TWI733014B

TWI733014B - 密封薄膜、電子零件裝置的製造方法及電子零件裝置

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Publication number: TWI733014B
Application number: TW107111178A
Authority: TW
Inventors: 野村豐; 渡瀨裕介; 荻原弘邦; 金子知世; 鈴木雅彥
Original assignee: 日商昭和電工材料股份有限公司
Priority date: 2017-03-31
Filing date: 2018-03-30
Publication date: 2021-07-11
Also published as: KR102440947B1; JPWO2018181761A1; CN117438381A; CN110462818B; KR20190132401A; WO2018181761A1; CN110462818A; TW201903989A; JP7115469B2

Abstract

本發明揭示一種密封薄膜，其用以密封電子零件，該密封薄膜具備密封樹脂層，該密封樹脂層具有第一樹脂層及第二樹脂層，該第一樹脂層含有第一熱硬化性樹脂和第一無機填充劑，該第二樹脂層含有第二熱硬化性樹脂和第二無機填充劑。第二樹脂層的硬化收縮率大於第一樹脂層的硬化收縮率，該第二樹脂層具有密封面，該密封面在將電子零件密封時朝向電子零件側。

Description

密封薄膜、電子零件裝置的製造方法及電子零件裝置

本發明關於一種密封薄膜，尤其關於一種密封薄膜、使用了該密封薄膜而成的半導體裝置等的電子零件裝置的製造方法及電子零件裝置，該密封薄膜可用於半導體晶片等的半導體元件的密封、或被配置在印刷線路基板上的電子零件的埋入等。

伴隨電子機器的輕薄短小化，半導體裝置亦朝向小型化和薄型化發展。並且，亦盛行採用一種與半導體晶片大致相同大小的半導體裝置、或在該半導體裝置上堆疊半導體裝置而成的堆疊式封裝(Package on Package)這樣的構裝形態。所以可預測，今後的半導體裝置的小型化和薄型化會進一步發展。

若半導體晶片朝向微細化發展，並且端子數增加，就會變得難以在半導體晶片上設置全部的外部連接用的端子。例如，當設置多數個外部連接用的端子時，會使得端子間的間距(pitch)變窄，並且端子的高度會變低，而會難以確保構裝後的半導體裝置的連接可靠性。因此，為了實現半導體裝置的小型化和薄型化，提案有多數種新的構裝方式。

例如，已提案有下述構裝方法及使用該構裝方法製成的半導體裝置(例如，參照專利文獻1~4)，該構裝方法是將半導體晶片以適當的間隔進行重新配置後，使用固態或液態的密封樹脂進行密封，然後在所得到的密封成形物的密封樹脂部分進一步設置外部連接用的端子，該半導體晶片是由半導體晶圓所製成並且經單片化而成。

重新配置後的半導體晶片的密封，通常是以使用液態或固態的樹脂密封材料的模造成形來實行。在上述的構裝方式中，針對藉由密封所製成的密封成形物，可實施形成線路和形成外部連接用的端子等的步驟，該等步驟用以配置外部連接用的端子。

因為形成配線和外部端子的步驟是針對密封成形物來實行，所以進行重新配置的半導體晶片越多，便可增加在一次步驟中能夠製作的半導體裝置。因此，正在研究密封成形物的大型化。例如，為了對應於形成線路時的半導體製造裝置的使用，有時會將密封成形物成形為晶圓形狀。此時，利用將晶圓大尺寸化，來謀求製造步驟的精簡化和降低成本(例如，參照專利文獻5和6)。另一方面，為了能夠進一步大尺寸化，並能夠使用比半導體製造裝置更便宜的印刷線路板製造裝置等，亦正在研究密封成形物的面板(panel)化。

[先前專利文獻] (專利文獻)

專利文獻1：日本專利第3616615號公報

專利文獻2：日本特開2001-244372號公報

專利文獻3：日本特開2001-127095號公報

專利文獻4：美國專利申請公開案第2007/205513號說明書

專利文獻5：日本專利第5385247號公報

專利文獻6：日本特開2012-224062號公報

然而，若密封成形物大型化，將經熱硬化的密封樹脂冷卻至室溫時，其所產生的密封成形物的翹曲的問題會有變得顯著的傾向。產生在密封成形物的翹曲，會成為切割步驟和重新佈線步驟中的位置偏移的原因，而導致封裝體的可靠性降低。又，若翹曲較大，例如會有下述難以形成用來進行重新佈線的絕緣樹脂層的可能性：當重新佈線用的絕緣樹脂是液態材料時，無法將密封成形物固定在用以塗佈液態材料的塗佈治具上的不良情況等。

有鑑於上述情況，本發明的目的在於提供：一種密封薄膜，其能夠充分地抑制密封成形物的翹曲；以及，一種電子零件裝置的製造方法及電子零件裝置，該等方法及裝置使用了該密封薄膜。

本發明的一實施態樣，提供一種密封薄膜，其用以密封電子零件，該密封薄膜具備密封樹脂層，該密封樹脂層具有第一樹脂層與第二樹脂層，該第一樹脂層含有第一熱硬化性樹脂和第一無機填充劑，該第二樹脂層含有第二熱硬化性樹脂和第二無機填充劑。第二樹脂層具有密封面，該密封面在將電子零件密封時朝向電子零件側，並且第二樹脂層和第一樹脂層自密封面側起依序被積層。第二樹脂層的硬化收縮率大於第一樹脂層的硬化收縮率。

本發明中的一實施態樣的密封薄膜，藉由具有上述構成，而能夠充分地抑制密封成形物的翹曲。

第二樹脂層的硬化收縮率相對於第一樹脂層的硬化收縮率的比，可以超過1且未滿10。

第一熱硬化性樹脂和第二熱硬化性樹脂，可以是相同的環氧樹脂或互為不同的環氧樹脂。

本發明中的另一實施態樣，提供一種電子零件裝置的製造方法，其具備：埋入電子零件的步驟，其在加熱下，將上述本發明中的一實施態樣的密封薄膜的密封樹脂層、及與該密封樹脂層的密封面相對向配置的電子零件進行按壓，藉此將電子零件埋入密封樹脂層中；及，形成密封部的步驟，其使密封樹脂層硬化，來形成密封樹脂層的硬化物也就是密封有電子零件之密封部。

本發明的其他實施態樣，提供一種電子零件裝置，其具備電子零件、及密封有電子零件之密封部。密封部，可以是上述本發明中的密封薄膜的密封樹脂層的硬化物。電子零件，可以在密封部中被第二樹脂層的硬化物包圍。

