣岐管，另一端連接該氣體再處理裝置。
6. 如申請專利範圍第5項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中該氣體輸送單元更包含一氣體排放管路，該氣體排放管路一端連接該氣體再處理裝置，藉由排放該氣體再處理裝置內之氣體至外界。
7. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中該烘箱更包含一腔門，該腔門可垂直升降地設置於該烘箱腔體底部。
8. 如申請專利範圍第7項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中該腔門係以氣壓式、液壓式或馬達驅動方式開啟、關閉。
9. 如申請專利範圍第7項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中該腔門內表面設置一處理框架，當該腔門開啟時同步將該處理框架移出該處理腔室外，該腔門關閉時同步將該處理框架移入該處理腔室內。
10. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中該氣體再處理裝置包含一冷卻器，藉由該冷卻器來冷卻該氣體再處理裝置內之氣體。
11. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中該氣體再處理裝置更包含至少一過濾器，透過至少一該過濾器過濾流出該處理腔室的氣體。
12. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中該氣體再處理裝置更包含一氣體回收器，利用該氣體回收器將該處理腔室內的氣體吸入該氣體再處理裝置，該吸入之氣體可直接排出該氣體再處理裝置或經再處理後流回該處理腔室。
13. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中該氣體再處理裝置更包含一加熱器，藉由該加熱器來加熱經由該氣體再處理裝置流回該處理腔室之氣體。
14. 如申請專利範圍第13項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中該氣體再處理裝置更包含一觸媒轉換器，在加熱氣體期間藉由該觸媒轉換器處理該氣體。
15. 如申請專利範圍第第1、2或3項項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中當該處理腔室的製程需求溫度較高時，可在該氣體離開該氣體再處理裝置之後並且返回到該處理腔室內之前，於該氣體回收管路設置一加熱器，以加熱離開該氣體再處理裝置的氣體，藉由縮短在該處理腔室內加熱氣體的時間。
16. 如申請專利範圍第15項所述之高溫烘箱的溫度調整設備，其中在該加熱器加熱該氣體期間，可使用一觸媒轉換器處理離開該氣體再處理裝置的氣體，利用催化反應將氣體進行淨化。

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