針對電子零件裝置和其製造方法，電子零件可以包含半導體晶片。此時，電子零件裝置一般而言是半導體裝置。

根據本發明的一實施態樣，可提供一種密封薄膜，其能夠充分地抑制密封成形物的翹曲。又，亦可提供一種電子零件裝置的製造方法，該電子零件裝置是使用了該密封薄膜之半導體裝置等；及，一種電子零件裝置，其是半導體裝置等。

1:第一樹脂層

1a:第一樹脂層的硬化物

2:第二樹脂層

2a:第二樹脂層的硬化物

3:樹脂密封材料

3a:樹脂密封材料的硬化物

10:密封薄膜(密封樹脂層)

10a:密封樹脂層的硬化物

20:半導體晶片

30:基板

40:暫時固定材料

50:絕緣層

52:經圖案化的絕緣層

54:線路

56:焊球

60:切割機

100:密封成形物

200:半導體裝置

2S:密封面

第1圖是顯示一實施形態的密封薄膜的概略剖面圖。

第2圖(a)是利用先前的單層密封薄膜來密封半導體晶片後的密封成形物的概略剖面圖；第2圖(b)是利用硬化收縮率不同的一實施形態的密封薄膜來密封半導體晶片後的密封成形物的概略剖面圖。

第3圖是用以說明半導體裝置的製造方法的一實施形態的概略剖面圖。

第4圖是用以說明半導體裝置的製造方法的一實施形態的概略剖面圖。

以下，一邊適當參照圖式，一邊詳細地說明本發明的實施形態。但是，本發明並未限定於以下的實施形態。

第1圖是顯示一實施形態的密封薄膜的概略剖面圖。本實施形態的密封薄膜，是用以密封電子零件的密封薄膜，其具備密封樹脂層10，該密封樹脂層10是由第一樹脂層1與第二樹脂層2構成的雙層結構，該第一樹脂層1含有第一熱硬化性樹脂和第一無機填充劑，該第二樹脂層2含有第二熱硬化性樹脂和第二無機填充劑。第二樹脂層2側的主面是密封面2S，其在密封電子零件時朝向電子零件側。

第二樹脂層2的硬化收縮率大於第一樹脂層1的硬化收縮率。藉由使用這樣的密封薄膜來密封電子零件，即便在大型的密封成形物的情況下，亦能夠抑制密封薄膜經熱硬化後回溫至室溫時的密封成形物發生翹曲。進一步，能夠以良好的埋入性來密封電子零件。

可獲得這樣效果的理由，並未特別限定，但是本發明人認為如下。首先，通常在藉由樹脂密封材料而進行的密封中，半導體晶片等的被密封體的線膨脹係數與樹脂密封材料的線膨脹係數會有差異，所以當樹脂密封材料經熱硬化後回溫至室溫時，樹脂密封材料的收縮量與被密封體的收縮量會產生較大的差異。例如，使用矽晶片來作為半導體晶片並使用環氧樹脂密封材料來製作密封成形物時，相對於矽晶片的線膨脹係數3.4ppm/℃，環氧樹脂密封材料的線膨脹係數，即便在無機填充劑是以較高比率來填充時仍為6ppm/℃左右，伴隨這樣的線膨脹係數的差異，在矽晶片與環氧樹脂密封材料之間的熱收縮量也會產生差異。因此，例如第2圖(a)所示，在利用單層的密封薄膜3來密封半導體晶片20所得到的密封成形物100中，通常，在樹脂密封材料的硬化物3a側，也就是並未埋有收縮量較小的半導體晶片20之側，會產生成為凹陷方向的翹曲。

相對於此，在本實施形態的密封薄膜的情況，認為會如第2圖(b)所示，當在第二樹脂層2側埋有半導體晶片20時，比起第一樹脂層1，第二樹脂層2的熱收縮量較大，所以第二樹脂層2與半導體晶片20的熱收縮量的總量，會成為與第一樹脂層1的熱收縮量接近的值。在經熱硬化後，伴隨第一樹脂層的硬化物1a的熱收縮產生的翹曲，會與伴隨第二樹脂層的硬化物2a的熱收縮產生的翹曲互相抵消，作為其結果，能夠抑制密封成形物100的翹曲，該密封成形物100是由密封薄膜的硬化物也就是密封部10a和被其所密封的半導體晶片20所構成。

又，針對本實施形態的密封薄膜，硬化收縮率較高的第二樹脂層，相較於硬化收縮率較低的第一樹脂層，在藉由加熱進行硬化的過程中容易具有相對較高的流動性。因此，藉由將電子零件埋在第二樹脂層側，亦能夠以良好的埋入性來密封電子零件，該良好的埋入性是指可抑制產生未被填充的情況。

進一步，本實施形態的密封薄膜的情況，因為不會受到第一樹脂層和第二樹脂層的彈性係數的限制，所以能夠應用彈性係數較高的材料來作為熱硬化性樹脂。因此，本實施形態的密封薄膜，處理性優異，並且從不易產生下述問題的觀點來看亦優異，該等問題是：半導體晶片等的電子零件的位置偏移、及由於設置重新佈線層後的重新佈線層的應力而造成的翹曲。

第一樹脂層和第二樹脂層的硬化收縮率，例如，能夠基於各樹脂層在加熱硬化前後的比重的變化，利用以下的方法來決定。當加熱硬化前在23℃時的樹脂層的比重為d₀，且在加熱硬化後冷卻至23℃為止的樹脂層的比重為d₁時，能夠藉由下述公式來求得硬化收縮率：硬化收縮率(%)={(d₁-d₀)/d₁}×100。加熱硬化是在特定的壓力下(例如3MPa)實行。用以進行加熱硬化的加熱條件，是以使樹脂層充分地硬化且由於硬化而產生的體積變化變得不會實質地產生的方式來進行調整。又，亦能夠根據各樹脂層在加熱硬化前後的體積變化來求得硬化收縮率。具體而言，能夠基於在加熱硬化前後的體積變化的差值相對於各樹脂層在加熱硬化前的體積的比例來決定。例如，使用壓力-體積-溫度(PVT)試驗機，便能夠從被填充至模具的樹脂層的樣品對於溫度的體積變化，來求得硬化收縮率(收縮量)。此時，藉由將樣品保持在硬化溫度，直到樣品變得不會實質地進行體積變化為止，便能夠求得硬化收縮率。硬化收縮率，不僅是伴隨熱硬化樹脂的硬化反應的收縮，亦包含了由於溶劑的揮發等的伴隨硬化處理而使構成材料減少所造成的收縮。

第二樹脂層的硬化收縮率相對於第一樹脂層的硬化收縮率的比，只要大於1則無特別限制，從更有效地抑制密封成形物的翹曲的觀點來看，可以是1.05以上、1.10以上或1.15以上。第二樹脂層的硬化收縮率相對於第一樹脂層的硬化收縮率的比的上限並無特別限制，例如是未滿10。

第一樹脂層的硬化收縮率，從抑制翹曲和成形物的尺寸穩定性的觀點來看，例如可以是0.4%以下、0.3%以下或0.2%以下。

第二樹脂層的硬化收縮率，從利用硬化收縮而更有效地矯正翹曲的觀點來看，例如可以是0.2%以上、0.3%以上或0.4%以上。第二樹脂層的硬化收縮率，從成形物的尺寸穩定性的觀點來看，例如可以是2.0%以下、1.5%以下或1.0%以下。

調整第一樹脂層和第二樹脂層的硬化收縮率的方法，並無特別限制。例如，可以藉由選自下述方法中的1種以上來調整第一樹脂層和第二樹脂層的硬化收縮率：選擇互為不同種類的熱硬化性樹脂來作為第一樹脂層所含有的第一硬化性樹脂、及第二樹脂層所含有的第二硬化性樹脂的方法；改變硬化劑或硬化觸媒的種類及/或含量的方法；以及，在形成第一樹脂層和第二樹脂層的過程中改變熱歷程的程度來調整硬化率的方法。

當是利用熱歷程的方法時，藉由增大在形成樹脂層的過程中的熱歷程，便能夠提高硬化率。一般而言，若硬化率變高，自其狀態進行加熱硬化的硬化收縮率就會有變小的傾向。熱歷程的大小，例如能夠藉由用以形成第一樹脂層和第二樹脂層的乾燥溫度及乾燥時間來調整。亦可以藉由下述方式來相對地提高第一樹脂層的硬化率：將用以形成第二樹脂層的清漆狀的樹脂組成物塗佈在第一樹脂層上，並使塗佈後的清漆狀樹脂組成物與第一樹脂層一起加熱，便能夠使第一樹脂層所受到的熱歷程比第二樹脂層所受到的熱歷程更大。硬化率，例如能夠基於利用示差掃描熱量測定裝置測得的硬化發熱量來評價。以用於形成樹脂層的樹脂組成物(無溶劑或清漆)中的硬化發熱量作為基準(硬化率0%)計，便能夠根據樹脂層相對於上述基準的硬化發熱量的比，來求得硬化率。

第一樹脂層和第二樹脂層的厚度，並無特別限制，例如，可以各自是30~800μm、50~500μm或80~300μm。只要厚度是30μm以上，尤其容易獲得電子零件的良好的埋入性。只要厚度是800μm以下，便能夠以更高的水準來獲得本發明的效果。第一樹脂層和第二樹脂層的厚度，可以各自略同，亦可以各自不同，當為不同時，從抑制翹曲和電子零件的薄型化的觀點來看，第一樹脂層的厚度可以比第二樹脂層的厚度更薄。第一樹脂層和第二樹脂層的合計厚度(密封樹脂層的厚度)，並無特別限制，可以是50~1000μm。

第一樹脂層含有第一熱硬化性樹脂和第一無機填充劑，第二樹脂層含有第二熱硬化性樹脂和第二無機填充劑。第一熱硬化性樹脂和第二熱硬化性樹脂，可以相同，亦可以互為不同，但是藉由組合互為不同的熱硬化性樹脂，可成為用以將第一樹脂層和第二樹脂層的硬化收縮率設為不同的方法。第一熱硬化性樹脂和第二熱硬化性樹脂，可以各自是以下所說明的熱硬化性樹脂。此處，所謂的「相同」，意指作為熱硬化性樹脂的化合物的結構實質上相同。

熱硬化性樹脂，只要是可藉由熱硬化反應來形成交聯結構體之化合物即可，作為其例，可列舉：環氧樹脂、苯酚樹脂、不飽和醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂、異氰酸酯樹脂、苯并噁嗪(benzoxazine)樹脂、環氧丙烷(oxetane)樹脂、胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、烯丙樹脂、雙環戊二烯樹脂、矽氧樹脂、三氮雜苯樹脂、及三聚氰胺樹脂。該等可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。該等熱硬化性樹脂，能夠依據需要組合硬化劑及/或硬化觸媒。從流動性優異、適合用於電子零件的埋入等觀點來看，能夠使用環氧樹脂。

環氧樹脂，並無特別限定，只要是在1分子中具有2個以上的環氧基(或環氧丙基)之化合物即可。作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚AP型環氧樹脂(1,1-雙(4-羥苯基)-1-苯基乙烷二環氧丙基醚)、雙酚AF型環氧樹脂(2,2-雙(4-羥苯基)六氟丙烷二環氧丙基醚)、雙酚B型環氧樹脂(2,2-雙(4-羥苯基)丁烷二環氧丙基醚)、雙酚BP型環氧樹脂(雙(4-羥苯基)二苯甲烷二環氧丙基醚)、雙酚C型環氧樹脂(2,2-雙(3-甲基-4-羥苯基)丙烷二環氧丙基醚)、雙酚E型環氧樹脂(1,1-雙(4-羥苯基)乙烷二環氧丙基醚)、雙酚F型環氧樹脂、雙酚G型環氧樹脂(2,2-雙(4-羥基-3-異丙苯基)丙烷二環氧丙基醚)、雙酚M型環氧樹脂(1,3-雙[2-(4-羥苯基)-2-丙基]苯二環氧丙基醚)、雙酚P型環氧樹脂(1,4-雙(2-(4-羥苯基)-2-丙基)苯二環氧丙基醚))、雙酚PH型環氧樹脂(5,5’-(1-甲基亞乙基)-雙[1,1’-(二苯)-2-醇]丙烷二環氧丙醚)、雙酚TMC型環氧樹脂(1,1-雙(4-羥苯基)-3,3,5-三甲基環己烷二環氧丙基醚)、雙酚Z型環氧樹脂(1,1-雙(4-羥苯基)環己烷二環氧丙基醚)、己二醇雙酚S二環氧丙基醚等的雙酚S型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂(苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等)、聯苯型環氧樹脂、聯苯芳烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、酚類與具有酚性羥基之芳香族醛之縮合物的環氧化物、雙環戊二烯型環氧樹脂、雙環戊二烯芳烷型環氧樹脂、聯二甲酚二環氧丙基醚等的聯二甲酚(bixylenol)型環氧樹脂、氫化雙酚A環氧丙基醚等的氫化雙酚A型環氧樹脂、及該等的二元酸改質二環氧丙基醚型環氧樹脂；三聚異氰酸參(2,3-環氧基丙基)酯；及，脂肪族環氧樹脂。

作為環氧樹脂，能夠使用市售品。作為市售的環氧樹脂，可列舉：DIC股份有限公司製造的EXA4700(4官能萘型環氧樹脂)、日本化藥股份有限公司製造的NC-7000(含有萘骨架之多官能固態環氧樹脂) 等的萘型環氧樹脂；日本化藥股份有限公司製造的EPPN-502H(三酚環氧樹脂)等的酚類與具有酚性羥基之芳香族醛之縮合物的環氧化物；DIC股份有限公司製造的EPICLON HP-7200H(含有雙環戊二烯骨架之多官能固態環氧樹脂)等的雙環戊二烯芳烷型環氧樹脂；日本化藥股份有限公司製造的NC-3000H(含有聯苯骨架之多官能固態環氧樹脂)等的聯苯芳烷型環氧樹脂；DIC股份有限公司製造的EPICLON N660和EPICLON N690、日本化藥股份有限公司製造的EOCN-104S等的酚醛清漆型環氧樹脂；日產化學工業股份有限公司製造的TEPIC等三聚異氰酸參(2,3-環氧基丙基)酯、DIC股份有限公司製造的EPICLON 860、EPICLON 900-IM、EPICLON EXA-4816及EPICLON EXA-4822、ASAHI-CIBA股份有限公司製造的Araldite AER280、東都化成股份有限公司製造的Epotec YD 134、三菱化學股份有限公司製造的jER834、jER872、住友化學股份有限公司製造的ELA-134、三菱化學股份有限公司製造的EPIKOTE 807、EPIKOTE 815、EPIKOTE 825、EPIKOTE 827、EPIKOTE 828、EPIKOTE 834、EPIKOTE 1001、EPIKOTE 1004、EPIKOTE 1007、EPIKOTE 1009、陶氏化學公司製造的DER-330、DER-301、DER-361、東都化成股份有限公司製造的YD8125、YDF8170等的雙酚A型環氧樹脂；三菱化學股份有限公司製造的jER 806等的雙酚F 型環氧樹脂；DIC股份有限公司製造的EPICLON HP-4032等的萘型環氧樹脂；DIC股份有限公司製造的EPICLON HP-4032等的萘型環氧樹脂；DIC股份有限公司製造的EPICLON N-740等的苯酚酚醛清漆型環氧樹脂；NAGASE CHEMTEX股份有限公司製造的DENACOL DLC301等的脂肪族環氧樹脂(以上，皆為商品型號)。該等環氧樹脂，可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。

第一樹脂層中的第一熱硬化性樹脂的含量，即便在後述的無機填充劑的存在下，從充分地確保薄膜形成性的觀點來看，以第一樹脂層的總量作為基準計，可以是5質量%以上、10質量%以上或15質量%以上。從使硬化收縮進一步降低的觀點來看，第一樹脂層中的第一熱硬化性樹脂的含量，以第一樹脂層的總量作為基準計，可以是40質量%以下、30質量%以下或20質量%以下。

第二樹脂層中的第二熱硬化性樹脂的含量，從更有效地矯正由於硬化收縮所造成的翹曲的觀點來看，以第二樹脂層的總量作為基準計，可以是10質量%、15質量%以上或20質量%以上。從密封成形物的尺寸穩定性的觀點來看，第二樹脂層中的第二熱硬化性樹脂的含量，以第二樹脂層的總量作為基準計，可以是45質量%以下、35質量%以下或30質量%以下。

能夠與熱硬化性樹脂組合的硬化劑，並無特別限定，例如當使用環氧樹脂作為熱硬化性樹脂時，硬化劑可以是在1分子中具有2個以上的可與環氧基(環氧丙基)進行反應的反應基之化合物。硬化劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。

作為硬化劑，例如可列舉：苯酚樹脂、酸酐、咪唑化合物、脂肪族胺、脂環族胺。

作為苯酚樹脂，只要是在1分子中具有2個以上的酚性羥基之化合物，並無特別限制。作為苯酚樹脂，例如可列舉：在酸性觸媒下，使酚類化合物或萘酚類化合物與醛類化合物縮合或共縮合所獲得之樹脂，前述酚類是苯酚、甲酚、二甲酚、間苯二酚、鄰苯二酚、雙酚A及雙酚F等，前述萘酚類是α-萘酚、β-萘酚及二羥基萘等，前述醛類是甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛及柳醛等；聯苯骨架型苯酚樹脂；對二甲苯改質苯酚樹脂；間二甲苯/對二甲苯改質苯酚樹脂；三聚氰胺改質苯酚樹脂；萜烯改質苯酚樹脂；雙環戊二烯改質苯酚樹脂；環戊二烯改質苯酚樹脂；多環芳香環改質苯酚樹脂；及，二甲苯改質萘酚樹脂等。

作為苯酚樹脂，能夠使用市售品。作為市售的苯酚樹脂，例如可列舉：大日本油墨化學工業股份有限公司製造的PHENOLITE LF 2882、PHENOLITE LF 2822、PHENOLITE TD-2090、PHENOLITE TD-2149、PHENOLITE VH-4150及PHENOLITE VH4170；旭有機材料工業股份有限公司製造的PAPS-PN2；三井化學股份有限公司製造的XLC-LL及 XLC-4L；新日鐵住金化學股份有限公司製造的SN-100、SN-180、SN-300、SN-395及SH-400；本州化學工業股份有限公司製造的Tris P-HAP、Tris P-PA、Tris P-PHBA、CyRS-PRD4及MTPC；Air Water股份有限公司製造的SK resin HE910-10(以上，皆為商品型號)。

硬化劑的含量，並無特別限定，例如當使用環氧樹脂作為熱硬化性樹脂、並使用苯酚樹脂作為硬化劑時，環氧基與酚性羥基的當量比(環氧基/酚性羥基)，可以是0.5~3.0或1.0~1.5。當是其他硬化劑時，環氧基與可與環氧基進行反應的反應基的當量比(環氧基/可與環氧基進行反應的反應基)，可以是0.5~3.0或1.0~1.5。

可與環氧樹脂組合的硬化觸媒，並無特別限制，較佳是胺系、咪唑系、尿素系或磷系硬化觸媒。作為胺系硬化觸媒，可列舉：1,8-重氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯、1,5-重氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯等。作為咪唑系硬化觸媒，可列舉：2-乙基-4甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑等。作為尿素硬化觸媒，可列舉：3-苯基-1,1-二甲脲等。作為磷系硬化觸媒，可列舉：三苯膦及其加成反應物、(4-羥苯基)二苯膦、雙(4-羥苯基)苯膦、參(4-羥苯)膦等。該等之中，尤其是咪唑系硬化促進劑，其衍生物豐富並容易獲得期望的活性溫度。作為咪唑系硬化促進劑的市售品，例如可列舉：四國化成工業股份有限公司製造的2PHZ-PW及2P4MZ。

硬化觸媒的含量，並無特別限制，例如相對於熱硬化性樹脂的合計量100質量份，可以是0.05~1.0質量份或0.1~0.5質量份。

第一無機填充劑和第二無機填充劑，可以是相同種類，亦可以是互為不同的種類。

作為無機填充劑，例如可列舉：硫酸鋇、鈦酸鋇、非晶二氧化矽、結晶型二氧化矽、熔融二氧化矽、球狀二氧化矽、滑石、黏土、碳酸鎂、碳酸鈣、氧化鋁、氫氧化鋁、氮化矽、氮化鋁等的粒子。從具有較小的熱膨脹係數而容易獲得期望的硬化膜特性這樣的觀點來看，作為無機填充劑，較佳是二氧化矽粒子。無機填充劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。無機填充劑的形狀，不限於球狀，亦可以是片狀(flake，板狀)或纖維狀。第二樹脂層中所包含的第二無機填充劑，從電子零件的埋入性的觀點來看，可以是能夠容易獲得流動性的球狀無機填充劑。

無機填充劑可以被表面改質。表面改質的手法並未特別限定。使用矽烷耦合劑的方法，因為簡便，並且能夠利用具有種類豐富的官能基之矽烷耦合劑，而容易賦予期望的特性。作為矽烷耦合劑，例如可列舉：烷基矽烷、烷氧基矽烷、乙烯基矽烷、環氧基矽烷、胺基矽烷、丙烯基矽烷、甲基丙烯基矽烷、巰基矽烷、硫化物矽烷、異氰酸酯矽烷、硫基矽烷、苯乙烯基矽烷、及烷基氯矽烷。

作為矽烷耦合劑的具體例，可列舉：甲基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三苯氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、異丁基三甲氧基矽烷、二異丁基二甲氧基矽烷、異丁基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、環己基甲基二甲氧基矽烷、正辛基三乙氧基矽烷、正十二烷基甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、三苯基矽醇、甲基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氯矽烷、正辛基二甲基氯矽烷、四乙氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-(2-胺乙基)胺丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺乙基)胺丙基甲基二甲氧基矽烷、3-苯基胺丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、雙[3-(三乙氧基矽基)丙基]二硫化物、雙[3-(三乙氧基矽基)丙基]四硫化物、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、二烯丙基二甲基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-巰丙基三甲氧基矽烷、3-巰丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰丙基三乙氧基矽烷、N-(1,3-二甲基亞丁基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷及胺基矽烷。該等矽烷耦合劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。

無機填充劑的平均粒徑，並無特別限制，例如可以是0.01~50μm。無機填充劑的平均粒徑，例如可藉由雷射繞射散射法來測定。

第一樹脂層中的第一無機填充劑的含量，從降低熱收縮量的觀點來看，以第一樹脂層的總量作為基準計，可以是60質量%以上、70質量%以上或80質量%以上。從充分地確保薄膜形成性的觀點來看，第一樹脂層中的第一無機填充劑的含量，以第一樹脂層的總量作為基準計，可以是95質量%以下、90質量%以下或85質量%以下。

第二樹脂層中的第二無機填充劑的含量，從密封成形物的尺寸穩定性的觀點來看，以第二樹脂層的總量作為基準計，可以是55質量%以上、65質量%以上或70質量%以上。從充分地確保薄膜形成性的觀點來看，第二樹脂層中的第二無機填充劑的含量，以第二樹脂層的總量作為基準計，可以是95質量%以下、90質量%以下或85質量%以下。

第一樹脂層和第二樹脂層，可以包含上述成分以外的成分。如此的成分，可以是一般用於密封薄膜的成分。作為其例，可列舉：抗氧化劑、難燃劑、離子捕捉劑、顏料、染料、矽烷耦合劑及彈性體。

密封薄膜，可以進一步具備薄膜狀的支撐體。此時，第一樹脂層和第二樹脂層通常可依序自支撐體側來設置。支撐體，只要能夠在密封後去除，則無特別限定，例如能夠是高分子薄膜或金屬箔。

作為可用來作為支撐體的高分子薄膜，例如可列舉：聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等的聚烯烴薄膜；聚對苯二甲酸乙二酯等的聚酯薄膜；聚氯化乙烯薄膜；聚碳酸酯薄膜；乙酸纖維素薄膜；聚醯亞胺薄膜；聚醯胺薄膜；及，四氟乙烯薄膜。作為可用來作為支撐體的金屬箔，例如可列舉銅箔及鋁箔。

薄膜狀的支撐體，為了易於進行剝離，可以是經脫模處理而成者。作為脫模處理的方法，例如可列舉將脫模劑塗佈在支撐體的表面上並進行乾燥的方法。作為脫模劑，例如可列舉：矽氧烷系、氟系及烯烴系的脫模劑。金屬箔，可以是利用酸等對其表面進行蝕刻而成者。

薄膜狀的支撐體的厚度並無特別限制，從利用塗佈來形成樹脂層時的作業性和乾燥性的觀點來看，可以是2~200μm。只要支撐體的厚度是2μm以上，當為了形成樹脂層而將清漆狀樹脂組成物進行塗佈時，支撐體發生破損、或由於清漆狀樹脂組成物的重量而造成支撐體變形的疑慮較少。只要支撐體的厚度是200μm以下，即便在使用主要是自塗佈面和背面這兩面吹拂熱風來進行乾燥的乾燥機時，仍能夠有效率地實行清漆狀樹脂組成物的乾燥(去除有機溶劑)。

密封薄膜，以保護第一樹脂層和第二樹脂層為目的，可以進一步具備保護層(例如，保護薄膜)，該保護層包覆了主要面，該主要面位於密封樹脂層(或第二樹脂層)的支撐體的相反側。藉由設置保護層，可提升密封薄膜的處理性，並且當捲取密封薄膜時，能夠避免樹脂層黏附在支撐體的背面上這樣的不良情況。

作為保護層，並無特別限定，例如能夠使用與例示於上述薄膜狀的支撐體相同者。

保護層的厚度，並無特別限定，從充分的保護效果及降低將密封薄膜捲繞為捲筒狀時的厚度的觀點來看，例如可以是12~100μm。

本實施形態的密封薄膜，例如能夠藉由下述方式來製造：將第一樹脂層和第二樹脂層分別形成，並將該等貼合；或在薄膜狀的支撐體上依序形成第一樹脂層和第二樹脂層。

第一樹脂層和第二樹脂層，能夠藉由將各自的構成成分混合，然後將所得到的樹脂組成物進行成膜來形成。亦可以藉由對欲進行成膜的樹脂組成物添加有機溶劑來調製成清漆狀樹脂組成物，並將其塗佈在支撐體上並將塗膜進行乾燥，來形成第一樹脂層和第二樹脂層。清漆狀樹脂組成物對支撐體的塗佈、及塗膜的乾燥，例如可以一邊自支撐體的捲筒供給支撐體，一邊連續地實行。可以藉由此時的乾燥條件，來調整第一樹脂層和第二樹脂層的硬化收縮率。

使用密封薄膜所獲得的密封成形物的翹曲，例如能夠利用製作晶圓等級的封裝體或類似晶圓等級的封裝體的評價用基板來評價。此時，亦能夠同時評價半導體晶片的埋入性。

繼而，說明使用了本實施形態的密封薄膜之電子零件裝置的製造方法。以下，具體地說明半導體裝置的製造方法的一實施形態，該半導體裝置是作為電子零件的代表例並具有半導體晶片。

第3圖和第4圖是顯示半導體裝置的製造方法的一實施形態的概略剖面圖。本實施形態的方法，具備下述步驟：暫時固定步驟(第3圖(a))，其將暫時固定材料40貼合在基板30上，並將複數個半導體晶片20暫時固定在暫時固定材料40上；埋入步驟(第3圖(b)和(c))，其將經暫時固定的半導體晶片20與密封薄膜(密封樹脂層)10，以半導體晶片20與密封樹脂層10的密封面2S被相對向配置的方向(第二樹脂層2的密封面2S與半導體晶片20相接的方向)來重疊，並在此狀態下，在加熱下對該等進行按壓，來將半導體晶片20埋入密封樹脂層10中，該密封薄膜10具有第一樹脂層1、及被設置在該第一樹脂層1上的第二樹脂層2；及，硬化步驟(第3圖(c))，其使埋有半導體晶片20之密封薄膜10硬化。藉由硬化，可形成密封部10a，其是由第一樹脂層的硬化物1a和第二樹脂層的硬化物2a構成，並且可密封半導體晶片20。在密封部10a中，第一樹脂層的硬化物1a與第二樹脂層的硬化物2a的界線可以不明顯。

在本實施形態的方法中，可以使用疊層法來進行密封薄膜的按壓，亦可以使用壓模(compression mold)法。

作為在疊層法中使用的疊層，並無特別限定，例如可列舉：輥式、氣囊(ballon)式等的疊層。該等之中，從可使埋入性更加提升這樣的觀點來看，可採用能夠真空加壓的氣囊式。

用以埋入半導體晶片的溫度(例如，疊層溫度)，能夠以使密封樹脂層10(尤其是第二樹脂層2)流動並可埋入半導體晶片的方式來調整。該溫度，當具有支撐體時設為支撐體的軟化點以下。又，該溫度可以是第二樹脂層表現最低熔融黏度的溫度或其附近的溫度。用以埋入半導體晶片的壓力，可依據半導體晶片(或電子零件)的尺寸或密集度來變化，例如可以是0.2~1.5MPa或0.3~1.0MPa。按壓的時間，並無特別限定，可以是20~600秒、30~300秒或40~120秒。

密封樹脂層(第一樹脂層和第二樹脂層)的硬化，例如能夠在大氣下或惰性氣體下實行。硬化溫度並未特別限定，可以是80~280℃、100~240℃或120~200℃。只要硬化溫度是80℃以上，便可充分地進行密封薄膜的硬化，尤其能夠有效地抑制產生不良情況。當硬化溫度是280℃以下時，能夠抑制對其他材料產生熱傷害。硬化時間並無特別限定，可以是30~600分鐘、45~300分鐘或60~240分鐘。只要硬化時間在該等範圍內，密封樹脂層的硬化就能充分地進行，並且可獲得良好的生產效率。硬化條件，可以是溫度及/或時間不同的複數種條件的組合。

將電子零件(半導體晶片20)埋入密封樹脂層10、及使密封樹脂層10硬化而形成密封部10a，可以是分別的不同步驟，亦可以是同時或連續地實行的步驟。例如，可以藉由一邊將密封樹脂層和電子零件加熱一邊按壓，而將電子零件埋入密封樹脂層中並將密封樹脂層進行硬化，來形成密封有電子零件之密封部。

在本實施形態中，經過以下的形成絕緣層、形成線路圖案、安裝焊球(ball mounting)及切割的各步驟，便能夠獲得半導體裝置。為了以高精度且有效地實行該等步驟，期望密封成形物100的翹曲較小。

首先，將暫時固定材料40自基板30剝離，來獲得密封成形物100(第4圖(a))，該密封成形物100是由半導體晶片20和密封部10a構成，該密封部10a密封有半導體晶片20。在密封成形物100的其中一主面內，露出半導體晶片20。在露出半導體晶片20側的密封成形物的主面上，設置有絕緣層50(第4圖(b))。繼而，藉由將絕緣層50進行圖案化來形成線路54，並在經圖案化的絕緣層52上安裝焊球56(第4圖(c))。

繼而，藉由切割機60，將密封成形物進行單片化(第4圖(d)和(e))。藉此，可獲得一種半導體裝置200，其具備半導體晶片20與密封部10a，該密封部10a是密封樹脂層的硬化物，該密封樹脂層是本實施形態的密封薄膜。在半導體裝置200中，半導體晶片20在密封部10a中是以被第二樹脂層的硬化物2a包圍的方式，被埋入密封部10a內。

以上，說明了本發明中的密封薄膜、及半導體裝置及電子零件裝置的製造方法的適合的實施形態，但是本發明並未限定於上述實施形態，在不脫離其主旨的範圍內，亦可以實行適當的變更。

[實施例]

以下，藉由實施例更具體地說明本發明，但是本發明並未限定於該等實施例。

{密封薄膜的製作}

準備以下的材料來作為構成密封薄膜的成分。

[熱硬化性樹脂]

A1：雙酚F型環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製造，jER806/環氧當量：160)

[硬化劑]

B1：苯酚酚醛清漆樹脂(旭有機材料工業股份有限公司製造，PAPS-PN2/羥基當量：104)

B2：三甲烷型苯酚樹脂(本州化學工業股份有限公司製造，TrisP-HAP/羥基當量：102)

[無機填充劑]

C1：二氧化矽(Admatechs股份有限公司製造，SX-E2，苯胺基矽烷處理/平均粒徑5.8μm)

[硬化觸媒]

D1：咪唑(四國化成工業股份有限公司製造，2PHZ-PW)

[有機溶劑]

E1：甲基乙基酮

(實施例1)

在10L(10公升)的塑膠容器中置入497.5g的有機溶劑E1，並在其中加入3500g的無機填充劑C1，然後以攪拌葉片將無機填充劑C1分散在有機溶劑中。在此分散液中，加入300g的熱硬化性樹脂A1、460g的硬化劑B1，並攪拌分散液。以目視確認熱硬化性樹脂A1和硬化劑B1已溶解之後，加入2.5g的硬化觸媒D1，進一步將分散液攪拌1小時。將分散液以尼龍製的#200濾網(mesh，孔徑75μm)進行過濾，獲得濾液來作為清漆狀樹脂組成物。

使用塗佈機並利用以下的條件，將所得到的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並使支撐體和塗膜以特定的乾燥速度通過乾燥爐內，藉此將塗膜進行乾燥，來將第一樹脂層或第二樹脂層(厚度100μm)各自形成在支撐體上。塗佈和乾燥速度，意指支撐體的移動速度。乾燥條件的溫度和爐長，各自意指乾燥爐內的溫度、及支撐體在乾燥爐內的移動距離。該等條件在其他實施例和比較例中亦同。

(第一樹脂層)

塗佈頭(coating head)方式：缺角輪式(comma)。

塗佈和乾燥速度：2m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m。

(第二樹脂層)

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：3m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

利用真空疊層機將第一樹脂層與第二樹脂層貼合，來獲得具有密封樹脂層之密封薄膜，該密封樹脂層是具備第一樹脂層與第二樹脂層的2層結構。

(實施例2)

除了將硬化觸媒D1的量自2.5g變更為7.5g以外，藉由與實施例1相同的方法來製作清漆狀樹脂組成物。使用塗佈機並利用以下的條件，將所得到的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並使支撐體和塗膜以特定的乾燥速度通過乾燥爐內，藉此將塗膜進行乾燥，來將第一樹脂層(厚度100μm)形成在支撐體上。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：2m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m。

藉由與實施例1相同的方法來製作清漆狀樹脂組成物。使用塗佈機並利用以下的條件，將所得到的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並使支撐體和塗膜以特定的乾燥速度通過乾燥爐內，藉此將塗膜進行乾燥，來將第二樹脂層(厚度100μm)形成在支撐體上。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：2m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

(實施例3)

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：3m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：2m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

(實施例4)

藉由與實施例1相同的方法來製作清漆狀樹脂組成物。使用塗佈機並利用以下的條件，將所得到的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並將塗膜進行乾燥，來將第一樹脂層(厚度100μm)形成在支撐體上。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：2m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：2.5m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

(實施例5)

藉由與實施例1相同的方法來製作清漆狀樹脂組成物。使用塗佈機並利用以下的條件，將所得到的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並使支撐體和塗膜以特定的乾燥速度通過乾燥爐內，藉此將塗膜進行乾燥，來將第一樹脂層(厚度100μm)形成在支撐體上。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：2m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

在10L的塑膠容器中置入497.5g的有機溶劑E1，並在其中加入3500g的無機填充劑C1，然後以攪拌葉片將無機填充劑C1分散在有機溶劑中。在此分散液中，加入296g的熱硬化性樹脂A1、464g的硬化劑B2，並攪拌分散液。以目視確認熱硬化性樹脂A1和硬化劑B2已溶解之後，加入2.5g的硬化觸媒D1，進一步將分散液攪拌1小時。將分散液以尼龍製的#200濾網(mesh，孔徑75μm)進行過濾，獲得濾液來作為清漆狀樹脂組成物。

使用塗佈機並利用以下的條件，將所得到的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並使支撐體和塗膜以特定的乾燥速度通過乾燥爐內，藉此將塗膜進行乾燥，來將第二樹脂層(厚度100μm)形成在支撐體上。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：3m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

(實施例6)

在10L的塑膠容器中置入497.5g的有機溶劑E1，並在其中加入3350g的無機填充劑C1，然後以攪拌葉片將無機填充劑C1分散在有機溶劑中。在此分散液中，加入360g的熱硬化性樹脂A1、550g的硬化劑B1，並攪拌分散液。以目視確認熱硬化性樹脂A1和硬化劑B1已溶解之後，加入3.0g的硬化觸媒D1，進一步將分散液攪拌1小時。將分散液以尼龍製的#200濾網(mesh，孔徑75μm)進行過濾，獲得濾液來作為清漆狀樹脂組成物。

使用塗佈機並利用以下的條件，將所得到的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並使支撐體和塗膜以特定的乾燥速度通過乾燥爐內，藉此將塗膜進行乾燥，來將第一樹脂層(厚度100μm)形成在支撐體上。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：3m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

在10L的塑膠容器中置入497.5g的有機溶劑E1，並在其中加入3200g的無機填充劑C1，然後以攪拌葉片將無機填充劑C1分散在有機溶劑中。在此分散液中，加入419g的熱硬化性樹脂A1、641g的硬化劑B1，並攪拌分散液。以目視確認熱硬化性樹脂A1和硬化劑B1已溶解之後，加入3.5g的硬化觸媒D1，進一步將分散液攪拌1小時。將分散液以尼龍製的#200濾網(mesh，孔徑75μm)進行過濾，獲得濾液來作為清漆狀樹脂組成物。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：3m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

(比較例1)

使用塗佈機並利用以下的條件，將與實施例1相同的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並使支撐體和塗膜以特定的乾燥速度通過乾燥爐內，藉此將塗膜進行乾燥，來將第一樹脂層和第二樹脂層(厚度100μm)各自形成在支撐體上。

(第一樹脂層)

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：3m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

(第二樹脂層)

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：2m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m。

(比較例2)

使用塗佈機並利用以下的條件，將與實施例1相同的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並使支撐體和塗膜以特定的乾燥速度通過乾燥爐內，藉此將塗膜進行乾燥，來將第一樹脂層(厚度100μm)形成在支撐體上。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：2m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

除了將硬化觸媒D1的量自2.5g變更為7.5g以外，藉由與實施例1相同的方法來製作清漆狀樹脂組成物。使用塗佈機並利用以下的條件，將所得到的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並使支撐體和塗膜以特定的乾燥速度通過乾燥爐內，藉此將塗膜進行乾燥，來將第二樹脂層(厚度100μm)形成在支撐體上。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：2m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m。

(比較例3)

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：2m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

使用塗佈機並利用以下的條件，將與實施例1相同的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並使支撐體和塗膜以特定的乾燥速度通過乾燥爐內，藉此將塗膜進行乾燥，來將第二樹脂層(厚度100μm)形成在支撐體上。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：1.5m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

(比較例4)

使用塗佈機並利用以下的條件，將與實施例1相同的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，使支撐體和塗膜以特定的乾燥速度通過乾燥爐內，藉此將塗膜進行乾燥，來將樹脂層(厚度100μm)形成在支撐體上。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：2m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

利用真空疊層機將所得到的2片樹脂層貼合，來獲得具有密封樹脂層之密封薄膜，該密封樹脂層是厚度為200μm的1層結構。

(比較例5)

使用塗佈機並利用以下的條件，將所得到的清漆狀樹脂組成物塗佈在薄膜狀的支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯)上，並將塗膜進行乾燥，來將樹脂層(厚度100μm)形成在支撐體上。

塗佈頭方式：缺角輪式。

塗佈和乾燥速度：3m/分鐘。

乾燥條件(溫度/爐長)：90℃/3.3m、110℃/3.3m、120℃/3.3m。

將各實施例中的樹脂組成物的調配量、厚度、乾燥速度、乾燥條件及硬化收縮率，統整並表示於表1。

[表1]

[評價試驗]

(硬化收縮率)

將由上述各實施例和比較例所製成的密封薄膜的支撐體剝離，來獲得用以測定硬化收縮率的評價樣品。硬化收縮率(%)是使用PVT試驗機(東洋精機製作所股份有限公司製造)並利用下述條件所測得。將結果表示於表1和表2。

評價樣品質量：8g。

加熱條件：自40℃升溫至140℃，並在140℃保持2小時之後，冷卻至室溫(23℃)。

壓力：3MPa。

筒徑(cylinder diameter)：11.284mm(面積：1.0cm²)。

(翹曲和晶片埋入性)

準備直徑220mm、厚度1.5mm的SUS(不鏽鋼)板來作為支撐體。使用疊層機，將暫時固定用薄膜貼合在SUS板的其中一側上。使用切割刀將超出SUS板的暫時固定用薄膜切除。

繼而，在上述暫時固定用薄膜上將7.3mm×7.3mm且厚度150μm的矽晶片配置成格子狀，來獲得評價用基板。矽晶片的安裝數是193個，矽晶片的間隔(pitch)在縱方向和橫方向同樣地設為9.6mm。配置矽晶片時使用置晶機(die sorter，佳能機械股份有限公司製造的CAP3500(商品型號))，配置時的負載，設為每一矽晶片為1kgf。

將由實施例和比較例製成的各密封薄膜的密封樹脂層，以第二樹脂層朝向矽晶片側的方向來重疊並貼合在所製成的評價用基板上，並在此狀態下，使用真空疊層機一邊加熱一邊將密封樹脂層和矽晶片進行按壓，藉此將矽晶片埋入密封樹脂層中並將密封樹脂層進行熱硬化，來形成密封有矽晶片之密封部。自所得到的密封成形物剝除暫時固定用薄膜，並將矽晶片側的面朝下，利用尺來測定密封成形物的翹曲的方向、及自底面至翹曲最大的部分為止的翹曲量。翹曲方向為「凸」，意指密封部側成為凸起方向地產生翹曲。

以目視確認自暫時固定用薄膜剝除後的密封成形物的矽晶片側的面，並基於樹脂是否被填充在矽晶片之間，來判斷晶片埋入性。將沒有未被填充之處的情況判定為「良好」。針對比較例1，因為有埋入性的問題，所以並未實行翹曲的評價。

[表3]

在表2和表3中顯示評價結果。根據實施例的密封薄膜，便能夠以良好的埋入性來密封矽晶片，並且可充分地抑制密封成形物的翹曲，該實施例是第二樹脂層的硬化收縮率大於第一樹脂層的硬化收縮率者。

1:第一樹脂層

2:第二樹脂層

2S:密封面

10:密封樹脂層

Claims

一種密封薄膜，其用以密封電子零件，該密封薄膜具備密封樹脂層，該密封樹脂層具有第一樹脂層及第二樹脂層，該第一樹脂層含有第一熱硬化性樹脂和第一無機填充劑，該第二樹脂層含有第二熱硬化性樹脂和第二無機填充劑；其中，前述第二樹脂層具有密封面，該密封面在將前述電子零件密封時朝向前述電子零件側，並且前述第二樹脂層和前述第一樹脂層自前述密封面側起依序被積層；前述第二樹脂層的硬化收縮率大於前述第一樹脂層的硬化收縮率。
如請求項1所述之密封薄膜，其中，前述第二樹脂層的硬化收縮率相對於前述第一樹脂層的硬化收縮率的比，超過1且未滿10。
如請求項1或2所述之密封薄膜，其中，前述第一熱硬化性樹脂和前述第二熱硬化性樹脂，是相同的環氧樹脂或互為不同的環氧樹脂。
一種電子零件裝置的製造方法，其具備：埋入電子零件的步驟，其在加熱下，將請求項1~3中任一項所述之密封薄膜的密封樹脂層、及與該密封樹脂層的密封面相對向配置的電子零件進行按壓，藉此將前述電子零件埋入前述密封樹脂層中；及，形成密封部的步驟，其使前述密封樹脂層硬化，來形成前述密封樹脂層的硬化物也就是密封有前述電子零件之密封部。
如請求項4所述之電子零件裝置的製造方法，其中，前述電子零件包含半導體晶片。
一種電子零件裝置，其具備電子零件、及密封有前述電子零件之密封部，其中，前述密封部是請求項1~3中任一項所述之密封薄膜的密封樹脂層的硬化物。
如請求項6所述之電子零件裝置，其中，前述電子零件包含半導體晶片。
如請求項6所述之電子零件裝置，其中，前述電子零件在前述密封部中被前述第二樹脂層的硬化物包圍。